CN113078199A - 显示基板、显示基板的制备方法及显示模组 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种显示基板、显示基板的制备方法及显示模组。显示基板具有呈阵列分布的多个子像素，显示基板包括：基底、驱动器件、发光器件层及光通量增益结构。光通量增益结构，至少设置于部分子像素电路区域，在显示基板厚度方向上，光通量增益结构由透明衬底层向发光器件层背向驱动器件层的一侧延伸，在子像素电路区域内，光通量增益结构在透明衬底层的正投影与多个功能层在透明衬底层的正投影位错分布，且光通量增益结构在透明衬底层的正投影与第一电极层在透明衬底层的正投影位错分布。从外部环境入射显示基板的光经由光通量增益结构从显示基板与出光侧相背的背侧出射显示基板，提高了显示基板的显示区的光透过率。

Description

显示基板、显示基板的制备方法及显示模组

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板、显示基板的制备方法及显示模组。

背景技术

具有有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示基板因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品。

然而，一般的显示基板的显示区的光透过率低，不能满足对应显示区设置的屏下感光模组对光透过率的要求，影响屏下感光模组的感光过程以及质量，进而影响屏下感光模组的应用性能。

因此，急需一种显示基板、显示基板的制备方法及显示模组。

发明内容

本申请实施例的第一方面提供一种显示基板，具有呈阵列分布的多个发光组件，显示基板包括：

基底，包括透明衬底层；

驱动器件层，设置于基底的一侧，驱动器件层包括呈行列分布的多条信号线，行信号线和列信号线交叉界定出多个子像素电路区域，各子像素电路区域设置有像素电路，像素电路包括通过层间绝缘层相互绝缘设置的多个功能层；

发光器件层，设置于驱动器件层背向基底的一侧，发光器件层包括多个呈阵列分布的子像素，各子像素与各像素电路对应连接构成发光组件；子像素包括层叠设置的第一电极层、发光层和第二电极层；

光通量增益结构，至少设置于部分子像素电路区域，在显示基板厚度方向上，光通量增益结构由透明衬底层向发光器件层背向驱动器件层的一侧延伸，在子像素电路区域内，光通量增益结构在透明衬底层的正投影与多个功能层在透明衬底层的正投影位错分布，且光通量增益结构在透明衬底层的正投影与第一电极层在透明衬底层的正投影位错分布。

通过在子像素电路区域内设置光通量增益结构，从外部环境入射显示基板的光经由光通量增益结构从显示基板与出光侧相背的背侧出射显示基板，避免了显示基板中绝缘层对光线传播的阻碍，提高了显示基板分布有发光组件的显示区的光透过率，提高设置于显示基板的背侧的屏下感光模组的感光过程以及感光质量，进而优化屏下感光模组的应用性能。

本申请实施例的第二方面提供一种显示基板的制备方法，包括：

提供一种阵列基板母板，阵列基板母板包括层叠设置的透明衬底层及驱动器件层，驱动器件层包括呈行列分布的多条信号线，行信号线和列信号线交叉界定出多个子像素电路区域，对应各子像素电路区域设置有像素电路，像素电路包括通过层间绝缘层相互绝缘设置的多个功能层；

对阵列基板母板图案化处理，以在多个子像素电路区域中的至少部分子像素电路区域形成孔，孔至少贯穿至透明衬底层与驱动器件层相邻的表面；

采用透光材料对孔进行填充处理，以形成光通量增益结构。

采用本申请实施例的第二方面提供的显示基板的制备方法获得的显示基板的显示区具有较大的透光率，利于与显示基板的显示区对应设置的屏下感光模组的实际应用。

本申请实施例的第三方面提供一种显示模组，显示模组包括：本申请实施例第一方面中的显示基板，显示基板具有出光侧以及与所述出光侧相背的背侧；屏下功能模组，设置于显示基板的背侧，且对应具有光通量增益结构的子像素区域设置。

本申请实施例的第三方面提供的显示模组中显示基板的子像素电路区域具有光通量增益结构，增大了显示基板显示区的透光率，提高屏下功能模组的感光质量，利于屏下功能模组的实际应用。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是本申请实施例中一种显示基板的俯视示意图；

