CN113451538A - 柔性可拉伸显示面板制作方法及柔性可拉伸显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及有机发光领域，公开了一种柔性可拉伸显示面板制作方法及柔性可拉伸显示面板，其中，柔性可拉伸显示面板制备方法，包括：提供第一基底，在第一基底上形成多个像素岛，各个像素岛包括第一金属层；提供第二基底，在第二基底上形成连接桥，第二基底为柔性基底；将设置在第一基底上的多个像素岛转移至第二基底上，且连接桥与第一金属层导通，使得多个像素岛经由连接桥相互连通。与现有技术相比，本发明实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法及柔性可拉伸显示面板具有降低柔性可拉伸显示面板的制作成本的优点。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光领域，特别涉及一种柔性可拉伸显示面板制作方法及柔性可拉伸显示面板。
背景技术
目前，众所周知的显示装置包括液晶显示器、等离子体显示面板、有机发光二极管显示器、场效应显示器、电泳显示器等。随着显示技术的发展，近年来又出现了形态各异的显示器件，丰富着人们的生活。其中，可拉伸显示器由于其独特新颖的可拉伸性能，受到了越来越多的关注。
可拉伸显示面板包括弹性基底、设置在弹性基底上的多个像素岛以及像素岛与像素岛之间连接的连接桥。像素岛上设置有发光元件及与发光元件连接的电极。其中，像素岛上的电极与弹性基底中的连接桥电连接。在传统技术中，当可拉伸显示装置被拉伸时，连接像素岛的连接桥被拉伸，减小像素岛产生的形变。
然而，本发明的发明人发现，现有技术中的可拉伸显示面板在制作的过程中，不同分辨率的可拉伸显示面板由于像素岛与像素岛之间的间距不同，需要使用不同的模具，甚至是使用不同的制备工艺，导致制作成本大幅增加。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种柔性可拉伸显示面板制作方法及柔性可拉伸显示面板，可以有效的降低柔性可拉伸显示面板的制作成本。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种柔性可拉伸显示面板制作方法，包括：提供第一基底，在所述第一基底上形成多个像素岛，各个所述像素岛包括第一金属层；提供第二基底，在所述第二基底上形成连接桥，所述第二基底为柔性基底；将设置在所述第一基底上的多个所述像素岛转移至所述第二基底上，且所述连接桥与所述第一金属层导通，使得所述多个像素岛经由所述连接桥相互连通。
本发明的实施方式还提供了一种柔性可拉伸显示面板，包含：柔性基底；设置在所述柔性基底上的连接桥；设置在所述连接桥两端的像素岛，各个所述像素岛包括第一金属层，所述第一金属层与所述连接桥连接导通。
与现有技术相比，本发明实施方式中首先将多个像素岛设置在第一基底上，然后在第二基底上形成连接桥，最后将制备在第一基底上的像素岛转移到第二基底上，由于显示面板的最终分辨率由像素岛转移到第二基底上时的设置间隔距离决定，而与像素岛的制备过程无关，因此，在制备不同分辨率的显示面板时均可以使用同一套模具和工艺制备第一基底上的像素岛，而无需根据分辨率的不同对模具或者是制备工艺进行更换，从而有效的降低了柔性可拉伸显示面板的制备成本。
优选的，所述第一基底包括用于设置发光像素单元的多个像素区和位于所述多个像素区之间的间隔区；所述在所述第一基底上形成多个像素岛，具体包括：在所述第一基底一侧形成柔性衬底层；在所述柔性衬底层上形成覆盖所述柔性衬底层的阻隔层；在位于所述像素区的所述阻隔层上形成若干相互间隔的沟道；在所述沟道上形成覆盖所述阻隔层和所述沟道的层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成覆盖所述栅极和所述层间绝缘层的栅极绝缘层；在所述像素区形成贯穿所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层、且与所述沟道连通的第一穿孔，以及贯穿所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述阻隔层和所述柔性衬底层、且与所述沟道相互间隔的第二穿孔；在所述第一穿孔内形成源极和漏极，在所述第二穿孔内形成所述第一金属层；刻蚀位于所述间隔区的所述柔性衬底层、所述阻隔层、所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层。在像素区的基础结构制备完成后，刻蚀位于间隔区的柔性衬底层、阻隔层、层间绝缘层、栅极绝缘层，使得各个像素区相互间隔以形成像素岛结构，制备方法更为便捷。
