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CN112820773A - 一种高电子迁移率晶体管 - Google Patents

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CN112820773A CN201911125485.6A CN201911125485A CN112820773A CN 112820773 A CN112820773 A CN 112820773A CN 201911125485 A CN201911125485 A CN 201911125485A CN 112820773 A CN112820773 A CN 112820773A
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Abstract

本发明公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一缓冲层设于基底上，其中缓冲层包含一第一缓冲层以及一第二缓冲层，第一缓冲层细部包含第一缓冲层的第一层设于基底上以及第一缓冲层的第二层设于第一缓冲层的第一层上，其中第一缓冲层的第一层包含氮化铝镓(AlyGa1‑yN)且第一缓冲层的第二层包含氮化铝镓(AlxGa1‑xN)。第二缓冲层则包含第二缓冲层的第一层设于第一缓冲层上及第二缓冲层的第二层设于第二缓冲层的第一层上，其中第二缓冲层的第一层包含氮化铝镓(AlwGa1‑wN)，第二缓冲层的第二层包含氮化铝镓(AlzGa1‑zN)且x>z>y>w。

Description

一种高电子迁移率晶体管
技术领域
本发明涉及一种高电子迁移率晶体管。
背景技术
以氮化镓基材料(GaN-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽带隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。
发明内容
本发明一实施例公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一缓冲层设于基底上，其中缓冲层包含一第一缓冲层以及一第二缓冲层，第一缓冲层细部包含第一缓冲层的第一层设于基底上以及第一缓冲层的第二层设于第一缓冲层的第一层上，其中第一缓冲层的第一层包含氮化铝镓(AlyGa1-yN)而第一缓冲层的第二层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。第二缓冲层则包含第二缓冲层的第一层设于第一缓冲层上及第二缓冲层的第二层设于第二缓冲层的第一层上，其中第二缓冲层的第一层包含氮化铝镓(AlwGa1-wN)，第二缓冲层的第二层包含氮化铝镓(AlzGa1-zN)且x>z>y>w。
本发明另一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管，其主要包含一缓冲层设于基底上，其中缓冲层包含一第一缓冲层以及一第二缓冲层，第一缓冲层细部包含第一缓冲层的第一层设于基底上以及第一缓冲层的第二层设于第一缓冲层的第一层上，其中第一缓冲层的第一层包含氮化铝镓(AlyGa1-yN)而第一缓冲层的第二层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。第二缓冲层则包含第二缓冲层的第一层设于第一缓冲层上及第二缓冲层的第二层设于第二缓冲层的第一层上，其中第二缓冲层的第一层包含氮化铝镓(AlwGa1-wN)，第二缓冲层的第二层包含氮化铝镓(AlzGa1-zN)且第一缓冲层的第二层厚度小于第二缓冲层的第二层厚度。
附图说明
图1为本发明一实施例的一高电子迁移率晶体管的结构示意图；
图2为本发明一实施例高电子迁移率晶体管的缓冲层的结构示意图；
图3为本发明一实施例高电子迁移率晶体管的缓冲层的结构示意图。
主要元件符号说明
12 基底 14 核晶层
16 缓冲层 18 非刻意掺杂缓冲层
20 阻障层 22 栅极结构
24 栅极介电层 26 栅极电极
28 源极电极 30 漏极电极
31 第一层 32 第二层
33 第三层 34 第四层
35 第五层 36 第六层
