CN1121706C - 阴极射线管装置 - Google Patents

Abstract

一种阴极射线管装置，将安装偏转轭铁20的轭铁部Y的与管轴Z垂直的截面形状做成大致为矩形的非圆形，当将偏转轭铁20的分离器21的与管轴Z垂直的截面的纵横比设为M∶N、垂直轴方向的外径设为SS、水平轴方向的外径设为LS、最大外径设为DS时，具有满足(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)＜(SS+LS)/(2DS)≤0.90的形状。本发明可降低偏转电力及漏泄磁场和确保足够的管壳强度。

Description

阴极射线管装置

技术领域

本发明涉及阴极射线管装置，尤其涉及具有可有效降低偏转电力及漏泄磁场的偏转线圈的阴极射线管装置。

背景技术

一般，阴极射线管装置具有玻璃制的真空玻壳和形成将电子束偏转用的偏转磁场的偏转线圈。真空玻壳包括矩形状的屏盘部、圆筒状的颈部以及屏盘部与颈部接合的锥体部。从颈部到锥体部内的偏转线圈部安装偏转线圈。

在如此的阴极射线管装置中，供给于偏转线圈的偏转电力是主要的耗电源。近年来，为满足阴极射线管装置的高辉度化及高精细化的要求，正日益趋向于增大偏转电力。为降低阴极射线管装置的耗电，必需降低该偏转电力。另外，在如此的阴极射线管装置中，必需降低从偏转线圈向阴极射线管装置的外部漏泄的漏泄磁场。

一般，为了降低偏转电力及漏泄磁场，最好将颈部的外径及偏转线圈部的外径小直径化。通过做成如此的结构，偏转磁场的作用空间就变小，可提高偏转磁场对电子束作用的作用效率。

但是，在现有的阴极射线管装置中，电子束接近偏转线圈部内面而通过。因此，若将颈部及偏转线圈部的外径小直径化，则偏转角、即相对管轴构成电子束轨道的角度较大的电子束碰撞到偏转线圈部内壁。这种电子束，达不到荧光屏上，从而发生显示不佳的情况。因此，在这种结构的阴极射线管装置中，将颈部及偏转线圈部的外径小直径化以降低偏转电力及漏泄磁场是困难的。

USP3731129号揭示了一种阴极射线管，偏转线圈部与管轴相垂直的截面形状，从颈部侧向屏面侧，近似于电子束的通过区域，由圆形逐渐向矩形进行变化。如此，当将偏转线圈部做成棱锥状时，可不使电子束与偏转线圈部内壁相冲突，从而可将偏转线圈部的外形小直径化。另外，在这种结构中，偏转磁场对电子束产生较高效率的作用。

但是，在这种结构的阴极射线管装置中，偏转线圈部的截面形状近似矩形，偏转线圈部的侧面扁平化，故在真空玻壳中的偏转线圈部的耐压强度下降。因此，安全性受到破坏。

另外，近年来，屏盘部外面平面化后的平面显示器已实用化。其外面的曲率半径为荧光屏的有效对角尺寸2倍以上(曲率半径无限大时，屏盘部就完全平面)的平面显示器，除了屏盘部的耐压强度较低外，当将偏转线圈部做成棱锥状时，偏转线圈部的耐压强度也下降，难以确保安全上必需的真空玻壳整体的机械强度。以下，将真空玻壳的强度、即耐压强度及机械强度统称为管壳强度。

如上所述，现有的阴极射线管装置是很难满足如下二个要求，即：为充分降低偏转电力及漏泄磁场而将偏转线圈部的截面形状矩形化的要求和即使将偏转线圈部的截面形状矩形化也要确保足够的管壳强度的要求。特别是平面显示器用的阴极射线管装置，降低偏转电力及漏泄磁场和确保足够的管壳强度是困难的。

