CN113451168A - 一种干蚀刻气体控制系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种干蚀刻气体控制系统，包括蚀刻腔体，所述蚀刻腔体为密封腔体，所述蚀刻腔体内设置有气体分流盘和晶圆承载盘。所述气体分流盘位于所述蚀刻腔体的上部；所述气体分流盘上设置有多个进气孔，所述进气孔的密度从所述气体分流盘上的中心到边缘分布逐渐变小；所述晶圆承载盘位于所述蚀刻腔体的下部，所述晶圆承载盘设置于所述气体分流盘的对应下方。通过气体分流盘控制蚀刻腔体内蚀刻气体的分布情况，由于气体分流盘上的进气孔并不是均匀分布的，而是从中心到边缘分布逐渐稀疏，使得进入蚀刻腔体的蚀刻气体在中央分布较多而在四周分布较少，在抽气系统的作用下，使得实际接触晶圆的蚀刻气体分布均匀，提升晶圆蚀刻均匀度。

Description

一种干蚀刻气体控制系统

技术领域

本发明涉及半导体制备设备领域和发光二极管制备设备领域，涉及一种干蚀刻气体控制系统，尤其涉及一种能够使得蚀刻气体均匀分布、提高蚀刻均匀度的气体蚀刻系统。

背景技术

LED，即发光二极管，通过电子与空穴复合释放能量发光，能够高效地将电能转化为光能，具有众多优点，被认为是下一代进入通用照明领域的新型固态光源。

用于制作LED芯片的晶圆材料包括通过外延生成制得的外延结构，其中，外延结构具体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。在制作LED芯片的过程中，对晶圆材料进行蚀刻是不可或缺的重要步骤，通过蚀刻在第一半导体层、第二半导体层和发光层上形成特定结构，再对应设置电极，从而得到LED芯片。

干蚀刻即气体蚀刻，是业界所广泛采用的蚀刻方式。将晶圆材料放置在蚀刻腔体内，往蚀刻腔体内输入蚀刻气体，通过蚀刻气体即可完成对晶圆材料的蚀刻。然而，现有技术中存在蚀刻气体分布不均的问题，这就会导致处于不同位置上的晶圆材料的蚀刻程度不同，造成蚀刻过度或者蚀刻不足的隐患，严重影响LED芯片的良率。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种干蚀刻气体控制系统，能够保证蚀刻腔体内的蚀刻气体与晶圆均匀接触，从而提升蚀刻均匀度。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种干蚀刻气体控制系统，包括蚀刻腔体，所述蚀刻腔体为密封腔体，所述蚀刻腔体内设置有：

气体分流盘，所述气体分流盘位于所述蚀刻腔体的上部；所述气体分流盘上设置有多个进气孔，所述进气孔的密度从所述气体分流盘上的中心到边缘分布逐渐变小；

晶圆承载盘，所述晶圆承载盘用于承载晶圆，所述晶圆承载盘位于所述气体分流盘在所述蚀刻腔体的下部的正投影内。

与现有技术相比，本技术方案的有益效果是：通过气体分流盘控制蚀刻腔体内蚀刻气体的分布情况，由于气体分流盘上的进气孔并不是均匀分布的，而是从中心到边缘分布逐渐稀疏，使得进入蚀刻腔体的蚀刻气体在中央分布较多而在四周分布较少，在抽气系统的作用下，使得实际接触晶圆的蚀刻气体分布均匀，避免造成蚀刻程度不同，提升晶圆蚀刻均匀度。

进一步地，所述蚀刻腔体上还设置有多个抽气口，多个所述抽气口均匀分布于所述蚀刻腔体的四周。

采用上述方案的有益效果是：多个抽气口均匀分布于蚀刻腔体的四周，通过多个抽气口同时工作，在蚀刻腔体的四周形成均匀的负压，从而将蚀刻气体从蚀刻腔体的中心吸到四周，进一步保证实际接触晶圆的蚀刻气体能够均匀分布。