优选的，所述在所述第一基底一侧形成柔性衬底层前，还包括：在所述第一基底上形成覆盖所述第一基底的缓冲层；在所述缓冲层上形成覆盖所述缓冲层的第二金属层，所述第二金属层设置在所述缓冲层和所述柔性衬底层之间且所述第二金属层与所述第一金属层连接；所述刻蚀位于所述间隔区的所述柔性衬底层、所述阻隔层、所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层后，还包括：刻蚀位于所述间隔区的所述第二金属层。在缓冲层上形成第二金属层，第二金属层与第一金属层连接，在后续的像素岛转移过程中，保证第二金属层与连接桥连接即可保证第一金属层与连接桥连通，更大面积的第二金属层可以更好的避免转移误差导致第一金属层与连接桥不连通的情况发生；此外，在刻蚀位于间隔区的柔性衬底层、阻隔层、层间绝缘层、栅极绝缘层后，还刻蚀位于间隔区的第二金属层而保留缓冲层，在将像素岛自第一基底剥离时，完整的缓冲层可以使多个像素岛结构更完整的进行剥离。
优选的，所述将设置在所述第一基底上的多个所述像素岛转移至所述第二基底上，具体包括：将所述像素岛自所述第一基底剥离；去除所述缓冲层；在所述第二基底上设置粘接层；将所述像素岛设置在所述粘接层上。设置粘接层，可以使得像素岛和柔性基板之间的连接更加牢固，提升柔性可拉伸显示面板的可靠性。
优选的，所述像素岛包括设置在所述柔性基底上的柔性衬底层，覆盖所述柔性衬底层的阻隔层，设置在所述阻隔层上的沟道，覆盖所述阻隔层和所述沟道的层间绝缘层，设置在所述层间绝缘层上的栅极，覆盖所述栅极和所述层间绝缘层的栅极绝缘层，设置在所述栅极绝缘层上的源极和漏极，所述第一金属层与所述源极和所述漏极同层制备；所述第一金属层贯穿所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述阻隔层和所述柔性衬底层，且与所述沟道相互间隔设置。
优选的，还包括设置在所述柔性衬底层和所述柔性基板之间的第二金属层，所述第二金属层覆盖所述柔性衬底层设置且与所述第一金属层连接。在柔性基板上形成第二金属层，第二金属层与第一金属层连接且第二金属层覆盖柔性衬底层设置，在制备时的像素岛转移过程中，保证第二金属层与连接桥连接即可保证第一金属层与连接桥连通，更大面积的第二金属层可以更好的避免转移误差导致第一金属层与连接桥不连通的情况发生。
优选的，还包括设置在所述柔性衬底层和所述柔性基板之间的粘接层。设置粘接层，可以使得柔性衬底层和柔性基板之间的连接更加牢固，提升柔性可拉伸显示面板的可靠性。
优选的，所述连接桥包括多条连接线，以及设置在所述连接线两端的连接部，所述连接部与所述第一金属层连接导通，使得所述多个像素岛经由所述连接桥相互连通；所述第一金属层包括朝向所述连接部的第一连接面，所述连接部包括朝向所述金属件的第二连接面，所述第二连接面在所述柔性基底上的正投影的面积大于所述第一连接面在所述柔性基底上的正投影的面积。设置第二连接面在柔性基底上的正投影的面积大于第一连接面在柔性基底上的正投影的面积，在制备的过程中，可以使得第一金属层更容易与连接部连接，减小工艺误差对第一金属层与连接部连接的影响，提升柔性可拉伸显示面板的可靠性。
附图说明
图1是本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法的程序流程图；
图2是本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法所制备的柔性可拉伸显示面板的结构示意图；
图3是本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中在第一基底上形成多个像素岛的程序流程图；
图4～图13是本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中各个步骤对应的结构示意图；
图14是本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中在第二基底上形成连接桥的程序流程图；
图15～图16是本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中各个步骤对应的结构示意图；
图17是本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中将设置在第一基底上的多个像素岛转移至第二基底上的程序流程图；
图18是本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中各个步骤对应的结构示意图；
图19是沿图16中AA’的截面示意图；
图20是沿图16中BB’的截面示意图；
图21～图23是本发明第二实施方式提供的柔性可拉伸显示面板的结构示意图；
图24是本发明第三实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中在第一基底上形成多个像素岛的程序流程图；
图25～27是本发明第三实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中各个步骤对应的结构示意图；
