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CN113451346B - 一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法 - Google Patents

一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法 Download PDF

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CN113451346B
CN113451346B CN202010231078.XA CN202010231078A CN113451346B CN 113451346 B CN113451346 B CN 113451346B CN 202010231078 A CN202010231078 A CN 202010231078A CN 113451346 B CN113451346 B CN 113451346B
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Abstract

一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法，其中，显示基板用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，像素区域包括：绑定区域和包围绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；连接电极设置在驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与驱动背板连接；粘附层与连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定发光元件；辅助电极，用于连接发光元件和连接电极。本申请不仅可以节省时间，而且可以节省生产成本。

Description

一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法
技术领域
本文涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展，约50微米～60微米的次毫米发光二极管(Mini LightEmitting Diode，简称Mini LED)显示和15微米以下的微型发光二极管(Micro LightEmitting Diode，简称Micro LED)显示逐渐成为显示面板的一个热点。其中，Micro LED显示具有低功耗、高色域、高稳定性、高分辨率、超薄、易实现柔性显示等显著优势，有望成为替代有机发光二极管显示(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)的更优显示技术。
Micro LED显示技术存在的一个技术难点是巨量转移技术。Micro LED只能通过外延生长制备，而如何将Micro LED从最初的外延衬底上简便、可靠地转移到显示基板上，一直是业界难题，阻碍了Micro LED显示的发展，造成了Micro LED显示的发展缓慢。相关技术中的Micro LED转移技术不仅耗时，而且生产成本较高。
申请内容
本申请提供了一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法，不仅可以节省时间，而且可以降低生成成本。
第一方面，本申请提供了一种显示基板，用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；所述显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，所述像素区域包括：绑定区域和包围所述绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；
所述连接电极设置在所述驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与所述驱动背板连接；所述粘附层与所述连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定所述发光元件；所述辅助电极，用于连接所述连接电极和所述发光元件。
在一种可能的实现方式中，所述驱动背板包括：衬底、薄膜晶体管、供电电极和平坦层；
所述薄膜晶体管设置在所述衬底的一侧，所述供电电极设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述平坦层位于供电电极远离所述衬底的一侧；所述供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；
其中，所述平坦层沿垂直于衬底方向的长度大于1.5微米。
