CN113078272B - 有机电致发光装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

有机电致发光装置和电子设备，质量可靠性优异。有机电致发光装置具有：有机电致发光元件；以及保护层，其保护所述有机电致发光元件，所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜，所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含无机材料，所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。

Description

有机电致发光装置和电子设备

技术领域

本发明涉及有机电致发光装置和电子设备。

背景技术

已知具备有机EL元件的有机EL(电致发光)装置。有机EL装置例如被用作显示图像的有机EL显示器。

专利文献1所记载的有机EL装置具备有机EL元件和覆盖有机EL元件的保护膜。该保护膜具有防止水分侵入有机EL元件的功能。该保护膜是由3个膜构成的层叠膜。具体而言，层叠膜例如包含由氮化硅膜构成的第1绝缘膜、由氧化铝膜构成的第2绝缘膜、以及由氮化硅膜构成的第3绝缘膜。第1绝缘膜和第3绝缘膜分别通过CVD法(化学气相生长法)形成。第2绝缘膜通过ALD法(原子层沉积法)形成。此外，第2绝缘膜为了填埋形成于第1绝缘膜的针孔而形成。

专利文献1：日本特开2018-28996号公报

但是，由于专利文献1所记载的第3绝缘膜与第1绝缘膜为相同结构，因此例如，在有机EL元件的表面存在阶梯差时，由于该阶梯差的影响，不仅在第1绝缘膜中，在第3绝缘膜中也容易产生缺陷。因此，保护膜的密封性能受损，其结果，有机EL元件有可能劣化。因此，存在有机EL装置的质量可靠性下降的问题。

发明内容

本发明的有机电致发光装置的一个方式具有：有机电致发光元件；以及保护层，其保护所述有机电致发光元件，所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜，在远离所述有机电致发光元件的方向上，按照所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜的顺序进行配置，所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含无机材料，所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。

本发明的电子设备的一个方式具有：所述有机电致发光装置；以及控制部，其对所述有机电致发光装置的动作进行控制。

本发明的有机电致发光装置的制造方法的一个方式包含以下工序：在基板上形成有机电致发光元件；通过使用了等离子体的化学气相沉积法，在所述有机电致发光元件上形成第1绝缘膜；通过使用了等离子体的原子层沉积法，在所述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜；通过使用了等离子体的化学气相沉积法，在所述第2绝缘膜上形成第3绝缘膜；通过使用了等离子体的原子层沉积法，在所述第3绝缘膜上形成第4绝缘膜；以及通过使用了等离子体的化学气相沉积法，在所述第4绝缘膜上形成第5绝缘膜，所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。

附图说明

图1是表示第1实施方式中的有机EL装置的平面图。

图2是图1所示的子像素的等效电路图。

图3是表示图1所示的A-A线剖面的图。

图4是用于说明图1所示的保护层的功能的剖视图。

图5是表示变更了图1所示的保护层所具有的第1绝缘膜的厚度的例子的图。

图6是表示透过了图1所示的保护层的光的光谱的图。

图7是表示透过了图1所示的保护层的光的光谱的图。

图8是第1实施方式中的有机EL装置的制造方法的流程。

图9是用于说明保护层形成工序的图。

图10是用于说明保护层形成工序的图。

图11是用于说明保护层形成工序的图。

图12是用于说明滤色器形成工序的图。

图13是用于说明滤色器形成工序的图。

图14是表示第2实施方式中的有机EL装置的一部分的剖视图。

图15是表示变形例中的有机EL装置的一部分的剖视图。

图16是表示变形例中的有机EL装置的一部分的剖视图。

图17是表示变形例中的有机EL装置的一部分的剖视图。

图18是示意地表示作为电子设备的一例的虚像显示装置的一部分的平面图。

图19是表示作为电子设备的一例的个人计算机的立体图。

标号说明

1：元件基板；2：发光部；4：保护层；6：滤色器；7：透光性基板；10：基板；13：扫描线；14：数据线；15：供电线；16：供电线；20：有机EL元件；21：反射层；22：绝缘层；23B：像素电极；23G：像素电极；23R：像素电极；24：功能层；25：公共电极；29B：光谐振器；29G：光谐振器；29R：光谐振器；30：像素电路；31：开关用晶体管；32：驱动用晶体管；33：保持电容；41：第1绝缘膜；42：第2绝缘膜；43：第3绝缘膜；44：第4绝缘膜；45：第5绝缘膜；61：着色部；61B：着色部；61G：着色部；61R：着色部；70：粘接层；100：有机EL装置；101：数据线驱动电路；102：扫描线驱动电路；103：控制电路；104：外部端子；210：反射部；221：第1膜；222：第2膜；223：第3膜；220：绝缘膜；240：发光层；A10：显示区域；A20：外围区域；C0：裂纹；C1：异物；D1：厚度；D2：厚度；D3：厚度；D4：厚度；D5：厚度；D6：厚度；D7：厚度；L0：光学距离；P：像素；P0：子像素；PB：子像素；PG：子像素；PR：子像素。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的优选实施方式。另外，在附图中，各部分的尺寸和比例尺与实际的尺寸和比例尺适当不同，也有为了容易理解而示意性地示出的部分。此外，在以下的说明中，只要没有特别限定本发明的记载，则本发明的范围不限于这些方式。另外，本说明书中记载的“要素A和要素B相等”是指要素A和要素B实质上相等，包含制造误差。

1.有机EL装置

1A.第1实施方式

1A-1.有机EL装置的结构

图1是表示第1实施方式中的有机EL装置100的平面图。另外，以下为了便于说明，适当使用相互垂直的X轴、Y轴和Z轴进行说明。另外，将沿着X轴的一个方向称为X1方向，将与X1方向相反的方向称为X2方向。同样，将沿着Y轴的一个方向称为Y1方向，将与Y1方向相反的方向称为Y2方向。将沿着Z轴的一个方向称为Z1方向，将与Z1方向相反的方向称为Z2方向。另外，将从Z1方向或Z2方向观察称为“平面观察”。另外，透光性是指对可见光的透过性，优选可见光的透过率为50％以上。另外，光反射性是指对可见光的反射性，优选可见光的反射率为50％以上。

图1所示的有机EL装置100是显示全彩色图像的显示装置。另外，在图像中包含仅显示字符信息的图像。有机EL装置100例如适合用作在头戴式显示器中显示图像的微型显示器。

有机EL装置100具有显示图像的显示区域A10和在平面观察时包围显示区域A10的外围区域A20。另外，显示区域A10在平面观察时的形状大致为四边形，但也可以是其他形状。