图2是图1中部分显示区域的部分结构简化示意图；

图3是本申请提供的显示基板一实施例中发光器件层的俯视图；

图4是本申请提供的显示基板一实施例中显示基板部分层结构的示意图；

图5是本申请提供的显示基板另一实施例中显示基板部分层结构的示意图；

图6是本申请提供的显示基板还一实施例中显示基板部分层结构的示意图；

图7是本申请提供的显示基板又一实施例中发光元件的像素电路在不同功能层中的部分结构、第一电极层及光通量增益结构的俯视示意图；

图8是图7的局部放大图；

图9是本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法流程图。

图中：

显示基板-1；显示区-AA；孔区-H；部分显示区域-AA1；子像素电路区域-B；第一子像素电路区域-B1；

基底-11；透明衬底-111；缓冲层-112；

驱动器件层-12；半导体层-121；源区-S；沟道区-W；漏区-D；第一层间绝缘层-121a；第一金属层-122；第二层间绝缘层-122a；第二金属层-123；第三层间绝缘层-123a；第四层间绝缘层-123b；第三金属层-124；

行信号线-12x；列信号线-12y；像素电路-12a；

平坦化层-13；

子像素-14；第一子像素14a；第一电极层-141；发光层-142；第二电极层-143；

像素定义层-15；

光通量增益结构-16；第一介质单元-161；第二介质单元-162。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

发明人在深入研究中发现，显示领域中随着显示基板的像素密度逐步提高，仅靠优化显示基板中驱动器件层的版图布局和/或是缩小驱动器件层中的导电结构的线宽及线距难以进一步的提高显示基板的透光率。随着像素密度的提高，显示基板的显示区整体的透光率逐渐下降，影响设置于显示基板与出光侧相背的背侧且与显示区对应设置的屏下感光模组的感光过程以及实际应用性能。

鉴于对于上述技术问题的发现以及分析，提出本申请。

本申请实施例第一方面提供一种显示基板，具有呈阵列分布的多个发光组件。显示基板包括基底、驱动器件层、发光器件层及光通量增益结构。基底包括透明衬底层。驱动器件层设置于基底的一侧，驱动器件层包括呈行列分布的多条信号线，行信号线和列信号线交叉界定出多个子像素电路区域，各子像素电路区域设置有像素电路，像素电路包括通过层间绝缘层相互绝缘设置的多个功能层。发光器件层设置于驱动器件层背向基底的一侧，发光器件层包括多个呈阵列分布的子像素，各子像素与各像素电路对应连接构成发光组件。子像素包括层叠设置的第一电极层、发光层和第二电极层。光通量增益结构至少设置于部分子像素电路区域。在显示基板厚度方向上，光通量增益结构由透明衬底层向发光器件层背向驱动器件层的一侧延伸。在子像素电路区域内，光通量增益结构在透明衬底层的正投影与多个功能层在透明衬底层的正投影位错分布，且光通量增益结构在透明衬底层的正投影与第一电极层在透明衬底层的正投影位错分布。

本申请实施例第一方面提供的显示基板，在显示基板的子像素电路区域中设置由透明衬底层向发光器件层背向驱动器件层一侧延伸的光通量增益结构。在不影响驱动器件层的版图设计以及子像素第一电极层位置布局的前体下，提高显示基板的整体透光率，尤其是提高显示基板的显示区的透光率，利于集成设置在显示基板与显示侧相背的背侧的屏下感光模组(例如是指纹识别模组)的感光质量以及感光过程，利于提高屏下感光模组实际应用性能。

本申请实施例第一方面提供一种显示基板，本申请实施例的显示面板可以各种形式呈现，以下将描述其中一些实施例。

如图1所示，在一些可选的实施例中，显示基板1包括显示区AA和孔区H。孔区H包括用于设置摄像头的孔，部分显示区域AA1对应指纹识别模组设置。

显示基板具有呈阵列分布的多个发光组件。在一些示例，显示基板具有发光颜色不同的多种发光组件，例如，显示基板包括蓝色发光组件、绿色发光组件以及红色发光组件。显示基板包括基底、驱动器件层、发光器件层以及光通量增益结构。