在一种可能的实现方式中，在每个像素区域中，所述平坦层上设置有第一过孔和第二过孔；
所述供电电极包括：第一供电电极和第二供电电极，所述第二供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；所述连接电极包括：第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极和所述第二连接电极分别位于所述绑定区域的两侧；
所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一供电电极电连接，所述第二连接电极通过所述第二过孔与所述第二供电电极电连接。
在一种可能的实现方式中，所述发光元件包括：第一电极和第二电极，所述发光元件包括：相对设置的第一表面和第二表面；所述第一电极和所述第二电极位于所述第二表面；
所述粘附层与所述发光元件的第一表面直接接触；
所述粘附层的黏度小于500毫帕每秒，所述粘附层的厚度小于100纳米。
在一种可能的实现方式中，在每个像素区域中，所述辅助电极包括：第一辅助电极和第二辅助电极；
所述第一辅助电极用于连接所述第一电极和所述第一连接电极，所述第二辅助电极用于连接所述第二电极和所述第二连接电极。
在一种可能的实现方式中，所述连接电极和所述辅助电极一体成型。
第二方面，本申请还提供了一种显示基板的制作方法，用于制作上述显示基板，所述方法包括：
形成一驱动背板；
在驱动背板上形成连接电极；
在形成有所述连接电极的驱动背板上形成位于非绑定区域的，且用于限定绑定区域的绝缘支撑层；所述绝缘支撑层在所述驱动背板上的正投影与所述连接电极在驱动背板上的正投影存在重叠区域；
在形成有绝缘支撑层的驱动背板上采用印刷工艺形成粘附层；
采用对位设备将承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板对位，使得承载基板上的发光元件粘附在位于绑定区域的粘附层上；
将对位后的所述承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板进行加热，使得粘附层固化，以固定所述发光元件；
依次剥离所述承载基板和所述绝缘支撑层，以暴露出连接电极；
形成连接所述连接电极和所述发光元件的辅助电极。
在一种可能的实现方式中，所述形成一驱动背板包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧形成包括第一供电电极和第二供电电极的供电电极；
在所述供电电极远离所述薄膜晶体管的一侧形成包括第一过孔和第二过孔的平坦层。
在一种可能的实现方式中，所述将对位后的所述承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板进行加热包括：
将对位后的所述承载基板与形成有原始粘附层的所述原始显示基板进行加热，其中，加热时间为25-35分钟，加热温度为200-230摄氏度。
在一种可能的实现方式中，所述剥离承载基板包括：
采用激光工艺和物理撕除工艺剥离承载基板。
在一种可能的实现方式中，述剥离绝缘支撑层包括：
采用等离子刻蚀工艺剥离绝缘支撑层，其中，刻蚀时间为20-40分钟。
第三方面，本申请还提供一种发光元件的转移方法，所述方法包括：
提供一承载基板；
将所述承载基板与所述原始基板贴合，采用激光工艺对所述原始基板远离所述承载基板的一侧进行照射，以将所述发光元件从原始基板剥离；
采用上述显示基板的制作方法将承载基板上所承载的发光元件转移至上述显示基板中。
本申请提供一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法，其中，显示基板用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，像素区域包括：绑定区域和包围绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；连接电极设置在驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与驱动背板连接；粘附层与连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定发光元件；辅助电极，用于连接发光元件和连接电极。本申请通过将承载基板上上承载从原始基板上剥离下来的发光元件设置在显示基板的绑定区域，通过辅助电极和连接电极连接发光元件和驱动背板，降低了对位精度，避免使用了高精度的对位设备，不仅可以节省时间，而且可以节省生产成本。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2为图1中一个像素区域对应的俯视图；
图3为一种示例性实施例提供的承载基板的结构示意图；
图4为一种示例性实施例提供的发光元件的结构示意图；
图5为一种示例性实施例提供的显示基板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图7-图15为一种示例性实施例提供的显示基板的制作方法的示意图；
