[go: up one dir, main page]

CN113327913A - 一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法 - Google Patents

一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113327913A
CN113327913A CN202110596613.6A CN202110596613A CN113327913A CN 113327913 A CN113327913 A CN 113327913A CN 202110596613 A CN202110596613 A CN 202110596613A CN 113327913 A CN113327913 A CN 113327913A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
circuit board
radiation
wire
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110596613.6A
Other languages
English (en)
Inventor
周舒婷
王磊
谢鑫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Xingshidai Intelligent Satellite Technology Co ltd
Original Assignee
Sichuan Xingshidai Intelligent Satellite Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sichuan Xingshidai Intelligent Satellite Technology Co ltd filed Critical Sichuan Xingshidai Intelligent Satellite Technology Co ltd
Priority to CN202110596613.6A priority Critical patent/CN113327913A/zh
Publication of CN113327913A publication Critical patent/CN113327913A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法，封装结构包括电路板、安装在电路板上的芯片以及安装在芯片外表面上的抗辐照部件，进而使得封装结构具有抗辐照能力。此外，通过室温硅橡胶以灌封的形式将芯片以及抗辐照部件密封在电路板上。由于灌封后，电路板、芯片以及抗辐照部件三者之外的其他缝隙均被室温硅橡胶填充满，待室温硅橡胶固化后，从而将电路板、芯片以及抗辐照部件三者密封在硅橡胶中。可以保证封装结构的内部结构更加稳定，从而降低三者之间发生相对位移的概率，进而确保抗辐照部件起到较好的抗辐照作用。因此，采用本方案，不但可以使得芯片具有较强的抗辐照性能，还能有效节约成本。

Description

一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法
技术领域
本申请属于电路板制作领域，具体涉及一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法。
背景技术
应用于航天器的芯片由于其作业环境的特殊性，芯片会长期会受到宇宙射线的辐射并承受高能粒子的冲击，从而导致芯片故障。为了避免因单粒子效应导致芯片故障，需要芯片具备较高的抗辐照性能。
然而在现有技术中，商业卫星制造涉及到的芯片部组件采购通常采用货架级产品方案，未在器件选型、结构设计等方面做针对空间环境下应用的抗辐照设计。此外，一般只有宇航级的芯片才具备较好的抗辐照性能，但是宇航级芯片由于其特殊设计工艺以及选材，价格较为昂贵，若选用宇航级芯片，将会导致整体成本增加。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法，可以针对普通的芯片进行改进，不但使得芯片具有较好的抗辐照性能，还能有效节约成本。
本申请的实施例是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种卫星芯片抗辐照封装结构，包括：电路板；安装在所述电路板上的芯片；在所述芯片上背离所述电路板一面安装有抗辐照部件；以及，硅橡胶，利用室温硅橡胶以灌封的方式将所述芯片以及所述抗辐照部件密封在所述电路板上，待所述室温硅橡胶固化后得到所述硅橡胶。
