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CN113299677A - 显示设备及用于显示设备的制造方法 - Google Patents

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CN113299677A
CN113299677A CN202110108983.0A CN202110108983A CN113299677A CN 113299677 A CN113299677 A CN 113299677A CN 202110108983 A CN202110108983 A CN 202110108983A CN 113299677 A CN113299677 A CN 113299677A
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CN
China
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light emitting
light
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display device
emitting elements
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Application number
CN202110108983.0A
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English (en)
Inventor
全亨一
金敏佑
宋大镐
崔镇宇
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Publication date
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Abstract

公开了显示设备及制造显示设备的方法，显示设备包括：第一金属层，位于衬底上；发光元件，发射第一颜色的光，发光元件中的每一个具有接触第一金属层的第一端；绝缘层，设置在第一金属层上并且包括暴露发光元件中的每一个的与第一端相对的第二端的孔；以及光转换层，设置在孔中的至少一个中并且与发光元件重叠。光转换层将从发光元件发射的第一颜色的光转换为第二颜色的光。

Description

显示设备及用于显示设备的制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月21日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0021857号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
实施方式涉及显示设备及制造显示设备的方法。
背景技术
显示设备可以使用从像素发射的光的组合来显示图像。在显示设备中，每个像素可以包括像素电路和可以由像素电路的操作控制的发光元件。
发光二极管(以下称为“LED”)即使在不良的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性，并且可以在寿命和亮度方面具有良好的性能。最近，关于将这种LED应用于各种显示设备的技术的研究已经明显地变得更加活跃。
应当理解，本背景技术部分部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分也可以包括在本文中所公开的主题内容的相应有效提交日期之前不被相关领域的技术人员已知或理解的内容的部分的思想、构思或认识。
发明内容
实施方式涉及具有良好的分辨率的显示设备及制造显示设备的方法。
实施方式可以提供显示设备，该显示设备可以包括：第一金属层，设置在衬底上；发光元件，发射第一颜色的光，发光元件中的每一个具有接触第一金属层的第一端；绝缘层，设置在第一金属层上并且包括暴露发光元件中的每一个的与第一端相对的第二端的孔；以及光转换层，设置在孔中的至少一个中并且与发光元件重叠。光转换层可以将从发光元件发射的第一颜色的光转换为第二颜色的光。
在实施方式中，显示设备还可以包括反射层，反射层设置在孔中的每一个的内表面上并且暴露发光元件中的每一个的第二端的至少一部分。
在实施方式中，反射层可以接触发光元件中的每一个的侧表面。
在实施方式中，显示设备还可以包括晶体管，晶体管设置在绝缘层上并且电连接至发光元件中的每一个。
在实施方式中，晶体管的一电极和反射层可以彼此成一体。
在实施方式中，显示设备还可以包括接触电极，接触电极将发光元件中的每一个的第二端与晶体管电连接。
在实施方式中，接触电极可以设置在光转换层和反射层之间，并且可以设置在发光元件中的每一个的第二端和光转换层之间。
在实施方式中，接触电极可以是透明电极。
在实施方式中，显示设备还可以包括滤色器，滤色器设置在光转换层上并且与光转换层重叠。
在实施方式中，显示设备还可以包括光透射层，光透射层设置在孔中的至少一个中并且透射从相应的发光元件发射的第一颜色的光。
在实施方式中，衬底可以包括显示区域和邻近于显示区域的非显示区域，并且第一金属层的与非显示区域重叠的区域的一部分被暴露为散热层。
在实施方式中，显示设备还可以包括第二金属层，第二金属层设置在第一金属层和衬底之间。
在实施方式中，第一金属层可以设置在第二金属层的与发光元件中的每一个重叠的部分上。
发光元件中的每一个的第一端和第一金属层可以彼此共晶结合。
实施方式可以提供制造显示设备的方法，该方法可以包括：使发射第一颜色的光的发光元件中的每一个的第一端与设置在衬底上的第一金属层接触；形成与发光元件和第一金属层重叠的绝缘层；蚀刻绝缘层的与发光元件重叠的部分以形成暴露发光元件中的每一个的与第一端相对的第二端的孔；以及在孔中的至少一个中形成与相应的发光元件重叠的光转换层。光转换层可以将从发光元件发射的第一颜色的光转换为第二颜色的光。
在实施方式中，使发光元件中的每一个的第一端与第一金属层接触可以包括将发光元件中的每一个的第一端与第一金属层共晶结合。
在实施方式中，该方法还可以包括在孔中的每一个的内表面上形成反射层。
在实施方式中，该方法还可以包括在绝缘层上形成电连接至发光元件中的每一个的晶体管，以及其中，晶体管的一电极和反射层一体地形成。
在实施方式中，该方法还可以包括在孔中的至少一个中形成光透射层，光透射层透射从相应的发光元件发射的第一颜色的光。
在实施方式中，该方法还可以包括形成将发光元件中的每一个的第二端与晶体管电连接的接触电极。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它实施方式及特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据实施方式的发光元件的结构的图。
图2A和图2B是各自示出根据实施方式的显示设备的单元发光区域的等效电路图。
图3是示意地示出根据实施方式的显示设备的平面图。
图4A和图4B是沿着图3的线I-I’截取的示意性剖视图。
图5是沿着图3的线II-II’截取的示意性剖视图。
图6是沿着图3的线III-III’截取的示意性剖视图。
图7和图8是示出显示设备的各种实施方式的沿着图3的线I-I’截取的示意性剖视图。