图16为本申请实施例提供的发光元件的转移方法的流程图；
图17-图19为一种示例性实施例提供的发光元件的转移方法的示意图。
具体实施方式
本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的申请方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它申请方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的申请方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。
除非另外定义，本申请实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图，如图2为图1中一个像素区域对应的俯视图。如图1和图2所示，本申请实施例提供的显示基板用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件50。显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域P。像素区域P包括：绑定区域BB和包围绑定区域BB的非绑定区域BB’。每个像素区域P包括：驱动背板10、连接电极20、粘附层30和辅助电极40。
具体的，连接电极20设置在驱动背板10的一侧，且位于非绑定区域BB’，用于与驱动背板10连接；粘附层30与连接电极20同层设置，且位于绑定区域BB，用于绑定发光元件50；辅助电极40，用于连接发光元件50和连接电极20。
在一种示例性实施例中，连接电极20和辅助电极40可以为金属或者透明导电材料。连接电极20和辅助电极40的制作材料可以相同，或者可以不同。
在一种示例性实施例中，连接电极20的形状可以为柱状或者其他形状。
在一种示例性实施例中，粘附层30在驱动背板10上的正投影覆盖发光元件在驱动背板10上的正投影。
在一种示例性实施例中，粘附层30的制作材料可以为聚酰亚胺或者SU-8光刻胶。
在一种示例性实施例中，连接电极20与发光元件50位于不同的区域，通过辅助电极40连接发光元件50和连接电极20，即本申请所要求的对位精度只要保证发光元件能够绑定在粘附层上即可，大大减少了发光元件转移时的设备的精度，并减少了对位所需的耗时。
在一种示例性实施例中，发光元件可以包括Micro LED。Micro LED的尺寸为微米，Micro LED可以设置成各种形状，例如可是设置Micro LED在原始基板上的正投影为方形、圆形或者梯形等。图1是以发光元件在原始基板上的正投影为方形为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，原始基板可以为蓝宝石衬底、硅衬底或氮化镓衬底等，本申请实施例对此不作任何限定。
图3为一种示例性实施例提供的承载基板的结构示意图。如图3所示，承载基板包括：基底1和依次设置在基底1上的胶体层2。胶体层2包括：释放层2A和黏着层2B。释放层2A设置在黏着层2B靠近基底1的一侧。
在一种示例性实施例中，基底1可以为玻璃基底、塑料基底或者其他透明基底。
在一种示例性实施例中，承载基板承载有从原始基板上剥离下来的发光元件50，其中，发光元件50位于黏着层2B远离基底1的一侧。
图4为一种示例性实施例提供的发光元件的结构示意图。如图4所示，一种示例性实施例提供的发光元件包括：依次层叠设置的缓冲层51、N型半导体层52、发光层53、P型半导体层54、欧姆接触电极55、第一电极56和第二电极57。本领域技术人员应该明白，多个发光元件的制作过程为先在原始基板上形成缓冲层51，在缓冲层上生长N型半导体层52、发光层53、P型半导体层54，再形成与P型半导体层接触的欧姆电极，最后形成与欧姆电极55接触的第一电极56以及与N型半导体层52接触的第二电极57，从而形成在原始基板上的多个发光元件。
如图4所示，发光层53包括：第一量子阱层531和第二量子阱层532。第二量子阱层532位于第一量子阱层531远离缓冲层51的一侧。
在一种示例性实施例中，缓冲层51的制作材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的复合物。缓冲层51沿垂直于原始基板方向的长度为2800-3200纳米。
在一种示例性实施例中，缓冲层51沿垂直于原始基板方向的长度为3000纳米。
在一种示例性实施例中，N型半导体层52沿垂直于原始基板方向的长度为700-900纳米。
在一种示例性实施例中，N型半导体层52沿垂直于原始基板方向的长度为800纳米。
在一种示例性实施例中，第一量子阱层531沿垂直于原始基板方向的长度为200-300纳米。
在一种示例性实施例中，第一量子阱层531沿垂直于原始基板方向的长度为250纳米。
在一种示例性实施例中，第二量子阱层532沿垂直于原始基板方向的长度为150-200纳米。