显示区域A10由多个像素P构成。各像素P是图像显示中的最小单位。多个像素P例如配置成沿着X轴和Y轴的矩阵状。各像素P具有得到蓝色波长区域的光的子像素PB、得到绿色波长区域的光的子像素PG和得到红色波长区域的光的子像素PR。另外，子像素PB、PG和PR各自在平面观察时的形状大致为四边形，但也可以是其他形状。此外，子像素PB、PG和PR的排列不受特别限制。作为该排列，例如可列举条纹排列、矩形排列、拜耳排列或delta排列。

以下，在不区分子像素PB、子像素PG和子像素PR的情况下，表述为子像素P0。子像素P0是构成像素P的要素。子像素P0是作为显示图像的最小单位的单位电路的一例。通过子像素PB、子像素PG和子像素PR，表现彩色图像的1个像素P。子像素P0与其他子像素P0独立地被控制。

如图1所示，有机EL装置100具有元件基板1和具有透光性的透光性基板7。有机EL装置100是所谓的顶部发射构造。有机EL装置100使光从透光性基板7射出。

元件基板1具有数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102、控制电路103和多个外部端子104。数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102、控制电路103和多个外部端子104配置于外围区域A20。数据线驱动电路101和扫描线驱动电路102是对构成多个子像素P0的各部分的驱动进行控制的外围电路。控制电路103控制图像的显示。从未图示的上位电路向控制电路103供给图像数据。控制电路103将基于该图像数据的各种信号供给到数据线驱动电路101和扫描线驱动电路102。虽然未图示，在外部端子104上连接有用于实现与上位电路的电连接的FPC(Flexible printed circuits：挠性印刷电路)基板等。并且，在元件基板1上电连接有未图示的电源电路。

并且，透光性基板7在平面观察时的面积比元件基板1在平面观察时的面积小，透光性基板7被配置成使得外部端子104露出。

图2是图1所示的子像素P0的等效电路图。在元件基板1上设置有多条扫描线13和多条数据线14。在图2中，图示了对应于1个子像素P0的1条扫描线13和1条数据线14。扫描线13沿X轴延伸，数据线14沿Y轴延伸。另外，虽然未图示，多条扫描线13和多条数据线14排列成格子状。另外，扫描线13与图1所示的扫描线驱动电路102连接，数据线14与图1所示的数据线驱动电路101连接。

如图2所示，子像素P0包含有机EL元件20、和控制有机EL元件20的驱动的像素电路30。有机EL元件20由OLED(有机发光二极管)构成。有机EL元件20具有像素电极23、公共电极25和配置在它们之间的功能层24。像素电极23作为阳极发挥功能。公共电极25作为阴极发挥功能。在该有机EL元件20中，从像素电极23供给的空穴和从公共电极25供给的电子在功能层24复合，由此功能层24产生光。另外，供电线16与公共电极25电连接。从未图示的电源电路向供电线16供给低位侧的电源电位Vct。这里，按照每个子像素P0设置像素电极23。像素电极23能够与其他像素电极23独立地设定为相互不同。更具体而言，可以以流过不同电流的方式设定像素电极23，也可以对像素电极23设定不同的电压。

像素电路30具有开关用晶体管31、驱动用晶体管32和保持电容33。开关用晶体管31的栅极与扫描线13电连接。另外，开关用晶体管31的源极或漏极的一方与数据线14电连接，另一方与驱动用晶体管32的栅极电连接。另外，驱动用晶体管32的源极或漏极的一方与供电线15电连接，另一方与像素电极23电连接。另外，从未图示的电源电路向供电线15供给高位侧的电源电位Vel。另外，保持电容33的一个电极与驱动用晶体管32的栅极连接，另一个电极与供电线15连接。

在通过扫描线驱动电路102使扫描信号有效而选择扫描线13时，设置于所选择的子像素P0的开关用晶体管31导通。于是，从数据线14向与所选择的扫描线13对应的驱动用晶体管32供给数据信号。驱动用晶体管32对有机EL元件20供给与供给的数据信号的电位、即栅极与源极间的电位差对应的电流。并且，有机EL元件20以与从驱动用晶体管32供给的电流的大小对应的亮度发光。另外，在扫描线驱动电路102解除扫描线13的选择从而开关用晶体管31截止的情况下，驱动用晶体管32的栅极电位由保持电容33保持。因此，有机EL元件20在开关用晶体管31截止后也可以发光。

另外，上述像素电路30的结构不限于图示的结构。例如，像素电路30还可以具有控制像素电极23与驱动用晶体管32之间的导通的晶体管。

图3是表示图1中的A-A线剖面的图。在以下的说明中，以Z1方向为上方、以Z2方向为下方来进行说明。另外，在图3中，图示了多个像素P中的任意一个像素P。

如图3所示，有机EL装置100具有元件基板1和通过粘接层70粘接在元件基板1上的透光性基板7。元件基板1具有基板10、发光部2、保护层4和滤色器6。发光部2具有反射层21、绝缘层22和多个有机EL元件20。另外，发光部2具有多个光谐振器29。另外，滤色器6具有多个着色部61。另外，在Z1方向上，按照基板10、反射层21、绝缘层22、多个有机EL元件20、保护层4、滤色器6以及透光性基板7的顺序进行排列。

各子像素P0中存在1个反射部210、1个有机EL元件20和1个着色部61。以下，对于反射部210、有机EL元件20和着色部61，在与子像素PB关联的要素符号的末尾附加“B”，在与子像素PG关联的要素符号的末尾附加“G”，在与子像素PR关联的要素符号的末尾附加“R”。另外，在不按每个发光色进行区分的情况下，省略符号末尾的“B”、“G”以及“R”。

基板10是在例如由硅构成的基材上形成有上述像素电路30的布线基板。另外，该基材例如可以由玻璃、树脂或陶瓷构成。另外，由于本实施方式的有机EL装置100是顶部发射型的，所以该基材可以具有透光性，也可以不具有透光性。另外，像素电路30所具有的开关用晶体管31和驱动用晶体管32可以分别是具备有源层的MOS型晶体管，例如有源层可以由硅基板构成。另外，上述开关用晶体管31和驱动用晶体管32可以是薄膜晶体管，也可以是场效应晶体管。另外，作为构成像素电路30的各部分以及各种布线的材料，例如可以举出多晶硅、金属、金属硅化物以及金属化合物等导电材料。

