CN112886232B - 电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种电子设备，涉及天线技术领域。电子设备的第一辐射体与第二辐射体相耦合。第二枝节的一端连接于第一枝节的首端与末端之间，第一枝节的首端与末端分别位于第二枝节的两侧。第二枝节的另一端连接于第三枝节的首端与末端之间。第三枝节的首端与第三枝节的末端位于第二枝节的两侧。第一枝节的基准面在第一辐射体的投影为第一投影。第一投影与第一辐射体部分重合或者全部重合，或者第一投影与第一辐射体之间的距离在0至3毫米的范围内。第三枝节的首端端面与基准面的中心距离为第一值。第三枝节的末端端面与基准面的中心距离为第二值。第一值与第二值的比值在0.5至2的范围内。电子设备可以产生对流模式。

Description

电子设备

技术领域

本申请涉及天线技术领域，特别涉及一种电子设备。

背景技术

随着手机的功能越来越丰富,传统手机需要涵盖的通讯范围也越来越广。此时，为了能够满足传统手机涵盖通讯范围的要求，发展天线技术越来越得到许多研究人员的关注。然而，传统的电子设备的天线所产生的谐振模式为差模模式。差模模式的比吸收率SAR(Specific Absorption Ratio)可能比较高。

发明内容

本申请技术方案提供的电子设备可以产生一个或多个对流模式的谐振模式。

第一方面，本申请技术方案提供了一种电子设备。电子设备包括第一辐射体及第二辐射体。所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合。换言之，射频信号能够经第一辐射体耦合馈电第二辐射体。射频信号也能够经第二辐射体耦合馈电第一辐射体。

所述第二辐射体包括第一枝节、第二枝节及第三枝节。所述第二枝节的一端连接于所述第一枝节的首端与末端之间，所述第一枝节的首端与末端分别位于所述第二枝节的两侧。所述第二枝节的另一端连接于所述第三枝节的首端与末端之间。所述第三枝节的首端与所述第三枝节的末端位于所述第二枝节的两侧。可以理解的是，第二枝节的两侧可以理解为第二枝节本身的两侧，也可以理解为在第二枝节的延伸方向上的两侧。

所述第一枝节具有背离所述第二枝节的基准面。所述基准面在所述第一辐射体的投影为第一投影。所述第一投影与所述第一辐射体部分重合或者全部重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内。此时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以实现强耦合。换言之，当所述第一辐射体上的电流产生磁场时，所述第二辐射体可以位于第一辐射体较强的磁场区域内。

所述第三枝节的首端端面与所述基准面的中心距离为第一值。所述第三枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第二值。所述第一值与所述第二值的比值在0.5至2的范围内。换言之，所述第二辐射体为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，当所述第一辐射体与所述第二辐射体接收射频信号时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以在该频段内产生对流模式的谐振频率。天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第三枝节包括第一分叉枝节及第二分叉枝节。所述第一分叉枝节背离所述第二分叉枝节的端部为所述第三枝节的首端。所述第二分叉枝节背离所述第一分叉枝节的端部为所述第三枝节的末端。

所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a≤180°。换言之，当0°＜a＜180°时，所述第三枝节大致呈“V”字型，或者呈“V”字型。当a＝180°时，所述第三枝节呈条型。

在本实现方式中，通过将所述第三枝节大致呈“V”字型，或者呈“V”字型，或者呈条型，从而使得第二辐射体的对称性较佳。此外，第三枝节的结构简单，容易加工。

一种实现方式中，所述第二辐射体还包括第四枝节、第三分叉枝节及第四分叉枝节。所述第四枝节、所述第三分叉枝节及所述第四分叉枝节均位于所述第一枝节背离所述第二枝节的一侧。所述第四枝节的一端连接于所述第三分叉枝节的首端与所述第四分叉枝节的首端，另一端连接于所述基准面。所述第三分叉枝节的末端与所述第四分叉枝节的末端位于所述第四枝节的两侧。可以理解的是，所述第四枝节的两侧可以理解为所述第四枝节本身的两侧，也可以理解为在所述第四枝节的延伸方向上的两侧。

所述第三分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第三值。所述第四分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第四值。所述第三值与所述第四值的比值在0.5至2的范围内。

可以理解的是，通过在所述第一枝节背离所述第二枝节的一侧连接所述第四枝节、所述第三分叉枝节及所述第四分叉枝节，从而利用所述第三分叉枝节及所述第四分叉枝节产生一个对流模式，也即所述第一辐射体与所述第二辐射体产生的对流模式的数量进一步的增加。此时，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。

一种实现方式中，所述第三分叉枝节朝远离所述基准面的方向延伸。或者所述第三分叉枝节的延伸方向平行于所述基准面的延伸方向。所述第四分叉枝节朝远离所述第一枝节的方向延伸。或者所述第二分叉枝节的延伸方向平行于所述第一枝节的延伸方向。

一种实现方式中，所述第三分叉枝节与所述第四分叉枝节均呈条型状。所述第三分叉枝节与所述第四分叉枝节的夹角大于0°，且小于等于180°。

一种实现方式中，所述第二辐射体还包括第四枝节、第三分叉枝节及第四分叉枝节。所述第四枝节、所述第三分叉枝节及所述第四分叉枝节均位于所述第一分叉枝节及所述第二分叉枝节背离所述第二枝节的一侧。所述第四枝节的一端连接于所述第一分叉枝节的首端与所述第二分叉枝节的首端，另一端连接于所述第三分叉枝节的首端与所述第四分叉枝节的首端。所述第三分叉枝节的末端与所述第四分叉枝节的末端位于所述第四枝节的两侧。所述第四枝节的两侧可以理解为所述第四枝节本身的两侧，也可以理解为在所述第四枝节的延伸方向上的两侧。

所述第三分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第三值。所述第四分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第四值。所述第三值与所述第四值的比值在0.5至2的范围内。

通过在所述第一分叉枝节及所述第二分叉枝节背离所述第二枝节的一侧连接所述第四枝节、所述第三分叉枝节及所述第四分叉枝节，从而利用所述第三分叉枝节及所述第四分叉枝节上的电流产生一个对流模式，也即所述第一辐射体与所述第二辐射体产生的对流模式的数量进一步的增加。此时，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。

一种实现方式中，所述第三分叉枝节朝远离所述基准面的方向延伸。或者所述第三分叉枝节的延伸方向平行于所述基准面的延伸方向。所述第四分叉枝节朝远离所述第一枝节的方向延伸。或者所述第二分叉枝节的延伸方向平行于所述第一枝节的延伸方向。

一种实现方式中，所述第三分叉枝节与所述第四分叉枝节均呈条型状。所述第三分叉枝节与所述第四分叉枝节的夹角大于0°，且小于等于180°。

一种实现方式中，所述第一辐射体包括第一馈电枝节。所述第一馈电枝节具有接地点。所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第一端面的中心与所述接地点距离为第五值。所述第二端面的中心与所述接地点的距离为第六值。所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。此时，所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构。

可以理解的是，通过设置所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构，从而使得所述第一辐射体接收射频信号之后，所述第一辐射体能够产生一个对流模式，也即第一辐射体具有一个对流模式的谐振频率。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一辐射体还包括连接枝节及第二馈电枝节。所述第二馈电枝节包括第一末端及远离所述第一末端设置的第二末端。所述连接枝节的一端连接在所述第一馈电枝节的第一端面与所述第二端面之间，另一端连接在所述第一末端与所述第二末端之间。所述第一末端与所述第二末端位于所述连接枝节的两侧。所述连接枝节的两侧可以理解为所述连接枝节本身的两侧，也可以理解为在所述连接枝节的延伸方向上的两侧。

所述第一末端的端面的中心与所述接地点的距离为第七值。所述第二末端的端面的中心与所述接地点的距离为第八值。所述第七值与所述第八值的比值在0.3至3的范围内。换言之，当所述第一辐射体具有连接枝节及所述第二馈电枝节时，所述第一辐射体依然为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，通过在所述第一馈电枝节的一侧设置所述连接枝节及所述第二馈电枝节，从而利用所述连接枝节及所述第二馈电枝节产生一个对流模式，也即所述第一辐射体与所述第二辐射体产生的对流模式的数量进一步增加。此时，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。

一种实现方式中，所述第一辐射体包括第一馈电枝节。所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第一端面的中心与所述第一馈电枝节的馈电点的距离为第五值。所述第二端面的中心与所述馈电点的距离为第六值。所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。换言之，所述第一辐射体为准对称或者对称结构。

可以理解的是，通过设置所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构，从而使得所述第一辐射体接收射频信号之后，所述第一辐射体能够产生一个对流模式，也即第一辐射体具有一个对流模式的谐振频率。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一辐射体为倒F天线、复合左右手天线或者环形天线。

可以理解的是，当具有准对称结构或者对称结构的所述第二辐射体与倒F天线、复合左右手天线或者环形天线与相配合时，所述第二辐射体也能够产生一个对流模式。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述电子设备还包括第三辐射体。所述第三辐射体与所述第一辐射体相耦合。

所述第三辐射体包括第五分叉枝节及第六分叉枝节。所述第五分叉枝节的首端连接于所述第六分叉枝节的首端。所述第五分叉枝节朝着远离所述基准面的方向延伸，所述第六分叉枝节朝着远离所述基准面延伸

所述第三辐射体在所述第一辐射体的投影为第二投影。所述第二投影部分或者全部位于所述第一辐射体内，或者所述第二投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内。

所述第五分叉枝节的首端端面与末端端面的中心距离为第九值。所述第六分叉枝节的首端端面与末端端面的中心距离为第十值。所述第九值与所述第十值的比值在0.5至2的范围内。换言之，所述第三辐射体为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，通过在所述第二辐射体背离所述第一辐射体的一侧设置所述第三辐射体，从而利用所述第三辐射体上的电流产生一个对流模式，也即所述第一辐射体、所述第二辐射体与所述第三辐射体产生的对流模式的数量进一步的增加。此时，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述壳体包括相背设置的第一表面及第二表面。所述第一表面朝向所述收容空间。所述第一辐射体固定于所述第一表面。所述第二辐射体固定于所述第二表面。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体固定于所述第一表面，所述第二辐射体固定于所述第二表面，从而有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板。所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面。所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，或者所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体均位于收容空间内，进而利用所述壳体与所述屏幕保护所述第一辐射体与所述第二辐射体。此外，通过所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而有效地利用所述壳体的空间。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离增大，也即天线具有较大的净空间。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架，所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间，所述电路板固定位于所述收容空间，所述支架固定于所述电路板，并与所述电路板围设有一空间，所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面；

所述第二辐射体固定于所述支架背离所述空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

在本实现方式中，通过将所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面，从而一方面利用所述支架有效地保护所述第一辐射体，另一方面可以增大所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离，以使天线具有较大的净空间。

第二方面，本申请技术方案提供一种电子设备。电子设备包括第一辐射体及第二辐射体。所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合。换言之，射频信号能够经所述第一辐射体耦合馈电所述第二辐射体，也能够经所述第二辐射体耦合馈电所述第一辐射体。

所述第二辐射体包括第一枝节、第一分叉枝节及第二分叉枝节。所述第一枝节的一端连接于所述第一分叉枝节首端与所述第二分叉枝节的首端。所述第一分叉枝节的末端与所述第二分叉枝节的末端位于所述第一枝节的两侧。可以理解的是，所述第一枝节的两侧可以理解为所述第一枝节本身的两侧，也可以理解为在所述第一枝节的延伸方向上的两侧。

所述第一枝节具有背离所述第一分叉枝节及所述第二分叉枝节的基准面。所述基准面在所述第一辐射体的投影为第一投影。所述第一投影与所述第一辐射体部分或者全部重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内。换言之，所述第一辐射体与所述第二辐射体能够实现强耦合。

所述第一分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第一值。所述第二分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第二值。所述第一值与所述第二值的比值在0.5至2的范围内。换言之，所述第二辐射体为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，当所述第一辐射体与所述第二辐射体接收射频信号时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以在该频段内产生对流模式的谐振频率。天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状。所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a≤180°。换言之，当0°＜a＜180°时，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节大致呈“V”字型，或者呈“V”字型。当a＝180°时，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节呈条型。

在本实现方式中，通过将所述第二辐射体大致呈“V”字型，或者呈“V”字型，或者呈条型，从而使得第二辐射体的对称性更佳。此外，所述第二辐射体的结构简单，容易加工。

一种实现方式中，所述第一辐射体包括第一馈电枝节。所述第一馈电枝节具有接地点。所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第一端面的中心与所述接地点距离为第五值。所述第二端面的中心与所述接地点的距离为第六值。所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。换言之，所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构。

可以理解的是，通过设置所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构，从而使得所述第一辐射体接收射频信号之后，所述第一辐射体能够产生一个对流模式，也即第一辐射体具有一个对流模式的谐振频率。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一辐射体还包括连接枝节及第二馈电枝节。所述第二馈电枝节包括第一末端及远离所述第一末端设置的第二末端。所述连接枝节的一端连接在所述第一馈电枝节的第一端面与所述第二端面之间，另一端连接在所述第一末端与所述第二末端之间。所述第一末端与所述第二末端位于所述连接枝节的两侧。可以理解的是，所述连接枝节的两侧可以理解为所述连接枝节本身的两侧，也可以理解为在所述连接枝节的延伸方向上的两侧。

所述第一末端的端面的中心与所述接地点的距离为第七值。所述第二末端的端面的中心与所述接地点的距离为第八值。所述第七值与所述第八值的比值在0.3至3的范围内。换言之，当所述第一辐射体具有连接枝节及所述第二馈电枝节时，所述第一辐射体依然为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，通过在所述第一馈电枝节的一侧设置所述连接枝节及所述第二馈电枝节，从而利用所述连接枝节及所述第二馈电枝节产生一个对流模式，也即所述第一辐射体与所述第二辐射体产生的对流模式的数量进一步增加。此时，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。

一种实现方式中，所述第一辐射体包括第一馈电枝节。所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第一端面的中心与所述第一馈电枝节的馈电点的距离为第五值。所述第二端面的中心与所述馈电点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。换言之，所述第一辐射体为准对称或者对称结构。

可以理解的是，通过设置所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构，从而使得所述第一辐射体接收射频信号之后，所述第一辐射体能够产生一个对流模式，也即第一辐射体具有一个对流模式的谐振频率。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一辐射体为倒F天线、复合左右手天线或者环形天线。

