CN112164705B - 一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 - Google Patents
一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112164705B CN112164705B CN202011157824.1A CN202011157824A CN112164705B CN 112164705 B CN112164705 B CN 112164705B CN 202011157824 A CN202011157824 A CN 202011157824A CN 112164705 B CN112164705 B CN 112164705B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- pixel
- layer
- micro
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种Micro‑LED显示面板和Micro‑LED显示装置。Micro‑LED显示面板包括:上下相对设置的上基板和下基板,上基板和下基板之间具有多个LED像素组;下基板上具有发光叠层;下基板上还具有下遮光层,分隔成下遮光单元;上基板下表面具有上遮光层,上遮光层具有与下遮光单元分别一一相对的上遮光单元,一个下遮光单元与对应的一个上遮光单元构成一个遮光组合;每个遮光组合中,上遮光单元的最低点在下遮光单元的最高点以下。所述显示面板能够解决Micro‑LED在像素间距减小下的光线串扰问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED领域,尤其涉及一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置。
背景技术
发光二极管(LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点,被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。
微型发光二极管(Micro-LED)是将传统的LED微缩后形成微米级间距的阵列以达到超高的分辨率,从而可用于显示领域。Micro-LED显示相对于传统的液晶显示(LCD)及有机发光显示(OLED),具备发光寿命长、亮度高、体积轻薄、功耗低、像素密度高等优势,成为以高真实度、互动与个性化显示为主要特点的第三代显示的代表。
目前Micro-LED的一个发展方向是,防止由于像素间的间距减少而引起的不同颜色光的光线串扰问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置,以更好地解决Micro-LED像素间距减小下的光线串扰问题。
为解决上述问题,本发明提供一种Micro-LED显示面板,包括:上下相对设置的上基板和下基板,所述上基板和下基板之间具有多个LED像素组,每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元;所述下基板上具有发光叠层,所述发光叠层包括属于所述红色LED像素单元的第一LED发光叠层,属于所述绿色LED像素单元的第二LED发光叠层,以及属于所述蓝色LED像素单元的第三LED发光叠层;所述下基板上还具有下遮光层,在纵向剖面中,所述第一LED发光叠层、第二LED发光叠层和第三LED发光叠层将所述下遮光层分隔成下遮光单元;所述上基板下表面具有上遮光层,在纵向剖面中,所述上遮光层具有与所述下遮光单元分别一一相对的上遮光单元,一个所述下遮光单元与对应的一个所述上遮光单元构成一个遮光组合;每个所述遮光组合中,所述上遮光单元的最低点在所述下遮光单元的最高点以下,且所述上遮光单元与所述下遮光单元未接触。
可选的,在纵向剖面中,每个所述遮光组合中,所述上遮光单元呈下底在上的第一梯形,所述下遮光单元呈下底在下的第二梯形,所述第一梯形的上底与所述第二梯形的上底水平方向上错开,所述第一梯形的上底在所述第二梯形的上底下方。
可选的,所述第一梯形的下底与两腰分别形成第一较小底角和第一较大底角,所述第二梯形的下底与两腰分别形成第二较小底角和第二较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第一较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第二较大底角。
可选的,在纵向剖面中,每个所述遮光组合中,所述上遮光单元呈下底在上的第一三角形,所述下遮光单元呈下底在下的第二三角形,所述第一三角形的顶角与所述第二三角形的顶角水平方向上错开,所述第一三角形的顶角在所述第二三角形的顶角下方。
可选的,所述第一三角形的下底与两腰分别形成第一较小底角和第一较大底角,所述第二三角形的下底与两腰分别形成第二较小底角和第二较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第一较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第二较大底角。
可选的,所述第一较小底角和第二较小底角的大小相等。
可选的,所述LED像素组具有像素总面积;所述红色LED像素单元具有第一像素面积;所述绿色LED像素单元具有第二像素面积;所述蓝色LED像素单元具有第三像素面积;所述第一像素面积占所述像素总面积的0.6至0.667。