基底包括透明衬底层。在一些示例中，显示基板为硬性显示基板，透明衬底层采用玻璃、硬性透光塑料等透明材料制成。在另一些示例中，显示基板为柔性显示基板，透明衬底层采用有机聚合物制成，有机聚合物例如是透明聚酰亚胺材料。

图2是图1中部分显示区域AA1的部分结构简化示意图。图2中简要的示意出了显示基板中的行信号线12x、列信号线12y、像素电路12a以及子像素14相互间的位置关系。简化了驱动器件层中像素电路12a的细化结构，略去了发光器件层与驱动器件层之间的层结构。

如图2所示，驱动器件层设置于基底的一侧，驱动器件层包括呈行列分布的多条信号线，行信号线12x和列信号线12y交叉界定出多个子像素电路区域B，各子像素电路区域B设置有像素电路12a，像素电路12a包括通过层间绝缘层相互绝缘设置的多个功能层。发光器件层设置于驱动器件层背向基底的一侧，发光器件层包括多个呈阵列分布的子像素14，各子像素14与各像素电路12a对应连接构成发光组件。子像素包括层叠设置的第一电极层、发光层和第二电极层。

可以理解的是，驱动器件层中具有多种信号线，例如是参考电压线(Vref)、电源电压线(ELvdd)、扫描线(scan)及数据线(data)等。需要说明的是图2中简要的示出行信号线12x以及列信号线12y交叉界定出多个子像素电路区域B，不应理解为对行信号线12x以及列信号线12y的种类、布线的位置及布线方式的限定。

各子像素14与各像素电路12a对应连接构成发光组件，像素电路12a驱动与其对应连接的子像素14进行发光。在一些示例中，如图2所示第一子像素电路区域B1中设置有像素电路12a。第一子像素电路区域B1中的像素电路12a与第一子像素14a对应连接，构成第一发光组件。本文中的发光组件包括子像素14以及与该子像素14对应的子像素电路区域B中的像素电路12a，显示基板的发光组件在接收外界供电时可进行独立发光显色。

本文中，像素电路12a指用于驱动对应子像素14发光的电路结构的集合，其可以包括配置为预设连接关系的晶体管和电容。子像素14的第一电极层及第二电极层中一个为阳极层，另外一个为阴极层。以下的实施例中以设置于发光层朝向驱动器件层一侧的第一电极层为阳极层，以设置于发光层背向驱动器件层一侧的第二电极层为阴极层进行举例说明。在一些示例中，在发光层与第一电极层之间层叠设置有补偿层、空穴传输层及空穴注入层。发光层与第二电极层之间层叠设置有空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层。

光通量增益结构16至少设置于部分子像素电路区域B，在显示基板厚度方向上，光通量增益结构由透明衬底层向发光器件层背向驱动器件层的一侧延伸，在子像素电路区域B内，光通量增益结构16在透明衬底层的正投影与多个功能层在透明衬底层的正投影位错分布，且光通量增益结构16在透明衬底层的正投影与第一电极层在透明衬底层的正投影位错分布。在这些实施例中，光通量增益结构16至少设置于部分子像素电路区域，由透明衬底层向发光器件层背向驱动器件层一侧延伸，并贯穿位于透明衬底层朝向驱动器件层一侧至发光器件层背向驱动器件层一侧之间的至少部分绝缘膜层。绝缘膜层包括设置于像素电路12a的功能层之间的层间绝缘层、基底中设置于透明衬底层与驱动器件层之间的缓冲层、设置于驱动器件层背向透明衬底层一侧的平坦化层以及像素限定层。

在一些可选的实施例中，对应光通量增益结构16的区域、入射至透明衬底层的光线经由光通量增益结构16从发光器件层出光面出射。可以理解的是，光通量增益结构16对应的区域作为显示基板新的光通路区域。沿显示基板厚度方向上、光线经由光通量增益结构16在显示基板内部传播时，不受多个层叠设置的绝缘膜层反射以及折射的影响，在光损失较少以及光传播路径基本不改变的情况下出射显示基板，