可以理解的是，当具有准对称结构或者对称结构的所述第二辐射体与倒F天线、复合左右手天线或者环形天线与相配合时，所述第二辐射体也能够产生一个对流模式。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述壳体包括相背设置的第一表面及第二表面。所述第一表面朝向所述收容空间。所述第一辐射体固定于所述第一表面。所述第二辐射体固定于所述第二表面。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体固定于所述第一表面，所述第二辐射体固定于所述第二表面，从而有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板。所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面。所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，或者所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体均位于收容空间内，进而利用所述壳体与所述屏幕保护所述第一辐射体与所述第二辐射体。此外，通过所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而有效地利用所述壳体的空间。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离增大，也即天线具有较大的净空间。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架，所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间，所述电路板固定位于所述收容空间，所述支架固定于所述电路板，并与所述电路板围设有一空间，所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面。

所述第二辐射体固定于所述支架背离所述空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

在本实现方式中，通过将所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面，从而一方面利用所述支架有效地保护所述第一辐射体，另一方面可以增大所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离，以使天线具有较大的净空间。

第三方面，本申请技术方案提供一种电子设备。电子设备包括第一辐射体及第二辐射体。所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合。换言之，射频信号能够经所述第一辐射体耦合馈电所述第二辐射体，也能够经所述第二辐射体耦合馈电所述第一辐射体。

所述第二辐射体包括第一分叉枝节及第二分叉枝节。所述第一分叉枝节的首端及所述第二分叉枝节的首端彼此连接。所述第一分叉枝节朝远离所述第二分叉枝节的首端的方向延伸。所述第二分叉枝节朝远离所述第一分叉枝节的首端的方向延伸。

所述第二辐射体在所述第一辐射体的投影为第一投影。所述第一投影与所述第一辐射体部分或者全部重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内。换言之，所述第一辐射体与所述第二辐射体能够实现强耦合。

所述第一分叉枝节的首端端面与末端端面的中心距离为第一值。所述第二分叉枝节的首端端面与末端端面的中心距离为第二值。所述第一值与所述第二值的比值在0.2至2的范围内。换言之，所述第二辐射体为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，当所述第一辐射体与所述第二辐射体接收射频信号时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以在该频段内产生对流模式的谐振频率。天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a＜180°。换言之，当0°＜a＜180°时，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节大致呈“V”字型，或者呈“V”字型。

在本实现方式中，通过将所述第三枝节大致呈“V”字型，或者呈“V”字型，从而使得第二辐射体的对称性更佳。此外，第二辐射体的结构简单，容易加工。

一种实现方式中，所述第一辐射体包括第一馈电枝节。所述第一馈电枝节具有接地点。所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第一端面的中心与所述接地点距离为第五值。所述第二端面的中心与所述接地点的距离为第六值。所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。此时，所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构。

可以理解的是，通过设置所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构，从而使得所述第一辐射体接收射频信号之后，所述第一辐射体能够产生一个对流模式，也即第一辐射体具有一个对流模式的谐振频率。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一辐射体还包括连接枝节及第二馈电枝节。所述第二馈电枝节包括第一末端及远离所述第一末端设置的第二末端。所述连接枝节的一端连接在所述第一馈电枝节的第一端面与所述第二端面之间，另一端连接在所述第一末端与所述第二末端之间，所述第一末端与所述第二末端位于所述连接枝节的两侧。可以理解的是，所述连接枝节的两侧可以理解为所述连接枝节本身的两侧，也可以理解为在所述连接枝节的延伸方向上的两侧。

所述第一末端的端面的中心与所述接地点的距离为第七值，所述第二末端的端面的中心与所述接地点的距离为第八值，所述第七值与所述第八值的比值在0.3至3的范围内。换言之，当所述第一辐射体具有连接枝节及所述第二馈电枝节时，所述第一辐射体依然为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，通过在所述第一馈电枝节的一侧设置所述连接枝节及所述第二馈电枝节，从而利用所述连接枝节及所述第二馈电枝节产生一个对流模式，也即所述第一辐射体与所述第二辐射体产生的对流模式的数量进一步增加。此时，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。

一种实现方式中，所述第一辐射体包括第一馈电枝节。所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第一端面的中心与所述第一馈电枝节的馈电点的距离为第五值，所述第二端面的中心与所述馈电点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。换言之，所述第一辐射体为准对称或者对称结构。

可以理解的是，通过设置所述第一馈电枝节为准对称或者对称结构，从而使得所述第一辐射体接收射频信号之后，所述第一辐射体能够产生一个对流模式，也即第一辐射体具有一个对流模式的谐振频率。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一辐射体为倒F天线、复合左右手天线或者环形天线。

可以理解的是，当具有准对称结构或者对称结构的所述第二辐射体与倒F天线、复合左右手天线或者环形天线与相配合时，所述第二辐射体也能够产生一个对流模式。此时，天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述壳体包括相背设置的第一表面及第二表面。所述第一表面朝向所述收容空间。所述第一辐射体固定于所述第一表面。所述第二辐射体固定连接于所述第二表面。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体固定于所述第一表面，所述第二辐射体固定连接于所述第二表面，从而有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板。所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面。所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，或者所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体均位于收容空间内，进而利用所述壳体与所述屏幕保护所述第一辐射体与所述第二辐射体。此外，通过所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而有效地利用所述壳体的空间。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离增大，也即天线具有较大的净空间。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架，所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间，所述电路板固定位于所述收容空间，所述支架固定于所述电路板，并与所述电路板围设有一空间，所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面。

所述第二辐射体固定于所述支架背离所述空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

在本实现方式中，通过将所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面，从而一方面利用所述支架有效地保护所述第一辐射体，另一方面可以增大所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离，以使天线具有较大的净空间。

第三方面，本申请技术方案提供一种电子设备。所述电子设备包括第一辐射体及第二辐射体。所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合。换言之，射频信号能够经第一辐射体耦合馈电第二辐射体。射频信号也能够经第二辐射体耦合馈电第一辐射体。

所述第一辐射体包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第二辐射体包括第三端面及远离所述第三端面设置的第四端面。所述第一端面位于所述第三端面与所述第四端面之间。所述第二端面位于所述第一端面与所述第四端面之间。。

所述第二辐射体在所述第一辐射体的投影为第一投影。所述第一投影与所述第一辐射体部分或者全部重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的距离在0至3毫米的范围内。此时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以实现强耦合。

所述第一端面与所述第三端面的中心距离为第一值。所述第二端面与所述第四端面的中心距离为第二值。所述第一值与所述第二值的比值在0.5至2的范围内。换言之，所述第二辐射体为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，当所述第一辐射体与所述第二辐射体接收射频信号时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以在该频段内产生对流模式的谐振频率。天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第二辐射体为条型状。

在本实现方式中，通过将第二辐射体为条型状，从而简化所述第二辐射体的结构，方便加工制作。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述壳体包括相背设置的第一表面及第二表面。所述第一表面朝向所述收容空间。所述第一辐射体固定于所述第一表面。所述第二辐射体固定连接于所述第二表面。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体固定于所述第一表面，所述第二辐射体固定连接于所述第二表面，从而有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板。所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面。所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，或者所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体均位于收容空间内，进而利用所述壳体与所述屏幕保护所述第一辐射体与所述第二辐射体。此外，通过所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而有效地利用所述壳体的空间。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离增大，也即天线具有较大的净空间。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架，所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间，所述电路板固定位于所述收容空间，所述支架固定于所述电路板，并与所述电路板围设有一空间，所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面；

所述第二辐射体固定于所述支架背离所述空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

在本实现方式中，通过将所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面，从而一方面利用所述支架有效地保护所述第一辐射体，另一方面可以增大所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离，以使天线具有较大的净空间。

第四方面，本申请技术方案提供一种电子设备。电子设备包括第一辐射体及第二辐射体，所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合。换言之，射频信号能够经所述第一辐射体耦合馈电所述第二辐射体，也能够经所述第二辐射体耦合馈电所述第一辐射体。

所述第一辐射体包括第一端面及远离第一端面设置的第二端面。所述第二辐射体包括第三端面及远离所述第三端面设置的第四端面。所述第三端面位于所述第一端面与所述第二端面之间。所述第四端面位于所述第一端面背离所述第三端面的一侧。

所述第二辐射体在所述第一辐射体的投影为第一投影。所述第一投影与所述第一辐射体部分重合。或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内。此时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以实现强耦合。

所述第一端面与所述第二端面的中心距离为第一值，所述第三端面与所述第四端面的中心距离为第二值，所述第一值与所述第二值的比值在0.5至2的范围内。换言之，所述第二辐射体为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，当所述第一辐射体与所述第二辐射体接收射频信号时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以在该频段内产生对流模式的谐振频率。天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一端面与所述第三端面的中心距离为第三值。所述第三值与所述第二值的比值在0至0.35的范围内。

一种实现方式中，所述第一辐射体与所述第二辐射体均为条型状。

在本实现方式中，通过将所述第一辐射体与所述第二辐射体设置为条型状，从而简化所述所述第一辐射体与所述第二辐射体的结构，方便加工制作。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述壳体包括相背设置的第一表面及第二表面。所述第一表面朝向所述收容空间。所述第一辐射体固定于所述第一表面。所述第二辐射体固定连接于所述第二表面。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体固定于所述第一表面，所述第二辐射体固定连接于所述第二表面，从而有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板。所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面。所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，或者所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体均位于收容空间内，进而利用所述壳体与所述屏幕保护所述第一辐射体与所述第二辐射体。此外，通过所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，从而有效地利用所述壳体的空间。

通过将所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面，从而使得所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离增大，也即天线具有较大的净空间。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架，所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间，所述电路板固定位于所述收容空间，所述支架固定于所述电路板，并与所述电路板围设有一空间，所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面；

所述第二辐射体固定于所述支架背离所述空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面。或者

所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

在本实现方式中，通过将所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面，从而一方面利用所述支架有效地保护所述第一辐射体，另一方面可以增大所述第一辐射体与所述第二辐射体之间的距离，以使天线具有较大的净空间。

第五方面，本申请技术方案提供一种电子设备。电子设备包括第一辐射体、第二辐射体及射频收发电路。所述第二辐射体连接于所述第一辐射体。所述射频收发电路电连接于所述第一辐射体。射频收发电路用于发射或者接收射频信号。此时，所述射频收发电路发射的射频信号可以直接传输至所述第一辐射体与所述第二辐射体。或者所述第一辐射体与所述第二辐射体能够将射频信号传输至所述射频收发电路。

所述第一辐射体具有连接所述射频收发电路的馈电点。所述第一辐射体包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第一端面的中心与所述馈电点的距离为第五值。所述第二端面的中心与所述馈电点的距离为第六值。所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。换言之，所述第一辐射体为准对称或者对称结构。

所述第二辐射体包括第一枝节、第一分叉枝节及第二分叉枝节。所述第一枝节的一端连接于所述第一分叉枝节首端与所述第二分叉枝节的首端，另一端连接于所述第一辐射体。所述第一分叉枝节的末端与所述第二分叉枝节的末端位于所述第一枝节的两侧。可以理解的是，所述第一枝节的两侧可以理解为所述第一枝节本身的两侧，也可以理解为在所述第一枝节的延伸方向上的两侧。

所述第一分叉枝节的末端端面与所述馈电点的中心距离为第一值。所述第二分叉枝节的末端端面与所述馈电点的中心距离为第二值。所述第一值与所述第二值的比值在0.3至3的范围内。换言之，所述第二辐射体也为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，当所述第一辐射体与所述第二辐射体接收射频信号时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以在该频段内产生对流模式的谐振频率。天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a≤180°。换言之，当0°＜a＜180°时，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节大致呈“V”字型，或者呈“V”字型。当a＝180°时，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节呈条型。

在本实现方式中，通过将所述第二辐射体大致呈“V”字型，或者呈“V”字型，或者呈条型，从而第二辐射体的对称性更佳。此外，所述第二辐射体的结构简单，容易加工。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述壳体包括相背设置的第一表面及第二表面。所述第一表面朝向所述收容空间。所述第一辐射体与所述第二辐射体固定于所述第一表面。或者所述第一辐射体与所述第二辐射体固定连接于所述第二表面。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体与所述第二辐射体固定于所述第一表面，从而既可以有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布，又可以利用所述壳体保护所述第一辐射体及所述第二辐射体。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体与所述第二辐射体固定连接于所述第二表面，从而有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板。所述第一辐射体及所述第二辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板固定位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板，并与所述电路板围设有一空间。所述第一辐射体及所述第二辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面。

在本实现方式中，通过将所述第一辐射体及所述第二辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面，从而利用所述支架有效地保护所述所述第一辐射体及所述第二辐射体。

本申请技术方案提供一种电子设备。电子设备包括第一辐射体、第二辐射体及射频收发电路。所述第二辐射体连接于所述第一辐射体。所述射频收发电路电连接于所述第一辐射体。射频收发电路用于发射或者接收射频信号。此时，所述射频收发电路发射的射频信号可以直接传输至所述第一辐射体与所述第二辐射体。或者所述第一辐射体与所述第二辐射体能够将射频信号传输至所述射频收发电路。

所述第一辐射体具有接地点。所述第一辐射体包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面。所述第一端面的中心与所述接地点的距离为第五值。所述第二端面的中心与所述接地点的距离为第六值。所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。换言之，所述第一辐射体为准对称或者对称结构。

所述第二辐射体包括第一枝节、第一分叉枝节及第二分叉枝节。所述第一枝节的一端连接于所述第一分叉枝节首端与所述第二分叉枝节的首端，另一端连接于所述第一辐射体。所述第一分叉枝节的末端与所述第二分叉枝节的末端位于所述第一枝节的两侧。可以理解的是，所述第一枝节的两侧可以理解为所述第一枝节本身的两侧，也可以理解为在所述第一枝节的延伸方向上的两侧。

所述第一分叉枝节的末端端面与所述接地点的中心距离为第一值。所述第二分叉枝节的末端端面与所述接地点的中心距离为第二值。所述第一值与所述第二值的比值在0.3至3的范围内。换言之，所述第二辐射体也为准对称或者对称结构。

在本实现方式中，当所述第一辐射体与所述第二辐射体接收射频信号时，所述第一辐射体与所述第二辐射体可以在该频段内产生对流模式的谐振频率。天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在所述第一辐射体与所述第二辐射体辐射信号时，信号对用户影响较小。

一种实现方式中，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a≤180°。换言之，当0°＜a＜180°时，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节大致呈“V”字型，或者呈“V”字型。当a＝180°时，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节呈条型。

