CN112467058A - 一种三元激基复合物复合材料主体及其oled器件制备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种三元激基复合物复合材料主体及其OLED器件制备，OLED器件包括：阳极，阴极，设置在阳极与阴极之间的有机功能层；有机功能层包括按照自阳极至阴极的方向依次设置的空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层；有机发光层包括主体复合材料和客体材料，主体复合材料为由电子给体、第一电子受体和第二电子受体混合而成的三元激基复合物，电子给体为
第一电子受体为
第二电子受体为
客体材料选自热活性延迟荧光材料、三线态‑三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种。上述主体复合材料有好的电子传输效率和热稳定性，利于增强OLED器件的功效和发光效率，适于溶液加工。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光器件技术领域，尤其涉及一种三元激基复合物复合材料主体及其OLED器件制备。
背景技术
有机发光二极管(organic light-emitting diodes，简称OLED)具有自发光、响应快、可视广、驱动电压低、节能、轻薄以及可柔性加工等优点，极大地满足了消费者对显示技术不断更新的要求。同时，OLED器件在照明领域也表现出广阔的应用前景和巨大的市场需求。
热活性延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence，TADF)材料具有分子内的电子给体(D)-电子受体(A)结构，最大理论效率可达100％，单线态激发态和三线态激发态能级接近0.5～1.0eV，作为发光层的主体材料形成OLED器件，具有发光效率高，无需Eu、Ir稀土金属元素，量产成本低的特点；因为传统单组分的主体材料(1,3-双(咔唑-9-基)苯，缩写为mCP)具有较低的玻璃化转变温度(Tg)(～60℃)恶化了OLED器件的性能，新的激基复合物体系主体替代mCP主体利于解决上述问题，用两种现有传输性质不同材料可以形成，这将增加电荷传输能力，使电子-空穴传输更加平衡，从而降低发光的驱动电压，提高器件的性能和稳定性。现有的激基复合物主体体系主要集中在二元D-A激基复合物体系的研究，三元以上的激基复合物主体体系的鲜有报道，如此，使得基于三元激基复合物体系主体的OLED新结构体系有进一步发展的空间。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种三元激基复合物复合材料主体及其OLED器件制备，旨在解决现有传统单主体以及基于二元激基复合物主体体系的OLED器件的限制，开辟新的技术路线。
本发明的技术方案如下：
一种三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其中，所述OLED器件包括：阳极，阴极，以及设置在所述阳极与所述阴极之间的有机功能层；所述有机功能层包括按照自阳极至阴极的方向依次设置的空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层；所述有机发光层的材料包括主体复合材料和客体材料，所述主体复合材料为由电子给体、第一电子受体和第二电子受体混合而成的三元激基复合物，所述电子给体为
所述第一电子受体为
所述第二电子受体为
所述客体材料选自迟热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种。
一种三元激基复合物复合材料主体OLED器件的制备方法，包括步骤：
提供阳极；
通过溶液法在所述阳极上依次形成空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层，所述空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层构成有机功能层；
在所述有机功能层上形成阴极，得到OLED器件；
或者，
提供阴极；
通过溶液法在所述阴极上依次形成电子注入层，电子传输层，有机发光层和空穴注入层，所述电子注入层，电子传输层，有机发光层和空穴注入层构成有机功能层；
在所述有机功能层上形成阳极，得到OLED器件；
所述有机发光层的材料包括主体复合材料和客体材料，所述主体复合材料为由电子给体、第一电子受体和第二电子受体混合而成的三元激基复合物，其中，所述电子给体为
所述第一电子受体为
所述第二电子受体为
所述客体材料选自热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种。