可选的,所述第一像素面积占所述像素总面积的0.618。
可选的,所述第二像素面积和所述第三像素面积相等;所述上基板包括红色量子点转换层、绿色量子点转换层和蓝色量子点转换层;所述上基板下表面具有黑矩阵层,在俯视投影上,所述红色量子点转换层、绿色量子点转换层和蓝色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置;或者,所述第二像素面积是所述第三像素面积的1.5倍至2倍;所述上基板包括红色量子点转换层和绿色量子点转换层;所述上基板还包括黑矩阵层,在俯视投影上,所述红色量子点转换层和绿色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。
为解决上述问题,本发明还提供了一种LED显示装置,包括如上所述的Micro-LED显示面板。
本发明技术方案的其中一个方面中,通过结构设计,使每个遮光组合中,上下遮光单元未接触,因此,没有接触应力,合适于各种封装工艺。同时,上遮光单元的最低点在下遮光单元的最高点以下,即上下遮光单元在竖直方向上部分交叠,因而,发光叠层发出的光线,或者向上(斜向上)发出,或者被遮光组合遮挡。因此,不同发光叠层发出的光线不会传播到相邻像素单元中,防止光线的串扰,从而解决Micro-LED在像素间距减小情况下光线串扰的问题。
本发明技术方案的另一个方面中,通过设计相应的第一像素面积占像素总面积的0.6至0.667(即五分之三至三分之二),使第一像素面积对像素总面积是一种黄金分割比例或接近黄金分割比例的占比,这种占比下,第一像素面积对应的红色LED像素单元与整个LED像素组形成一种良好协调性的尺寸关系,这种像素面积之间的黄金比例的尺寸协调关系,能够带来更好的光线视觉效果。第一像素面积对应的正是红色LED像素单元,通过使它的面积占比整个像素总面积的0.6至0.667之间,能够使一个LED像素组中,红光的出射光子数与绿光和蓝光的出射光子数尽量达到匹配更一致(面积和出射光子数成正比),从而使得显示面板最终的显示质量具有更高的出射光子数匹配度,更好地带来光线的协调匹配。
同时,这样的面积结构设计下,还可以实现超小间距模组,即超小间距的显示面板,并进一步应用于相应的显示装置(Micro-LED显示屏)。
附图说明
图1是实施例中Micro-LED显示面板的剖面组合结构示意图;
图2是图1中遮光组合的放大示意图;
图3是实施例中Micro-LED显示面板的俯视投影示意图;
图4是另一实施例中Micro-LED显示面板的剖面组合结构示意图;
图5是图4中遮光组合的放大示意图;
图6是另一实施例中Micro-LED显示面板的俯视投影示意图;
图7是实施例中Micro-LED显示装置示意图。
具体实施方式
当LED之间像素串扰增大时,相应的遮光层结构设计成为一种解决方案,但是,在设计时,会出现上下遮光层相抵靠,导致相互损伤或者破坏的问题,因此,一般不得不设计上下遮光层之间具有上下方向的间隔,而间隔的存在,就导致了不同颜色的光线会通过这些间隔而导致的光线串扰问题。因此,本发明提出新的结构,以解决光线串扰问题。
另外,对于LED显示,通常涉及以下三个重要的参数。
IQE(Internal Quantum Efficiency,内量子效率)=单位时间内有源层发射的光子数/单位时间内注入到有源层的电子子数=(Pint/(hv))/(I/e)。
LEE(Light Extraction Efficiency,光析出率)=单位时间内出射到空间的光子数/单位时间内从有源层内出射的光子数=(P/(hv))/=(Pint/(hv))。
EQE(External Quantum Efficiency,外量子效率)=单位时间内出射到空间的光子数/单位时间内注入到有源层的电子数=(P/(hv))/(I/e)=IQE*LEE。
目前,红光LED的EQE仅约在10%以上(≥10%),而绿光LED和蓝光LED的EQE均在30%以上(≥30%)。这种不同颜色光EQE的差异,导致了最终出射光匹配问题。本发明的进一步结构设计,同时也解决上述出射光匹配问题。
为此,本发明提供一种新的一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置,以解决上述存在的不足。
为更加清楚的表示,下面结合附图对本发明做详细的说明。
本发明实施例提供一种Micro-LED显示面板,请结合参考图1至图3。请参考图1,Micro-LED显示面板包括上下相对设置的上基板100和下基板200。上基板100可以是相应的透明基板,例如为强化玻璃基板。下基板200既可以是透明基板,也可以是非透明基板。上基板100和下基板200之间具有多个LED像素组(未标注),即LED像素组位于上基板100和下基板200之间,不同LED像素组的结构可以基本相同。Micro-LED显示面板具有多个LED像素组,图1中显示了其中一个LED像素组为代表,此时也可知,图1显示的是上基板100和下基板200的一部分,即两个基板对应于一个LED像素组的部分。
请继续参考图1,LED像素组包括红色LED像素单元(未标注)、绿色LED像素单元(未标注)和蓝色LED像素单元(未标注)。图1中,红色LED像素单元位于最左侧两条竖直虚线之间,绿色LED像素单元位于中间两条竖直虚线之间,蓝色LED像素单元位于最右侧两条竖直虚线之间。由于LED像素组位于上基板100和下基板200之间,因此,各个像素单元也位于上基板100和下基板200之间。本说明书中,像素单元是单颜色像素主要整体结构的指称,而一个LED像素组是显示面板上通过颜色组合能够显示各种具体颜色的一个像素结构。