图28是本发明第三实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中将设置在第一基底上的多个像素岛转移至第二基底上的程序流程图；
图29～31是本发明第三实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制作方法中将设置在第一基底上的多个像素岛转移至第二基底上的各个步骤对应的结构示意图；
图32是本发明第四实施方式提供的柔性可拉伸显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种柔性可拉伸显示面板制作方法。具体流程如图1所示，包括以下步骤：
步骤S101：提供第一基底，在第一基底上形成多个像素岛。
具体的，在本步骤中，如图2所示，各个像素岛包括与第一基底10抵接的第一金属层20。第一基底10包括用于设置发光像素单元的多个像素区11和位于多个像素区11之间的间隔区12。
如图3所示，在第一基底上形成多个像素岛包括以下步骤：
步骤S201：在第一基底上形成覆盖第一基底的柔性衬底层。
具体的，在本步骤中，如图4所示，在第一基底10上沉积形成覆盖第一基底10的柔性衬底层40。柔性衬底层40由绝缘材料制成，例如金属氧化物等。
步骤S202：在柔性衬底层上形成覆盖柔性衬底层的阻隔层。
具体的，在本步骤中，如图5所示，在柔性衬底层40上形成覆盖柔性衬底层40的阻隔层50。阻隔层50可以是采用氧等离子体处理方式、氧气高温退火方式或阳极氧化等方式对遮光导电材质处理得到。
步骤S203：在阻隔层上形成若干相互间隔的沟道。
具体的，在本步骤中，如图6所示，在阻隔层50上形成若干相互间隔的沟道60。沟道60的材料包括但不限于非晶铟镓锌氧化物(英文：Amorphous indium gallium zincoxide；简称：a-IGZO)、氮氧化锌(英文：Zincoxynitride；简称：ZnON)、氧化铟锌锡(英文：Indium zinc tin oxide；简称：IZTO)、非晶硅(英文：Amorphous silicon；简称：a-Si)、多晶硅(英文：Polysilicon；简称：P-Si)、六噻吩或聚噻吩等材料，本发明实施例对此不作限定。
步骤S204：在沟道上形成覆盖阻隔层和沟道的层间绝缘层。
具体的，在本步骤中，如图7所示，在沟道60上形成覆盖阻隔层50和沟道60的层间绝缘层70。
步骤S205：在层间绝缘层上形成栅极。
具体的，在本步骤中，如图8所示，在层间绝缘层70上形成栅极80。
步骤S206：在栅极上形成覆盖栅极和层间绝缘层的栅极绝缘层。
具体的，在本步骤中，如图9所示，在栅极80上形成覆盖栅极80和层间绝缘层70的栅极绝缘层90。
具体的，本发明实施例中的层间绝缘层70和栅极绝缘层90均为驱动晶体管中的介质层，每个介质层的材料均可以为硅氧化物(英文：Silicon oxide；简称：SiOx)、硅氮化物(英文：Silicon nitride；简称：SiNx)或氮氧化硅(英文：Silicon oxynitride；简称：SiON)等介质材料，或者铝氧化物(英文：Aluminum oxide；简称：ALOx)、铪氧化物(英文：Hafniumoxide；简称：HfOx)、钽氧化物(英文：Tantalum oxide；简称：TaOx)等高介电常数材料，或者有机绝缘材料。
步骤S207：在像素区形成贯穿栅极绝缘层和层间绝缘层、且与沟道连通的第一穿孔，以及贯穿栅极绝缘层、层间绝缘层、阻隔层和柔性衬底层、且与沟道相互间隔的第二穿孔。
具体的，在本步骤中，如图10所示，在像素区通过刻蚀工艺刻蚀形成贯穿栅极绝缘层90和层间绝缘层70、且与沟道60连通的第一穿孔100，同时刻蚀形成贯穿栅极绝缘层90、层间绝缘层70、阻隔层50和柔性衬底层40直至与第一基底10连通、且与沟道60和栅极80相互间隔的第二穿孔101。其中，沟道60和栅极80与穿孔101相互间隔，即指代穿孔101不穿过沟道60和栅极80。
步骤S208：在第一穿孔内形成源极和漏极，在第二穿孔内形成所述第一金属层。
具体的，在本步骤中，如图11所示，在栅极绝缘层90表面使用PVD等工艺同步沉积形成第一金属层20、源极311和漏极312，其中，源极311和漏极312形成在第一穿孔100内，第一金属层20形成在第二穿孔101内。第一金属层20的主要材料包括TiAlTi，Mo等，具体可以根据实际需要进行材料的选用。
步骤S209：刻蚀位于间隔区的柔性衬底层、阻隔层、层间绝缘层、栅极绝缘层。
具体的，在本步骤中，如图12所示，使用干法刻蚀或湿法刻蚀等刻蚀工艺刻蚀间隔区的膜层结构、例如栅极绝缘层90、层间绝缘层70、阻隔层50和柔性衬底层40等，使得多个像素区11之间相互间隔形成多个像素岛。
优选的，在本发明的其它实施方式中，本步骤可以与步骤S207中第一穿孔100和第二穿孔101同步完成刻蚀。如此设置可以有效的简化制备流程，提升制备效率。
步骤S210：制备发光层。
