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CN113388826A - 一种沉积装置和沉积方法 - Google Patents

一种沉积装置和沉积方法 Download PDF

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CN113388826A
CN113388826A CN202110608312.0A CN202110608312A CN113388826A CN 113388826 A CN113388826 A CN 113388826A CN 202110608312 A CN202110608312 A CN 202110608312A CN 113388826 A CN113388826 A CN 113388826A
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CN202110608312.0A
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詹昶
王新胜
王雄禹
张佳新
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Yangtze Memory Technologies Co Ltd
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Yangtze Memory Technologies Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种沉积装置和沉积方法。根据本发明实施例的沉积装置包括沉积腔；支撑架，位于所述沉积腔中；以及第二喷头，位于所述沉积腔中，且位于所述支撑架的第一侧，用于提供反应气体，其中，所述支撑架包括边框和与所述边框相连接的多个支撑部；所述多个支撑部分别连接在所述边框的不同位置处，且分别从所述边框的内表面朝向所述边框的中心突出；所述多个支撑部之间形成通过所述反应气体的气体通道。根据本发明实施例的沉积装置和沉积方法，能够同时在晶圆边缘和晶圆背面沉积薄膜，节约了资源。

Description

一种沉积装置和沉积方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种沉积装置和沉积方法。
背景技术
存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。
在3D NAND制造工艺中，晶圆的翘曲(wafer bow)过大会导致沉积过程中等离子体的容抗阻抗发生异常，容易发生电弧放电，严重影响机台硬件维护和良品率提升，需要在晶圆背面沉积薄膜来改善晶圆的翘曲情况；在3D NAND制造工艺中，也需要在晶圆边缘沉积薄膜来保护晶圆结构。在相关技术中，上述两种制程分别需要两种不同的机台进行沉积，过程中需要反复运输晶圆，一方面容易造成晶圆损伤，另一方面增加了工艺成本，占用了较多的生产资源。
因此，希望能有一种新的沉积装置和沉积方法，能够解决上述问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种沉积装置和沉积方法，能够在同一设备中实现晶圆下表面和侧表面上薄膜的沉积，从而节约生产资源。
根据本发明的一方面，提供一种沉积装置，包括沉积腔；支撑架，位于所述沉积腔中；以及第二喷头，位于所述沉积腔中，且位于所述支撑架的第一侧，用于提供反应气体，其中，所述支撑架包括边框和与所述边框相连接的多个支撑部；所述多个支撑部分别连接在所述边框的不同位置处，且分别从所述边框的内表面朝向所述边框的中心突出；所述多个支撑部之间形成通过所述反应气体的气体通道。
优选地，所述支撑架上的所述支撑部的数量为多个，且相邻两支撑部之间的夹角相同。
优选地，所述支撑架上的所述支撑部的数量为3个。
优选地，所述支撑部的横截面形状为等腰三角形。
优选地，所述支撑部的上表面位于所述边框上表面所在平面与所述边框下表面所在平面之间。
优选地，所述支撑部用于承载晶圆；所述支撑部的上表面与所述边框上表面之间的间距大于或等于所述晶圆侧表面的厚度。
优选地，所述沉积装置还包括第一喷头，位于所述沉积腔中，且位于所述支撑架的第二侧，用于提供净化气体。