进一步地，多个所述抽气口包括三个抽气口，所述三个抽气口包括第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口；所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口均匀分布于所述蚀刻腔体的四周侧壁。

采用上述方案的有益效果是：设置有第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口三个抽气口，能够实现蚀刻气体与晶圆均匀接触，同时不会使得系统结构过于复杂，系统结构设置更加合理。

进一步，所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口的水平高度低于所述晶圆承载盘的水平高度。

采用上述方案的有益效果是：第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口位于晶圆承载盘的水平下方，配合重力作用，使得蚀刻气体能够平缓流过晶圆，保证蚀刻效果。

进一步地，还包括一缓冲尾腔，所述缓冲尾腔为密封腔体；

所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口分别通过抽气管路与所述缓冲尾腔相连通，所述缓冲尾腔与抽气装置相连通，所述抽气装置用于将所述蚀刻腔体内的蚀刻气体抽出。

采用上述方案的有益效果是：设置有缓冲尾腔，且缓冲尾腔通过抽气管路分别与第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口相连通，通过缓冲尾腔能够有效防止蚀刻腔体内压力骤变，避免蚀刻腔体内的颗粒物扬起。

进一步地，所述抽气管路包括第一支路管道、第二支路管道、第三支路管道和主路管道；

所述第一支路管道、所述第二支路管道和所述第三支路管道的一端分别与所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口相连通，所述第一支路管道、所述第二支路管道和所述第三支路管道的另一端与所述主路管道的一端相连通，所述主路管道的另一端与所述抽气装置相连通。

采用上述方案的有益效果是：通过第一支路管道、第二支路管道、第三支路管道和主路管道分别与第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口接通，能够使得第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口同时形成负压，保证蚀刻气体均匀经过晶圆，并从多个方向将蚀刻腔体内混杂有颗粒物的蚀刻气体带出。

进一步地，所述抽气管路上设置有压力自动控制阀，所述压力自动控制阀与所述抽气装置电性相连。

采用上述方案的有益效果是：通过压力自动控制阀控制出气，保证蚀刻腔体压力缓慢变化。

进一步地，所述压力自动控制阀设置于所述主路管道上。

采用上述方案的有益效果是：将压力自动控制阀设置于主路管道上，通过压力自动控制阀能够同时控制第一支路管道、第二支路管道、第三支路管道三路同时出气。

进一步地，所述蚀刻腔体内还设置有：

上电极，所述上电极设置于所述气体分流盘的上方，其中，所述上电极用于电离蚀刻气体中的等离子体；

下电极，所述下电极设置于所述晶圆承载盘的下方，其中，所述下电极用于形成电场，并通过电场对蚀刻气体中的等离子体起到导向作用。

采用上述方案的有益效果是：通过上电极电离蚀刻气体中的等离子体，再通过下电极形成的电场对蚀刻气体中的等离子体起到导向作用，将蚀刻气体引向晶圆，保证蚀刻气体能够与晶圆进行有效接触。

进一步地，所述蚀刻腔体由顶板、底板和侧壁组成，所述顶板和所述底板相对设置，所述侧壁设置于所述顶板和所述底板之间，所述顶板、所述底板和所述侧壁之间的空间形成所述蚀刻腔体；

所述顶板或者所述侧壁上设置有可开闭的取物门；

所述抽气口设置于所述蚀刻腔体的侧壁或者底板上，所述抽气口位于所述晶圆承载盘的垂直投影以外的区域。

采用上述方案的有益效果是：抽气口位于晶圆承载盘的垂直投影以外的区域，能够避开晶圆承载盘，减缓晶圆承载盘的缓冲作用，有效形成负压，且使得混杂有颗粒物的蚀刻气体能够顺利地从蚀刻腔体内导出。