具体的，在本步骤中，如图13所示，在像素岛上形成发光层102。发光层101中包括有机发光结构，例如阳极、阴极以及夹设在阳极和阴极之间的有机发光材料等，具体可以根据实际需要进行灵活的制备。
可以理解的是，上述步骤S201至步骤S210仅为本实施方式中制备形成像素岛的一种具体的方法的举例说明，并不构成限定，在本发明的其它实施方式中，也可以是采用制备有孔的栅极绝缘层、层间绝缘层、阻隔层和柔性衬底层以制备第一金属层20等其它方法，具体可以根据实际需要进行灵活的设置，在此不进行一一列举。
可以理解的是，前述先刻蚀形成像素岛后在像素岛上制备形成发光层101的方法仅为本实施方式中的一种具体的举例说明，并不构成限定，在本发明的其它实施方式中，也可以是制备完整的有机发光组件后刻蚀间隔区的膜层结构形成多个相互间隔的像素岛，还可以是在制备时制备多个相互间隔的膜层结构以形成多个相互间隔的像素岛，例如先制备多个相互间隔的衬底、再在各个衬底上制备形成有机发光结构形成多个相互间隔的像素岛等其他方法，在此不进行一一列举，具体可以根据实际需要进行灵活的设置。
步骤S102：提供第二基底，在第二基底上形成连接桥。
具体的，在本步骤中，第二基底为柔性基底，如图14所示，在第二基底上形成连接桥包括以下步骤：
步骤S301：在第二基底上形成多条连接线。
具体的，如图15所示，在第二基底110上制备形成多条连接线120。多条连接线120可以是相互间隔的，也可以是相互连接的，具体可以根据实际需要进行灵活的设置。
优选的，在本实施方式中，为了提升连接线120的抗拉伸性能，连接线120为弯曲走线，例如图15所示的蛇形走线，或者是其它实施方式中的例如U形走线，凹凸走线等，具体可以根据实际需要进行灵活的设置。
进一步的，在本实施方式中，单个像素岛与单个像素岛之间的连接线120可以是如图15所示的一条，也可以是多条，具体可以根据实际需要进行灵活的设置，例如根据单个像素岛上的发光像素单元的数量进行设置等，可以理解的是单个像素岛上的发光像素单元的数量可以为一个或多个。
步骤S302：在连接线两端分别形成连接部。
具体的，如图16所示，在连接线120两端分别形成连接部130。
可以理解的是，前述先形成连接线120然后形成连接部130的制备方法仅为本实施方式中的一种具体的应用举例，并不构成限定，在本发明的其它实施方式中，也可以是连接线120和连接部130一同制备形成，或者先制备连接部130然后制备连接线120，具体可以根据实际需要进行灵活的设置，在此不进行一一列举。
步骤S103：将设置在第一基底上的多个像素岛转移至第二基底上，且连接桥与第一金属层连接导通，使得多个像素岛经由连接桥相互连通。
具体的，如图17所示，将设置在第一基底上的多个像素岛转移至第二基底上具体包括以下步骤：
步骤S401：将设置在第一基底上的多个像素岛自第一基底上剥离。
具体的，在本步骤中，如图18所示，提供第三基底140，第三基底140从多个像素岛远离第一基底10的一侧与多个像素岛固定连接，然后对第一基底10进行LLO(Laser Lift-Off process，激光剥离)处理，将多个像素岛从第一基底10上剥离下来。
在本实施方式中，LLO处理为使用激光对第一基底10进行照射，使得第一基底10与像素岛之间相互剥离的方法，在剥离过程中，可以通过调整激光能量，保证像素岛不从第三基底140上掉落。
步骤S402：将剥离下来的像素岛转移至第二基底上。
具体的，在本步骤中，如图19所示，可以将剥离下来的像素岛逐一重新设置在第二基底110上，且设置位置使得像素岛中的第一金属层20与设置在第二基底110上的连接部130连接，并去除第三基底140。例如将两个像素岛分别设置在一条连接线120两端的连接部130上，使得两个相互独立的像素岛经由连接线120连接起来，还可以是将两条相互独立的连接部130连接在同一个像素岛的第一金属层20上，从而使得两条连接线120经由像素岛连接起来，最终使得全部的像素岛经由多条连接线120连接起来且相互连通。
优选的，在本步骤中，如图20所示，还可以在第二基底110上设置粘接层150，然后将像素岛设置在粘接层150上。可以理解的是，在本实施方式中，粘接层150由绝缘材料制备而成，由于粘接层150由绝缘材料制备而成，可以将粘接层150设置在不包括第一金属层20的区域，以防止粘接层150对第一金属层20和连接部130之间的连接造成影响，保证像素岛的第一金属层20与连接部130之间的电导通。
与现有技术相比，本发明第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制备方法中首先将多个像素岛设置在第一基底10上，然后在第二基底110上形成连接桥，最后将制备在第一基底10上的像素岛转移到第二基底110上，由于显示面板的最终分辨率由像素岛转移到第二基底110上时的设置间隔距离决定，而与像素岛的制备过程无关，因此，在制备不同分辨率的显示面板时均可以使用同一套模具和工艺制备第一基底10上的像素岛，而无需根据分辨率的不同对模具或者是制备工艺进行更换，从而有效的降低了柔性可拉伸显示面板的制备成本。