图9A至图9K是依次示出根据实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
由于本公开允许有多种变化和许多实施方式，因此将在附图中示出并在书面说明书中具体描述实施方式。然而，这不旨在将本公开限制于特定的实践的模式，并且将理解的是，不背离本公开的精神和技术范围的所有变化、等同和替代包含在本公开中。
为了描述本公开的实施方式，可以不提供与说明书无关的部分中的一些，并且在说明书全文中，相同的参考标号表示相同的元件。
如本文中所用，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。在本公开全文中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变形。
术语“和”与“或”可以以连接词式含义或反义连接词式含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B或A和B”。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各个组件，但是这些组件不应由这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。例如，在不背离所附权利要求书的范围的情况下，在一个实施方式中被称为第一元件的第一元件可以在另一实施方式中被称为第二元件。
如本文中所用，除非上下文另外清楚地指示，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该”旨在也包括复数形式。
还将理解的是，在本说明书中使用术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”，它们或它可以指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其任何组合的存在或添加。
当层、膜、区、衬底或区域或元件被称为“在”另一层、膜、区、衬底或区域或元件“上”时，它可以直接在另一层、膜、区、衬底或区域或元件上，或者在它们之间可以存在居间的层、膜、区、衬底或区域或元件。相反地，当层、膜、区、衬底或区域或元件被称为“直接在”另一层、膜、区、衬底或区域或元件“上”时，在它们之间可以不存在居间的层、膜、区、衬底或区域或元件。进一步地，当层、膜、区、衬底或区域或元件被称为“在”另一层、膜、区、衬底或区域或元件“下方”时，它可以直接在另一层、膜、区、衬底或区域或元件下方，或在它们之间可以存在居间的层、膜、区、衬底或区域或元件。相反地，当层、膜、区、衬底或区域或元件被称为“直接在”另一层、膜、区、衬底或区域或元件“下方”时，在它们之间可以不存在居间的层、膜、区、衬底或区域或元件。进一步地，“之上”或“上”可以包括定位于对象的上或下方，并且不一定暗指基于重力的方向。
为易于描述，可以在本文中使用空间相对术语“下方”、“之下”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包含除了附图中描绘的定向之外的设备在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所示的设备被翻转的情况下，被定位为在另一设备“下方”或“之下”的设备可以置于另一设备“上方”。相应地，说明性术语“下方”可以包括下部和上部两种位置。设备还可以定向在其它方向上并且因此空间相对术语可以根据定向被不同地解释。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于解释而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施方式不限于此。
另外，术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者与第二对象的一侧重叠，并且第二对象可以在第一对象的上方或下方，或者与第一对象的一侧重叠。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对(face)或面对(facing)、延伸跨过、覆盖或部分地覆盖或如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它适当的术语。术语“面对(face)”或“面对(facing)”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置在第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为间接地彼此相对，但仍然彼此面对。当元件被描述为与另一元件“不重叠(not overlapping)”或“不重叠(to not overlap)”时，其可以包括元件彼此间隔开、元件彼此偏离或元件设置于彼此旁边、或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它适当的术语。
在本说明书中，诸如“A和/或B”的表达指示A、B或A和B。另外，诸如“A和B中的至少一个”的表达指示A、B或A和B。
在以下实施方式中，当组件被称为“在平面上”时，应理解为从顶部观察组件，并且当组件被称为“在示意性剖面上”时，应理解为垂直切割该组件，并从侧面观察该组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”或“联接”至另一层、区域或组件时，它可以“直接连接”或“直接联接”至另一层、区域或组件和/或可以“间接连接”或“间接联接”至另一层、区域或组件，并且在它们之间插置有其它层、区域或组件。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电联接”至另一层、区域或组件时，它可以“直接电连接”或“直接电联接”至其它层、区域或组件，并且可以“间接电连接”或“间接电联接”至其它层、区域或组件，并且在它们之间插置有其它层、区域或组件。
另外，当元件被称为与另一元件“接触(in contact)”或“接触(contacted)”等时，元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”；或与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
如本文中所用的“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由实施方式所属领域中普通技术人员通常理解的含义相同的含义。另外，还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在本文中明确地如此限定。
下文将参考附图详细描述实施方式。
图1是示出根据实施方式的发光元件的结构的图。
参照图1，根据实施方式的发光元件LD可以是通过顺序地堆叠第一半导体层11、中间层12和第二半导体层13而形成的垂直发光元件。
例如，第一半导体层11可以被实现为p型半导体层。p型半导体层可以选自具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料(例如，GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN)，并且可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。