优选地，所述沉积装置还包括装载腔，用于装载待沉积晶圆；以及传输腔，分别与所述装载腔和所述沉积腔相连接，用于将所述装载腔中的所述待沉积晶圆传输至所述沉积腔中。
优选地，所述沉积装置包括第一工位，用于对晶圆进行第一次沉积反应；第二工位，用于对第一次沉积反应后的晶圆进行第二次沉积反应；以及转运单元，用于接收所述第一工位处的所述第一次沉积反应后的晶圆并将其转运至所述第二工位，其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述支撑架与所述晶圆的接触位置不同。
优选地，所述沉积装置还包括第一沉积腔，包括所述支撑架和所述第二喷头，所述第一工位位于所述第一沉积腔中；以及第二沉积腔，包括所述支撑架和所述第二喷头，所述第二工位位于所述第二沉积腔中。
根据本发明的另一方面，提供一种沉积方法，包括在如前所述的沉积装置中放置晶圆，其中，所述多个支撑部与所述晶圆的下表面接触，所述晶圆与所述边框之间具有间隙；所述晶圆的侧表面位于所述气体通道上；以及将反应气体输送至所述晶圆的下表面，所述反应气体经过所述晶圆的下表面和侧表面，从而在所述下表面和所述侧表面上形成沉积层。
优选地，所述沉积方法还包括：将净化气体输送至所述晶圆的上表面。
优选地，所述沉积方法包括：将所述晶圆放置在第一工位；进行第一沉积反应，在所述晶圆的下表面和侧表面上沉积得到第一沉积层；将所述晶圆移动至第二工位；进行第二沉积反应，至少在所述晶圆的下表面沉积得到第二沉积层，其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述支撑架与所述晶圆的接触位置不同。
优选地，在所述第一工位和所述第二工位上，所述晶圆至少旋转预定角度。
优选地，所述第一工位和所述第二工位位于不同的沉积腔中。根据本发明实施例的沉积装置和沉积方法，多个支撑部之间形成与第二喷头连通的气体通道，用于沉积的反应气体能够同时到达晶圆的下表面和侧表面，能够同时在晶圆边缘和晶圆背面沉积薄膜，节约了生产资源。
根据本发明实施例的沉积装置和沉积方法，设置有第一沉积单元和第二沉积单元，分两步实现薄膜的沉积，且两次沉积时支撑架支撑晶圆的不同位置，从而保证了薄膜沉积的完整性与均匀性。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示出了沉积系统的结构示意图；
图2示出了根据本发明实施例的沉积装置的结构示意图；
图3示出了根据本发明实施例的支撑架的结构示意图；
图4示出了根据本发明实施例的支撑架的剖视示意图；
图5示出了根据本发明实施例的支撑架放置晶圆后的俯视示意图；
图6示出了根据本发明实施例的沉积装置的结构示意图；
图7示出了根据本发明实施例的沉积方法的方法流程图；
图8示出了根据本发明实施例的沉积方法已经形成沉积层的晶圆结构示意图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
相关技术中，在晶圆边缘沉积薄膜和在晶圆背面沉积薄膜是两道不同的工序，且需要分别在两种不同的机台上进行沉积。例如首先在侧面沉积机台中完成晶圆侧面薄膜沉积，在晶圆的侧面形成侧面沉积层。然后将晶圆输送到背面沉积机台上，进行背面沉积，在晶圆的背面形成背面沉积层。背面沉积机台的侧面没有沉积/驱动(power)装置，无法实现侧面沉积。整个沉积薄膜过程中，需要反复运送晶圆，一方面容易造成晶圆损伤，另一方面增加了工艺成本。因此，期待对机台进行改进，将两个制程合并为一个，从而节约资源。
本发明可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
图1示出了沉积系统的结构示意图。
如图1所示，该(薄膜)沉积系统包括装载腔11、传输腔12、中转腔13、转运腔14和沉积腔15。具体地讲，装载腔11中设置有承载台111，用于承载待沉积晶圆(即要送往沉积腔15进行沉积的晶圆)。传输腔12分别与装载腔11和中转腔13相连接，传输腔12中的传输机械臂121将装载腔11中的待沉积晶圆传输至中转腔13中。中转腔13用于待沉积晶圆的中转。中转腔13中设置有中转台1155，用于盛放待沉积晶圆。转运腔14分别与中转腔13和沉积腔15相连接，转运腔中的转运机械臂141将中转腔13中的待沉积晶圆转运至沉积腔15中。晶圆152放置在支撑架151上，以进行沉积。
