CN112469932B - 复合密封件 - Google Patents
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Abstract
技术问题是提供一种复合密封件,该复合密封件兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能,使用时不需要较强的按压力,无产生颗粒之虞,并且能够长期地维持真空密封性能,该技术问题的解决手段的特点是,所述复合密封件是由第一构件和第二构件左右相邻而成的环状的复合密封件,其中,所述第一构件包括密封主体部以及从所述密封主体部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置的唇部,所述第一构件的唇部朝向与相邻的所述第二构件相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。
Description
技术领域
本发明涉及在真空状态下使用的复合密封件,涉及例如在干蚀刻装置或等离子CVD装置等半导体制造装置中使用的复合密封件。
背景技术
随着电子工业的发展,作为I C(集成电路)、LS I(大规模集成电路)等的电子部件的材料的半导体的制造技术特别是像个人计算机等那样伴随着高精度化和薄型化而取得了显著的进步。
因此,对半导体制造装置中使用的部件的要求变得严格,例如在干蚀刻装置、等离子CVD装置等半导体制造装置中使用的密封件也不例外。
但是,半导体制造装置中使用的密封件需要真空密封性能作为基本性能。此外,根据密封件的安装部位,要求兼具耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能。
以往,作为要求这样的真空密封性能和耐等离子性以及耐腐蚀气体性的密封件,如图10所示,使用由第一构件102和第二构件104构成的复合密封件100,其中,所述第一构件102由氟橡胶构成,所述第二构件104由比第一构件102硬质的材料且耐等离子性及耐腐蚀气体性良好的氟树脂构成(例如专利文献1)。
当这样的复合密封件100安装于在半导体制造装置150的一个构件152上设置的密封槽154时,例如在位于大气侧的密封槽154的一个壁156侧配置第一构件102,并且在位于暴露于蚀刻气体或等离子的一侧的密封槽154的另一个壁158侧配置第二构件104。
此外,在这种状态下,如图11所示,通过使一个构件152和另一个构件160靠近,而使得复合密封件100在一个构件152与另一个构件160之间被按压,从而由第一构件102确保一个构件152与另一个构件160之间的密封状态,并且由第二构件104防止蚀刻气体或等离子侵入第一构件102侧,由此,第一构件102不会劣化,并且能够长期地维持密封性能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5126995号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是,由于这种以往的复合密封件100在截面形状中为上下对称的块状,因此,如图11所示,在将复合密封件100安装于一个构件152的密封槽154,并且使一个构件152和另一个构件160靠近以将一个构件152与另一个构件160之间密封时,需要较强的按压力。
即,尽管复合密封件100在一个构件152与另一个构件160之间被按压时发生变形,但是由于是块状,因此,压缩时的反作用力较强,为了获得由复合密封件100实现的密封性能,需要以较强的按压力对复合密封件100进行按压。
在这样将较强的按压力作用于复合密封件100时,第二构件104和密封槽154的另一个壁158接触,并且通过反复进行上述接触,从而第二构件104磨损,存在产生颗粒之虞。
颗粒的产生会影响密封性能,并且也会成为半导体制造装置150中的不良情况的原因,因此,是希望避免的现象之一,实际情况是需要新的复合密封件。
本发明是鉴于这样的实际情况而完成的,其目的在于提供一种复合密封件,该复合密封件兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能,使用时不需要较强的按压力,无产生颗粒之虞,并且能够长期维持真空密封性能。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明是为了解决所述现有技术中的问题而发明的,本发明的复合密封件是第一构件和第二构件左右相邻而成的环状的复合密封件,其特征是,
所述第一构件包括:
密封主体部;以及
唇部,所述唇部从所述密封主体部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置,