例如，第二半导体层13可以形成为含有n型半导体层。n型半导体层可以选自具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料(例如，GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN)，并且可以掺杂有诸如Si、Ge或Sn的n型掺杂剂。
然而，本公开不限于此。换言之，第一半导体层11可以包括n型半导体层，并且第二半导体层13可以包括p型半导体层。
中间层12可以是其中电子和空穴可以复合的区域。当电子与空穴复合时，中间层12可以转变至低能级并且可以产生具有与之相对应的波长的光。例如，中间层12可以形成为含有具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。中间层12可以形成为单量子阱结构或多量子阱(MQW)结构。量子线结构或量子点结构可应用于中间层12。
尽管图1示出了中间层12形成为单量子阱结构的示例，但是在实施方式中，中间层12可以形成为多量子阱(MQW)结构。在实施方式中，中间层12可以是通过交替地堆叠有源层和绝缘层而形成的多层结构。在实施方式中，有源层和绝缘层可以形成为具有相同的厚度，或者可以形成为具有不同的厚度(不对称量子阱(AQW))。
在实施方式中，发光元件LD可以包括形成在第一半导体层11和第二半导体层13中的每一个上的电极(未示出)。例如，第一电极(未示出)可以定位或设置在第一半导体层11上，并且第二电极(未示出)可以定位或设置在第二半导体层13上。第一电极或第二电极可以包括金属或金属氧化物。例如，铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)及其氧化物或合金以及ITO(铟锡氧化物)可以单独或彼此组合使用。然而，本公开不限于此。
在实施方式中，发光元件LD可以包括绝缘膜(未示出)。如图1中所示，可以省略这种绝缘膜。绝缘膜可以提供或设置成围绕第一半导体层11、中间层12和第二半导体层13中的每一个的外周表面的至少一部分或区。例如，绝缘膜可以提供或设置在发光元件LD的除了其相对端之外的部分或区上，使得可以暴露发光元件LD的相对端。如果电极形成在发光元件LD的第一半导体层11和第二半导体层13中的每一个上，则形成或设置在第一半导体层11和第二半导体层13中的每一个上的电极可以被绝缘膜暴露。
绝缘膜可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜可以包括选自由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中的至少一种绝缘材料，但其不限于此。换言之，可以采用具有绝缘性质的各种材料。
图2A和图2B是各自示出根据实施方式的显示设备的单元发光区域的等效电路图。
图2A和图2B示出了可以形成有源发光显示面板的像素的示例。在实施方式中，单元发光区域可以是其中可以提供或设置单个子像素的像素区域。
参照图2A，子像素SP可以包括至少一个发光元件LD以及可以电联接或电连接至发光元件LD并且可以驱动发光元件LD的像素驱动电路144。
发光元件LD的第二电极(例如，阳极电极)可以经由像素驱动电路144电联接或电连接至第一驱动电源VDD，并且发光元件LD的第一电极(例如，阴极电极)可以电联接或电连接至第二驱动电源VSS。
第一驱动电源VDD和第二驱动电源VSS可以具有不同的电势。例如，第二驱动电源VSS的电势可以具有比第一驱动电源VDD的电势低约等于或大于发光元件LD的阈值电压的值。
发光元件LD中的每一个可以以与可以由像素驱动电路144控制的驱动电流对应的亮度发光。
尽管图2A示出了其中子像素SP中的每一个仅包括一个发光元件LD的实施方式，但本公开不限于此。例如，子像素SP可以包括可以彼此并联电联接或电连接的发光元件LD。
在实施方式中，像素驱动电路144可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。然而，像素驱动电路144的结构不限于图2A中所示的实施方式。
第一晶体管T1(驱动晶体管)的第一电极可以电联接或电连接至第一驱动电源VDD，并且其第二电极可以电联接或电连接至发光元件LD中的每一个的第二电极。第一晶体管T1的栅电极可以电联接或电连接至第一节点N1。这里，第一晶体管T1的第一电极和第二电极可以是不同的电极。例如，如果第一晶体管T1的第一电极是源电极，则第一晶体管T1的第二电极可以是漏电极。同样地，第一晶体管T1可以响应于第一节点N1的电压来控制提供至发光元件LD的驱动电流的量。
第二晶体管(开关晶体管)T2的第一电极可以电联接或电连接至数据线DL，并且其第二电极可以电联接或电连接至第一节点N1。这里，第二晶体管T2的第一电极和第二电极可以是不同的电极。例如，如果第二晶体管T2的第一电极是源电极，则第二晶体管T2的第二电极可以是漏电极。第二晶体管T2的栅电极可以电联接或电连接至扫描线SL。
在可以从扫描线SL提供具有可以使第二晶体管T2导通的电压电平(例如，低电压电平)的扫描信号的情况下，第二晶体管T2可以导通以将数据线DL与第一节点N1电联接或连接。这里，可以将相应帧的数据信号提供至数据线DL，使得可以将数据信号传输至第一节点N1。与传输至第一节点N1的数据信号对应的电压可以充入存储电容器Cst中。
存储电容器Cst的一个电极可以电联接或电连接至第一驱动电源VDD，并且其另一电极可以电联接或电连接至第一节点N1。存储电容器Cst可以利用与提供至第一节点N1的数据信号对应的电压充电，并且可以维持充电电压，直到后续帧的数据信号可以被提供。
为了易于说明，图2A示出了具有相对简单的结构的像素驱动电路144，像素驱动电路144包括可以向子像素SP传输数据信号的第二晶体管T2、可以存储数据信号的存储电容器Cst以及可以向发光元件LD提供与数据信号对应的驱动电流的第一晶体管T1。
然而，本公开不限于此，并且像素驱动电路144的结构可以以各种方式改变。例如，像素驱动电路144可以包括至少一个晶体管元件(诸如，可补偿第一晶体管T1的阈值电压的晶体管元件、可初始化第一节点N1的晶体管元件和/或可控制发光元件LD的发光时间的晶体管元件)或者诸如可升高第一节点N1的电压的升压电容器的其它电路元件。
尽管在图2A中，包括在像素驱动电路144中的晶体管(例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2)已经被示出为由P型晶体管形成，但本公开不限于此。换言之，包括在像素驱动电路144中的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一个可以改变为N型晶体管。
参照图2B，在实施方式中，第一晶体管T1和第二晶体管T2可以被实现为N型晶体管。除了由于晶体管的类型的改变而导致的一些或预定数量的组件的连接位置的改变之外，图2B中所示的像素驱动电路144的配置和操作可以类似于图2A的像素驱动电路144的配置和操作。因此，将省略与此相关的详细描述。
图3是示意地示出根据实施方式的显示设备的平面图。通过示例的方式，图3是示出显示设备可以使用图1中所示的发光元件作为光源的示意平面图。
参照图1和图3，根据实施方式的显示设备10可以包括衬底SUB、提供或设置在衬底SUB上的发光元件LD、光转换层QDL1和QDL2以及光透射层TL。