图2示出了根据本发明实施例的沉积装置的结构示意图。如图2所示，在沉积腔(图中未示出)中，设置有支撑架151、第一喷头153和第二喷头154。其中，第一喷头153向晶圆152提供净化气体(图中未示出)；第二喷头154向晶圆153提供反应气体155。
具体地讲，支撑架151位于沉积腔中，用于承载晶圆152。
第一喷头153位于沉积腔中，且位于晶圆152的上方，用于向晶圆152的上表面提供净化气体。净化气体用于防止晶圆152的上表面形成沉积层。
第二喷头154位于沉积腔中，且位于晶圆152的下方，用于向晶圆152的背面(下表面)提供反应气体155，反应气体155用于在背面上形成沉积层。
支撑架151包括边框和与边框相连接的多个支撑部。多个支撑部沿着晶圆152的周边分布且与晶圆152的下表面接触。在多个支撑部之间形成与第二喷头154连通的气体通道。支撑部用于晶圆152的支撑。多个支撑部之间形成的气体通道用于通过反应气体155。晶圆152的侧表面位于气体通道上。反应气体155通过气体通道到达晶圆152的侧表面。
在本发明的可选实施例中，第一喷头153位于晶圆152(支撑架151)的上方，第一喷头153的出气口面对支撑架边框的开口。优选地，第一喷头153出气口的中心正对晶圆152的圆心。第二喷头154位于晶圆152(支撑架151)的下方，第二喷头154的出气口面对支撑架边框的开口。优选地，第二喷头153出气口的中心正对晶圆152的圆心。
在本发明的可选实施例中，晶圆152的侧表面位于气体通道的一侧(例如位于气体通道的斜上方)。反应气体155经由所述气体通道与晶圆152的侧表面接触，从而在晶圆152的侧表面形成沉积层。
在本发明的可选实施例中，沉积腔用于容纳支撑架151、第一喷头153和第二喷头154，并作为沉积反应的反应场所。
在本发明的可选实施例中，沉积装置还包括装载腔和传输腔。装载腔用于装载待沉积晶圆(即将要送往沉积腔进行沉积的晶圆)。传输腔分别与装载腔和沉积腔相连接，用于将装载腔中的待沉积晶圆传输至沉积腔中。
在本发明的可选实施例中，第一喷头153提供的净化气体用于固定晶圆152，并保护晶圆152的非沉积面。晶圆152的非沉积面包括晶圆152的上表面。具体地讲，第一喷头153自上而下的向晶圆152的上表面提供净化气体(净化气体的流向如图2中第一喷头153上的箭头所示方向)。净化气体向晶圆152施加了向下的压力，从而将晶圆152固定(压)在支撑架151上，并可稳定晶圆152，防止晶圆152左右移动。净化气体在晶圆152的上表面(非沉积面)形成表面气流(净化气体形成的表面气流会避免反应气体吹到晶圆的上表面)，能够防止反应气体155在上表面形成沉积层。可选地，第一喷头153为正面清洗设备(Front sidepurge)。
在本发明的可选实施例中，第二喷头154提供(输出)反应气体，然后用等离子体气体(plasma)激活反应气体，从而在晶圆152的沉积面上形成沉积层。具体地讲，晶圆152的沉积面包括晶圆152的下表面和晶圆152的侧表面(边缘)。第二喷头154自下而上的向晶圆152的下表面提供反应气体(反应气体的流向如图2中第二喷头154上的箭头所示方向)；反应气体还通过多个支撑部之间形成与第二喷头154连通的气体通道到达晶圆152的侧表面。反应气体(等离子体气体)在晶圆152的下表面和侧表面(统称为沉积面)上发生反应，沉积得到沉积层。可选地，第二喷头154为背面沉积设备(Back side dep)。
图3示出了根据本发明实施例的支撑架的结构示意图。图4示出了根据本发明实施例的支撑架在A-A截面处的剖视示意图。如图3和图4所示，根据本发明实施例的支撑架151包括边框1511、支撑部1512和气体通道1513。
具体地讲，边框1511的形状例如为指环状/管状(例如为扁平的圆管)。边框1511的内径尺寸大于晶圆的直径尺寸。边框1511包括与中空柱状部分相邻的内表面，以及与内表面相对的外表面。边框1511还具有圆环状的上表面和下表面。