反射层21包含具有光反射性的多个反射部210。各反射部210反射由功能层24产生的光。另外，虽然未图示，但多个反射部210在平面观察时与多个子像素P0对应地配置为矩阵状。多个反射部210与多个像素电极23一对一地配置。并且，虽然未图示，但各反射部210在平面观察时与对应的像素电极23重叠。作为反射层21的材料，例如可举出Al(铝)和Ag(银)等金属或这些金属的合金。另外，反射层21也可以具有作为与像素电路30电连接的布线的功能。

绝缘层22由具有绝缘性的多个膜构成。具体而言，绝缘层22具有第1膜221、第2膜222和第3膜223。第1膜221覆盖反射层21。第1膜221公共形成在像素电极23G、23B和23R上。在第1膜221上配置有第2膜222。第2膜222在平面观察时与像素电极23R重叠，且在平面观察时不与像素电极23B和23G重叠。在第1膜221的一部分和第2膜222上配置有第3膜223。第3膜223在平面观察时与像素电极23R和23G重叠，且在平面观察时不与像素电极23B重叠。另外，在绝缘层22上配置具有开口的绝缘膜220。该绝缘膜220覆盖像素电极23B、23G和23R的各外缘。

绝缘层22调整反射部210与后述的公共电极25之间的光学距离、即光学距离L0。光学距离L0根据发光颜色而不同。子像素PB中的光学距离L0与蓝色波长区域的光对应地设定。子像素PG中的光学距离L0与绿色波长区域的光对应地设定。子像素PR中的光学距离L0与红色波长区域的光对应地设定。在本实施方式中，因为在子像素PB、PG和PR中，绝缘层22的厚度不同，所以光学距离L0按每种发光色而不同。

作为构成绝缘层22的各膜的材料，例如可举出氧化硅和氮化硅等硅系无机材料。另外，绝缘层22的结构不限于图3所示的结构。在图3中，第3膜223配置在第2膜222上，但例如也可以是第2膜222配置在第3膜223上。

多个有机EL元件20配置在绝缘层22上。具体而言，多个像素电极23配置在绝缘层22上，在多个像素电极23上配置功能层24，在功能层24上配置公共电极25。多个像素电极23与多个子像素P0一对一地配置。功能层24和公共电极25各自公共设置于多个子像素P0。因此，功能层24和公共电极25各自在多个有机EL元件20中是公共的。

像素电极23具有透光性。作为像素电极23的材料，可举出ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)和IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)等透明导电材料。多个像素电极23通过绝缘膜220相互电绝缘。另外，像素电极23B配置在第1膜221上，像素电极23G和像素电极23R各自配置在第3膜223上。

功能层24包括含有有机发光材料的发光层240。有机发光材料是发光性的有机化合物。另外，功能层24除了发光层240以外，例如还包含空穴注入层、空穴输送层、电子输送层和电子注入层等。功能层24包含可得到蓝色、绿色和红色的各发光色的发光层240而实现白色发光。另外，功能层24的结构并不特别限定于上述结构，可以应用公知的结构。

公共电极25配置在功能层24上。因此，上述功能层24配置于多个像素电极23与公共电极25之间。公共电极25具有光反射性和透光性。公共电极25例如由MgAg等包含Ag的合金形成。

使发光层240所产生的光在公共电极25与反射层21之间谐振。通过具有公共电极25和反射层21，构成能够按照每个子像素PB、PG和PR取出预期的谐振波长的光的光谐振结构。具体而言，发光部2具有存在于子像素PB的光谐振器29B、存在于子像素PG的光谐振器29G和存在于子像素PR的光谐振器29R。另外，在不区分光谐振器29B、29G和29R的情况下，表述为光谐振器29。在本实施方式中，各光谐振器29包含反射部210、绝缘层22以及有机EL元件20。绝缘层22和公共电极25各自在多个光学谐振器29中是公共的。

光谐振器29B包含有机EL元件20B，增强蓝色波长区域的光的强度。光谐振器29G包含有机EL元件20G，增强绿色波长区域的光的强度。光谐振器29R包含有机EL元件20R，增强红色波长区域的光的强度。因此，在光谐振器29B、29G和29R中，得到在与各发光色对应的谐振波长中增强了亮度的发光。谐振波长由上述光学距离L0确定。如果将规定波长区域的光的光谱的峰值波长设为λ0，则如下的关系式[1]成立。Φ(弧度)表示在反射部210与公共电极25之间的透过和反射时产生的相移的总和。

{(2×L0)/λ0+Φ}/(2π)＝m0(m0为整数)·····[1]

设定光学距离L0，以使希望取出的波长区域的光的峰值波长为λ0。通过根据要取出的波长区域的光来调整光学距离L0，能够增强规定的波长区域的光，能够实现该光的高强度化以及该光的光谱的窄宽度化。因此，通过具有光谐振器29，能够实现光的高强度化和该光的光谱的窄宽度化。

另外，在本实施方式中，如前所述，按照每个子像素PB、PG和PR使绝缘层22的厚度不同，由此调整光学距离L0。但是，例如也可以通过按照每个子像素PB、PG和PR使像素电极23的厚度不同来调整光学距离L0。

图3所示的保护层4保护多个有机EL元件20。具体而言，保护层4对多个有机EL元件20进行了密封以从外部保护多个有机EL元件20。例如，保护层4保护各有机EL元件20不受外部的水分或氧等的影响。即，保护层4具有阻气性。因此，通过存在保护层4，与不存在保护层4的情况相比，能够抑制有机EL元件20的劣化。因此，能够提高有机EL装置100的质量可靠性。另外，由于本实施方式的有机EL装置100是顶部发射型的，所以保护层4具有透光性。

保护层4具有第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44和第5绝缘膜45。在远离发光部2的方向上，依次层叠有第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44和第5绝缘膜45。

第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45缓和发光部2的上表面的凹凸。因此，保护层4的上表面被平坦化。另外，第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45例如分别通过使用了等离子体的CVD法形成。通过利用CVD法形成，能够容易地形成厚度足够薄的第1绝缘膜41。另外，第3绝缘膜43和第5绝缘膜45也同样如此。另外，通过使用等离子体，与不使用的情况相比，能够在低温下成膜，通过调节气体量，能够减小第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自的应力。因此，能够抑制保护层4产生裂纹等的可能性。

第2绝缘膜42和第4绝缘膜44对有可能在第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45中产生的缺陷进行弥补，并且阻止缺陷的发展。在第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45中，由于发光部2的表面的凹凸或异物的存在，有可能产生例如针孔或裂纹等缺陷。因此，通过存在第2绝缘膜42和第4绝缘膜44，即使在第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45中产生缺陷，也能够抑制大气中的水分等以该缺陷为路径传递到功能层24。

