CN112397400A - 半导体封装方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种半导体封装方法，其包括：在载板上形成粘接层，在粘接层上划分多个排布区和空白区，空白区设置在排布区周围；在空白区设置定位孔，定位孔位于排布区的外周缘区域；根据定位孔的位置，将待封装芯片贴装于排布区内；形成包封层，包封层覆盖在粘接层上，且包封层的至少一部分填充于定位孔内形成定位凸柱，包封层用于包封住待封装芯片。本申请通过设置定位孔定位待封装贴片在载板上的精确位置，可以保证在贴装芯片工序中的贴装精度；通过在定位孔形成的定位凸柱，能够在接下来的再布线过程中精确定位识别出每一个待封装芯片的排布位置，再次实现精准定位的作用。

Description

半导体封装方法

技术领域

本申请涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装方法。

背景技术

在面板级封装工艺流程中，裸片在面板的精准定位一直是面板封装的关键因素。裸片在面板上的精确定位对布线工艺影响很大，会影响产品的良率。

特别是在大型面板封装工艺中，由于塑封过程中，塑封树脂的固化面积很大，固化收缩程度相应很大，并且热压成型工艺中，由于和模塑树脂材料和裸片以及钢性载板的热膨胀系数之间的差异，在升温及降温过程中，材料内部积累了大量应力，使得模塑成型后的成型产品出现翘曲现象。面板树脂的固化收缩和面板的翘曲均会导致裸片在面板上的定位位置发生改变。

裸片在面板上位置的变化使得后续的布线工艺中，难以定位裸片在面板中的精确位置，对布线工艺产生很大影响，甚至使得布线工艺难以进行。

解决裸片的定位问题成为整个工艺的关键之一，裸片定位问题甚至限制了面板尺寸的放大化发展，成为大尺寸面板封装中的技术壁垒。

发明内容

本发明提供一种半导体封装方法，可以对待封装芯片实现多次精准定位。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种半导体封装方法，其包括：

在载板上形成粘接层，在所述粘接层上划分多个排布区和空白区，所述空白区设置在所述排布区周围；

在所述空白区设置定位孔，所述定位孔位于所述排布区的外周缘区域；

根据所述定位孔的位置，将待封装芯片贴装于所述排布区内；

形成包封层，所述包封层覆盖在所述粘接层上，且所述包封层的至少一部分被填充于所述定位孔内形成定位凸柱，所述包封层用于包封住所述待封装芯片。

可选的，所述排布区为矩形，所述定位孔沿所述排布区的对角线的延伸线设置；或，

所述定位孔对应于所述排布区的四个角设置。

可选的，所述定位孔的深度小于或等于所述粘接层的厚度。

可选的，形成所述包封层的材料为液态颗粒状塑封材料。

可选的，在形成包封层、以及形成定位凸柱时，所采用的工作温度为130℃～175℃。

可选的，在形成包封层、以及形成定位凸柱时，通过加压使所述包封层的材料进入所述定位孔。

可选的，所述定位孔的形状为矩形。

可选的，在形成包封层之后，所述方法包括：

剥离所述载板，露出多个所述待封装芯片的正面；

根据所述定位凸柱的位置，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构，所述再布线结构用于将所述待封装芯片的正面的焊垫引出。

可选的，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构中，所述再布线结构位于所述待封装芯片与所述定位凸柱之间；

在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：

沿所述定位凸柱靠近所述再布线结构的一侧，将整个封装结构切割成多个封装体。

可选的，在形成包封层之后，剥离所述载板之前，所述方法包括：

在所述包封层远离所述载板的第一表面贴装支撑层。

可选的，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：

剥离所述支撑层。

本申请实施例提供的上述半导体封装方法，通过设置定位孔定位待封装贴片在载板上的精确位置，可以保证在贴装芯片工序中的贴装精度，并可以根据定位孔的位置来检测芯片贴装精度，以便能够实时调整待封装贴片的贴装的位置，同时可以满足后续工序精密生产要求，从而保证了后期封装的成功率及产品的良率；更进一步，通过在定位孔形成的定位凸柱，能够在接下来的再布线过程中精确定位识别出每一个待封装芯片的排布位置，再次实现精准定位的作用。