在本实现方式中，通过将所述第二辐射体大致呈“V”字型，或者呈“V”字型，或者呈条型，从而第二辐射体的对称性更佳。此外，所述第二辐射体的结构简单，容易加工。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述壳体包括相背设置的第一表面及第二表面。所述第一表面朝向所述收容空间。所述第一辐射体与所述第二辐射体固定于所述第一表面。或者所述第一辐射体与所述第二辐射体固定连接于所述第二表面。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体与所述第二辐射体固定于所述第一表面，从而既可以有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布，又可以利用所述壳体保护所述第一辐射体及所述第二辐射体。

可以理解的是，通过将所述第一辐射体与所述第二辐射体固定连接于所述第二表面，从而有效地利用所述后盖的空间，也即避免所述第一辐射体与所述第二辐射体因占用所述收容空间而减小所述收容空间内器件的排布。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体。所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板。所述第一辐射体及所述第二辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面。

一种实现方式中，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架。所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间。所述电路板固定位于所述收容空间。所述支架固定于所述电路板，并与所述电路板围设有一空间。所述第一辐射体及所述第二辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面。

在本实现方式中，通过将所述第一辐射体及所述第二辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面，从而利用所述支架有效地保护所述所述第一辐射体及所述第二辐射体。

附图说明

图1是本申请实施例提供的电子设备的一种实现方式的结构示意图；

图2是图1所示的电子设备的分解示意图；

图3a是图1所示的电子设备在M-M线处的一种实现方式的剖面示意图；

图3b是图1所示的电子设备的后盖与第二辐射体的结构示意图；

图4是图1所示的电子设备的部分结构示意图；

图5a是图4所示的电子设备的辐射体的一种实施方式的结构示意图；

图5b是图5a所示的辐射体的侧视图；

图5c是图5a所示的辐射体的俯视图；

图6是图5a所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图7是图5a所示的辐射体在频率为f1上的电流的流向示意图；

图8是图5a所示的辐射体在频率为f2上的电流的流向示意图；

图9是本申请实施例提供的辐射体的另一种实现方式的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图11是图10所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图12是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图13是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图14是图13所示的辐射体的俯视示意图；

图15是图14所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图16是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图17是图1所示的电子设备在M-M线处的另一种实现方式的剖面示意图；

图18是图17所示的电子设备的辐射体的结构示意图；

图19是图18所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图20a是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图

图20b是图1所示的电子设备在M-M线处的再一种实现方式的剖面示意图；

图21是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图22是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图23是图22所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图24是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图25a是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图25b是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图25c是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图26是图25c所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图27a是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图27b是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图28是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图29是图28所示的辐射体在另一种角度下的结构示意图；

图30a是图28所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图30b是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图31是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图32是图31所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图33a是图31所示的辐射体在频率为f1上的电流的流向示意图；

图33b是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图；

图34是图1所示的电子设备在M-M线处的再一种实现方式的剖面示意图；

图35是图1所示的电子设备在M-M线处的再一种实现方式的剖面示意图；

图36是本申请实施例提供的电子设备的另一种实现方式的结构示意图；

图37是图36所示的电子设备在N-N线的剖面示意图；

图38是本申请实施例提供的电子设备的再一种实现方式的部分结构示意图；

图39是图38所示的辐射体的结构示意图；

图40是图39所示的辐射体在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图；

图41是图39所示的辐射体在频率为f1上的电流流向示意图；

图42是图39所示的辐射体在频率为f2上的电流流向示意图；

图43是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图。

具体实施方式

下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的电子设备100的一种实现方式的结构示意图。电子设备100可以为平板电脑、手机、照相机、个人计算机、笔记本电脑、车载设备、可穿戴设备、增强现实(augmented reality，AR)眼镜、AR头盔、虚拟现实(virtual reality，VR)眼镜或者VR头盔。图1所示实施例的电子设备100以手机为例进行阐述。其中，为了便于描述，如图1所示，定义电子设备100的宽度方向为X轴。电子设备100的长度方向为Y轴。电子设备100的厚度方向为Z轴。

请参阅图2，图2是图1所示的电子设备100的分解示意图。

电子设备100包括壳体10、屏幕20、电路板30及天线40。

屏幕20安装于壳体10。屏幕20与壳体10共同围设有收容空间13。电路板30位于收容空间13。此外，收容空间13还可以用于收容其他器件。例如扬声器、麦克风、听筒以及摄像模组等。

一种实现方式中，壳体10包括后盖11及边框12。后盖11与屏幕20相对设置。后盖11设于边框12远离屏幕20的一侧，此时，后盖11、边框12与屏幕30共同围设有收容空间13。结合附图1所示，附图1示意了后盖11与边框12围成大致呈长方体的结构。在一种实现方式中，后盖11与边框12一体成型。

一种实现方式中，屏幕20包括保护盖板21和显示屏22。保护盖板21层叠于显示屏22上，以用于保护显示屏22。保护盖板21的材质可以为透光材料，例如玻璃。此外，显示屏22用于显示图像。显示屏22可以为但不仅限于为液晶显示屏(liquid crystal display,LCD)。例如，显示屏22还可以为有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示屏。

请再次参阅图2，电路板30位于屏幕20与后盖11之间。电路板30上安装有电子设备100的电子元器件。例如，电子元器件可以包括中央处理器(central processing unit，CPU)、电池管理单元和基带处理单元。

此外，天线40可用于接收和发射信号。具体的，天线40包括射频收发电路41及辐射体42。

其中，射频收发电路41位于收容空间13内。射频收发电路41可以固定在电路板30上。射频收发电路41用于发射和接收射频信号。射频收发电路41不仅限于附图2所示意的数量、形状及大小。

在一种实现方式中，射频收发电路41可以包括具有独立模块的射频收发芯片。射频收发芯片用于发射和接收射频信号。可以理解的是，通过设置一独立模块的射频收发芯片可以独立运行发射和接收射频信号的功能，从而提高信号的传输效率，进而提高天线性能。此外，射频收发电路41还可以包括电容、电感或者电阻等器件。电容、电感或者电阻是用于辅助射频信号的传输。例如，对射频信号进行放大处理等。当然，在其他实现方式中，射频收发电路41可以包括处理单元，例如CPU。此时，发射和接收射频信号的功能可以集成在CPU上。可以理解的是，因为CPU具有发射和接收射频信号的功能，所以电子设备100的内部可以节省一个芯片的占用空间，从而提高电子设备100的内部空间的利用率。此外，发射和接收射频信号的功能也可以集成在其他芯片上，例如电池管理芯片。

此外，辐射体42用于在接收到射频收发电路41发射的射频信号时，向电子设备100的外部辐射信号。此外，辐射体42还可用于接收电子设备100外部的信号，并将接收到的信号转化成射频信号，传输给射频收发电路41上。

可以理解的是，辐射体42的设置方式具有多种形式。下文将结合相关附图具体介绍辐射体42的设置方式的五种实施例。

第一种实施例：请再次参阅图2，辐射体42包括第一辐射体421及第二辐射体422。第一辐射体421与第二辐射体422均可以用于辐射及接收信号。具体的，当射频信号经第一辐射体421耦合馈电至第二辐射体422时，第一辐射体421与第二辐射体422根据射频信号分别向电子设备100的外部辐射信号。此外，第二辐射体422也可以接收电子设备100的外部信号，并将信号转换成射频信号。射频信号经第二辐射体422耦合馈电至第一辐射体421。第一辐射体421可以将射频信号传输至射频收发电路41。

请参阅图3a，图3a是图1所示的电子设备100在M-M线处的一种实现方式的部分剖面示意图。电子设备100还包括支架50。支架50可以固定于电路板30背离屏幕20的一侧。

一种实施方式中，支架50可以为框状结构。支架50罩设于电路板30上，并与电路板30围设有空间S。电路板30上的部分电子元器件可以位于空间S内。此时，支架50可以用于保护电子元器件。在其他实施方式中，支架50也可以为板状或者块状。

此外，支架50具有朝向后盖11的第一表面55。第一辐射体421固定于第一表面55。一种实现方式中，部分支架50形成绝缘部，绝缘部的材质为绝缘材料。利用激光镭射成型技术(laser directstructuring，LDS)在绝缘部上形成第一辐射体421。此外，其他实现方式也可以通过在绝缘部上形成导电材料(例如金、银或铜等金属材料或者石墨烯)，该导电材料形成第一辐射体421。在其他实施方式中，支架50的材质也可以全部为绝缘材料。

此外，请参阅附图3b，并结合附图3a，图3b是图1所示的电子设备的后盖与第二辐射体的结构示意图。后盖11的材质可为绝缘材料。后盖11具有朝向收容空间13的第二表面115。第二辐射体422固定于第二表面115。一种实施方式中，通过LDS在后盖11的第二表面115形成第二辐射体422。

在其他实现方式中，后盖11也可以包括绝缘部及连接于绝缘部的导电部。此时，第二辐射体422固定于后盖11的绝缘部。此外，其他实现方式也可以通过第二表面115上形成导电材料(例如金、银或铜等金属材料或者石墨烯)。导电材料形成第二辐射体422。

在其他实施方式中，后盖11具有背离收容空间13的表面。第二辐射体422也可以固定于后盖11背离收容空间13的表面。其中，后盖11具有背离收容空间13的表面可以为后盖11裸露在外的表面。

在本实施方例中，通过将第一辐射体421固定在支架50的第一表面55上，第二辐射体422固定在第二表面115，从而使得第二辐射体422与第一辐射体421相耦合，也即当射频收发电路41发射射频信号时，射频信号可以通过第一辐射体421耦合馈电至第二辐射体422。第二辐射体422向电子设备100的外部辐射信号。

可以理解的是，当射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422时，第一辐射体421与第二辐射体422可以产生一种谐振模式：对流模式，也即共模模式。或者，第一辐射体421与第二辐射体422可以产生多种谐振模式，例如对流模式和差模模式。换言之，本实施例的辐射体42可以产生对流模式。可以理解的是，因为对流模式的比吸收系数(specificabsorption rate，SAR)较低，所以第一辐射体421和第二辐射体422所辐射的信号对用户的影响较小，从而使得具有天线40的电子设备100可以较大程度地满足用户的需求。

具体的，下文将结合相关附图具体介绍第一辐射体421与第二辐射体422具体结构，以及在该结构下产生对流模式的原理。

第一种实现方式，请再次参阅图3a，天线40还包括第一弹片43与第二弹片44。第一弹片43与第二弹片44均可以固定于电路板30。第一弹片43用于将射频收发电路41发射的射频信号馈入第一辐射体421。第二弹片44用于使第一辐射体421接地。在这种情况下，第一弹片43与第一辐射体421的接触点可以为馈电点B。第二弹片44与第一辐射体421的接触点为接地点A。在本实现方式中，馈电点B不仅限于下文附图3a所示意的位置，馈电点B也可以位于第一辐射体421上的任一位置。接地点A的位置将在下文具体限制。这里不再赘述。在其他实现方式中，射频收发电路41发射的射频信号也可以通过连接器馈入第一辐射体421。此外，第一辐射体421也可以通过连接器接地。

如图4所示，图4是图1所示的电子设备100的部分结构示意图。图4示意了当电子设备100去掉后盖11时，第二辐射体422与支架50上的第一辐射体421之间的位置关系。第一辐射体421与第二辐射体422之间的位置不仅限于附图4所示意的部分第二辐射体422与第一辐射体421相对设置，部分第二辐射体422与第一辐射体421未相对设置。

如图5a及图5b所示，图5a是图4所示的电子设备的辐射体的一种实施方式的结构示意图。图5b是图5a所示的辐射体的侧视图。

第一辐射体421包括第一馈电枝节4211。第一馈电枝节4211呈条型状。

第二辐射体422包括第一枝节4221、第二枝节4222、第三枝节4911。第一枝节4221包括首端42211以及末端42212。第三枝节4911包括首端49111以及末端49112。第二枝节4222的一端连接于第一枝节4221的首端42211与末端42212之间，另一端连接于第三枝节4911的首端49111与末端49112之间。第一枝节4221的首端42211与末端42212位于第二枝节4222的两侧。第三枝节4911的首端49111与末端49112位于第二枝节4222的两侧。可以理解的是，第二枝节4222的两侧可以理解为第二枝节4222本身的两侧，也可以理解为在第二枝节4222的延伸方向上的两侧。

此外，第一枝节4221与第一馈电枝节4211间隔且相对设置。第二枝节4222的一部分与第一馈电枝节4211间隔且相对设置，另一部分与第一馈电枝节4211间隔但未相对设置。第三枝节4911与第一馈电枝节4211间隔但未相对设置。

此外，第一枝节4221具有背向第二枝节4222的基准面5。基准面5在第一馈电枝节4211的所在平面P的投影为第一投影b。附图5a示意了第一投影b为一条线条。第一投影b位于第一馈电枝节4211内。换言之，当第一投影b位于第一馈电枝节4211内时，第二辐射体422靠近第一馈电枝节4211设置。在其他实施方式中，基准面5也可以为弧面，第一投影b可以是一弧线，也可以是一区域。

请参阅图5c,图5c是图5a所示的辐射体42的俯视图。

第一馈电枝节4211包括第一端面1及远离第一端面1设置的第二端面2。第一端面1的中点至接地点A的距离为第五值d5。第二端面2的中点至接地点A的距离为第六值d6。第五值d5与第六值d6的比值在0.3至3的范围内。换言之，第一馈电枝节4211为准对称或者对称结构。本实现方式的第五值d5与第六值d6的比值为1。在其他实现方式中，第五值d5与第六值d6的比值也可以为0.3、0.8、1.2、2.3或者2.9。

此外，第三枝节4911包括第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224。第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224均呈条型状。第一分叉枝节4223的首端42231连接于第二分叉枝节4224的首端42241。第一分叉枝节4223朝远离基准面5的方向延伸。第二分叉枝节4224朝远离基准面5的方向延伸。此外，附图5c示意了第一分叉枝节与第二分叉枝节的夹角a为165°。在其他实施方式中，a满足0°＜a≤180°，也即a可以为10°、20°、33°、73°、122°、155°或者180°。