发明内容

本发明的装置就是为了解决上述问题，其目的在于提供一种既可降低偏转电力及漏泄磁场、又可满足高辉度化及高清晰度化要求的阴极射线管装置。

本发明的阴极射线管装置，具有：真空玻壳，其包括在内面设有与管轴Z正交的水平轴H方向的长度和与管轴Z及水平轴H正交的垂直轴V方向的长度的纵横比呈M∶N的矩形的荧光屏的屏盘部、内部设有将电子束e沿管轴方向射出的电子枪组件的圆筒状的颈部、连接所述屏盘部与颈部的锥体部、以及在所述锥体部的颈部侧垂直于管轴Z的截面从与颈部相同直径的圆形变形成在水平轴H及垂直轴V方向以外的方向上具有最大直径的非圆形的偏转线圈部；安装在从所述颈部到偏转线圈部的真空玻壳的外面、形成用来偏转电子束e的偏转磁场的偏转线圈；其特征在于，当所述管轴Z与所述偏转线圈部外面的距离为偏转线圈部外径时，所述偏转线圈部的与所述管轴Z垂直的至少一个截面是在所述垂直轴方向及水平轴方向以外的方向成为最大外径的非圆形，所述偏转线圈具有夹装在形成所述偏转磁场用的水平偏转线圈与垂直偏转线圈之间的筒状的分离器，当所述管轴Z与所述分离器外面的距离为分离器外径时，所述分离器的与所述管轴Z垂直的至少一个截面做成在所述垂直轴方向及水平轴方向以外的方向具有最大外径的非圆形，当设所述矩形荧光屏的纵横比为M∶N、且在垂直于所述管轴的截面上，设所述分离器在垂直轴方向的外径为SS、水平轴方向的外径为LS、最大外径设为DS、且所述真空玻壳的垂直轴方向偏转线圈部的外径为SA、水平轴方向偏转线圈部外径为LA、最大偏转线圈部外径为DA时，如果设偏转线圈部的矩形度为(SA+LA)/(2DA)、分离器的矩形度为(SS+LS)/(2DS)，则

(SA+LA)/(2DA)＜(SS+LS)/(2DS)，且

(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)＜(SA+LA)/(2DA)≤0.86

本发明的阴极射线管装置，其特征在于，当垂直轴方向的外径设为SS、水平轴方向的外径设为LS、最大外径设为DS时，所述分离器的与所述管轴垂直的至少一个截面是：

(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)＜(SS+LS)/(2DS)≤0.90。

本发明的阴极射线管装置，其特征在于，当所述屏盘部外面形状近似圆时，其曲率半径是所述荧光屏的对角有效尺寸的2倍以上。

本发明的阴极射线管装置，其特征在于，所述水平偏转线圈沿所述分离器的内面配置，所述垂直偏转线圈沿所述分离器的外面配置。

本发明的阴极射线管装置，其特征在于，所述水平偏转线圈呈大致棱锥状。

本发明的阴极射线管装置，其特征在于，所述垂直偏转线圈呈大致棱锥状。

本发明的偏转线圈，系安装在从设于阴极射线管装置上的真空玻壳的颈部到偏转线圈部的外面的偏转线圈，其特征在于，包括：形成将电子束e向荧光屏的水平方向偏转用的水平偏转磁场的水平偏转线圈；夹装在所述水平偏转线圈与垂直偏转线圈之间的筒状的分离器，当所述管轴Z与所述分离器外面的距离为分离器外径时，所述分离器的与所述管轴Z垂直的至少一个截面做成在所述垂直轴方向及水平轴方向以外的方向具有最大外径的非圆形。

本发明的偏转线圈，其特征在于，当荧光屏的纵横比设为M∶N、垂直轴方向的外径设为SS、水平轴方向的外径设为LS、最大外径设为DS时，所述分离器的与所述管轴Z垂直的至少一个截面是：