在一种示例性实施例中，第二量子阱层532沿垂直于原始基板方向的长度为180纳米。
在一种示例性实施例中，P型半导体层54沿垂直于原始基板方向的长度为100-150纳米。
在一种示例性实施例中，P型半导体层54沿垂直于原始基板方向的长度为120纳米。
在一种示例性实施例中，欧姆接触电极55的制作材料为金属。欧姆接触电极55的结构可以为单层结构或者可以为叠层结构。当欧姆接触电极55为叠层结构时，欧姆接触电极包括：第一金属层和第二金属层，第二金属层位于第一金属层远离缓冲层一侧。
在一种示例性实施例中，第一金属层的制作材料可以为镍，第一金属层沿垂直于原始基板方向的长度为4-6纳米。
在一种示例性实施例中，第一金属层沿垂直于原始基板方向的长度为5纳米。
在一种示例性实施例中，第二金属层的制作材料可以为金，第二金属层沿垂直于原始基板方向的长度为4-6纳米。
在一种示例性实施例中，第二金属层沿垂直于原始基板方向的长度为5纳米。
在一种示例性实施例中，第一电极56和第二电极57采用同一制程形成。第一电极56和第二电极57的制作材料为金属。第一电极56和第二电极57的结构可以为单层结构或者可以为叠层结构。当第一电极56和第二电极57为叠层结构时，第一电极56和第二电极57包括：第三金属层和第四金属层，第四金属层位于第三金属层远离缓冲层一侧。
在一种示例性实施例中，第三金属层的制作材料可以为钛，第三金属层沿垂直于原始基板方向的长度为8-12纳米。
在一种示例性实施例中，第三金属层沿垂直于原始基板方向的长度为10纳米。
在一种示例性实施例中，第四金属层的制作材料可以为金或银，第四金属层沿垂直于原始基板方向的长度为90-110纳米。
在一种示例性实施例中，第四金属层沿垂直于原始基板方向的长度为100纳米。
本申请提供的显示基板用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，像素区域包括：绑定区域和包围绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；连接电极设置在驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与驱动背板连接；粘附层与连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定发光元件；辅助电极，用于连接发光元件和连接电极。本申请通过将承载基板上上承载从原始基板上剥离下来的发光元件设置在显示基板的绑定区域，通过辅助电极和连接电极连接发光元件和驱动背板，降低了对位精度，不仅可以节省时间，而且可以节省生产升本。
在一种示例性实施例中，如图1所示，驱动背板10包括：衬底11、薄膜晶体管12、第一绝缘层13、第二绝缘层14、供电电极15和平坦层16。
具体的，薄膜晶体管12设置在衬底11的一侧，供电电极15设置在薄膜晶体管12远离衬底11的一侧，平坦层16位于供电电极15远离衬底11的一侧；供电电极15与薄膜晶体管的漏电极连接。
在一种示例性实施例中，衬底11可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
在一种示例性实施例中，薄膜晶体管12包括：有源层、栅电极、源电极和漏电极。源电极和漏电极分别与有源层连接。薄膜晶体管可以为顶栅结构，或者底栅结构。图1是以薄膜晶体管为底栅结构为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，栅电极的制作材料可以为金属。金属可以为钼。栅电极沿垂直于衬底方向的长度为150-250纳米。
在一种示例性实施例中，栅电极沿垂直于衬底方向的长度为200纳米。
在一种示例性实施例中，有源层的制作材料可以为金属氧化物或者多晶硅。金属氧化物可以为铟镓锌氧化物。有源层沿垂直于衬底方向的长度为30-50纳米。
在一种示例性实施例中，有源层沿垂直于衬底方向的长度为40纳米。
在一种示例性实施例中，源电极和漏电极的制作材料可以为金属。金属可以为钼。源电极和漏电极沿垂直于衬底方向的长度为150-250纳米。
在一种示例性实施例中，源电极和漏电极沿垂直于衬底方向的长度为200纳米。
如图1所示，第一绝缘层13设置在有源层和栅电极之间。第二绝缘层14设置在源电极和漏电极远离衬底11的一侧。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层13和第二绝缘层14的制作材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的复合物。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层13沿垂直于衬底方向的长度为130-170纳米。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层13沿垂直于衬底方向的长度为150纳米。
