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CN112750860B - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

一种显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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CN112750860B CN201911038550.1A CN201911038550A CN112750860B CN 112750860 B CN112750860 B CN 112750860B CN 201911038550 A CN201911038550 A CN 201911038550A CN 112750860 B CN112750860 B CN 112750860B
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Abstract

一种显示基板及其制作方法、显示装置，其中，显示基板包括：基底以及设置在基底上的栅线、数据线、电源连接线以及多个子像素，显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点，形成不良点的栅线为不良栅线；形成不良点的数据线为不良数据线；电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；不良栅线和不良电源连接线断开设置，显示基板还包括：设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线，修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。本申请提供的技术方案通过断开不良栅线和不良电源连接线，并设置修复线对不良点进行了修复，进而保证了显示基板的显示效果。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本文涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示基板具有超薄、大视角、主动发光、高亮度、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、低功耗、工作温度范围宽及可柔性显示等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。依据驱动方式的不同，OLED可分为无源矩阵驱动(Passive Matrix，PM)型和有源矩阵驱动(Active Matrix，AM)型两种，其中AMOLED是电流驱动器件，采用独立的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)控制每个子像素，每个子像素皆可以连续且独立的驱动发光。
OLED显示基板的显示区域包括：横纵交错的栅线和数据线，一般在采用显示区域中的栅电极层同层制作栅线，采用显示区域中的源漏金属层同层制作数据线，使得在显示区域存在较大面积的栅线和数据线交叠区。经发明人研究发现，由于栅电极层和源漏金属层之间相距较近，从而使得形成在显示区域的栅线与数据线之间的距离较近，导致OLED显示基板存在由栅线与数据线短路(Data Gate short，简称DGS)形成的不良点，进而使得OLED显示基板产生横纵或者竖纹，降低了OLED显示基板的显示效果。
发明内容
本申请提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，可以对存在不良点的显示基板进行修复，进而能够提升存在不良点的显示基板的显示效果。
第一方面，本申请提供一种显示基板，包括：基底以及设置在所述基底上的栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素，每个子像素包括：驱动电路；所述驱动电路包括：多个晶体管和存储电容，所述显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点，形成所述不良点的栅线为不良栅线；形成不良点的数据线为不良数据线；多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管，所述存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，所述存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接；
对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；所述电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；所述不良栅线分别与第一修复子像素和第二修复子像素中的开关晶体管的栅电极连接；其中，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线；
所述不良栅线和所述不良电源连接线断开设置，对于第一修复子像素和第二修复子像素，所述显示基板还包括：设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线，所述修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。
可选地，所述不良栅线包括：沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一扫描部、第二扫描部和第三扫描部，其中，所述第二扫描部位于所述第一扫描部和所述第三扫描部之间；
所述第二扫描部在基底上的正投影与所述不良数据线在基底上的正投影存在重叠区域，所述第一扫描部与位于所述不良数据线靠近所述第一修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；所述第三扫描部分别与位于不良数据线靠近所述第二修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；
所述修复线分别与第一扫描部和第三扫描部连接。
可选地，所述不良电源连接线包括沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一连接部、第二连接部和第三连接部；其中，所述第二连接部位于所述第一连接部和所述第三连接部之间；
所述第一连接部在基底上的正投影与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第三连接部在基底上的正投影与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第二连接部在基底上的正投影与第一修复子像素和第二子修复子像素中的开关晶体管的第二极存在重叠区域，所述第二连接部与修复线连接。
可选地，所述修复线包括：第一修复部和第二修复部；
其中，所述第一修复部分别与第一扫描部和第二连接部连接；所述第二修复部分别与第三扫描部和第二连接部连接；
所述第一修复部和所述第二修复部的制作材料包括：钨。
可选地，所述第一修复子像素和所述第二修复子像素均包括：第一凹槽和第二凹槽；