下基板200上具有发光叠层(未标注),所述发光叠层包括属于红色LED像素单元的第一LED发光叠层210,属于绿色LED像素单元的第二LED发光叠层220,以及属于蓝色LED像素单元的第三LED发光叠层230。
下基板200上还具有下遮光层(未标注),在纵向剖面中,第一LED发光叠层210、第二LED发光叠层220和第三LED发光叠层230将下遮光层分隔成下遮光单元241。
上基板100下表面具有上遮光层(未标注),在纵向剖面中,上遮光层具有与下遮光单元241分别一一相对的上遮光单元151,一个下遮光单元241与对应的一个上遮光单元151构成一个遮光组合(未标注)。
从图1中可以直观看出,每个所述遮光组合中,上遮光单元151的最低点在下遮光单元241的最高点以下,并且上遮光单元151和下遮光单元241未接触。
具体的,参考图2,显示了其中一个所述遮光组合的放大结构。在纵向剖面中,每个遮光组合中,上遮光单元151呈下底在上的第一梯形,下遮光单元241呈下底在下的第二梯形,第一梯形的上底与第二梯形的上底水平方向上错开,第一梯形的上底在第二梯形的上底下方。具体的,如图2所示,第一梯形的上底在第二梯形的上底的下方高度达到了高度H,此时,由于光是沿直接传播的,因此,无论是位于图2左侧还是右侧的发光叠层(图2未显示,可以结合参考图1),它们发出的光线都不会相互影响相邻的像素单元。
继续参考图2,本实施例中,第一梯形的下底与两腰分别形成第一较小底角α和第一较大底角β,第二梯形的下底与两腰分别形成第二较小底角γ和第二较大底角δ,第一较小底角α和第二较小底角γ均小于第一较大底角β,第一较小底角α和第二较小底角γ均小于第二较大底角δ。
如图2,本实施例中,第一较小底角α和第二较小底角γ的大小相等。这时,第一梯形上底与第二梯形上底水平方向上错开的横向间距可以达到最小,从而有利于整个结构尺寸的减小。而另外两个角可以适当增大,以增加整个遮光单元结构的强度,同时,降低结构的制作难度。
本实施例中,各梯形的腰,代表的是各遮光层的斜侧面,上底对应的是各遮光层的上表面。
本实施例所提供的Micro-LED显示面板中,每个遮光组合中,上下遮光单元未接触,因此,没有接触应力,合适于各种封装工艺。同时,上遮光单元151的最低点在下遮光单元241的最高点以下,即上下遮光单元在竖直方向上部分交叠,因而,发光叠层发出的光线,或者向上(斜向上)发出,或者被遮光组合遮挡。因此,不同发光叠层发出的光线不会传播到相邻像素单元中,防止光线的串扰。
需要说明的是,虽然本实施例中,不同发光叠层发的是同种颜色的光线,但是,如果不进行相应的结构设置,以防止不同发光叠层发出的光线传播到不同的像素单元中,则会出现这样的情况:到达相应量子点转换层的光线强度与原来电路控制要达到的光线强度不一样,并且没法控制(因为各个发光叠层的光线不停通过相应的间隔传播,而发光叠层的发光强弱又各自不断变化),导致各像素单元的最终颜色的显示,即导致最终显示的颜色与需要所需要颜色有差别,光线串扰无法排除。
本发明技术方案能够防止光线串扰的情况,还存在另一种情况,即当其它实施例中,不采用量子点转换层时,各个发光叠层直接发出相应不同颜色的光线,此时,本发明技术方案同样能够利用相应的遮光组合直接防止光线串扰的情况发生。
请参考图3,LED像素组具有像素总面积,而图3显示了LED像素组所具有的像素总面积。LED像素组根据它所包括的像素单元又分别对应有三个像素面积,具体分别是:红色LED像素单元具有第一像素面积110,绿色LED像素单元具有第二像素面积120,蓝色LED像素单元具有第三像素面积130。它们之间以虚线显示区分。
图3中显示,本实施例设计第一像素面积110占像素总面积的0.618。
由于第一像素面积110占像素总面积的0.618,此时,第一像素面积110对像素总面积是一种黄金分割比例的占比,本实施例中,第一像素面积和像素总面积均为矩形,具有相同的短边(可直观参考图3,后续也会进一步说明),因此,第一像素面积对像素总面积的占比也是两者之间的长度比值。这种面积和长度的双重一致占比下,第一像素面积110对应的红色LED像素单元与整个LED像素组形成一种良好协调性的尺寸关系,这种像素面积之间的黄金比例的尺寸协调关系,能够带来更好的光线视觉效果。
更加重要的,发明人前面已经分析,红光LED的EQE仅约在10%以上(≥10%),而绿光LED和蓝光LED的EQE均在30%以上(≥30%),而此时,第一像素面积110对应的正是红色LED像素单元,通过使它的面积占比整个像素总面积的0.6至0.667之间(具体本实施例是0.618),能够使一个LED像素组中,红光的出射光子数与绿光和蓝光的出射光子数尽量达到匹配更一致(面积和出射光子数成正比),从而使得显示面板最终的显示质量具有更高的出射光子数匹配度,更好地带来光线的协调匹配。
同时,这样的面积结构设计下,还可以实现超小间距模组,像素间间距能够缩小至Micro-LED级别及以下,即超小间距的显示面板,并进一步应用于相应的显示装置(Micro-LED显示屏)。
需要说明的是,其它实施例中,第一像素面积110可以占像素总面积的0.6至0.667的其它值,例如0.61、0.62、0.65和0.66等,这些值也都接近于黄金分割比例,在此范围内,同样能够达到上述相应的显示效果,而本实施例的0.618是0.6至0.667其中的一个最佳值,是黄金分割值。