由于灌封后，电路板、芯片以及抗辐照部件三者之外的其他缝隙均被室温硅橡胶填充满，待室温硅橡胶固化后，从而将电路板、芯片以及抗辐照部件三者密封在硅橡胶中。通过硅橡胶的密封不但避免了芯片以及抗辐照部件与外界接触，还可以保证封装结构的内部结构更加稳定，从而降低三者之间发生相对位移的概率降低，进而确保抗辐照部件起到较好的抗辐照作用。因此，采用本方案，不但可以使得芯片具有较强的抗辐照性能，还能有效节约成本。
结合第一方面实施例，在一种可能的实施方式中，所述抗辐照部件为钽片，所述钽片的长宽与所述芯片的长宽相同，所述钽片厚度为0.5mm-2.5mm。
结合第一方面实施例，在一种可能的实施方式中，封装结构还包括捆绑线，所述电路板上还开设有多个过线孔，其中，所述多个过线孔分布在所述电路板上用于安装所述芯片的位置的边缘四周，所述捆绑线通过与所述多个过线孔相配合的方式，将所述抗辐照部件固定在所述芯片上。
结合第一方面实施例，在一种可能的实施方式中，利用硝基胶在所述捆绑线与所述多个过线孔的接触处进行滴固。
结合第一方面实施例，在一种可能的实施方式中，所述电路板上靠近所述芯片的一面设置有焊盘，利用焊接工艺将所述芯片与所述焊盘进行焊接固定，当所述芯片为直插式芯片时，所述电路板上还设置有金属过孔；所述焊盘为圆盘状，所述焊盘中还开设有第一通孔，所述第一通孔与所述金属过孔同轴设置；所述芯片的引脚通过插入所述金属过孔中，通过焊接工艺将所述芯片的引脚与所述焊盘进行焊接固定；其中，所述金属过孔的直径尺寸D1大于所述芯片的引脚的直径尺寸D2，且所述金属过孔的直径尺寸与所述芯片的引脚的直径尺寸之间的差值为D3＝D1-D2，D3的值在0.15mm-0.3mm之间，所述第一通孔的直径尺寸为所述焊盘的外径尺寸的(1/2)-(1/4)之间。
结合第一方面实施例，在一种可能的实施方式中，所述电路板上背离所述芯片的一面还设置有焊盘，所述电路板上背离所述芯片的一面的焊盘为圆盘状，所述电路板上背离芯片的一面的焊盘与所述电路板上靠近所述芯片的一面的焊盘同轴设置，内外径尺寸一致，且利用焊接工艺将所述芯片与所述电路板上背离所述芯片的一面的焊盘进行焊接固定。
结合第一方面实施例，在一种可能的实施方式中，所述电路板上靠近所述芯片的一面还设置有焊盘，利用焊接工艺将所述芯片与所述焊盘进行焊接固定，当所述芯片为贴片式芯片时，所述焊盘为方形，通过焊接工艺将所述芯片的管脚与所述焊盘进行焊接固定，其中，将所述焊盘的尺寸向远离所述焊盘的中心方向扩大至少0.15mm。
结合第一方面实施例，在一种可能的实施方式中，在所述电路板上靠近所述芯片的一面的外边缘环设加强筋；所述加强筋的宽度为5mm-10mm，所述加强筋的厚度为所述电路板的预设最大覆铜厚度的2-3倍。
结合第一方面实施例，在一种可能的实施方式中，所述抗辐照部件在安装之前，经过无水酒精搽洗后烘烤晾干，且所述抗辐照部件的边缘通过打磨工艺打磨平整。
第二方面，一种卫星芯片抗辐照封装结构的制作方法，所述方法包括：
提供待封装结构，所述待封装结构包括电路板及安装在所述电路板上的芯片；在所述芯片上背离所述电路板一面安装有抗辐照部件；在所述电路板上开设有多个过线孔，所述多个过线孔分布在所述电路板上用于安装所述芯片的位置的边缘四周；
通过捆绑线与所述多个过线孔相配合的方式，将所述抗辐照部件捆绑在所述芯片上；
采用室温硅橡胶以灌封的方式将所述抗辐照部件以及所述捆绑线密封在所述芯片上，待所述室温硅橡胶固化后得到封装结构。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例而了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。通过附图所示，本申请的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本申请的主旨。
图1示出本申请实施例提供的一种卫星芯片抗辐照封装结构的结构示意图之一。
图2A示出本申请实施例提供的一种卫星芯片抗辐照封装结构的结构示意图之二。
图2B示出本申请实施例提供的一种卫星芯片抗辐照封装结构的结构示意图之三。
图3示出本申请实施例提供的一种卫星芯片抗辐照封装结构的结构示意图之四。
图4示出本申请实施例提供的一种卫星芯片抗辐照封装结构的结构示意图之五。
图5示出本申请实施例提供的一种卫星芯片抗辐照封装结构的制作方法的流程图。