本发明第二实施方式提供一种柔性可拉伸显示面板，经由第一实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制备方法制备形成，如图21、22所示，包括：柔性基底200，设置在柔性基底200上的连接桥210，以及设置在连接桥210两端的像素岛220，各个像素岛220包括第一金属层221，第一金属层221与连接桥210连接导通。
具体的，在本实施方式中，像素岛包220括设置在柔性基底200上、且覆盖连接桥210的柔性衬底层222，覆盖柔性衬底层222的阻隔层223，设置在阻隔层223上的沟道224，覆盖阻隔层223和沟道224的层间绝缘层225，设置在层间绝缘层225上的栅极226，覆盖栅极226和层间绝缘层225的栅极绝缘层227，设置在栅极绝缘层227上的源极228和漏极229，以及覆盖源极228、漏极229设置的发光层101，第一金属层221与源极228和漏极229同层制备；第一金属层221贯穿栅极绝缘层227、层间绝缘层225、阻隔层223和柔性衬底层222，且与沟道224和栅极226相互间隔设置。
优选的，在本实施方式中，连接桥210包括多条连接线211，以及设置在连接线211两端的连接部212，连接部212与第一金属层221连接导通，使得多个像素岛220经由连接桥210相互连通。
优选的，在本实施方式中，第一金属层221包括朝向连接部212的第一连接面2211，连接部212包括朝向第一金属层221的第二连接面2121，第二连接面2121在柔性基底200上的正投影的面积大于第一连接面2211在柔性基底200上的正投影的面积。通过设置第二连接面2121在柔性基底200上的正投影的面积大于第一连接面2211在柔性基底200上的正投影的面积，在制备的过程中，可以使得第一金属层221更容易与连接部212连接，减小工艺误差对第一金属层221与连接部212连接的影响，提升柔性可拉伸显示面板的可靠性。
优选的，如图23所示，在本发明的其它实施方式中，还可以包括设置在柔性衬底层222和柔性基板200之间的粘接层300。设置粘接层300，可以使得柔性衬底层222和柔性基板200之间的连接更加牢固，提升柔性可拉伸显示面板的可靠性。
不难发现，本实施方式为与第一实施方式相对应的柔性可拉伸显示面板实施例，本实施方式可与第一实施方式互相配合实施。第一实施方式中提到的相关技术细节和技术效果在本实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节和技术效果也可应用在第一实施方式中。
本发明第三实施方式涉及一种柔性可拉伸显示面板制作方法。具体流程与第一实施方式大致相同，同样包括如图2所示的制备步骤，在此不再赘述，具体区别在于在第一基底上形成多个像素岛的制备步骤不同，具体区别如图24所示，在本实施方式中，在第一基底上形成多个像素岛包括以下步骤：
步骤S501：在第一基底上形成覆盖第一基底的缓冲层。
具体的，在本步骤中，如图25所示，在第一基底10上沉积形成覆盖第一基底10的缓冲层30。缓冲层30由绝缘材料制成，例如金属氧化物等。
步骤S502：在缓冲层上形成覆盖缓冲层的第二金属层。
具体的，在本步骤中，如图26所示，在缓冲层30上形成覆盖缓冲层30的第二金属层21。
步骤S503：在第二金属层上形成覆盖第二金属层的柔性衬底层。
步骤S504：在柔性衬底层上形成覆盖柔性衬底层的阻隔层。
步骤S505：在阻隔层上形成若干相互间隔的沟道。
步骤S506：在沟道上形成覆盖阻隔层和沟道的层间绝缘层。
步骤S507：在层间绝缘层上形成栅极。
步骤S508：在栅极上形成覆盖栅极和层间绝缘层的栅极绝缘层。
步骤S509：在像素区形成贯穿栅极绝缘层和层间绝缘层、且与沟道连通的第一穿孔，以及贯穿栅极绝缘层、层间绝缘层、阻隔层和柔性衬底层、且与沟道相互间隔的第二穿孔。
步骤S310：在第一穿孔内形成源极和漏极，在第二穿孔内形成所述第一金属层。
可以理解的是，在本实施方式中步骤S503至步骤S510与第一实施方式中的步骤S201至步骤S208大致相同，在此不再赘述，具体可以参照第一实施方式的具体说明。
步骤S511：刻蚀位于间隔区的柔性衬底层、阻隔层、层间绝缘层、栅极绝缘层和第二金属层。
具体的，在本步骤中，如图27所示，使用干法刻蚀或湿法刻蚀等刻蚀工艺刻蚀间隔区的膜层结构，包括栅极绝缘层90、层间绝缘层70、阻隔层50、柔性衬底层40以及第二金属层21等，使得多个像素区11之间相互间隔形成多个像素岛。
优选的，在本发明的其它实施方式中，本步骤可以与步骤S309中第一穿孔100和第二穿孔101同步完成刻蚀。如此设置可以有效的简化制备流程，提升制备效率。
步骤S512：制备发光层。