有益效果：本发明采用的由具有上述化学结构的电子给体和两种电子受体混合而成的三元激基复合物具有好的电子传输效率和热稳定性，能够有效的捕获激子和平衡载流子，其为主体复合材料与选自热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种为客体材料形成的有机发光层有利于增强OLED器件的功效效率和发光效率；同时三元激基复合物的电子给体和两种电子受体均为有机小分子，适用于溶液法加工制备OLED器件；此外，该三元激基复合物拓宽了OLED激基复合物主体体系的构成。形成了新的技术路线。上述获得的OLED器件可用作显示设备及白光照明器件等。
附图说明
图1为本发明实施方式中，二元激基复合物主体(a)、三元激基复合物主体(b)分别为主体与客体(如TADF材料)形成的有机发光层的能量传递的工作原理的示意图。
图2为本发明实施方式中，一种正置OLED器件的结构示意图。
图3为本发明实施例3中，实施例1、2及对比例1、2制备OLED器件采用的各层材料的能级对比图。
具体实施方式
本发明提供一种三元激基复合物复合材料主体及其OLED器件制备，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种三元激基复合物复合材料主体OLED器件，所述OLED器件包括：阳极，阴极，以及设置在所述阳极与所述阴极之间的有机功能层，所述有机功能层包括按照自阳极至阴极的方向依次设置的空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层；所述有机发光层的材料包括主体复合材料和客体材料，所述主体复合材料为由电子给体、第一电子受体和第二电子受体混合而成的三元激基复合物，所述电子给体为
所述第一电子受体为
所述第二电子受体为
所述客体材料选自热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种。
本实施例中，采用的由具有上述结构的电子给体和两种电子受体混合而成的三元激基复合物具有好的电子传输效率和热稳定性，能够有效的捕获激子和平衡载流子，其为主体复合材料与选自热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种为客体材料形成的有机发光层，有利于增强OLED器件的功效效率和发光效率；同时三元激基复合物的电子给体和两种电子受体均为有机小分子，适用于溶液法加工制备OLED器件；此外，该三元激基复合物拓宽了OLED激基复合物主体体系的构成。上述获得的OLED器件可用作显示设备及白光照明器件等。
参见图1，具体地，对比三元激基复合物为主体复合材料与客体材料(如TADF材料)形成的有机发光层的能量传递的工作原理(b)和二元激基复合物为主体复合材料与客体材料(如TADF材料)形成的有机发光层的能量传递的工作原理(a)；可知，三元激基复合物为主体复合材料与客体材料(如TADF材料)形成的有机发光层具有双能量传递通道，使其将具有更好的电子传输效率，能够更有效的捕获激子和平衡载流子，从而使得本实施例的基于三元激基复合物的OLED器件具有更好的发光性能和功效效率。
在一种实施方式中，所述电子给体、第一电子受体、第二电子受体的质量比为1～10：1：1～10。在该质量比范围内，电子给体、第一电子受体、第二电子受体混合而成的三元激基复合物具有更好的电子传输效率和热稳定性，能够更有效的捕获激子和平衡载流子，作为主体材复合料与客体材料的形成的有机发光层更有利于增强OLED器件的功效效率和发光效率。较佳的，所述客体材料为热活性延迟荧光材料。
在一种实施方式中，所述热活性延迟荧光材料选自
在一种实施方式中，所述三线态-三线态湮灭(TTA)材料可选自但不限于
中的一种或多种；
所述荧光材料可选自但不限于
中的一种或多种；
所述磷光材料可选自但不限于
中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述主体复合材料与所述客体材料的质量比为1～100：1。
在一种实施方式中，所述有机发光层的厚度可为10～100nm，例如10nm、30nm、50nm、60nm、100nm等。
在一种实施方式中，所述阳极与所述有机发光层之间还可设置有其它空穴功能层，如还可设置空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层；当同时设置空穴注入层和空穴传输层(或电子阻挡层)时，空穴注入层靠近阳极设置，空穴传输层(或电子阻挡层)靠近有机发光层设置；当同时设置空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层时，空穴注入层靠近阳极设置，电子阻挡层靠近有机发光层设置，空穴传输层设置在空穴注入层和电子阻挡层之间。所述空穴注入层的厚度为50～80nm，例如，50nm、60nm、80nm等；所述空穴注入层的材料可选自但不限于2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、4，4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3，6-二基)二苯酚(MO3)、、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、聚(4-苯乙烯磺酸)(结构为