第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自例如通过使用了等离子体的ALD法形成。通过利用ALD法形成，容易形成高密度的膜。因此，通过采用ALD法，能够提高第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的密度。因此，能够有效地发挥第2绝缘膜42和第4绝缘膜44的阻止缺陷发展的功能。另外，通过使用等离子体，与不使用的情况相比，能够在低温下成膜。因此，能够减小第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的应力。其结果，能够抑制保护层4产生裂纹等的可能性。

如图3所示，第2绝缘膜42的厚度D2分别比第1绝缘膜41的厚度D1、第3绝缘膜43的厚度D3和第5绝缘膜45的厚度D5薄。同样，第4绝缘膜44的厚度D4分别比第1绝缘膜41的厚度D1、第3绝缘膜43的厚度D3和第5绝缘膜45的厚度D5薄。因此，能够有效地发挥保护层4所具有的各绝缘膜的功能。因此，能够充分地缓和发光部2的上表面的凹凸，并且即使在保护层4中产生缺陷，也能够充分抑制水分以该缺陷为路径传递到功能层24。

第2绝缘膜42的密度比第1绝缘膜41、第3绝缘膜43以及第5绝缘膜45各自的密度高。同样，第4绝缘膜44的密度比第1绝缘膜41、第3绝缘膜43以及第5绝缘膜45各自的密度高。即，第2绝缘膜42和第4绝缘膜44分别是高密度膜，第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45分别是低密度膜。保护层4具有低密度膜，由此能够有效地缓和发光部2的上表面的凹凸。另一方面，保护层4具有高密度膜，由此能够抑制保护层4的缺陷发展。

另外，保护层4具有5个绝缘膜。在远离多个有机EL元件20的方向上，按照第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44和第5绝缘膜45的顺序进行排列。保护层4除了第1绝缘膜41、第2绝缘膜42和第3绝缘膜43之外，还具有第4绝缘膜44和第5绝缘膜45，由此能够提高保护层4的密封性能。即，通过具有两个低密度膜和高密度膜的组，与具有一个该组的情况相比，能够提高保护层4的密封性能。

具体而言，通过存在多个组，即使在各绝缘膜中存在缺陷，也能够减少各绝缘膜所存在的缺陷彼此在平面观察时重叠的情况。因此，能够抑制在各绝缘膜中产生的缺陷彼此相连而向功能层24传递水分的可能性。即，通过存在多个组，能够有效地发挥保护层4中的迷宫效果。其结果，能够降低有机EL元件20劣化的可能性，因此能够提供质量可靠性长期保持优异的有机EL装置100。另外，通过具有两个低密度膜和高密度膜的组，与具有一个该组的情况相比，能够降低多个有机EL装置100中的密封性能的偏差。因此，能够提高成品率。

而且，第1绝缘膜41的密度比第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自的密度低。第1绝缘膜41在保护层4中最接近发光部2，所以最容易受到发光部2的表面凹凸的影响。因此，通过使第1绝缘膜41的密度比第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自的密度低，能够缓和第1绝缘膜41的上表面的凹凸。因此，能够降低该凹凸对第3绝缘膜43和第5绝缘膜45的影响。其结果，能够抑制在第3绝缘膜43和第5绝缘膜45产生由于该凹凸造成的缺陷。另一方面，第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自比第1绝缘膜41更靠近外部。因此，通过使第3绝缘膜43和第5绝缘膜45的各密度比第1绝缘膜41的密度高，能够提高第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自的阻挡性。由此，能够从外部充分保护多个有机EL元件20。其结果，能够提供密封性能优异的保护层4。

另外，第1绝缘膜41的厚度D1分别比第3绝缘膜43的厚度D3和第5绝缘膜45的厚度D5厚。即，在厚度D1、D3和D5中，厚度D1最厚。如上所述，由于第1绝缘膜41的密度最低，所以应力不易作用于第1绝缘膜41。因此，即使增大第1绝缘膜41的厚度D1，在第1绝缘膜41中也不易产生裂纹等缺陷。因此，可以将第1绝缘膜41的厚度D1形成得较大。通过增大厚度D1，能够利用第1绝缘膜41充分缓和发光部2的表面凹凸。因此，能够更有效地降低该凹凸对第3绝缘膜43和第5绝缘膜45的影响。其结果，能够更有效地抑制在第3绝缘膜43和第5绝缘膜45产生由于该凹凸造成的缺陷。

图4是用于说明图1所示的保护层4的功能的剖视图。如图4所示，通过使厚度D1分别比厚度D3和厚度D5厚，能够使第1绝缘膜41的上表面接近平坦面。因此，抑制了在第3绝缘膜43中产生裂纹C0。另外，如图4所示，即使由于发光部2的上表面的凹凸存在，在第1绝缘膜41中产生裂纹C0，由于以覆盖该裂纹C0的方式形成第2绝缘膜42，所以该裂纹C0被弥补。因此，能够阻止该裂纹C0向第3绝缘膜43发展。因此，能够从外部充分保护多个有机EL元件20。

另外，在成膜时，例如有时在第5绝缘膜45中混入异物C1。而且，有时以异物C1为起点产生裂纹C0。即使产生该裂纹C0，由于存在第4绝缘膜44，所以能够阻止该裂纹C0向第3绝缘膜43发展。因此，抑制了大气中的水分等以裂纹C0为路径传递到功能层24。

图5是表示变更了图1所示的保护层4所具有的第1绝缘膜41的厚度D1的例子的图。图5所示的保护层4r具有第1绝缘膜41r、第2绝缘膜42r、第3绝缘膜43r、第4绝缘膜44r和第5绝缘膜45r。保护层4r除了厚度D1与图4所示的保护层4不同以外，是相同的结构。

如图5所示，第1绝缘膜41r的厚度D1也可以分别比第3绝缘膜43r的厚度D3和第5绝缘膜45r的厚度D5薄。另外，图5所示的第1绝缘膜41r的厚度D1比图4所示的第1绝缘膜41的厚度D1薄。在该情况下，第1绝缘膜41r的上表面的凹凸比第1绝缘膜41的上表面的凹凸大。因此，由于第1绝缘膜41r的凹凸的影响，在第3绝缘膜43r中，与图4所示的第3绝缘膜43相比容易产生裂纹C0。但是，因为第1绝缘膜41r的密度最低，所以即使厚度D1比厚度D3和D5的各自薄，也能够缓和第1绝缘膜41r的上表面的凹凸。另外，即使在第1绝缘膜41r和第3绝缘膜43r的各自中产生裂纹C0，也因为存在第2绝缘膜42r和第4绝缘膜44r，所以能够阻止该裂纹C0的发展。