在一些示例中，指纹识别模组设置在显示基板与显示侧相背的背侧，用户将手指按压到显示屏上时指纹识别模组工作，由显示屏发出强光“照亮”指纹，光线在手指与显示屏接触的界面发生反射形成反射光。更多的反射光透过光通量增益结构16从显示基板的背侧出射，再入射到指纹识别模组中的摄像头，由于光通量增透结构的设置增大反射光在显示基板的透过率，使得摄像头拍摄指纹反射的图案更清楚，提高了指纹识别的效率以及精度。

如图3及图4所示，在一些可选的实施例中，发光器件层还包括设置于驱动器件层背向基底11一侧的像素定义层15，像素定义层15包括多个像素开口，子像素14位于像素开口，像素定义层15在透明衬底层的正投影覆盖光通量增益结构16在透明衬底层的正投影。图3中用不同的剖面线示意不同颜色的子像素14。在一些示例中，发光器件层包括蓝色子像素14、绿色子像素14及红色子像素14。

如图4所示，在一些实施例中，显示基板的基底11包括透明衬底层111以及基底11中设置于透明衬底层111与驱动器件层12之间的缓冲层112。在一些示例中，缓冲层112具有多个层叠设置的缓冲子层，缓冲子层由SiOx材料和SiNx材料中的至少一者形成。驱动器件层12设置于缓冲层112背向透明衬底层111的一侧。功能层包括半导体层121、第一金属层122、第二金属层123及第三金属层124。

半导体层121设置于缓冲层112背向透光基底11的一侧。半导体层121包括多个有源结构，有源结构包括在与显示基板厚度方向相垂直的平面共面设置的源区S、漏区D及沟道区W。源区S及漏区D为导体化区，沟道区W为半导体化区，有源结构在源区S及漏区D的部分的电导率大于有源结构在沟道区W的部分的电导率。半导体层121可以是硅半导体层121，例如是多晶硅(polycrystalline silicon，p-Si)层，在本实施例中，半导体层121为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)层。半导体层121不限于是上述示例的材料，也可以是诸如单晶硅的其它硅半导体层121，还可以是诸如铟镓锌氧化物(indium galliumzinc oxide，IGZO)的氧化物半导体层121。

第一金属层122设置于半导体层121背向缓冲层112的一侧且通过第一层间绝缘层121a与半导体层121绝缘设置。在一些示例中，第一金属层122包括栅极、栅极走线等导电结构。第二金属层123设置于第一金属层122背向缓冲层112的一侧且通过第二层间绝缘层122a与第一金属层122绝缘设置。第二金属层123包括电容、与源漏极的连接线以及信号线等导电结构。第三金属层124设置于第二金属层123背向缓冲层112的一侧，且通过层叠设置的第三层间绝缘层123a和第四层间绝缘层123b与第二金属层123绝缘设置。且，第三金属层124通过贯穿第一层间绝缘层121a至第四层间绝缘层123b的第一过孔与源极和漏极连接。第三金属层124通过贯穿第二层间绝缘层122a至第四层间绝缘层123b的第二过孔与第一金属层122中的至少部分导电结构连接。第三金属层124通过贯穿第三层间绝缘层123a及第四层间绝缘层123b的第三过孔与第二金属层123中的至少部分导电结构连接。

在这些实施例中，光通量增益结构16至少在部分子像素电路区域由透明衬底层111向发光器件层背向驱动器件层12一侧延伸。且在显示基板的厚度方向上，至少贯穿缓冲层112、平坦化层13以及缓冲层112至平坦化层13之间的层间绝缘层。在子像素电路区域内，光通量增益结构16在透明衬底层111的正投影与多个功能层在透明衬底层111的正投影错位分布，且光通量增益结构16在透明衬底层111的正投影与第一电极层141在透明衬底层111的正投影错位分布。在一些示例中，发光器件层包括具有多个像素开口的像素定义层15，像素定义层15设置在驱动器件层12背向基底11一侧。具有层叠设置的第一电极层141、发光层142以及第二电极层143的子像素14位于对应的像素开口。显示基板还包括设置于发光器件层与驱动器件层12之间的平坦化层13，平坦化层13设置于像素限定义层15朝向驱动器件层的一侧，且具有多个第一开口，第一电极层141通过第一开口与像素电路连接。