其中，所述第一凹槽贯穿所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的有源层，且所述第一凹槽在基底上的正投影位于所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的第一极在基底上的正投影和所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的栅电极在基底上的正投影之间；
所述第二凹槽贯穿所述第二凹槽所在子像素中开关晶体管的第二极，且所述第二凹槽在基底上的正投影位于所述电源连接线在基底上的正投影和所述第二凹槽所在子像素的驱动晶体管的栅电极在基底上的正投影之间。
可选地，所述第一修复子像素和第二修复子像素均还包括：第一过孔和第二过孔；
其中，第一修复子像素中的第一过孔用于暴露第一扫描部，第二修复子像素中的第一过孔用于暴露第三扫描部，所述第二过孔用于暴露第二连接部。
可选地，所述第一修复部通过第一修复子像素中的第一过孔与第一扫描部连接，所述第一修复部通过第一修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第一过孔与第三扫描部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接。
可选地，所述存储电容为透明电容，所述存储电容的第一电极与多个晶体管的有源层同层设置，所述存储电容的第二电极设置在多个晶体管的源漏电极远离基底的一侧；
所述第二电极的制作材料为透明导电材料，所述第一电极的制作材料与多个晶体管的有源层的制作材料相同。
可选地，每个子像素包括：设置有存储电容的存储电容区和设置有多个晶体管的非存储电容区；
所述非存储电容区包括：第一非存储电容区和第二非存储电容区；所述第一非存储电容区和第二非存储电容区分别位于存储电容区的两侧，所述开关晶体管和所述驱动晶体管位于第一非存储电容区，所述感测晶体管位于第二非存储电容区。
可选地，对于第i行的每个子像素，所述开关晶体管的栅电极与第i行栅线连接，所述感测晶体管的栅电极与第i+1行栅线连接，第i行栅线和第i+1行栅线分别位于第i行子像素的存储电容区的两侧。
可选地，所述显示基板还包括：与多个晶体管的源漏电极同层设置的电源线、感测线和数据线，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与通过电源连接线与电源线连接，感测晶体管的第一极与感测线连接；
每个像素包括：四个子像素，每个像素分别与四列数据线、一列电源线和两个感测线连接，每个子像素对应一列数据线，每个像素对应一列电源线和两列感测线；
所述四个子像素沿栅线延伸方向依次设置，每个像素对应的电源线设置在第二子像素和第三子像素之间，第一列感测线设置在第一子像素远离第二子像素的一侧，第二列感测线设置在第四子像素远离第三子像素的一侧；
所述第一子像素对应的数据线位于所述第一子像素靠近第二子像素的一侧，所述第二子像素对应的数据线位于所述第二子像素靠近第一子像素的一侧，所述第三子像素对应的数据线位于所述第三子像素靠近第四子像素的一侧，所述第四子像素对应的数据线位于所述第四子像素靠近第三子像素的一侧。
可选地，所述显示基板还包括：设置在多个晶体管的有源层靠近基底一侧的缓冲层和遮光层；所述显示基板还包括：与感测线连接的感测连接线；
所述遮光层设置在缓冲层靠近基底的一侧，所述感测连接线与所述遮光层同层设置，所述遮光层在基底上的正投影覆盖所述驱动晶体管的有源层的有效区域；
对于每个子像素，感测晶体管的第一极通过感测连接线与感测线连接。
可选地，所述显示基板还包括：设置在多个晶体管的有源层和多个晶体管的栅电极之间的栅绝缘层以及设置在多个晶体管的有源层和多个晶体管的源漏电极之间的层间绝缘层；
所述栅绝缘层在基底上的正投影与所述多个晶体管的栅电极在基底上的正投影重合，所述第一过孔设置在所述层间绝缘层上。
第二方面，本申请还提供一种显示装置，包括上述显示基板。
第三方面，本申请还提供一种显示基板的制作方法，用于制作上述显示基板，所述方法包括：
在基底上形成栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素；其中，每个子像素包括驱动电路；所述驱动电路包括：多个晶体管和存储电容；多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管；所述存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，所述存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；所述电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；
查找由栅线和数据线短路形成的不良点；其中，形成所述不良点的栅线为不良栅线，形成不良点的数据线为不良数据线，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线；
将不良栅线和不良电源连接线断开，在第一修复子像素和第二修复子像素中形成修复线，以对显示基板进行修复，所述修复线设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧，所述修复线分别与部分断开设置的栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。
可选地，所述在基底上形成栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素包括：
在基底上形成遮光层和感测连接线；
在遮光层和感测连接线上形成缓冲层；
在缓冲层上形成多个晶体管的有源层和存储电容的第一电极；
在多个晶体管的有源层和存储电容的第一电极上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成栅线、多个晶体管的栅电极和电源连接线；
在栅线、多个晶体管的栅电极和电源连接线上形成层间绝缘层；
在层间绝缘层上形成数据线、电源线、感测线和多个晶体管的源漏电极。
可选地，所述将不良栅线和不良电源连接线断开包括：
采用激光工艺沿栅线排布方向将不良栅线切割成沿相互断开的第一扫描部、第二扫描部和第三扫描部；其中，所述第二扫描部在基底上的正投影与所述不良数据线在基底上的正投影存在重叠区域，所述第一扫描部与位于所述不良数据线靠近所述第一修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；所述第三扫描部分别与位于不良数据线靠近所述第二修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；
采用激光工艺沿栅线排布方向将不良电源连接线切割成相互断开的第一连接部、第二连接部和第三连接部；其中，所述第一连接部在基底上的正投影与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第三连接部在基底上的正投影与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第二连接部在基底上的正投影与第一修复子像素和第二子修复子像素中的开关晶体管的第二极存在重叠区域，所述第二连接部与修复线连接；
