CN112801255A - 一种无源标签 - Google Patents

Abstract

一种无源标签，包括：标签天线；电源模块，与标签天线耦接以获取所述阅读器能量；命令处理模块，用于接收命令信号，并根据所述命令信号生成反馈信号，所述电源模块与所述命令处理模块耦接以向所述命令处理模块供电；自振荡调制模块，与所述命令处理模块耦接，所述自振荡调制模块用于根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量，以使第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值，其中，将所述反馈信号为第一电平时所述标签天线的反射能量记作所述第一反射能量，将所述反馈信号为第二电平时所述标签天线的反射能量记作所述第二反射能量。通过本发明提供的方案能够有效增大反向通信距离，进而增大超高频RFID阅读器和标签系统的工作距离。

Description

一种无源标签

技术领域

本发明涉及无源标签技术领域，具体地涉及一种无源标签。

背景技术

超高频射频识别(Radio Frequency Identification，简称RFID)阅读器和标签系统的工作距离，取决于正向通信距离和反向通信距离中的较小值。

通常情况下，正向下行通信距离是瓶颈。但是，在非常高灵敏度的RFID标签中，反向散射的通信距离会成为瓶颈，这是因为超高频RFID标签采用的特殊反向通信方式——反向散射决定的。

现有技术无法解决反向散射对超高频RFID标签与阅读器之间工作距离的限制问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种改进的无源标签，能够有效增大反向通信距离。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种无源标签，包括：标签天线，用于接收阅读器能量；电源模块，与所述标签天线耦接以获取所述阅读器能量；命令处理模块，用于接收命令信号，并根据所述命令信号生成反馈信号，所述电源模块与所述命令处理模块耦接以向所述命令处理模块供电；自振荡调制模块，与所述命令处理模块耦接，所述自振荡调制模块用于根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量，以使第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值，其中，所述第一反射能量是指所述反馈信号为第一电平时所述标签天线的反射能量，所述第二反射能量是指所述反馈信号为第二电平时所述标签天线的反射能量。

可选的，所述预设阈值根据阅读器的接收灵敏度确定。

可选的，将所述第一反射能量对应的所述标签天线的端电压记作第一电压，将所述第二反射能量对应的所述标签天线的端电压记作第二电压，所述第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值是指：所述第一电压与第二电压中之一至少为其中之另一的两倍。

可选的，所述电源模块与所述自振荡调制模块耦接，以向所述自振荡调制模块供电。

可选的，所述无源标签还包括：控制开关，所述控制开关可在开启状态和闭合状态之间切换，以断开或导通所述自振荡调制模块与所述电源模块之间的电连接。

可选的，所述命令处理模块与所述控制开关耦接，所述控制开关根据所述反馈信号在所述开启状态和闭合状态之间切换；所述自振荡调制模块根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量包括：当所述反馈信号为所述第一电平时，所述控制开关切换至开启状态，所述自振荡调制模块处于非工作状态；当所述反馈信号为所述第二电平时，所述控制开关切换至闭合状态，所述自振荡调制模块处于工作状态并与所述标签天线产生谐振，以放大所述标签天线的反射能量。

可选的，所述自振荡调制模块的振荡频率根据通信工作频率确定。

可选的，所述自振荡调制模块的振荡幅度根据输入能量确定。

可选的，所述自振荡调制模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，其中，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极并联连接所述电源模块，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极串联连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极串联连接，所述第一PMOS管的栅极耦接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的栅极耦接所述第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极耦接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极耦接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的源极接地；第一电容，所述第一电容的第一端耦接所述第一PMOS管的漏极，所述第一电容的第二端耦接所述第二PMOS管的漏极。

可选的，所述标签天线的第一端耦接所述第一PMOS管的漏极，所述标签天线的第二端耦接所述第二PMOS管的漏极。

可选的，所述无源标签还包括：控制开关，所述控制开关的第一端耦接所述电源模块，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极并联连接所述控制开关的第二端，所述控制开关根据所述反馈信号在开启状态和闭合状态之间切换，以断开或导通所述自振荡调制模块与所述电源模块之间的电连接。