还请参照图4，在一些可选的实施例中，光通量增益结构16由形成像素定义层15的透光有机材料构成。在这些实施例中，像素定义层15采用透光的有机胶构成，光通量增益结构16也采用透光的有机胶构成。

作为上述实施例的拓展实施例，光通量增益结构16背向透明衬底层111的一端与像素定义层15背向驱动器件层12的一端平齐设置。在这些实施例中，制作像素定义层15前可以在光通量增益结构16对应的的区域形成至少贯穿至透明衬底层111与驱动器件层12相邻的表面的孔，在制作像素定义层15时采用透光的有机胶对孔进行填充，并形成预制像素定义层，预制像素定义层在透明衬底的正投影覆盖透明衬底，对预制像素定义层15进行图案化处理形成像素定义层15。在一些示例中，光通量增益结构16背向透明衬底111的一侧与像素定义层15邻接。

如图5所示，在一些可选的实施例中，显示基板还包括设置于发光器件层与驱动器件层12之间的平坦化层13，平坦化层13设置于像素限定层朝向驱动器件层12的一侧，且具有多个第一开口，第一电极层141通过第一开口与像素电路连接。光通量增益结构16包括层叠设置的第一介质单元161和设置于第一介质单元161背向透明衬底层111一侧的第二介质单元162，第一介质单元161由形成平坦化层13的透光有机材料构成，第二介质单元162由形成像素定义层15的透光有机材料构成。在这些实施例中，平坦化层13与像素定义层15均采用透光的有机胶形成。

作为上述实施例的拓展实施例，第二介质单元162背向透明衬底层111的一端与像素定义层15背向驱动器件层12的一端平齐设置。在一些示例中，光通量增益结构16的第二介质单元162背向透明衬底的一侧与像素定义层15邻接。在这些实施例中，制作显示基板时，可以在提供的阵列基板母板上于光通量增益结构16对应的的区域形成至少贯穿至透明衬底层111与驱动器件层12相邻的表面的孔，在制作平坦化层13时，采用第一透光有机胶对孔进行部分填充形成第一介质单元161，并采用第一透光有机胶形成预制平坦化层，预制平坦化层在透明衬底的正投影覆盖透明衬底。对预制平坦化层13进行图案化处理形成平坦化层13。在制作像素定义层15时，再在形成有平坦化层13的阵列基板母板上，将第二透光有机胶对上述孔未被填充的部分继续进行填充形成第二介质单元162，并采用第二透光有机胶在平坦化层13背向透明衬底111的一侧制作预制像素定义层。对预制像素定义层进行图案化处理形成像素定义层15。预制像素定义层在透明衬底上的正投影覆盖透明衬底。

如图6所示，在一些可选的实施例中，光通量增益结构16由透明衬底层111延伸至像素定义层15背向驱动器件层12的一端，光通量增益结构16采用透光有机材料构成。在这些实施例中，像素定义层15采用不透光或者是透光率较低的材料制成。可以进一步防止子像素14对相邻的子像素14的发光显色的干扰，避免混色，进一步提高发光显示的效果。而光通量增益结构16采用透光有机材料制成，提高显示基板在光通量增益结构16对应的区域的透光率，从而利于屏下的感光模组的应用。

在一些可选的实施例中，在显示基板的厚度方向上、光通量增益结构的厚度取值范围为6.5μm～7.0μm。可以理解的是，在显示基板的厚度方向上、光通量增益结构的厚度可以从光通量增益结构朝向透明衬底的一端至光通量增益结构背向透明衬底的一端进行度量得到。在这些实施例中，光通量增益结构采用透光的有机材料形成，且在显示基板的厚度方向上、光通量增益结构的厚度大于或等于显示基板中驱动器件层的厚度。一方面可以起到应力吸收作用，防止驱动器件层的因应力作用变形或开裂，另一方面，可以提升本申请实施例显示基板的生产效率。