图标：100-封装结构；110-电路板；111-过线孔；112-焊盘；113-第一通孔；114-金属过孔；120-芯片；121-引脚；130-抗辐照部件；140-硅橡胶；150-捆绑线；160-加强筋。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
同时，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、货物或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、货物或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、或者设备中还存在另外的相同要素。
此外，针对现有技术中的芯片所存在的缺陷(抗辐照性能较差)是申请人在经过实践并仔细研究后得出的结果，因此，上述缺陷的发现过程以及在下文中本申请实施例针对上述缺陷所提出的解决方案，都应该被认定为申请人对本申请做出的贡献。
为了解决上述问题，本申请实施例提供一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法，针对普通的芯片进行改进，不但使得芯片具有较好的抗辐照性能，还能有效节约成本。
为了便于理解，下面将对封装结构的结构进行说明。
首先，请参照图1，封装结构100可以包括：电路板110、芯片120、抗辐照部件130以及硅橡胶140。
其中，电路板110为集成电路板。
芯片120安装(例如贴覆)在电路板110上。此外，芯片120是根据实际需求所选取的，具有一定的功能，如选择可以执行航天任务的现有普通芯片。
当然，在本申请实施例中，并不对芯片120的类型进行限定。例如，在一些实施方式中，芯片120可以是直插式芯片，在另一些实施方式中，芯片120也可以是贴片式芯片。
在本申请实施例中，为了使得普通的芯片具有较强的抗辐照性能，在芯片120上背离电路板110的一面安装有抗辐照部件130。
其中，抗辐照部件130的制作材料可以是具备抗辐照性能的非金属材料(例如塑料、橡胶类等)和/或具备抗辐照性能的金属材料(例如钽、铅等)。
例如，在一些实施方式中，抗辐照部件130可以是由具备抗辐照性能的金属材料中的至少一种制成，例如为钽片。
下面将以抗辐照部件130为钽片为例，对后续实施例进行介绍。可以理解，当抗辐照部件130由其他材料制成时，其具体实施例可以参照钽片的实施例进行实施。
在一些实施方式中，在将坦片安装到芯片120上之前，可以先对坦片进行一系列的预处理，以保证整个封装结构100的整体性能。
其中，预处理包括但不先于以下处理中的至少一种：
A：对坦片进行裁剪，使得坦片的尺寸与芯片120的尺寸适配。
其中，坦片的尺寸与芯片120的尺寸适配，可以使得坦片能够充分地阻隔空间高能射线、高能粒子直接冲击到芯片120，进而可以保证整个封装结构100的抗辐照性能。
其中，对于适配的定义，可以是确保坦片的长度以及宽度分别与芯片120的长度以及宽度一致，也可以是确保坦片的长度以及宽度均分别略大于芯片120的长度以及宽度。
B：根据抗辐照指标，对坦片的厚度进行选取。
其中，不同的抗辐照指标对应不同的坦片厚度，且坦片厚度越高，其对应的抗辐照性能越好；但坦片厚度越高，对电路板的压力也就越大，电路板也就越容易脆裂等。
在本申请实施例中，可以根据期望芯片120所具备的抗辐照指标及电路板110的承压能力，选取合适厚度的坦片，进而可以在确保电路板110的承载压力下，保证整个封装结构100的抗辐照性能。
一般而言，坦片的厚度范围在0.5mm-2.5mm之间。
C：通过打磨工艺对坦片的边缘进行打磨，使得坦片的边缘平整。
其中，将坦片的边缘打磨平整，可以防止坦片的边缘过于尖锐以至于割伤后续安装过程所使用的其他线材，进而可以保证整个封装结构100的整体性能。
D：在将坦片安装到芯片120上之前对坦片的外表面进行清洗。
当坦片的外表面存在污渍时，若直接将坦片安装在芯片120上，不但影响其抗辐照性能；还不利于坦片与芯片120之间的相对固定，进而有可能导致坦片处于松动状态，影响整体的抗辐照性能。
为了避免上述问题，在本申请实施例中，可以在安装坦片之前，对坦片的外表面进行清洗，例如可以采用无水酒精搽洗坦片后进行烘烤晾干，进而可以清除坦片外表面上的污渍。
在本申请实施例中，在将抗辐照部件130安装到芯片120上后，可以针对带有抗辐照部件130及芯片120的电路板110进行封装，进而使得三者之间的相对位置保持固定。
在一些实施方式中，可以采用硅橡胶140粘接的形式，对抗辐照部件130、芯片120以及电路板110进行封装，以将芯片120以及抗辐照部件130固定在电路板110上。