附图说明

图1是根据本申请一实例性实施例提出的半导体封装方法的流程图。

图2(a)-图2(o)是根据本申请一示例性实施例中半导体封装方法的工艺流程图。

图3是根据本公开一示例性实施例提供的利用上述半导体封装方法得到的半导体封装结构的结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”表示两个或两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”和/或“下”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

根据本公开的各个实施例，提供了一种半导体封装方法。在封装过程中，在载板上形成粘接层，在所述粘接层上划分多个排布区和空白区，所述空白区设置在所述排布区周围；在所述空白区设置定位孔，所述定位孔位于所述排布区的外周缘区域；根据所述定位孔的位置，将待封装芯片贴装于所述排布区内；形成包封层，所述包封层覆盖在所述粘接层上，且所述包封层的至少一部分被填充于所述定位孔内形成定位凸柱，所述包封层用于包封住所述待封装芯片。通过设置定位孔定位待封装贴片在载板上的精确位置，可以保证在贴装芯片工序中的贴装精度，并可以根据定位孔的位置来检测芯片贴装精度，以便能够实时调整待封装贴片的贴装的位置，同时可以满足后续工序精密生产要求，从而保证了后期封装的成功率及产品的良率；更进一步，通过在定位孔形成的定位凸柱，能够在接下来的再布线过程中精确定位识别出每一个待封装芯片的排布位置，再次实现精准定位的作用。

如图1、图2(a)-图2(o)、以及图3所示，本公开提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。

图1是根据本公开一实例性实施例提出的半导体封装方法的流程图。如图1所示，半导体封装方法包括下述步骤：

步骤101：在载板上形成粘接层，在所述粘接层上划分多个排布区和空白区，所述空白区设置在所述排布区周围；

步骤102：在所述空白区设置定位孔，所述定位孔位于所述排布区的外周缘区域；

步骤103：根据所述定位孔的位置，将待封装芯片贴装于所述排布区内；

步骤104：形成包封层，所述包封层覆盖在所述粘接层上，且所述包封层的至少一部分被填充于所述定位孔内形成定位凸柱，所述包封层用于包封住所述待封装芯片。

在本实施例中，在步骤101之前，即在将待封装芯片贴装于载板之前，可以在待封装芯片的正面形成保护层。所述保护层可以在将半导体晶圆切割成多个待封装芯片之前形成在半导体晶圆的正面上，之后再对半导体晶圆进行切割，得到正面形成有保护层的待封装芯片。当然可以理解的是，在工艺允许的情况下，还可以将半导体晶圆切割成待封装芯片后，在每个待封装芯片正面形成保护层，具体根据实际的情况选择。

如图2(a)所示，在半导体晶圆100正面即对应待封装芯片201正面的表面形成一保护层202，之后再将形成有保护层202的所述半导体晶圆100沿着切割道进行切割，得到多个形成有保护层的待封装芯片201。

保护层202采用绝缘材料，如聚酰亚胺、环氧树脂、ABF(Ajinomoto buildup film)以及PBO(Polybenzoxazole)等。可选地，保护层的材料选择绝缘，且能够适应化学清洗、研磨等的材料。保护层可以通过层压(Lamination)、涂覆(Coating)、印刷(Printing)等方式形成在半导体晶圆上。

在步骤101中，如图2(b)所示，在载板200上形成粘接层203，用以粘结待封装芯片201。粘接层203可采用易剥离的材料，以便将载板200和背面封装好的待封装芯片201剥离开来，例如可采用通过加热能够使其失去粘性的热分离材料。

在其他实施例中，粘接层203可采用两层结构，热分离材料层和芯片附着层，热分离材料层粘贴在载板200上，在加热时会失去黏性，进而能够从载板200上剥离下来，而芯片附着层采用具有粘性的材料层，可以用于粘贴待封装芯片201。而待封装芯片201从载板200剥离开来后，可以通过化学清洗方式去除其上的芯片附着层。在一实施例中，可通过层压、印刷等方式，在载板200上形成粘接层203。