37 第七层 38 第八层
39 第九层 40 第十层
41 第一层 42 第二层
43 第三层 44 第四层
45 第五层 46 第六层
47 第七层 48 第八层
49 第九层 50 第十层
51 第一层 52 第二层
53 第三层 54 第四层
55 第五层 56 第六层
57 第七层 58 第八层
59 第九层 60 第十层
300 第一缓冲层 400 第二缓冲层
500 第三缓冲层
具体实施方式
请参照图1，图1为本发明一实施例的一高电子迁移率晶体管的结构示意图。如图1所示，首先提供一基底12，例如一由硅、碳化硅或氧化铝(或可称蓝宝石)所构成的基底，其中基底12可为单层基底、多层基底、梯度基底或上述的组合。依据本发明其他实施例基底12又可包含一硅覆绝缘(silicon-on-insulator,SOI)基底
然后于基底12表面形成一选择性核晶层(nucleation layer)14以及一缓冲层16。在一实施例中，核晶层14较佳包含氮化铝而缓冲层16包含III-V族半导体例如氮化镓，其厚度可介于0.5微米至10微米之间。在一实施例中，可利用分子束外延制作工艺(molecular-beam epitaxy,MBE)、有机金属气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)制作工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)制作工艺、氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)制作工艺或上述组合于基底12上形成缓冲层16。
接着于缓冲层16表面形成一非刻意掺杂(unintentionally doped)缓冲层18。在本实施例中，非刻意掺杂缓冲层18较佳包含III-V族半导体，例如氮化镓或更具体而言非刻意掺杂氮化镓。在一实施例中，可利用分子束外延制作工艺(molecular-beam epitaxy,MBE)、有机金属气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)制作工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)制作工艺、氢化物气相外延(hydridevapor phase epitaxy,HVPE)制作工艺或上述组合于缓冲层16上形成非刻意掺杂缓冲层18。
随后形成一阻障层20于非刻意掺杂缓冲层18表面。在本实施例中阻障层20较佳包含III-V族半导体例如N型氮化铝镓(AlxGa1-xN)，其中0<x<1，阻障层20较佳包含一由外延成长制作工艺所形成的外延层，且阻障层20可包含硅或锗的掺质。如同上述形成缓冲层16与非刻意掺杂缓冲层18的方式，可利用分子束外延制作工艺(molecular-beam epitaxy,MBE)、有机金属气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)制作工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)制作工艺、氢化物气相外延(hydridevapor phase epitaxy,HVPE)制作工艺或上述组合于非刻意掺杂缓冲层18上形成阻障层20。
然后依序形成一栅极介电层以及一栅极材料层于阻障层20表面，再利用光刻暨蚀刻制作工艺去除部分栅极材料层及部分栅极介电层以形成一栅极结构22于阻障层20表面，其中栅极结构22较佳包含一图案化的栅极介电层24与栅极电极26。在本实施中，栅极电极26的下半部可包含P型氮化镓等半导体材料而栅极电极26的上半部则较佳包含金属，例如可包含金、银或铂等萧特基(Schottky)金属。栅极介电层24则可包含氧化硅、氮化铝或氧化铝等材料。