采用激光工艺在第一子像素和第二子像素中形成第一凹槽、第二凹槽、第一过孔和第二过孔；其中，第一凹槽贯穿所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的有源层，且所述第一凹槽在基底上的正投影位于所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的第一极在基底上的正投影和所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的栅电极在基底上的正投影之间；所述第二凹槽贯穿所述第二凹槽所在子像素中开关晶体管的第二极，且所述第二凹槽在基底上的正投影位于所述电源连接线在基底上的正投影和所述第二凹槽所在子像素的驱动晶体管的栅电极在基底上的正投影之间；其中，第一修复子像素中的第一过孔用于暴露第一扫描部，第二修复子像素中的第一过孔用于暴露第三扫描部，所述第二过孔用于暴露第二连接部。
可选地，所述在第一修复子像素和第二修复子像素中形成修复线，以对显示基板进行修复包括：
在所述第一子像素和所述第二子像素上沉积金属薄膜；
通过构图工艺在第一子像素中形成第一修复部，在第二子像素中形成第二修复部，以形成修复线；
所述第一修复部通过第一修复子像素中的第一过孔与第一修复部连接，所述第一修复部通过第一修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第一过孔与第三扫描部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接。
可选地，所述方法还包括：
在数据线、电源线、感测线和多个晶体管的源漏电极上形成存储电容的第二电极。
本申请提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，其中，显示基板包括：基底以及设置在基底上的栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素，每个子像素包括：驱动电路；驱动电路包括：多个晶体管和存储电容，显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点，形成不良点的栅线为不良栅线；形成不良点的数据线为不良数据线；存储电容为透明电容，多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管；存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；不良栅线分别与第一修复子像素和第二修复子像素中的开关晶体管的栅电极连接；其中，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线；不良栅线和不良电源连接线断开设置，对于第一修复子像素和第二修复子像素，显示基板还包括：设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线，修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。本申请提供的技术方案通过断开不良栅线和不良电源连接线，并设置连接部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线的修复线使得形成不良点的部分栅线不传输扫描信号，即形成不良点的部分栅线无法与数据线短路，实现了对存在不良点的显示基板的修复，进而保证了显示基板的显示效果，提升了产品良率，为高分辨率的底发射显示产品提供了基础支持。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为相关技术中OLED像素驱动电路的等效电路图；
图2为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图；
图3为图2沿A-A向的剖视图；
图4为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图5A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图一；
图5B为图5A沿A-A向的剖视图；
图6A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图二；
图6B为图6A沿A-A向的剖视图；
图7A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图三；
图7B为图7A沿A-A向的剖视图；
图8A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图四；
图8B为图8A沿A-A向的剖视图；
图9A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图五；
图9B为图9A沿A-A向的剖视图；
图10A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图六；
图10B为图10A沿A-A向的剖视图。
具体实施方式
本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。
除非另外定义，本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
经发明人研究发现，相关技术中的显示基板，由于栅线和数据线的距离较近，在子像素中的由各种原因导致的电容的作用下，位于栅线和数据线重叠区域的绝缘层很容易被击穿，使得在驱动显示时，由于静电释放会造成栅线和数据线短路，进而导致OLED显示基板的显示效果不佳。
本实施例中，OLED显示基板包括多个子像素，每个子像素包括OLED像素驱动电路和发光器件OLED。图1为OLED像素驱动电路的等效电路图，示意了一种3T1C的驱动电路，如图1所示，相关技术中OLED显示基板包括多个子像素，每个子像素包括：驱动电路和发光元件OLED，该像素驱动电路与栅线G_N、补偿线Sense、电源线VDD、数据线Data和栅线G_N+1电连接，包括：开关晶体管T1、驱动晶体管T2、感测晶体管T3和存储电容C。
具体的，显示基板包括多行栅线，多列数据线，其中，栅线G_N为第N行的栅线，栅线G_N+1为第N+1行的栅线，图1是为了说明连接关系，以沿列方向设置的两个子像素中OLED像素驱动电路为例进行说明的。
具体地，每个OLED像素驱动电路中开关晶体管T1的栅电极连接栅线G_N，开关晶体管T1的第一极与数据线Data连接，开关晶体管T1的第二极与节点N1连接，驱动晶体管T2的栅电极与节点N1连接，驱动晶体管T2的第一极与电源线VDD连接，驱动晶体管T2的第二极与节点N2连接，感测晶体管T3的栅电极与栅线G_N+1连接，感测晶体管T3的第一极与感测线Sense连接，感测晶体管T3的第二极与节点N2连接，OLED的阳极与节点N2李连杰，OLED的阴极连接低电压线VSS，被配置为响应驱动晶体管的第二极的电流而发出相应亮度的光，其中，感测晶体管T3能够响应补偿时序，提取驱动晶体管T2的阈值电压Vth以及迁移率，以对阈值电压Vth进行感测，存储电容C用于保持在一帧发光周期内节点N1和节点N2之间的电压差。即每一行的开关晶体管的栅电极与上一行的感测晶体管的栅电极连接。