(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)＜(SS+LS)/(2DS)≤0.90。

本发明的偏转线圈，其特征在于，所述偏转线圈具有由围住所述水平偏转线圈及垂直偏转线圈的磁性体所形成的铁心部，所述铁心部呈大致棱锥。

附图说明

图1是大致表示在包含管轴的截面上本发明阴极射线管装置结构的局部剖视图。

图2是大致表示图1所示阴极射线管装置的外观及内部结构的局部剖视立体图。

图3是将图1所示的阴极射线管装置的偏转线圈部置于偏转基准位置并垂直管轴将其切断时的截面中大致表示其外面形状的示意图。

图4是表示阴极射线管装置的偏转线圈部的形状与偏转电力关系的图。

图5A是将图1所示的阴极射线管装置的屏盘部沿对角线切断后的剖视图，图5B是图1所示的阴极射线管装置的屏盘部的俯视图。

图6是在与管轴垂直的截面中对本发明的阴极射线管装置的偏转线圈部、水平偏转线圈以及分离器的尺寸与形状进行说明用的大致的局部剖视示意图。

图7是表示图6所示的偏转线圈部、水平偏转线圈以及分离器尺寸的一个例子的示图。

具体实施方式

下面，结合附图详细说明本发明的阴极射线管装置的实施形态。

根据日本发明专利公开1973年第3439号公报，在具有大致棱锥形偏转线圈部的阴极射线管中，由于仅水平偏转灵敏度认为较重要，故仅水平偏转线圈做成大致棱锥状，另一方面，垂直偏转线圈与具有大致圆锥状偏转线圈部的阴极射线管相同，做成大致圆锥状。

但是，仅将水平偏转线圈做成大致棱锥状，不能适应高清晰度化及广角偏转化的要求。

首先，为了降低以节省能源为目的的偏转电力，不仅水平偏转线圈而且垂直偏转线圈也做成大致棱锥形，此外，发现了由成为形成这些偏转线圈磁场磁心的磁性体所构成的铁心部也做成棱锥状是有效的。另外，为适应广角偏转化的要求，就必需与水平偏转灵敏度一样地降低垂直偏转灵敏度，故象具有现有的棱锥状的偏转线圈部的阴极射线管那样，大致圆锥状的垂直偏转线圈不能说是最佳的形状。

另外，近年来，严格限制在偏转线圈产生的磁场中阴极射线管装置四周所漏泄的漏泄磁场。一般，作为定量性表示漏泄磁场的指标，有VLMF及ELMF。前者主要是因水平偏转线圈产生的漏泄磁场的指标。后者主要是因垂直偏转线圈所产生的漏泄磁场的指标。漏泄磁场，随着偏转线圈的屏幕侧端部(弯头部)的线圈直径、即管轴与线圈的距离越扩大而越厉害。因此，尤其是广角偏转管，漏泄磁场较厉害。

也就是说，在具有现有的棱锥状偏转线圈部的阴极射线管中，当使用圆锥状的垂直偏转线圈时，尤其不能减轻ELMF指标。另外，如由其它建议方案那样，当将夹装在水平偏转线圈和垂直线圈之间的分离器的与管轴相垂直的截面做成椭圆状时，由于水平轴向的直径成为最大直径，不能将垂直偏转线圈的屏幕侧端部的线圈直径缩小，故难以减轻ELMF指标。

因此，如本发明所述，通过将水平偏转线圈及垂直偏转线圈做成大致棱锥状，再将偏转线圈的屏幕侧端部也充分地做成棱锥形，则可减小屏幕侧端部的线圈直径。由此，再将因前述那样的偏转电力的降低化所产生的影响也加在一起，就可充分减轻VLMF及ELMF指标。另外，除了这些结构外，通过将铁心部做成大致棱锥状，可进一步降低偏转电力及VLMF与ELMF指标。此外，通过如此来构成偏转线圈，与一般的圆锥状的偏转线圈或仅现有水平偏转线圈做成棱锥状的偏转线圈相比较，可提供小型且轻量型的偏转线圈。

接着说明本发明的偏转线圈及具有该偏转线圈的阴极射线管装置的实施形态。

本发明即使在将真空玻壳的偏转线圈部形状做成棱锥状的情况下，也可提供具有设置可降低偏转电力与确保管壳强度的设有最佳形状偏转线圈部的真空玻壳和安装在该偏转线圈部上的最佳形状偏转线圈的阴极射线管装置。

如图1所示，该阴极射线管装置包括玻璃制的真空玻壳11和形成使电子束偏转用的偏转磁场的偏转线圈20。真空玻壳11具有：实际上包含矩形的有效屏面12的屏盘部1；具有与管轴相一致的中心轴的圆筒状的颈部2；以及将屏盘部1与颈部2接合的锥体部3。锥体部3在所述颈部2一侧包含安装偏转线圈20的偏转线圈部4。

