CN112420679B - 一种射频模块三维堆叠结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种射频模块三维堆叠结构及其制作方法，包括玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层、陶瓷封装层与射频芯片；玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层均设有通孔与互连线；玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层、陶瓷封装层自上而下依次堆叠互连；射频芯片位于硅基载体层的上表面和玻璃载体层的上表面，通过引线结构与载体层上的电路焊盘连接等；本发明通过多种材料高密度基板的组合与堆叠，实现射频模块性能更优，密度更高，并且集成工艺简单灵活，可靠性更好等。
Description
技术领域
本发明涉及微电子集成封装领域，更为具体的，涉及一种射频模块三维堆叠结构及其制作方法。
背景技术
射频模块为了达到最佳的性能，应用了多种不同材料与工艺的芯片进行异构集成。传统二维平面集成的多芯片模块封装技术(MultiChipModule，MCM)已经难以满足电子设备持续小型化、轻量化、多功能化的发展要求，要求在垂直方向进行三维堆叠，以满足射频模块的应用需求。中国专利CN107359156B和CN207861877U公开的射频微系统集成技术，采用硅作为基板材料，利用硅通孔(TSV)与晶圆键合工艺，实现了模块的三维高密度集成。
然而，射频模块功能与结构的复杂性使得基于单一基板材料的模块应用受限，例如，天线以及高Q值电感等射频无源器件要求基板材料的介电常数低，损耗小，而硅材料的介电常数高(11.5)，损耗因子大，难以满足该需求；模块封装要求具有较好的结构强度以满足后道集成与应用过程中的可靠性要求，而硅基封装由于基板厚度薄且存在大量腔槽结构，结构强度一般。因此，为实现射频模块综合性能更优，应采用多种材料的高密度基板进行三维堆叠。
多种材料的高密度基板在三维堆叠的过程中，由于不同材料的基板形状与尺寸不同，难以通过晶圆键合工艺进行多层堆叠，如何设计堆叠结构与工艺，使其满足电子装备系统高密度、高性能、高可靠的应用需求，现有技术尚未给出解决方案。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种射频模块三维堆叠结构及其制作方法，通过多种材料高密度基板的组合与堆叠，实现射频模块性能更优，密度更高，并且集成工艺简单灵活，可靠性更好等优点。
本发明的目的是通过以下方案实现的：
一种射频模块三维堆叠结构，包括玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层、陶瓷封装层与射频芯片；玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层均设有通孔与互连线；玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层、陶瓷封装层自上而下依次堆叠互连；射频芯片位于硅基载体层的上表面和玻璃载体层的上表面，通过引线结构与载体层上的电路焊盘连接；玻璃帽层、玻璃载体层与玻璃转接框层构成玻璃堆叠结构；硅基载体层的上表面设置金凸点阵列结构与玻璃堆叠结构实现电气连接；硅基载体层与陶瓷封装层之间通过金属凸点阵列电气连接。
进一步地，所述陶瓷封装层包括薄膜陶瓷、低温共烧陶瓷或高温共烧陶瓷中的任一种。
进一步地，所述陶瓷封装层集成多个玻璃帽层、玻璃载体层、玻璃转接框层和硅基载体层堆叠电路。
进一步地，所述玻璃帽层内集成有天线。
进一步地，所述硅基载体层的上表面设置的金属凸点阵列结构厚度在2μm-10μm之间，直径在2μm-100μm之间。
进一步地，所述金属凸点阵列的直径在50μm-600μm之间。
进一步地，玻璃载体层、玻璃转接框层、硅基载体层的互连线表层金属材料为金。