另外，图3所示的第3绝缘膜43的密度优选在第5绝缘膜45的密度以下。保护层4中的第5绝缘膜45最接近外部。因此，通过提高第5绝缘膜45的密度来提高第5绝缘膜45的阻挡性，由此能够更有效地发挥保护多个有机EL元件20的功能。

如图3所示，在本实施方式中，第3绝缘膜43的厚度D3与第5绝缘膜45的厚度D5相等。因此，与厚度D5比厚度D3薄的情况相比，能够提高第5绝缘膜45的阻挡性。因此，能够更有效地发挥从外部保护多个有机EL元件20的功能。另外，当厚度D5为厚度D3以上时，能够进一步提高保护层4的密封性能。

保护层4的总膜厚没有特别限定，优选为500nm以上2000nm以下，更优选为600nm以上1800nm以下，进一步优选为700nm以上1500nm以下。如果在该范围内，则可以实现密封性能优异且厚度足够薄的保护层4。特别是在有机EL装置100为顶部发射型的情况下，通过使保护层4的总膜厚为1500nm以下，适于用作微型显示器，且能够实现视场角特性的提高。另外，总膜厚是平均厚度。另外，厚度D1～D5也分别是平均厚度。

第1绝缘膜41的厚度D1优选为50nm以上1000nm以下，更优选为100nm以上900nm以下，进一步优选为300nm以上800nm以下。如果在该范围内，则能够使第1绝缘膜41的阻气性特别高，并且能够降低因第1绝缘膜41的厚度D1变得过厚而产生裂纹的可能性。而且，能够使保护层4的上表面充分接近平坦面。

第2绝缘膜42的厚度D2和第4绝缘膜44的厚度D4分别优选为10nm以上100nm以下，更优选为15nm以上90nm以下，进一步优选为20nm以上80nm以下。若厚度D2在该范围内，则能够显着地发挥弥补第1绝缘膜41的缺陷的功能，并且能够抑制第2绝缘膜42的形成时间变得过长。另外，在厚度D4在该范围内的情况下，也能够发挥同样的效果。

第3绝缘膜43的厚度D3和第5绝缘膜45的厚度D5分别优选为200nm以上1000nm以下，更优选为250nm以上800nm以下，进一步优选为200nm以上600nm以下。如果厚度D3在该范围内，则能够使第3绝缘膜43的阻气性特别高，并且能够降低因第3绝缘膜43的厚度D3变得过厚而产生裂纹的可能性。另外，在厚度D5在该范围内的情况下，也能够发挥同样的效果。

另外，第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44以及第5绝缘膜45分别优选例如由具有绝缘性的无机材料构成。通过由无机材料构成各绝缘膜，与由有机材料构成的情况相比，能够实现厚度足够薄的保护层4。另外，通过由无机材料构成各绝缘膜，能够缓和从外部施加给发光部2的机械冲击等。另外，通过由无机材料构成保护层4，与由有机材料构成的情况相比，能够避免保护层4的成分侵入功能层24的可能性。另外，各绝缘膜也可以含有有机材料。

作为第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44和第5绝缘膜45的各材料，例如可举出二氧化硅等氧化硅、氮氧化硅、氮化硅以及氧化铝。

第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自的主体材料优选为氮化硅或氮氧化硅。主体材料是指占构成材料的70％以上的材料。通过使第1绝缘膜41的主体材料为氮化硅或氮氧化硅，与为氧化硅的情况相比，能够提高第1绝缘膜41中的阻气性。另外，与以氧化铝为主体的情况相比，能够简化保护层4的制造。另外，第3绝缘膜43和第5绝缘膜45也同样如此。

第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的主体材料优选为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝。通过使第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的主体材料为这些中的任意一种，与为它们以外的材料的情况相比，能够有效地发挥弥补第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的缺陷的功能。

第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的主体材料更优选为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。由此，与氧化铝相比，能够提高第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的耐水性。

第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的主体材料进一步优选为氮化硅或氮氧化硅。与氧化硅相比，能够更有效地发挥弥补第2绝缘膜42的缺陷的功能。另外，与氧化铝相比，能够简化保护层4的制造。

第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45的主体材料优选彼此相同，第2绝缘膜42和第4绝缘膜44的主体材料优选彼此相同。由此，容易设定制造条件，且容易形成目标密度的绝缘膜。

另外，特别优选第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44以及第5绝缘膜45全部由含有硅和氮的无机材料构成。通过由该无机材料构成，能够减小各绝缘膜彼此的折射率差。由于有机EL装置100是顶部发射型的，所以通过减小折射率差，能够抑制各绝缘膜彼此的界面反射。因此，能够提高光的取出效率。因此，能够抑制有机EL装置100的光学特性下降。另外，在将有机EL装置100用作微型显示器的情况下，能够实现视场角特性的提高。

图6和图7分别是表示透过了图1所示的保护层4的光的光谱的图。在图6和图7中，分别图示出从各子像素PB、PG和PR射出的光的光谱。光谱SB1、SB2和SB3分别表示从子像素PB射出的光的光谱。光谱SG1、SG2和SG3分别表示从子像素PG射出的光的光谱。光谱SR1、SR2和SR3分别表示从子像素PR射出的光的光谱。

图6表示保护层4所具有的所有绝缘膜由彼此相同的材料构成时的光谱。具体而言，在图6中示出了第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44和第5绝缘膜45各自由氮化硅构成时的光谱。在图6所示的例子中，第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自在可见光区域中的折射率为1.84，第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自在可见光区域中的折射率为1.86。因此，低密度膜和高密度膜在可见光区域中的折射率差为0.02。另外，根据成膜方法，即使是相同材料，折射率也会变化。

图7表示保护层4所具有的所有绝缘膜由彼此不同的材料构成时的光谱。具体而言，图7表示保护层4所具有的低密度膜和高密度膜使用彼此不同的材料时的光谱。更具体而言，在图7中示出了第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自由氮化硅构成且第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自由氧化硅构成时的光谱。在图7所示的例子中，第1绝缘膜41、第3绝缘膜43和第5绝缘膜45各自的折射率为1.84，第2绝缘膜42和第4绝缘膜44各自的折射率为1.52。因此，低密度膜与高密度膜的折射率差为0.32。

图6和图7分别图示出对保护层4所具有的各绝缘膜的厚度进行了变更时的光谱。光谱SB1、SG1以及SR1分别是保护层4的各绝缘膜的厚度为规定值时的光谱。光谱SB2、SG2和SR2分别是使各绝缘膜的厚度相对于规定值增加了10％时的光谱。光谱SB3、SG3和SR3分别是使各绝缘膜的厚度相对于规定值减小了10％时的光谱。