所述第一构件的唇部朝向与相邻的所述第二构件相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
所述复合密封件用于对一个构件与另一个构件之间进行密封,并且当所述复合密封件安装在设置于所述一个构件的密封槽内时,
所述第一构件位于所述密封槽的一个壁侧,并且所述第二构件位于另一个壁侧。
若设置这样的唇部,则在将复合密封件安装于密封槽,并且使一个构件和另一个构件靠近以获得密封性能时,唇部首先与另一个构件抵接,并能够确保密封状态,因此,能够在较弱的按压力下获得密封性能。
而且,当第二构件与密封槽的另一个壁接触时,第二构件也仅以较弱的力与密封槽的另一个壁接触。因此,如果是本发明的复合密封件,则无产生颗粒之虞,能够长期地维持真空密封性能。
本发明的复合密封件的特征是,
所述唇部的倾斜角度在30~60度的范围内。
若是这样的倾斜角度,则当将复合密封件安装于密封槽,并且使一个构件和另一个构件彼此靠近以获得密封性能时,唇部可靠地与另一个构件抵接,并且逐渐地朝向密封主体部倾倒,因此,能够在较弱的按压力下可靠地获得密封性能。
另外,本发明的复合密封件的特征是,
在所述第一构件的密封主体部中的、与相邻的所述第二构件相反一侧的侧部设置有隆起部。
若是这样设置隆起部,则在密封槽的形状为燕尾槽或单侧燕尾槽的情况下,能够可靠地防止安装在密封槽内的复合密封件从密封槽脱落。
即,隆起部嵌入密封槽的倾斜面(一个壁)与底壁之间,能够防止复合密封件从密封槽脱落。
另外,本发明的复合密封件的特征是,
所述密封主体部的底部由平面构成。
若是这样设为平面,则密封槽的底壁会与密封主体部的底部面接触,因此,复合密封件相对于密封槽的落座良好,能够可靠地防止复合密封件在密封槽内滚动。
另外,本发明的复合密封件的特征是,
在所述密封主体部的底部设置有凹部。
若是这样设置凹部,则在将复合密封件安装于密封槽内,并且使一个构件和另一个构件靠近以获得密封性能时,复合密封件被按压而变形,并且复合密封件的一部分会进入凹部内。
因此,与未设置凹部的状态相比,在设置有凹部的状态下,复合密封件的反作用力变弱,能够在较弱的按压力下可靠地获得密封性能。
另外,本发明的复合密封件的特征是,
所述第二构件包括:
基部;以及
延设片,所述延设片从所述基部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸,
所述延设片朝向相邻的所述第一构件以倾斜姿势延伸。
若是这样构成第二构件,则在将复合密封件安装于密封槽内,并且使一个构件和另一个构件靠近以获得密封性能时,延设片会在第一构件的唇部之后与另一个构件抵接,但是由于延设片为倾斜姿势,因此,能够在较弱的按压力下变形,并能够减弱复合密封件的反作用力。
另外,此时,由于延设片与密封槽的另一个壁和另一构件这两者抵接,因此,能够利用延设片可靠地防止蚀刻气体、等离子进入第一构件侧。
另外,本发明的复合密封件的特征是,
所述延设片的倾斜角度在50~80度的范围内。
特别地,若是这样的倾斜角度,则在将复合密封件安装于密封槽内,并且使一个构件与另一个构件靠近以获得密封性能时,密封槽的另一个壁与第二构件抵接的范围变大,能够利用延设片可靠地防止蚀刻气体、等离子进入第一构件侧。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
所述基部的底部由平面构成。
若是这样使基部的底部为平面,则由于会与密封槽的底壁面接触,因此,复合密封件相对于密封槽的落座良好,能够可靠地防止复合密封件在密封槽内滚动。
另外,由于密封槽的底壁与基部的底部抵接的范围较大,因此,能够可靠地防止蚀刻气体、等离子进入第一构件侧。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
在所述基部设置有与所述第一构件嵌合的嵌合凸部。
若是这样设置嵌合凸部,则由于第二构件和第一构件被可靠地一体化,因此,能够可靠地防止第一构件和第二构件中的任一方从密封槽脱落。
此外,由于第一构件和第二构件被可靠地一体化,因此,复合密封件的操作性良好。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
所述第一构件由弹性构件构成,
所述第二构件由比所述第一构件更硬质的材料构成。
若是这样构成,则能够利用第一构件确保密封性,并且能够利用第二构件防止例如蚀刻气体、等离子进入第一构件侧。因此,复合密封件一个便能够兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
所述第一构件和所述第二构件通过粘接剂彼此粘接。