缩写为PSSA)修饰的(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(m-PEDOT:PSS)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)](TFB)、聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、1，1-二[4-[N，N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、
中的一种或多种。所述空穴传输层的厚度为50～80nm，例如，50nm、60nm、80nm等；所述空穴传输层的材料可为本领域常用的空穴传输层材料。所述电子阻挡层的厚度为5～20nm，例如，5nm、15nm、20nm等；所述电子阻挡层的材料可为本领域常用的电子阻挡材料。
在一种实施方式中，所述阴极与所述有机发光层之间还可设置其它电子功能层，如空穴阻挡层，所述阴极与所述有机发光层之间同时设置电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层时，电子注入层靠近阴极设置，空穴阻挡层靠近有机发光层设置，电子传输层设置在电子注入层和空穴阻挡层之间。所述电子注入层的厚度为1～10nm，例如，1nm、5nm、10nm等；所述电子注入层的材料可为但不限于8-羟基喹啉-锂(
Liq)或LiF。所述电子传输层的厚度为50～80nm，例如，50nm、60nm、80nm等。所述电子传输层的材料可为但不限于
ZnO、TiO2、BaTiO3、掺铝氧化锌、掺锂氧化锌、掺镁氧化锌、CdS、ZnS、MoS、WS和CuS中的一种或多种；所述空穴阻挡层的厚度为5～20nm，例如，5nm、15nm、20nm等；所述空穴阻挡层的材料可为但不限于
或双-4，6-(3，5-二-4-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶或4，6-双(3，5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶或其衍生物。
在一种实施方式中，所述阳极的材料可选自但不限于氧化铟锡(ITO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、锑掺杂氧化锡(ATO)和氟掺杂氧化锡(FTO)中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述阴极的材料可选自但不限于Al、Ag、Cu和Au中的一种或多种。
具体地，本实施例的三元激基复合物复合材料主体OLED器件可设置成不同类型，也就是说，三元激基复合物复合材料主体OLED器件可设置成具有正置结构的OLED器件，还可设置成具有倒置结构的OLED器件。现以空穴注入层为空穴功能层，电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层为电子功能层的正置OLED器件为例，对OLED器件的结构进行进一步说明，如图2所示，OLED器件自下而上依次包括：阳极10，空穴功能层20(即空穴注入层)，有机发光层30，电子功能层40(包括空穴阻挡层41、电子传输层42和电子注入层43)，阴极50；其中，有机发光层30的材料包括主体复合材料和客体材料，所述主体复合材料为由电子给体、第一电子受体和第二电子受体混合而成的三元激基复合物，其中，所述电子给体为mCP，所述第一电子受体为DTDP-TRZ，所述第二电子受体为OXD-7；所述客体材料选自热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材、荧光材料和磷光材料中的一种或多种。
本发明实施例还提供一种三元激基复合物复合材料主体OLED器件的制备方法，包括步骤：包括传统正置器件制备步骤(S10、S20、S30)和倒置器件制备步骤(S10'、S20'、S30')。
S10、提供阳极；
S20、通过溶液法在所述阳极上依次形成空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层，所述空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层构成有机功能层；
