[go: up one dir, main page]

CN112117391B - 一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112117391B
CN112117391B CN202011000611.8A CN202011000611A CN112117391B CN 112117391 B CN112117391 B CN 112117391B CN 202011000611 A CN202011000611 A CN 202011000611A CN 112117391 B CN112117391 B CN 112117391B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
driving circuit
layer
substrate
based substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011000611.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112117391A (zh
Inventor
魏俊波
杨盛际
黄冠达
卢鹏程
田元兰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202011000611.8A priority Critical patent/CN112117391B/zh
Publication of CN112117391A publication Critical patent/CN112117391A/zh
Priority to US17/213,532 priority patent/US11765933B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN112117391B publication Critical patent/CN112117391B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请公开了一种硅基OLED的显示基板及其制作方法、以及显示装置。显示基板包括：硅基衬底和设置在硅基衬底上的器件层，硅基衬底包括设置在其上的驱动电路层，驱动电路层包括驱动电路、电连接绑定区和存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元；驱动电路在硅基衬底上的正投影、存储单元在硅基衬底上的正投影和电连接绑定区在硅基衬底上的正投影互不重叠。本发明提供的实施例通过在硅基OLED的显示基板中设置存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，实现对驱动电路中各MOS管进行电压补偿，从而实现了各MOS管驱动特性的均一性，进而实现了显示亮度的均一性，具有广泛的应用前景。