若是这样使第一构件和第二构件被粘接,则能够可靠地防止第一构件和第二构件中的一个从密封槽脱落或滚动。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
所述复合密封件的厚度方向的最大高度相对于所述密封槽的最大深度在1.10~1.70倍的范围内。
如果是这样的范围内的最大高度,则在将复合密封件安装在密封槽内,并且使一个构件和另一个构件靠近以获得密封性能时,唇部能够可靠地与另一个构件抵接来确保密封性。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
所述复合密封件的左右方向的、从第一构件的端部到第二构件的端部的最大宽度相对于所述密封槽的开口的最窄宽度在1.01~1.30倍的范围内。
如果是这样的范围内的最大宽度,则在密封槽特别是燕尾槽或单侧燕尾槽的情况下,复合密封件会保留在密封槽内,能够可靠地防止复合密封件从密封槽脱落。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
所述密封槽是燕尾槽、单侧燕尾槽、方形槽中的任一个。
如果是这样的密封槽,则能够特别地适合使用本发明的复合密封件。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
所述一个构件和另一个构件是半导体制造装置。
特别地,如果是半导体制造装置,所要求的特性为兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能以及不会产生颗粒等涉及多方面的特性,若是本发明的复合密封件,则能兼具这些性能,而且还能够可靠地防止颗粒的产生。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
在设置于所述一个构件的密封槽的外侧还设置有其他槽,在所述其他槽内配设有垫片构件。
若是这样进一步配设垫片构件,则能够可靠地防止一个构件和另一个构件直接地接触。因此,能够可靠地防止由金属接触引起的金属颗粒的产生。
此外,本发明的复合密封件的特征是,
在所述垫片构件配设于其他槽时,
从所述其他槽的开口向所述另一个构件侧突出的所述垫片构件的突出量在0.30~1.00mm的范围内。
若是这样的突出量,则能够可靠地防止一个构件与另一个构件直接地接触,并且能够长期可靠地维持复合密封件所要求的密封性能。
发明效果
根据本发明的复合密封件,能够提供一种复合密封件,该复合密封件兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能,使用时不需要较强的按压力,无产生颗粒之虞,并且能够长期地维持真空密封性能。
附图说明
图1是安装有本发明的复合密封件的半导体制造装置的示意图。
图2是将图1所示的半导体制造装置的A-A剖面放大表示的剖视图。
图3是将本发明的复合密封件的主要部分放大表示的剖视图。
图4是示出将本发明的复合密封件安装于密封槽内,并且使另一个构件与唇部抵接的状态的剖视图。
图5是示出将本发明的复合密封件安装于密封槽内,并且使一个构件和另一个构件靠近而赋予由复合密封件实现的密封性的状态的剖视图。
图6是示出本发明的复合密封件的另一个实施方式的剖视图。
图7是示出将本发明的复合密封件安装于单侧燕尾槽的状态的剖视图。
图8是示出将本发明的复合密封件安装于方形槽的状态的剖视图。
图9是示出在密封槽的外侧设置其他槽,并且在其他槽内配设有垫片构件的状态的剖视图。
图10是示出将现有的复合密封件安装于密封槽的状态的剖视图。
图11是示出将现有的复合密封件安装于密封槽内,并且使一个构件和另一个构件靠近而赋予由复合密封件实现的密封性的状态的剖视图。
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。
如图1和图2所示,本发明的复合密封件10安装在半导体制造装置80的一个构件50上设置的密封槽52内,并且用于将一个构件50与另一个构件70之间密封。
此外,作为截面形状,如图2和图3所示,在安装于密封槽52(本实施方式中为燕尾槽)内的状态下,包括位于密封槽52的一个壁54侧(本实施方式中为大气侧)的第一构件20和位于密封槽52的另一个壁56侧(本实施方式中为腐蚀性气体、等离子等严酷的环境侧)的第二构件40,第一构件20和第二构件40彼此连结,并构成一个复合密封件10。
这样的第一构件20由弹性构件构成,作为弹性构件,例如能够列举橡胶。另外,作为橡胶,也可以是天然橡胶、合成橡胶中的任一种,其中优选为氟橡胶。