S30、在所述有机功能层上形成阴极，得到所述OLED器件；
或者，
S10'、提供阴极；
S20'、通过溶液法在所述阴极上依次形成电子注入层，电子传输层，有机发光层和空穴注入层，所述电子注入层，电子传输层，有机发光层和空穴注入层构成有机功能层；
S30'、在所述有机功能层上形成阳极，得到所述OLED器件；
所述有机发光层的材料包括主体复合材料和客体材料，所述主体复合材料为由电子给体、第一电子受体和第二电子受体混合而成的三元激基复合物，其中，所述电子给体为
所述第一电子受体为
所述第二电子受体为
所述客体材料选自热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种。
在一种实施方式中，步骤S20中，在形成有机发光层之前，可在依次形成空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层；如在有机发光层之前，可通过溶液法在依次形成空穴传输层和电子阻挡层。步骤S30中，在形成电子传输层之前，还可形成空穴阻挡层；如在形成电子传输层之前，可通过物理气相沉积热蒸发法或者溶液法空穴阻挡层。步骤S20'中，在所述阴极上形成有机发光层之前，还可形成空穴阻挡层；如在所述阴极上形成有机发光层之前，可通过物理气相沉积热蒸发法或者溶液法形成空穴阻挡层。步骤S30'中，在形成空穴注入层之前，还可依次形成电子阻挡层和空穴传输层中的至少一层；如在形成空穴注入层之前，可通过物理气相沉积热蒸发法或溶液法在依次形成电子阻挡层和空穴传输层。即本实施例的OLED器件中可制备有其它功能层，OLED器件中的各层的材料选择及厚度与上述说明相同，在此不再赘述。
本实施例中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
在一种实施方式中，制备正置OLED器件时，为了得到高质量的空穴功能层，阳极需要经过预处理过程。其中所述预处理过程具体包括：将阳极清洗干净，然后将干净的阳极用紫外-臭氧或氧气等离子体处理，以进一步除去阳极表面附着的有机物并提高阳极的功函数。
在一种实施方式中，对得到的OLED器件进行封装处理。其中所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于1ppm，以保证器件的稳定性。
下面通过具体的实施例对本发明进行详细的说明。
实施例1三元激基复合物复合材料主体OLED器件的制备
该红光OLED器件的结构为ITO(阳极)/m-PEDOT：PSS(空穴注入层，60nm)/AQb1:mCP:DTDP-TRZ:OXD-7(有机发光层，50nm，AQb1为客体材料，三元激基复合物mCP:DTDP-TRZ:OXD-7的质量比为35:35:30)/DPEPO(空穴阻挡层，15nm)/TmPyPB(电子传输层，60nm)/Liq(电子注入层，1nm)/Al(阴极，100nm)；其制备包括如下步骤：
(1)在ITO玻璃上，以4000r/min的转速旋涂一层60nm的空穴注入层(材料为m-PEDOT:PSS)，并在手套箱中于120℃进行退火10min；
(2)于氮气气氛中，以1000r/min的转速在空穴注入层上旋涂50nm的有机发光层(AQb1:mCP:DTDP-TRZ:OXD-7的质量比为10:35:35:30)，于50℃进行退火10min；
(3)于真空度为10-5mbar下，在有机发光层上沉积一层15nm的空穴阻挡层(材料为DPEPO)；
(4)于真空度为10-5mbar下，在空穴阻挡层上沉积一层60nm的电子传输层(材料为TmPyPB)；
(5)于真空度为10-5mbar下，在电子传输层上沉积一层1nm的电子注入层(材料为Liq)；
(6)于真空度为10-5mbar下，在电子注入层上旋涂一层100nm的Al作为阴极，得到红光OLED器件。
对比例1基于DTDP-TRZ的OLED器件的制备
该红光OLED器件的结构为ITO(阳极)/m-PEDOT：PSS(空穴注入层，60nm)/AQb1(10wt％):DTDP-TRZ(有机发光层，50nm，AQb1为客体材料，DTDP-TRZ为主体材料)/DPEPO(空穴阻挡层，15nm)/TmPyPB(电子传输层，60nm)/Liq(电子注入层，1nm)/Al(阴极，100nm)；其制备包括如下步骤：
(1)在ITO玻璃上，以4000r/min的转速旋涂一层60nm空穴注入层(材料为m-PEDOT:PSS)，并在手套箱中于120℃进行退火15min；
(2)于氮气气氛中，以1000r/min的转速在空穴注入层上旋涂50nm的有机发光层，(AQb1的含量为10wt％，DTDP-TRZ的含量为90wt％)，于50℃进行退火10min；
(3)于真空度为10-5mbar下，在有机发光层上沉积一层15nm的空穴阻挡层(材料为DPEPO)；