本申请实施例提供了一种显示基板，图2为本申请实施例提供的显示基板的结构示意图，图3为图2沿A-A向的剖视图，如图2和图3所示，本申请实施例提供的显示基板，包括：基底10以及设置在基底10上的栅线G、数据线Data、电源连接线VL以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素，每个子像素包括驱动电路；驱动电路包括：多个晶体管和存储电容，多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管，存储电容为透明电容，显示基板存在由栅线G和数据线Data短路形成的不良点(图2中的黑点)，形成不良点的栅线为不良栅线，形成不良点的数据线为不良数据线；显示基板还包括：修复线和位于不良点两侧、且沿栅线延伸方向设置的第一子像素P1和第二子像素P2。需要说明的是，图2是以第N行的子像素为例进行说明的。
对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线VL连接；电源连接线VL与多个晶体管的栅电极同层设置；不良栅线G_N分别与第一修复子像素和第二修复子像素中的开关晶体管的栅电极连接；其中，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线。
具体的，本实施例中，不良栅线和不良电源连接线断开设置，对于第一修复子像素RP1和第二修复子像素RP2，显示基板还包括：设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线，修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。
具体的，显示基板为大尺寸的底发射OLED显示基板，其中，数据信号由数据线提供，扫描信号由栅线提供。
需要说明的是，图2是以一个显示基板存在不良点为例进行说明的，图5中的栅线G_N就是本申请中的不良栅线，其他未画出的栅线为正常栅线，即不断开。
具体的，如图2和图3所示，本申请实施例提供的显示基板还包括：开关晶体管的有源层21、栅电极22、第一极23和第二极24、驱动晶体管的遮光层11、有源层31、栅电极32、第一极33和第二极34、感测晶体管的有源层41、栅电极(图中未示出)、第一极43和第二极44、缓冲层12、栅绝缘层13、层间绝缘层14、存储电容C的第一电极C1和第二电极C2、补偿线Sense和补偿连接线SL。
其中，存储电容C的第一电极C1分别与开关晶体管的第二极24和驱动晶体管的栅电极32连接，存储电容C的第二电极C2分别与驱动晶体管的第二极34和感测晶体管的第二极44连接。
其中，补偿线Sense与数据线Data同层设置，补偿连接线SL与遮光层11同层设置。
具体的，遮光层11在基底上的正投影与驱动晶体管的栅电极存在重叠区域，栅绝缘层在基底上的正投影与多个晶体管的栅电极在基底上的正投影重合，所述第一过孔设置在所述层间绝缘层上。
可选地，基底10可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
可选地，遮光层11和补偿连接线SL的制作材料为金属，例如可以为银、铝等，本申请实施例对此不作任何限定。
可理解的是，基底10上的缓冲层12的作用是：防止基底的金属离子扩散至有源层上，降低缺陷和减少漏电流的产生。其中，缓冲层可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等，也可以采用高介电材料，如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等，可以是单层、多层或复合层。
可选地，有源层的制作材料为金属氧化物，例如可以为铟镓锌氧化物IGZO，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，第一电极C1和第二电极C2的制作材料为透明导电材料，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，缓冲层12、栅绝缘层13和层间绝缘层14的制作材料可选用氧化物、氮化物或者氮氧化物等，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，栅线、电源连接线VL和栅电极采用同一制程形成，且制作材料可以为如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。
可选地，数据线Data、补偿线Sense、电源线VDD、多个晶体管的源漏电极采用同一制程形成，且制作材料可以为如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。
由于修复工艺是在源漏电极层之后进行的，本申请中的电源连接线与栅线同层设置，由于栅线层与源漏电极层最近，因此，减小激光熔断范围，为高分辨率的产品维修提供了技术支持。
具体的，本申请实施例采用修复线替代位于第一修复子像素中开关晶体管的栅电极和第二修复子像素中开关晶体管的栅电极之间的部分栅线提供扫描信号，避免了在驱动显示时位于第一修复子像素中开关晶体管的栅电极和第二修复子像素中开关晶体管的栅电极之间的部分栅线存在信号，与不良数据线形成短路，本申请实施例的显示基板在保证数据线的正常功能的同时，也保证栅线提供的扫描信号的完整性，虽然第一修复子像素和第二修复子像素产生了暗点，但是保证其他子像素的正常显示，避免产生横纹或者竖纹，实现了对存在不良点的显示基板的修复，进而对显示基板进行了改善，提升了产品良率，为高分辨率的底发射显示产品提供了基础支持。
本申请实施例提供的显示基板包括：基底以及设置在基底上的栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素，每个子像素包括：驱动电路；驱动电路包括：多个晶体管和存储电容，显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点，形成不良点的栅线为不良栅线；形成不良点的数据线为不良数据线；多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管；存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；不良栅线分别与第一修复子像素和第二修复子像素中的开关晶体管的栅电极连接；其中，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线；不良栅线和不良电源连接线断开设置，对于第一修复子像素和第二修复子像素，显示基板还包括：设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线，修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。本申请提供的技术方案通过断开不良栅线和不良电源连接线，并设置连接部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线的修复线使得形成不良点的部分栅线不传输扫描信号，即形成不良点的部分栅线无法与数据线短路，实现了对存在不良点的显示基板的修复，进而保证了显示基板的显示效果，提升了产品良率，为高分辨率的底发射显示产品提供了基础支持。
可选地，如图2所示，本申请实施例提供的不良栅线包括：沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一扫描部G1、第二扫描部G2和第三扫描部G3，其中，第二扫描部G3位于第一扫描部G1和第三扫描部G3之间。