在屏盘部1的内面设有具有分别发光成红、绿、兰的条状或点状的三色荧光粉层的荧光屏17。这里，屏盘部1的平坦度以将屏盘部1的外面形状做成近似圆的曲率半径来限定。即，屏盘部1的曲率半径，通过将从荧光屏中央17a向以对角端17d的管轴Z方向的颈部2侧的落差d为基准做成近似圆而获得。

在本实施形态中，屏盘部1的平坦度的曲率半径是有效屏面12的对角尺寸的2倍以上。曲率半径无限大时，相当于屏盘部1外面完全成平面的情况。即，本发明适用于实际上屏盘部1具有平面的外面形状的所谓平面显示器。

屏盘部1包括在与荧光屏17相对的位置留有规定间隔而配置的阴罩19。该阴罩19在其内侧设有用来使电子束通过的小孔18，参考图2。

在颈部2的内部设有通过同一水平面上的、一排配置的发射3束电子束e的电子枪组件28，即所谓的一字排列式电子枪组件。所述3束电子束e沿水平轴H一排配置，沿与管轴Z平行的方向发射。3束电子束中，作为中央波束的电子束，在更接近颈部2的中心轴的轨道上前进。另外，作为一对副波束的电子束，在中央波束的两侧的轨道上前进。

电子枪组件28，在将所述3束电子束e向荧光屏17聚合的同时，将3束电子束e分别聚焦在荧光屏17上。

偏转线圈20如图1所示，包括：枕形失真型的形成水平偏转磁场的水平偏转线圈22；桶形失真型的形成垂直偏转磁场的垂直偏转线圈23；夹装在水平偏转线圈22与垂直偏转线圈23之间的筒状的分离器21；以及用筒状磁性体形成的高导磁率的铁心部24。偏转线圈20由所述水平偏转线圈22及垂直偏转线圈23形成用来偏转电子束的非齐一偏转磁场。

如上所述，为解决前述的各种问题，必需将水平偏转线圈22、垂直偏转线圈23及围住这些偏转线圈的铁心部24做成大致棱锥状。因此，夹装在水平偏转线圈22与垂直偏转线圈23之间的分离器21也必需做成大致棱锥状。即，水平偏转线圈22做成沿分离器21内面的形状，垂直偏转线圈23做成沿分离器21外面的形状。也就是说，通过限制分离器21的形状，可将偏转线圈20的形状明确化。

分离器21，可由颈部2一侧的开口直径比屏盘部1一侧小的喇叭型的合成树脂、塑料等形成。分离器21，在如图1所示那样的包含管轴Z的截面中，具有沿管轴的屏幕侧的端部即凸缘21a和颈部侧的端部即凸缘21b。水平偏转线圈22是鞍形。水平偏转线圈22具有沿管轴Z的屏幕侧端部即弯头部22a和颈部侧的端部即弯头部22b。该水平偏转线圈22固定在形成于分离器21内壁的槽上。垂直偏转线圈23是鞍形。垂直偏转线圈23具有沿管轴Z的屏幕侧的端部即弯头部23a和颈部侧的端部即弯头部23b。该垂直偏转线圈23固定在分离器21外壁上。铁心部24围住所述水平偏转线圈22及垂直偏转线圈23的外侧固定配置，成为配置磁场的磁心。

如后所述，分离器21的与管轴垂直的至少一个截面做成呈大致矩形的大致棱锥状。即，为了该分离器21的内面形状做成截面呈大致矩形的大致棱锥状，而把与该内面形状相一致而配置的水平偏转线圈22做成截面呈大致矩形的大致棱锥状。另外，为了该分离器21的外面形状做成截面呈大致矩形的大致棱锥状，而把与外面形状相一致而配置的垂直偏转线圈23做成截面呈大致矩形的大致棱锥状。