附图说明

图1是本发明一种干蚀刻气体控制系统的结构示意图。

图2是本发明一种干蚀刻气体控制系统中蚀刻腔体的结构示意图。

图3是本发明一种干蚀刻气体控制系统中的气体分流盘的结构示意图。

图4是本发明一种干蚀刻气体控制系统中的抽气口的分布示意图。

图5是本发明一种干蚀刻气体控制系统中的抽气管路的分布示意图。

图中，各标号所代表的部件列表如下：

蚀刻腔体1、缓冲尾腔2；

气体分流盘101、进气孔102、晶圆承载盘103、抽气口104、抽气管路105、上电极106、下电极107；

第一抽气口1041、第二抽气口1042、第三抽气口1043；

第一支路管道1051、第二支路管道1052、第三支路管道1053、主路管道1054。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。当组件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明的具体含义。

蚀刻腔体1内一般会设置有气体分流盘101，所述气体分流盘101用于将蚀刻气体导入所述蚀刻腔体1内。为了使得蚀刻气体分布均匀，一般地，现有技术都会将气体分流盘101上的多个进气孔102均匀分布。若采用现有技术中的方案，蚀刻气体经过均匀分布的进气孔102进入到蚀刻腔体1内时，的确会在蚀刻腔体1的内部上方呈现均匀分布状态，然而，分析蚀刻气体的运动过程可知，这样的方案反面难以实现蚀刻气体与晶圆的均匀接触。

当蚀刻气体被经过均匀分布有多个进气孔102的气体分流盘101进入到蚀刻腔体1内时，的确是均匀分布于蚀刻腔体1的上方；如果蚀刻气体仅仅受到重力作用，当其下沉至晶圆处时，同样能够均匀分布于晶圆表面。而在应用过程中，需要用到抽气装置将蚀刻产生的颗粒物连同腔内气体一起抽出，因此，除了受到重力作用，蚀刻气体还会受到一个抽气负压的作用，此时，蚀刻气体就会受到向下和向外两个方向的力，造成的结果是位于晶圆边缘位置的蚀刻气体直接被抽出，而位于晶圆中心位置的蚀刻气体则要经过晶圆边缘位置后才能被抽出。可以想象的是，在这个过程中，实际接触晶圆的蚀刻气体分布并不是均匀的，而是越靠中心位置，与蚀刻气体的接触时间越短，与蚀刻气体的接触量越少。这样一来，就会导致处于不同位置上的晶圆材料的蚀刻程度不同，晶圆中心位置由于接触量少而蚀刻不足，晶圆边缘位置则由于接触量多而蚀刻过度。同一批次的LED芯片，其蚀刻程度并不一致，严重影响LED芯片的良率。本发明的目的就在于改进现有气体蚀刻系统的结构，能够保证蚀刻腔体1内的蚀刻气体与晶圆均匀接触，从而提升蚀刻均匀度。

如图1、图2和图3所示，为了达到上述效果，本发明提供了一种干蚀刻气体控制系统，主要包括蚀刻腔体1，所述蚀刻腔体1为密封腔体。

所述蚀刻腔体1内设置有气体分流盘101和晶圆承载盘103。所述气体分流盘101位于所述蚀刻腔体1的上部；所述晶圆承载盘103用于承载晶圆，所述晶圆承载盘103，所述晶圆承载盘103位于所述气体分流盘101在所述蚀刻腔体1的下部的正投影内。所述气体分流盘101上设置有多个进气孔102，与现有技术中不同的是，在本发明中，气体分流盘101上的进气孔102并不是均匀分布的，如图3所示，所述进气孔102的密度从所述气体分流盘101的中心到边缘分布逐渐变小。即靠近气体分流盘101的中央，进气孔102较为密集；而靠近气体分流盘101的边缘，进气孔102较为稀疏；也就是说靠近气体分流盘101的中央的进气孔102的密度大于靠近气体分流盘101的边缘的进气孔102的密度。