在一种示例性实施例中，第二绝缘层14沿垂直于衬底方向的长度为280-320纳米。
在一种示例性实施例中，第二绝缘层14沿垂直于衬底方向的长度为300纳米。
在一种示例性实施例中，供电电极15沿垂直于衬底方向的长度为350-450纳米。
在一种示例性实施例中，供电电极15沿垂直于衬底方向的长度为400纳米。
在一种示例性实施例中，供电电极15的制作材料为金属。供电电极15的结构可以为单层结构或者叠层结构。当供电电极15的结构为叠层结构时，供电电极15包括：叠层设置的第五金属层、第六金属层和第七金属层。第五金属层设置在第六金属层靠近衬底的一侧，第七金属层设置在第五金属层远离衬底的一侧。
在一种示例性实施例中，第五金属层和第七金属层的制作材料可以为钛。
在一种示例性实施例中，第六金属层的制作材料可以为铝。
在一种示例性实施例中，平坦层16沿垂直于衬底方向的长度大于1.5微米。
在一种示例性实施例中，平坦层16的制作材料可以为亚克力基光刻树脂或者硅氧烷树脂。
在一种示例性实施例中，在驱动背板中设置平坦层可以保证绑定在驱动背板上的发光元件的均一性，提升显示基板的显示效果。
在一种示例性实施例中，如图1所示，在每个像素区域中，平坦层16上设置有第一过孔V1和第二过孔V2。
在一种示例性实施例中，第一过孔V1的数量为至少一个，第一过孔的横截面的形状可以为圆形、方形或者其他形状。
在一种示例性实施例中，第二过孔V2的数量为至少一个，第一过孔的横截面的形状可以为圆形、方形或者其他形状。
在一种示例性实施例中，如图1所示，供电电极15包括：第一供电电极151和第二供电电极152，第二供电电极152与薄膜晶体管12的漏电极连接。
在一种示例性实施例中，如图1所示，连接电极20包括：第一连接电极21和第二连接电极22，第一连接电极21和第二连接电极22分别位于绑定区域BB的两侧。
其中，第一连接电极21通过第一过孔V1与第一供电电极151电连接，第二连接电极22通过第二过孔V2与第二供电电极152电连接。
发光元件50包括：相对设置的第一表面和第二表面；第一电极56和第二电极57位于第二表面。
在一种示例性实施例中，当显示基板绑定发光元件时，粘附层30与发光元件50的第一表面直接接触。
在一种示例性实施例中，粘附层30的黏度小于500毫帕每秒。
在一种示例性实施例中，粘附层30的厚度小于100纳米。
图5为一种示例性实施例提供的显示基板的结构示意图。如图5所示，在每个像素区域中，辅助电极包括：第一辅助电极41和第二辅助电极42。
第一辅助电极41用于连接第一电极56和第一连接电极21，第二辅助电极22用于连接第二电极57和第二连接电极22。
在一种示例性实施例中，连接电极20和辅助电极40可以分开设置，或者连接电极20和辅助电极40可以一体成型。
本申请实施例还提供一种显示基板的制作方法，图6为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的流程图。如图6所示，本申请实施例提供的显示基板的制作方法，用于制作上述实施例提供的显示基板，显示基板的制作方法具体包括以下步骤。
步骤S11、形成一驱动背板。
步骤S12、在驱动背板上形成连接电极。
步骤S13、在形成有连接电极的驱动背板上形成位于非绑定区域的，且用于限定绑定区域的绝缘支撑层。
在一种示例性实施例中，绝缘支撑层在驱动背板上的正投影与连接电极在驱动背板上的正投影存在重叠区域。
在一种示例性实施例中，绝缘支撑层包括：第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部。第一支撑部在驱动背板上的正投影至少部分覆盖第一连接电极在驱动背板上的正投影。第二支撑部在驱动背板上的正投影至少部分覆盖第二连接电极。第三支撑部位于非绑定区域，第二支撑部和第三支撑部用于限定绑定区域。
在一种示例性实施例中，绝缘支撑层沿垂直于驱动背板方向的长度等于发光元件沿垂直于驱动背板方向的长度。
在一种示例性实施例中，第一支撑部和第二支撑部不仅可以保护连接电极，而且当显示基板与承载基板对合时，可以支撑承载基板。第三支撑部不仅与第二支撑部结合可以限定绑定区域，而且还可以支撑承载基板。
步骤S14、在形成有绝缘支撑层的驱动背板上采用印刷工艺形成粘附层。
具体的，步骤S14包括：采用液晶显示面板的工艺流程中的聚酰亚胺印刷设备印刷形成粘附层。
步骤S15、采用对位设备将承载基板与形成有粘附层的驱动背板对位，使得承载基板上的发光元件粘附在位于绑定区域的粘附层上。
步骤S16、将对位后的承载基板与形成有粘附层的驱动背板进行加热，使得粘附层固化，以固定发光元件。
具体的，步骤S16包括：采用后烘工艺单元将对位后的承载基板与形成有粘附层的驱动背板进行加热。
步骤S17、依次剥离承载基板和绝缘支撑层，以暴露出连接电极。
步骤S18、形成连接发光元件和连接电极的辅助电极。