作为这种氟橡胶,能列举偏氟乙烯/六氟丙烯类共聚物、偏氟乙烯/三氟氯乙烯类共聚物、偏氟乙烯/五氟丙烯类共聚物等二元类的偏氟乙烯类橡胶、偏氟乙烯/四氟乙烯/六氟丙烯类共聚物、偏氟乙烯/四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物、偏氟乙烯/四氟乙烯/丙烯类共聚物等三元类的偏氟乙烯橡胶、四氟乙烯/丙烯类共聚物、四氟乙烯/全氟烷基乙烯基醚共聚物、热塑性氟橡胶等。
另一方面,第二构件40优选由比第一构件20更硬质的材料、例如合成树脂构成。
作为合成树脂,能够列举从氟树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚苯硫醚树脂、聚苯并咪唑树脂、聚醚酮树脂中选出的一种以上的合成树脂。
其中特别地优选氟树脂,作为氟树脂,能够列举聚四氟乙烯(PTFE)树脂、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)树脂、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)树脂、四氟乙烯-乙烯共聚物(ETFE)树脂、聚偏氟乙烯(PVDF)树脂、聚氯三氟乙烯(PCTFE)树脂、氯三氟乙烯-乙烯共聚物(ECTFE)树脂、聚氟乙烯(PVF)树脂等。其中,如果考虑耐热性、耐腐蚀性气体、耐等离子性等,则优选聚四氟乙烯(PTFE)树脂。
这种由弹性构件制成的第一构件20包括密封主体部22和唇部24,其中,所述密封主体部22位于在一个构件50上设置的密封槽52的底壁58侧,所述唇部24从所述密封主体部22朝向密封槽52的开口60侧延伸设置。
唇部24朝向与相邻的第二构件40相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸,如图4所示,唇部24是在使一个构件50与另一个构件70靠近时,首先与另一个构件70接触的部位且被赋予密封性的部位。
作为唇部24的倾斜角度θ1,优选在30~60度的范围内,更优选在35~50度的范围内,进一步优选在40~45度的范围内。
如果是这样的倾斜角度θ1,则在将复合密封件10安装于密封槽52,并且使一个构件50与另一个构件70靠近以获得密封性能时,唇部24可靠地与另一个构件70接触而逐渐朝向密封主体部22一侧倾倒,因此,能够在较弱的按压力下可靠地获得密封性能。
另外,在第一构件20的密封主体部22中,在与相邻的第二构件40相反一侧(一个壁54侧)的侧部设置有隆起部26。
通过该隆起部26,能够可靠地防止安装于密封槽52内的复合密封件10从密封槽52脱落。
即,通过使隆起部26嵌入密封槽52的一个壁54与底壁58之间,从而能够可靠地防止复合密封件10从密封槽52脱落。
此外,密封主体部22的底部28由平面构成,由此密封槽52的底壁58与底部28面接触。因此,复合密封件10相对于密封槽52的落座良好,能够可靠地防止复合密封件10在密封槽52内转动。
另外,当第一构件20安装于密封槽52内时,密封主体部22位于密封槽52内,并且唇部24的大部分从密封槽52的开口60朝向另一个构件70侧突出。
另一方面,与第一构件20相邻的第二构件40包括:位于底壁58侧的基部42;以及从基部42朝向复合密封件10的厚度方向的上侧(另一个构件70侧)延伸设置的延设片44。
当这样的第二构件40安装于密封槽52内时,基部42位于密封槽52内,并且延设片44的大部分从密封槽52的开口60朝向另一个构件70侧突出。
延设片44朝向相邻的第一构件20以倾斜姿势延伸,由此,将复合密封件10安装在密封槽52内,并且使一个构件50和另一个构件70靠近以获得密封性能时,如图5所示,延设片44在第一构件20的唇部24之后与另一个构件70抵接。此时,由于延设片44为倾斜姿势,因此,能够在较弱的按压力下变形,并能够减弱复合密封件10的反作用力。
另外,此时,延设片44与密封槽52的另一个壁56和另一个构件70这两者抵接,因此,能够可靠地防止蚀刻气体、等离子侵入第一构件20侧。
此外,延设片44的倾斜角度θ2优选为50~80度的范围内,更优选为55~75度的范围内,进一步优选为60~70度的范围内。
如果设为这样的倾斜角度θ2,则在将复合密封件10安装于密封槽52内,并且一个构件50与另一个构件70靠近以获得密封性能时,密封槽52的另一个壁56与第二构件40抵接的范围变大,能够可靠地防止蚀刻气体、等离子进入第一构件20侧。
另外,延设片44的厚度T3优选为复合密封件10的左右方向的、从第一构件20的端部到第二构件40的端部的最大宽度T1的5%~15%,更优选为8%~13%,进一步优选为10%~12%。
如果这样设定延设片44的厚度T3,则能够在较弱的按压力下变形,并能够减弱复合密封件10的反作用力。