本实施例中,像素总面积可以是80μm×130μm,其中其它像素单元的具体面积可以在此面积范围内相应调整。
请参考图3,本实施例中,设计第二像素面积120和第三像素面积130相等。此时第一像素面积110差不多均是第二像素面积120和第三像素面积130的3.2倍。
请参考图3,本实施例中,第一像素面积110包括第一发光面积101和包围第一发光面积101的第一遮光面积141。第二像素面积120包括第二发光面积102和包围第二发光面积102的第二遮光面积142。第三像素面积130包括第三发光面积103和包围第三发光面积103的第三遮光面积143。
本实施例中,第一发光面积101为第二发光面积102的3倍,同时,第一发光面积101也为第三发光面积103的3倍。这种情况下,恰好与三种像素单元之间的EQE之比(约为1:3)相匹配。
其它实施例中,第一发光面积101可以为第二发光面积102的2.5倍至3.5倍,第一发光面积101可以为第三发光面积103的2.5倍至3.5倍,这些倍数,随着前面提到的占比(0.6至0.667)的改变而相应改变。
请返回参考图1,本实施中,红色LED像素单元包括第一LED发光叠层210和红色量子点转换层111。第一LED发光叠层210位于下基板200。红色量子点转换层111位于上基板100,红色量子点转换层111位于第一LED发光叠层210上方。
绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层220和绿色量子点转换层121。第二LED发光叠层220位于下基板200。绿色量子点转换层121位于上基板100,绿色量子点转换层121位于第二LED发光叠层220上方。
蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层230和蓝色量子点转换层131。第三LED发光叠层230位于下基板200。蓝色量子点转换层131位于上基板100,蓝色量子点转换层131位于第三LED发光叠层230上方。
本实施例中,各发光叠层的结构通常包括n型半导体层(如n-GaN)、多量子阱层和p型半导体层(如p-GaN)等结构。
需要说明的是,本实施例设置第一LED发光叠层210、第二LED发光叠层220和第三LED发光叠层230的叠层结构完全相同,它们均是发相应蓝色光的发光叠层,而不需要制作三种不同颜色的LED发光叠层,这是因为本实施例设计采用了量子点转换层。
需要说明的是,第一LED发光叠层210、第二LED发光叠层220和第三LED发光叠层230各自的俯视面积,既可以相同,也可以不同,本实施例中它们的面积设计为不同。
需要说明的是,本实施例通过设计相应的面积不同,使得各个量子点转换层的厚度反而可以制作为相同。
结合图1和图3可知,本实施例中,上基板100下表面具有黑矩阵层140,在俯视投影上,红色量子点转换层111、绿色量子点转换层121和蓝色量子点转换层131位于黑矩阵层140的开口位置。其它实施例中,也可以不需要有黑矩阵层。
需要说明的是,图3中的第一遮光面积141、第二遮光面积142和第三遮光面积143,对应的面积正是黑矩阵层140的相应各部分面积。而红色量子点转换层111、绿色量子点转换层121和蓝色量子点转换层131也分别对应于图3中的第一发光面积101、第二发光面积102和第三发光面积103。此时亦可以理解,为何图1可以理解为图3沿A点划线和B点划线剖切后重新组合的剖面结构。
本实施例中,相应的尺寸下,第一LED发光叠层210的峰值波长(WLP)可以为630nm,半峰宽(FWHM)可以控制在小于15nm。第二LED发光叠层220的峰值波长为532nm,半峰宽小于30nm。第三LED发光叠层230的峰值波长为467nm,半峰宽小于20nm。
本实施例的各遮光层(各遮光单元),可以为吸光的黑色材料制作。
请参考图1,上基板100下表面还具有位于黑矩阵层140开口位置的红色滤光层112、绿色滤光层122和蓝色滤光层132。红色滤光层112位于红色量子点转换层111和上基板100下表面之间。绿色滤光层122位于绿色量子点转换层121和上基板100下表面之间。蓝色滤光层132位于蓝色量子点转换层131和上基板100下表面之间。各滤光层的厚度可以相同。
相应的各滤光层用于对出射光进行进一步的滤光作用,使Micro-LED显示面板发出的光线更加符合需求,使相应的彩色显示效果更佳。
参考图1,本实施例设置各遮光层的厚度大于各量子点转换层的厚度,各遮光层的厚度也大于各滤光层的厚度。
参考图3,本实施例中,像素总面积(如前所述未标注)、第一像素面积110、第二像素面积120和第三像素面积130为矩形面积。第二像素面积120和第三像素面积130组成的面积与第一像素面积110的一边重合。这种规整的面积设计,也有助于提高显示面板的显示品质。
需要说明的是,本实施例的各发光叠层的尺寸,可以制作得比各量子点转换层大,通过主要控制量子点转换层的面积(即最终的出光面积),就能够使显示面板的尺寸达到相应微米级别,而使得发光叠层本身的结构制作有更大的尺寸裕度。
综上可知,本实施例通过相应的结构设计,还能够进一步实现不同像素单元之间的间距减小,更好地实现像素间间距的Micro级别及以下尺寸,同时能够协调光线匹配。
本发明另一实施例提供另一种Micro-LED显示面板,请结合参考图4至图6。