一种射频模块三维堆叠结构的制作方法，包括：
步骤一，加工玻璃堆叠结构，准备玻璃晶圆A，在玻璃晶圆A上设置腔槽与键合金属层；准备玻璃晶圆B，并在玻璃晶圆B上设置穿玻璃通孔、互连布线层与键合金属层，再将射频芯片安装在玻璃晶圆B上，通过引线键合工艺实现互连；准备玻璃晶圆C，并在玻璃晶圆C上设置通槽、穿玻璃通孔、互连布线层与键合金属层；将玻璃A、B、C通过晶圆键合工艺进行堆叠，分片，获得玻璃堆叠结构；
步骤二，准备硅晶圆，在硅晶圆上设置穿硅通孔、互连布线，在上表面设置金凸点阵列，在下表面设置金属凸点阵列，分片获得硅基载体层；
步骤三，将硅基载体层通过回流焊接或超声热压焊接安装到陶瓷封装层上；
步骤四，将射频芯片安装到硅基载体层上，通过引线键合工艺实现互连；
步骤五，将堆叠结构通过热压焊接或超声热压焊接安装到硅基载体层上。
进一步地，步骤一中，玻璃晶圆A厚度在300μm-500μm之间；玻璃腔高度在200μm-400μm之间；玻璃晶圆B厚度在50μm-200μm之间；穿玻璃通孔直径在10μm-60μm之间；玻璃晶圆C厚度在300μm-500μm之间；穿玻璃通孔直径在30μm-100μm之间；晶圆键合工艺为热压键合工艺或共晶键合工艺；键合金属层为Au、Au/Sn或Au/In中任一种。
进一步地，步骤二中，硅晶圆厚度在100μm-200μm之间；穿硅通孔直径为在10μm-30μm之间；金属凸点材料为SnPb、SnAg3.5Cu0.5、Cu或Au中任一种。
本发明的有益效果是：
本发明通过多种材料高密度基板的组合与堆叠，实现射频模块性能更优，密度更高，并且集成工艺简单灵活，可靠性更好等。具体的，综合应用玻璃基板低介电常数、低损耗，硅基板高热导率、高互连密度以及多层共烧陶瓷基板布线能力强，可制备高深度腔槽，具有较好结构强度的优点，满足射频模块对于高性能、高散热以及高可靠性的要求；陶瓷封装层的两面均可集成多层堆叠电路，具备2-4层芯片垂直堆叠的高密度集成能力；通过晶圆键合工艺、金-金焊接与回流焊接工艺的结合，实现了不同材料基板间的高密度三维堆叠，解决了堆叠过程中工艺温度兼容性的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是射频模块三维堆叠结构剖面图；
图2是玻璃堆叠结构加工过程示意图；
图3是硅基载体层结构剖面图；
图4是硅基载体层与陶瓷封装层焊接结构剖面图；
图5是射频芯片安装在硅基载体上结构剖面图；
图6是玻璃堆叠结构与硅基载体层堆叠过程示意图；
图中，1-玻璃帽层，2-玻璃载体层，3-玻璃转接框层，4-硅基载体层，5-陶瓷封装层，6-射频芯片，7-金凸点阵列结构，8-金属凸点阵列，9-通孔，10-互连线，11-引线结构。
具体实施方式
如图1～6所示，一种射频模块三维堆叠结构，包括玻璃帽层1、玻璃载体层2、玻璃转接框层3、硅基载体层4、陶瓷封装层5与射频芯片6；玻璃载体层2、玻璃转接框层3、硅基载体层4均设有通孔9与互连线10；玻璃帽层1、玻璃载体层2、玻璃转接框层3、硅基载体层4、陶瓷封装层5自上而下依次堆叠互连；射频芯片6位于硅基载体层4的上表面和玻璃载体层2的上表面，通过引线结构与载体层上的电路焊盘连接；玻璃帽层1、玻璃载体层2与玻璃转接框层3构成玻璃堆叠结构；硅基载体层4的上表面设置金凸点阵列结构与玻璃堆叠结构实现电气连接；硅基载体层4与陶瓷封装层5之间通过金属凸点阵列8电气连接。
进一步地，所述陶瓷封装层5包括薄膜陶瓷、低温共烧陶瓷或高温共烧陶瓷中的任一种。
进一步地，所述陶瓷封装层5集成多个玻璃帽层1、玻璃载体层2、玻璃转接框层3和硅基载体层4堆叠电路。
进一步地，所述玻璃帽层1内集成有天线。
进一步地，所述硅基载体层4的上表面设置的金属凸点阵列结构厚度在2μm-10μm之间，直径在2μm-100μm之间。
进一步地，所述金属凸点阵列8的直径在50μm-600μm之间。
进一步地，玻璃载体层2、玻璃转接框层3、硅基载体层4的互连线表层金属材料为金。
一种射频模块三维堆叠结构的制作方法，包括：