另外,基部42的底部46由平面构成,由此,基部42的底部46与密封槽52的底壁58面接触。因此,复合密封件10相对于密封槽52的落座良好,能够可靠地防止复合密封件10在密封槽52内转动。
另外,如果底部46为平面,则密封槽52的底壁58与基部42的底部46的抵接范围变大,因此,能够可靠地使蚀刻气体、等离子不会进入第一构件20侧。
另外,在基部42设置有与相邻的第一构件20嵌合的嵌合凸部48,由此,第二构件40和第一构件20可靠地一体化。因此,能够可靠地防止第一构件20和第二构件40中的任一个从密封槽52脱落。
另外,由于第一构件20和第二构件40可靠地一体化,因此,能够提高复合密封件10的操作性。
在这样经由嵌合凸部48使第一构件20和第二构件40一体化时,能够一并使用粘接剂、优选耐热性粘接剂将彼此粘接。
另外,当在图2所示的密封槽52安装有本发明的复合密封件10时,复合密封件10的厚度方向的最大高度H1相对于密封槽52的最大深度H2优选为1.10~1.70倍的范围内,更优选为1.20~1.60倍的范围内,进一步优选为1.35~1.40倍的范围内。
如果是这样的范围内的最大高度H1,则在将复合密封件10安装在密封槽52内,并且使一个构件50和另一个构件70靠近以获得密封性能时,唇部24能够可靠地与另一个构件70抵接以得到密封性能。
另外,复合密封件10的左右方向的从第一构件20的端部到第二构件40的端部的最大宽度T1相对于密封槽52的开口60的最窄宽度T2,优选在1.01~1.30倍的范围内,更优选在1.02~1.20倍的范围内。
如果是这样的范围内的最大宽度T1,则在密封槽52特别地是燕尾槽或是单侧燕尾槽的情况下,复合密封件10会保留在密封槽52内,能够可靠地防止复合密封件10从密封槽52脱落。
这样,由第一构件20和第二构件40构成的复合密封件10在如图2所示配设于密封槽52内之后,若如图4所示使一个构件50和另一个构件70靠近,则唇部24首先与另一个构件70抵接,开始一个构件50与另一个构件70之间的密封。
接着,在一个构件50和另一个构件70进一步靠近时,如图5所示,唇部24朝向密封主体部22倾倒,并且唇部24的外侧面与另一个构件70大面积抵接。
因而,由于在确保一个构件50与另一个构件70之间的密封性的同时,唇部24仅会因另一个构件70而倾倒,因此,不需要较强的压力便能够可靠地获得期望的密封性。
另外,此时,由于第二构件40的延设片44也会因另一个构件70而向第一构件20侧倾倒,并且与另一个构件70和密封槽52的另一个壁56抵接,因此,能够可靠地防止蚀刻气体或等离子进入第一构件20侧。
而且,由于延设片44的厚度如上所述地设定,因此,在与密封槽52的另一个壁56抵接时,不会强烈地滑动,也无产生颗粒之虞。
以上,对本发明的复合密封件10的优选实施方式进行了说明,但是本发明的复合密封件10并不限定于上述实施方式,例如如图6的(a)所示,也可以在第一构件20的密封主体部22的底部28设置凹部90。
如果这样设置凹部90,则在将复合密封件10安装于密封槽52内,并且使一个构件50和另一个构件70靠近以获得密封性能时,复合密封件10被按压,而使得复合密封件10的一部分进入凹部90内。因此,与未设置凹部90的状态相比,在设置有凹部90的状态下,复合密封件10的反作用力变弱,能够在较弱的按压力下可靠地获得密封性能。
另外,即使是如图6的(b)所示那样将第一构件20的隆起部26的形状设为截面大致三角形、或是如图6的(c)所示那样没有隆起部26本身的实施方式,根据情况不同也是可以的。
另外,在上述实施方式中,以密封槽52是燕尾槽的情况为例进行了说明,但是除此之外,也可以是如图7所示为单侧燕尾槽的情况,或是如图8所示为方形槽的情况。
此外,如图9所示,也可以在设置于一个构件50的密封槽52的外侧(大气侧)还设置其他槽92,并且在该其他槽92内配设垫片构件94。作为这样的垫片构件94的材质,优选耐热性、耐疲劳性、耐试剂性、耐加水分解性等优异的PEEK(聚醚醚酮)。
在垫片构件94还配设于其他槽92内的情况下,能够可靠地防止一个构件50与另一个构件70直接接触。
即,在一个构件50和另一个构件70是金属制的时候,能够防止金属接触,并且能够可靠地防止产生金属颗粒。
另外,在将垫片构件94配设于其他槽92时,从其他槽92的开口96向另一个构件70侧突出的垫片构件94的突出量H3优选为0.30~1.00mm的范围内,更优选为0.40~0.80mm的范围内,进一步优选为0.45~0.55mm的范围内。
如果是这样的突出量H3,则能够可靠地防止一个构件50与另一个构件70直接接触,并且能够长期可靠地维持复合密封件10所要求的密封性能。