所述Micro-LED显示面板包括上下相对设置的上基板300和下基板400,上基板300和下基板400之间具有多个LED像素组(未标注),每个LED像素组包括红色LED像素单元(未标注)、绿色LED像素单元(未标注)和蓝色LED像素单元(未标注)。图4中,红色LED像素单元位于最左侧两条竖直虚线之间,绿色LED像素单元位于中间两条竖直虚线之间,蓝色LED像素单元位于最右侧两条竖直虚线之间。
下基板400上具有发光叠层(未标注),所述发光叠层包括属于红色LED像素单元第一LED发光叠层410,属于绿色LED像素单元的第二LED发光叠层420,以及属于蓝色LED像素单元的第三LED发光叠层430。
下基板400上还具有下遮光层(未标注),在纵向剖面中,第一LED发光叠层410、第二LED发光叠层420和第三LED发光叠层430将下遮光层分隔成下遮光单元441。
上基板300下表面具有上遮光层(未标注),在纵向剖面中,上遮光层具有与下遮光单元441分别一一相对的上遮光单元351,一个阵列遮光与对应的一个上遮光单元351构成一个遮光组合。
每个遮光组合中,上遮光单元351的最低点在下遮光单元441的最高点以下,且上遮光单元351和下遮光单元441未接触。
请参考图5,显示了一个遮光组合的放大示意图,在纵向剖面中,每个遮光组合中,上遮光单元351呈下底在上的第一三角形,下遮光单元441呈下底在下的第二三角形,第一三角形的顶角与第二三角形的顶角水平方向上错开,第一三角形的顶角在第二三角形的顶角下方。
请参考图5,第一三角形的下底与两腰分别形成第一较小底角α和第一较大底角β,第二三角形的下底与两腰分别形成第二较小底角γ和第二较大底角δ,第一较小底角α和第二较小底角γ均小于第一较大底角β,第一较小底角α和第二较小底角γ均小于第二较大底角δ。
本实施例中,第一较小底角α和第二较小底角γ的大小相等。其原因可以参考前述实施例相应内容。
本实施例中,第一较大底角β和第二较大底角δ的大小可以相等,也可以不相等,两者均可以在60度以上,以降低制作难度。
本实施例中,如图5所示,从竖直方向上看,第一三角形和第二三角形相互重叠的高度大小为高度H,由于三角形的结构特点,导致这一高度H可以比梯形时更大,因此,可以进一步防止不同发光叠层之间的光线影响相邻像素单元。
由于具有上述遮光单元的设置,本实施例的Micro-LED显示面板同样能够防止光线串扰,并且,由于是三角形的遮光单元,更加不容易出现上下相抵导致上下基板之间装配不适的问题。
请参考图6,显示了LED像素组所具有的像素总面积。LED像素组根据它所包括的像素单元又分别对应有三个像素面积,具体分别是:红色LED像素单元具有第一像素面积310,绿色LED像素单元具有第二像素面积320,蓝色LED像素单元具有第三像素面积330。它们之间以虚线显示区分。
图6中显示,本实施例设计第一像素面积310占像素总面积的0.6。
由于第一像素面积310占像素总面积的0.6,此时,第一像素面积310对像素总面积是一种较大比例的占比,是一种接近于黄金分割比例的占比。这种占比下,第一像素面积310对应的红色LED像素单元与整个LED像素组形成一种良好协调性的尺寸关系,这种协调尺寸关系能够带来光线的协调匹配。
同样由于,红光LED的EQE仅约在10%以上,而绿光LED和蓝光LED的EQE均在30%以上,而此时,第一像素面积310对应的正是红色LED像素单元,通过使它的面积占比大于整个像素总面积的一半以上(即0.6),能够使一个LED像素组中,红光的出射光子数与绿光和蓝光的出射光子数尽量达到匹配更一致(面积和出射光子数成正比),从而使得显示面板最终的显示质量具有更高的出射光子数匹配度,进一步带来光线的协调匹配。
同时,这样的面积结构设计下,同样可以实现超小间距模组,即超小间距的显示面板,并进一步应用于相应的显示装置(显示屏)。
本实施例中,像素总面积可以是20μm×40μm,其中其它像素单元的具体面积可以在此面积范围内相应调整。
请参考图6,本实施例中,设计第二像素面积320是第三像素面积330的1.618倍,此时,一方面,相当于第二像素面积320占第二像素面积320和第三像素面积330两者总面积的0.618倍,使得第二像素面积320和第三像素面积330之间的面积形成另一个黄金比例占比关系;另一方面,注意到,本实施例并不需要蓝色量子点转换层(参考后续内容),而是选择适当波长的发光叠层,直接出光;两个因素共同作用,进一步使得相应的显示像素组具有良好的匹配度。
本实施例中,由于第二像素面积320是第三像素面积330的1.618倍,因此,第一像素面积310是第二像素面积的约2.6倍,第一像素面积310是第三像素面积330的约4.2倍。
其它实施例中,第二像素面积可以是第三像素面积的1.5倍至2倍。其它实施例中,第一发光面积为第二发光面积的2.5倍至3.5倍,第一发光面积可以为第三发光面积的4倍至6倍。
请参考图6,本实施例中,第一像素面积310包括第一发光面积301和包围第一发光面积301的第一遮光面积341。第二像素面积320包括第二发光面积302和包围第二发光面积302的第二遮光面积342。第三像素面积330包括第三发光面积303和包围第三发光面积303的第三遮光面积343。
本实施例中,第一发光面积301为第二发光面积302的3倍,同时,第二发光面积302也为第三发光面积303的3倍。这种情况下,恰好与三种像素单元之间的EQE之比(约为1:3)相匹配。