根据驱动发光元件LD的方法，显示设备10可以分类为无源矩阵型显示设备和有源矩阵型显示设备。例如，在显示设备10被实现为有源矩阵型的情况下，像素中的每一个可以包括可以控制提供至发光元件LD的电流量的驱动晶体管和可以向驱动晶体管传输数据信号的开关晶体管。
近来，考虑到分辨率、对比度和工作速度，可以能够选择性地接通每个像素的有源矩阵型显示设备已成为主流。然而，本公开不限于此。例如，其中可以按组接通像素的无源矩阵型显示设备也可以采用可以驱动发光元件LD的组件(例如，第一电极和第二电极)。
衬底SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是其中可以提供或设置显示图像的像素的区域，并且可以被称为有源极区域。在各种实施方式中，像素中的每一个可以包括至少一个发光元件LD。发光元件LD可以是具有微米级或纳米级尺寸的有机发光二极管或小型无机发光二极管，但本公开不限于此。显示设备10可以响应于从外部设备输入的图像数据来驱动像素，从而在显示区域DA上显示图像。
非显示区域NDA可以是可以定位或设置在显示区域DA周围或者定位或设置成与显示区域DA邻近的区域，并且可以被称为非有源极区域。在各种实施方式中，非显示区域NDA可以完全地意指衬底SUB上除了显示区域DA之外的区域。如图3中所示，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。
非显示区域NDA可以是其中可以提供或设置可以驱动像素的驱动器以及可以将像素联接或电连接至驱动器的线组件的一部分或区的区域。
像素可以在衬底SUB上提供或设置在显示区域DA中。像素中的每一个可以指可以显示图像的单元，并且像素可以被提供或设置。像素中的每一个可以包括可以发射白光和/或彩色光的发光元件LD。每个像素可以发射具有红色、绿色和蓝色中的任何一种颜色的光，并且其不限于此。例如，每个像素可以发射具有青色、品红色、黄色和白色中的任何一种颜色的光。
可以提供或设置像素。可以沿着在第一方向上延伸的列和在可以与第一方向交叉或相交的第二方向上延伸的行以矩阵的形状布置或设置像素。然而，像素的布置不限于特定的布置。换言之，像素可以以各种形式布置或设置。
驱动器可以通过线组件向每个像素提供信号，从而控制像素的驱动。在图3中，为了解释起见省略了线组件。
驱动器可以包括时序控制器(未示出)、可以通过扫描线向像素提供扫描信号的扫描驱动器(未示出)、可以通过发射控制线向像素提供发射控制信号的发射驱动器(未示出)以及可以通过数据线向像素提供数据信号的数据驱动器(未示出)。时序控制器可以控制扫描驱动器、发射驱动器和数据驱动器。
根据实施方式的显示设备10可以用于各种电子设备中。在本公开的精神和范围内，例如，显示设备10可以应用于例如电视、笔记本计算机、移动电话、智能电话、智能板(PD)、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、导航设备、诸如智能手表的各种类型的可佩戴设备。
图4A和图4B是沿着图3的线I-I’截取的示意性剖视图，图5是沿着图3的线II-II’截取的示意性剖视图，以及图6是沿着图3的线III-III’截取的示意性剖视图。为了便于描述，在图4A至图6中没有单独地示出包括在显示设备中的第二晶体管。
如图3至图6中所示，根据实施方式的显示设备10可以包括衬底SUB、第一金属层ML1、绝缘层INS、发光元件LD、光转换层QDL1和QDL2以及光透射层TL。
衬底SUB可以是刚性衬底或柔性衬底。
刚性衬底的示例可以包括玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和/或晶体玻璃衬底。
柔性衬底的示例可以包括膜衬底和塑料衬底，膜衬底和塑料衬底的每一种可以包括聚合物有机材料。例如，柔性衬底可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的一种。柔性衬底可以包括纤维玻璃增强塑料(FRP)。
应用于衬底SUB的材料可以具有在制造显示设备10的过程期间对高处理温度的抵抗性(抗热性)。在实施方式中，衬底SUB的全部或至少一部分或区可以具有柔性。
参照图4A至图6，第一金属层ML1可以定位或设置在衬底SUB的表面上。第一金属层ML1可以包括具有高光反射率的导电材料。具有高光反射率的导电材料可以包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti的金属和/或其合金。
第一金属层ML1可以提供或设置在衬底SUB的全部或一些或预定数量的区域上。例如，第一金属层ML1可以提供或设置在衬底SUB的与发光元件LD中的每一个重叠的一些或预定数量的区域上。
发光元件LD可以定位或设置在第一金属层ML1上并且可以发射第一颜色的光。例如，发光元件LD可以发射白光或蓝光。在下文中，将描述其中发光元件LD发射蓝光的实施方式。然而，从发光元件LD发射的光的颜色不限于此。
发光元件LD中的每一个的第一端可以接触第一金属层ML1。由此，发光元件LD的可以与第一端相对的第二端可以与第一金属层ML1相对。例如，发光元件LD可以是垂直发光元件，并且可以以直立状态定位或设置在第一金属层ML1上。
发光元件LD的第一端上可以提供或设置有第一电极(未示出)，并且其第二端上可以提供或设置有第二电极(未示出)。发光元件LD的第一电极可以接触第一金属层ML1，并且发光元件LD的第二电极可以不接触第一金属层ML1。换言之，发光元件LD的第一电极和第二电极可以定位或设置在不同的平面上。通过仅使发光元件LD的第一端与第一金属层ML1接触，可以容易地实现高分辨率的显示设备10。
在实施方式中，发光元件LD中的每一个的第一端和第一金属层ML1可以是共晶结合的。例如，第一金属层ML1和定位或设置在发光元件LD中的每一个的第一端上的第一电极可以是共晶结合的。这里，用于共晶结合的金属可以在晶体管的工艺温度下维持稳定的状态。例如，用于共晶结合的金属可以由Au、Cu、Sn、Ag、Al、Pt、Ti、Ni、Cr或其混合物制成。
通过将发光元件LD中的每一个的第一端与第一金属层ML1共晶结合，可以将发光元件LD稳定地紧固至第一金属层ML1。由于发光元件LD可以在制造晶体管之前与第一金属层ML1共晶结合，所以发光元件LD可以在晶体管之间形成更稳定的电连接。由此，可以提高发光元件LD的发光效率。
如图4A至图6中所示，绝缘层INS可以提供或设置在第一金属层ML1上，并且可以包括可以暴露发光元件LD中的每一个的第二端的孔H1、H2和H3。绝缘层INS可以通过孔H1、H2和H3暴露发光元件LD中的每一个的第二端，并且可以覆盖第一金属层ML1或者与第一金属层ML1重叠。
绝缘层INS可以以有机绝缘膜或层或者无机绝缘膜或层的形式提供或设置。这里，无机绝缘膜或层可以包括硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、硅氮氧化物SiON和诸如AlOx的金属氧化物中的至少一种。
有机绝缘膜或层可以包括有机绝缘材料。有机绝缘膜或层可以包括例如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
在实施方式中，绝缘层INS可以至少包括聚酰亚胺树脂。聚酰亚胺树脂的优点在于它保持高抗热性以允许甚至在约400℃或更高的温度下执行的工艺，并且可以容易地增加绝缘层INS的厚度。聚酰亚胺树脂可以通过蚀刻工艺形成细孔、图案等，使得可实现更精确的设计结构。