此外，第一分叉枝节4223的末端端面3至基准面5的中心距离为第一值d1。可以理解的是，中心距离指的是末端端面3的中心与基准面5的中心的距离。第二分叉枝节4224的末端端面4至基准面5的中心距离为第二值d2。此时，第一值d1与第二值d2的比值在0.5至2的范围内。换言之，第二辐射体422为准对称或者对称结构。本实现方式的第一值d1与第二值d2的比值为1。在其他实现方式中，第一值d1与第二值d2的比值也可以为0.8、1.22、1.5或者2。

请参阅图6，图6是图5a所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数(也即回波损耗)与频率的关系图。当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。第一辐射体421与第二辐射体422在0至6GHz可以产生两个谐振频率。附图6示意了第一辐射体421与第二辐射体422产生的两个谐振频率分别为f1及f2。可以理解的是，本实现方式是以频段0至6GHz为例进行描述。当然，在其他实现方式中，在其他频段(例如：6GHz至8GHz，或者8GHz至11GHz)，第一辐射体421与第二辐射体422也可以产生的两个谐振频率分别为f1及f2。此外，下文各个实现方式中也均是以频段0至6GHz为例进行描述。可以理解的是，下文各个实现方式在其他频段也同样适用。具体的本申请不做限制。

以下结合图7和图8来具体描述一下谐振频率f1及f2均为对流模式的谐振频率。图7是图5a所示的辐射体42在频率为f1的射频信号下的电流的流向示意图。图8是图5a所示的辐射体42在频率为f2的射频信号下的电流的流向示意图。

请参阅图7，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，在频率为f1处，第一馈电枝节4211具有自第一端面1向接地点A流动的第一电流，以及自第二端面2向接地点A的方向流动的第二电流。附图7通过带有箭头的实线示意了第一电流和第二电流。

此外，当第二辐射体422靠近第一馈电枝节4211设置时，第一馈电枝节4211与第二辐射体422可以实现强耦合。此外，因为第二辐射体422为准对称或者对称结构，所以第二辐射体422具有自第一分叉枝节4223的末端端面3向第二枝节4222流动的第三电流，以及第二分叉枝节4224的末端端面4向第二枝节4222的方向流动的第四电流。附图7通过带有箭头的虚线示意了第三电流以及第四电流。

故而，通过第一馈电枝节4211与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f1处，第一馈电枝节4211与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f1为对流模式的谐振频率，也即附图6中所示意的第一个谐振频率f1。

此外，通过测量第一电流、第二电流、第三电流以及第四电流的强度可知，第一电流和第二电流的强度大于第三电流以及第四电流的强度，也即第一馈电枝节4211上的电流强度大于第二辐射体422上电流的强度。故而，谐振频率f1主要为第一馈电枝节4211所产生的谐振频率。

请参阅图8，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，在频率为f2处，第一馈电枝节4211具有自第一端面1向接地点A流动的第一电流，以及自第二端面2向接地点A的方向流动的第二电流。附图7通过带有箭头的实线示意了第一电流和第二电流。

此外，当第二辐射体422靠近第一辐射体421设置时，第一馈电枝节4211与第二辐射体422可以实现强耦合。此外。因为第二辐射体422为准对称或者对称结构，所以第二辐射体422具有自第一枝节4221的首端42211向第一分叉枝节4223的末端端面3流动的第三电流，以及第一枝节4221的末端42212向第二分叉枝节4224的末端端面4流动的第四电流。附图8通过带有箭头的虚线示意了第三电流以及第四电流。

故而，通过第一馈电枝节4211与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f2处，第一馈电枝节4211与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式，此外，频率f2为对流模式的谐振频率，也即附图6中所示意的第一个谐振频率f2。

此外，通过测量第一电流、第二电流、第三电流以及第四电流的强度可知，第三电流和第四电流的强度大于第一电流以及第二电流的强度，也即第一馈电枝节4211上的电流强度小于第二辐射体422上电流的强度。故而，谐振频率f2主要为第二辐射体422所产生的谐振频率。

通过上文并结合附图7及图8可知，附图6所示意的两个谐振频率均为对流模式的谐振频率。换言之，本实现方式的第一辐射体421与第二辐射体422能够产生两个对流模式。

在本实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422接收频段在0至6GHz的射频信号时，第一辐射体421与第二辐射体422可以在该频段内产生两个对流模式的谐振频率。天线40的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在第一辐射体421与第二辐射体422辐射信号时，信号对用户影响较小。

此外，因为第一辐射体421与第二辐射体422在0至6GHz内可以产生数量大于一个的对流模式，所以在0至6GHz频段内，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。换言之，对流模式较多，设置在谐振频率附近的工作频段也较广。

在本实施方式中，第一辐射体421与第二辐射体422产生的两个谐振频率f1及f2可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1可以为4GHz。f2可以为4.6GHz。可以理解的是，两个谐振频率f1及f2的大小与第一馈电枝节4211的长度、第二枝节4222的长度、第一枝节4211的长度、第一分叉枝节4223的长度、第二分叉枝节4224的长度、馈电点B的位置或者第一辐射体421及第二辐射体422的所在外部环境(例如，第一辐射体421与第二辐射体422的固定位置)等因素是相关的。换言之，通过改变第一馈电枝节4211的长度、第二枝节4222的长度、第一枝节4211的长度、第一分叉枝节4223的长度、第二分叉枝节4224的长度、馈电点B的位置或者第一辐射体421及第二辐射体422的所在外部环境等因素，可以改变f1及f2的值。

例如，在相同条件下，将第一馈电枝节4211的长度从30毫米改变为28毫米时，第一谐振频率f1可以从4GHz改变至4.1GHz。

再例如，在相同条件下，将第一值d1与第二值d2的比值从1改变为2时，第二个谐振频率从4.6GHz改变为4.5GHz。

在其他实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422可以产生差模模式时，通过改变第一馈电枝节4211的长度、第二枝节4222的长度、第一枝节4211的长度、第一分叉枝节4223的长度、第二分叉枝节4224的长度、第五值d5与第六值d6的比值、第一值d1与第二值d2的比值、馈电点B的位置或者第一辐射体421及第二辐射体422的所在外部环境等因素来也可以相应地改变差模模式的谐振频率。

在其他实现方式中，请参阅图9，图9是本申请实施例提供的辐射体42的另一种实现方式的结构示意图。第一分叉枝节4223的形状为弧状。第二分叉枝节4224的形状为条型。此时，第一枝节4221、第二枝节4222、第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224形成大致呈“工”型的形状。可以理解的是，本实现方式中的第一馈电枝节4211与第二辐射体422也可以产生两个对流模式。第一馈电枝节4211与第二辐射体422产生两个对流模式的原理与第一种实现方式产生的两个对流模式的原理相同，具体这里不再赘述。此外，在其他实现方式中，第一分叉枝节4223的形状与第二分叉枝节4224的形状也可以相互对调。

第二种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：

如图10所示，图10是本申请实施例提供的辐射体的另一种实现方式的结构示意图。第二辐射体422还包括第四枝节4225、第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227。第四枝节4225、第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227位于第一枝节4221背离第二枝节4222的一侧。第三分叉枝节4226的首端42261连接于第四分叉枝节4227的首端42271。此外，第四枝节4225的一端连接于第三分叉枝节4226的首端42261与第四分叉枝节4227的首端42271，另一端连接于基准面5。第三分叉枝节4226的末端42262与第四分叉枝节4227的末端42272位于第四枝节4225的两侧。第三分叉枝节4226向远离基准面5的方向延伸。第四分叉枝节4227向远离基准面5的方向延伸。第二辐射体422呈“王”字型，或者大致呈“王”字型。

第四枝节4225的两侧可以理解为第四枝节4225本身的两侧，也可以理解为第四枝节4225的延伸方向上的两侧。

一种实施方式中，第三分叉枝节4226与第四分叉枝节4227呈条状。第三分叉枝节4226与第四分叉枝节4227的夹角大小也与第一种实现方式中第一分叉枝节4223与第二分叉枝节4224的夹角a相同。

此外，第三分叉枝节4226的末端端面42263与基准面5的中心距离为第三值d3。第四分叉枝节4227的末端端面42273与基准面5的中心距离为第四值d4。第三值d3与第四值d4的比值可以在0.5至2的范围内。换言之，当第二辐射体422还包括第四枝节4225、第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227时，第二辐射体422依然为准对称或者对称结构。在本实现方式中，第三值d3与第四值d4的比值为1。在其他实现方式中，第三值d3与第四值d4的比值也可以为0.8、1.22、1.5或者2。

请参阅图11，并结合附图10所示，图11是图10所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图。当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，第一馈电枝节4211与第二辐射体422在该频段内产生三个谐振频率。附图11示意了第一馈电枝节4211与第二辐射体422产生的三个谐振频率分别为f1、f2及f3。

可以理解的是，第一个谐振频率f1和第二个谐振频率f2的形成原理与第一种实现方式的第一个谐振频率f1和第二个谐振频率f2的形成原理相同。这里不再赘述。此外，第三个谐振频率f3主要为第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227所产生。

具体的，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，在频率为f3处，第二辐射体422具有自第一枝节4221的首端42211向第三分叉枝节4226的末端端面42263流动的电流，以及第一枝节4221的末端42212向第四分叉枝节4227的末端端面42273流动的电流。通过第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227上电流分布可以确认，第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f3为对流模式的谐振频率，也即附图11所示意的第三个谐振频率f3。

可以理解的是，第一辐射体421与第二辐射体422所产生的三个谐振频率f1、f2及f3可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1、f2及f3分别为4GHz、4.6GHz及5GHz。

此外，当第四枝节4225的长度、第三分叉枝节4226的长度、第四分叉枝节4227的长度或者第三值d3与第四值d4的比值发生改变时，第三个谐振频率f3也会发生改变。例如，在相同条件下，当第三值d3与第四值d4的比值从1改变到2时，第三个谐振频率f3可以从5GHz改变为5.1GHz。

在本实现方式中，通过在第一枝节4221背离第二枝节4222的一侧连接第四枝节4225、第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227，从而利用第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227产生第三个对流模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422产生的对流模式的数量增加至三个。此时，在0至6GHz频段内，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。换言之，天线的工作频段可以为三个对流模式对应的谐振频率，例如，工作频段为3.8GHz至4.2GHz、4.4GHz至4.8GHz以及4.8GHz至5.2GHz。

第三种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：如图12所示，图12是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第二辐射体422还包括第四枝节4225、第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227。第四枝节4225、第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227均位于第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224背离第二枝节4222的一侧。第三分叉枝节4226的首端42261连接于第四分叉枝节4227的首端42271。第四枝节4225的一端连接于第三分叉枝节4226的首端42261与第四分叉枝节4227的首端42271，另一端连接于第一分叉枝节4223的首端42231及第二分叉枝节4224的首端42241。第三分叉枝节4226的末端42262与第四分叉枝节4227的末端42272位于第四枝节4225的两侧。第三分叉枝节4226向远离基准面5的方向延伸。第四分叉枝节4227向远离基准面5的方向延伸。第二辐射体422呈“王”字型，或者大致呈“王”字型。

第四枝节4225的两侧可以理解为第四枝节4225本身的两侧，也可以理解为第四枝节4225的延伸方向上的两侧。

一种实施方式中，第三分叉枝节4226与第四分叉枝节4227呈条状。第三分叉枝节4226与第四分叉枝节4227的夹角大小也与第一种实现方式中第一分叉枝节4223与第二分叉枝节4224的夹角a相同。

此外，第三分叉枝节4226的末端端面42263与基准面5的中心距离为第三值d3。第四分叉枝节4227的末端端面42273与基准面5的中心距离为第四值d4。第三值d3与第四值d4的比值在0.5至2的范围内。换言之，当第二辐射体422还包括第四枝节4225、第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227时，第二辐射体422依然为准对称或者对称结构。在本实现方式中，第三值d3与第四值d4的比值为1。在其他实现方式中，第三值d3与第四值d4的比值也可以为0.8、1.22、1.5或者2。

可以理解的是，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内将产生三个谐振频率，三个谐振频率分别为f1、f2及f3。其中，该三个谐振模式也均为对流模式。此外，第一个谐振频率f1和第二个谐振频率f2的形成原理与第一种实现方式的第一个谐振频率f1和第二个谐振频率f2的形成原理相同。这里不再赘述。此外，第三个谐振频率f3主要为第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227所产生。

具体的，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，在频率为f3处，第二辐射体422具有自第四枝节4225向第三分叉枝节4226的末端端面42263流动的电流，以及第四枝节4225向第四分叉枝节4227的末端端面42273流动的电流。通过第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227上电流分布可以确认，第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f3为对流模式的谐振频率。

可以理解的是，第一辐射体421与第二辐射体422所产生的三个谐振频率f1、f2及f3可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1、f2及f3分别为4GHz、4.6GHz及5GHz。

此外，当第四枝节4225的长度、第三分叉枝节4226的长度、第四分叉枝节4227的长度或者第三值d3与第四值d4的比值发生改变时，第三个谐振频率f3也会发生改变。例如，在相同条件下，当第三值d3与第四值d4的比值从1改变到2时，第三个谐振频率f3可以从5GHz改变为5.1GHz。

在本实现方式中，通过在第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224背离第二枝节4222的一侧连接第四枝节4225、第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227，从而利用第三分叉枝节4226及第四分叉枝节4227上的电流产生第三个对流模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422产生的对流模式的数量增加至三个。此时，在0至6GHz频段内，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。换言之，天线的工作频段可以为三个对流模式的谐振频率，例如，工作频段为3.8GHz至4.2GHz、4.4GHz至4.8GHz以及4.8GHz至5.2GHz。

第四种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：请参阅图13及图14，图14是图13所示的辐射体的俯视图。基准面5在第一馈电枝节4211的所在平面的第一投影b与第一馈电枝节4211的最短距离L在0至3毫米的范围内。换言之，第一馈电枝节4211靠近第二辐射体422设置。本实现方式的最短距离L为1毫米。在其他实现方式中，最短距离L可以为0毫米、0.2毫米、0.75毫米、1.3毫米或者2.6毫米。

请参阅图15，图15是图14所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图。当频率在0至6GHz的射频信号馈电至第一辐射体421及第二辐射体422时，第一辐射体421及第二辐射体422在该频段内将产生两个谐振模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内可以产生两个谐振频率。附图15示意了第一辐射体421与第二辐射体422产生的两个谐振频率分别为f1及f2。可以理解的是，本实现方式的两个对流模式的形成原理与第一种实现方式的第一个对流模式和第二个对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