支撑部1512与边框1511相连接(位于边框1511上)，用于晶圆的支撑。多个支撑部1512分别连接在边框1511的不同位置处，且分别从边框1511的内表面朝向边框1511的(几何)中心/内部突出(凸出)。根据本发明实施例的支撑架151在承载晶圆时，支撑部1512与晶圆直接接触。支撑部1512的厚度小于边框1511的厚度，使得支撑架151在承载晶圆时，晶圆能够沉入在支撑架151中，从而有更好的承载效果。支撑部1512的数量为3个，均匀分布在边框1511上。可选地，支撑部1512的数量为多个，相邻两个支撑部1512之间的夹角相同。可选地，支撑部1512与边框1511一体成型。可选地，支撑部1512的上表面位于边框1511的上下表面所在的平面之间，支撑部1512的下表面例如与边框1511的下表面平齐。可选地，支撑部1512的上表面与边框1511上表面之间的间距大于或等于晶圆侧表面的厚度。在本发明的上述可选实施例中，边框1511上均匀分布有三个支撑部1512，在满足支持需求的情况下，降低了对背面沉积的不利影响。此外，支撑部1512的数量、支撑部1512与边框1511的位置关系等，均可根据实际需求进行设计。
气体通道1513用于通过反应气体。多个支撑部1512之间形成与第二喷头154连通的气体通道1513。支撑架151上放置晶圆后，晶圆的侧表面位于气体通道1513上。可选地，边框1511的内壁参与气体通道1513的组成。边框1511的内壁形状为平面、曲面、或是其他特别设计的形状。边框1511的内壁形状可以根据实际情况进行设计，以改善反应气体的流向，从而更好地在晶圆侧表面上沉积得到沉积层。
在本发明的可选实施例中，支撑部1512的(横截面)形状为等腰三角形，相邻支撑部1512之间的夹角为120°。可选地，支撑部1512突出边框1511的长度为1cm。
图5示出了根据本发明实施例的支撑架放置晶圆后的俯视示意图。如图5所示，晶圆152的直径略小于边框1511的内径，能够沉入式地放置在支撑架151中。支撑部1512的上表面与晶圆152的下表面(背面)直接接触，以实现对晶圆152的支撑。任意相邻两个支撑部1512之间形成一个气体通道1513，放置的晶圆152的侧表面位于气体通道1513中。
根据本发明实施例的沉积装置在执行沉积作业时，位于晶圆152上方的第一喷口向晶圆152的上表面提供净化气体，净化气体对晶圆152提供向下的压力，能够避免反应气体造成晶圆152的移动。位于晶圆152下方的第二喷口向晶圆152的下表面提供反应气体，反应气体经由气体通道1513输送至晶圆152的侧表面。晶圆152上表面(持续提供)的净化气体会阻止反应气体输送至晶圆152的上表面，从而避免在晶圆152的上表面出现沉积层。反应气体在晶圆152的下表面和侧表面上发生反应，沉积得到沉积层。
发明人进一步发现，由于上述装置采用支撑部支撑晶圆，晶圆与支撑部直接接触的部分无法很好地接触到反应气体。在晶圆下表面形成的薄膜通常不能完全覆盖整个晶圆下表面，在晶圆与支撑部直接接触的部分会留有空白区域，这样会增加晶圆下表面沉积层剥离的风险。为了解决上述问题，发明人在上述沉积装置的基础上做了进一步地改进。
在本发明的一个可选实施例中，一次沉积两片晶圆。第一次沉积完成后，这两片晶圆转到另外两个工位(另外两个支撑架)上再沉积一次。在第一次沉积和第二次沉积中，支撑架覆盖的晶圆的位置不同，这样可以弥补晶圆边缘爪子覆盖住的位置没沉积膜的缺陷。可选地，上述的工位可以是加热器(heater)。可选地，一次沉积的晶圆数量并不限于两片，也可以是多片。可选地，在同一个沉积腔中进行第一次沉积和第二次沉积。
在本发明的可选实施例中，沉积装置还包括转动单元。转动单元用于晶圆与支撑架的相对转动。支撑架与晶圆的第一支撑位置相接触，以实现对晶圆的支撑。第一次沉积完成后，移动单元使晶圆与支撑架发生相对转动，支撑架再次承载晶圆时，与晶圆的第二支撑位置相接触。其中，第一支撑位置和第二支撑位置为不同的位置。
在本发明的可选实施例中，转动单元包括辅助支撑架和驱动机构。辅助支撑架用于在支撑架转动时承载晶圆。驱动机构与支撑架相连接以驱动支撑架转动。具体地讲，当晶圆在支撑架上完成第一次沉积反应后，辅助支撑架承载晶圆，并使晶圆与支撑架分离。晶圆与支撑架分离后，驱动机构驱动支撑架转动一定角度，而后支撑架承载晶圆，晶圆与辅助支撑架分离。随后，对晶圆进行第二次沉积反应。可选地，辅助支撑架位于晶圆的下方。辅助支撑架可升降，并通过上升以承载晶圆，通过下降以与晶圆分离。
在本发明的可选实施例中，转动单元包括位于晶圆下方的辅助支撑架。辅助支撑架可升降和转动。当晶圆在支撑架上完成第一次沉积反应后，辅助支撑架升起以承载晶圆，并使晶圆与支撑架分离。晶圆与支撑架分离后，辅助支撑架带动晶圆转动一定角度。然后辅助支撑架下降，使支撑架承载晶圆，辅助支撑架与晶圆分离。随后，对晶圆进行第二次沉积反应。