接续，如图2(c)和图2(d)所示，在粘接层203上划分多个排布区2031和空白区2032，空白区2032设置在排布区2031周围，图2(d)中为图2(c)的另一角度的结构示意图。图2(c)和图2(d)中的虚线并不存在，在此标注仅为方便理解实施例中的技术方案。

在本实施例中，排布区2031的形状为矩形，这是由于排布区2031的形状及大小是根据最后成型的封装体而决定的，而现有技术中的封装体基本都为矩形。

在步骤102中，如图2(e)所示，在空白区2032设置定位孔2033，定位孔2033位于排布区2031的外周缘区域。排布区2031的外周缘区域为排布区2031的边缘线的外侧的一部分区域，定位孔2033位于排布区2031的外周缘区域指的是定位孔2033可以接触排布区2031的边缘线，也可以与排布区2031的边缘线有一定间距，该间距根据实际需要设定。这样，通过在载板的空白区设置定位孔，通过定位孔定位待封装贴片在载板上的位置，可以保证在贴装芯片工序中的贴装精度，而实现待封装贴片能够精准地贴装于预设的排布位置；更进一步，可以根据定位孔的位置来检测芯片贴装精度，以便能够实时调整待封装贴片的贴装的位置。

在本实施例中，每一排布区2031都对应设置有定位孔2033，但是本发明并不局限于此，也可以是一部分排布区2031对应设置有定位孔2033。

定位孔2033可以通过图案化开口的方式在粘接层203上形成，也可以通过其他方式形成，在此不做限定。所述定位孔的深度小于或等于所述粘接层的厚度。

如图2(f)所示，定位孔2033可以沿排布区2031的对角线的延伸线设置于排布区2031的两个斜对角外侧。这样，接续将待封装芯片201贴装于载板200上时，能够利用对角线计算出待封装芯片201应该排布的精确位置。

或者，也可以如图2(g)所示，定位孔2033对应于所述排布区的四个角设置，分别设置于四个角的外侧。这样，接续将待封装芯片201贴装于载板200上时，能够利用对角线交叉点的方式计算出待封装芯片201应该排布的精确位置。

需要说明的是，图2(e)、图2(f)以及图2(g)中的虚线并不存在，在此标注仅为方便理解实施例中的技术方案。

这样，通过设置定位孔2033，在接续将待封装芯片201贴装于载板200上时，能够通过定位孔2033定位待封装芯片201的预设的排布位置，而使待封装芯片201的排布更加精准。

较佳地，定位孔2033的形状为矩形，这样，在后续步骤中，在定位孔2033中形成的定位凸柱的形状也为矩形；从而在完成整个封装结构后，沿所述定位凸柱靠近所述再布线结构的一侧，将整个封装结构切割成多个封装体，能够更加方便定位切割线的位置。

在步骤103中，如图2(h)所示，根据定位孔2033的位置，将待封装芯片201贴装于排布区2031内。可以在排布区2031内贴装多个待封装芯片201，也可以仅贴装一个待封装芯片201，待封装芯片201在一个排布区2031内的数量根据实际需要设定，在此不做限定。待封装芯片201通过粘接层203贴装于载板200。待封装芯片201与定位孔2033之间还留有一定的距离，该距离为在后续步骤中所述待封装芯片的正面形成的再布线结构预留。图2(h)中的虚线并不存在，在此标注仅为方便理解实施例中的技术方案。