具体的，第二扫描部G2在基底10上的正投影与不良数据线在基底10上的正投影存在重叠区域，第一扫描部G1与位于不良数据线靠近第一修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；第三扫描部G3分别与位于不良数据线靠近第二修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；修复线分别与第一扫描部G1和第三扫描部G3连接。
具体的，第一扫描部G1与位于不良数据线靠近第一子像素的一侧、且与第一子像素同行设置的所有子像素中开关晶体管的栅电极连接；第三扫描部G3分别与位于不良数据线靠近第二子像素的一侧、且与第一子像素同行设置的所有子像素中开关晶体管的栅电极连接。
具体的，本实施例中的第一扫描部与显示基板中的栅极驱动电路的输出端连接，用于传输扫描信号，本实施例中由于第二扫描部与第一扫描部和第三扫描部均断开，在进行驱动显示时，第二扫描部没有信号，故而不会与不良数据线之间形成短路。
可选地，如图2，本申请实施例提供的不良电源连接线包括沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一连接部L1、第二连接部L2和第三连接部L3；其中，第二连接部L2位于第一连接部L1和第三连接部L3之间。
具体的，所述第一连接部L1在基底10上的正投影与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极33存在重叠区域，且与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极33连接，第三连接部L3在基底10上的正投影与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极33存在重叠区域，且与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极33连接，第二连接部L2在基底10上的正投影与第一修复子像素和第二子修复子像素中的开关晶体管的第二极24存在重叠区域，第二连接部L2与修复线连接。
可选地，如图2，本申请实施例提供的修复线包括：第一修复部R1和第二修复部R2；其中，第一修复部R1分别与第一扫描部G1和第二连接部L2连接；第二修复部R2分别与第三扫描部G3和第二连接部L2连接。
可选地，第一修复部R1和第二修复部R2的制作材料包括：钨。
如图2和图3，本实施例中，第一修复子像素和所述第二修复子像素均包括：第一凹槽D1和第二凹槽D2。
具体的，第一凹槽D1贯穿第一凹槽D1所在子像素中开关晶体管的有源层21，且第一凹槽D1在基底上的正投影位于第一凹槽D1所在子像素中开关晶体管的第一极23在基底10上的正投影和第一凹槽D1所在子像素中开关晶体管的栅电极22在基底上10的正投影之间；第二凹槽D2贯穿第二凹槽D2所在子像素中开关晶体管的第二极24，且第二凹槽D2在基底10上的正投影位于电源连接线VL在基底10上的正投影和第二凹槽D2所在子像素的驱动晶体管的栅电极32在基底10上的正投影之间。
可选地，如图3，本实施例中，第一修复子像素和第二修复子像素均还包括：第一过孔V1和第二过孔V2；其中，第一修复子像素中的第一过孔V1用于暴露第一扫描部G1，第二修复子像素中的第一过孔V1用于暴露第三扫描部G3，第二过孔V2用于暴露第二连接部L2。
具体的，第一修复部R1通过第一修复子像素中的第一过孔V1与第一扫描部G1连接，第一修复部R1通过第一修复子像素中的第二过孔V2与第二连接部L2连接；第二修复部R2通过第二修复子像素中的第一过孔V1与第三扫描部G3连接；第二修复部R2通过第二修复子像素中的第二过孔V2与第二连接部L2连接。
可选地，第一修复部R1和第二修复部R2采用同一制程形成，其制作材料为金属，例如钨等，本申请实施例对此不作任何限定。
可选地，如图2，存储电容C为透明电容，存储电容C的第一电极C1与多个晶体管的有源层同层设置，存储电容的第二电极C2设置在多个晶体管的源漏电极远离基底的一侧。
可选地，第二电极的制作材料为透明导电材料，第一电极的制作材料与多个晶体管的有源层的制作材料相同。
可选地，如图2，每个子像素包括：设置有存储电容的存储电容区和设置有多个晶体管的非存储电容区。
非存储电容区包括：第一非存储电容区和第二非存储电容区；第一非存储电容区和第二非存储电容区分别位于存储电容区的两侧，开关晶体管和驱动晶体管位于第一非存储电容区，感测晶体管位于第二非存储电容区。
本实施例中，对于第i行的每个子像素，开关晶体管的栅电极与第i行栅线连接，感测晶体管的栅电极与第i+1行栅线连接，第i行栅线和第i+1行栅线分别位于第i行子像素的存储电容区的两侧。
具体的，如图2，本申请实施例提供的显示基板还包括：与多个晶体管的源漏电极同层设置的电源线VDD、感测线Sense和数据线Data，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极33与通过电源连接线VL与电源线VDD连接，感测晶体管的第一极43与感测线Sense连接；
每个像素包括：四个子像素，每个像素分别与四列数据线、一列电源线和两个感测线连接，每个子像素对应一列数据线，每个像素对应一列电源线和两列感测线。
具体的，四个子像素沿栅线延伸方向依次设置，每个像素对应的电源线设置在第二子像素和第三子像素之间，第一列感测线设置在第一子像素远离第二子像素的一侧，第二列感测线设置在第四子像素远离第三子像素的一侧；所述第一子像素对应的数据线位于所述第一子像素靠近第二子像素的一侧，所述第二子像素对应的数据线位于所述第二子像素靠近第一子像素的一侧，所述第三子像素对应的数据线位于所述第三子像素靠近第四子像素的一侧，所述第四子像素对应的数据线位于所述第四子像素靠近第三子像素的一侧。
其中，每个像素中的四个子像素的排布方式可以为RWBG，但不限与此种排布方式。
需要说明的是，两个补偿线Sense之间包括四个子像素，两个电源线VDD之间包括：四个子像素，图2是以包括在两个电源线之间的四个子像素为例进行说明的。
可选地，所述显示基板还包括：与感测线连接的感测连接线；遮光层设置在缓冲层靠近基底的一侧，感测连接线与遮光层同层设置，所述遮光层在基底上的正投影覆盖所述驱动晶体管的有源层的有效区域；对于每个子像素，感测晶体管的第一极通过感测连接线与感测线连接。
本申请实施例提供的显示基板将向不良点传输信号的通道即第一修复子像素中开关晶体管的栅电极与第二修复子像素中开关晶体管的栅电极之间的栅线断开，设置了新的扫描信号的传输通道，形成新的扫描信号的信号线，保证了扫描信号的完整性，以保证产品可以正常工作，从而提升了产品良率。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示基板的制作方法，用于制作显示基板，图4为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的流程图，如图4所示，本申请实施例提供的显示基板的制作方法具体包括以下步骤：
步骤S1、在基底上形成栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素。