请返回参考图4,本实施中,红色LED像素单元包括第一LED发光叠层410和红色量子点转换层311。第一LED发光叠层410位于下基板400。红色量子点转换层311位于上基板300,红色量子点转换层311位于第一LED发光叠层410上方。绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层420和绿色量子点转换层321。第二LED发光叠层420位于下基板400。绿色量子点转换层321位于上基板300,绿色量子点转换层321位于第二LED发光叠层420上方。蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层430(不包括蓝色量子点转换层)。第三LED发光叠层430位于下基板400。
需要说明的是,本实施例设置第一LED发光叠层410、第二LED发光叠层420和第三LED发光叠层430的叠层结构完全相同,它们均是发相应蓝色光的发光叠层,而不需要制作三种不同颜色的LED发光叠层。在此基础上,第一LED发光叠层410、第二LED发光叠层420和第三LED发光叠层430各自的俯视面积设计为不同,从而使得各个量子点转换层的厚度反而可以制作为相同。
结合图4和图6可知,本实施例中,上基板300下表面具有黑矩阵层340,在俯视投影上,红色量子点转换层311和绿色量子点转换层321位于黑矩阵层340的开口位置。黑矩阵层340的开口和各量子点转换层是对应一一设置的。可知图4可以理解为图6沿C点划线和D点划线剖切后重新组合的剖面结构。
请返回参考图4,上基板300下表面还具有位于黑矩阵层340开口位置的红色滤光层312、绿色滤光层322和蓝色滤光层332。红色滤光层312位于红色量子点转换层311和上基板300下表面之间。绿色滤光层322位于绿色量子点转换层321和上基板300下表面之间。各滤光层的厚度可以相同。
更多有关本实施例的结构、性质和优点,可以参考前述实施例相应内容。
本发明实施例还提供一种显示装置700,请参考图7。
本实施例的显示装置700包括如上所述各实施例提供的任意一种Micro-LED显示面板,因此,可以结合参考前述各实施例相应内容。
本实施例中,显示装置700可以为Micro-LED商用显示屏。其它实施例中,显示装置可以是相应的电脑显示屏或者智能穿戴电子产品显示屏等。
由于具有上述Micro-LED显示面板,本实施例的显示装置700具有良好的光学性能,像素密度高,防光线串扰,能够实现Micro-LED下高分辨率的显示,同时发光寿命长、亮度高、体积轻薄功耗低。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种Micro-LED显示面板,其特征在于,包括:
上下相对设置的上基板和下基板,所述上基板和下基板之间具有多个LED像素组,每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元;
所述下基板上具有发光叠层,所述发光叠层包括属于所述红色LED像素单元的第一LED发光叠层,属于所述绿色LED像素单元的第二LED发光叠层,以及属于所述蓝色LED像素单元的第三LED发光叠层;
所述下基板上还具有下遮光层,在纵向剖面中,所述第一LED发光叠层、第二LED发光叠层和第三LED发光叠层将所述下遮光层分隔成下遮光单元;
所述上基板下表面具有上遮光层,在纵向剖面中,所述上遮光层具有与所述下遮光单元分别一一相对的上遮光单元,一个所述下遮光单元与对应的一个所述上遮光单元构成一个遮光组合;
每个所述遮光组合中,所述上遮光单元的最低点在所述下遮光单元的最高点以下,且所述上遮光单元与所述下遮光单元未接触。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板,其特征在于,在纵向剖面中,每个所述遮光组合中,所述上遮光单元呈下底在上的第一梯形,所述下遮光单元呈下底在下的第二梯形,所述第一梯形的上底与所述第二梯形的上底水平方向上错开,所述第一梯形的上底在所述第二梯形的上底下方。
3.根据权利要求2所述的Micro-LED显示面板,其特征在于,所述第一梯形的下底与两腰分别形成第一较小底角和第一较大底角,所述第二梯形的下底与两腰分别形成第二较小底角和第二较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第一较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第二较大底角。
4.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板,其特征在于,在纵向剖面中,每个所述遮光组合中,所述上遮光单元呈下底在上的第一三角形,所述下遮光单元呈下底在下的第二三角形,所述第一三角形的顶角与所述第二三角形的顶角水平方向上错开,所述第一三角形的顶角在所述第二三角形的顶角下方。
5.根据权利要求4所述的Micro-LED显示面板,其特征在于,所述第一三角形的下底与两腰分别形成第一较小底角和第一较大底角,所述第二三角形的下底与两腰分别形成第二较小底角和第二较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第一较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第二较大底角。
6.根据权利要求3或5所述的Micro-LED显示面板,其特征在于,所述第一较小底角和第二较小底角的大小相等。
7.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板,其特征在于,所述LED像素组具有像素总面积;
所述红色LED像素单元具有第一像素面积;