如图7以及图8所示，像素电路中的功能层包括半导体层121、第一金属层122、第二金属层123及第三金属层124。在一些可选的实施例中，光通量增益结构16在透明衬底层的正投影的边界线到多个功能层在透明衬底层的正投影的边界线之间最短距离D1的取值范围为D1≥1.5μm；且光通量增益结构16在透明衬底层的正投影的边界线到第一电极层在透明衬底层的正投影的边界线之间的最短距离D2的取值范围为D2≥1.5μm。在这些实施例中，在与显示基板的厚度方向相垂直的各方向上，控制各光通量增透结构与多个功能层之间的距离，以及控制各光通量增透结构与第一电极层之间的距离，避免了在制备显示基板过程中落入到光通量增益结构16对应的挖孔区域的导电材料(例如金属、金属氧化物等)与功能层和/或第一电极层发生接触而短路，保证显示基板性能的稳定性。

在一些可选的实施例中，在与显示基板的厚度方向相垂直的第一平面的各方向上、光通量增益结构16在透明衬底层的正投影的最小尺寸d1的取值范围为d1>2μm。在一些示例中，在制备本申请实施例的显示基板过程中，采用光刻工艺对提供的阵列基板母板的光通量增透结构对应区域进行光刻处理，光通量增透结构大多为异形结构，为了保证光通量增透结构对应的区域中的绝缘层可以被刻蚀去除，因此光通量增透结构对应的区域在与显示基板的厚度方向相垂直的第一平面的各方向上的最小尺寸需要大于光刻工艺刻蚀能力的最小值。继而使得在与显示基板的厚度方向相垂直的第一平面的各方向上、光通量增益结构16在透明衬底层的正投影的最小尺寸d1符合光刻工艺刻蚀能力的最小值，从而保证光通量增益结构对应的区域可被刻蚀得到孔，进而保证光通量结构的顺利形成。

如图9所示，本申请实施例第二方面提供一种显示基板的制备方法，包括：

S10，提供一种阵列基板母板，阵列基板母板包括层叠设置的透明衬底层及驱动器件层，驱动器件层包括呈行列分布的多条信号线，行信号线和列信号线交叉界定出多个子像素电路区域，对应各子像素电路区域设置有像素电路，像素电路包括通过层间绝缘层相互绝缘设置的多个功能层；

S20，对阵列基板母板图案化处理，以在多个子像素电路区域中的至少部分子像素电路区域形成孔，孔至少贯穿至透明衬底层与驱动器件层相邻的表面；

S30，采用透光材料对孔进行填充处理，以形成光通量增益结构。

在一些实施例中，对阵列基板母板图案化处理的步骤中，阵列基板母板的预设图案化区(与子像素电路区域中光通量增益结构对应的区)与多个功能层在透明衬底层的正投影错位分布。且该预设图案化区与预设第一电极层区域也位错分布。在一些示例中，在驱动器件层背向透明衬底层的一侧形成平坦化层，再在平坦化层背向透明衬底层的一侧形成第一电极层，继而再采用透光材料形成具有多个像素开口的像素定义层以及对孔进行填充处理，使得像素定义层与光通量增益结构同步形成。

本申请实施例第三方面提供一种显示模组。显示模组包括：显示基板，为本申请实施例第一方面中的显示基板，具有出光侧以及与出光侧相背的背侧；屏下功能模组，设置于显示基板的背侧，且对应具有光通量增益结构的子像素电路区域设置。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种显示基板，具有呈阵列分布的多个发光组件，其特征在于，所述显示基板包括：

基底，包括透明衬底层；

驱动器件层，设置于所述基底的一侧，所述驱动器件层包括呈行列分布的多条信号线，行信号线和列信号线交叉界定出多个子像素电路区域，各所述子像素电路区域设置有像素电路，所述像素电路包括通过层间绝缘层相互绝缘设置的多个功能层；