因此，通过分别使鞍形的水平偏转线圈22和垂直偏转线圈23组合，就可缩小屏幕侧的线圈直径，从而可降低从偏转线圈20漏泄的漏泄磁场。

在如此结构的阴极射线管装置中，由电子枪组件28发射的3束电子束e，借助于偏转线圈20产生的非齐一偏转磁场，一边自己集中一边进行偏转。即，3束电子束e通过阴罩19，在水平轴H及垂直轴V的各自方向上扫描荧光屏17。由此，显示彩色图象。

如图1所示，锥体部3的沿管轴Z的外面形状，从屏盘部1一侧到颈部2一侧形成大致S形曲线状。即，锥体部3在屏盘部1一侧形成凸状，在偏转线圈部4的颈部2一侧形成凹状。偏转线圈部4的屏盘部一侧的边界14a是S形曲线的拐点。偏转线圈部4的颈部2一侧的边界14b是与颈部2的连接部。偏转线圈20安装成所述屏盘部一侧的端部20a位于边界14a的附近。偏转线圈20的颈部一侧的端部20b比边界14b还靠颈部一侧。偏转基准位置25位于偏转线圈部4的范围内。

这里，所谓偏转基准位置25是如下所规定的位置。即，如图5A及B所示，在从管轴Z两边的屏幕对角两端17d与管轴Z上某点O直线连接的情况下，2条直线构成的角度将如相当于标准阴极射线管装置的最大偏转角θ那样的管轴上的点O作为偏转基准位置25。该偏转基准位置25是对电子束进行偏转时成为偏转中心的位置。

如图3所示，偏转基准位置25中与管轴垂直的偏转线圈部外面的截面形状是非圆形状。即，将水平轴H与偏转线圈部的外面的相交点设为HP、垂直轴V与偏转线圈部外面的相交点设为VP、对角轴D与偏转线圈部外面的相交点设为DP。另外，将从管轴Z到相交点HP的距离设为LA、从管轴Z到相交点VP的距离设为SA、从管轴Z到相交点DP的距离设为DA。

此时，偏转线圈部的外面形状是水平轴H及垂直轴V以外方向的外径为最大的非圆形状。图3所示的偏转线圈部外面的截面形状是：LA及SA比DA小且DA为最大的大致矩形状。

因此，在具有如此形状的偏转线圈部的阴极射线管装置中，可使配置于相交点HP及VP附近的偏转线圈靠近电子束，可提高作用于电子束的偏转磁场的作用效率。因此，可降低偏转电力。另外，屏盘部一侧的线圈直径及弯头部22a、23a也可缩小，可降低漏泄磁场。

另外，在图3所示的例子中，对角轴D方向的直径是最大直径，但对角轴D方向的直径并非限于最大直径。

在偏转线圈部外面的截面形状中，与垂直轴V相交的主面VS被形成在垂直轴V上具有曲率中心的曲率半径为Rv的圆弧状。另外，与水平轴H相交的主面HS被形成在水平轴H上具有曲率中心的曲率半径为Rh的圆弧状。此外，相交点DP附近的外面是在对角轴D上具有曲率中心的曲率半径为Rd的圆弧状。偏转线圈部的外面形状是连接这些圆弧的形状。另外，这些面也可用其它各种数学式来限定。如此，偏转线圈部的外面形状是并非从矩形的长边L及短边S处还凹向管轴Z一侧的非圆形状。在图3所示的例子中，偏转线圈部的外面形状具有桶形的截面，实际上形成棱锥状。

越使偏转线圈部的截面形状接近矩形，作为真空玻壳的管壳强度就越恶化，但另一方面可降低偏转电力及漏泄磁场。这里，作为表示截面形状的矩形度的指标值，设定X＝(LA+SA)/(2DA)。当偏转线圈部的外面形状是具有圆形截面形状的圆锥状时，由于LA及SA与DA相等，故指标值X为1。当偏转线圈部的外面形状是具有矩形的截面形状的棱锥状时，由于DA确保了最外电子束轨道与偏转线圈部内壁的空间，故DA与圆锥状的场合等同，但LA及SA比圆锥状的场合小。也就是说，因LA及SA比DA小，故指标值X就比1小。

当偏转线圈部的外面形状是完全棱锥状时，若将矩形截面的纵横尺寸比(水平轴方向的长度∶垂直轴方向的长度)设为M∶N，则指标值为X＝(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)。