所述绿色LED像素单元具有第二像素面积;
所述蓝色LED像素单元具有第三像素面积;
所述第一像素面积占所述像素总面积的0.6至0.667。
8.根据权利要求7所述的Micro-LED显示面板,其特征在于,所述第一像素面积占所述像素总面积的0.618。
9.根据权利要求8所述的Micro-LED显示面板,其特征在于:
所述第二像素面积和所述第三像素面积相等;所述上基板包括红色量子点转换层、绿色量子点转换层和蓝色量子点转换层;所述上基板下表面具有黑矩阵层,在俯视投影上,所述红色量子点转换层、绿色量子点转换层和蓝色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置;
或者,所述第二像素面积是所述第三像素面积的1.5倍至2倍;所述上基板包括红色量子点转换层和绿色量子点转换层;所述上基板还包括黑矩阵层,在俯视投影上,所述红色量子点转换层和绿色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。
10.一种Micro-LED显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9任意一项所述的Micro-LED显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011157824.1A CN112164705B (zh) | 2020-10-26 | 2020-10-26 | 一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011157824.1A CN112164705B (zh) | 2020-10-26 | 2020-10-26 | 一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112164705A CN112164705A (zh) | 2021-01-01 |
CN112164705B true CN112164705B (zh) | 2021-04-09 |
Family
ID=73864779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011157824.1A Active CN112164705B (zh) | 2020-10-26 | 2020-10-26 | 一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112164705B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112802940B (zh) * | 2021-01-05 | 2022-03-11 | 苏州芯聚半导体有限公司 | 一种显示基板、制作方法及显示装置 |
CN112634826B (zh) * | 2021-01-07 | 2022-02-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | micro-LED显示面板、micro-LED像素电路及显示装置 |
GB2614126A (en) | 2021-03-11 | 2023-06-28 | Boe Technology Group Co Ltd | Display substrate and display apparatus |
CN113658518B (zh) * | 2021-08-24 | 2023-07-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN115241350A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-10-25 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制造方法 |
CN117352533B (zh) * | 2023-12-06 | 2024-02-09 | 深圳市正东明光电子有限公司 | 发光二极管及制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201347167A (zh) * | 2012-05-15 | 2013-11-16 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 有機發光二極體顯示裝置 |
CN106684108B (zh) * | 2015-11-05 | 2019-10-08 | 群创光电股份有限公司 | 发光二极管显示设备 |
CN105957875A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-09-21 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及显示装置 |
KR102370355B1 (ko) * | 2017-03-09 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN109216408A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