在实施方式中，绝缘层INS可以由可以有利于保护发光元件LD免受第一晶体管T1影响的无机绝缘层形成。然而，本公开不限于此。在实施方式中，绝缘层INS可以由可以有利于使缓冲层BFL平坦化的有机绝缘层形成。
绝缘层INS上可以提供或设置有另外的绝缘层与晶体管T1和T2(参见图2A和图2B)。另外的绝缘层可以包括缓冲层BFL、第一栅极绝缘膜GI1、第二栅极绝缘膜GI2和封装层ENC。
缓冲层BFL可以提供或设置在绝缘层INS上。缓冲层BFL可以防止杂质扩散到第一晶体管T1和第二晶体管T2(参见图2A和图2B)中。缓冲层BFL可以包括含有无机材料的无机绝缘膜。例如，缓冲层BFL可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiON)和AlOx的金属氧化物中的至少一种。
缓冲层BFL可以包括与在绝缘层INS中形成的孔H1、H2和H3对应的孔H1、H2和H3。缓冲层BFL可以提供或设置成单层结构，或者具有至少两个或更多个层的多层结构。在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，相应的层可以由相同或相似的材料或不同的材料形成。可以根据处理条件或衬底SUB的材料而省略缓冲层BFL。
第一晶体管T1可以是可以电联接或电连接至发光元件LD以驱动发光元件LD的驱动晶体管。第二晶体管T2(参见图2A和图2B)可以是可以电联接或电连接至第一晶体管T1以切换第一晶体管T1的开关晶体管。
第一晶体管T1和第二晶体管T2中的每一个可以包括半导体层SCL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
晶体管T1和T2的半导体层SCL可以提供或设置在缓冲层BFL上。半导体层SCL可以包括可以分别电连接相应源电极SE和相应漏电极DE的源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域之间的区域可以是沟道区域。在本公开的精神和范围内，例如，半导体层SCL可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体形成的半导体图案。沟道区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。杂质可以是诸如n型杂质、p型杂质或其它金属的杂质。
晶体管T1和T2的栅电极GE可以提供或设置在相应的半导体层SCL上，并且它们之间插置有第一栅极绝缘膜GI1。
包括在第一晶体管T1中的漏电极DE可以通过形成为穿过第二栅极绝缘膜GI2和第一栅极绝缘膜GI1的第一接触孔CH1而联接或电连接至相应半导体层SCL的漏极区域。包括在第一晶体管T1中的源电极SE可以通过形成为穿过第二栅极绝缘膜GI2和第一栅极绝缘膜GI1的第二接触孔CH2而联接或电连接至相应半导体层SCL的源极区域。
包括在第二晶体管T2中的源电极SE和漏电极DE可以通过形成为穿过第二栅极绝缘膜GI2和第一栅极绝缘膜GI1的接触孔而分别联接或电连接至相应半导体层SCL的源极区域和漏极区域。
图4A至图6示出了晶体管T1和T2可以是具有顶栅结构的薄膜晶体管的情况，但本公开不限于此。根据实施方式，晶体管T1和T2可以是具有底栅结构的薄膜晶体管。
第一栅极绝缘膜GI1和第二栅极绝缘膜GI2可以包括与在绝缘层INS中形成的孔H1、H2和H3对应的孔H1、H2和H3。换言之，孔H1、H2和H3可以形成为穿过绝缘层INS、缓冲层BFL以及第一栅极绝缘膜GI1和第二栅极绝缘膜GI2。
在实施方式中，显示设备10可以包括可以定位或设置在孔H1、H2和H3中的至少一个的内部空间中并且可以与相应的发光元件LD重叠的光转换层QDL1和QDL2。光转换层QDL1和QDL2可以将从相应的发光元件LD发射的第一颜色的光转换为第二颜色的光。第二颜色的光可以是具有与第一颜色的光的波长不同波长的光。例如，第二颜色的光和第一颜色的光可以具有不同的颜色。
在实施方式中，光转换层QDL1和QDL2可以包括可以转换入射光的波长的波长转换颗粒。波长转换颗粒可以是例如量子点(QD)、荧光材料或磷光材料。波长转换颗粒不限于特定的类型。在下文中，为了便于描述，将描述其中波长转换颗粒是量子点的情况。
如图4A中所示，第一光转换层QDL1可以定位或设置在第一孔H1的内部空间中。第一光转换层QDL1可以提供或设置成与发光元件LD重叠。从发光元件LD发射的第一颜色的光可以在第一光转换层QDL1中被转换为第二颜色的光。例如，在从发光元件LD发射蓝光的情况下，第一光转换层QDL1可以将蓝光转换为红光。然而，由第一光转换层QDL1转换的光的颜色不受限制。例如，从发光元件LD发射的蓝光可以在第一光转换层QDL1中被转换成绿光。在从发光元件LD发射白光的情况下，第一光转换层QDL1可以将入射光转换为具有红色、绿色和蓝色中的任何一种的光。
如图5中所示，第二光转换层QDL2可以定位或设置在第二孔H2的内部空间中。第二光转换层QDL2可以提供或设置成与发光元件LD重叠。从发光元件LD发射的第一颜色的光可以在第二光转换层QDL2中被转换为第二颜色的光。例如，在从发光元件LD发射蓝光的情况下，第二光转换层QDL2可以将蓝光转换为绿光。然而，由第二光转换层QDL2转换的光的颜色不限于此。例如，从发光元件LD发射的蓝光可以在第二光转换层QDL2中被转换为红光。在从发光元件LD发射白光的情况下，第二光转换层QDL2可以将入射光转换为具有红色、绿色和蓝色中的任何一种的光。
在第一光转换层QDL1中转换的光的颜色可以不同于在第二光转换层QDL2中转换的光的颜色。例如，在从发光元件LD发射蓝光的情况下，第一光转换层QDL1可以将入射光转换为红色波长的光，并且第二光转换层QDL2可以将入射光转换为绿色波长的光。
在实施方式中，显示设备10可以包括可以定位或设置在孔H1、H2和H3中的至少一个的内部空间中并且可以透射从相应的发光元件LD发射的第一颜色的光的光透射层TL。例如，从发光元件LD发射的光可以穿过光透射层TL。例如，从发光元件LD发射的蓝光可以在没有波长转换的情况下穿过光透射层TL。
光透射层TL可以包括透明绝缘材料。例如，光透射层TL可以包括选自由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的组中的至少一种绝缘材料，但其不限于此。换言之，可以采用具有透明度的各种材料。
同时，根据从发光元件LD发射的光的波长，可以从显示设备10中省略光透射层TL。图6示出了其中在发光元件LD发射蓝光的情况下光透射层TL定位或设置在第三孔H3中的实施方式。另一方面，在发光元件LD发射白光的情况下，第三孔H3中可以定位或设置有第三光转换层(未示出)。在从发光元件LD发射白光的情况下，第三光转换层可以将入射光转换为具有红色、绿色和蓝色中的任何一种的光。
这里，在第一光转换层QDL1、第二光转换层QDL2和第三光转换层中转换的光的颜色可以彼此不同。例如，在从发光元件LD发射白光的情况下，第一光转换层QDL1可以将入射光转换为红色波长的光，第二光转换层QDL2可以将入射光转换为绿色波长的光，并且第三光转换层可以将入射光转换为蓝色波长的光。然而，在第一光转换层QDL1、第二光转换层QDL2和第三光转换层中转换的光的颜色不受限制。