在步骤104中，包封层204覆盖在粘接层203上，形成在待封装芯片201的背面，且包封层204的至少一部分被填充于定位孔2033内形成定位凸柱300。如图2(i)所示，包封层204用于将载板200和待封装芯片201完全包封住，以重新构造一平板结构，以便在将载板200剥离后，能够继续在重新构造的该平板结构上进行再布线和封装。而由于在粘接层203上开设有定位孔2033，在包封层204成型过程中，形成包封层204的材料会进入定位孔2033而最终在该平板结构上形成和定位孔2033形状相对应的定位凸柱300。该些定位凸柱300在后续步骤中的在待封装芯片201的正面形成再布线结构的过程中，可以起到对待封装芯片201的二次定位的作用，即，该些定位凸柱300可以用于在接下来的再布线过程中精确定位识别出每一个待封装芯片201在该平板结构上的排布位置，而起到对待封装芯片201的第二次定位的作用，第一次定位是通过定位孔2033定位待封装贴片201在载板200上的位置，可以保证在贴装芯片工序中的贴装精度，而实现待封装贴片201能够精准地贴装于预设的排布位置。

在一实施例中，包封层204可采用层压环氧树脂膜或ABF(Ajinomoto buildupfilm)的方式形成，也可以通过对环氧树脂化合物进行注塑成型(Injection molding)、压模成型(Compression molding)或转移成型(Transfer molding)的方式形成。在本实施例中，为了更好地形成定位凸柱300，采用液态颗粒状塑封材料作为包封层204的材料，以便包封层204的材料在高温高压的塑封过程中，更加容易地进入定位孔2033，且填满整个定位孔2033，从而形成形状饱满的定位凸柱300。

发明人(们)通过大量试验得出，在一些实施例中，在形成包封层204、以及形成定位凸柱300时，所采用的工作温度为130℃～175℃，能够更好地形成的定位凸柱300。所述工作温度可选地为130℃、145℃、160℃或175℃。在本实施例中，所述工作温度为160℃，以有助于在包封层204的材料在高温下更加容易进入定位孔2033，从而能够更好地形成的定位凸柱300。

发明人(们)通过大量试验得出，在一些实施例中，在形成包封层204、以及形成定位凸柱300时，通过加压使所述包封层的材料进入所述定位孔，能够更好地形成的定位凸柱300。

包封层204包括与载板200相对的第一表面2041，基本上呈平板状，且与载板200的表面平行。包封层204的厚度可以通过对第一表面2041进行研磨或抛光来减薄，在一可选实施例中，包封层204的厚度可减薄至待封装芯片201的背面。

在利用包封层204包封时，由于包封层在成型时需要高压成型，在此过程中包封材料容易渗透到载板200与待封装芯片201之间。通过本公开的实施例，在待封装芯片201外形成一层保护层202，保护层202能够防止包封材料渗透到待封装芯片201表面，而且即使包封材料有渗入，在与载板剥离之后，还可以通过化学方式或者研磨方式直接处理保护层202的表面，而不会直接接触到待封装芯片201的正面，进而无法破坏待封装芯片201正面的电路结构。

进一步，可选的，在步骤104之后，所示封装方法还包括在所述包封层远离所述载板的第一表面贴装支撑层。

所述支撑层至少贴装在所述包封层的第一表面的至少部分区域。如图2(j)所示，在一实施例中，在包封层204的远离载板200的第一表面2041之上贴装支撑层205，且支撑层205覆盖在包封层204的第一表面2041的全部区域。

所述支撑层的材料强度大于所述包封层的材料强度，使得该支撑层能够有效提高并保证封装过程中封装结构的机械强度，有效抑制各结构变形带来的不利影响，从而提高产品封装的效果。在另一些实施例中，支撑层也可通过喷涂(Spraying)、印刷(Printing)、涂覆(Coating)等方式形成与包封层204的第一表面2041上。

进一步，在一实施例中，如图2(k)所示，在贴装支撑层205之后，所述封装方法还包括剥离载板200，载板200剥落之后，暴露出来的表面是待封装芯片201的正面的保护层202和包封层204的下表面。

在一实施例中，由于载板200与保护层202之间具有粘接层203，可以通过加热的方式，使得粘接层203在遇热后降低黏性，进而剥离载板200。通过加热粘接层203剥离载板200的方式，能够将在剥离过程中对待封装芯片201的损害降至最低。

载板200剥离后，暴露出了朝向载板200的包封层204的下表面和保护层202。剥离载板200后，得到了包括待封装芯片201、覆盖在待封装芯片201正面的保护层202、以及包封层204的平板结构，该平板结构上还设有定位凸柱300。在形成的该平板结构上，可以根据实际情况进行再布线等。在其他实施例中，也可直接机械的剥离载板200。