该指标值X在将偏转线圈部的外面形状做成矩形后，是使水平方向及垂直方向的外径缩小部分一致的形状，但在模拟分析结果中，不管在仅将水平方向缩小后的场合，还是在仅将垂直方向缩小后的场合，都具有大致同样的降低偏转电力的效果，不必注重LA及SA中的任一个。

另外，在将偏转线圈部的外面形状做成矩形的情况下，分析了从管轴上的任一位置做成矩形是否更有效果。结果发现，将从偏转基准位置25附近到偏转线圈20的屏盘一侧端部之间的区域做成矩形是重要的。

图1表示电子束e因偏转磁场而向荧光屏对角端17d的方向偏转情况下电子束e的轨道的一个例子。当偏转磁场中心比偏转基准位置25还靠近颈部侧时，由于颈部侧的偏转磁场增强，故电子束e更偏转到颈部侧。因此，向对角端17d方向偏转的电子束e碰撞到偏转线圈部的内壁上。相反，当偏转磁场中心比偏转基准位置25还靠近屏幕侧时，电子束e与偏转线圈部内壁的间隙距离增大。因此，可延长偏转线圈的颈部侧的端部20b，可进一步降低偏转电力。

另外，即使在外径与上述颈部不相同的阴极射线管装置中，偏转线圈部的形状，大致一直到偏转基准位置25不相同，而从偏转基准位置25开始在屏幕一侧成为大致相同。因此，分析结果，可以说是大致相同。

接着，就偏转电力的降低效果进行说明。

图4是表示偏转电力对矩形度指标值X的模拟结果的图。

这里，将偏转线圈的规格固定，仅偏转线圈部做成矩形化且偏转线圈22、23及铁心部24靠近电子束的结构来进行模拟。偏转电力是供给水平偏转线圈22的水平偏转电力。在指标值X＝1的阴极射线管装置中，将以规定偏转量偏转电子束时的偏转电力设为100％。

如图4所示，当指标值X大致小于0.86时，偏转电力呈现出急剧减轻的效果。即，当以规定的偏转量偏转电子束e时，与将偏转线圈部做成圆锥状(X＝1)的场合相比较，可减少大约10～30％的偏转电力。相反，若指标值X为0.86以上，则偏转电力的减轻效果不超过10％。

综上所述，通过将真空玻壳的偏转线圈部做成满足如下条件的大致棱锥状，可降低偏转电力和确保管壳强度。即，当将大致矩形的荧光屏的纵横比设为M∶N时，形成棱锥状的偏转线圈部的矩形截面的纵横比与荧光屏的纵横比实际上取为相一致的结构，偏转线圈部截面的纵横比为M∶N。另外，在偏转基准位置25处的与管轴垂直的截面中，当将垂直轴方向的偏转线圈部外径设为SA、水平轴方向的偏转线圈部外径设为LA、偏转线圈部的最大外径设为DA时，做成满足如下数学式的截面形状：

(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)＜(SA+LA)/(2DA)≤0.86

另外，如图3所示，将偏转基准位置25处的与管轴垂直的截面的偏转线圈部外面形状做成未向管轴Z一侧突出的大致矩形。该矩形的外面，可用在垂直轴上具有曲率中心的曲率半径为Rv的圆弧、在水平轴上具有曲率中心的曲率半径为Rh的圆弧、在将成为最大外径的点与管轴予以连接的直线上具有曲率中心的曲率半径为Rd的圆弧来近似。此时，使Rh或Rv小于900mm来构成偏转线圈部的截面形状。由此可充分确保管壳强度。

以上所述，也可适用于荧光屏的纵横比为4∶3、16∶9、3∶4场合等。

另外，对于在偏转线圈20上设置的分离器21，考虑到构成偏转线圈的绕组的分布而做成具有如下矩形度的指标值。

即，如图6所示，沿分离器21内面设置的水平偏转线圈22，在与管轴Z垂直的截面中，为形成枕形失真型的偏转磁场而具有水平轴H附近的绕组的截面积变大的分布。水平偏转线圈22的绕组分布成越离开水平轴H其截面积就越小。