如图6所示，在保护层4所具有的所有绝缘膜由彼此相同的材料构成的情况下，即使变更保护层4所具有的各绝缘膜的厚度，光的亮度也不易变化。并且，峰值波长不易偏移。与此相对，如图7所示，在低密度膜和高密度膜由彼此不同的材料构成的情况下，如果变更保护层4所具有的各绝缘膜的厚度，则光的亮度容易变化。而且，峰值波长容易偏移。这样，通过使保护层4所具有的所有绝缘膜由彼此相同的材料构成，即使变更保护层4的总膜厚，也能够抑制光学特性的变化。因此，通过使保护层4所具有的所有绝缘膜由彼此相同的材料构成，即使通过增大保护层4的总膜厚来提高保护层4的密封性能，也能够抑制有机EL装置100的光学特性变化。另外，通过使保护层4所具有的所有绝缘膜由彼此相同的材料构成，能够抑制多个有机EL装置100彼此的亮度不均和颜色偏差。

另外，在保护层4所具有的各绝缘膜中，也可以在不使各绝缘膜的功能下降的程度内含有上述材料以外的其他材料。另外，保护层4并不限定于具有第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44和第5绝缘膜45的结构，也可以在不使各绝缘膜的功能下降的程度内还具有这些以外的要素。

图3所示的滤色器6选择性地使规定波长区域的光透过。通过具有滤色器6，与不具有滤色器6的情况相比，能够提高从有机EL装置100射出的光的色纯度。滤色器6例如由含有着色材料的丙烯酸系的感光性树脂材料等树脂材料构成。选择性地使光透过的规定的波长区域包含由光学距离L0确定的峰值波长λ0。

滤色器6具有使蓝色波长区域的光透过的着色部61B、使绿色波长区域的光透过的着色部61G、以及使红色波长区域的光透过的着色部61R。另外，着色部61B遮挡绿色波长区域的光和红色波长区域的光，着色部61G遮挡蓝色波长区域的光和红色波长区域的光，着色部61R遮挡蓝色波长区域的光和绿色波长区域的光。另外，虽然未图示，但着色部61B在平面观察时与对应的像素电极23B重叠，着色部61G在平面观察时与对应的像素电极23G重叠，着色部61R在平面观察时与对应的像素电极23R重叠。

图3所示的透光性基板7是保护滤色器6和有机EL元件20等的罩。透光性基板7具有透光性，例如由玻璃基板或石英基板构成。另外，作为粘接层70的材料，例如可以举出环氧树脂和丙烯酸树脂等透明的树脂材料。另外，在省略滤色器6的情况下，也可以在保护层4上直接粘接透光性基板7。

1A-2.有机EL装置100的制造方法

图8是第1实施方式中的有机EL装置100的制造方法的流程。如图8所示，有机EL装置100的制造方法具有发光部形成工序S11、保护层形成工序S12、滤色器形成工序S13、透光性基板粘接工序S14。

在发光部形成工序S11中，形成上述基板10、反射层21、绝缘层22和多个有机EL元件20。基板10、反射层21、绝缘层22和多个有机EL元件20通过公知的技术制造。另外例如，通过光刻技术对采用溅射法或蒸镀法形成的金属膜进行构图，由此形成反射层21。绝缘层22例如通过CVD法和蚀刻法形成。并且例如，多个像素电极23通过与前述的反射层21的形成方法同样的方法形成。功能层24具有的各层例如通过蒸镀法形成。公共电极25与功能层24同样，例如通过蒸镀法形成。

图9、图10和图11分别是用于说明保护层形成工序S12的图。保护层形成工序S12具有第1绝缘膜形成工序、第2绝缘膜形成工序、第3绝缘膜形成工序、第4绝缘膜形成工序和第5绝缘膜形成工序。

具体而言，在第1绝缘膜形成工序中，如图9所示，通过使用了等离子体的CVD法在发光部2上形成第1绝缘膜41。通过使用CVD法，与使用ALD法的情况相比，容易形成低密度的膜。因此，能够通过第1绝缘膜41缓和发光部2的上表面的凹凸。另外，通过使用CVD法，与使用ALD法的情况相比，能够加快成膜速度，因此能够缩短第1绝缘膜41的成膜时间。另外，通过在CVD法中使用等离子体，与不使用的情况相比，能够以更低的温度进行成膜。因此，能够减小第1绝缘膜41的应力。

接着，在第2绝缘膜形成工序中，如图10所示，通过使用了等离子体的ALD法在第1绝缘膜41上形成第2绝缘膜42。通过使用ALD法，与使用CVD法的情况相比，容易形成高密度的膜。因此，即使在第1绝缘膜41中产生缺陷，也能够通过第2绝缘膜42弥补该缺陷。另外，通过在该ALD法中使用等离子体，与不使用的情况相比，能够以更低的温度进行成膜。因此，能够减小第2绝缘膜42的应力。

接着，用与第1绝缘膜形成工序同样的方法进行第3绝缘膜形成工序。因此，在第2绝缘膜42上形成第3绝缘膜43。但是，第3绝缘膜43的成膜条件与第1绝缘膜41的成膜条件不同。具体而言，设定第3绝缘膜43的成膜条件，使得第3绝缘膜43的密度比第1绝缘膜41的密度高。接着，用与第2绝缘膜形成工序同样的方法进行第4绝缘膜形成工序。因此，在第3绝缘膜43上形成第4绝缘膜44。接着，用与第1绝缘膜形成工序同样的方法进行第5绝缘膜形成工序。因此，在第4绝缘膜44上形成第5绝缘膜45。但是，第5绝缘膜45的成膜条件与第1绝缘膜41的成膜条件不同。具体而言，设定第5绝缘膜45的成膜条件，使得第5绝缘膜45的密度比第1绝缘膜41的密度高。通过以上工序，得到图11所示的保护层4。

另外例如，在形成第5绝缘膜45之后，为了使图1所示的多个外部端子104露出，也可以蚀刻保护层4的一部分。

保护层4所具有的各绝缘膜的主体材料是含有硅的无机材料，由此与以氧化铝为主体的情况相比，能够高效且高精度地进行该蚀刻。进而，能够提高耐水性。因此，即使在后述的滤色器形成工序S13中使用碱性显影液，也可以抑制保护层4溶解的可能性。另外，即使在各工序中进行水洗处理等，也可以抑制保护层4被溶解。