在一些实施方式中，可以采用室温硫化硅橡胶140以灌封的方式将芯片120以及抗辐照部件130密封在电路板110上。由于灌封后，电路板110、芯片120以及抗辐照部件130三者之外的其他缝隙均被室温硅橡胶140填充满，待室温硅橡胶140固化后，从而将电路板110、芯片120以及抗辐照部件130三者密封在硅橡胶140中。
通过硅橡胶140的密封不但避免了芯片120以及抗辐照部件130与外界接触，还可以保证封装结构100的内部结构更加稳定，从而降低三者之间发生相对位移的概率，进而确保抗辐照部件130起到较好的抗辐照作用。
其中，室温硅橡胶140优选单组分室温硫化硅橡胶。
此外，采用室温硅橡胶140灌封的方式进行封装，当其固化后，相对于其他封装方式，还可以起到更好的密封效果。
前文提及，电路板110为集成电路板。
在一些实施方式中，电路板110可以直接采用现有的普通集成电路板。
此外，在另一些实施方式中，电路板110还可以是针对现有的普通集成电路板进行改良后所得到的电路板110。
下面将针对电路板110需要进行改良的实施例进行介绍。
具体的，为了保证抗辐照部件130与芯片120之间的相对位置保持固定，在一些实施方式中，如图2A所示，封装结构100还可以包括捆绑线150，捆绑线150用于将抗辐照部件130与芯片120进行捆扎固定。
相应的，在进行捆扎操作前，需要先针对电路板110进行改良，以便可以实施捆扎操作。
可选的，可以先在电路板110上开设多个过线孔111。
其中，多个过线孔111分布在电路板110上用于安装芯片120的位置的边缘四周，优先地，多个过线孔111沿电路板110上用于安装芯片120的位置的四周进行均匀分布。
至于过线孔111的数量则可以根据实际情况进行设置，优先地，过线孔111的数量为6-10个，在本实施例中，例如在图2B中，开设有8个过线孔111。
在开设过线孔111后，可以将捆绑线150穿过过线孔111，并通过与多个过线孔111相互配合的方式，将抗辐照部件130固定在芯片120上。
其中，值得指出的是，采用捆绑线捆扎的方式将抗辐照部件130固定在芯片120上具有操作便捷、热应力小的优势。当然，在捆扎过程中，应该注意捆扎力度，避免损坏芯片120。
此外，为了增加捆绑线150的使用寿命，在一些实施方式中，捆绑线150可以为耐高温细线(可以是金属或非金属)，例如捆绑线150可以是铁氟龙。
此外，在一些实施方式中，为了进一步加固捆绑线150的捆绑效果，可以在进行捆绑操作后，在捆绑线150与多个过线孔111的接触处用黏性物质进行滴固，其中，黏性物质可以是硝基胶。
此外，针对现有的集成电路板110而言，在其上设置有焊盘以及金属过孔。
其中，芯片120的引脚插入金属过孔中进行安装固定，且芯片120的引脚通过焊盘与电路板110实现电路连接。因此，为了保证芯片120能够正常工作，需要通过焊接工艺将芯片120与焊盘进行焊接固定。
相对于现有技术而言，由于需要在芯片120上增设抗辐照部件130，因此，对于本申请实施例中的芯片120而言，其需承受额外的重压。
为了增加芯片120的承重能力，在一些实施方式中，还可以对电路板110上的焊盘和/或金属过孔的尺寸进行改良，进而增加焊接过程的透锡率，使得芯片120与电路板110之间的连接关系更为牢固，从而可以增加芯片120的承重能力，进而提高整个封装结构100的抗震能力，有利于保持封装结构100的整体性能。
一般而言，在电路板110上靠近芯片120的一面设置有焊盘，当芯片120为直插式芯片时，与之对应的焊盘为圆盘状。在这种实施方式下，如图3所示，在电路板110的焊盘112中还开设有第一通孔113，该第一通孔113与金属过孔114同轴设置。
在这种实施方式下，可以对金属过孔114的原有直径尺寸进行扩大，使得金属过孔114的直径尺寸D1大于芯片120的引脚121的直径尺寸D2，且金属过孔114的直径尺寸D1与芯片120的引脚121的直径尺寸D2之间的差值为D3＝D1-D2，D3的值在0.15mm-0.3mm之间，且使得第一通孔113的直径尺寸为焊盘112的外径尺寸的(1/2)-(1/4)之间。
后续在安装芯片120时，将芯片120的引脚121插入金属过孔114中，通过焊接工艺将芯片120的引脚121与焊盘112进行焊接固定。由于预先针对金属过孔114的直径尺寸进行扩大，因此，焊接过程中，焊锡的渗透率得到提高，进而可以使得焊接更为牢固，从而可以提高芯片的承重能力，进而可以提高整体的抗震能力。