步骤一，加工玻璃堆叠结构，准备玻璃晶圆A，在玻璃晶圆A上设置腔槽与键合金属层；准备玻璃晶圆B，并在玻璃晶圆B上设置穿玻璃通孔、互连布线层与键合金属层，再将射频芯片安装在玻璃晶圆B上，通过引线键合工艺实现互连；准备玻璃晶圆C，并在玻璃晶圆C上设置通槽、穿玻璃通孔、互连布线层与键合金属层；将玻璃A、B、C通过晶圆键合工艺进行堆叠，分片，获得玻璃堆叠结构；
步骤二，准备硅晶圆，在硅晶圆上设置穿硅通孔、互连布线，在上表面设置金凸点阵列，在下表面设置金属凸点阵列，分片获得硅基载体层；
步骤三，将硅基载体层通过回流焊接或超声热压焊接安装到陶瓷封装层上；
步骤四，将射频芯片安装到硅基载体层上，通过引线键合工艺实现互连；
步骤五，将堆叠结构通过热压焊接或超声热压焊接安装到硅基载体层上。
进一步地，步骤一中，玻璃晶圆A厚度在300μm-500μm之间；玻璃腔高度在200μm-400μm之间；玻璃晶圆B厚度在50μm-200μm之间；穿玻璃通孔直径在10μm-60μm之间；玻璃晶圆C厚度在300μm-500μm之间；穿玻璃通孔直径在30μm-100μm之间；晶圆键合工艺为热压键合工艺或共晶键合工艺；键合金属层为Au、Au/Sn或Au/In中任一种。
进一步地，步骤二中，硅晶圆厚度在100μm-200μm之间；穿硅通孔直径为在10μm-30μm之间；金属凸点材料为SnPb、SnAg3.5Cu0.5、Cu或Au中任一种。
如图1～6所示，本发明提供了一种射频模块三维堆叠结构(图1)，设置有玻璃帽层1、玻璃载体层2、玻璃转接框层3、硅基载体层4、陶瓷封装层5与射频芯片6；玻璃载体层2、玻璃转接框层3、硅基载体层4均设有通孔9与互连线10；玻璃帽层1、玻璃载体层2、玻璃转接框层3、硅基载体层4、陶瓷封装层5自上而下依次堆叠互连；射频芯片6位于玻璃载体层2和硅基载体层4的上表面，通过引线结构11与玻璃载体层2或硅基载体层4上的电路焊盘连接；玻璃帽层1、玻璃载体层2与玻璃转接框层3构成玻璃堆叠结构；硅基载体层4的上表面设置金凸点阵列结构7与堆叠结构实现电气连接；硅基载体层4与陶瓷封装层5之间通过金属凸点阵列8实现电气连接，陶瓷封装层5上可集成多个由玻璃帽层1、玻璃载体层2、玻璃转接框层3、硅基载体层4构成的堆叠电路。
在本发明的实施例中，射频模块三维堆叠结构的制备方法为：
(1)加工玻璃堆叠结构，如图2所示；
a)准备一片500μm厚的光敏玻璃晶圆A，使用光刻工艺和湿法腐蚀工艺加工玻璃腔，玻璃腔深300μm-400μm，然后通过溅射、电镀工艺的结合加工键合用金层。
b)准备一片100μm-200μm厚的玻璃晶圆B，通过激光刻蚀工艺加工通孔9，孔径10μm-30μm，使用溅射与电镀工艺将孔内镀金，实现通孔金属化。采用光刻、溅射、电镀的方法在B的表面加工金焊盘以及金互连线10。将玻璃晶圆B的背面与一块载片进行临时键合，之后将射频芯片6粘接到B上，通过引线11与B上的焊盘进行互连。
c)准备一片500μm厚的玻璃晶圆C，通过激光刻蚀在C上设置通槽、通孔9，孔径80μm-100μm，使用溅射与电镀工艺将孔内镀金，实现通孔金属化。采用光刻、溅射、电镀的方法在C的表面加工金互连线以及键合用金焊盘。
d)将A与B通过金-金热压晶圆键合工艺堆叠在一起，然后通过解键合工艺去除临时载片，再与C进行金-金热压晶圆键合，最后通过分片工艺获得玻璃堆叠结构。
(2)准备一片硅晶圆，在硅晶圆上通过光刻、深硅刻蚀、孔壁钝化、深孔键合和电镀工艺加工盲孔，然后在上表面通过光刻、溅射、电镀工艺加工布线10以及金凸点阵列结构7，凸点直径2μm-10μm，厚度4μm-5μm。将硅晶圆上表面与一片载片进行临时键合，减薄硅晶圆背面形成通孔9，然后通过钝化、光刻、溅射、电镀工艺完成背面图形焊盘，并在背面加工凸点8，凸点材料为Sn63Pb37，凸点直径为200μm-300μm。通过解键合工艺去除临时载片，最后分片获得硅基载体层4，见图3。
(3)将硅基载体层4通过热风回流焊工艺安装到陶瓷封装层5上，并进行底部填充，见到图4。