在实施方式中，显示设备10可以包括可以定位或设置在孔H1、H2和H3中的每一个的内表面上并且可以暴露发光元件LD中的每一个的第二端的至少一部分或区的反射层RFL。如图4A、图5和图6中所示，反射层RFL可以定位或设置在孔H1、H2和H3中的每一个的内表面上，并且可以以围绕光转换层QDL1和QDL2以及光透射层TL的形式提供或设置。这里，反射层RFL可以接触发光元件LD的第二端的一部分或区。换言之，发光元件LD的第二端的至少一部分或区可以被反射层RFL暴露。
然而，反射层RFL和发光元件LD的连接结构不限于此。例如，如图4B中所示，反射层RFL可以与发光元件LD的侧表面接触。例如，反射层RFL可以形成为延伸至发光元件LD的侧表面。在反射层RFL形成之后，发光元件LD可以与第一金属层ML1共晶结合。
显示设备10可以包括可以定位或设置在孔H1、H2和H3的内表面上并且可以与发光元件LD中的每一个的两侧接触的反射层RFL。如图4B中所示，反射层RFL可以定位或设置在孔(例如，第一孔H1)的内表面上，并且可以以围绕光转换层QDL1和QDL2、光透射层TL以及发光元件LD的形式提供或设置。这里，反射层RFL可以接触发光元件LD的两侧。
与稍后将描述的图9C至图9E不同，于在没有发光元件LD的衬底SUB上形成第二栅极绝缘膜GI2之后，可以通过蚀刻绝缘层INS、缓冲层BFL、第一栅极绝缘膜GI1和第二栅极绝缘膜GI2形成第一孔H1，第一孔H1可以暴露第一金属层ML1，第一孔H1可以是在其中可布置或设置发光元件LD的区域。随后，通过蚀刻第一栅极绝缘膜GI1和第二栅极绝缘膜GI2，可以形成暴露晶体管T1和T2的半导体层SCL的一部分或区的第一接触孔CH1和暴露晶体管T1和T2的半导体层SCL的另一部分或区的第二接触孔CH2，可以在第二栅极绝缘膜GI2上形成通过第二接触孔CH2联接或电连接至半导体层SCL的源电极SE，并且可以在第二栅极绝缘膜GI2上形成通过第一接触孔CH1联接或电连接至半导体层SCL的漏电极DE。此后，可以在第一孔H1的内表面和第一金属层ML1的被暴露的上表面上形成反射层RFL。反射层RFL可以与第一晶体管T1的一个电极一体地形成。在去除了定位或设置在第一金属层ML1的被暴露的上表面上的反射层RFL之后，可以将发光元件LD定位或设置在第一金属层ML1上以与第一金属层ML1共晶结合。
如图4B中所示，反射层RFL可以接触发光元件LD的两个侧表面。
反射层RFL可以在显示设备10的正面方向(图像显示方向)上反射从发光元件LD发射的光以及在光转换层QDL1和QDL2中的每一个中转换的光。例如，定位或设置在第一孔H1中的反射层RFL可以反射在第一光转换层QDL1中改变成第二颜色的光，以在显示设备10的正面方向上引导光。定位或设置在第二孔H2中的反射层RFL可以反射在第二光转换层QDL2中改变成第二颜色的光，以在显示设备10的正面方向上引导光。定位或设置在第三孔H3中的反射层RFL可以反射从发光元件LD发射并穿过光透射层TL的第一颜色的光，以在显示设备10的正面方向上引导光。
反射层RFL可以包括具有高光反射率的导电材料。具有高光反射率的导电材料可以包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti的金属和/或其合金。
反射层RFL可以定位或设置在孔H1、H2和H3中的每一个中，从而防止在第一光转换层QDL1中转换的光、在第二光转换层QDL2中转换的光和穿过光透射层TL的光之间发生颜色混合。
在实施方式中，第一晶体管T1的一个电极和反射层RFL可以一体地形成。如图4A至图6中所示，第一晶体管T1的漏电极DE和反射层RFL可以一体地形成。由此，反射层RFL可以反射从发光元件LD发射的光以及在光转换层QDL1和QDL2中转换的光，并且同时可以将第一晶体管T1的信号传输至发光元件LD。
在实施方式中，显示设备10可以包括可以将发光元件LD中的每一个的第二端电连接至晶体管(例如，第一晶体管T1)的接触电极CNT。如图4A至图6中所示，接触电极CNT可以电连接第一晶体管T1的漏电极DE和发光元件LD的第二端。接触电极CNT可以将第一晶体管T1的信号传输至发光元件LD。
接触电极CNT可以定位或设置在光转换层QDL1和QDL2与反射层RFL之间以及光转换层QDL1和QDL2与发光元件LD中的每一个的第二端之间。换言之，接触电极CNT可以与光转换层QDL1和QDL2中的每一个的外表面接触，并且可以以围绕光转换层QDL1和QDL2的形式提供或设置。例如，接触电极CNT可以以围绕光转换层QDL1和QDL2的侧表面和下表面的形式提供或设置。
如图4A中所示，接触电极CNT可以围绕第一光转换层QDL1的侧表面和下表面，并且可以接触发光元件LD的第二端和反射层RFL。如图5中所示，接触电极CNT可以围绕第二光转换层QDL2的侧表面和下表面，并且可以接触发光元件LD的第二端和反射层RFL。如图6中所示，接触电极CNT可以围绕光透射层TL的侧表面和下表面，并且可以接触发光元件LD的第二端和反射层RFL。
参照图2A、图2B、图4A至图6，发光元件LD的第二端可以通过接触电极CNT和反射层RFL电连接至第一晶体管T1的漏电极DE。第一晶体管T1的源电极SE可以电联接或电连接至第一驱动电源(参见图2A和图2B的VDD)可施加至的电源线。由此，发光元件LD的第二端(例如，第二电极)可以从第一晶体管T1接收信号(例如，第一驱动电源VDD)。
发光元件LD的第一端可以与第一金属层ML1接触以电连接至第一金属层ML1。第一金属层ML1可电联接或电连接至第二驱动电源(参见图2A和图2B的VSS)可施加至的电源线。由此，发光元件LD的第一端(例如，第一电极)可以从第一金属层ML1接收信号(例如，第二驱动电源VSS)。
因此，可以将预定电压施加至发光元件LD的第一端和第二端。如果将具有预定电压或更高电压的电场施加至发光元件LD的相对端，则发光元件LD可以在电子-空穴对可以在发光元件LD的中间层12中结合时发光。
接触电极CNT可以是透明电极。接触电极CNT可以包括各种透明导电材料(例如，ITO、IZO和ITZO)中的至少一种，并且可以是基本上透明的以满足预定透射率。作为示例，接触电极CNT可以由透明导电材料制成，使得可以无损耗地透射从发光元件LD发射的光。然而，接触电极CNT的材料不限于上述实施方式。
由于接触电极CNT与反射层RFL接触，所以可以减小接触电极CNT的布线电阻，使得可以最小化由于信号延迟而导致的发光元件LD的驱动故障。
在实施方式中，显示设备10可以包括接触电极CNT、光转换层QDL1和QDL2、光透射层TL、反射层RFL以及封装层ENC，封装层ENC可以覆盖晶体管T1和T2的源电极SE和漏电极DE，或者与晶体管T1和T2的源电极SE和漏电极DE重叠。封装层ENC可以覆盖接触电极CNT、光转换层QDL1和QDL2、光透射层TL、反射层RFL以及晶体管T1和T2的源电极SE和漏电极DE，或者与接触电极CNT、光转换层QDL1和QDL2、光透射层TL、反射层RFL以及晶体管T1和T2的源电极SE和漏电极DE重叠，使得它们不被暴露于外部，从而防止上述组件被腐蚀。
封装层ENC可以包括透明绝缘材料，并且因此允许光穿过透明绝缘材料。透明绝缘材料可以包括有机材料或无机材料。例如，封装层ENC可以由透明绝缘材料形成，以最小化从发光元件LD发射的光以及在光转换层QDL1和QDL2中转换的光的损耗。
封装层ENC可以是可以减轻由布置或设置在其之下或其下方的组件(例如，接触电极CNT、光转换层QDL1和QDL2、光透射层TL、反射层RFL以及晶体管T1和T2的源电极SE和漏电极DE)引起的台阶的平坦化层。