每个子像素包括驱动电路；驱动电路包括：多个晶体管和存储电容；存储电容为透明电容，多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管；存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置。
可选地，步骤S1具体包括：在基底上形成遮光层和感测连接线；在遮光层和感测连接线上形成缓冲层；在缓冲层上形成多个晶体管的有源层和存储电容的第一电极；在多个晶体管的有源层和存储电容的第一电极上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅线、多个晶体管的栅电极和电源连接线；在栅线、多个晶体管的栅电极和电源连接线上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成数据线、电源线、感测线和多个晶体管的源漏电极。
步骤S2、查找由栅线和数据线短路形成的不良点。
具体的，步骤S2包括采用相关技术中的不良点查找方式查找显示基板中的不良点。
其中，形成不良点的栅线为不良栅线，形成不良点的数据线为不良数据线，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线。
步骤S3、将不良栅线和不良电源连接线断开，在第一修复子像素和第二修复子像素中形成修复线，以对显示基板进行修复。
具体的，修复线设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧，修复线分别与部分断开设置的栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号，以对显示基板进行修复。
具体的，将不良栅线和不良电源连接线断开包括：采用激光工艺沿栅线排布方向将不良栅线切割成沿相互断开的第一扫描部、第二扫描部和第三扫描部；采用激光工艺沿栅线排布方向将不良电源连接线切割成相互断开的第一连接部、第二连接部和第三连接部；采用激光工艺在第一子像素和第二子像素中形成第一凹槽、第二凹槽、第一过孔和第二过孔。
其中，第二扫描部在基底上的正投影与不良数据线在基底上的正投影存在重叠区域，第一扫描部与位于不良数据线靠近第一修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；第三扫描部分别与位于不良数据线靠近第二修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接。第一连接部在基底上的正投影与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，第三连接部在基底上的正投影与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，第二连接部在基底上的正投影与第一修复子像素和第二子修复子像素中的开关晶体管的第二极存在重叠区域，第二连接部与修复线连接；第一凹槽贯穿第一凹槽所在子像素中开关晶体管的有源层，且第一凹槽在基底上的正投影位于第一凹槽所在子像素中开关晶体管的第一极在基底上的正投影和第一凹槽所在子像素中开关晶体管的栅电极在基底上的正投影之间；第二凹槽贯穿第二凹槽所在子像素中开关晶体管的第二极，且第二凹槽在基底上的正投影位于电源连接线在基底上的正投影和第二凹槽所在子像素的驱动晶体管的栅电极在基底上的正投影之间；其中，第一修复子像素中的第一过孔用于暴露第一扫描部，第二修复子像素中的第一过孔用于暴露第三扫描部，第二过孔用于暴露第二连接部。
具体的，在第一修复子像素和第二修复子像素中形成修复线，以对显示基板进行修复包括：在第一子像素和第二子像素上沉积金属薄膜；通过构图工艺在第一子像素中形成第一修复部，在第二子像素中形成第二修复部，以形成修复线。
其中，第一修复部通过第一修复子像素中的第一过孔与第一修复部连接，第一修复部通过第一修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接；第二修复部通过第二修复子像素中的第一过孔与第三扫描部连接；第二修复部通过第二修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接。
可选地，本申请实施例提供的显示基板的制作方法还包括：在数据线、电源线、感测线和多个晶体管的源漏电极上形成存储电容的第二电极。
其中，显示基板为前述实施例提供的显示基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
由于修复工艺是在源漏电极层之后进行的，本申请中的电源连接线与栅线同层设置，由于栅线层与源漏电极层最近，因此，减小激光熔断范围，为高分辨率的产品维修提供了技术支持。
下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
图5A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图一，图5B为图5A沿A-A向的剖视图，图6A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图二，图6B为图6A沿A-A向的剖视图，图7A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图三，图7B为图7A沿A-A向的剖视图，图8A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图四，图8B为图8A沿A-A向的剖视图，图9A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图五，图9B为图9A沿A-A向的剖视图，图10A为本申请实施例提供的显示基板的制作方法的示意图六，图10B为图10A沿A-A向的剖视图，结合图5～图10，进一步说明本申请实施例提供的显示基板的制作方法，需要说明的是图5～图10是以同时形成四个子像素为例进行说明的。
步骤100、提供一基底10，在基底10上采用同一制程形成遮光层11和补偿连接线SL，如图5A和图5B所示。
步骤200、形成覆盖基板10的缓冲层12，并在缓冲层12上形成开关晶体管的有源层21、驱动晶体管的有源层31、感测晶体管的有源层41和存储电容的第一电极C1，如图6A和图6B所示。
步骤300、形成栅绝缘层13，并在栅绝缘层13上采用同一制程形成栅线G_N、第二栅线G_N+1、电源连接线VL、开关晶体管的栅电极22、驱动晶体管的栅电极32和感测晶体管的栅电极(图中未示出)，如图7A和图7B所示。
步骤400、形成层间绝缘层14，并在层间绝缘层14上形成开关晶体管的第一极23和第二极24、驱动晶体管的第一极33和第二极34、感测晶体管的第一极43和第二极44、数据线Data、电源线VDD、补偿线Sense和存储电容的第二电极C2，如图8A和图8B所示。
具体的，多个晶体管的源漏电极、数据线、电源线和补偿线采用同一制程形成，本申请实施例对此不作任何限定。
步骤500、采用激光工艺沿栅线排布方向将不良栅线切割形成沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一扫描部G1、第二扫描部G2和第三扫描部G3；采用激光工艺在第一修复子像素和第二修复子像素中形成第一凹槽D1和第二凹槽D2，采用激光工艺沿栅线排布方向将电源连接线VL切割形成沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一连接部L1、第二连接部L2和第三连接部L3，如图9A和图9B。