也就是说，分离器21的形状，要考虑偏转线圈部4的外面形状及其与管轴垂直的截面中矩形度和水平偏转线圈22的截面积分布来决定。

详细研究各种模拟及试验品后，其结果如图7所示，我们知道，形成的分布最好是：水平偏转线圈22在水平轴H上约有5.5mm、在垂直轴V上约有2.5mm、在对角轴D上约有3mm的厚度。因此，如图7所示，当偏转线圈部4的矩形度指标值是X＝0.86(＝(22.85+34.3)/(2×36.7))时，若考虑水平偏转线圈22的绕组的分布，则在分离器21的外面应为比偏转线圈部4大的指标值X＝0.89(＝33.6+42.9)/(2×43.2))。因此，分离器21最好做成其矩形度的指标值为大致小于0.90。

综上所述，在与管轴Z垂直的截面中，分离器21的外面形状在从端部21b到边界14b之间，是与颈部的外面形状一致并大致相同形状的圆形。当将从管轴Z到分离器21的外面的距离做成分离器21的外径时，水平轴方向的外径LS及垂直轴方向的外径SS，随着从边界14b沿管轴Z接近屏幕侧而逐渐变小。由此，处于分离器21的比边界14b还靠屏幕侧的与管轴Z垂直的截面，成为最大外径DS大于LS及SS的非圆状，即矩形。该分离器21的屏幕侧的截面如图6所示，离开棱锥状的偏转线圈部4的外面保持2～3mm的余地并形成具有矩形的内径。水平偏转线圈22大致沿具有非圆形截面的分离器21的内面而构成。垂直偏转线圈23大致沿具有非圆形截面的分离器21的外面而构成。具有如此截面形状的分离器21，当将水平轴方向的外径设为LS、垂直轴方向的外径设为SS、最大外径设为DS、荧光屏的纵横比设为M∶N时，其矩形度指标值满足如下数学式：

(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)＜(SS+LS)/(2DS)≤0.90。而这里，在与管轴Z垂直的截面中，荧光屏的纵横比实际上与分离器的纵横比相一致。

下面就最佳实施例进行说明。

基本结构如上所述，详细说明省略。

真空玻壳11包括与管轴Z垂直的至少一个截面成为大致矩形的棱锥状的偏转线圈部4。偏转线圈20包括：与管轴Z垂直的至少一个截面具有大致矩形的内面形状及外面形状的棱锥状的分离器21；沿该分离器21的内面设置的大致棱锥状的鞍形水平偏转线圈22；沿分离器21的外面设置的大致棱锥状的鞍形垂直偏转线圈23；由围住这些偏转线圈的具有大致棱锥状的内面形状的磁性体所构成的铁心部24。水平偏转线圈22设置成使之离开具有棱锥状的外面形状的偏转线圈部4外面保持2～3mm的余地。

如图6所示，在处于垂直偏转线圈23的屏幕侧端的与管轴Z垂直的截面中，偏转线圈部4的截面形状、水平偏转线圈22的分布设想范围以及分离器21的截面形状，用如下那样的尺寸规定。而在这种情况下，偏转线圈部4的纵横比取为与荧光屏的纵横比大致相一致，荧光屏的纵横比M∶N是4∶3。

这里，偏转线圈部4的外面形状是，最大外径DA＝38.3mm，水平轴方向的外径LA＝35.0mm，垂直轴方向的外径SA＝28.4mm。因而，偏转线圈部4的矩形度指标值X就成为：X＝(LA+SA)/(2×DA)＝0.83。通过将偏转线圈部4做成如此形状，则可降低偏转电力和确保管壳强度。

另外，分离器21的外面形状是，最大外径DS＝45.4mm，水平轴方向的外径LS＝43.6mm，垂直轴方向的外径SS＝34.1mm。因而，分离器21的矩形度指标值X就成为：X＝(LS+SS)/(2×DS)＝0.86。如此，在与管轴Z垂直的截面中，通过将分离器21的形状与偏转线圈部4的外面形状相一致地做成矩形状，则配置于分离器21内面的水平偏转线圈22及配置于分离器21外面的垂直偏转线圈23也成为矩形。