图6示出了根据本发明实施例的沉积装置的结构示意图。如图6所示，根据本发明实施例的沉积装置包括装载腔11、传输腔12、中转腔13、转运腔14、第一沉积腔16和第二沉积腔17。其中，第一沉积腔16和第二沉积腔17中分别包括支撑架151、第一喷头和第二喷头(图中未示出)。支撑架151用于支撑晶圆152。
具体地讲，装载腔11用于承载待沉积晶圆(即要送往沉积腔进行沉积的晶圆)。传输腔12分别与装载腔11和中转腔13相连接，用于将装载腔11中的待沉积晶圆传输至中转腔13中。中转腔13用于待沉积晶圆的中转。转运腔14分别与中转腔13、第一沉积腔16和第二沉积腔17相连接。转运腔14中设置有转运单元(图中未示出)，用于晶圆的转运。
晶圆包括第一支撑位置和第二支撑位置，第一支撑位置和第二支撑位置用于晶圆的支撑。可选地，第一支撑位置和第二支撑位置位于晶圆的下表面，且第一支撑位置和第二支撑位置不重合(完全没有重合的部分)。
第一沉积腔16中的支撑架与晶圆的第一支撑位置相接触，以支撑晶圆。晶圆在第一沉积腔16中，进行第一次沉积反应，在晶圆的下表面和侧表面上沉积得到第一沉积层。
第二沉积腔17中的支撑架与晶圆的第二支撑位置相接触，以支撑晶圆。晶圆在第二沉积腔17中，进行第二次沉积反应，在晶圆的下表面和侧表面上沉积得到第二沉积层，例如在之前的第一沉积层上沉积得到第二沉积层。
转运单元用于晶圆在中转腔13、第一沉积腔16和第二沉积腔17间的转运。
在本发明的可选实施例中，转运单元包括机械臂。机械臂首先将中转腔13中的晶圆转运至第一沉积腔16中进行第一次沉积反应。晶圆在第一沉积腔16中完成第一次沉积反应后，机械臂将完成第一次沉积反应的晶圆从第一沉积腔16中取出，并转运至第二沉积腔17。机械臂将晶圆放置在第二沉积腔17中的支撑架151上，并且使晶圆上的第二支撑位置与支撑架直接接触。完成第一次沉积反应后的晶圆在第二沉积腔17中进行第二次沉积反应。可选地，第一沉积腔16和第二沉积腔17中的支撑架151如上述实施例所述，具有三个支撑部，且支撑部的朝向相同。晶圆从第一沉积腔16转运至第二沉积腔17的过程中，转动了90°，从而使晶圆与支撑部的接触位置发生变化。
在本发明的可选实施例中，装载腔11用于晶圆的输入。具体地讲，晶圆在其余的设备中进行前道工序。晶圆完成了前道工序，需要进行沉积工序时，晶圆运送至装载腔，即运送到了根据本发明实施例的沉积装置。
图7示出了根据本发明实施例的沉积方法的方法流程图。如图7所示，根据本发明实施例的沉积方法包括以下步骤：
步骤S101：在沉积装置中放置晶圆；
在如前所述的沉积装置中放置晶圆，该晶圆的下表面和侧表面需要形成沉积层。
步骤S102：将净化气体输送至所述晶圆的上表面，所述净化气体用于防止所述晶圆的上表面形成沉积层；
将净化气体输送至晶圆的上表面。净化气体在晶圆的上表面形成表面气流，防止反应气体在晶圆的上表面形成沉积层。
步骤S103：将反应气体输送至所述晶圆的下表面，所述反应气体经过所述晶圆的下表面和侧表面，从而在所述下表面和所述侧表面上形成沉积层。
将反应气体输送至晶圆的下表面，反应气体经过晶圆的下表面后，流动至晶圆的侧表面，从而在晶圆的下表面和侧表面上形成沉积层。
需要说明的是，上述步骤S102和步骤S103并无先后顺序要求。可以是先执行步骤S102，再执行步骤S103。也可以是先执行步骤S103，再执行步骤S102。还可以是同时执行步骤S102和步骤S103。
在本发明的可选实施例中，沉积方法包括以下步骤：
将所述晶圆放置在第一工位；
进行第一沉积反应，在所述晶圆的下表面和侧表面上沉积得到第一沉积层；
将所述晶圆移动至第二工位；
进行第二沉积反应，至少在所述晶圆的下表面沉积得到第二沉积层，
其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述支撑架与所述晶圆的接触位置不同。
在本发明的可选实施例中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述晶圆至少旋转预定角度，以使支撑架与晶圆的接触位置不同。
在本发明的可选实施例中，第一工位和第二工位位于不同的沉积腔中。
图8示出了根据本发明实施例的沉积方法已经形成沉积层的晶圆结构示意图。如图8所示，根据本发明实施例的沉积装置可实现同时在晶圆152的下表面和侧表面上进行沉积，即通过一次反应在晶圆152上沉积得到覆盖晶圆152下表面和侧表面的沉积层4。