可选的，所述自振荡调制模块根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量包括：当所述反馈信号为所述第一电平时，所述控制开关切换至开启状态，所述自振荡调制模块处于非工作状态；当所述反馈信号为所述第二电平时，所述控制开关切换至闭合状态，所述第一电容与所述标签天线产生谐振以增大所述标签天线的端电压。

可选的，所述电源模块包括：能量转换模块，用于将所述阅读器能量转换成直流能量；第二电容，与所述能量转换模块耦接以存储所述直流能量。

可选的，所述电源模块还包括：能量存储单元，与所述能量转换模块耦接以存储所述直流能量，所述能量存储单元还与所述自振荡调制模块耦接以向所述自振荡调制模块供电。

可选的，所述命令处理模块包括：解调器，用于解调所述命令信号；数字控制单元，与所述解调器耦接，并根据解调后的命令信号生成所述反馈信号。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明实施例提供一种无源标签，包括：标签天线，用于接收阅读器能量；电源模块，与所述标签天线耦接以获取所述阅读器能量；命令处理模块，用于接收命令信号，并根据所述命令信号生成反馈信号，所述电源模块与所述命令处理模块耦接以向所述命令处理模块供电；自振荡调制模块，与所述命令处理模块耦接，所述自振荡调制模块用于根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量，以使第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值，其中，所述第一反射能量是指所述反馈信号为第一电平时所述标签天线的反射能量，所述第二反射能量是指所述反馈信号为第二电平时所述标签天线的反射能量。

较之现有无源标签，本实施例所述无源标签具有更长的反向通信距离，进而增大超高频RFID阅读器和标签系统的工作距离。具体而言，由于阅读器是根据第一反射能量和第二反射能量的差异来识别所述反馈信号的，所以，本实施例所述无源标签通过增设的自振荡调制模块对所述反射能量进行调节，确保第一反射能量与第二反射能量的差值大于所述预设阈值，使得反馈信号能够被阅读器精准、有效地检测。

进一步，将所述第一反射能量对应的所述标签天线的端电压记作第一电压，将所述第二反射能量对应的所述标签天线的端电压记作第二电压，所述第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值是指：所述第一电压与第二电压中之一至少为其中之另一的两倍。由此，至少两倍的电压值差异利于确保第一反射能量与第二反射能量的差异足够大，确保反馈信号能够准确地被阅读器检测。

附图说明

图1是现有技术的一种超高频RFID阅读器和标签系统的原理示意图；

图2是现有技术的一种无源标签的逻辑框图；

图3是现有技术的无源标签中反馈信号和标签天线的端电压的示意图；

图4是本发明实施例的一种无源标签的逻辑框图；

图5是图4所示无源标签中反馈信号和标签天线的端电压的示意图。

具体实施方式

如背景技术所言，现有技术无法解决反向散射对超高频RFID标签与阅读器之间工作距离的限制问题。

具体而言，如图1所示，超高频RFID阅读器和标签系统1包括：超高频RFID阅读器(可简称为阅读器)10，阅读器天线11，超高频RFID标签芯片12以及标签天线13。其中，超高频RFID阅读器10和阅读器天线11可以集成为阅读器设备，超高频RFID标签芯片12以及标签天线13可以集成为无源标签2。

工作时，阅读器10的发射功率P1经过路径衰减后，到达标签天线13时已经很小了，记作无源标签的接收功率P2。接收功率P2再经过同样的路径衰减，才回到阅读器10。

当标签芯片12内部的调制开关120为开启状态(可简称为开)时，阅读器10收到的无源标签2的反射信号的强度(即反射功率)为P3A。

当调制开关120为闭合状态(可称为合上)时，阅读器10收到的反射信号的强度为P3B。

阅读器10需要能检测P3A和P3B的差值，从而确定调制开关120是开还是合，进而提取无源标签2传输的数据。

对于灵敏度很高的超高频RFID标签芯片12而言，高灵敏度的标签使得正向通信距离能够得到延长，但这也意味着阅读器天线11发射的能量在到达标签天线13时会有更多衰减。因此，由于接收功率P2已经很小，反射功率P3A和P3B的差值会变得特别小，甚至低于阅读器10的接收灵敏度。

在普通的超高频RFID无源标签2中，如图2所示，射频前端由整流器20、解调器21、调制器22组成。其中，调制器22电路最主要的核心是开关220(即图1示出的调制开关120)，通常由N型金属氧化物半导体(Negative channel Metal Oxide Semiconductor，简称NMOS)开关实现。