在本实施方式中，第一辐射体421与第二辐射体422产生的两个谐振频率f1及f2可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1可以为4GHz。f2可以为4.6GHz。此外，当馈电点B的位置或者第一辐射体421及第二辐射体422的所在外部环境(例如，第一辐射体421与第二辐射体422的固定位置)发生改变时，第一辐射体421与第二辐射体422产生的两个谐振频率f1及f2也会发生改变，也即两个谐振频率f1及f2可以为其他值。

例如，在相同的条件下，当最短距离L从1毫米改变为1.2毫米时，第一辐射体421与第二辐射体422产生的第二个谐振频率f2改变为4.6GHz改变4.7GHz。

在本实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422接收频段在0至6GHz的射频信号时，第一辐射体421与第二辐射体422可以在该频段内产生对流模式。天线40的工作频段可以设置在对流模式的谐振频率的周围，从而在第一辐射体421与第二辐射体422辐射信号时，第一辐射体421与第二辐射体422辐射的信号对用户的影响较小。

在其他实现方式中，第二辐射体422的结构并不限于附图13及附图14所示意的结构。第二辐射体422的结构还可以是第一种实现方式至第三种实现方式中的任一种结构。具体的本实现方式不做限制。

第五种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：如图16所示，图16是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第一辐射体421还包括连接枝节4212及第二馈电枝节4213。第二馈电枝节4213包括第一末端42131及远离第一末端42131设置的第二末端42132。连接枝节4212的一端连接在第一馈电枝节4211的第一端面1与所述第二端面2之间，另一端连接在第一末端42131与第二末端42132之间。此外，第一末端42131与第二末端42132位于连接枝节4212的两侧。

可以理解的是，连接枝节4212的两侧可以理解为连接枝节4212本身的两侧，也可以理解为在连接枝节4212的延伸方向上的两侧。

一种实现方式中，第一馈电枝节4211、连接枝节4212及第二馈电枝节4213的形状均呈条型。此时，第一辐射体421呈“工”字型，或者大致呈“工”字型。当然，在其他实现方式中，连接枝节4212与第二馈电枝节4213的形状也可以为其他形状。例如，第二馈电枝节4213为弧状。本申请不做具体的限制。

此外，第一末端42131的端面42133的中心与接地点A的距离为第七值d7。第二末端42132的端面42134的中心与接地点A的距离为第八值d8。第七值d7与第八值d8的比值在0.3至3的范围内。在本实现方式中，第七值d7与第八值d8的比值为1。在其他实现方式中，第七值d7与第八值d8的比值也可以为0.5、0.6、2或者2.5。

可以理解的是，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内将产生三个谐振频率，三个谐振频率分别为f1、f2及f3。其中，该三个谐振模式也均为对流模式。此外，第一个谐振频率f1和第二个谐振频率f2的形成原理与第一种实现方式的第一个谐振频率f1和第二个谐振频率f2的形成原理相同。这里不再赘述。第三个谐振频率f3主要为第二馈电枝节4213所产生。

具体的，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，在频率为f3处，第二馈电枝节4213具有自连接枝节4212向第二馈电枝节4213的两端面流动的电流。通过第二馈电枝节4213上电流分布可以确认，第二馈电枝节4213所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f3为对流模式的谐振频率。

可以理解的是，第二馈电枝节4213所产生的第三个谐振频f3可以为0至6GHz频段内的任意值。例如，f3为5GHz。此外，当第二馈电枝节4213的长度、连接枝节4212的长度以及第七值d7与第八值d8的比值发生改变时，第三个对流模式的谐振频率f3也会发生改变，也即第三个对流模式的谐振频率也可以为其他值。

在本实现方式中，通过在第一馈电枝节4211的一侧设置连接枝节4212及第二馈电枝节4213，从而利用连接枝节4212及第二馈电枝节4213上的电流产生第三个对流模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422产生的对流模式的数量增加至三个。此时，在0至6GHz频段内，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。换言之，天线的工作频段可以为三个对流模式的谐振频率的所在周围频段设置。

在其他实现方式中，第二辐射体422的结构不仅限于图16所示的结构。第二辐射体422也可以是第二种实现方式至第三种实现方式中的任一种结构。具体的这里不再赘述。

第六种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：如图17所示，图17是图1所示的电子设备100在M-M线处的另一种实现方式的剖面示意图。辐射体42还包括第三辐射体423。第三辐射体423位于第二辐射体422背离第一辐射体421的一侧。

在本实现方式中，通过LDS在后盖11背离收容空间13的表面形成第三辐射体423，也即第三辐射体423形成于后盖11的外表面。此外，由第一种实现方式可知，第一辐射体421形成于支架50的第一表面55。第二辐射体422形成于后盖11的第二表面115。此时，也即第一辐射体421、第二辐射体422与第三辐射体423位于不同层。当然，第三辐射体423也可以通过其他方式形成。例如通过在后盖11背离收容空间13的表面形成导电材料(例如金、银或铜等金属材料或者石墨烯)，该导电材料形成第三辐射体423。

请参阅图18，图18是图17所示的电子设备100的辐射体42的结构示意图。第三辐射体423包括第五分叉枝节4231及第六分叉枝节4232。第五分叉枝节4231的首端42311及第六分叉枝节4232的首端42321彼此连接。第五分叉枝节4231朝远离第六分叉枝节4232的首端42321的方向延伸。第六分叉枝节4232朝远离第五分叉枝节4231的首端42311的方向延伸。

此外，第三辐射体423在第一辐射体421的投影部分位于第一辐射体421内。在其他实施方式中，第三辐射体423在第一辐射体421的投影也可以全部位于第一辐射体421内。

此外，第五分叉枝节4231的首端端面42313与末端端面42314的中心距离为第九值d9。第六分叉枝节4232的首端端面42323与末端端面42324的中心距离为第十值d10。第九值d9与第十值d10的比值在0.5至2的范围内。换言之，第三辐射体423为准对称或者对称结构。在本实现方式中，第九值d9与第十值d10的比值为1。在其他实现方式中，第九值d9与第十值d10的比值也可以为0.8、1.22、1.5或者2。

请参阅图19，图19是图18所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图。当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，射频信号传输至第一馈电枝节4211、第二辐射体422及第三辐射体423。此时，第一馈电枝节4211、第二辐射体422及第三辐射体423在该频段内产生三个谐振频率。附图19示意了第一馈电枝节4211、第二辐射体422及第三辐射体423产生的三个谐振频率分别为f1、f2及f3。

可以理解的是，第一个谐振频率f1和第二个谐振频率f2的形成原理与第一种实现方式的第一个谐振频率f1和第二个谐振频率f2的形成原理相同。这里不再赘述。此外，第三个谐振频率f3主要为第三辐射体423产生的谐振模式。

具体的，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一馈电枝节4211、第二辐射体422及第三辐射体423。此时，在频率为f3处，第三辐射体423具有自第五分叉枝节4231的首端42311流至末端42312，以及第六分叉枝节4232的首端42321流至末端42322的电流。通过第三辐射体423上的电流分布可以确认，第三辐射体423所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f3为对流模式的谐振频率，也即附图19所示意的第三个谐振频率f3。

可以理解的是，第一馈电枝节4211、第二辐射体422及第三辐射体423所产生的三个谐振频率f1、f2及f3可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1、f2及f3分别为4GHz、4.6GHz及5GHz。

此外，当第五分叉枝节4231的长度、第六分叉枝节4232的长度或者第九值d9与第十值d10的比值发生改变时，第三个谐振频率f3也会发生改变。例如，在相同条件下，当第三值d3与第四值d4的比值从1改变到2时，第三个谐振频率f3可以从5GHz改变为5.1GHz。

在本实现方式中，通过在第二辐射体422背离第一辐射体421的一侧设置第三辐射体423，从而利用第三辐射体423上的电流产生第三个对流模式，也即第一辐射体421、第二辐射体422与第三辐射体423产生的对流模式的数量增加至三个。此时，在0至6GHz频段内，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。换言之，天线的工作频段可以为三个对流模式的谐振频率的所在周围频段，例如，工作频段为3.8GHz至4.2GHz、4.4GHz至4.8GHz以及4.8GHz至5.2GHz。

在其他实现方式中，第一辐射体421的结构并不限于附图18所示意的结构。第一辐射体421的结构还可以是第五种实现方式的第一辐射体421的结构。此外，第二辐射体422的结构并不限于附图18所示意的结构。第二辐射体422的结构还可以是第二种实现方式至第三种实现方式中的任一种结构。具体的本实现方式不做限制。

在其他实现方式中，第三辐射体423也可以为多枝节结构，例如，第三辐射体423的形状为“工”字型或者“王”字型。

在其他实现方式中，如图20a所示，图20a是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第三辐射体423在第一辐射体421的投影与第一辐射体421之间的最短距离L在0至3毫米的范围内。例如，L可以为0毫米、0.2毫米、0.75毫米、1.3毫米或者2.6毫米。

在本实现方式中，第一辐射体421、第二辐射体422及第三辐射体423也可以产生三个对流模式。可以理解的是，本实现方式的三个对流模式的形成原理与第六种实现方式的三个对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

在其他实现方式中，如图20b所示，图20b是图1所示的电子设备100在M-M线处的再一种实现方式的剖面示意图。辐射体42还可以包括第四连接枝节424。第四连接枝节424连接在第三辐射体423与第二辐射体422之间。一种实现方式中，可以通过在后盖11开设通孔111。通孔111贯穿后盖11的内表面和外表面。第四连接枝节424位于通孔111内。此时，因为第三辐射体423形成在后盖11的外表面，第二辐射体422形成在后盖11的内表面，所以第四连接枝节424便可以将第三辐射体423连接至第二辐射体422上。

第七种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：如图21所示，图21是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第一辐射体421具有馈电点B，未具有接地点A。

本实现方式的第五值d5和第六值d6与第一种实现方式的第五值d5和第六值d6的定义不同。具体的，第一端面1的中心与第一馈电枝节4211的馈电点B的距离为第五值d5。第二端面2的中心与馈电点B的距离为第六值d6。第五值d5与第六值d6的比值在0.3至3的范围内。此时，第一辐射体421也为准对称或者对称结构。本实现方式的第五值d5与第六值d6的比值为1。在其他实现方式中，第五值d5与第六值d6的比值也可以为0.3、0.8、1.2、2.3或者2.9。

可以理解的是，当频率在0至6GHz的射频信号馈电至第一馈电枝节4211及第二辐射体422时，第一馈电枝节4211及第二辐射体422在该频段内将产生两个谐振模式，也即第一馈电枝节4211与第二辐射体422在该频段内可以产生两个谐振频率，两个谐振频率分别为f1及f2。

此时，在频率为f1处，第一馈电枝节4211具有自第一端面1向馈电点B流动的第一电流，以及自第二端面2向馈电点B的方向流动的第二电流。此外，第二辐射体422上的电流分布与第一种实施方式的第二辐射体422的电流分布相同。故而，通过第一馈电枝节4211与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f1处，第一馈电枝节4211与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f1为对流模式的谐振频率。

此外，在频率为f2处，第一馈电枝节4211具有自第一端面1向馈电点B流动的第一电流，以及自第二端面2向馈电点B的方向流动的第二电流。此外，第二辐射体422上的电流分布与第一种实施方式的第二辐射体422的电流分布相同。故而，通过第一馈电枝节4211与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f2处，第一馈电枝节4211与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式，此外，频率f2为对流模式的谐振频率。

可以理解的是，第一辐射体421的结构并不限于附图21所示意的结构。第一辐射体421的结构还可以是第五种实现方式中的第一辐射体421的结构。此外，第二辐射体422的结构并不限于附图21所示意的结构。第二辐射体422的结构还可以是第二种实现方式至第三种实现方式中的任一种结构。具体的这里不再赘述。当然，在其他实现方式中，辐射体42也可以包括有第三辐射体423。第三辐射体423设置方式可参考第六种实现方式，具体这里不再赘述。在其他实施方式中，第一辐射体421与第二辐射体422的位置关系也可参考第四中实现方式。具体这里不再赘述。

第八种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：请参阅图22，图22是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第一辐射体421可以为倒F天线(Inverted-F Antenna，IFA)，或者也可以为复合左右手天线(compositeright/left handed antenna，CRLH)。

请参阅图23，图23是图22所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图。当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内将产生三个谐振模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内可以产生三个谐振频率。附图23示意了第一辐射体421与第二辐射体422产生的谐振频率分别为f1、f2及f3。此外，通过观察频率分别为f1、f2及f3上的第一辐射体421与第二辐射体422的电流分布，可以确认第一个谐振模式可以为四分之一模式、第二个谐振模式为对流模式以及第三个谐振模式为差模模式。

可以理解的是，本实施方式的对流模式的形成原理与第一种实现方式的第二个对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

可以理解的是，当馈电枝节4211的长度、第一枝节4211的长度、第二枝节4222的长度、第一分叉枝节4223的长度、第二分叉枝节4224的长度、馈电点B的位置发生变化、接地点A的位置发生变化、第二辐射体422与第一辐射体421的相对位置或者第一辐射体421与第二辐射体422的所在外部环境发生改变时，该对流模式的谐振频率也将发生变化。

在本实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422接收频段在0至6GHz的射频信号时，第一辐射体421与第二辐射体422可以在该频段内产生对流模式。此时，天线40的工作频段可以为在对流模式的谐振频率的周围，从而在第一辐射体421与第二辐射体422辐射信号时，第一辐射体421与第二辐射体422辐射的信号对用户的影响较小。

在其他实现方式中，第二辐射体422的结构并不限于附图22所示意的结构。第二辐射体422的结构还可以是第二种实现方式至第三种实现方式中的任一种结构。具体的，这里不再赘述。此外，第一辐射体421与第二辐射体422的位置关系也可以为第四种实现方式所示意的位置。辐射体42也可以包括有第三辐射体423。第三辐射体423设置方式可参考第六种实现方式，具体这里不再赘述。

第九种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：请参阅图24，图24是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第一辐射体421为环形天线(loop antenna)。此时，第一辐射体421的形状呈“匚”型，或者大致呈“匚”型。

可以理解的是，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内将产生三个谐振模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内可以产生三个谐振频率分别为f1、f2及f3。此外，通过观察频率分别为f1、f2及f3上的第一辐射体421与第二辐射体422的电流分布，可以确认第一个谐振模式可以为四分之一模式、第二个谐振模式为对流模式以及第三个谐振模式为差模模式。

可以理解的是，该对流模式的形成原理与第一种实现方式的第二个对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