可以理解的是，上述步骤S301至步骤S312仅为本实施方式中制备形成像素岛的一种具体的方法的举例说明，并不构成限定，在本发明的其它实施方式中，也可以是采用制备有孔的第二金属层、栅极绝缘层、层间绝缘层、阻隔层和柔性衬底层以制备第一金属层20等其它方法，具体可以根据实际需要进行灵活的设置，在此不进行一一列举。
可以理解的是，前述先刻蚀形成像素岛后在像素岛上制备形成发光层101的方法仅为本实施方式中的一种具体的举例说明，并不构成限定，在本发明的其它实施方式中，也可以是制备完整的有机发光组件后刻蚀间隔区的膜层结构形成多个相互间隔的像素岛，还可以是在制备时制备多个相互间隔的膜层结构以形成多个相互间隔的像素岛，例如先制备多个相互间隔的衬底、再在各个衬底上制备形成有机发光结构形成多个相互间隔的像素岛等其他方法，在此不进行一一列举，具体可以根据实际需要进行灵活的设置。
此外，在本发明第三实施方式中，将设置在第一基底上的多个像素岛转移至第二基底上的步骤如图28所示，包括。
步骤S601：将设置在第一基底上的多个像素岛自第一基底上剥离。
具体的，在本步骤中，如图29所示，提供第三基底140，第三基底140从多个像素岛远离第一基底10的一侧与多个像素岛固定连接，然后对第一基底10进行LLO(Laser Lift-Off process，激光剥离)处理，使得缓冲层30与第一基底10分离，从而将多个像素岛从第一基底10上剥离下来。
在本实施方式中，LLO处理为使用激光对第一基底10进行照射，使得第一基底10与缓冲层30之间相互剥离的方法，在剥离过程中，可以通过调整激光能量，保证像素岛不从第三基底140上掉落。
步骤S602：去除缓冲层。
具体的，如图30所示，可以使用激光刻蚀或者其它刻蚀方法将缓冲层30刻蚀干净。
步骤S603：将剥离下来的像素岛转移至第二基底上。
具体的，在本步骤中，如图31所示，可以将去除缓冲层30后的像素岛逐一重新设置在第二基底110上，且设置位置使得像素岛中的第二金属层21与设置在第二基底110上的连接部130连接，并去除第三基底140。例如将两个像素岛分别设置在一条连接线120两端的连接部130上，使得两个相互独立的像素岛经由连接线120连接起来，还可以是将两条相互独立的连接部130连接在同一个像素岛的第二金属层21上，从而使得两条连接线120经由像素岛连接起来，最终使得全部的像素岛经由多条连接线120连接起来且相互连通。
与现有技术相比，本发明第三实施方式所提供的柔性显示面板制备方法在保留第一实施方式的全部技术效果的同时，设置缓冲层，在剥离第一基底和像素岛时，完整的缓冲层30可以使得多个像素岛结构更完整的从第一基底上剥离；此外，还设置第二金属层21与第一金属层20连接，在后续的像素岛转移过程中，保证第二金属层21与连接桥210连接即可保证第一金属层20与连接桥210连通，更大面积的第二金属层21可以更好的避免转移误差导致第一金属层20与连接桥210不连通的情况发生。
本发明第四实施方式涉及一种柔性显示面板，第四实施方式与第二实施方式大致相同，所不同的是，如图32所示，在本发明第四实施方式中，除包含第二实施方式的全部结构外，还包括：设置在柔性基底200和柔性衬底层222之间的第二金属层230，第二金属层230与第一金属层221连接，且第二技术层230与连接部212连接导通。
不难发现，本实施方式为与第三实施方式相对应的柔性可拉伸显示面板实施例，本实施方式可与第三实施方式互相配合实施。第三实施方式中提到的相关技术细节和技术效果在本实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节和技术效果也可应用在第三实施方式中。
本发明第五实施方式提供一种柔性可拉伸显示装置，经由第一实施方式或第三实施方式所提供的柔性可拉伸显示面板制备方法制备形成或包括第二实施方式或第四实施方式所提供的柔性可拉伸显示装置。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种柔性可拉伸显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供第一基底，在所述第一基底上形成多个像素岛，各个所述像素岛包括第一金属层；
提供第二基底，在所述第二基底上形成连接桥，所述第二基底为柔性基底；
将设置在所述第一基底上的多个所述像素岛转移至所述第二基底上，且所述连接桥与所述第一金属层导通，使得所述多个像素岛经由所述连接桥相互连通。
2.根据权利要求1所述的柔性可拉伸显示面板制备方法，其特征在于，
所述第一基底包括用于设置发光像素单元的多个像素区和位于所述多个像素区之间的间隔区；
所述在所述第一基底上形成多个像素岛，具体包括：
在所述第一基底一侧形成柔性衬底层；
在所述柔性衬底层上形成覆盖所述柔性衬底层的阻隔层；
在位于所述像素区的所述阻隔层上形成若干相互间隔的沟道；
在所述沟道上形成覆盖所述阻隔层和所述沟道的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成栅极；
在所述栅极上形成覆盖所述栅极和所述层间绝缘层的栅极绝缘层；