随后形成一源极电极28以及一漏极电极30于栅极电极26两侧。在本实施例中，源极电极28与漏极电极30较佳由金属所构成，但有别于栅极电极26的上半部由萧特基金属所构成，源极电极28与漏极电极30较佳由欧姆接触金属所构成。依据本发明一实施例，源极电极28与漏极电极30可各自包含钛、铝、钨、钯或其组合。在一些实施例中，可先以光刻暨蚀刻制作工艺去除部分栅极电极26两侧的阻障层20形成凹槽，再以电镀制作工艺、溅镀制作工艺、电阻加热蒸镀制作工艺、电子束蒸镀制作工艺、物理气相沉积(physical vapordeposition,PVD)制作工艺、化学气相沉积制作工艺(chemical vapor deposition,CVD)制作工艺、或上述组合于凹槽内形成电极材料，然后再以蚀刻将电极材料图案化以形成源极电极28与漏极电极30。
请继续参照图2，图2揭露本发明一实施例高电子迁移率晶体管的缓冲层16的结构示意图。如图2所示，缓冲层16包含一第一缓冲层300、一第二缓冲层400以及一第三缓冲层500，其中第一缓冲层300细部包含第一层31、第二层32、第三层33、第四层34、第五层35、第六层36、第七层37、第八层38、第九层39以及第十层40，第二缓冲层400包含第一层41、第二层42、第三层43、第四层44、第五层45、第六层46、第七层47、第八层48、第九层49以及第十层50，第三缓冲层500包含第一层51、第二层52、第三层53、第四层54、第五层55、第六层56、第七层57、第八层58、第九层59以及第十层60。
在本实施例中，第一缓冲层300中的奇数层较佳包含氮化铝镓(AlyGa1-yN)而偶数层则包含(AlxGa1-xN)，例如第一层31、第三层33、第五层35、第七层37以及第九层39较佳包含氮化铝镓(AlyGa1-yN)而第二层32、第四层34、第六层36、第八层38以及第十层40则包含(AlxGa1-xN)。第二缓冲层400中的奇数层较佳包含氮化铝镓(AlwGa1-wN)而偶数层则包含(AlzGa1-zN)，例如第一层41、第三层43、第五层45、第七层47以及第九层49较佳包含氮化铝镓(AlwGa1-wN)而第二层42、第四层44、第六层46、第八层48以及第十层50则包含(AlzGa1-zN)。第三缓冲层500中的奇数层较佳包含氮化铝镓(AlqGa1-qN)而偶数层则包含(AlpGa1-pN)，例如第一层51、第三层53、第五层55、第七层57以及第九层59较佳包含氮化铝镓(AlqGa1-qN)而第二层52、第四层54、第六层56、第八层58以及第十层60则包含(AlpGa1-pN)。
依据本发明第一实施例，第一缓冲层300、第二缓冲层400以及第三缓冲层500中的奇数层与偶数层各包含不同铝浓度，例如上述第一缓冲层300中偶数层的铝浓度基数值x较佳大于第二缓冲层400中偶数层的铝浓度基数值z，第二缓冲层400中偶数层的铝浓度基数值z大于第三缓冲层500中偶数层的铝浓度基数值p，第三缓冲层500中偶数层的铝浓度基数值p大于第一缓冲层300中奇数层的铝浓度基数值y，第一缓冲层300中奇数层的铝浓度基数值y大于第二缓冲层400中奇数层的铝浓度基数值w，第二缓冲层400中奇数层的铝浓度基数值w大于第三缓冲层500中奇数层的铝浓度基数值q，或整体来看x>z>p>y>w>q。
另外在第一实施例中，依据上述第一缓冲层300、第二缓冲层400以及第三缓冲层500中奇数层与偶数层在铝浓度基数值x>z>p>y>w>q的情况下各奇数层与偶数层又可包含相同以及/或不同厚度，例如第一缓冲层300中各偶数层厚度tx等于第二缓冲层400中各偶数层厚度tz，第二缓冲层400中各偶数层厚度tz等于第三缓冲层500中各偶数层厚度tp，第三缓冲层500中各偶数层厚度tp小于第一缓冲层300中各奇数层厚度ty，第一缓冲层300中各奇数层厚度ty等于第二缓冲层400中各奇数层厚度tw，第二缓冲层400中各奇数层厚度tw等于第三缓冲层500中各奇数层厚度tq，或整体来看tx＝tz＝tp<ty＝tw＝tq。
请继续参照图3，图3揭露本发明一实施例高电子迁移率晶体管的缓冲层16的结构示意图。如图3所示，依据本发明第二实施例各第一缓冲层300、第二缓冲层400以及第三缓冲层500中的奇数层与偶数层可包含不同厚度，例如第一缓冲层300中各偶数层厚度tx小于第二缓冲层400中各偶数层厚度tz，第二缓冲层400中各偶数层厚度tz小于第三缓冲层500中各偶数层厚度tp，第三缓冲层500中各偶数层厚度tp小于第一缓冲层300中各奇数层厚度ty，第一缓冲层300中各奇数层厚度ty小于第二缓冲层400中各奇数层厚度tw，第二缓冲层400中各奇数层厚度tw小于第三缓冲层500中各奇数层厚度tq，或整体来看tx<tz<tp<ty<tw<tq。