在本实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422接收频段在0至6GHz的射频信号时，第一辐射体421与第二辐射体422可以在该频段内产生对流模式。此时，天线40的工作频段可以为在对流模式的谐振频率的周围，从而在第一辐射体421与第二辐射体422辐射信号时，第一辐射体421与第二辐射体422辐射的信号对用户的影响较小。

可以理解的是，第二辐射体422的位置不仅限于附图24所示意的正对于第一辐射体421的一个端部，第二辐射体422的位置也可以正对于第一辐射体421的任一位置。

在其他实现方式中，第二辐射体422的结构并不限于附图24所示意的结构。第二辐射体422的结构还可以是第二种实现方式至第三种实现方式中的任一种结构。具体的，这里不再赘述。此外，第一辐射体421与第二辐射体422的位置关系也可以为第四种实现方式所示意的位置。辐射体42也可以包括有第三辐射体423。第三辐射体423设置方式可参考第六种实现方式，具体这里不再赘述。

第十种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：如图25a所示，图25a是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第二辐射体422包括第一枝节4221、第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224。第一分叉枝节4223的首端42231及第二分叉枝节4224的首端42241连接第一枝节4221。第一分叉枝节4223的末端42232与所述第二分叉枝节4224的末端42242位于所述第一枝节4221的两侧。此时，第二辐射体422呈“Y”型，或者大致呈“T”型。

所述第一枝节4221的两侧可以理解为第一枝节4221本身的两侧，也可以理解为在第一枝节4221的延伸方向上的两侧。

此外，第一枝节4221具有背向第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224的基准面5。

此外，基准面5在第一馈电枝节4211投影与第一馈电枝节4211部分重合。在其他实施方式中，基准面5在第一馈电枝节4211投影与第一馈电枝节4211也可以全部重合。

此外，第一分叉枝节4223的末端端面3至基准面5的中心距离为第一值d1。第二分叉枝节4224的末端端面4至基准面5的中心距离为第二值d2。此时，第一值d1与第二值d2的比值在0.5至2的范围内。此时，第二辐射体422为准对称或者对称结构。本实现方式的第一值d1与第二值d2的比值为1。在其他实现方式中，第一值d1与第二值d2的比值也可以为0.8、1.22、1.5或者2。

可以理解的是，当频段在0至6GHz的射频信号馈电至第一馈电枝节4211与第二辐射体422时，第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内将产生两个谐振模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内可以产生两个谐振频率。其中，两个谐振模式均为对流模式。此外，两个对流模式的形成原理与第一种实现方式的第一个对流模式和第二个对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

在其他实施方式中，请参阅图25b，图25b是本申请实施例提供的辐射体的再一种实现方式的结构示意图。基准面5在第一馈电枝节4211投影与第一馈电枝节4211之间的最短距离L在0至3毫米的范围内。本实现方式的最短距离L为1毫米。在其他实现方式中，最短距离L可以为0毫米、0.2毫米、0.75毫米或者1.3毫米。此时，当频率在0至6GHz的射频信号馈电至第一馈电枝节4211与第二辐射体422时，第一馈电枝节4211与第二辐射体422上的电流也可以产生两个对流模式。可以理解的是，第一个对流模式的形成原理与第十种实现方式的第一对流模式的形成原理相同。第二个对流模式的形成原理与第十种实现方式的第二对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

此外，当最短距离L为其他值时，第二个谐振频率f2也会发生改变，也即第二个谐振频率f2可以为其他值。

第十一种实现方式，与第九种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：如图25c所示，图25c是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第二辐射体422包括第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224。第一分叉枝节4223的首端42231及第二分叉枝节4224的首端42241彼此连接。第一分叉枝节4223朝着远离第二分叉枝节4224的首端42241的方向延伸。第二分叉枝节4224朝着远离第一分叉枝节4223的首端42231的方向延伸。

一种实现方式中，第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224均呈条型。此时，第二辐射体422呈“V”型，或者大致呈“V”型。

此外，第二辐射体422在第一辐射体421的投影部分位于第一辐射体421内。在其他实施方式中，第二辐射体422在第一辐射体421的投影全部位于第一辐射体421内。

此外，第一分叉枝节4223的首端端面1与末端端面3的中心距离为第一值d1。第二分叉枝节4224的首端端面2与末端端面4的中心距离为第二值d2。第一值d1与第二值d2的比值在0.5至2的范围内。本实现方式的第一值d1与第二值d2的比值为1。在其他实现方式中，第一值d1与第二值d2的比值也可以为0.8、1.22、1.5或者2。

请参阅图26，图26是图25c所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图。当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。第一辐射体421与第二辐射体422在0至6GHz可以产生两个谐振频率。附图26示意了第一辐射体421与第二辐射体422产生的两个谐振频率分别为f1及f2。

可以理解的是，第一个谐振频率f1的形成原理与第一种实现方式的第一谐振频率f1的形成原理相同。这里不再赘述。此外第二个谐振频率主要为第二辐射体422所产生。

具体的，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，在频率为f2处，第二辐射体422可以产生自第一分叉枝节4223的首端42231流至末端端面3，以及第二分叉枝节4224的首端2流至末端端面4的电流。此外，通过第二辐射体422上电流分布可以确认，第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f2为对流模式的谐振频率，也即附图26所示意的第二个谐振频率f2。

可以理解的是，第一辐射体421与第二辐射体422所产生的两个谐振频率f1及f2可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1及f2分别为4GHz及5GHz。

此外，当第一分叉枝节4223的长度、第二分叉枝节4224的长度或者第一值d1与第二值d2的比值发生改变时，第二个谐振频率f2也会发生改变，也即第二个谐振频率f2为其他值。

在本实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422接收频段在0至6GHz的射频信号时，第一辐射体421与第二辐射体422可以在该频段内产生对流模式。此时，天线40的工作频段可以在对流模式的谐振频率的周围，从而在第一辐射体421与第二辐射体422辐射信号时，第一辐射体421与第二辐射体422辐射的信号对用户的影响较小。

此外，因为第一辐射体421与第二辐射体422在0至6GHz内可以产生数量大于一个的对流模式，所以在0至6GHz频段内，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。因此，天线的工作频段的范围更广。

可以理解的是，第一辐射体421的结构并不限于附图25c所示意的结构。第一辐射体421的结构还可以是第五种实现方式的第一辐射体421的结构。具体的，这里不再赘述。此外，在其他实现方式中，辐射体42也可以包括有第三辐射体423。第三辐射体423设置方式可参考第六种实现方式，具体这里不再赘述。此外，在其他实现方式中，第一辐射体421也可以具有馈电点B，未具有接地点A。此时，第一辐射体421的设置方式可参考第七种实现方式，具体这里不再赘述。

在其他实现方式中，如图27a所示，图27a是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224均呈弧型。此时，当第一分叉枝节4223的首端42231及第二分叉枝节4224的首端42241彼此连接时，第二辐射体422的形状也呈弧型。可以理解的是，当频率在0至6GHz的射频信号馈电至第一辐射体421与第二辐射体422时，第一辐射体421与第二辐射体422上的电流也可以产生两个对流模式。可以理解的是，第一个对流模式的形成原理与第一种实现方式的第一对流模式的形成原理相同。第二个对流模式的形成原理与第十一种实现方式的第二对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

在其他实现方式中，如图27b所示，图27b是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第二辐射体422在第一辐射体421的投影与第一辐射体421之间的最短距离L在0至3毫米的范围内。本实现方式的最短距离L为1毫米。在其他实现方式中，最短距离L可以为0毫米、0.2毫米、0.75毫米或者1.3毫米。此时，当频率在0至6GHz的射频信号馈电至第一辐射体421与第二辐射体422时，第一辐射体421与第二辐射体422上的电流也可以产生两个对流模式。可以理解的是，第一个对流模式的形成原理与第一种实现方式的第一对流模式的形成原理相同。第二个对流模式的形成原理与第十一种实现方式的第二对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

此外，当最短距离L为其他值时，第二个谐振频率f2也会发生改变，也即第二个谐振频率f2可以为其他值。

第十二种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：如图28及图29所示，图28是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。图29是图28所示的辐射体42在另一种角度下的结构示意图。第一辐射体421与第二辐射体422相耦合，也即射频信号可以经第一辐射体421耦合馈电至第二辐射体422。第一辐射体421包括第一端面1及远离第一端面1设置的第二端面2。第二辐射体422包括第三端面3及远离第三端面3设置的第四端面4。第一端面1位于第三端面3与第四端面4之间。第二端面2位于第一端面1与第四端面4之间。

此外，第二辐射体422在所述第一辐射体421的投影为第一投影。所述第一投影与所述第一辐射体421部分重合。在其他实施方式中，第一投影与所述第一辐射体421全部重合，也即第一辐射体421位于第一投影内。

此外，第一端面1与第三端面3的中心距离为第一值d1。第二端面2与第四端面4的中心距离为第二值d2。第一值d1与第二值d2的比值在0.5至2的范围内。本实现方式的第一值d1与第二值d2的比值为1。在其他实现方式中，第一值d1与第二值d2的比值也可以为0.8、1.22、1.5或者2。

如图30a所示，图30a是图28所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图。当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内将产生一个谐振模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内可以产生一个谐振频率。附图30a示意了第一辐射体421与第二辐射体422产生的谐振频率为f1。

可以理解的是，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，在频率为f1处，第二辐射体422可以产生自第三端面3及第四端面4向第二辐射体422的中部流动的电流。故而，通过第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f1处，第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f1为对流模式的谐振频率，也即附图30a中所示意的谐振频率f1。

在本实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422接收频段在0至6GHz的射频信号时，第二辐射体422可以在该频段内产生对流模式。此时，天线40的工作频段可以为对流模式的谐振频率，从而在第二辐射体422辐射信号时，第一辐射体421与第二辐射体422辐射的信号对用户的影响较小。

可以理解的是，谐振频率为f1可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1为5GHz。此外，当第一值d1与第二值d2的比值为其他值时，谐振频率为f1也会发生改变。

在其他实现方式中，辐射体42也可以包括有第三辐射体423。第三辐射体423设置方式可参考第六种实现方式，具体这里不再赘述。此外，在其他实现方式中，第一辐射体421也可以具有馈电点B，未具有接地点A。此时，第一辐射体421的设置方式可参考第七种实现方式，具体这里不再赘述。

在其他实现方式中，如图30b所示，图30b是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第二辐射体422在所述第一辐射体421的投影与第一馈电枝节4211的最短距离在0至3毫米的范围内。本实现方式的最短距离L为1毫米。在其他实现方式中，最短距离L可以为0毫米、0.2毫米、0.75毫米或者1.3毫米。此时，当频率在0至6GHz的射频信号馈电至第一辐射体421与第二辐射体422时，第一辐射体421与第二辐射体422上的电流也可以产生一个对流模式。可以理解的是，该对流模式的形成原理与第十二种实现方式的对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

在本实施方式中，第一辐射体421与第二辐射体422产生的谐振频率f1可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1可以为4GHz。此外，谐振频率f1的具体大小与最短距离L以及第二辐射体422的长度相关。

第十三种实现方式，与第一种实现方式大部分相同的技术内容不再赘述：请参阅图31，图31是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第一辐射体421包括第一端面1及远离第一端面1设置的第二端面2。第二辐射体422包括第三端面3及远离第三端面3设置的第四端面4。第三端面3位于第一端面1与第二端面2之间。第四端面4位于第一端面1背离第三端面3的一侧。

第二辐射体422在第一辐射体421的投影与第一辐射体421部分重合。

第一端面1与第二端面2的中心距离为第一值d1。第三端面3与第四端面4的中心距离为第二值d2。第一值d1与第二值d2的比值在0.5至2的范围内。换言之，辐射体42为准对称或者对称结构。本实现方式的第一值d1与第二值d2的比值为1。在其他实现方式中，第一值d1与第二值d2的比值也可以为0.8、1.22、1.5或者2。

请参阅图32及图33a，图32是图31所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图。图33a是图31所示的辐射体42在频率为f1上电流的流向示意图。当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内将产生一个谐振模式，也即第一辐射体421与第二辐射体422在该频段内可以产生一个谐振频率。附图32示意了第一辐射体421与第二辐射体422产生的谐振频率为f1。

可以理解的是，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。此时，在频率为f1处，第一辐射体421可以产生自

第二端面2向第一端面1的方向流动的电流，第二辐射体422可以产生自第四端面4向第三端面3的方向流动的电流。故而，通过第一辐射体421与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f1处，第一辐射体421与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f1为对流模式的谐振频率，也即附图32中所示意的谐振频率f1。

在本实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422接收频段在0至6GHz的射频信号时，第二辐射体422可以在该频段内产生对流模式。此时，天线40的工作频段可以为对流模式的谐振频率，从而在第二辐射体422辐射信号时，第一辐射体421与第二辐射体422辐射的信号对用户影响较小。

可以理解的是，谐振频率为f1可以为0到6GHz中的任意值。例如，f1为5GHz。此外，当第一值d1与第二值d2的比值为其他值时，谐振频率为f1也会发生改变。

在其他实现方式中，辐射体42也可以包括有第三辐射体423。第三辐射体423设置方式可参考第六种实现方式，具体这里不再赘述。此外，在其他实现方式中，第一辐射体421也可以具有馈电点B，未具有接地点A。此时，第一辐射体421的设置方式可参考第七种实现方式，具体这里不再赘述。

在其他实现方式中，如图33b所示，图33b是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第二辐射体422在第一辐射体421的投影与第一辐射体421之间的最短距离在0至3毫米的范围内。本实现方式的最短距离L为1毫米。在其他实现方式中，最短距离L可以为0毫米、0.2毫米、0.75毫米或者1.3毫米。此时，当频率在0至6GHz的射频信号馈电至第一辐射体421与第二辐射体422时，第一辐射体421与第二辐射体422上的电流也可以产生一个对流模式。可以理解的是，该对流模式的形成原理与第十三种实现方式的对流模式的形成原理相同。这里不再赘述。

此外，当最短距离L为其他值时，该谐振频率也会发生改变，也即谐振频率可以为其他值，例如，当最短距离L为1.2毫米时，该谐振频率为4.4GHz。

上文具体介绍了第一种实施例，辐射体42的第一辐射体421形成在支架50朝向后盖11的表面，也即第一表面55。第二辐射体422形成在后盖11朝向收容空间13的表面，也即第二表面115。此时，通过第一辐射体421与第二辐射体422向电子设备100的外部辐射信号。下文将结合相关附图具体描述一下其他几种实施例，也即第一辐射体421与第二辐射体422的几种设置方式。