(4)于真空度为10-5mbar下，在空穴阻挡层上沉积一层60nm的电子传输层(材料为TmPyPB)；
(5)于真空度为10-5mbar下，在电子传输层上沉积一层1nm的电子注入层(材料为Liq)；
(6)于真空度为10-5mbar下，在电子注入层上沉积一层100nm的Al作为阴极，得到红光OLED器件。
实施例2基于三元非激基复合物的OLED器件的制备
该红光OLED器件的结构为ITO(阳极)/m-PEDOT：PSS(空穴注入层，60nm)/AQb1:mCP:TDP-TRZ(TDP-TRZ结构为
):OXD-7(有机发光层，50nm，AQb1为客体材料，三元非激基复合物mCP:TDP-TRZ:OXD-7的质量比为35:35:30)/DPEPO(空穴阻挡层，15nm)/TmPyPB(电子传输层，60nm)/Liq(电子注入层，1nm)/Al(阴极，100nm)；该红光OLED器件制备包括如下步骤：
(1)在ITO玻璃上，以4000r/min的转速旋涂一层60nm空穴注入层(材料为m-PEDOT:PSS)，并在手套箱中120℃进行退火10min；
(2)于氮气气氛中，在空穴注入层上旋涂50nm的有机发光层(AQb1:mCP:TDP-TRZ:OXD-7的质量比为10:35:35:30)，于50℃进行退火10min；
(3)于真空度为10-5mbar下，在有机发光层上沉积一层15nm的空穴阻挡层(材料为DPEPO)；
(4)于真空度为10-5mbar下，在空穴阻挡层上沉积一层60nm的电子传输层(材料为TmPyPB)；
(5)于真空度为10-5mbar下，在电子传输层上沉积一层1nm的电子注入层(材料为Liq)；
(6)于真空度为10-5mbar下，在电子注入层上沉积一层100nm的Al作为阴极，得到红光OLED器件。
对比例2基于TDP-TRZ的OLED器件的制备
该红光OLED器件的结构为ITO(阳极)/m-PEDOT：PSS(空穴注入层，60nm)/AQb1(10wt％):TDP-TRZ(有机发光层，50nm，AQb1为客体材料，TDP-TRZ为主体材料)/DPEPO(空穴阻挡层，15nm)/TmPyPB(电子传输层，60nm)/Liq(电子注入层，1nm)/Al(阴极，100nm)；该红光OLED器件制备包括如下步骤：
(1)在ITO玻璃上，旋涂一层60nm的空穴注入层(材料为m-PEDOT:PSS)，并在空气中140℃进行退火15min；
(2)于氮气气氛中，在空穴注入层上旋涂50nm的有机发光层(AQb1的含量为10wt％，的含量为90wt％)，于50℃进行退火10min；
(3)于真空度为10-5mbar下，在有机发光层上沉积一层15nm的空穴阻挡层(材料为DPEPO)；
(4)于真空度为10-5mbar下，在空穴阻挡层上沉积一层60nm的电子传输层(材料为TmPyPB)；
(5)于真空度为10-5mbar下，在电子传输层上沉积一层1nm的电子注入层(材料为Liq)；
(6)于真空度为10-5mbar下，在电子注入层上沉积一层100nm的Al作为阴极，得到红光OLED器件。
实施例3OLED器件的性能测试分析
实施例1、2及对比例1、2制备OLED器件采用的各层材料的能级如图3所示，可知，具有相似结构的TDP-TRZ与DTDP-TRZ的能级略有差别。
对实施例1、2及对比例1、2制备得到的OLED器件的发光性能(亮度在10cd·m-2时的开启电压(Von)，特征发射峰(ELpeak/nm)，亮度在10～1000cd·m-2范围内的最大电流效率(CEmax/cd·A-1)、最大功率效率(PEmax/lm·W-1)和最大外量子效率(EQEmax，(％))，以及亮度在100cd·m-2时的国际照明委员会坐标(CIE，(x,y)))的进行测试，测试结果见表1。可知，相对于DTDP-TRZ，三元激基复合物(mCP、TDP-TRZ和OXD-7)作为主体复合材料与TADF材料作为客体材料形成的发光体具有更好的发光性能。
表1
将表1中的实施例制备得到的OLED器件的性能参数与对应的对比例制备得到的OLED器件的性能参数的比值作为实施例制备得到的OLED器件的性能参数的增益，换算得到实施例1、2制备得到的OLED器件的部分性能参数(CEmax、PEmax和EQEmax)的增益见表2，实施例1制备得到的OLED器件的EQE的增益为实施例2制备得到的OLED器件的EQE增益的1.3倍；表明：相对于三元非激基复合物，三元激基复合物作为主体复合材料具有更好的应用前景。
表2