另外需注意的是，本第二实施例第一缓冲层300、第二缓冲层400以及第三缓冲层500又可在整体奇数层与偶数层之间具有不同厚度之外各奇数层与偶数层之间又可依据制作工艺需求包含相同或不同厚度。举例来说，第一缓冲层300中各偶数层具有相同厚度tx，第二缓冲层400中各偶数层具有相同厚度tz，第三缓冲层500中各偶数层具有相同厚度tp，第一缓冲层300中各奇数层具有相同厚度ty，第二缓冲层400中各奇数层具有相同厚度tw，以及第三缓冲层500中各奇数层具有相同厚度tq，且如上所述tx<tz<tp<ty<tw<tq。
除了上述第一缓冲层300、第二缓冲层400以及第三缓冲层500在整体奇数层与偶数层之间具有不同厚度之外各奇数层与偶数层之间又包含相同厚度，第一缓冲层300、第二缓冲层400以及第三缓冲层500在整体奇数层与偶数层之间具有不同厚度如上所述tx<tz<tp<ty<tw<tq之外各奇数层与偶数层之间又可包含不同厚度。举例来说，第一缓冲层300中各偶数层可具有不同厚度tx，其中第二层32厚度可小于或大于第四层34厚度，第四层34厚度可小于或大于第六层36厚度，第六层36厚度可小于或大于第八层38厚度，第八层38厚度可小于或大于第十层40厚度，且各第二层32、第四层34、第六层36、第八层38及第十层40的厚度tx均较佳小于第二缓冲层400中各偶数层厚度tx。
第二缓冲层400中各偶数层可具有不同厚度tz，其中第二层42厚度可小于或大于第四层44厚度，第四层44厚度可小于或大于第六层46厚度，第六层46厚度可小于或大于第八层48厚度，第八层48厚度可小于或大于第十层50厚度，且各第二层42、第四层44、第六层46、第八层48及第十层50的厚度tz均较佳小于第三缓冲层500中各偶数层厚度tp。
第三缓冲层500中各偶数层可具有不同厚度tp，其中第二层52厚度可小于或大于第四层54厚度，第四层54厚度可小于或大于第六层56厚度，第六层56厚度可小于或大于第八层58厚度，第八层58厚度可小于或大于第十层60厚度，且各第二层52、第四层54、第六层56、第八层58及第十层60的厚度tp均较佳小于第一缓冲层300中各奇数层厚度ty。
第一缓冲层300中各奇数层可具有不同厚度ty，其中第一层31厚度可小于或大于第三层33厚度，第三层33厚度可小于或大于第五层35厚度，第五层35厚度可小于或大于第七层37厚度，第七层37厚度可小于或大于第九层39厚度，且各第一层31、第三层33、第五层35、第七层37及第九层39的厚度ty均较佳小于第二缓冲层400中各奇数层厚度tw。
第二缓冲层400中各奇数层可具有不同厚度tw，其中第一层31厚度可小于或大于第三层33厚度，第三层33厚度可小于或大于第五层35厚度，第五层35厚度可小于或大于第七层37厚度，第七层37厚度可小于或大于第九层39厚度，且各第一层31、第三层33、第五层35、第七层37及第九层39的厚度tw均较佳小于第三缓冲层500中各奇数层厚度tq。
第三缓冲层500中各奇数层可具有不同厚度tq，其中第一层51厚度可小于或大于第三层53厚度，第三层53厚度可小于或大于第五层55厚度，第五层55厚度可小于或大于第七层57厚度，第七层57厚度可小于或大于第九层59厚度。
另外在第二实施例中，依据上述第一缓冲层300、第二缓冲层400以及第三缓冲层500中在奇数层与偶数层包含不同厚度的情况下各奇数层与偶数层又可包含相同以及/或不同铝浓度基数值，例如第一缓冲层300中偶数层的铝浓度基数值x等于第二缓冲层400中偶数层的铝浓度基数值z，第二缓冲层400中偶数层的铝浓度基数值z等于第三缓冲层500中偶数层的铝浓度基数值p，第三缓冲层500中偶数层的铝浓度基数值p大于第一缓冲层300中奇数层的铝浓度基数值y，第一缓冲层300中奇数层的铝浓度基数值y等于第二缓冲层400中奇数层的铝浓度基数值w，第二缓冲层400中奇数层的铝浓度基数值w等于第三缓冲层500中奇数层的铝浓度基数值q，或整体来看x＝z＝p>y＝w＝q。