此外，在这种实施方式下，为了加强芯片120与电路板110连接的牢固性，在一些实施方式中，在电路板110上背离芯片120的一面也设置有焊盘112，且电路板110上背离芯片120的一面的焊盘112也为圆盘状，电路板110上背离芯片120的一面的焊盘112与电路板110上靠近芯片120的一面的焊盘112不但同轴设置，且内外径尺寸一致。如此设置后，在进行焊接时，芯片120的引脚121不但需要与电路板110上靠近芯片120的一面的焊盘112进行焊接固定，还需要与电路板110上背离芯片120的一面的焊盘112进行焊接固定。通过两次焊接固定加强了芯片120与电路板110之间的连接，从而进一步提高芯片120的承重能力，进而进一步提高整体的抗震能力。
一般而言，在电路板110上靠近芯片120的一面设置有焊盘112，当芯片120为贴片式芯片时，与之对应的焊盘为方形。在这种实施方式下，可以对焊盘112的原有尺寸进行扩大，进而使得焊盘112的尺寸向远离焊盘112的中心方向扩大至少0.15mm。
后续在安装芯片120时，通过焊接工艺将芯片120的引脚121与焊盘112进行焊接固定。由于预先针对焊盘112的尺寸进行扩大，因此，焊接过程中，焊锡的渗透率得到提高，进而可以使得焊接更为牢固，进而可以提高整体的抗震能力。
当然，在一些实施方式中，对于贴片式芯片，还可以在对其进行焊接后，在贴片式芯片与电路板110的接触处进行硅橡胶滴固，使得其与电路板110之间的连接更为牢固。
此外，为了保证电路板110不至于因为负重荷而影响其抗震能力或脆裂等，在一些实施方式中，请参照图4，还可以在电路板110上靠近芯片120的一面的外边缘环设加强筋160。
在一些实施方式中，加强筋160的宽度为5mm-10mm之间，加强筋160的厚度为电路板110的预设最大覆铜厚度的2-3倍，其中电路板110的预设最大覆铜厚度为电路板110所规定的最大覆铜厚度。
需要说明的是，每一规格的电路板具有不同规定的覆铜厚度范围，由此对电路板110设置加强筋160时，需要参考其规格所规定的覆铜厚度范围，根据覆铜厚度范围中最大值来设置加强筋160的厚度。
此外，加强筋160一般采用金属材质制成，例如一般为铜。
在电路板110上增设加强筋160后，可以增加电路板110的负重能力。
此外，在这种实施方式下，为了加强电路板110的负重能力，在一些实施方式中，还可以在电路板110上背离芯片120的一面的外边缘也环设加强筋160。且该电路板110上背离芯片的一面的电路板110上背离芯片120的一面的加强筋160与电路板110上靠近芯片120的一面的加强筋160的宽度及厚度均一致。
本发明实施例所提出的一种卫星芯片抗辐照封装结构，包括电路板、安装在电路板上的芯片以及安装在芯片外表面上的抗辐照部件，进而使得封装结构具有抗辐照能力。此外，通过室温硅橡胶以灌封的形式将芯片以及抗辐照部件密封在电路板上。由于灌封后，电路板、芯片以及抗辐照部件三者之外的其他缝隙均被填室温硅橡胶充满，待室温硅橡胶固化后，从而将电路板、芯片以及抗辐照部件三者密封在硅橡胶中。通过硅橡胶的密封不但避免了芯片以及抗辐照部件与外界接触，还可以保证封装结构的内部结构更加稳定，从而降低三者之间发生相对位移的概率，进而确保抗辐照部件起到较好的抗辐照作用。因此，采用本方案，不但可以使得普通芯片具有较强的抗辐照性能，还能有效节约成本。
此外，请参照图5，本申请实施例提供一种卫星芯片抗辐照封装结构的制作方法。该方法包括以下步骤：
步骤S110：提供待封装结构。
其中，待封装结构包括电路板及安装在电路板上的芯片；在芯片上背离电路板一面安装有抗辐照部件；在电路板上开设有多个过线孔，多个过线孔分布在电路板上用于安装芯片的位置的边缘四周。
步骤S120：通过捆绑线与多个过线孔相配合的方式，将抗辐照部件捆绑在芯片上。
步骤S130：采用室温硅橡胶以灌封的方式将抗辐照部件以及捆绑线密封在芯片上，待室温硅橡胶固化后得到封装结构。
其中，值得指出的是，卫星芯片抗辐照封装结构的制作方法其实现原理及产生的技术效果和前述结构实施例相同，为简要描述，方法实施例部分未提及之处，可参考前述结构实施例中相应内容。
综上，本发明实施例提出的一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法，封装结构包括电路板、安装在电路板上的芯片以及安装在芯片外表面上的抗辐照部件，进而使得封装结构具有抗辐照能力。此外，通过室温硅橡胶以灌封的形式将芯片以及抗辐照部件密封在电路板上。由于灌封后，电路板、芯片以及抗辐照部件三者之外的其他缝隙均被填室温硅橡胶充满，待室温硅橡胶固化后，从而将电路板、芯片以及抗辐照部件三者密封在硅橡胶中。通过硅橡胶的密封不但避免了芯片以及抗辐照部件与外界接触，还可以保证封装结构的内部结构更加稳定，从而降低三者之间发生相对位移的概率，进而确保抗辐照部件起到较好的抗辐照作用。因此，采用本方案，不但可以使得普通芯片具有较强的抗辐照性能，还能有效节约成本。