在所述像素区形成贯穿所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层、且与所述沟道连通的第一穿孔，以及贯穿所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述阻隔层和所述柔性衬底层、且与所述沟道相互间隔的第二穿孔；
在所述第一穿孔内形成源极和漏极，在所述第二穿孔内形成所述第一金属层；
刻蚀位于所述间隔区的所述柔性衬底层、所述阻隔层、所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层。
3.根据权利要求2所述的柔性可拉伸显示面板制备方法，其特征在于，所述在所述第一基底一侧形成柔性衬底层前，还包括：
在所述第一基底上形成覆盖所述第一基底的缓冲层；
在所述缓冲层上形成覆盖所述缓冲层的第二金属层，所述第二金属层设置在所述缓冲层和所述柔性衬底层之间且所述第二金属层与所述第一金属层连接；
所述刻蚀位于所述间隔区的所述柔性衬底层、所述阻隔层、所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层后，还包括：
刻蚀位于所述间隔区的所述第二金属层。
4.根据权利要求3所述的柔性可拉伸显示面板制备方法，其特征在于，所述将设置在所述第一基底上的多个所述像素岛转移至所述第二基底上，具体包括：
将所述像素岛自所述第一基底剥离；
去除所述缓冲层；
在所述第二基底上设置粘接层；
将所述像素岛设置在所述粘接层上。
5.一种柔性可拉伸显示面板，其特征在于，包括：
柔性基底；
设置在所述柔性基底上的连接桥；
设置在所述连接桥两端的像素岛，各个所述像素岛包括第一金属层，所述第一金属层与所述连接桥连接导通。
6.根据权利要求5所述的柔性可拉伸显示面板，其特征在于，所述像素岛包括设置在所述柔性基底上的柔性衬底层，覆盖所述柔性衬底层的阻隔层，设置在所述阻隔层上的沟道，覆盖所述阻隔层和所述沟道的层间绝缘层，设置在所述层间绝缘层上的栅极，覆盖所述栅极和所述层间绝缘层的栅极绝缘层，设置在所述栅极绝缘层上的源极和漏极，所述第一金属层与所述源极和所述漏极同层制备；
所述第一金属层贯穿所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述阻隔层和所述柔性衬底层，且与所述沟道相互间隔设置。
7.根据权利要求6所述的柔性可拉伸显示面板，其特征在于，还包括设置在所述柔性衬底层和所述柔性基板之间的第二金属层，所述第二金属层覆盖所述柔性衬底层设置且与所述第一金属层连接。
8.根据权利要求6所述的柔性可拉伸显示面板，其特征在于，还包括：
设置在所述柔性衬底层和所述连接桥之间的粘接层。
9.根据权利要求8所述的柔性可拉伸显示面板，其特征在于，所述粘接层与所述第一金属层间隔设置。
10.根据权利要求5述的柔性可拉伸显示面板，其特征在于，所述连接桥包括多条连接线，以及设置在所述连接线两端的连接部，所述连接部与所述第一金属层连接导通，使得所述多个像素岛经由所述连接桥相互连通；
所述第一金属层包括朝向所述连接部的第一连接面，所述连接部包括朝向所述金属件的第二连接面，所述第二连接面在所述柔性基底上的正投影的面积大于所述第一连接面在所述柔性基底上的正投影的面积。
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|---|---|
| CN (1) | CN113451538A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115274696A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-11-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示终端 |
| WO2023164836A1 (zh) * | 2022-03-02 | 2023-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板及其制造方法、显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190207131A1 (en) * | 2017-12-31 | 2019-07-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. , Ltd. | Stretchable display panel, manufacturing method thereof, and stretchable display apparatus |