应理解，密度越大，进气孔102的数量越多。

可选地，进气孔102可以不规则的排列在气体分流盘101上。

在本发明的干蚀刻气体控制系统中，当蚀刻气体经过进气孔102从中央到边缘分布逐渐稀疏的气体分流盘101进入到蚀刻腔体1内时，会在蚀刻腔体1的内部上方呈现越靠近中央蚀刻气体越密集的分布状态。受到重力作用，蚀刻气体向下运动；受到抽气负压的作用，蚀刻气体向外运动。相当一部分本来位于中央的蚀刻气体，会在两个力的作用下，先经过晶圆的中央，再经过晶圆的边缘；而本来位于边缘的蚀刻气体，则只会经过晶圆的边缘。因此，在蚀刻腔体1的内部上方形成越靠近中央蚀刻气体越密集的蚀刻气体，能够起到一定的平衡作用。通过气体分流盘101控制蚀刻腔体1内蚀刻气体的分布情况，由于气体分流盘101上的进气孔102并不是均匀分布的，而是从中心到边缘分布逐渐稀疏，使得进入蚀刻腔体1的蚀刻气体在中央分布较多而在四周分布较少，在抽气系统的作用下，使得实际接触晶圆的蚀刻气体分布均匀，避免造成蚀刻程度不同，提升晶圆蚀刻均匀度。

优选地，所述蚀刻腔体1上还设置有多个抽气口104，多个所述抽气口104均匀分布于所述蚀刻腔体1的四周。

若仅设置有一个抽气口104，抽气装置便只能在一个方向上形成负压，这样的后果是蚀刻气体全部只可通过这唯一的抽气口104出来，此时，靠近此抽气口104的晶圆就会与大量的蚀刻气体接触，而远离此抽气口104的晶圆则只能与少量的蚀刻气体接触。本发明在蚀刻腔体1内设置有多个抽气口104，且多个抽气口104均匀分布于蚀刻腔体1的四周，通过多个抽气口104同时工作，在蚀刻腔体1的四周形成均匀的负压，从而将蚀刻气体从蚀刻腔体1的中心吸到四周，保证实际接触晶圆的蚀刻气体能够均匀分布。

理论上讲，一方面，抽气口104设置越多，则蚀刻气体能够越均匀地与晶圆接触；但是另一方面，抽气口104设置越多，干蚀刻气体控制系统的结构就会越复杂。

如图4所示，更优选地，所述蚀刻腔体1内还设置有三个抽气口104，分别为第一抽气口1041、第二抽气口1042和第三抽气口1043；所述第一抽气口1041、所述第二抽气口1042和所述第三抽气口1043均匀分布于所述蚀刻腔体1的四周侧壁。所述蚀刻腔体1的横截面为圆形，第一抽气口1041、第二抽气口1042和第三抽气口1043均匀分布于蚀刻腔体1的四周侧壁，即第一抽气口1041、第二抽气口1042和第三抽气口1043相互之间的弧线为120°。本发明设置有第一抽气口1041、第二抽气口1042和第三抽气口1043共三个抽气口104，能够实现蚀刻气体与晶圆均匀接触，同时不会使得系统结构过于复杂，系统结构设置更加合理。

需要说明的是，上述仅仅是提供了一个较优的实施方式，并不是对抽气口104的数量和设置方式进行唯一的限定。在实施本发明的技术方案时，可根据实际情况对抽气口104的数量和设置方式进行调整，如设置有二、四、五、六或者更多个抽气口，各个抽气口104之间的相对位置也可作灵活调整，只要能够使得蚀刻气体与晶圆均匀接触即可。

如图4所示，优选地，所述第一抽气口1041、所述第二抽气口1042和所述第三抽气口1043的水平高度低于所述晶圆承载盘103的水平高度。若仅仅是均匀分布有多个抽气口104，而抽气口104却位于晶圆承载盘103以上，就会导致蚀刻气体被引导向上运动，不能均匀流过整个晶圆。本发明将抽气口104设置于低于晶圆承载盘103的位置，配合重力作用，使得蚀刻气体能够平缓流过整个晶圆，保证蚀刻效果。

如图1所示，一种干蚀刻气体控制系统，除了上述蚀刻腔体1外，还包括一缓冲尾腔2，所述缓冲尾腔2为密封腔体。具体地，所述第一抽气口1041、所述第二抽气口1042和所述第三抽气口1043分别通过抽气管路105与所述缓冲尾腔2相连通，所述缓冲尾腔2与抽气装置相连通，所述抽气装置用于将所述蚀刻腔体1内的蚀刻气体抽出。