(4)将射频芯片6粘接到硅基载体层4上，通过超声热压焊工艺实现互连，见图5。
(5)见图6，将玻璃堆叠结构通过超声热压焊接依次焊接到硅基载体层4上，从而完成射频模块的三维堆叠。
本说明书中所有实施例公开的所有特征(包括任何附加权利要求、摘要和附图)，或隐含公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合和/或扩展、替换。
Claims (10)
1.一种射频模块三维堆叠结构，其特征在于，包括玻璃帽层(1)、玻璃载体层(2)、玻璃转接框层(3)、硅基载体层(4)、陶瓷封装层(5)与射频芯片(6)；玻璃载体层(2)、玻璃转接框层(3)、硅基载体层(4)均设有通孔(9)与互连线(10)；玻璃帽层(1)、玻璃载体层(2)、玻璃转接框层(3)、硅基载体层(4)、陶瓷封装层(5)自上而下依次堆叠互连；射频芯片(6)位于硅基载体层(4)的上表面和玻璃载体层(2)的上表面，通过引线结构与载体层上的电路焊盘连接；玻璃帽层(1)、玻璃载体层(2)与玻璃转接框层(3)构成玻璃堆叠结构；硅基载体层(4)的上表面设置金凸点阵列结构(7)与玻璃堆叠结构实现电气连接；硅基载体层(4)与陶瓷封装层(5)之间通过金属凸点阵列(8)电气连接。
2.根据权利要求1所述的射频模块三维堆叠结构，其特征在于，所述陶瓷封装层(5)包括薄膜陶瓷、低温共烧陶瓷或高温共烧陶瓷中的任一种。
3.根据权利要求2所述的射频模块三维堆叠结构，其特征在于，所述陶瓷封装层(5)集成多个玻璃帽层(1)、玻璃载体层(2)、玻璃转接框层(3)和硅基载体层(4)堆叠电路。
4.根据权利要求1所述的射频模块三维堆叠结构，其特征在于，所述玻璃帽层(1)内集成有天线。
5.根据权利要求1所述的射频模块三维堆叠结构，其特征在于，所述硅基载体层(4)的上表面设置的金凸点阵列结构厚度在2μm-10μm之间，直径在2μm-100μm之间。
6.根据权利要求1所述的射频模块三维堆叠结构，其特征在于，所述金属凸点阵列(8)的直径在50μm-600μm之间。
7.根据权利要求1所述的射频模块三维堆叠结构，其特征在于，玻璃载体层(2)、玻璃转接框层(3)、硅基载体层(4)的互连线表层金属材料为金。
8.一种射频模块三维堆叠结构的制作方法，其特征在于，包括：
步骤一，加工玻璃堆叠结构，准备玻璃晶圆A，在玻璃晶圆A上设置腔槽与键合金属层；准备玻璃晶圆B，并在玻璃晶圆B上设置穿玻璃通孔、互连布线层与键合金属层，再将射频芯片安装在玻璃晶圆B上，通过引线键合工艺实现互连；准备玻璃晶圆C，并在玻璃晶圆C上设置通槽、穿玻璃通孔、互连布线层与键合金属层；将玻璃A、B、C通过晶圆键合工艺进行堆叠，分片，获得玻璃堆叠结构；
步骤二，准备硅晶圆，在硅晶圆上设置穿硅通孔、互连布线，在上表面设置金凸点阵列，在下表面设置金属凸点阵列，分片获得硅基载体层；
步骤三，将硅基载体层通过回流焊接或超声热压焊接安装到陶瓷封装层上；
步骤四，将射频芯片安装到硅基载体层上，通过引线键合工艺实现互连；
步骤五，将堆叠结构通过热压焊接或超声热压焊接安装到硅基载体层上。
9.根据权利要求8所述的射频模块三维堆叠结构的制作方法，其特征在于，步骤一中，玻璃晶圆A厚度在300μm-500μm之间；玻璃腔高度在200μm-400μm之间；玻璃晶圆B厚度在50μm-200μm之间；穿玻璃通孔直径在10μm-60μm之间；玻璃晶圆C厚度在300μm-500μm之间；穿玻璃通孔直径在30μm-100μm之间；晶圆键合工艺为热压键合工艺或共晶键合工艺；键合金属层为Au、Au/Sn或Au/In中任一种。
10.根据权利要求8所述的射频模块三维堆叠结构的制作方法，其特征在于，步骤二中，硅晶圆厚度在100μm-200μm之间；穿硅通孔直径为在10μm-30μm之间；金属凸点材料为SnPb、SnAg3.5Cu0.5、Cu或Au中任一种。
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