图12和图13分别是用于说明滤色器形成工序S13的图。首先，如图12所示，例如形成着色部61G。具体而言，首先，通过旋涂法在保护层4上涂覆含有绿色着色材料的感光性树脂并使其干燥，由此形成绿色树脂层。然后，通过对绿色树脂层中的形成着色部61G的部分进行曝光，利用碱显影液等去除该树脂层的未曝光的部分。然后，通过使绿色的树脂层固化，形成着色部61G。接着，与着色部61G的形成同样地，形成着色部61B，然后，形成着色部61R。其结果，如图13所示，得到滤色器6。

另外，着色部61G、61B以及61R的形成顺序不限于上述顺序。并且例如，也可以在形成滤色器6之后，蚀刻保护层4的一部分。在这种情况下，滤色器6可以用作蚀刻掩模。

虽然未图示，但是在透光性基板粘接工序S14中，在滤色器6上涂敷透明的树脂材料，然后，在所涂敷的树脂材料上配置由玻璃基板等构成的透光性基板7并按压。此时，例如，在该树脂材料为感光性树脂的情况下，光穿过透光性基板7照射到该树脂材料。由此，该感光性树脂固化。通过该固化，得到由树脂材料的固化物构成的粘接层70。另外，通过粘接层70将透光性基板7粘接在滤色器6上。

另外，也可以通过将透光性基板7用作蚀刻掩模，对保护层4的一部分进行蚀刻。

通过以上工序，制造出有机EL装置100。利用以上的方法，能够简单且迅速地形成有机EL装置100。此外，通过适当地使用ALD法和CVD法，能够简单且高精度地形成密封性能优异的保护层4。

1B.第2实施方式

对第2实施方式进行说明。另外，在以下的各例示中，对于功能与第1实施方式相同的要素，沿用在第1实施方式的说明中使用的标号，适当省略各要素的详细说明。

图14是表示第2实施方式中的有机EL装置100A的一部分的剖视图。图14所示的有机EL装置100A所具有的保护层4A除了第1绝缘膜41、第2绝缘膜42、第3绝缘膜43、第4绝缘膜44和第5绝缘膜45以外，还具有第6绝缘膜46和第7绝缘膜47。除了还具有第6绝缘膜46和第7绝缘膜47以外，保护层4A与第1实施方式中的保护层4相同。

如图14所示，第6绝缘膜46配置在第5绝缘膜45上。第6绝缘膜46例如通过使用了等离子体的CVD法形成。第7绝缘膜47配置在第6绝缘膜46上。第7绝缘膜47例如通过使用了等离子体的ALD法形成。第6绝缘膜46是与第4绝缘膜44相同的膜，第7绝缘膜47是与第5绝缘膜45相同的膜。第6绝缘膜46对可能在第5绝缘膜45和第7绝缘膜47中产生的缺陷进行弥补，并且阻止缺陷的发展。另外，通过具有第7绝缘膜47，能够提高保护层4A的平坦性。

第6绝缘膜46的密度例如与第4绝缘膜44的密度相等。另外，第6绝缘膜的密度可以比第4绝缘膜44的密度高，也可以比第4绝缘膜44的密度低。另外，第7绝缘膜47的密度可以小于第5绝缘膜45的密度，但优选为第5绝缘膜45的密度以上。通过提高保护层4A中的位于最外层的第7绝缘膜47的密度，能够更有效地发挥从外部保护多个有机EL元件20的功能。

此外，在图示的例子中，第6绝缘膜46的厚度D6与第4绝缘膜44的厚度D4相等，并且第7绝缘膜47的厚度D7与第5绝缘膜45的厚度D5相等。另外，厚度D7可以比厚度D5薄，也可以比厚度D5厚。同样，厚度D6可以比厚度D4薄，也可以比厚度D4厚。

保护层4A所具有的所有膜的主体材料优选彼此相同。由此，抑制了有机EL装置100A的光学特性的变化。另外，通过使保护层4A所具有的各绝缘膜由彼此相同的材料构成，能够抑制多个有机EL装置100A中的光学特性的偏差。

另外，保护层4A具有3组低密度膜和高密度膜的组。因此，与低密度膜和高密度膜的组为两组的情况相比，能够提高保护层4A的密封性能。另外，该组越增多，越能够提高保护层4A的密封性能。但是，该组越增多，施加于保护层4A的应力越容易增大，越容易产生裂纹等缺陷。因此，低密度膜和高密度膜的组的数量优选为1以上3以下，特别优选为2。

根据以上的第2实施方式的保护层4A，也与第1实施方式的保护层4同样，能够发挥优异的密封性能。

1C.变形例

以上例示的各方式能够进行多种变形。以下例示可应用于上述各方式的具体变形方式。从以下的例示中任意选择的2个以上的方式可以在相互不矛盾的范围内适当合并。另外，以下所示的第1实施方式的各变形方式在相互不矛盾的范围内可适当应用于第2实施方式。

在第1实施方式中，有机EL元件20具备按颜色具有不同的谐振波长的光谐振结构，但也可以不具备光谐振结构。另外，发光部2例如也可以具有按每个有机EL元件20分隔功能层24的分隔壁。另外，有机EL元件20也可以按每种颜色含有不同的发光材料。另外，像素电极23也可以具有光反射性。在这种情况下，可以省略反射层21。另外，在多个有机EL元件20中公共电极25是公共的，但也可以对每个有机EL元件20设置单独的阴极。另外，在第1实施方式中，光谐振器29包含有机EL元件20，但“光谐振器”和“有机EL元件”也可以不包含共同的要素。

在第1实施方式中，滤色器6的着色部61彼此相互接触地配置，但也可以在滤色器6的着色部61彼此之间夹设有所谓的黑矩阵。例如，为了防止相邻的着色部61彼此的混色，也可以在着色部61彼此之间配置黑矩阵。

在第1实施方式中，第3绝缘膜43的厚度D3和厚度D5分别比第1绝缘膜41的厚度D1薄，但是厚度D1、D3和D5的关系并不限定于此。图15、图16和图17分别是表示变形例中的有机EL装置100的一部分的剖视图。如图15所示，厚度D1可以分别比厚度D3和D5薄。在这种情况下，特别能够提高保护层4的密封性能。另外，如图16所示，厚度D5也可以分别比厚度D1和D3厚。另外，如图17所示，厚度D3也可以分别比厚度D1和D5厚。此外，虽然未图示，但厚度D1、D3和D5可以彼此相等。另外，厚度D1、D3和D5也可以满足D1>D3>D5的关系。此外，厚度D1、D3和D5还可以满足D1<D3<D5的关系。