其中，显示基板为前述实施例提供的显示基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，步骤S11包括：提供一衬底；在衬底上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管远离衬底的一侧形成包括第一供电电极和第二供电电极的供电电极；在供电电极远离薄膜晶体管的一侧形成包括第一过孔和第二过孔的平坦层。
在一种示例性实施例中，在衬底上形成薄膜晶体管包括：在衬底上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成栅电极；在形成有栅电极的玻璃衬底上沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图，形成第一绝缘层；在栅绝缘层上形成有源层；在形成有源层的玻璃衬底上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成源漏电极；在形成源漏电极的剥离衬底上沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图，形成第二绝缘层。
在一种示例性实施例中，在薄膜晶体管远离衬底的一侧形成包括第一供电电极和第二供电电极的供电电极包括：在第二绝缘层上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成包括第一供电电极和第二供电电极的供电电极。
在一种示例性实施例中，在供电电极远离薄膜晶体管的一侧形成包括第一过孔和第二过孔的平坦层包括：在供电电极远离薄膜晶体管的一侧涂布平坦薄膜，通过光刻工艺对平坦薄膜进行构图，形成平坦层。
在一种示例性实施例中，在衬底上沉积第一金属薄膜之前，显示基板的制作方法还包括：清洗衬底。
在一种示例性实施例中，步骤S16包括：将对位后的所述承载基板与形成有原始粘附层的所述原始显示基板进行加热，其中，加热时间为25-35分钟，加热温度为200-230摄氏度。
在一种示例性实施例中，剥离承载基板包括：采用激光工艺和物理撕除工艺剥离承载基板。
承载基板包括：层叠设置的基底、释放层和黏着层。剥离承载基板包括：采用激光工艺将基底剥离；采用线扫描激光工艺剥离释放层；采用化学溶解或者物理撕除剥离黏着层。
在一种示例性实施例中，剥离绝缘支撑层包括：采用等离子刻蚀工艺剥离绝缘支撑层，其中，刻蚀时间为20-40分钟。
在一种示例性实施例中，剥离绝缘支撑层包括：采用氧气等离子刻蚀工艺剥离绝缘支撑层。
在一种示例性实施例中，当连接电极与辅助电极一体成型时，显示基板的制作方法包括：形成一驱动背板；在驱动背板上形成位于非绑定区域的，且用于限定绑定区域的绝缘支撑层；在形成有绝缘支撑层的驱动背板上采用印刷工艺形成粘附层；采用对位设备将承载基板与形成有粘附层的驱动背板对位，使得承载基板上的发光元件粘附在位于绑定区域的粘附层上；将对位后的承载基板与形成有粘附层的驱动背板进行加热，使得粘附层固化，以固定发光元件；依次剥离承载基板和绝缘支撑层，以暴露出平坦层过孔；形成连接电极和辅助电极。
下面结合图1、图2、图7-图15进一步说明显示基板的制作方法。
步骤S111、提供一衬底11，清洗衬底11，在衬底11上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成栅电极；在形成有栅电极的玻璃衬底上沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图，形成第一绝缘层13；在栅绝缘层上形成有源层；在形成有源层的玻璃衬底上沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成源漏电极；在形成源漏电极的剥离衬底上沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图，形成第二绝缘层14，以形成薄膜晶体管12，如图7所示。
步骤S112、在第二绝缘层14上沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成包括第一供电电极151和第二供电电极152的供电电极15，如图8所示。
步骤S113、在供电电极15远离薄膜晶体管12的一侧涂布平坦薄膜，通过光刻工艺对平坦薄膜进行构图，形成包括第一过孔V1和第二过孔V2的平坦层16，以形成驱动背板10，如图9所示。
步骤S114、在驱动背板10上形成包括第一连接电极21和第二连接电极22连接电极20，如图10所示。
步骤S115、在形成有连接电极20的驱动背板10上形成位于非绑定区域的，且用于限定绑定区域的绝缘支撑层60，如图11所示。
步骤S116、采用液晶显示面板的工艺流程中的聚酰亚胺印刷设备在形成有绝缘支撑层60的驱动背板10上采用印刷工艺形成粘附层30，如图12所示。
步骤S117、采用对位设备将承载基板100与形成有粘附层30的驱动背板10对位，使得承载基板上的发光元件50粘附在位于绑定区域BB的粘附层30上，采用后烘工艺单元将对位后的承载基板与形成有粘附层30的驱动背板10进行加热，使得粘附层30固化，加热时间为25-35分钟，加热温度为200-230摄氏度，以固定发光元件50，如图13所示。