整体而言，上述实施例虽以三层缓冲层包括第一缓冲层300、第二缓冲层400与第三缓冲层500及缓冲层中五层由氮化铝镓(AlyGa1-yN)所构成的缓冲层、五层由氮化铝镓(AlxGa1-xN)所构成的缓冲层、五层由氮化铝镓(AlwGa1-wN)所构成的缓冲层、五层由氮化铝镓(AlzGa1-zN)所构成的缓冲层、五层由氮化铝镓(AlqGa1-qN)所构成的缓冲层以及五层由氮化铝镓(AlpGa1-pN)所构成的缓冲层为例，但所堆叠的缓冲层数量以及各缓冲层中的层数均不局限于此，而可视产品需求任意调整。例如依据本发明一实施例可仅形成二缓冲层如第一缓冲层300及第二缓冲层400于基底12上，其中第一缓冲层300仅包含第一层31及第二层32，第二缓冲层400同样仅包含第一层41及第二层42，第一缓冲层300的第一层31较佳直接接触下方的核晶层14或基底12而第二缓冲层400的第二层42则接触上方的非刻意掺杂缓冲层18，此变化型也属本发明所涵盖的范围。依据本发明优选实施例利用上述设计重复堆叠不同铝浓度以及/或不同厚度的缓冲层结构可有效消除缓冲层中的张力(strain relief)并由此提升高电子迁移率晶体管的整体效能。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其特征在于，包含：
缓冲层，设于基底上，其中该缓冲层包含：
第一缓冲层包含：
该第一缓冲层的第一层，设于该基底上，其中该第一缓冲层的该第一层包含氮化铝镓(AlyGa1-yN)；
该第一缓冲层的第二层，设于该第一缓冲层的该第一层上，其中该第一缓冲层的该第二层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)；
第二缓冲层包含：
该第二缓冲层的第一层，设于该第一缓冲层上，其中该第二缓冲层的该第一层包含氮化铝镓(AlwGa1-wN)；以及
该第二缓冲层的第二层，设于该第二缓冲层的该第一层上，其中该第二缓冲层的该第二层包含氮化铝镓(AlzGa1-zN)且x>z>y>w。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一缓冲层包含：
该第一缓冲层的第三层，设于该第一缓冲层的该第二层上，其中该第一缓冲层的该第三层包含氮化铝镓(AlyGa1-yN)；
该第一缓冲层的第四层，设于该第一缓冲层的该第三层上，其中该第一缓冲层的该第四层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第二缓冲层包含：
该第二缓冲层的第三层，设于该第二缓冲层的该第二层上，其中该第二缓冲层的该第三层包含氮化铝镓(AlwGa1-wN)；以及
该第二缓冲层的第四层，设于该第二缓冲层的该第三层上，其中该第二缓冲层的该第四层包含氮化铝镓(AlzGa1-zN)。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：
第三缓冲层包含：
该第三缓冲层的第一层，设于该第二缓冲层上，其中该第三缓冲层的该第一层包含氮化铝镓(AlqGa1-qN)；以及
该第三缓冲层的第二层，设于该第三缓冲层的该第一层上，其中该第三缓冲层的该第二层包含氮化铝镓(AlpGa1-pN)且x>z>p>y>w>q。
5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三缓冲层包含：
该第三缓冲层的第三层，设于该第三缓冲层的该第二层上，其中该第三缓冲层的该第三层包含氮化铝镓(AlqGa1-qN)；以及
该第三缓冲层的第四层，设于该第三缓冲层的该第三层上，其中该第三缓冲层的该第四层包含氮化铝镓(AlpGa1-pN)。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一缓冲层的该第一层厚度等于该第二缓冲层的该第一层厚度。
7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一缓冲层的该第二层厚度等于该第二缓冲层的该第二层厚度。
8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，第一缓冲层的该第二层厚度小于该第一缓冲层的该第一层厚度。
9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，第二缓冲层的该第二层厚度小于该第二缓冲层的该第一层厚度。
10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：
