CN112499636A - 半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其方法如下：将废弃封装材进行破碎；将所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离；将裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解；将已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机过滤，得到二氧化硅滤饼，将此滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗；将清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；将所得的二氧化硅滤饼进行烘干；将所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，如此，可得到纯度大于99％的高纯度二氧化硅粉体。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法。
背景技术
半导体的废弃封装材一般称为废压模胶，为芯片封装制程的下脚料，为制程的废弃物，其成分为含有二氧化硅70％～90％的热固性树脂，一般处理该半导体废弃封装材的方式是委由清除处理机构采掩埋或焚化处理；近年来已有业者将废压模胶作为水泥替代原料或纤维强化塑料(FRP)补强材，压模胶主要成分为二氧化硅可替代部分水泥原物料，压模胶另一成分为热固性树脂具有高热值可部分替代燃料，利用压模胶这二项成分特性，可用于水泥厂进行水泥原物料替代的资源化作用，该废弃封装材另一可作为FRP补强材，将不能用的热固性树脂材料按各种比率与纯树脂相拌合，使其得以作为FRP补强材再利用，然，现有对废弃封装材再利用的用途，均为使用单一性，无法将废弃封装材中的二氧化硅提纯，以供不同用途使用。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，可有效解决半导体废弃封装材的处理问题。
本发明半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其包括以下步骤：
(1)将废弃封装材进行破碎，破碎后的尺寸为1.0mm～5.0mm；
(2)将步骤(1)所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离，处理温度为250～350℃，处理时间为10～60分钟；
(3)将步骤(2)裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解，封装材碎片与分解液的重量比例为1：1～1：2，加热温度为40℃～80℃，搅拌时间为1～3小时；
(4)将步骤(3)已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机过滤，得到二氧化硅滤饼，将该滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗，清洗时间为15～30分钟；
(5)将步骤(4)清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；
(6)将步骤(5)所得的二氧化硅滤饼以100℃～150℃烘干60～200分钟，得到块状二氧化硅；
(7)将步骤(6)所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，得到大于99％高纯度二氧化硅粉体。
本发明半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其中，该分解液由无机酸以及去离子水组成，该无机酸为盐酸、硝酸、硫酸或磷酸，浓度为10％～35％v/v。
本发明半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其优点在于：可将半导体的废弃封装材再生为高纯度的二氧化硅粉体，经过粒度分级后可作为耐火材料、工业用填充材或陶瓷材料等的原料，具有更广泛的用途，可使废弃封装材达到最佳的资源化再利用。
附图说明
图1所示为废弃封装材的构造示意图；
图2所示为本发明实施例二氧化硅再生方法的流程图；
图3所示为本发明实施例未处理前的原样外观图；
图4所示为本发明实施例分解中的外观图；
图5所示为本发明实施例所分离出的二氧化硅粉体外观图；
图6所示为本发明实施例二氧化硅成分含量与搅拌时间及温度的关系图。
符号说明：
1废弃封装材
10热固性树脂
11二氧化硅粉体
具体实施方式
有关本发明为达上述的使用目的与功效，所采用的技术手段，兹举出较佳可行的实施例，并配合图式所示，详述如下：
本发明的实施例，本发明是以湿式处理法对半导体废弃封装材进行二氧化硅再生处理，使用自行调配的分解液，将半导体废弃封装材1的热固性树脂10进行分解或溶解，可分离出二氧化硅粉体11的技术，请参阅图1～5所示，其步骤如下：
(1)将废弃封装材进行破碎，破碎的后尺寸为1.0mm～5.0mm；
(2)将步骤(1)所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，目的在使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离，其处理温度为250～350℃，处理时间为10～60分钟；
(3)将步骤(2)裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解，该分解液由无机酸以及去离子水组成，该无机酸为盐酸、硝酸、硫酸或磷酸，浓度为10％～35％v/v，该封装材碎片与分解液的重量比例为1：1～1：2，其加热温度为40℃～80℃，搅拌时间为1～3小时；
(4)将步骤(3)已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机进行过滤，得到二氧化硅滤饼，将该滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗，清洗时间为15～30分钟；
(5)将步骤(4)清洗完成的二氧化硅以第二压滤机进行过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；
(6)将步骤(5)所得的二氧化硅滤饼以100℃～150℃烘干60～200分钟；
(7)将步骤(6)所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，得到纯度大于99％的高纯度二氧化硅粉体。
以本发明废弃封装材的二氧化硅再生方法进行实际处理，其范例如下：
废弃封装材在经300℃裂化处理60分钟后，以封装材与分解液重量比例为1：2条件下于搅拌槽内分别以40℃、60℃、80℃加热搅拌处理，搅拌时间1～3小时，分解后的材料经过滤、清洗、烘干后，再量测其残留的二氧化硅含量，二氧化硅成分含量与搅拌时间及搅拌温度的关系如图6所示。
上述实施例仅是针对本发明的较佳实施例进行具体说明而已，该实施例并非用以限定本发明的申请专利范围，举凡其它未脱离本发明所揭示的技术手段下所完成的均等变化与修饰，均应包含于本发明所涵盖的申请专利范围中。
Claims (2)
1.一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将废弃封装材进行破碎，破碎后的尺寸为1.0mm～5.0mm；
(2)将步骤(1)所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离，处理温度为250～350℃，处理时间为10～60分钟；
(3)将步骤(2)裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解，封装材碎片与分解液的重量比例为1：1～1：2，加热温度为40℃～80℃，搅拌时间为1～3小时；
(4)将步骤(3)已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机过滤，得到二氧化硅滤饼，将该滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗，清洗时间为15～30分钟；
(5)将步骤(4)清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；
(6)将步骤(5)所得的二氧化硅滤饼以100℃～150℃烘干60～200分钟，得到块状二氧化硅；
(7)将步骤(6)所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，得到纯度大于99％的高纯度二氧化硅粉体。
2.如权利要求1所述的半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其特征在于，该分解液由无机酸以及去离子水组成，该无机酸为盐酸、硝酸、硫酸或磷酸，浓度为10％～35％v/v。
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