其结果，与具有现有圆锥状的偏转线圈部的阴极射线管相比较，可将水平偏转电力降低约20％，将垂直偏转电力降低17％。另外，由于可缩小偏转线圈的屏幕侧端部的线圈直径，故也可降低漏泄磁场，并可将VLMF降低50％，将ELMF降低22％。此外，还可将轭铁的温升ΔT降低7℃左右。

如上说明，采用本发明的阴极射线管装置，真空玻壳的偏转线圈部的至少一个与管轴垂直的截面是成为矩形的棱锥状。偏转线圈的分离器的至少一个与管轴垂直的截面是成为与偏转线圈部的外面形状相一致的矩形的棱锥状。另外，沿该分离器的内面设置的水平偏转线圈呈棱锥状，并沿偏转线圈部的外面设置。沿分离器的外面设置的垂直偏转线圈呈棱锥状。

通过做成这种结构，与现有的阴极射线管相比，可获得优异得多的偏转特性，可降低偏转电力及漏泄磁场。从而可提供满足高辉度化及高清晰度化要求的阴极射线管装置。

Claims (6)

1.一种阴极射线管装置，具有：

真空玻壳(11)，其包括在内面设有与管轴Z正交的水平轴H方向的长度和与管轴Z及水平轴H正交的垂直轴V方向的长度的纵横比呈M∶N的矩形的荧光屏(17)的屏盘部(1)、内部设有将电子束e沿管轴方向射出的电子枪组件(28)的圆筒状的颈部(2)、连接所述屏盘部(1)与颈部(2)的锥体部(3)、以及在所述锥体部(3)的颈部侧垂直于管轴Z的截面从与颈部(2)相同直径的圆形变形成在水平轴H及垂直轴V方向以外的方向上具有最大直径的非圆形的偏转线圈部(4)；

安装在从所述颈部(2)到偏转线圈部(4)的真空玻壳(11)的外面、形成用来偏转电子束e的偏转磁场的偏转线圈(20)；其特征在于，当所述管轴Z与所述偏转线圈部外面的距离为偏转线圈部外径时，所述偏转线圈部(4)的与所述管轴Z垂直的至少一个截面是在所述垂直轴方向及水平轴方向以外的方向成为最大外径的非圆形，

所述偏转线圈(20)具有夹装在形成所述偏转磁场用的水平偏转线圈(22)与垂直偏转线圈(23)之间的筒状的分离器(21)，

当所述管轴Z与所述分离器外面的距离为分离器外径时，所述分离器(21)的与所述管轴Z垂直的至少一个截面做成在所述垂直轴方向及水平轴方向以外的方向具有最大外径的非圆形，

当设所述矩形荧光屏(17)的纵横比为M∶N、

且在垂直于所述管轴的截面上，设所述分离器在垂直轴方向的外径为SS、水平轴方向的外径为LS、最大外径设为DS、

且所述真空玻壳的垂直轴方向偏转线圈部的外径为SA、水平轴方向偏转线圈部外径为LA、最大偏转线圈部外径为DA时，

如果设偏转线圈部的矩形度为(SA+LA)/(2DA)、

分离器的矩形度为(SS+LS)/(2DS)，则

(SA+LA)/(2DA)＜(SS+LS)/(2DS)，且

(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)＜(SA+LA)/(2DA)≤0.86

2.如权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，

所述分离器的与所述管轴垂直的至少一个截面是：

(M+N)/(2×(M²+N²)^1/2)＜(SS+LS)/(2DS)≤0.90。

3.如权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，当所述屏盘部(1)外面形状近似圆时，其曲率半径是所述荧光屏(17)的对角有效尺寸的2倍以上。

4.如权利要求1所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述水平偏转线圈(22)沿所述分离器(21)的内面配置，所述垂直偏转线圈(23)沿所述分离器(21)的外面配置。

5.如权利要求4所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述水平偏转线圈(22)呈大致棱锥状。

6.如权利要求4所述的阴极射线管装置，其特征在于，所述垂直偏转线圈(23)呈大致棱锥状。

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