步骤S118、采用激光工艺依次将承载基板中的基底1和释放层2A剥离，如图14所示。
步骤S119、采用化学溶解或者物理撕除剥离黏着层2B，如图15所示。
步骤S120、采用等离子刻蚀工艺，将绝缘支撑层60刻蚀20-40分钟，以剥离绝缘支撑层60，暴露出连接电极20，如图1所示。
步骤S121、形成连接发光元件50和连接电极20的辅助电极40，如图2所示。
本申请实施例还提供一种发光元件的转移方法，图16为本申请实施例提供的发光元件的转移方法的流程图。如图16所示，本申请实施例提供的发光元件的转移方法具体包括以下步骤：
S21、形成一承载基板。
在一种示例性实施例中，步骤S210包括：提供一基底，在基底上形成释放层，在释放层上形成黏着层。
S22、将承载基板与原始基板贴合，采用激光工艺对原始基板远离承载基板的一侧进行照射，以将发光元件从原始基板剥离。
在一种示例性实施例中，将承载基板的黏着层所在的表面与设置有发光元件的原始基板的表面贴合。
在一种示例性实施例中，采用248纳米或者193纳米的激光将发光元件从原始基板剥离。
在一种示例性实施例中，承载基板有选择性的承载原始基板上的发光元件。原始基板上的发光元件的排布方式与承载基板上承载的发光元件的排布方式不同。
步骤S23、采用显示基板的制作方法将承载基板上所承载的发光元件转移至显示基板中。
在一种示例性实施例中，发光元件可以包括Micro LED。Micro LED的尺寸为微米，Micro LED可以设置成各种形状，例如可是设置Micro LED在原始基板上的正投影为方形、圆形或者梯形等。
在一种示例性实施例中，原始基板可以为蓝宝石衬底、硅衬底或氮化镓衬底等，本申请实施例对此不作任何限定。
其中，显示基板的制作方法为前述实施例提供的显示基板的制作方法，显示基板为前述实施例提供的显示基板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
下面结合图17-19进一步说明一种示例性实施例提供的发光元件的转移方法。
步骤211、形成一承载基板100，如图17所示。
其中，承载基板100包括：层叠设置的基底1、释放层2A和黏着层2B。
步骤212、将承载基板100与原始基板200贴合，如图18所示。
其中，原始基板200上设置有多个发光元件50。
步骤213、采用激光工艺对原始基板200远离承载基板100的一侧进行照射，以将发光元件50从原始基板200剥离，转移原始基板200，如图19所示。
步骤214、采用前述实施例中的步骤S111-步骤S121将承载基板上的发光元件转移至显示基板中。
本申请实施例附图只涉及本申请实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本申请的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
虽然本申请所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本申请而采用的实施方式，并非用以限定本申请。任何本申请所属领域内的技术人员，在不脱离本申请所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；所述显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，所述像素区域包括：绑定区域和包围所述绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；
所述连接电极设置在所述驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与所述驱动背板连接；所述粘附层与所述连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定所述发光元件；所述辅助电极，用于连接所述连接电极和所述发光元件；
粘附层在驱动背板上的正投影覆盖发光元件在驱动背板上的正投影；
所述驱动背板包括：衬底、薄膜晶体管、供电电极和平坦层；所述薄膜晶体管设置在所述衬底的一侧，所述供电电极设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述平坦层位于供电电极远离所述衬底的一侧；所述供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；
所述发光元件包括：第一电极和第二电极，所述发光元件包括：相对设置的第一表面和第二表面；所述第一电极和所述第二电极位于所述第二表面；所述粘附层与所述发光元件的第一表面直接接触。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，其中，所述平坦层沿垂直于衬底方向的长度大于1.5微米。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，在每个像素区域中，所述平坦层上设置有第一过孔和第二过孔；