以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

Claims (10)

1.一种卫星芯片抗辐照封装结构，其特征在于，包括：
电路板；安装在所述电路板上的芯片；在所述芯片上背离所述电路板一面安装有抗辐照部件；以及，
硅橡胶，利用室温硅橡胶以灌封的方式将所述芯片以及所述抗辐照部件密封在所述电路板上，待所述室温硅橡胶固化后得到所述硅橡胶。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述抗辐照部件为钽片，所述钽片的长宽与所述芯片的长宽相同，所述钽片的厚度为0.5mm-2.5mm。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括捆绑线，所述电路板上还开设有多个过线孔，其中，
所述多个过线孔分布在所述电路板上用于安装所述芯片的位置的边缘四周，所述捆绑线通过与所述多个过线孔相配合的方式，将所述抗辐照部件固定在所述芯片上。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，利用硝基胶在所述捆绑线与所述多个过线孔的接触处进行滴固。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述电路板上靠近所述芯片的一面设置有焊盘，利用焊接工艺将所述芯片与所述焊盘进行焊接固定，当所述芯片为直插式芯片时，所述电路板上还设置有金属过孔；
所述焊盘为圆盘状，所述焊盘中还开设有第一通孔，所述第一通孔与所述金属过孔同轴设置；
所述芯片的引脚通过插入所述金属过孔中，通过焊接工艺将所述芯片的引脚与所述焊盘进行焊接固定；
其中，所述金属过孔的直径尺寸D1大于所述芯片的引脚的直径尺寸D2，且所述金属过孔的直径尺寸与所述芯片的引脚的直径尺寸之间的差值为D3＝D1-D2，D3的值在0.15mm-0.3mm之间，所述第一通孔的直径尺寸为所述焊盘的外径尺寸的1/2-1/4之间。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述电路板上背离所述芯片的一面还设置有焊盘，所述电路板上背离所述芯片的一面的焊盘为圆盘状，所述电路板上背离芯片的一面的焊盘与所述电路板上靠近所述芯片的一面的焊盘同轴设置，内外径尺寸一致，且利用焊接工艺将所述芯片与所述电路板上背离所述芯片的一面的焊盘进行焊接固定。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述电路板上靠近所述芯片的一面设置有焊盘，利用焊接工艺将所述芯片与所述焊盘进行焊接固定，当所述芯片为贴片式芯片时，所述焊盘为方形，通过焊接工艺将所述芯片的管脚与所述焊盘进行焊接固定，其中，将所述焊盘的尺寸向远离所述焊盘的中心方向扩大至少0.15mm。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在所述电路板上靠近所述芯片的一面的外边缘环设加强筋；所述加强筋的宽度为5mm-10mm，所述加强筋的厚度为所述电路板的预设最大覆铜厚度的2-3倍。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述抗辐照部件在安装之前，经过无水酒精搽洗后烘烤晾干，且所述抗辐照部件的边缘通过打磨工艺打磨平整。
10.一种卫星芯片抗辐照封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供待封装结构，所述待封装结构包括电路板及安装在所述电路板上的芯片；在所述芯片上背离所述电路板一面安装有抗辐照部件；在所述电路板上开设有多个过线孔，所述多个过线孔分布在所述电路板上用于安装所述芯片的位置的边缘四周；
通过捆绑线与所述多个过线孔相配合的方式，将所述抗辐照部件捆绑在所述芯片上；
采用室温硅橡胶以灌封的方式将所述抗辐照部件以及所述捆绑线密封在所述芯片上，待所述室温硅橡胶固化后得到封装结构。
CN202110596613.6A 2021-05-28 2021-05-28 一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法 Pending CN113327913A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110596613.6A CN113327913A (zh) 2021-05-28 2021-05-28 一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110596613.6A CN113327913A (zh) 2021-05-28 2021-05-28 一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113327913A true CN113327913A (zh) 2021-08-31