发光器件层，设置于所述驱动器件层背向所述基底的一侧，所述发光器件层包括多个呈阵列分布的子像素，各所述子像素与各所述像素电路对应连接构成所述发光组件；所述子像素包括层叠设置的第一电极层、发光层和第二电极层；

光通量增益结构，至少设置于部分所述子像素电路区域，在所述显示基板厚度方向上，所述光通量增益结构由所述透明衬底层向所述发光器件层背向所述驱动器件层的一侧延伸，在所述子像素电路区域内，所述光通量增益结构在所述透明衬底层的正投影与所述多个功能层在所述透明衬底层的正投影位错分布，且所述光通量增益结构在所述透明衬底层的正投影与所述第一电极层在所述透明衬底层的正投影位错分布。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，对应所述光通量增益结构的区域，入射至所述透明衬底层的光线经由所述光通量增益结构从所述发光器件层出光面出射。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件层还包括设置于所述驱动器件层背向所述基底一侧的像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述子像素位于所述像素开口，所述像素定义层在所述透明衬底层的正投影覆盖所述光通量增益结构在所述透明衬底层的正投影。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述光通量增益结构由形成所述像素定义层的透光有机材料构成；

优选的，所述光通量增益结构背向所述透明衬底层的一端与所述像素定义层背向所述驱动器件层的一端平齐设置。

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置于所述发光器件层与所述驱动器件层之间的平坦化层，所述平坦化层设置于所述像素限定层朝向所述驱动器件层的一侧，且具有多个第一开口，所述第一电极层通过所述第一开口与所述像素电路连接，

所述光通量增益结构包括层叠设置的第一介质单元和设置于所述第一介质单元背向所述透明衬底层一侧的第二介质单元，所述第一介质单元由形成所述平坦化层的透光有机材料构成，所述第二介质单元由形成所述像素定义层的透光有机材料构成；

优选的，所述第二介质单元背向所述透明衬底层的一端与所述像素定义层背向所述驱动器件层的一端平齐设置。

6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，光通量增益结构由所述透明衬底层延伸至所述像素定义层背向所述驱动器件层的一端，所述光通量增益结构采用透光有机材料构成。

7.根据权利要求4至6任一项所述的显示基板，其特征在于，在所述显示基板的厚度方向上，所述光通量增益结构的厚度取值范围为6.5μm～7.0μm。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光通量增益结构在所述透明衬底层的正投影的边界线到所述多个功能层在所述透明衬底层的正投影的边界线之间的最短距离D1的取值范围为D1≥1.5μm；且所述光通量增益结构在所述透明衬底层的正投影的边界线到所述第一电极层在所述透明衬底层的正投影的边界线之间的最短距离D2的取值范围为D2≥1.5μm；

优选的，在与所述显示基板的厚度方向相垂直的第一平面的各方向上、所述光通量增益结构在所述透明衬底层的正投影的最小尺寸d1的取值范围为d1>2μm。

9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一种阵列基板母板，所述阵列基板母板包括层叠设置的透明衬底层及驱动器件层，所述驱动器件层包括呈行列分布的多条信号线，行信号线和列信号线交叉界定出多个子像素电路区域，各所述子像素电路区域设置有像素电路，所述像素电路包括通过层间绝缘层相互绝缘设置的多个功能层；

对所述阵列基板母板图案化处理，以在所述多个子像素电路区域中的至少部分所述子像素电路区域形成孔，所述孔至少贯穿至所述透明衬底层与所述驱动器件层相邻的表面；

采用透光材料对所述孔进行填充处理，以形成光通量增益结构。

10.一种显示模组，其特征在于，所述显示模组包括：

显示基板，如权利要求1至8任一项所述的显示基板，具有出光侧以及与所述出光侧相背的背侧；

屏下功能模组，设置于所述显示基板的背侧，且对应具有所述光通量增益结构的所述子像素电路区域设置。

Images