非刻意掺杂缓冲层，设于该缓冲层上；
阻障层，设于该非刻意掺杂缓冲层上；
栅极电极，设于该阻障层上；以及
源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。
11.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其特征在于，包含：
缓冲层，设于一基底上，其中该缓冲层包含：
第一缓冲层包含：
该第一缓冲层的第一层，设于该基底上，其中该第一缓冲层的该第一层包含氮化铝镓(AlyGa1-yN)；
该第一缓冲层的第二层，设于该第一缓冲层的该第一层上，其中该第一缓冲层的该第二层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)；
第二缓冲层包含：
该第二缓冲层的第一层，设于该第一缓冲层上，其中该第二缓冲层的该第一层包含氮化铝镓(AlwGa1-wN)；以及
该第二缓冲层的第二层，设于该第二缓冲层的该第一层上，其中该第二缓冲层的该第二层包含氮化铝镓(AlzGa1-zN)且该第一缓冲层的该第二层厚度小于该第二缓冲层的该第二层厚度。
12.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一缓冲层包含：
该第一缓冲层的第三层，设于该第一缓冲层的该第二层上，其中该第一缓冲层的该第三层包含氮化铝镓(AlyGa1-yN)；
该第一缓冲层的第四层，设于该第一缓冲层的该第三层上，其中该第一缓冲层的该第四层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。
13.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中该第二缓冲层包含：
该第二缓冲层的第三层，设于该第二缓冲层的该第二层上，其中该第二缓冲层的该第三层包含氮化铝镓(AlwGa1-wN)；以及
该第二缓冲层的第四层，设于该第二缓冲层的该第三层上，其中该第二缓冲层的该第四层包含氮化铝镓(AlzGa1-zN)。
14.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，另包含：
第三缓冲层包含：
该第三缓冲层的第一层，设于该第二缓冲层上，其中该第三缓冲层的该第一层包含氮化铝镓(AlqGa1-qN)；以及
该第三缓冲层的第二层，设于该第三缓冲层的该第一层上，其中该第三缓冲层的该第二层包含氮化铝镓(AlpGa1-pN)且x＝z＝p>y＝w＝q。
15.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三缓冲层包含：
该第三缓冲层的第三层，设于该第三缓冲层的该第二层上，其中该第三缓冲层的该第三层包含氮化铝镓(AlqGa1-qN)；以及
该第三缓冲层的第四层，设于该第三缓冲层的该第三层上，其中该第三缓冲层的该第四层包含氮化铝镓(AlpGa1-pN)。
16.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中该第二缓冲层的该第二层厚度小于该第三缓冲层的该第二层厚度。
17.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中该第三缓冲层的该第二层厚度小于该第一缓冲层的该第一层厚度。
18.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一缓冲层的该第一层厚度小于该第二缓冲层的该第一层厚度。
19.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中该第二缓冲层的该第一层厚度小于该第三缓冲层的该第一层厚度。
20.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，另包含：
非刻意掺杂缓冲层，设于该缓冲层上；
阻障层，设于该非刻意掺杂缓冲层上；
栅极电极，设于该阻障层上；以及
源极电极以及漏极电极，设于该栅极电极两侧。
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