现有技术一般是抽气装置直接与抽气口104连通，通过抽气装置直接抽出带有颗粒物的蚀刻气体，然而，这样的方式虽然结构简单，却存在气压不稳定的问题，容易发生压力骤变。针对此问题，本发明设置有缓冲尾腔2，且缓冲尾腔2通过抽气管路105分别与第一抽气口1041、第二抽气口1042和第三抽气口1043相连通，通过缓冲尾腔2能够有效防止蚀刻腔体1内压力骤变，避免蚀刻腔体1内的颗粒物扬起。

如图5所示，优选地，所述抽气管路105包括第一支路管道1051、第二支路管道1052、第三支路管道1053和主路管道1054。所述第一支路管道1051、所述第二支路管道1052和所述第三支路管道1053的一端分别与所述第一抽气口1041、所述第二抽气口1042和所述第三抽气口1043相连通，所述第一支路管道1051、所述第二支路管道1052和所述第三支路管道1053的另一端与所述主路管道1054的一端相连通，所述主路管道1054的另一端与抽气装置相连通。通过第一支路管道1051、第二支路管道1052、第三支路管道1053和主路管道1054分别与第一抽气口1041、第二抽气口1042和第三抽气口1043接通，能够使得第一抽气口1041、第二抽气口1042和第三抽气口1043同时形成负压，保证蚀刻气体均匀经过晶圆，并从多个方向将蚀刻腔体1内混杂有颗粒物的蚀刻气体带出。

优选地，所述抽气管路105上设置有压力自动控制阀，所述压力自动控制阀与所述抽气装置电性相连。压力自动控制阀为现有技术中的器件，应用在本技术方案中，能够根据蚀刻腔体1的气压来调节开度和抽气装置的工作状态，控制抽气量和抽气速度。当蚀刻腔体1内的气压较大时，压力自动控制阀增大开口，抽气装置功率加大，提升抽气量和抽气速度；当蚀刻腔体1内的气压较小时，压力自动控制阀减小开口，抽气装置功率减小，降低抽气量和抽气速度。通过压力自动控制阀控制出气，保证蚀刻腔体1压力缓慢变化。

所述压力自动控制阀设置于所述主路管道上。将压力自动控制阀设置于主路管道上，通过压力自动控制阀能够同时控制第一支路管道1051、第二支路管道1052、第三支路管道1053三路同时出气。

如图1和图2所示，所述蚀刻腔体1内还设置有上电极106和下电极107。所述上电极106设置于所述气体分流盘101的上方；所述下电极107设置于所述晶圆承载盘103的下方。其中，所述上电极106用于电离蚀刻气体中的等离子体；所述下电极107用于形成电场(例如偏压电场)，并通过电场对蚀刻气体中的等离子体起到导向作用。通过上电极106电离蚀刻气体中的等离子体，再通过下电极107形成的电场对蚀刻气体中的等离子体起到导向作用，将蚀刻气体引向晶圆，保证蚀刻气体能够与晶圆进行有效接触。

优选地，所述蚀刻腔体1由顶板、底板和侧壁组成，所述顶板和所述底板相对设置，所述侧壁设置于所述顶板和所述底板之间，所述顶板、所述底板和所述侧壁之间的空间形成所述蚀刻腔体1；所述顶板或者所述侧壁上设置有可开闭的取物门；所述抽气口104设置于所述蚀刻腔体1的侧壁或者底板上，所述抽气口104位于所述晶圆承载盘103的垂直投影以外的区域。