Family

ID=77422482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110596613.6A Pending CN113327913A (zh) 2021-05-28 2021-05-28 一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113327913A (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026467A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 電子回路基板
JP2002299806A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sony Corp 実装基板およびその製造方法、それを用いた電子機器
CN1493177A (zh) * 2001-03-07 2004-04-28 索尼株式会社 印制布线板的连接盘部分、印制布线板的制造方法和印制布线板的元件安装方法
CN202307879U (zh) * 2011-07-15 2012-07-04 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种SiP模块的结构
CN206558498U (zh) * 2017-02-27 2017-10-13 奥肯思（北京）科技有限公司 一种抗辐照加固的芯片封装体
CN109548312A (zh) * 2018-10-15 2019-03-29 江苏万邦微电子有限公司 一种抗辐照电子件的加固方法
CN109548311A (zh) * 2018-10-15 2019-03-29 江苏万邦微电子有限公司 一种元器件抗辐照加固方法
CN109548310A (zh) * 2018-10-15 2019-03-29 江苏万邦微电子有限公司 一种元器件抗辐照的加固方法
CN111103569A (zh) * 2019-12-19 2020-05-05 南京吉凯微波技术有限公司 一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波tr组件
CN111235562A (zh) * 2020-03-04 2020-06-05 中国科学院金属研究所 一种采用冷喷涂制备抗辐照钽涂层的方法
CN213186688U (zh) * 2020-09-23 2021-05-11 深圳市国日宏电子科技有限公司 加强型电路板

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026467A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 電子回路基板
CN1493177A (zh) * 2001-03-07 2004-04-28 索尼株式会社 印制布线板的连接盘部分、印制布线板的制造方法和印制布线板的元件安装方法
JP2002299806A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sony Corp 実装基板およびその製造方法、それを用いた電子機器
CN202307879U (zh) * 2011-07-15 2012-07-04 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种SiP模块的结构
CN206558498U (zh) * 2017-02-27 2017-10-13 奥肯思（北京）科技有限公司 一种抗辐照加固的芯片封装体
CN109548312A (zh) * 2018-10-15 2019-03-29 江苏万邦微电子有限公司 一种抗辐照电子件的加固方法
CN109548311A (zh) * 2018-10-15 2019-03-29 江苏万邦微电子有限公司 一种元器件抗辐照加固方法
CN109548310A (zh) * 2018-10-15 2019-03-29 江苏万邦微电子有限公司 一种元器件抗辐照的加固方法