数字控制电路23由整流器20的输出电压VC供电，接收来自解调器21的输入命令PIE，经过处理后，返回反馈信号BS_DATA。

结合图3，当反馈信号BS_DATA信号为低电平时，开关220处于开启状态，对标签天线13的端电压RFP-RFN无影响，其峰峰值为V2，相对应的阅读器10端收到的反射功率为P3A。

当反馈信号BS_DATA为高电平时，开关220闭合，标签天线13的端电压RFP-RFN的峰峰值被拉低到很小的幅度V1，相对应的阅读器10端收到的反射功率为P3B。

由此，实现了无源标签2的反向散射(Backscatter)。

在阅读器10端，反射功率P3A和P3B的差值必须高于阅读器10的接受灵敏度，无源标签2的反馈信号BS_DATA才能被阅读器10有效检测出来。

然而，根据前述分析，对于灵敏度高的无源标签2而言，由于接收功率P2已经非常小，导致反射功率P3A和P3B的绝对值都很小，其差值就更小了。当反射功率P3A和P3B的差值小于阅读器10的接收灵敏度时，阅读器将无法识别无源标签2的反馈信号。这就导致，虽然高灵敏度的无源标签2可以有效增大与阅读器10的正向通信距离，但是，受到反向散射的限制，无源标签2的反向通信距离并不能支持正向通信距离的延长，超高频RFID阅读器和标签1的工作距离受限于反向通信距离，无法得到真正有效的延长。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种无源标签，包括：标签天线，用于接收阅读器能量；电源模块，与所述标签天线耦接以获取所述阅读器能量；命令处理模块，用于接收命令信号，并根据所述命令信号生成反馈信号，所述电源模块与所述命令处理模块耦接以向所述命令处理模块供电；自振荡调制模块，与所述命令处理模块耦接，所述自振荡调制模块用于根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量，以使第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值，其中，所述第一反射能量是指所述反馈信号为第一电平时所述标签天线的反射能量，所述第二反射能量是指所述反馈信号为第二电平时所述标签天线的反射能量。其中，标签天线的反射能量是指标签天线接收到的阅读器能量中，又被所述标签天线向外辐射出去的部分，例如，可以通过反向散射辐射出去。

本实施例所述无源标签具有更长的反向通信距离，进而增大超高频RFID阅读器和标签系统的工作距离。具体而言，由于阅读器是根据第一反射能量和第二反射能量的差异来识别所述反馈信号的，所以，本实施例所述无源标签通过增设的自振荡调制模块对所述反射能量进行调节，确保第一反射能量与第二反射能量的差值大于所述预设阈值，使得反馈信号能够被阅读器精准、有效地检测。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图4是本发明实施例的一种无源标签的逻辑框图。本实施例所述无源标签可以应用于超高频RFID场景。

具体地，参考图4，本实施例所述的无源标签4可以包括：标签天线40，用于接收阅读器能量；电源模块41，与所述标签天线40耦接以获取所述阅读器能量；命令处理模块42，用于接收命令信号，并根据所述命令信号生成反馈信号BS_DATA，所述电源模块41与所述命令处理模块42耦接以向所述命令处理模块42供电；自振荡调制模块43，与所述命令处理模块42耦接，所述自振荡调制模块43用于根据所述反馈信号BS_DATA调节所述标签天线40的反射能量，以使第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值，其中，所述第一反射能量是指所述反馈信号BS_DATA为第一电平时所述标签天线40的反射能量，所述第二反射能量是指所述反馈信号BS_DATA为第二电平时所述标签天线40的反射能量。

在一个具体实施中，所述阅读器能量和命令信号均由阅读器(如图1示出的阅读器10)通过阅读器天线(如图1示出的阅读器天线11)发送至所述标签天线40。其中，所述阅读器发送的命令信号可以携带于所述阅读器天线传输的发射功率(如图1示出的发射功率P1)中，也即，到达并被所述标签天线40接收的接收功率(如图1示出的接收功率P2)，被传输至所述电源模块41以转换得到所述阅读器能量，还被传输至所述命令处理模块42以解调得到所述命令信号。