本公开实施例中，在剥离了载板200之后，暴露出保护层202的表面，此时粘接层202中芯片附着层还存在于保护层202的表面，而通过化学方式去除时，保护层202还能够保护待封装芯片表面不受破坏；在完全去除粘接层后，如果之前渗入了包封材料时，还可以采用化学清洗或研磨的方式使得表面平整，有利于后面布线；而如果没有保护层，则无法通过化学方式或者研磨的方式处理待封装芯片表面，以免破坏待封装芯片正面的电路。

需要说明的是，对于不设置支撑层的实施例而言，在步骤S104之后，即可剥离所述载板，露出保护层和包封层。具体剥离的方法可参加上述相关描述，此处不予以赘述。

接续，如图2(l)所示，在所述保护层上与多个所述待封装芯片的焊垫相对应的位置处形成保护层开口2021，每个保护层开口2021至少对应位于待封装芯片201的焊垫或者从焊垫引出的线路上，使得待封装芯片201正面的焊垫或者从焊垫引出的线路从保护层开口2021暴露出来。如果保护层材料是激光反应性材料，可以采用激光图形化的方式一次形成一个保护层开口2021的方式开孔；如果保护层材料是光敏材料，则可以采用光刻图形化方式，一次形成多个保护层开口2021的开孔方式。保护层开口2021的形状可以是圆的，当然也可以是其他形状如椭圆形、方形、线形等。

进一步，在一些实施例中，根据所述定位凸柱的位置，在待封装芯片201的所述保护层202上进行再布线，即形成再布线结构。待封装芯片201正面具有芯片内部电路的焊垫，通过在待封装芯片201正面上进行再布线，可以将这些焊垫引出。

如图2(m)所示，所述再布线结构包括：第一再布线层206，形成于所述保护层202和露出的包封层204上，且通过保护层开口2021与芯片201的焊垫电连接；以及正面第一包封层207，形成于第一再布线层206以及露出的保护层202和包封层204上，且具有第一开口，所述正面第一包封层207的第一开口内设置有与第一再布线层206电连接的第一导电凸柱208。第一导电凸柱208的形状优选为圆形，当然也可以是长方形、正方形等其他形状，且导电凸柱208与第一再布线层206电连接。

进一步，在一可选实施例中，形成再布线结构时，如果需要表面是完整的同一材料的话，还是可以在保护层202上形成一层钝化层，具体可在钝化层形成与保护层开口2021对应的钝化层开口，以进行再布线。

在一实施例中，由于在保护层202上已经形成有保护层开口，在形成第一再布线层206时，至少可以直接看到保护层开口，因此形成第一再布线层206时能够更加准确的对位。

进一步，在形成再布线结构之后，所述封装方法还包括剥离所述支撑层205。如图2(n)所示。可直接机械的剥离支撑层205，也可通过其他方法进行剥离，本申请对此不做限定，可根据具体应用环境进行设置。

如前所述，在再布线过程中，可以通过定位凸柱300精确定位识别出每一个待封装芯片201在该平板结构上的排布位置，而能够实现精准地在预设位置形成再布线结构。这样，在定位凸柱300的定位作用下，布线精度得以提高，产品良率提高。

较佳地，控制所述再布线结构位于所述待封装芯片与定位凸柱300之间。这样，能够在形成再布线结构并完成再布线结构的封装后，通过激光或机械切割方式将整个封装结构切割成多个封装体时，通过定位凸柱300准确定位切割线C，如，可以沿定位凸柱300靠近所述再布线结构的一侧，将整个封装结构切割成多个封装体，如图2(o)所示，形成的封装体的结构图如图3所示。而沿定位凸柱300靠近所述再布线结构的一侧切割时，切割线C正好能够将定位凸柱300去除，而不会对后续的封装体造成任何影响。