在实施方式中，显示设备10可以包括可以定位或设置在光转换层QDL1和QDL2上并且可以与光转换层QDL1和QDL2重叠的滤色器CF1和CF2。滤色器CF1和CF2可以提供或设置在封装层ENC的与光转换层QDL1和QDL2重叠的区域上。
参照图4A和图5，第一滤色器CF1可以提供或设置在第一光转换层QDL1上，并且第二滤色器CF2可以提供或设置在第二光转换层QDL2上。从第一滤色器CF1和第二滤色器CF2发射的光的波长可以彼此不同。例如，第一滤色器CF1可以发射从入射光转换的红色波长的光，并且第二滤色器CF2可以发射从入射光转换的绿色波长的光。然而，从第一滤色器CF1和第二滤色器CF2发射的光的波长不限于此。
如上所述，在发光元件LD发射白光的情况下，第三孔H3中可以提供或设置有第三光转换层(未示出)。在这方面，第三光转换层上可以定位或设置有第三滤色器(未示出)。这里，第三滤色器可以发射从入射光转换的蓝色波长的光。
显示设备10可以包括定位或设置在封装层ENC上的黑矩阵BM。黑矩阵BM可以提供或设置在子像素SP之间的边界上，以将子像素SP的区域彼此区分开。黑矩阵BM可以包括可以与光转换层QDL1和QDL2重叠的开口。
如图4A和图5中所示，滤色器CF1和CF2可以定位或设置在黑矩阵BM中的一些或预定数量的开口中。滤色器CF1和CF2可以与光转换层QDL1和QDL2重叠。参照图6，滤色器CF1和CF2可以不定位或设置在黑矩阵BM中的其它开口中。
在实施方式中，黑矩阵BM上可以提供或设置有外涂层OC。外涂层OC可以是防止氧气和湿气渗透到显示设备10中的封装层。
图7和图8是示出显示设备的各种实施方式的沿着图3的线I-I’截取的示意性剖视图。为了便于描述，图7和图8中没有单独地示出包括在显示设备中的第二晶体管。
为了避免重复描述，将主要描述在根据上述实施方式的显示设备中未提及的组件。在以下实施方式的描述中未单独解释的组件遵循前述实施方式的组件。相同的参考标号将用于指定相同的组件，并且相似的参考标号将用于指定相似的组件。
参照图3至图8，根据实施方式的显示设备10可以包括衬底SUB、第一金属层ML1、绝缘层INS、发光元件LD、光转换层QDL1和QDL2以及光透射层TL。
在实施方式中，可以暴露第一金属层ML1的与衬底SUB的非显示区域NDA重叠的区域的一部分或区。非显示区域NDA可以包括可以驱动像素的驱动器以及可以将像素联接至驱动器的线组件的一部分或区。例如，如图7中所示，包括在驱动器中的晶体管TR可以定位或设置在非显示区域NDA上。第一金属层ML1可以相对于晶体管TR定位或设置成朝衬底SUB的外边界延伸。换言之，第一金属层ML1的与衬底SUB的非显示区域NDA重叠的区域可以包括其中可以不定位或设置绝缘层INS、缓冲层BFL、第一栅极绝缘膜GI1和第二栅极绝缘膜GI2、封装层ENC、黑矩阵BM和外涂层OC的区域。
当发光元件LD发光时，可以在发光元件LD中产生热量。这里，第一金属层ML1可以接触发光元件LD的第一端，并且发光元件LD产生的热量可以传递至第一金属层ML1。通过暴露第一金属层ML1的一部分或区，可以将从发光元件LD传递的热量释放至外部，使得可以消除从发光元件LD产生的热量。尽管在附图中未示出，但是第一金属层ML1被暴露的部分或区可以联接或连接至定位或设置在非显示区域NDA中的冷却设备、散热层或散热材料。由此，可以有效地消除从发光元件LD产生的热量。
在各种实施方式中，显示设备10可以包括定位或设置在第一金属层ML1和衬底SUB之间的第二金属层ML2。第二金属层ML2可以接触第一金属层ML1。第二金属层ML2可以包括具有高光反射率的导电材料。具有高光反射率的导电材料可以包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ti的金属和/或其合金。
包括在第一金属层ML1和第二金属层ML2中的金属可以彼此不同。由于包括不同金属的第一金属层ML1和第二金属层ML2可以彼此联接，因此可以防止IR降(电压降)。
如图8中所示，第一金属层ML1可以定位或设置在第二金属层ML2的与发光元件LD中的每一个重叠的区域上。在这方面，第二金属层ML2可以定位或设置在衬底SUB的正面上，并且第二金属层ML2的与衬底SUB的非显示区域NDA重叠的区域的一部分或区可以被暴露。第二金属层ML2可以包括导热性可以高于第一金属层ML1的导热性的金属。由此，从发光元件LD产生的热量可以经由第一金属层ML1传递至第二金属层ML2，并且热量可以通过第二金属层ML2的被暴露的部分或区而释放至外部。
图9A至图9K是依次示出根据实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图。作为示例，图9A至图9K是依次示出制造显示设备的方法的、沿着图3的线I-I’截取的示意性剖视图。为了便于描述，在图9A至图9K中没有单独地示出包括在显示设备中的第二晶体管以及定位或设置在非显示区域中的驱动器的晶体管。
参照图3至图9A，可以在衬底SUB上定位或设置第一金属层ML1，并且可以使发射第一颜色的光的发光元件LD中的每一个的第一端与第一金属层ML1接触。这里，发光元件LD中的每一个的第一端可以与第一金属层ML1共晶结合。
参照图3和图9B，可以在包括发光元件LD的第一金属层ML1上形成或设置绝缘层INS。例如，可以在包括发光元件LD的第一金属层ML1上涂覆绝缘成分。可以使绝缘成分固化以形成绝缘层INS。在这方面，绝缘成分可以包括聚酰亚胺树脂。由此，绝缘层INS可以覆盖发光元件LD和第一金属层ML1，或者与发光元件LD和第一金属层ML1重叠。
参照图3和图9C，可以在绝缘层INS上形成或设置缓冲层BFL，并且可以在缓冲层BFL上形成或设置晶体管T1和T2(参见图2A和图2B)的半导体层SCL。随后，可以在缓冲层BFL上形成或设置覆盖半导体层SCL或者与半导体层SCL重叠的第一栅极绝缘膜GI1，并且可以在第一栅极绝缘膜GI1上形成晶体管T1和T2的与半导体层SCL重叠的栅电极GE。此后，可以在第一栅极绝缘膜GI1上形成或设置覆盖晶体管T1和T2的栅电极GE或者与晶体管T1和T2的栅电极GE重叠的第二栅极绝缘膜GI2。
参照图3和图9D，通过蚀刻绝缘层INS的与发光元件LD中的每一个重叠的部分或区，可以形成孔H1、H2和H3以暴露发光元件LD中的每一个的与第一端相对的第二端。在下文中，将主要描述第一孔H1。
在这方面，通过蚀刻第一栅极绝缘膜GI1和第二栅极绝缘膜GI2，可以形成或设置暴露晶体管T1和T2的半导体层SCL的一部分或区的第一接触孔CH1和暴露晶体管T1和T2的半导体层SCL的另一部分或区的第二接触孔CH2。通过蚀刻第一栅极绝缘膜GI1和第二栅极绝缘膜GI2、缓冲层BFL以及绝缘层INS，可以暴露第一金属层ML1的与衬底SUB的非显示区域NDA重叠的部分或区。
参照图3和图9E，可以在第二栅极绝缘膜GI2上形成通过第二接触孔CH2联接或电连接至半导体层SCL的源电极SE，并且可以在第二栅极绝缘膜GI2上形成或设置通过第一接触孔CH1联接或电连接至半导体层SCL的漏电极DE。
可以在第一孔H1的内表面上形成或设置反射层RFL。这里，反射层RFL可以与第一晶体管T1的一电极一体地形成。如图9E中所示，反射层RFL可以与第一晶体管T1的漏电极DE一体地形成。如图9E中所示，反射层RFL可以覆盖发光元件LD的可以被第一孔H1暴露的第二端，或者与发光元件LD的可以被第一孔H1暴露的第二端重叠。