| US20200111390A1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-04-09 | Lg Display Co., Ltd. | Stretchable display panel and device and manufacturing method of the same |
| CN111864067A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板及其制造方法、显示装置 |
| WO2021000453A1 (en) * | 2019-07-02 | 2021-01-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Stretchable display panel, method of fabricating stretchable display panel, and display apparatus |
| CN112530864A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-19 | 厦门天马微电子有限公司 | 可拉伸显示面板的制备方法、可拉伸显示面板及显示装置 |
| US20210135154A1 (en) * | 2019-04-10 | 2021-05-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Stretchable display panel, stretchable display apparatus, and method of fabricating stretchable display panel |
-
2021
- 2021-06-29 CN CN202110726678.8A patent/CN113451538A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190207131A1 (en) * | 2017-12-31 | 2019-07-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. , Ltd. | Stretchable display panel, manufacturing method thereof, and stretchable display apparatus |
| US20200111390A1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-04-09 | Lg Display Co., Ltd. | Stretchable display panel and device and manufacturing method of the same |
| US20210135154A1 (en) * | 2019-04-10 | 2021-05-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Stretchable display panel, stretchable display apparatus, and method of fabricating stretchable display panel |
| WO2021000453A1 (en) * | 2019-07-02 | 2021-01-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Stretchable display panel, method of fabricating stretchable display panel, and display apparatus |
| CN111864067A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN112530864A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-19 | 厦门天马微电子有限公司 | 可拉伸显示面板的制备方法、可拉伸显示面板及显示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023164836A1 (zh) * | 2022-03-02 | 2023-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN115274696A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-11-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示终端 |
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