在第1实施方式中，第3绝缘膜43的密度在第5绝缘膜45的密度以下，但也可以比第5绝缘膜45的密度高。

另外，“有机EL装置”不限于显示全彩色图像的装置，也可以是仅显示单色图像的装置。例如，“有机EL装置”可以是显示由绿色表现的图像的装置、或者显示由橙色表现的图像的装置。

2.电子设备

上述实施方式的有机EL装置100能够应用于各种电子设备。

2-1.头戴式显示器

图18是示意地表示作为电子设备的一例的虚像显示装置700的一部分的平面图。图18所示的虚像显示装置700是佩戴于观察者的头部以进行图像显示的头戴式显示器(HMD)。虚像显示装置700具有前述的有机EL装置100、准直器71、导光体72、第1反射型体积全息元件73、第2反射型体积全息元件74和控制部79。另外，从有机EL装置100射出的光作为影像光LL射出。另外，也可以代替有机EL装置100而使用有机EL装置100A。

控制部79例如包含处理器以及存储器，对有机EL装置100的动作进行控制。准直器71配置在有机EL装置100与导光体72之间。准直器71使从有机EL装置100射出的光成为平行光。准直器71由准直透镜等构成。由准直器71转换为平行光的光入射到导光体72。

导光体72呈平板状，在与经由准直器71入射的光的方向交叉的方向上延伸配置。导光体72在其内部反射光并进行导光。在导光体72的与准直器71相对的面721上，设置有光入射的光入射口和射出光的光射出口。在导光体72的与面721相反侧的面722上，配置有作为衍射光学元件的第1反射型体积全息元件73以及作为衍射光学元件的第2反射型体积全息元件74。第2反射型体积全息元件74设置在比第1反射型体积全息元件73更靠近光射出口侧。第1反射型体积全息元件73以及第2反射型体积全息元件74具有与规定的波长区域对应的干涉条纹，使规定的波长区域的光衍射反射。

在该结构的虚像显示装置700中，从光入射口入射到导光体72内的图像光LL反复反射而行进，并从光射出口被引导至观察者的瞳孔EY，由此观察者能够观察由图像光LL形成的虚像所构成的图像。

这里，虚像显示装置700具有上述有机EL装置100。上述有机EL装置100的密封性能优异，质量良好。因此，通过具备有机EL装置100，能够提供显示质量高的虚像显示装置700。

另外，虚像显示装置700也可以具有对从有机EL装置100射出的光进行合成的分色棱镜等合成元件。此时，虚像显示装置700例如可具有射出蓝色波长区域的光的有机EL装置100、射出绿色波长区域的光的有机EL装置100以及射出红色波长区域的光的有机EL装置100。

2-2.个人计算机

图19是表示作为本发明的电子设备的一例的个人计算机400的立体图。图19所示的个人计算机400具备有机EL装置100、设置有电源开关401和键盘402的主体部403、以及控制部409。控制部409例如包含处理器以及存储器，对有机EL装置100的动作进行控制。个人计算机400由于具有上述的有机EL装置100，所以质量优异。另外，也可以代替有机EL装置100而使用有机EL装置100A。

另外，作为具备有机EL装置100的“电子设备”，除了图18所例示的虚像显示装置700和图19所例示的个人计算机400以外，还可以列举数字望远镜、数字双筒望远镜、数字照相机、摄像机等靠近眼睛配置的设备。另外，具备有机EL装置100的“电子设备”可应用为便携电话机、智能手机、PDA(Personal Digital Assistants：个人数字助理)、汽车导航装置以及车载用的显示部。进而，具备有机EL装置100的“电子设备”可作为照射光的照明来应用。

以上，基于图示的实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不限定于此。此外，本发明的各部分的结构能够置换为发挥与上述实施方式相同功能的任意结构，此外，还能够附加任意结构。此外，本发明也可以使上述各实施方式的任意结构彼此组合。

Claims (16)

1.一种有机电致发光装置，其特征在于，具有：

有机电致发光元件；以及

保护层，其保护所述有机电致发光元件，

所述保护层具有第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜和第5绝缘膜，

在远离所述有机电致发光元件的方向上，按照所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜的顺序进行配置，

所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自包含无机材料，

所述第1绝缘膜的密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中，

所述第2绝缘膜的密度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高，

所述第4绝缘膜的密度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中，

所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自所包含的主体的材料彼此相同。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中，

所述第1绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度厚。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光装置，其中，

所述第2绝缘膜的厚度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄，

所述第4绝缘膜的厚度比所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光装置，其中，

所述第2绝缘膜和所述第4绝缘膜各自所包含的主体的材料是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光装置，其中，

所述第1绝缘膜、所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自所包含的主体的材料是氮化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其中，

所述第3绝缘膜的密度在所述第5绝缘膜的密度以下。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光装置，其中，

所述第3绝缘膜的厚度在所述第5绝缘膜的厚度以下。

10.一种有机电致发光装置，其特征在于，具有：

基板；

发光层；以及

保护层，其相对于所述发光层配置在与所述基板相反的一侧，保护所述发光层，

所述保护层具有：

第5绝缘膜；

第4绝缘膜，其配置在所述发光层和所述第5绝缘膜之间，密度比所述第5绝缘膜的密度高；

第3绝缘膜，其配置在所述发光层和所述第4绝缘膜之间，密度比所述第4绝缘膜的密度低；

第2绝缘膜，其配置在所述发光层和所述第3绝缘膜之间，密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度高；以及

第1绝缘膜，其配置在所述发光层和所述第2绝缘膜之间，密度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的密度低。

11.根据权利要求10所述的有机电致发光装置，其特征在于，

所述第1绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度厚。

12.根据权利要求11所述的有机电致发光装置，其特征在于，

所述第2绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄，

所述第4绝缘膜的厚度比所述第3绝缘膜和所述第5绝缘膜各自的厚度薄。

13.根据权利要求12所述的有机电致发光装置，其特征在于，

所述第1绝缘膜、所述第2绝缘膜、所述第3绝缘膜、所述第4绝缘膜和所述第5绝缘膜各自所包含的主体的材料相同。

14.根据权利要求13所述的有机电致发光装置，其特征在于，

所述第3绝缘膜的密度在所述第5绝缘膜的密度以下。

15.根据权利要求14所述的有机电致发光装置，其特征在于，

所述第3绝缘膜的厚度在所述第5绝缘膜的厚度以下。

16.一种电子设备，其特征在于，具有：

权利要求1至15中的任意一项所述的有机电致发光装置；以及

控制部，其对所述有机电致发光装置的动作进行控制。

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