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CN113299566B - 封装结构及其制备方法 - Google Patents

封装结构及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种封装结构及其制备方法，包括：将所述芯片键合于基板上；于所述芯片的上表面形成填充物；形成塑封层，所述塑封层将所述芯片、基板及所述填充物塑封，暴露出所述填充物；去除所述填充物，以暴露出所述芯片。本发明针对表面露die封装工艺，选择使用填充物，塑封后再取出的方式，避免了使用异形模，填充物尺寸大小可以任意调节，成本低，工艺简单；同时本发明的填充物脱模干净，不会有填充物残留于芯片的表面。

Description

封装结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种封装结构及其制备方法。
背景技术
传统表面露die(芯片)封装工艺，通过异形模具，镭射开槽，直接露die的方式来实现。但异形模具价格非常昂贵，镭射开槽又会导致芯片受损，直接露die只适合于倒装类芯片。诸多局限性造成露die封装难度大，成本高，良率低的缺陷。
发明内容
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种封装结构的制备方法，包括：
将芯片键合于基板上；
于所述芯片的上表面形成填充物；
形成塑封层，所述塑封层将所述芯片、基板及所述填充物塑封，暴露出所述填充物；
去除所述填充物，以暴露出所述芯片。
可选地，所述芯片键合于所述基板上之后且形成所述填充物之前，还包括：形成连接线，所述连接线将所述芯片及所述基板相连接。
可选地，去除所述填充物包括：
将所述芯片、基板和所述填充物塑封后所得的结构倒置于加热炉内；
加热使所述填充物受热熔化以去除。
可选地，所述填充物包括锡片。
可选地，去除所述填充物之后还包括对所得的结构进行清洗的步骤。
可选地，所述芯片包括多个，所述填充物覆盖至少一个芯片。
可选地，在清洗之后，还包括：进行切割。
本发明还提供一种封装结构，所述封装结构由上述任一方案中所述的封装结构的制备方法获得。
如上所述，本发明的封装结构及其制备方法，具有以下有益效果：本发明针对表面露die(芯片)封装工艺，选择使用填充物，塑封后再取出的方式，避免了使用异形模，填充物尺寸大小可以任意调节，成本低，工艺简单；同时本发明的填充物脱模干净，不会有填充物残留于芯片的表面。
附图说明
图1为本发明的封装结构的制备方法步骤图。
图2～图7为本发明的封装结构的制备方法的各个步骤所得结构的截面结构示意图。
元件标号说明：1、基板，2、芯片，3、连接线，4、填充物，5、塑封层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本发明的限制。
传统表面露die(芯片)封装工艺，通过异形模具，镭射开槽，直接露die的方式来实现。但异形模具价格非常昂贵，镭射开槽又会导致芯片受损，直接露die只适合于倒装类芯片。诸多局限性造成露die封装难度大，成本高，良率低的缺陷。
实施例一
请参阅图1所示，本发明提供一种封装结构的制备方法，包括如下步骤：
S1：将芯片键合于所述基板上；
S2：于所述芯片的上表面形成填充物；
S3：形成塑封层，所述塑封层将所述芯片、基板及所述填充物塑封，暴露出所述填充物；
S4：去除所述填充物，以暴露出所述芯片。
本发明针对表面露die(芯片)封装工艺，选择使用填充物，塑封后再取出的方式，避免了使用异形模，填充物尺寸大小可以任意调节，成本低，工艺简单；同时本发明的填充物脱模干净，不会有填充物残留于芯片的表面。
实施例二
请结合图1参阅图2至7，本实施例中还提供一种封装结构的制备方法，本实施例中的具体结构与实施例一中的封装结构的制备方法具体结构大致相同，二者的区别在于，本实施例中的封装结构的制备方法相较于实施例一中的封装结构的制备方法还包括更多更详细的工艺步骤。
在步骤S1中，所述基板1可以包括但不仅限于PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)。
具体的，所述芯片2可以为任意一种内部形成有器件结构的芯片。更为具体的，所述器件结构可以形成于所述芯片2的正面。
在步骤S1中，所述芯片2可以正装于所述基板1，即所述芯片2正面朝上键合于所述基板1上。
如图2所示，所述芯片2键合于所述基板1上之后且形成所述填充物4之前，还包括：形成连接线3，所述连接线3将所述芯片2及所述基板1相连接。
具体的，所述可以采用打线工艺形成所述连接线3。所述连接线3可以包括但不仅限于金线或铜线等等。所述连接线3将所述芯片2中的器件结构与所述基板1相连接。
具体的，所述填充物4可以包括但不仅限于锡片。更为具体的，如图3所示，所述填充物4可以通过粘贴工艺或锡焊工艺叠于所述芯片2的上表面。
需要说明的是，所述填充物4需要将封装后的所述芯片2要暴露的区域遮盖。
作为示例，步骤S3中，形成的所述塑封层5可以包括但不仅限于环氧树脂层、固化胶层或EMC(环氧膜塑封)层等等。
具体的，步骤S3中形成的所述塑封层5的上表面可以与所述填充物4的上表面相平齐，如图4所示。
在一个示例中，步骤S3可以包括如下步骤：
S31：形成塑封材料层，所述塑封材料层包覆所述芯片2、所述基板、所述填充物4及所述连接线3，即所述塑封材料层的上表面高于所述芯片2的上表面；
S32：采用刻蚀工艺或化学机械研磨工艺去除位于所述填充物4上的所述塑封材料层，保留的所述塑封材料层即为所述塑封层5。
如图5至图7所示，步骤S4中，去除所述填充物4包括：
S41：将所述芯片2、所述基板1和所述填充物4塑封后所得的结构倒置于加热炉内；
S42：加热使所述填充物4受热熔化以去除。
具体的，所述加热炉可以为任意一种可以加热使得所述填充物4融化去处的加热炉。
如图7所示，所述去除填充物4之后还包括对步骤S4所得的结构进行清洗的步骤。
具体的，可以使用清洗液或去离子水对所得结构进行清洗。
作为示例，所述芯片1包括多个，即所述芯片1的数量可以为多个；所述填充物4覆盖至少一个所述芯片1。
进一步的，所述基板1上键合的所述芯片2的数量可以根据实际需要进行设定，具体可以为，所述基板1上可以键合一个所述芯片2，也可以键合多个所述芯片2。当所述基板1上键合多个所述芯片2时，清洗之后还包括：对清洗后的结构进行切割。
具体的，可以采用但不仅限于切割轮、切割刀或激光对清洗后的结构进行切割，切割后将各所述芯片2分离。
本发明还提供一种封装结构，所述封装结构由上述任一实施例中的封装结构的制备方法获得。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (6)

1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
将芯片键合于基板上；
于所述芯片的上表面形成填充物；所述填充物包括锡片；
形成塑封层，所述塑封层将所述芯片、基板及所述填充物塑封，暴露出所述填充物；
去除所述填充物，以暴露出所述芯片，包括：将所述芯片、基板和所述填充物塑封后所得的结构倒置于加热炉内；加热使所述填充物受热熔化以去除。
2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：所述芯片键合于所述基板上之后且形成所述填充物之前，还包括：形成连接线，所述连接线将所述芯片及所述基板相连接。
3.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：去除所述填充物之后还包括：对所得的结构进行清洗。
4.根据权利要求3所述的封装结构的制备方法，其特征在于：所述芯片包括多个，所述填充物覆盖至少一个芯片。
5.根据权利要求4所述的封装结构的制备方法，其特征在于：在清洗之后，还包括：进行切割。
6.一种由权利要求1-5中任意一项所述的封装结构的制备方法获得的封装结构。
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