进一步，在一实施例中，可在芯片201的正面进行重复再布线，比如可以同样地方式在正面包封层外形成第二再布线层或更多个再布线层，以实现产品的多层再布线。

需要说明的是，在另一实施例中，在所述保护层上与多个所述待封装芯片的焊垫相对应的位置处形成保护层开口2021，可以是在将形成有保护层的所述晶圆切割成多个所述待封装芯片之前，而使得待封装芯片201正面的焊垫或者从焊垫引出的线路从保护层开口2021暴露出来。形成保护层开口的具体方案可参加上述相关描述，此处不予以赘述。

在形成有所述保护层202的待封装芯片粘贴在所述载板200的粘接层203上之后，多个保护层开口2021呈中空状态。

在另一实施例中，在所述保护层上与多个所述待封装芯片的焊垫相对应的位置处形成保护层开口2021之后，还包括：在保护层开口中填充导电介质，使得导电介质与所述待封装芯片的焊垫电连接。导电介质在保护层开口中形成竖直的连接结构，使得将芯片表面的焊垫延伸至保护层表面，保护层可以围绕形成在连接结构的四周。

图3是根据本公开一示例性实施例提供的利用上述半导体封装方法得到的芯片封装结构的结构示意图。如图3所示，半导体封装结构包括：

包封层204，设有内凹的腔体；

芯片201，设于所述腔体内，且芯片201的背面朝向所述腔体的底部；

保护层202，形成于芯片201的正面，且保护层202上形成有保护层开口2021，保护层开口2021位于芯片201正面的焊垫对应位置处；

再布线结构，形成于芯片201的正面，用于将芯片201正面的焊垫引出。

在一些实施例中，所述再布线结构包括：第一再布线层206，形成于所述保护层202和露出的包封层204上，且通过保护层开口2021与芯片201的焊垫电连接；以及正面第一包封层207，形成于第一再布线层206以及露出的保护层202和包封层204上，且具有第一开口2071，所述正面第一包封层207的第一开口2071内设置有与第一再布线层206电连接的第一导电凸柱208。

在另一实施例中，所述再布线结构包括更多个再布线层，以实现产品的多层再布线。

在本申请中，所述装置实施例与方法实施例在不冲突的情况下，可以互为补充。

在本申请中，所述装置实施例与方法实施例在不冲突的情况下，可以互为补充。以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (11)

1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：

在载板上形成粘接层，在所述粘接层上划分多个排布区和空白区，所述空白区设置在所述排布区周围；

在所述空白区设置定位孔，所述定位孔位于所述排布区的外周缘区域；

根据所述定位孔的位置，将待封装芯片贴装于所述排布区内；

形成包封层，所述包封层覆盖在所述粘接层上，且所述包封层的至少一部分被填充于所述定位孔内形成定位凸柱，所述包封层用于包封住所述待封装芯片。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述排布区为矩形，所述定位孔沿所述排布区的对角线的延伸线设置；或，

所述定位孔对应于所述排布区的四个角设置。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述定位孔的深度小于或等于所述粘接层的厚度。

4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，形成所述包封层的材料为液态颗粒状塑封材料。

5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成包封层、以及形成定位凸柱时，所采用的工作温度为130℃～175℃。

6.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成包封层、以及形成定位凸柱时，通过加压使所述包封层的材料进入所述定位孔。

7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述定位孔的形状为矩形。

8.如权利要求1-7中任意一项所述的半导体封装方法，在形成包封层之后，所述方法包括：

剥离所述载板，露出多个所述待封装芯片的正面；

根据所述定位凸柱的位置，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构，所述再布线结构用于将所述待封装芯片的正面的焊垫引出。

9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构中，所述再布线结构位于所述待封装芯片与所述定位凸柱之间；

在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：

沿所述定位凸柱靠近所述再布线结构的一侧，将整个封装结构切割成多个封装体。

10.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成包封层之后，剥离所述载板之前，所述方法包括：

在所述包封层远离所述载板的第一表面贴装支撑层。

11.如权要求10所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述待封装芯片的正面形成再布线结构之后，所述方法包括：

剥离所述支撑层。

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