综上所述，本发明提供一种三元激基复合物复合材料主体及其OLED器件制备，本发明采用的由具有上述结构的电子给体和两种电子受体混合而成的三元激基复合物具有好的电子传输效率和热稳定性，能够有效的捕获激子和平衡载流子，其为主体复合材料，选自热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种为客体材料形成的有机发光层；有利于增强OLED器件的功效效率和发光效率；同时三元激基复合物的电子给体和两种电子受体均为有机小分子，适用于溶液法加工制备OLED器件；此外，该三元激基复合物拓宽了OLED激基复合物主体体系的构成。上述获得的OLED器件可用作显示设备及白光照明器件等。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述OLED器件包括：阳极，阴极，以及设置在所述阳极与所述阴极之间的有机功能层；所述有机功能层包括按照自阳极至阴极的方向依次设置的空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层；所述有机发光层包括主体复合材料和客体材料，所述主体复合材料为由电子给体、第一电子受体和第二电子受体混合而成的三元激基复合物，所述电子给体为
所述第一电子受体为
所述第二电子受体为
所述客体材料选自热活性延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材料、荧光材料和磷光材料中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述电子给体、第一电子受体、第二电子受体的质量比为1～10：1：1～10。
3.根据权利要求1所述的三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述热活性延迟荧光材料选自
中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述三线态-三线态湮灭材料选自
中的一种或多种；
所述荧光材料选自
中的一种或多种；
所述磷光材料选自
中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述客体材料为热活性延迟荧光材料，所述热活性延迟荧光材料为
6.根据权利要求1所述的三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述主体复合材料与所述客体材料的质量比为1～100：1。
7.根据权利要求1所述的三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲、4，4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3，6-二基)二苯酚、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、聚(4-苯乙烯磺酸)修饰的(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、1，1-二[4-[N，N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、
中的一种或多种；
所述电子传输层的材料为
ZnO、TiO2、BaTiO3、掺铝氧化锌、掺锂氧化锌、掺镁氧化锌、CdS、ZnS、MoS、WS和CuS中的一种或多种；
所述电子注入层的材料为8-羟基喹啉-锂或LiF。
8.根据权利要求1所述的三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述阳极的材料选自氧化铟锡、铝掺杂氧化锌、锑掺杂氧化锡和氟掺杂氧化锡中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的三元激基复合物复合材料主体OLED器件，其特征在于，所述阴极的材料选自Al、Ag、Cu和Au中的一种或多种。
10.一种三元激基复合物复合材料主体OLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供阳极；
通过溶液法在所述阳极上依次形成空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层，所述空穴注入层，有机发光层，电子传输层和电子注入层构成有机功能层；
在所述有机功能层上形成阴极，得到所述OLED器件；
或者，
提供阴极；
通过溶液法在所述阴极上依次形成电子注入层，电子传输层，有机发光层和空穴注入层，所述电子注入层，电子传输层，有机发光层和空穴注入层构成有机功能层；
在所述有机功能层上形成阳极，得到所述OLED器件；
所述有机发光层的材料包括主体复合材料和客体材料，所述主体复合材料为由电子给体、第一电子受体和第二电子受体混合而成的三元激基复合物，其中，所述电子给体为
所述第一电子受体为
所述第二电子受体为
所述客体材料选自热激活延迟荧光材料、三线态-三线态湮灭材、荧光材料和磷光材料中的一种或多种。
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