CN112684670A - 一种自动聚焦曝光方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种自动聚焦曝光方法，包括以下步骤：获取光刻胶板表面的平整数据；将所述平整数据中的每一个数值与设定的参考值进行比较，当所述平整数据中的某个数值与所述参考值差值的绝对值超过设定阈值时，使用过渡值代替该数值，当所述平整数据中的某个数值与所述参考值差值的绝对值未超过所述设定阈值时，保留该数值；根据上述步骤得到的新的平整数据，对所述光刻胶板进行曝光。通过本发明的上述方法，可以实现曝光机整体曝光效果的改善，使曝光更加均匀，且不会产生暗印，从而提高了使用光刻胶板进行曝光的良品率。
Description
技术领域
本发明涉及曝光机技术领域，特别涉及一种自动聚焦曝光方法。
背景技术
曝光是采用一定波长的光源对光刻胶板100进行局部照射，受到光照部分的光刻胶会发生化学变化，而未被照射的光刻胶性质不变，从而能够在后续的工艺中将曝光和非曝光区域分开以获得特定的形状。为了能够使该形状完整、精确地复现在光刻胶上，需要保证整个光刻胶不管顶层部分还是接近衬底表面的部分都能处于聚焦范围内。
在传统的自动聚焦曝光方法中，如图3所示，使用光刻胶板100和距离传感器200之间的距离进行测试，根据距离传感器200测定到的距离对曝光镜头300的焦点大小进行调整。在实际测量过程中，由于现有技术的限制，距离传感器200和曝光镜头300不是同轴的，而是安装在曝光方向的前方，导致距离传感器200测量的距离与曝光镜头300实际曝光的距离之间在曝光方向上存在一定长度的偏差。在距离传感器200测定到距离后，曝光镜头300会立即进行调整，这样就会造成测定距离不是当前曝光距离的情况，存在较大的误差，影响曝光效果。若使用延时曝光对该误差进行处理，则延时的时间为距离传感器200与曝光镜头300的距离差值除以曝光镜头300移动的速度，但是由于曝光镜头300开始移动时加速度的影响，无法精确计算出延时时间，仍然会造成曝光误差。此外，由于光刻胶板100存在不平整性，若出现了突然的凸起或凹陷，则曝光镜头300会进行突然调焦而造成曝光抖动，导致出现部分暗印。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出了一种自动聚焦曝光方法，可以减小曝光误差，消除不必要的突然调焦。
根据本发明实施例的一种自动聚焦曝光方法，包括以下步骤：获取光刻胶板表面的平整数据；将所述平整数据中的每一个数值与设定的参考值进行比较，当所述平整数据中的某个数值与所述参考值差值的绝对值超过设定阈值时，使用过渡值代替该数值，当所述平整数据中的某个数值与所述参考值差值的绝对值未超过所述设定阈值时，保留该数值；根据上述步骤得到的新的平整数据，对所述光刻胶板进行曝光。
根据本发明上述实施例的自动聚焦曝光方法，至少具有如下有益效果：首先，得出光刻胶板表面实际的平整数据，并对其进行平滑过渡处理，最后根据处理后得到的新的平整数据进行曝光，可以将测量点与曝光点的误差较现有技术控制得更小；其次，得到的新的平整数据可以保证前后和左右数值过渡均匀，不会出现因突然较大的调焦而造成曝光镜头的抖动，使得光刻胶板整体曝光效果均匀并且不会产生暗印。
根据本发明的一些实施例，获取光刻胶板表面的平整数据具体步骤如下：使用距离传感器对所述光刻胶板进行逐行测量；将上述步骤获得的距离数据与曝光焦点的基准值相减得到所述光刻胶板表面的平整数据。
根据本发明的一些实施例，所述基准值为正常聚焦时所述距离传感器到所述光刻胶板的距离。
根据本发明的一些实施例，所述过渡值的计算步骤如下：当该数值为每一行的第一个数值或者最后一个数值时，所述过渡值为该数值与所述基准值的平均值；当该数值不是每一行的第一个数值和最后一个数值时，所述过渡值为该数值之前的数值与其之后的数值的平均值。
根据本发明的一些实施例，所述设定阈值为8微米。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本发明实施例的流程图；
图2为图1中实施例的步骤S200的流程图；
图3为曝光机的结构示意图。
附图标记：
光刻胶板100、距离传感器200、曝光镜头300。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
参考图1，为本发明实施例的一种自动聚焦曝光方法，包括以下步骤：
步骤S100、获取光刻胶板100表面的平整数据；
步骤S200、将平整数据中的每一个数值与设定的参考值进行比较，当平整数据中的某个数值与该参考值差值的绝对值超过设定阈值时，剔除该数值并使用过渡值代替该数值，当平整数据中的某个数值与参考值差值的绝对值未超过设定阈值时，保留该数值；