在一个具体实施中，所述预设阈值可以根据所述阅读器的接收灵敏度确定。例如，所述预设阈值可以等于所述阅读器的接收灵敏度，以确保所述阅读器能够准确分辨所述第一反射能量和第二反射能量，进而识别所述反馈信号。

在一个变化例中，所述预设阈值可以大于所述阅读器的接收灵敏度，以降低路径衰减的影响。

在一个具体实施中，将所述第一反射能量对应的所述标签天线40的端电压RFP-RFN记作第一电压，将所述第二反射能量对应的所述标签天线40的端电压RFP-RFN记作第二电压，所述第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值是指：所述第一电压与第二电压中之一至少为其中之另一的两倍。

具体地，所述标签天线40的端电压RFP-RFN是指，所述标签天线40的与标签芯片耦接的第一端40a和第二端40b这两端的电压的峰峰值。需要指出的是，图4中仅对标签天线40的第一端40a和第二端40b的位置进行示例性展示，在实际应用中，这两个端可以互换。

为方便表述，本实施例假设所述第一电平为低电平，相应的，所述第一反射能量可以对应图1中的反射功率P3A，所述第一电压记作V2，如图5所示；假设所述第二电平为高电平，相应的，所述第二反射能量可以对应图1中的反射功率P3B，所述第二电压记作V3，如图5所示。

采用本实施例所述无源标签4，在所述反馈信号BS_DATA为低电平时，所述标签天线40的反射功率P3A与图1至图3示出的现有无源标签2的反射功率P3A基本保持不变，相应的，此时所述第一电压V2基本等于图3示出的电压值V2。

进一步地，在所述反馈信号BS_DATA为高电平时，采用本实施例设计的无源标签4能够放大所述标签天线40的反射功率P3B，使得此时所述第二电压V3明显大于图3示出的峰峰值V1，并至少为图5示出的峰峰值V2的两倍，以确保第一反射能量对应的反射功率P3A与第二反射能量对应的反射功率P3B的差值足够大于所述阅读器的接收灵敏度。

所述第二电压V3至少为所述第一电压V2的两倍的理由可以基于如下公式推导获得：假设图3中V2＝(2×V1)并且V1≈0，为满足(V2-V1)<(V3-V2)，可以推导得到V3>(2×V2)。

在实际应用中，可以根据需要调整所述第二电压V3和第一电压V2的比例关系。例如，所述第二电压V3可以为所述第一电压V2的三到四倍。

在一个具体实施中，所述电源模块41可以与所述自振荡调制模块43耦接，以向所述自振荡调制模块43供电。

在一个具体实施中，所述无源标签4还可以包括：控制开关44，所述控制开关44可在开启状态和闭合状态之间切换，以断开或导通所述自振荡调制模块43与所述电源模块41之间的电连接。

在一个具体实施中，所述命令处理模块40可以与所述控制开关44耦接，所述控制开关44可以根据所述反馈信号BS_DATA在所述开启状态和闭合状态之间切换。

例如，当所述反馈信号BS_DATA为所述第一电平时，所述控制开关44可以切换至开启状态，所述自振荡调制模块43可以处于非工作状态。此时，所述标签天线40两端的电压的峰峰值为所述第一电压V2，对应的阅读器端接收到的反射功率为P3A(即所述第一反射能量)。

当所述反馈信号为所述第二电平时，所述控制开关44切换至闭合状态，所述自振荡调制模块43处于工作状态，并利用所述电源模块41的能量，与所述标签天线40产生谐振，将所述标签天线40两端的电压的峰峰值拉大至所述第二电压V3，以放大所述标签天线40的反射能量。此时，对应的阅读器段接收到的反射功率为P3B(即所述第二反射能量)。

在一个具体实施中，所述自振荡调制模块43的振荡频率可以根据通信工作频率确定。其中，所述通信工作频率是指通信协议规定的载波中心频率，所述通信协议可以是现有的通信协议，也包括将来制定的相关通信协议。

例如，所述自振荡调制模块43的振荡频率可以基本等于所述通信工作频率，以在所述自振荡调制模块43工作时能够有效激发信号频率振荡起来，以发生共振。其中，所述谐振频率也可以称为信号频率。