CN108376698B (zh) * | 2018-03-02 | 2020-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111341804A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示器件及其制备方法、显示装置 |
CN111276632B (zh) * | 2020-02-19 | 2021-03-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN111627970A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-10-26 CN CN202011157824.1A patent/CN112164705B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112164705A (zh) | 2021-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112164705B (zh) | 一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 | |
CN112117296B (zh) | Led显示面板和led显示装置 | |
CN106681046B (zh) | 一种彩膜基板及显示装置 | |
CN111063826B (zh) | 一种显示面板 | |
US9634289B2 (en) | Transparent display panel and manufacturing method thereof, and transparent display device | |
JP6131434B2 (ja) | 色転換層、色転換層を有する有機el発光表示パネル及び液晶表示パネル | |
US10423031B2 (en) | Light source device and display unit | |
US12268075B2 (en) | Color transformation substrate and display device | |
CN104103672B (zh) | 一种oled单元及其制作方法、oled显示面板、oled显示设备 | |
CN113921578B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
WO2019205549A1 (zh) | 双面显示面板及其制备方法 | |
CN108766980B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN108922899B (zh) | 像素阵列基板及其驱动方法 | |
US20140225087A1 (en) | Organic light-emitting display with solar cell | |
JP2012226931A (ja) | 表示装置 | |
US20250020956A1 (en) | Spliced display device | |
US20090085471A1 (en) | Organic El Display Device | |
CN113078202A (zh) | 一种彩膜结构、显示基板及显示装置 | |
CN112562525B (zh) | 显示面板 | |
CN211088315U (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
CN112349745B (zh) | Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置 | |
KR20160043803A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN114639712B (zh) | 显示面板及其制作方法及电子设备 | |
US20240215403A1 (en) | Top emitting display panels and display devices | |
CN113675324B (zh) | 微型发光二极管显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 5-5 Yutaishi Road, Torch High tech Zone (Xiang'an) Industrial Zone, Xiamen City, Fujian Province 361100 Patentee after: FUJIAN QIANGLI PHOTOELECTRICITY Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 361000 Fujian Xiamen torch high tech Zone (Xiangan) Industrial Zone, Xiangan West Road, block E6, 8065. Patentee before: FUJIAN QIANGLI PHOTOELECTRICITY Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
CP03 | Change of name, title or address |