参照图3和图9F，除了反射层RFL的定位或设置在第一孔H1的内表面上的部分或区之外，可以去除反射层RFL的覆盖发光元件LD的第二端或者与发光元件LD的第二端重叠的部分或区，使得发光元件LD的第二端的一部分或区可以被暴露。
参照图3和图9G，可以形成或设置可以将发光元件LD中的每一个的第二端电连接至晶体管(例如，第一晶体管T1)的接触电极CNT。如图9G中所示，可以在发光元件LD的第二端和反射层RFL上形成或设置接触电极CNT。由此，接触电极CNT可以将第一晶体管T1的漏电极DE和发光元件LD的第二端电连接。这里，接触电极CNT可以由透明电极材料形成。
参照图3和图9H，可以在孔H1、H2和H3中的至少一个的内部空间中形成或设置分别与发光元件LD重叠的光转换层QDL1和QDL2。如图9H中所示，可以在定位或设置在第一孔H1中的接触电极CNT上形成或设置第一光转换层QDL1。可以在定位或设置在第二孔H2中的接触电极CNT上形成或设置第二光转换层QDL2。
在实施方式中，可以在孔H1、H2和H3中的至少一个的内部空间中形成或设置光透射层TL，以透射从相应的发光元件LD发射的第一颜色的光。可以在定位或设置在第三孔H3中的接触电极CNT上形成或设置光透射层TL。
参照图3、图9I和图9J，可以在第二栅极绝缘膜GI2上形成或设置覆盖晶体管T1和T2的源电极SE和漏电极DE、接触电极CNT、光转换层QDL1和QDL2、光透射层TL和反射层RFL或者与晶体管T1和T2的源电极SE和漏电极DE、接触电极CNT、光转换层QDL1和QDL2、光透射层TL和反射层RFL重叠的封装层ENC。可以在封装层ENC的与光转换层QDL1和QDL2重叠的区域上形成或设置滤色器CF1和CF2，并且可以在封装层ENC的另一区域上形成或设置黑矩阵BM。这里，可以在封装层ENC的与光透射层TL重叠的区域上形成或设置黑矩阵BM的开口。
参照图3和图9K，可以在滤色器CF1和CF2以及黑矩阵BM上形成或设置外涂层OC。
根据实施方式，可提供具有良好分辨率的显示设备及制造显示设备的方法。
根据实施方式，可以通过将发光元件中的每一个的第一端与第一金属层共晶结合来提高发光元件的发光效率。
根据实施方式，通过暴露可以与发光元件接触的第一金属层的一部分或区，可以解决发光元件的产热问题。
然而，本公开的效果不限于上述效果，并且在不背离本公开的精神和范围的情况下，各种修改是可以行的。
前述详细描述可以示出和描述本公开。另外，前述描述仅示出和描述实施方式。如上所述，在本说明书中公开的本公开的范围、与上述描述等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内，本公开可以在各种不同的组合、修改和环境下使用，并且可以改变或修改。因此，描述不旨在将本公开限制为本文中公开的形式。另外，旨在将所附权利要求书解释为包括可替代的实施方式。

Claims (20)

1.显示设备，包括：
第一金属层，设置在衬底上；
发光元件，发射第一颜色的光，所述发光元件中的每一个具有接触所述第一金属层的第一端；
绝缘层，设置在所述第一金属层上并且包括暴露所述发光元件中的每一个的与所述第一端相对的第二端的孔；以及
光转换层，设置在所述孔中的至少一个中并且与所述发光元件重叠，
其中，所述光转换层将从所述发光元件发射的所述第一颜色的所述光转换为第二颜色的光。
2.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
反射层，设置在所述孔中的每一个的内表面上并且暴露所述发光元件中的每一个的所述第二端的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述反射层接触所述发光元件中的每一个的侧表面。
4.根据权利要求2所述的显示设备，还包括：
晶体管，设置在所述绝缘层上并且电连接至所述发光元件中的每一个。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述晶体管的一电极和所述反射层彼此成一体。
6.根据权利要求4所述的显示设备，还包括：
接触电极，将所述发光元件中的每一个的所述第二端与所述晶体管电连接。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述接触电极设置在所述光转换层和所述反射层之间，并且设置在所述发光元件中的每一个的所述第二端和所述光转换层之间。
8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述接触电极是透明电极。
9.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
滤色器，设置在所述光转换层上并且与所述光转换层重叠。
10.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
光透射层，设置在所述孔中的至少一个中并且透射从相应的所述发光元件发射的所述第一颜色的所述光。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述衬底包括显示区域和邻近于所述显示区域的非显示区域，以及
所述第一金属层的与所述非显示区域重叠的区域的一部分被暴露为散热层。
12.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
第二金属层，设置在所述第一金属层和所述衬底之间。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一金属层设置在所述第二金属层的与所述发光元件中的每一个重叠的部分上。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光元件中的每一个的所述第一端与所述第一金属层彼此共晶结合。
15.制造显示设备的方法，包括：
使发射第一颜色的光的发光元件中的每一个的第一端与设置在衬底上的第一金属层接触；
形成与所述发光元件和所述第一金属层重叠的绝缘层；
蚀刻所述绝缘层的与所述发光元件重叠的部分以形成暴露所述发光元件中的每一个的与所述第一端相对的第二端的孔；以及
在所述孔中的至少一个中形成与相应的所述发光元件重叠的光转换层，
其中，所述光转换层将从所述发光元件发射的所述第一颜色的所述光转换为第二颜色的光。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述使所述发光元件中的每一个的所述第一端与所述第一金属层接触包括：
将所述发光元件中的每一个的所述第一端与所述第一金属层共晶结合。
17.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在所述孔中的每一个的内表面上形成反射层。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在所述绝缘层上形成电连接至所述发光元件中的每一个的晶体管，以及
其中，所述晶体管的一电极和所述反射层一体地形成。
19.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在所述孔中的至少一个中形成光透射层，所述光透射层透射从相应的所述发光元件发射的所述第一颜色的所述光。
20.根据权利要求18所述的方法，还包括：
形成将所述发光元件中的每一个的所述第二端与所述晶体管电连接的接触电极。
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