应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (15)

1.一种沉积装置，其特征在于，包括：
沉积腔；
支撑架，位于所述沉积腔中；以及
第二喷头，位于所述沉积腔中，且位于所述支撑架的第一侧，用于提供反应气体，
其中，所述支撑架包括边框和与所述边框相连接的多个支撑部；
所述多个支撑部分别连接在所述边框的不同位置处，且分别从所述边框的内表面朝向所述边框的中心突出；
所述多个支撑部之间形成通过所述反应气体的气体通道。
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑架上的所述支撑部的数量为多个，且相邻两支撑部之间的夹角相同。
3.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑架上的所述支撑部的数量为3个。
4.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑部的横截面形状为等腰三角形。
5.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑部的上表面位于所述边框上表面所在平面与所述边框下表面所在平面之间。
6.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述支撑部用于承载晶圆；
所述支撑部的上表面与所述边框上表面之间的间距大于或等于所述晶圆侧表面的厚度。
7.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置还包括：
第一喷头，位于所述沉积腔中，且位于所述支撑架的第二侧，用于提供净化气体。
8.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置还包括：
装载腔，用于装载待沉积晶圆；以及
传输腔，分别与所述装载腔和所述沉积腔相连接，用于将所述装载腔中的所述待沉积晶圆传输至所述沉积腔中。
9.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置包括：
第一工位，用于对晶圆进行第一次沉积反应；
第二工位，用于对第一次沉积反应后的晶圆进行第二次沉积反应；以及
转运单元，用于接收所述第一工位处的所述第一次沉积反应后的晶圆并将其转运至所述第二工位，
其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述支撑架与所述晶圆的接触位置不同。
10.根据权利要求9所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置还包括：
第一沉积腔，包括所述支撑架和所述第二喷头，所述第一工位位于所述第一沉积腔中；以及
第二沉积腔，包括所述支撑架和所述第二喷头，所述第二工位位于所述第二沉积腔中。
11.一种沉积方法，其特征在于，包括：
在根据权利要求1至10中任一项所述的沉积装置中放置晶圆，其中，所述多个支撑部与所述晶圆的下表面接触，所述晶圆与所述边框之间具有间隙；所述晶圆的侧表面位于所述气体通道上；以及
将反应气体输送至所述晶圆的下表面，所述反应气体经过所述晶圆的下表面和侧表面，从而在所述下表面和所述侧表面上形成沉积层。
12.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法还包括：
将净化气体输送至所述晶圆的上表面。
13.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，包括：
将所述晶圆放置在第一工位；
进行第一沉积反应，在所述晶圆的下表面和侧表面上沉积得到第一沉积层；
将所述晶圆移动至第二工位；
进行第二沉积反应，至少在所述晶圆的下表面沉积得到第二沉积层，
其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述支撑架与所述晶圆的接触位置不同。
14.根据权利要求13所述的沉积方法，其中，在所述第一工位和所述第二工位上，所述晶圆至少旋转预定角度。
15.根据权利要求13所述的沉积方法，其特征在于，所述第一工位和所述第二工位位于不同的沉积腔中。
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