这样,本发明的复合密封件10能在不脱离本发明的目的的范围内进行各种改变。
符号说明
10复合密封件
20第一构件
22密封主体部
20唇部
26隆起部
28底部
40第二构件
42基部
44延设片
46底部
48嵌合凸部
50一个构件
52密封槽
54一个壁
56另一个壁
58底壁
60开口
70另一个构件
80半导体制造装置
90凹部
92其他槽
94垫片构件
96开口
100复合密封件
102第一构件
104第二构件
150半导体制造装置
152一个构件
154密封槽
156一个壁
158另一个壁
160另一个构件
T1复合密封件的最大宽度
T2密封槽的开口的最窄宽度
θ1唇部的倾斜角度
θ2延设片的倾斜角度
H1复合密封件的厚度方向的最大高度
H2密封槽的最大深度
H3垫片构件的突出量。
Claims (14)
1.一种复合密封件,所述复合密封件是使第一构件和第二构件左右相邻而成的环状的复合密封件,其特征在于,
所述第一构件包括:
密封主体部;以及
唇部,所述唇部从所述密封主体部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置,
所述第一构件的唇部朝向与相邻的所述第二构件相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸,
所述第二构件包括:
基部;以及
延设片,所述延设片从所述基部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置,
所述延设片朝向相邻的所述第一构件以倾斜姿势延伸,
所述基部的底部由与所述密封主体部的底部共面的平面构成,
所述复合密封件用于对一个构件与另一个构件之间进行密封,并且当所述复合密封件安装在设置于所述一个构件的密封槽内时,所述第一构件位于所述密封槽的一个壁侧,所述第二构件位于另一个壁侧,
在将所述复合密封件安装于所述密封槽内,并且使所述一个构件和所述另一个构件靠近以获得密封性能时,所述延设片会在所述第一构件的唇部之后与所述另一个构件抵接。
2.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
所述唇部的倾斜角度在30~60度的范围内。
3.如权利要求1或2所述的复合密封件,其特征在于,
在所述第一构件的密封主体部中的、与相邻的所述第二构件相反一侧的侧部设置有隆起部。
4.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
在所述密封主体部的底部设置有凹部。
5.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
所述延设片的倾斜角度在50~80度的范围内。
6.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
在所述基部设置有与所述第一构件嵌合的嵌合凸部。
7.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
所述第一构件由弹性构件构成,
所述第二构件由比所述第一构件更硬质的材料构成。
8.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
所述第一构件和所述第二构件通过粘接剂彼此粘接。
9.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
所述复合密封件的厚度方向的最大高度相对于所述密封槽的最大深度在1.10~1.70倍的范围内。
10.如权利要求1或9所述的复合密封件,其特征在于,
所述复合密封件的左右方向的、从第一构件的端部到第二构件的端部的最大宽度相对于所述密封槽的开口的最窄宽度在1.01~1.30倍的范围内。
11.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
所述密封槽是燕尾槽和矩形槽中的任一个。
12.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
所述一个构件和另一个构件是半导体制造装置。
13.如权利要求1所述的复合密封件,其特征在于,
在设置于所述一个构件的密封槽的外侧还设置有其他槽,在所述其他槽内配设有截面大致四边形的垫片构件。
14.如权利要求13所述的复合密封件,其特征在于,
在所述垫片构件配设于其他槽时,
从所述其他槽的开口向所述另一个构件侧突出的所述垫片构件的突出量在0.30~1.00mm的范围内。
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