CN111103569A (zh) * 2019-12-19 2020-05-05 南京吉凯微波技术有限公司 一种可自加热的星载有源相控阵四通道微波tr组件
CN111235562A (zh) * 2020-03-04 2020-06-05 中国科学院金属研究所 一种采用冷喷涂制备抗辐照钽涂层的方法
CN213186688U (zh) * 2020-09-23 2021-05-11 深圳市国日宏电子科技有限公司 加强型电路板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6748350B2 (en) Method to compensate for stress between heat spreader and thermal interface material
US4878152A (en) Mounting for printed circuits forming a heat sink with controlled expansion
US6756685B2 (en) Semiconductor device
US6878435B2 (en) High adhesion triple layered anisotropic conductive adhesive film
US11881438B2 (en) First-level integration of second-level thermal interface material for integrated circuit assemblies
US7576438B2 (en) Printed circuit board and method thereof and a solder ball land and method thereof
JP3832102B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPWO2008105069A1 (ja) プリント基板ユニットおよび半導体パッケージ
CN101546743B (zh) 半导体器件的安装结构体及使用安装结构体的电子设备
US20080006915A1 (en) Semiconductor package, method of production of same, printed circuit board, and electronic apparatus
US20100317155A1 (en) Multifunctional die attachment film and semiconductor packaging using the same
JP4503887B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN113327913A (zh) 一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法
CN101546742B (zh) 半导体器件的安装结构体及使用安装结构体的电子设备
CN215266269U (zh) 一种电路板组件、散热器和电子设备
JP3892359B2 (ja) 半導体チップの実装方法
TW567563B (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
CN101834150A (zh) 一种高散热球型阵列封装方法
US6072698A (en) Chip module with heat insulation for incorporation into a chip card
TWI388041B (zh) 具散熱結構之半導體封裝件
US20030019562A1 (en) Adhesive bonding of printed circuit boards to heat sinks
US20080258318A1 (en) Semiconductor device
US7601561B2 (en) Heat-radiating tape carrier package and method for manufacturing the same
JP2000114319A (ja) 半導体装置の製造法
US7187075B1 (en) Stress relieving film for semiconductor packages

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210831