第二种实施例，与第一种实施例相同的技术内容不再赘述：如图34所示，图34是图1所示的电子设备100在M-M线处的再一种实现方式的剖面示意图。后盖11为绝缘材料。第一辐射体421固定于后盖11朝向收容空间13的表面。一种实现方式中，通过LDS在后盖11朝向收容空间13的表面形成第一辐射体421。当然，其他实现方式也可以通过在后盖11朝向收容空间13的表面粘贴柔性电路板，从而在柔性电路板上形成第一辐射体421。此外，附图34示意了支架50，在其他实现方式中，电子设备100也可以未设置支架50。

一种实现方式中，天线40还包括第一弹片43及第二弹片44。第一弹片43固定于电路板30。第一弹片43用于将射频收发电路41发射的射频信号馈入第一辐射体421。第二弹片44用于使第一辐射体421接地。在其他实现方式中，射频收发电路41发射的射频信号也可以通过连接器馈入第一辐射体421。此外，第二弹片44也可以通过连接器接地。此外，其他实现方式中，第一辐射体421也可以不通过第二弹片44接地，也即第一辐射体421未接地。

此外，第二辐射体422固定于后盖11背离收容空间13的表面，也即第二辐射体422形成于后盖11的外表面。一种实现方式中，通过LDS在后盖11背离收容空间13的表面形成第二辐射体422。当然，其他实现方式也可以通过在后盖11背离收容空间13的表面粘贴柔性电路板，从而在柔性电路板上形成第二辐射体422。

此时，通过将第一辐射体421固定于后盖11朝向收容空间13的表面，第二辐射体422固定于后盖11背离收容空间13的表面，从而使得第二辐射体422与第一辐射体421间隔设置，进而当射频收发电路41发射射频信号时，射频信号通过第一辐射体421馈电至第二辐射体422。此时，第一辐射体421与第二辐射体422根据射频信号分别向电子设备100的外部辐射信号。

第三种实施例，与第一种实施例相同的技术内容不再赘述：如图35所示，图35是图1所示的电子设备在M-M线处的再一种实现方式的剖面示意图。支架50的材质为绝缘材料。第一辐射体421形成于支架50朝向电路板30的表面。一种实现方式中，利用LDS在支架50朝向电路板30的表面上形成第一辐射体421。当然，其他实现方式也可以通过在支架50朝向电路板30的表面上粘接柔性电路板，从而在柔性电路板上形成第一辐射体421。

一种实现方式中，天线还包括第一弹片43及第二弹片44。第一弹片43固定于电路板30。第一弹片43用于将射频收发电路41发射的射频信号馈入第一辐射体421。第二弹片44用于使第一辐射体421接地。在其他实现方式中，射频收发电路41发射的射频信号也可以通过连接器馈入第一辐射体421。此外，第二弹片44也可以通过连接器接地。此外，其他实现方式中，第一辐射体421也可以不通过第二弹片44接地，也即第一辐射体421未接地。

此外，第二辐射体422形成于支架50朝向后盖11的表面。一种实现方式中，利用LDS在支架50朝向后盖11的表面上形成第二辐射体422。当然，其他实现方式也可以通过在支架50朝向后盖11的表面上粘接柔性电路板，从而在柔性电路板上形成第二辐射体422。

此时，通过将第一辐射体421形成于支架50朝向电路板30的表面，第二辐射体422形成于支架50朝向后盖11的表面，从而使得第二辐射体422与第一辐射体421间隔设置，进而当射频收发电路41发射射频信号时，射频信号通过第一辐射体421馈电至第二辐射体422。此时，第一辐射体421与第二辐射体422根据射频信号分别向电子设备100的外部辐射信号。

在其他实施例中，第二辐射体422也可以形成于后盖11朝向收容空间13的表面，或者第二辐射体422也可以形成于后盖11背离收容空间13的表面。

第四种实施例，与第一种实施例相同的技术内容不再赘述：如图36及图37所示，图36是本申请实施例提供的电子设备100的另一种实现方式的结构示意图。图37是图36所示的电子设备100在N-N线的剖面示意图。边框12的材质可以为金属材料。边框12包括相对设置的第一长边框121以及第二长边框122与相对设置的第一短边框123以及第二短边框124。第一短边框123与第二短边框124连接在第一长边框121与第二长边框122之间。一种实现方式中，在边框12的第一长边框121上分别设置有第一天线缝125及第二天线缝126。此时，第一天线缝125和第二天线缝126将部分第一长边框121隔离出一段金属部分。该金属部分形成辐射体42的第一辐射体421。

此外，后盖11的材质可以为绝缘材料。在支架50朝向第一长边框121的表面上形成第二辐射体422。一种实现方式中，利用LDS在支架50朝向第一长边框121的表面上形成第二辐射体422。当然，其他实现方式也可以通过在支架50朝向第一长边框121的表面上粘接柔性电路板，从而在柔性电路板上形成第二辐射体422。

此时，通过将第一辐射体421形成于第一长边框121，第二辐射体422形成于支架50朝向第一长边框121的表面，从而使得第二辐射体422与第一辐射体421间隔设置，进而当射频收发电路41发射射频信号时，射频信号通过第一辐射体421馈电至第二辐射体422。此时，第一辐射体421与第二辐射体422根据射频信号分别向电子设备100的外部辐射信号。

在其他实现方式中，通过在第一天线缝125和第二天线缝126中设置绝缘材料，绝缘材料一方面可以将隔离出的金属部分连接至第一长边框121中未隔离出的金属部分，从而保证第一长边框121的整体性，进而避免电子设备100的外观面因出现凹坑而影响外观，另一方面可以保证隔离出的金属部分与未隔离出的金属部分保持绝缘设置。

在其他实现方式中，第一辐射体421也可以通过下述方式实现。具体的，通过与上述实现方式相同的方式在边框12的第一短边框123、第二短边框124或者第二长边框122隔离出一段金属部分，以形成辐射体42的第一辐射体421。

第五种实施例，与第一种实施例的第一种实现方式相同的技术内容不再赘述：如图38及图39所示，图38是本申请实施例提供的电子设备100的再一种实现方式的部分结构示意图。图39是图38所示的辐射体42的结构示意图。第一辐射体421与第二辐射体422同层设置，且第一辐射体421连接于第二辐射体422。

一种实现方式中，当支架50为框状结构时，支架50罩设在电路板30上，支架50与电路板30围设有空间S。支架50与电路板30的结构具体可参考第一种实现方式的附图3a。第一辐射体421与第二辐射体422形成在支架50的第一表面55。此外，第一辐射体421与第二辐射体422也可以形成在支架50朝向空间S的表面。其他实施例中，第一辐射体421与第二辐射体422也可以形成在后盖11朝向收容空间13的表面，或者第一辐射体421与第二辐射体422也可以同时形成在后盖11背离收容空间13的表面。

此外，第一辐射体421包括第一馈电枝节4211。第一馈电枝节4211呈条型状。

此外，所述第一端面1的中心与所述接地点A的距离为第五值d5。所述第二端面2的中心与所述接地点A的距离为第六值d6。第五值d5与第六值d6的比值在0.3至3的范围内。换言之，第一馈电枝节4211为准对称或者对称结构。

第二辐射体422包括第一枝节4221、第一分叉枝节4223及第二分叉枝节4224。第一分叉枝节4223的首端42231及第二分叉枝节4224的首端42241连接第一枝节4221。第一分叉枝节4223的末端42232与所述第二分叉枝节4224的末端42242位于所述第一枝节4221的两侧。此时，第二辐射体422呈“Y”型，或者大致呈“T”型。

可以理解的是，第一枝节4221的两侧可以理解为第一枝节4221本身的两侧，也可以理解为在第一枝节4221的延伸方向上的两侧。

第一分叉枝节4223的末端端面3与所述接地点A的中心距离为第一值d1，第二分叉枝节4224的末端端面4与所述接地点A的中心距离为第二值d2。所述第一值d1与所述第二值d2的比值在0.3至3的范围内。换言之，第二辐射体422为准对称或者对称结构。请参阅图40，图40是图39所示的辐射体42在频段为0至6GHz的反射系数与频率的关系图。当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一辐射体421与第二辐射体422。第一辐射体421与第二辐射体422在0至6GHz可以产生两个谐振频率。附图40示意了第一辐射体421与第二辐射体422产生的两个谐振频率分别为f1及f2。

以下结合图41和图42来具体描述一下谐振频率f1及f2均为对流模式的谐振频率。图41是图39所示的辐射体在频率为f1的射频信号下的电流的流向示意图。图42是图39所示的辐射体在频率为f2的射频信号下的电流的流向示意图。

请参阅图41，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一馈电枝节4211与第二辐射体422。此时，在频率为f1处，第一馈电枝节4211可以产生自第一端面1与第二端面2同时向接地点A的方向流动的第一电流。

此外，因为第二辐射体422连接于第一馈电枝节4211，所以射频信号能够经第一馈电枝节4211耦合馈电至第二辐射体422。此时，第二辐射体422具有向第一分叉枝节4223的末端端面3与第二分叉枝节4224的末端端面4的方向流动的第二电流。

故而，通过第一馈电枝节4211与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f1处，第一馈电枝节4211与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f1为对流模式的谐振频率，也即附图40中所示意的第一个谐振频率f1。

此外，通过测量第一电流与第二电流的强度可知，第一电流的强度大于第二电流的强度，也即第一馈电枝节4211上的电流强度大于第二辐射体422上电流的强度。故而，谐振频率f1主要为第一馈电枝节4211所产生的谐振频率。

请参阅图42，当射频收发电路41发射频段在0至6GHz的射频信号时，该射频信号传输至第一馈电枝节4211与第二辐射体422。此时，在频率为f2处，第一馈电枝节4211可以产生自第一端面1与第二端面2同时向接地点A的方向流动的第一电流。

此外，因为第二辐射体422连接于第一馈电枝节4211内，所以射频信号经第一馈电枝节4211耦合馈电至第二辐射体422时，第二辐射体422具有向第一分叉枝节4223的末端端面3与第二分叉枝节4224的末端端面4的方向流动的第二电流。

故而，通过第一馈电枝节4211与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f2处，第一馈电枝节4211与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f2为对流模式的谐振频率，也即附图40中所示意的第二个谐振频率f2。

此外，通过测量第一电流与第二电流的强度可知，第一电流的强度小于第二电流的强度，也即第一馈电枝节4211上的电流强度小于第二辐射体422上电流的强度。故而，谐振频率f2主要为第二辐射体422所产生的谐振频率。

在本实现方式中，当第一辐射体421与第二辐射体422接收频段在0至6GHz的射频信号时，第一辐射体421与第二辐射体422可以在该频段内产生两个对流模式的谐振频率。天线40的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在第一辐射体421与第二辐射体422辐射信号时，信号对用户影响较小。

此外，因为第一辐射体421与第二辐射体422在0至6GHz内可以产生数量大于一个的对流模式，所以在0至6GHz频段内，低吸收比率的谐振模式的覆盖频段较广。换言之，对流模式较多，设置在谐振频率附近的工作频段也较广。

通过上文并结合附图41及图42可知，附图40所示意的两个谐振频率均为对流模式的谐振频率。换言之，本实现方式的第一辐射体421与第二辐射体422能够产生两个对流模式。

在本实施方式中，第一辐射体421与第二辐射体422产生的两个谐振频率f1及f2可以为任意值。例如，f1可以为4GHz。f2可以为4.6GHz。可以理解的是，两个谐振频率f1及f2的大小与第一馈电枝节4211的长度、第二辐射体422的长度、馈电点B的位置或者第一辐射体421及第二辐射体422的所在外部环境(例如，第一辐射体421与第二辐射体422的固定位置)等因素是相关的。换言之，通过改变第一馈电枝节4211的长度、第二辐射体422的长度、馈电点B的位置或者第一辐射体421及第二辐射体422的所在外部环境等因素，可以有效地改变f1及f2的值。

例如，在相同条件下，将第一馈电枝节4211的长度从30毫米改变为28毫米时，第一谐振频率f1可以从4GHz改变至4.1GHz。

第六种实施例，与第五种实施例的第一种实现方式相同的技术内容不再赘述：如图43所示，图43是本申请实施例提供的辐射体42的再一种实现方式的结构示意图。第一辐射体421具有馈电点B，未具有接地点A。

本实现方式的第五值d5和第六值d6与第五种实施例的第五值d5和第六值d6的定义不同。具体的，所述第一端面1的中心与所述馈电点B的距离为第五值d5。所述第二端面2的中心与所述馈电点B的距离为第六值d6。第五值d5与第六值d6的比值在0.3至3的范围内。换言之，第一馈电枝节4211为准对称或者对称结构。本实现方式的第五值d5与第六值d6的比值为1。在其他实现方式中，第五值d5与第六值d6的比值也可以为0.3、0.8、1.2、2.3或者2.9。

此外，第一分叉枝节4223的末端端面3与馈电点B的中心距离为第一值d1。第二分叉枝节4224的末端端面4与馈电点B的中心距离为第二值d2。所述第一值d1与所述第二值d2的比值在0.3至3的范围内。换言之，第二辐射体422为准对称或者对称结构。

可以理解的是，当频率在0至6GHz的射频信号馈电至第一馈电枝节4211及第二辐射体422时，第一馈电枝节4211及第二辐射体422在该频段内将产生两个谐振模式，也即第一馈电枝节4211与第二辐射体422在该频段内可以产生两个谐振频率，两个谐振频率分别为f1及f2。

此时，在频率为f1处，第一馈电枝节4211具有自第一端面1向馈电点B流动的第一电流，以及自第二端面2向馈电点B的方向流动的第二电流。此外，第二辐射体422上的电流分布与第五种实施例的第二辐射体422的电流分布相同。故而，通过第一馈电枝节4211与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f1处，第一馈电枝节4211与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式。此外，频率f1为对流模式的谐振频率。

此外，在频率为f2处，第一馈电枝节4211具有自第一端面1向馈电点B流动的第一电流，以及自第二端面2向馈电点B的方向流动的第二电流。此外，第二辐射体422上的电流分布与第五种实施例的第二辐射体422的电流分布相同。故而，通过第一馈电枝节4211与第二辐射体422上电流分布可以确认，在频率为f2处，第一馈电枝节4211与第二辐射体422所产生的谐振模式为对流模式，此外，频率f2为对流模式的谐振频率。