抽气口104位于晶圆承载盘103的垂直投影以外的区域，即可理解为将抽气口104和晶圆承载盘103垂直投影于底板上时，抽气口104位于晶圆承载盘103的投影范围以外。若抽气口104位于晶圆承载盘103的投影范围以内，抽气口104所形成的负压会使得蚀刻气体先绕过晶圆的边缘，向下运动后再进入抽气口104，这样的气路就会很曲折，晶圆承载盘103会造成一定的缓冲作用。而抽气口104位于晶圆承载盘103的垂直投影以外的区域，则使得气路更加直接，能够避开晶圆承载盘103，减缓晶圆承载盘103的缓冲作用，有效形成负压，且使得混杂有颗粒物的蚀刻气体能够顺利地从蚀刻腔体1内导出。

综上所述，本发明提供的一种干蚀刻气体控制系统，通过气体分流盘101控制蚀刻腔体1内蚀刻气体的分布情况，由于气体分流盘101上的进气孔102并不是均匀分布的，而是从中心到边缘分布逐渐稀疏，使得进入蚀刻腔体1的蚀刻气体在中央分布较多而在四周分布较少，在抽气系统的作用下，使得实际接触晶圆的蚀刻气体分布均匀，避免造成蚀刻程度不同，进而可以提升晶圆蚀刻均匀度。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种干蚀刻气体控制系统，包括蚀刻腔体，所述蚀刻腔体为密封腔体，其特征在于，所述蚀刻腔体内设置有：

气体分流盘，所述气体分流盘位于所述蚀刻腔体的上部；所述气体分流盘上设置有多个进气孔，所述进气孔的密度从所述气体分流盘上的中心到边缘分布逐渐变小；

晶圆承载盘，所述晶圆承载盘用于承载晶圆，所述晶圆承载盘位于所述气体分流盘在所述蚀刻腔体的下部的正投影内。

2.根据权利要求1所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：所述蚀刻腔体上还设置有多个抽气口，多个所述抽气口均匀分布于所述蚀刻腔体的四周。

3.根据权利要求2所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：多个所述抽气口包括三个抽气口，所述三个抽气口包括第一抽气口、第二抽气口和第三抽气口；所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口均匀分布于所述蚀刻腔体的四周侧壁。

4.根据权利要求3所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口的水平高度低于所述晶圆承载盘的水平高度。

5.根据权利要求3所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：还包括一缓冲尾腔，所述缓冲尾腔为密封腔体；

所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口分别通过抽气管路与所述缓冲尾腔相连通，所述缓冲尾腔与抽气装置相连通，所述抽气装置用于将所述蚀刻腔体内的蚀刻气体抽出。

6.根据权利要求5所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：所述抽气管路包括第一支路管道、第二支路管道、第三支路管道和主路管道；

所述第一支路管道、所述第二支路管道和所述第三支路管道的一端分别与所述第一抽气口、所述第二抽气口和所述第三抽气口相连通，所述第一支路管道、所述第二支路管道和所述第三支路管道的另一端与所述主路管道的一端相连通，所述主路管道的另一端与所述抽气装置相连通。

7.根据权利要求6所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：所述抽气管路上设置有压力自动控制阀，所述压力自动控制阀与所述抽气装置电性相连。

8.根据权利要求7所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：所述压力自动控制阀设置于所述主路管道上。

9.根据权利要求1-8任一项所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：所述蚀刻腔体内还设置有：

上电极，所述上电极设置于所述气体分流盘的上方，其中，所述上电极用于电离蚀刻气体中的等离子体；

下电极，所述下电极设置于所述晶圆承载盘的下方，其中，所述下电极用于形成电场，并通过电场对蚀刻气体中的等离子体起到导向作用。

10.根据权利要求1-8任一项所述的一种干蚀刻气体控制系统，其特征在于：所述蚀刻腔体由顶板、底板和侧壁组成，所述顶板和所述底板相对设置，所述侧壁设置于所述顶板和所述底板之间，所述顶板、所述底板和所述侧壁之间的空间形成所述蚀刻腔体；

所述顶板或者所述侧壁上设置有可开闭的取物门；

所述抽气口设置于所述蚀刻腔体的侧壁或者底板上，所述抽气口位于所述晶圆承载盘的垂直投影以外的区域。

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