步骤S300、根据上述步骤得到的新的平整数据，对光刻胶板100进行曝光。
在本发明的一些实施例中，步骤S100获取光刻胶板100表面的平整数据具体步骤如下：
步骤101、移动曝光机台，使用距离传感器200对光刻胶板100进行逐行测量，以得到距离传感器200到光刻胶板100的距离数据；
步骤102、将上述步骤获得的距离数据与曝光焦点的基准值相减得到光刻胶板100表面的平整数据。
在本发明的一些实施例中，曝光焦点的基准值为正常聚焦时距离传感器200到光刻胶板100的距离。因步骤101测量得到的距离数据总是与基准值有所偏差，因此将这些距离数据数据与基准值相减，所得差值即为整块光刻胶板100表面的平整数据。
在本发明的一些实施例中，步骤S200中的过渡值的计算步骤如下：
第一种情况：当该数值为每一行的第一个数值或者最后一个数值时，过渡值为该数值与基准值的平均值；
第二种情况：当该数值不是每一行的第一个数值和最后一个数值时，过渡值为该数值之前的数值与其之后的数值的平均值。
在本发明的一些实施例中，根据当前的工艺条件，设定阈值为8微米。
本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种自动聚焦曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：
S100、获取光刻胶板(100)表面的平整数据；
S200、将所述平整数据中的每一个数值与设定的参考值进行比较，当所述平整数据中的某个数值与所述参考值差值的绝对值超过设定阈值时，使用过渡值代替该数值；当所述平整数据中的某个数值与所述参考值差值的绝对值未超过所述设定阈值时，保留该数值；
S300、根据步骤S200得到的新的平整数据，对所述光刻胶板(100)进行曝光。
2.根据权利要求1所述的自动聚焦曝光方法，其特征在于，步骤S100具体包括：
S101、使用距离传感器(200)对所述光刻胶板(100)进行逐行测量；
S102、将步骤S101获得的距离数据与曝光焦点的基准值相减得到所述光刻胶板(100)表面的平整数据。
3.根据权利要求2所述的自动聚焦曝光方法，其特征在于，步骤S102中所述基准值为正常聚焦时所述距离传感器(200)到所述光刻胶板(100)的距离。
4.根据权利要求2所述的自动聚焦曝光方法，其特征在于，步骤S200中所述过渡值的计算步骤如下：
当该数值为每一行的第一个数值或者最后一个数值时，所述过渡值为该数值与所述基准值的平均值；
当该数值不是每一行的第一个数值和最后一个数值时，所述过渡值为该数值之前的数值与其之后的数值的平均值。
5.根据权利要求1所述的自动聚焦曝光方法，其特征在于，所述设定阈值为8微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011597740.XA CN112684670A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种自动聚焦曝光方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011597740.XA CN112684670A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种自动聚焦曝光方法 |
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|---|---|
| CN112684670A true CN112684670A (zh) | 2021-04-20 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202011597740.XA Pending CN112684670A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种自动聚焦曝光方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2023236255A1 (zh) * | 2022-06-08 | 2023-12-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 曝光方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品 |
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