在本实现方式中，当第一馈电枝节4211与第二辐射体422接收射频信号时，第一馈电枝节4211与第二辐射体422可以在该频段内产生对流模式的谐振频率。天线的工作频段设置在对流模式的谐振频率的附近，这样在第一馈电枝节4211与第二辐射体422辐射信号时，信号对用户影响较小。

在本申请技术方案中，根据上文各个实施例以及各个实现方式可以发现，本申请技术方案通过设置第一辐射体421以及第二辐射体422的结构，从而利用第一辐射体42与第二辐射体422来产生具有低吸收比率的对流模式，进而当第一辐射体421与第二辐射体422辐射信号时，信号对用户的影响较小。

以上所述，仅为本申请的具体实现方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (30)

1.一种电子设备，其特征在于，包括第一辐射体及第二辐射体，所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合，所述第一辐射体为条形状或者弯折状，所述第一辐射体具有至少一个开放端，所述第一辐射体与所述第二辐射体用于在射频信号下产生至少一个对流模式；

所述第二辐射体包括第一枝节、第二枝节及第三枝节，所述第二枝节的一端连接于所述第一枝节的首端与末端之间，所述第一枝节的首端与末端分别位于所述第二枝节的两侧，所述第二枝节的另一端连接于所述第三枝节的首端与末端之间，所述第三枝节的首端与所述第三枝节的末端位于所述第二枝节的两侧；

所述第一枝节具有背离所述第二枝节的基准面，所述基准面在所述第一辐射体的投影为第一投影，所述第一投影与所述第一辐射体部分重合或者全部重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内，所述第一辐射体具有接地点或者馈电点，所述接地点或者馈电点与所述第一投影相对设置；

所述第三枝节的首端端面与所述基准面的中心距离为第一值，所述第三枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第二值，所述第一值与所述第二值的比值在0.5至2的范围内。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三枝节包括第一分叉枝节及第二分叉枝节，所述第一分叉枝节背离所述第二分叉枝节的端部为所述第三枝节的首端，所述第二分叉枝节背离所述第一分叉枝节的端部为所述第三枝节的末端；

所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a≤180°。

3.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述第二辐射体还包括第四枝节、第三分叉枝节及第四分叉枝节，所述第四枝节、所述第三分叉枝节及所述第四分叉枝节均位于所述第一枝节背离所述第二枝节的一侧，所述第四枝节的一端连接于所述第三分叉枝节的首端与所述第四分叉枝节的首端，另一端连接于所述基准面，所述第三分叉枝节的末端与所述第四分叉枝节的末端位于所述第四枝节的两侧；

所述第三分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第三值，所述第四分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第四值，所述第三值与所述第四值的比值在0.5至2的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述第二辐射体还包括第四枝节、第三分叉枝节及第四分叉枝节，所述第四枝节、所述第三分叉枝节及所述第四分叉枝节均位于所述第三枝节背离所述第二枝节的一侧，所述第四枝节的一端连接于所述第三枝节的第一分叉枝节的首端与所述第三枝节的第二分叉枝节的首端，另一端连接于所述第三分叉枝节的首端与所述第四分叉枝节的首端，所述第三分叉枝节的末端与所述第四分叉枝节的末端位于所述第四枝节的两侧；

所述第三分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第三值，所述第四分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第四值，所述第三值与所述第四值的比值在0.5至2的范围内。

5.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体包括第一馈电枝节，所述第一馈电枝节具有接地点，所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第一端面的中心与所述接地点距离为第五值，所述第二端面的中心与所述接地点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。

6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体还包括连接枝节及第二馈电枝节，所述第二馈电枝节包括第一末端及远离所述第一末端设置的第二末端，所述连接枝节的一端连接在所述第一馈电枝节的第一端面与所述第二端面之间，另一端连接在所述第一末端与所述第二末端之间，所述第一末端与所述第二末端位于所述连接枝节的两侧；

所述第一末端的端面的中心与所述接地点的距离为第七值，所述第二末端的端面的中心与所述接地点的距离为第八值，所述第七值与所述第八值的比值在0.3至3的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体包括第一馈电枝节，所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第一端面的中心与所述第一馈电枝节的馈电点的距离为第五值，所述第二端面的中心与所述馈电点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。

8.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体为倒F天线、复合左右手天线或者环形天线。

9.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括第三辐射体，所述第三辐射体与所述第一辐射体相耦合；

所述第三辐射体包括第五分叉枝节及第六分叉枝节，所述第五分叉枝节的首端连接于所述第六分叉枝节的首端；

所述第三辐射体在所述第一辐射体的投影为第二投影，所述第二投影部分或者全部位于所述第一辐射体内，或者所述第二投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内；

所述第五分叉枝节的首端端面与末端端面的中心距离为第九值，所述第六分叉枝节的首端端面与末端端面的中心距离为第十值，所述第九值与所述第十值的比值在0.5至2的范围内。

10.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括壳体以及屏幕，所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间，所述壳体包括相背设置的第一表面及第二表面，所述第一表面朝向所述收容空间，所述第一辐射体固定于所述第一表面，所述第二辐射体固定于所述第二表面。

11.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架，所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间，所述电路板位于所述收容空间，所述支架固定于所述电路板，所述第一辐射体固定在所述支架朝向所述收容空间的表面，所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，或者所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

12.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括壳体、屏幕、电路板及支架，所述屏幕安装于所述壳体，所述屏幕与所述壳体围设有收容空间，所述电路板位于所述收容空间，所述支架固定于所述电路板，并与所述电路板围设有一空间，所述第一辐射体固定于所述支架朝向所述空间的表面；

所述第二辐射体固定于所述支架背离所述空间的表面，或者

所述第二辐射体固定于所述壳体朝向所述收容空间的表面，或者

所述第二辐射体固定于所述壳体背离所述收容空间的表面。

13.一种电子设备，其特征在于，包括第一辐射体及第二辐射体，所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合，所述第一辐射体为条形状或者弯折状，所述第一辐射体具有至少一个开放端，所述第一辐射体与所述第二辐射体用于在射频信号下产生至少一个对流模式；

所述第二辐射体包括第一枝节、第一分叉枝节及第二分叉枝节，所述第一枝节的一端连接于所述第一分叉枝节首端与所述第二分叉枝节的首端，所述第一分叉枝节的末端与所述第二分叉枝节的末端位于所述第一枝节的两侧；

所述第一枝节具有背离所述第一分叉枝节及所述第二分叉枝节的基准面，所述基准面在所述第一辐射体的投影为第一投影，所述第一投影与所述第一辐射体部分或者全部重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内，所述第一辐射体具有接地点或者馈电点，所述接地点或者馈电点与所述第一投影相对设置；

所述第一分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第一值，所述第二分叉枝节的末端端面与所述基准面的中心距离为第二值，所述第一值与所述第二值的比值在0.5至2的范围内。

14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a≤180°。

15.根据权利要求13或14所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体包括第一馈电枝节，所述第一馈电枝节具有接地点，所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第一端面的中心与所述接地点距离为第五值，所述第二端面的中心与所述接地点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体还包括连接枝节及第二馈电枝节，所述第二馈电枝节包括第一末端及远离所述第一末端设置的第二末端，所述连接枝节的一端连接在所述第一馈电枝节的第一端面与所述第二端面之间，另一端连接在所述第一末端与所述第二末端之间，所述第一末端与所述第二末端位于所述连接枝节的两侧；

所述第一末端的端面的中心与所述接地点的距离为第七值，所述第二末端的端面的中心与所述接地点的距离为第八值，所述第七值与所述第八值的比值在0.3至3的范围内。

17.根据权利要求13或14所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体包括第一馈电枝节，所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第一端面的中心与所述第一馈电枝节的馈电点的距离为第五值，所述第二端面的中心与所述馈电点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。

18.一种电子设备，其特征在于，包括第一辐射体及第二辐射体，所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合，所述第一辐射体为条形状或者弯折状，所述第一辐射体具有至少一个开放端，所述第一辐射体与所述第二辐射体用于在射频信号下产生至少一个对流模式；

所述第二辐射体包括第一分叉枝节及第二分叉枝节，所述第一分叉枝节的首端及所述第二分叉枝节的首端彼此连接；

所述第二辐射体在所述第一辐射体的投影为第一投影，所述第一投影与所述第一辐射体部分或者全部重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内，所述第一辐射体具有接地点或者馈电点，所述接地点或者馈电点与所述第一投影和所述第二投影的连接处相对设置；

所述第一分叉枝节的首端端面与末端端面的中心距离为第一值，所述第二分叉枝节的首端端面与末端端面的中心距离为第二值，所述第一值与所述第二值的比值在0.2至2的范围内。

19.根据权利要求18所述的电子设备，其特征在于，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a＜180°。

20.根据权利要求18或19所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体包括第一馈电枝节，所述第一馈电枝节具有接地点，所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第一端面的中心与所述接地点距离为第五值，所述第二端面的中心与所述接地点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。

21.根据权利要求20所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体还包括连接枝节及第二馈电枝节，所述第二馈电枝节包括第一末端及远离所述第一末端设置的第二末端，所述连接枝节的一端连接在所述第一馈电枝节的第一端面与所述第二端面之间，另一端连接在所述第一末端与所述第二末端之间，所述第一末端与所述第二末端位于所述连接枝节的两侧；

所述第一末端的端面的中心与所述接地点的距离为第七值，所述第二末端的端面的中心与所述接地点的距离为第八值，所述第七值与所述第八值的比值在0.3至3的范围内。

22.根据权利要求18或19所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体包括第一馈电枝节，所述第一馈电枝节包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第一端面的中心与所述第一馈电枝节的馈电点的距离为第五值，所述第二端面的中心与所述馈电点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内。

23.一种电子设备，其特征在于，包括第一辐射体及第二辐射体，所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合，所述第一辐射体为条形状，所述第一辐射体与所述第二辐射体用于在射频信号下产生至少一个对流模式；

所述第一辐射体包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第二辐射体包括第三端面及远离所述第三端面设置的第四端面，所述第一端面位于所述第三端面与所述第四端面之间，所述第二端面位于所述第一端面与所述第四端面之间；

所述第二辐射体在所述第一辐射体的投影为第一投影，所述第一投影与所述第一辐射体部分或者全部重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的距离在0至3毫米的范围内，所述第一辐射体具有接地点或者馈电点，所述接地点或者馈电点与所述第一投影的中部相对设置；

所述第一端面与所述第三端面的中心距离为第一值，所述第二端面与所述第四端面的中心距离为第二值，所述第一值与所述第二值的比值在0.5至2的范围内。

24.根据权利要求23所述的电子设备，其特征在于，所述第二辐射体为条型状。

25.一种电子设备，其特征在于，包括第一辐射体及第二辐射体，所述第一辐射体与所述第二辐射体相耦合，所述第一辐射体与所述第二辐射体均为条形状，所述第一辐射体与所述第二辐射体用于在射频信号下产生至少一个对流模式；

所述第一辐射体包括第一端面及远离第一端面设置的第二端面，所述第二辐射体包括第三端面及远离所述第三端面设置的第四端面，所述第三端面位于所述第一端面与所述第二端面之间，所述第四端面位于所述第一端面背离所述第三端面的一侧；

所述第二辐射体在所述第一辐射体的投影为第一投影，所述第一投影与所述第一辐射体部分重合，或者所述第一投影与所述第一辐射体之间的最短距离在0至3毫米的范围内，所述第一辐射体具有接地点或者馈电点，所述接地点或者所述馈电点位于所述第一端面与所述第三端面之间；

所述第一端面与所述第二端面的中心距离为第一值，所述第三端面与所述第四端面的中心距离为第二值，所述第一值与所述第二值的比值在0.5至2的范围内。

26.根据权利要求25所述的电子设备，其特征在于，所述第一端面与所述第三端面的中心距离为第三值，所述第三值与所述第二值的比值在0至0.35的范围内。

27.一种电子设备，其特征在于，包括第一辐射体、第二辐射体及射频收发电路，所述第二辐射体连接于所述第一辐射体，所述射频收发电路电连接于所述第一辐射体，所述第一辐射体与所述第二辐射体用于在射频信号下产生至少一个对流模式；

所述第一辐射体为条形状，所述第一辐射体具有连接所述射频收发电路的馈电点，所述第一辐射体包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第一端面的中心与所述馈电点的距离为第五值，所述第二端面的中心与所述馈电点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内；

所述第二辐射体包括第一枝节、第一分叉枝节及第二分叉枝节，所述第一枝节的一端连接于所述第一分叉枝节首端与所述第二分叉枝节的首端，另一端连接于所述第一辐射体，所述第一分叉枝节的末端与所述第二分叉枝节的末端位于所述第一枝节的两侧，所述第一枝节与所述第一辐射体的连接处与所述馈电点相对设置；

所述第一分叉枝节的末端端面与所述馈电点的中心距离为第一值，所述第二分叉枝节的末端端面与所述馈电点的中心距离为第二值，所述第一值与所述第二值的比值在0.3至3的范围内。

28.根据权利要求27所述的电子设备，其特征在于，

所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a≤180°。

29.一种电子设备，其特征在于，包括第一辐射体、第二辐射体及射频收发电路，所述第二辐射体连接于所述第一辐射体，所述射频收发电路电连接于所述第一辐射体，所述第一辐射体与所述第二辐射体用于在射频信号下产生至少一个对流模式；

所述第一辐射体为条形状，所述第一辐射体具有接地点，所述第一辐射体包括第一端面及远离所述第一端面设置的第二端面，所述第一端面的中心与所述接地点的距离为第五值，所述第二端面的中心与所述接地点的距离为第六值，所述第五值与所述第六值的比值在0.3至3的范围内；

所述第二辐射体包括第一枝节、第一分叉枝节及第二分叉枝节，所述第一枝节的一端连接于所述第一分叉枝节首端与所述第二分叉枝节的首端，另一端连接于所述第一辐射体，所述第一分叉枝节的末端与所述第二分叉枝节的末端位于所述第一枝节的两侧，所述第一枝节与所述第一辐射体的连接处与所述接地点相对设置；

所述第一分叉枝节的末端端面与所述接地点的中心距离为第一值，所述第二分叉枝节的末端端面与所述接地点的中心距离为第二值，所述第一值与所述第二值的比值在0.3至3的范围内。

30.根据权利要求29所述的电子设备，其特征在于，

所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节均呈条型状，所述第一分叉枝节与所述第二分叉枝节的夹角为a，a满足：0°＜a≤180°。

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