步骤600、在第一修复子像素和第二修复子像素中形成第一过孔V1和第二过孔V2，如图10A和图10B。
步骤700，在第一修复子像素中形成第一修复部R1和在第二修复子像素中形成第二修复部R2，以形成修复线，如图2和3所示。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置，包括：显示基板。
其中，显示基板为前述实施例提供的显示基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
可选地，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。
本发明实施例附图只涉及本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底以及设置在所述基底上的栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素，每个子像素包括：驱动电路；所述驱动电路包括：多个晶体管和存储电容，所述显示基板存在由栅线和数据线短路形成的不良点，形成所述不良点的栅线为不良栅线；形成不良点的数据线为不良数据线；多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管，所述存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，所述存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接；
对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；所述电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；所述不良栅线分别与第一修复子像素和第二修复子像素中的开关晶体管的栅电极连接；其中，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线；
所述不良栅线和所述不良电源连接线断开设置，对于第一修复子像素和第二修复子像素，所述显示基板还包括：设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧的修复线，所述修复线分别与部分断开设置的不良栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号；
所述第一修复子像素和所述第二修复子像素均包括：第一凹槽和第二凹槽；
其中，所述第一凹槽贯穿所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的有源层，且所述第一凹槽在基底上的正投影位于所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的第一极在基底上的正投影和所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的栅电极在基底上的正投影之间；
所述第二凹槽贯穿所述第二凹槽所在子像素中开关晶体管的第二极，且所述第二凹槽在基底上的正投影位于所述电源连接线在基底上的正投影和所述第二凹槽所在子像素的驱动晶体管的栅电极在基底上的正投影之间。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述不良栅线包括：沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一扫描部、第二扫描部和第三扫描部，其中，所述第二扫描部位于所述第一扫描部和所述第三扫描部之间；
所述第二扫描部在基底上的正投影与所述不良数据线在基底上的正投影存在重叠区域，所述第一扫描部与位于所述不良数据线靠近所述第一修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；所述第三扫描部分别与位于不良数据线靠近所述第二修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；
所述修复线分别与第一扫描部和第三扫描部连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述不良电源连接线包括沿栅线延伸方向设置的，且相互断开的第一连接部、第二连接部和第三连接部；其中，所述第二连接部位于所述第一连接部和所述第三连接部之间；
所述第一连接部在基底上的正投影与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第三连接部在基底上的正投影与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第二连接部在基底上的正投影与第一修复子像素和第二子修复子像素中的开关晶体管的第二极存在重叠区域，所述第二连接部与修复线连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述修复线包括：第一修复部和第二修复部；
其中，所述第一修复部分别与第一扫描部和第二连接部连接；所述第二修复部分别与第三扫描部和第二连接部连接；
所述第一修复部和所述第二修复部的制作材料包括：钨。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一修复子像素和第二修复子像素均还包括：第一过孔和第二过孔；
其中，第一修复子像素中的第一过孔用于暴露第一扫描部，第二修复子像素中的第一过孔用于暴露第三扫描部，所述第二过孔用于暴露第二连接部。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一修复部通过第一修复子像素中的第一过孔与第一扫描部连接，所述第一修复部通过第一修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第一过孔与第三扫描部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述存储电容为透明电容，所述存储电容的第一电极与多个晶体管的有源层同层设置，所述存储电容的第二电极设置在多个晶体管的源漏电极远离基底的一侧；
所述第二电极的制作材料为透明导电材料，所述第一电极的制作材料与多个晶体管的有源层的制作材料相同。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每个子像素包括：设置有存储电容的存储电容区和设置有多个晶体管的非存储电容区；
所述非存储电容区包括：第一非存储电容区和第二非存储电容区；所述第一非存储电容区和第二非存储电容区分别位于存储电容区的两侧，所述开关晶体管和所述驱动晶体管位于第一非存储电容区，所述感测晶体管位于第二非存储电容区。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，对于第i行的每个子像素，所述开关晶体管的栅电极与第i行栅线连接，所述感测晶体管的栅电极与第i+1行栅线连接，第i行栅线和第i+1行栅线分别位于第i行子像素的存储电容区的两侧。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：与多个晶体管的源漏电极同层设置的电源线、感测线和数据线，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与通过电源连接线与电源线连接，感测晶体管的第一极与感测线连接；