在一个具体实施中，所述自振荡调制模块43的振荡幅度可以根据输入能量确定。具体地，所述输入能量可以由所述电源模块41提供。

在一个具体实施中，所述电源模块41可以包括：能量转换模块410，用于将所述阅读器能量转换成直流能量；第二电容411，与所述能量转换模块410耦接以存储所述直流能量。

例如，所述能量转换模块410可以为整流器，所述整流器将所述标签天线40接收到的来自阅读器的射频能量转换为直流能量并存储至所述第二电容411，所述命令处理模块42工作时可以由所述第二电容411供电。

在一个具体实施中，所述第二电容411还可以通过所述控制开关44耦接至所述自振荡调制模块43，以在所述控制开关44闭合时向所述自振荡调制模块43供电。

在一个变化例中，所述电源模块41还可以包括：能量存储单元412，与所述能量转换模块410耦接以存储所述直流能量，所述能量存储单元412还与所述自振荡调制模块43耦接以向所述自振荡调制模块43供电。

由此，所述第二电容411可以专用于支持所述命令处理模块42运行，使得所述第二电容411的容量可以适当减小，利于实现无源标签4的小型化设计。

在一个具体实施中，所述能量存储单元412可以通过所述控制开关44耦接至所述自振荡调制模块43，以在所述控制开关44闭合时向所述自振荡调制模块43供电。

在一个具体实施中，所述能量存储单元412可以为大电容、超级电容或者电池等。

在一个具体实施中，所述自振荡调制模块43可以包括：第一PMOS管430、第二PMOS管431、第一NMOS管432和第二NMOS管433，其中，所述第一PMOS管430的源极与所述第二PMOS管431的源极并联连接所述电源模块41，所述第一PMOS管430的漏极与所述第一NMOS管432的漏极串联连接，所述第二PMOS管431的漏极与所述第二NMOS管433的漏极串联连接，所述第一PMOS管430的栅极耦接所述第二PMOS管431的漏极，所述第二PMOS管431的栅极耦接所述第一PMOS管430的漏极，所述第一NMOS管432的栅极耦接所述第二NMOS管433的漏极，所述第二NMOS管433的栅极耦接所述第一NMOS管432的漏极，所述第一NMOS管432的源极接地，所述第二NMOS管433的源极接地。

进一步地，所述自振荡调制模块43还可以包括：第一电容434，所述第一电容434的第一端434a耦接所述第一PMOS管430的漏极，所述第一电容434的第二端434b耦接所述第二PMOS管431的漏极。

进一步地，所述标签天线40的第一端40a可以耦接所述第一PMOS管430的漏极，所述标签天线40的第二端40b可以耦接所述第二PMOS管431的漏极。

在一个具体实施中，所述控制开关44的第一端可以耦接所述电源模块41，所述第一PMOS管430的源极与所述第二PMOS管431的源极可以并联连接所述控制开关44的第二端，所述控制开关44根据所述反馈信号BS_DATA在开启状态和闭合状态之间切换，以断开或导通所述自振荡调制模块43与所述电源模块41之间的电连接。

例如，当所述反馈信号BS_DATA可以为所述第一电平时，所述控制开关44切换至开启状态，所述自振荡调制模块43处于非工作状态。

当所述反馈信号BS_DATA为所述第二电平时，所述控制开关44可以切换至闭合状态，所述标签天线40和所述第一电容434可以等效的形成LC振荡器，所述第一电容434与所述标签天线40产生谐振以增大所述标签天线40的端电压。

在一个具体实施中，所述命令处理模块42可以包括：解调器420，用于解调所述命令信号；数字控制单元421，与所述解调器420耦接，并根据解调后的命令信号生成所述反馈信号BS_DATA。

例如，所述解调器420可以与所述标签天线40耦接，以将所述标签天线40接收到的射频信号的衰减/非衰减变化转换为高/低电平变化，并将转换结果作为输入命令PIE传输至所述数字控制单元421。其中，所述输入命令PIE即包含有所述命令信号的内容。

又例如，所述解调器420可以直接基于所述阅读器能量运行，所述数字控制单元421可以由所述第二电容411供电。

在实际应用中，也可以设置所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种无源标签，其特征在于，包括：