所述供电电极包括：第一供电电极和第二供电电极，所述第二供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；所述连接电极包括：第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极和所述第二连接电极分别位于所述绑定区域的两侧；
所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一供电电极电连接，所述第二连接电极通过所述第二过孔与所述第二供电电极电连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述粘附层的黏度小于500毫帕每秒，所述粘附层的厚度小于100纳米。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，在每个像素区域中，所述辅助电极包括：第一辅助电极和第二辅助电极；
所述第一辅助电极用于连接所述第一电极和所述第一连接电极，所述第二辅助电极用于连接所述第二电极和所述第二连接电极。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接电极和所述辅助电极一体成型。
7.一种显示基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-6任一项所述的显示基板，所述方法包括：
形成一驱动背板；所述驱动背板包括：衬底、薄膜晶体管、供电电极和平坦层；所述薄膜晶体管设置在所述衬底的一侧，所述供电电极设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述平坦层位于供电电极远离所述衬底的一侧；所述供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；
在驱动背板上形成连接电极；
在形成有所述连接电极的驱动背板上形成位于非绑定区域的，且用于限定绑定区域的绝缘支撑层；所述绝缘支撑层在所述驱动背板上的正投影与所述连接电极在驱动背板上的正投影存在重叠区域；
在形成有绝缘支撑层的驱动背板上采用印刷工艺形成粘附层；
采用对位设备将承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板对位，使得承载基板上的发光元件粘附在位于绑定区域的粘附层上；所述发光元件包括：第一电极和第二电极，所述发光元件包括：相对设置的第一表面和第二表面；所述第一电极和所述第二电极位于所述第二表面；所述粘附层与所述发光元件的第一表面直接接触；
将对位后的所述承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板进行加热，使得粘附层固化，以固定所述发光元件；粘附层在驱动背板上的正投影覆盖发光元件在驱动背板上的正投影；
依次剥离所述承载基板和所述绝缘支撑层，以暴露出连接电极；
形成连接所述连接电极和所述发光元件的辅助电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成一驱动背板包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧形成包括第一供电电极和第二供电电极的供电电极；
在所述供电电极远离所述薄膜晶体管的一侧形成包括第一过孔和第二过孔的平坦层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述将对位后的所述承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板进行加热包括：
将对位后的所述承载基板与形成有原始粘附层的原始显示基板进行加热，其中，加热时间为25-35分钟，加热温度为200-230摄氏度。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述剥离承载基板包括：
采用激光工艺和物理撕除工艺剥离承载基板。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述剥离绝缘支撑层包括：
采用等离子刻蚀工艺剥离绝缘支撑层，其中，刻蚀时间为20-40分钟。
12.一种发光元件的转移方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一承载基板；
将所述承载基板与所述原始基板贴合，采用激光工艺对所述原始基板远离所述承载基板的一侧进行照射，以将所述发光元件从原始基板剥离；
采用如权利要求7-11任一项所述的显示基板的制作方法将承载基板上所承载的发光元件转移至如权利要求1-6任一项所述的显示基板中。
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