每个像素包括：四个子像素，每个像素分别与四列数据线、一列电源线和两个感测线连接，每个子像素对应一列数据线，每个像素对应一列电源线和两列感测线；
所述四个子像素沿栅线延伸方向依次设置，每个像素对应的电源线设置在第二子像素和第三子像素之间，第一列感测线设置在第一子像素远离第二子像素的一侧，第二列感测线设置在第四子像素远离第三子像素的一侧；
所述第一子像素对应的数据线位于所述第一子像素靠近第二子像素的一侧，所述第二子像素对应的数据线位于所述第二子像素靠近第一子像素的一侧，所述第三子像素对应的数据线位于所述第三子像素靠近第四子像素的一侧，所述第四子像素对应的数据线位于所述第四子像素靠近第三子像素的一侧。
11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在多个晶体管的有源层靠近基底一侧的缓冲层和遮光层；所述显示基板还包括：与感测线连接的感测连接线；
所述遮光层设置在缓冲层靠近基底的一侧，所述感测连接线与所述遮光层同层设置，所述遮光层在基底上的正投影覆盖所述驱动晶体管的有源层的有效区域；
对于每个子像素，感测晶体管的第一极通过感测连接线与感测线连接。
12.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在多个晶体管的有源层和多个晶体管的栅电极之间的栅绝缘层以及设置在多个晶体管的有源层和多个晶体管的源漏电极之间的层间绝缘层；
所述栅绝缘层在基底上的正投影与所述多个晶体管的栅电极在基底上的正投影重合，所述第一过孔设置在所述层间绝缘层上。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～12任一项所述的显示基板。
14.一种显示基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～12任一项所述的显示基板，所述方法包括：
在基底上形成栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素；其中，每个子像素包括驱动电路；所述驱动电路包括：多个晶体管和存储电容；多个晶体管包括：开关晶体管、驱动晶体管和感测晶体管；所述存储电容的第一电极分别与开关晶体管的第二极和驱动晶体管的栅电极连接，所述存储电容的第二电极分别与驱动晶体管的第二极和感测晶体管的第二极连接，对于每个子像素，驱动晶体管的第一极与电源连接线连接；所述电源连接线与多个晶体管的栅电极同层设置；
查找由栅线和数据线短路形成的不良点；其中，形成所述不良点的栅线为不良栅线，形成不良点的数据线为不良数据线，第一修复子像素和第二修复子像素分别位于不良数据线两侧，且与不良栅线连接，与第一修复子像素和第二修复子像素连接的电源连接线为不良电源连接线；
将不良栅线和不良电源连接线断开，在第一修复子像素和第二修复子像素中形成修复线，所述修复线设置在多个晶体管的源漏电极远离基底一侧，所述修复线分别与部分断开设置的栅线和部分断开设置的不良电源连接线连接，且用于传输扫描信号；
所述将不良栅线和不良电源连接线断开包括：采用激光工艺在第一子像素和第二子像素中形成第一凹槽和第二凹槽；其中，第一凹槽贯穿所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的有源层，且所述第一凹槽在基底上的正投影位于所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的第一极在基底上的正投影和所述第一凹槽所在子像素中开关晶体管的栅电极在基底上的正投影之间；所述第二凹槽贯穿所述第二凹槽所在子像素中开关晶体管的第二极，且所述第二凹槽在基底上的正投影位于所述电源连接线在基底上的正投影和所述第二凹槽所在子像素的驱动晶体管的栅电极在基底上的正投影之间。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在基底上形成栅线、数据线、电源连接线以及由栅线和数据线交叉限定的多个子像素包括：
在基底上形成遮光层和感测连接线；
在遮光层和感测连接线上形成缓冲层；
在缓冲层上形成多个晶体管的有源层和存储电容的第一电极；
在多个晶体管的有源层和存储电容的第一电极上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上形成栅线、多个晶体管的栅电极和电源连接线；
在栅线、多个晶体管的栅电极和电源连接线上形成层间绝缘层；
在层间绝缘层上形成数据线、电源线、感测线和多个晶体管的源漏电极。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述将不良栅线和不良电源连接线断开还包括：
采用激光工艺沿栅线排布方向将不良栅线切割成沿相互断开的第一扫描部、第二扫描部和第三扫描部；其中，所述第二扫描部在基底上的正投影与所述不良数据线在基底上的正投影存在重叠区域，所述第一扫描部与位于所述不良数据线靠近所述第一修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；所述第三扫描部分别与位于不良数据线靠近所述第二修复子像素的一侧的子像素中开关晶体管的栅电极连接；
采用激光工艺沿栅线排布方向将不良电源连接线切割成相互断开的第一连接部、第二连接部和第三连接部；其中，所述第一连接部在基底上的正投影与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第一修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第三连接部在基底上的正投影与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极存在重叠区域，且与第二修复子像素中的驱动晶体管的第一极连接，所述第二连接部在基底上的正投影与第一修复子像素和第二子修复子像素中的开关晶体管的第二极存在重叠区域，所述第二连接部与修复线连接；
采用激光工艺在第一子像素和第二子像素中形成第一过孔和第二过孔；其中，第一修复子像素中的第一过孔用于暴露第一扫描部，第二修复子像素中的第一过孔用于暴露第三扫描部，所述第二过孔用于暴露第二连接部。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述在第一修复子像素和第二修复子像素中形成修复线包括：
在所述第一子像素和所述第二子像素上沉积金属薄膜；
通过构图工艺在第一子像素中形成第一修复部，在第二子像素中形成第二修复部，以形成修复线；
所述第一修复部通过第一修复子像素中的第一过孔与第一修复部连接，所述第一修复部通过第一修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第一过孔与第三扫描部连接；所述第二修复部通过第二修复子像素中的第二过孔与第二连接部连接。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在数据线、电源线、感测线和多个晶体管的源漏电极上形成存储电容的第二电极。
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