标签天线，用于接收阅读器能量；

电源模块，与所述标签天线耦接以获取所述阅读器能量；

命令处理模块，用于接收命令信号，并根据所述命令信号生成反馈信号，所述电源模块与所述命令处理模块耦接以向所述命令处理模块供电；

自振荡调制模块，与所述命令处理模块耦接，所述自振荡调制模块用于根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量，以使第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值，其中，所述第一反射能量是指所述反馈信号为第一电平时所述标签天线的反射能量，所述第二反射能量是指所述反馈信号为第二电平时所述标签天线的反射能量。

2.根据权利要求1所述的无源标签，其特征在于，所述预设阈值根据阅读器的接收灵敏度确定。

3.根据权利要求1所述的无源标签，其特征在于，将所述第一反射能量对应的所述标签天线的端电压记作第一电压，将所述第二反射能量对应的所述标签天线的端电压记作第二电压，所述第一反射能量与第二反射能量的差值大于预设阈值是指：所述第一电压与第二电压中之一至少为其中之另一的两倍。

4.根据权利要求1所述的无源标签，其特征在于，所述电源模块与所述自振荡调制模块耦接，以向所述自振荡调制模块供电。

5.根据权利要求4所述的无源标签，其特征在于，还包括：

控制开关，所述控制开关可在开启状态和闭合状态之间切换，以断开或导通所述自振荡调制模块与所述电源模块之间的电连接。

6.根据权利要求5所述的无源标签，其特征在于，所述命令处理模块与所述控制开关耦接，所述控制开关根据所述反馈信号在所述开启状态和闭合状态之间切换；

所述自振荡调制模块根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量包括：

当所述反馈信号为所述第一电平时，所述控制开关切换至开启状态，所述自振荡调制模块处于非工作状态；

当所述反馈信号为所述第二电平时，所述控制开关切换至闭合状态，所述自振荡调制模块处于工作状态并与所述标签天线产生谐振，以放大所述标签天线的反射能量。

7.根据权利要求1所述的无源标签，其特征在于，所述自振荡调制模块的振荡频率根据通信工作频率确定。

8.根据权利要求1所述的无源标签，其特征在于，所述自振荡调制模块的振荡幅度根据输入能量确定。

9.根据权利要求1所述的无源标签，其特征在于，所述自振荡调制模块包括：

第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，其中，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极并联连接所述电源模块，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极串联连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极串联连接，所述第一PMOS管的栅极耦接所述第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的栅极耦接所述第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极耦接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极耦接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的源极接地；

第一电容，所述第一电容的第一端耦接所述第一PMOS管的漏极，所述第一电容的第二端耦接所述第二PMOS管的漏极。

10.根据权利要求9所述的无源标签，其特征在于，所述标签天线的第一端耦接所述第一PMOS管的漏极，所述标签天线的第二端耦接所述第二PMOS管的漏极。

11.根据权利要求10所述的无源标签，其特征在于，还包括：

控制开关，所述控制开关的第一端耦接所述电源模块，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极并联连接所述控制开关的第二端，所述控制开关根据所述反馈信号在开启状态和闭合状态之间切换，以断开或导通所述自振荡调制模块与所述电源模块之间的电连接。

12.根据权利要求11所述的无源标签，其特征在于，所述自振荡调制模块根据所述反馈信号调节所述标签天线的反射能量包括：

当所述反馈信号为所述第一电平时，所述控制开关切换至开启状态，所述自振荡调制模块处于非工作状态；

当所述反馈信号为所述第二电平时，所述控制开关切换至闭合状态，所述第一电容与所述标签天线产生谐振以增大所述标签天线的端电压。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的无源标签，其特征在于，所述电源模块包括：

能量转换模块，用于将所述阅读器能量转换成直流能量；

第二电容，与所述能量转换模块耦接以存储所述直流能量。

14.根据权利要求13所述的无源标签，其特征在于，所述电源模块还包括：

能量存储单元，与所述能量转换模块耦接以存储所述直流能量，所述能量存储单元还与所述自振荡调制模块耦接以向所述自振荡调制模块供电。

15.根据权利要求1至12中任一项所述的无源标签，其特征在于，所述命令处理模块包括：

解调器，用于解调所述命令信号；

数字控制单元，与所述解调器耦接，并根据解调后的命令信号生成所述反馈信号。

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