Description

一种硅基OLED的显示基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种硅基OLED的显示基板及其制作方法、以及显示装置。
背景技术
Micro-OLED是一种以硅基板为衬底的新型OLED显示装置。硅基OLED具有体积小，分辨率高的特点，采用成熟的集成电路CMOS工艺制成，实现了像素的有源寻址，具有TCON、OCP等多种电路，实现轻量化。广泛应用于近眼显示与虚拟现实、增强现实领域中，特别是AR/VR头戴显示装置中。
目前的硅基OLED显示装置应用在AR/VR装置中，需要具有超高像素密度(PPI)，防止在放大成像之后有颗粒感。要实现超高PPI，就要求像素尺寸足够小，比如小于5μm的像素尺寸。像素尺寸足够小，在制作过程中，硅基OLED显示器件中与之匹配的驱动微米级的像素的驱动MOS管的数量预计尺寸要很小，大量的驱动MOS管在制作过程中存在一定的差异，用于驱动像素的MOS管的差异将直接导致OLED显示装置显示亮度的差异，影响显示效果。
发明内容
为了解决上述问题至少之一，本申请第一个实施例提供一种硅基OLED的显示基板，包括硅基衬底和设置在硅基衬底上的器件层，硅基衬底包括设置在其上的驱动电路层，驱动电路层包括驱动电路、电连接绑定区和存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元；
驱动电路在硅基衬底上的正投影、存储单元在硅基衬底上的正投影和电连接绑定区在硅基衬底上的正投影互不重叠。
在一些可选的实施例中，存储单元位于电连接绑定区靠近驱动电路的一侧。
在一些可选的实施例中，驱动电路层在硅基衬底上的正投影为长方形，包括长边和短边；
电连接绑定区位于硅基衬底的短边侧，存储单元距离长边边缘的距离大于预设的切割阈值；
或者
电连接绑定区位于硅基衬底的长边侧，存储单元距离短边边缘的距离大于预设的切割阈值。
在一些可选的实施例中，器件层在远离硅基衬底的方向上包括依次层叠设置的阳极、有机发光层、阴极、第一封装层和彩膜层。。
在一些可选的实施例中，器件层还包括位于彩膜层远离第一封装层一侧的第二封装层。
在一些可选的实施例中，还包括设置在存储单元靠近器件层一侧的屏蔽层，屏蔽层在所述硅基衬底上的正投影覆盖存储单元在硅基衬底上的正投影。
本申请第二方面提供一种硅基OLED的显示装置，包括本申请第一方面所述的显示基板。
本申请第三方面提供一种制作本申请第一方面所述的显示基板的方法，包括：在硅基衬底上形成驱动电路层，驱动电路层包括驱动电路、电连接绑定区和存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，驱动电路在硅基衬底上的正投影、存储单元在硅基衬底上的正投影和电连接绑定区在硅基衬底上的正投影互不重叠；在驱动电路上形成器件层。
在一些可选的实施例中，在硅基衬底上形成驱动电路层进一步包括：在硅基衬底上形成驱动电路；在硅基衬底上形成存储单元；在硅基衬底上形成与驱动电路的输出信号线电连接的电连接绑定区。
在一些可选的实施例中，在硅基衬底上形成存储单元之后，方法还包括：在存储单元上形成屏蔽层，屏蔽层在硅基衬底上的正投影覆盖存储单元在硅基衬底上的正投影。
本发明的有益效果如下：
本发明针对目前现有的问题，制定一种硅基OLED的显示基板及其制作方法、以及显示装置，通过在硅基OLED的显示基板中设置存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，实现对各MOS管进行电压补偿，从而实现了驱动电路中各MOS管驱动特性的均一性，进而实现了显示亮度的均一性，提高了硅基OLED显示基板的显示效果；此外，通过合理设置该存储单元在驱动电路层中的位置布局，进一步保证OLED显示模组的尺寸小型化要求，具有广泛的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为根据本申请的一个实施例的显示基板的示例性结构剖视图。
图2为根据本申请的一个实施例的显示基板的示例性俯视图。
图3为根据本申请的一个实施例的显示基板的示例性俯视图。
图4为根据本申请的一个实施例的显示基板的示例性俯视图。
图5为示出本申请的实施例的显示基板的器件层结构的示例性剖视图。
图6为示出本申请的实施例的显示基板的器件层的示例性俯视图图。
图7至图10为根据本申请的实施例的显示基板的制作方法的步骤示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。在本文中，除非另有说明，所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
如图1所示，本发明的一个实施例提供了一种硅基OLED的显示基板，包括硅基衬底和设置在硅基衬底上的器件层，硅基衬底包括设置在其上的驱动电路层，驱动电路层包括驱动电路、电连接绑定区和存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元；驱动电路在硅基衬底上的正投影、存储单元在硅基衬底上的正投影和电连接绑定区在硅基衬底上的正投影互不重叠。
在本实施例中，通过在硅基OLED的显示基板中设置存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，实现对各MOS管进行电压补偿，从而实现了驱动电路中各MOS管驱动特性的均一性，进而实现了显示亮度的均一性，提高了硅基OLED显示基板的显示效果。
在一个具体的示例中，如图1所示，显示基板包括硅基衬底1，硅基衬底上形成有器件层2，硅基衬底1中设置有驱动电路层11。该驱动电路层11包括用于驱动器件层的驱动电路101、用于与外部电路(例如，柔性电路板FPC)进行电连接的电连接绑定区103、以及用于存储驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元105。三者独立形成于硅基衬底1中，即，驱动电路101在硅基衬底1上的正投影、存储单元105在硅基衬底1上的正投影和电连接绑定区103在硅基衬底1上的正投影互不重叠。其中，本领域技术人员可以理解，尽管图中示出电连接绑定区103为深入硅基衬底1内的形式，例如凹坑，其也可以以焊盘的形式高于硅基衬底1表面，具体形式取决于将要电连接的外部电路的形式。
优选地，在本申请中，所述存储单元105设置为OTP(One Time Programmable，一次性可编程)，其是MCU的一种存储器类型，属于物理熔断存储，程序烧入IC后将不可更改。同时，将存储单元设置为OTP具有可扩展行，例如将多块OTP元件进行级联从而获得更大的存储空间，并且OTP性价比高，能够有效降低制造商的制造成本。
在本申请中，通过在驱动电路层中设置OTP来存储驱动电路的各MOS管的补偿电压，该补偿电压例如可以是各MOS管的校正数据，例如为电压的偏置值，这些补偿电压以Trimming Code的形式设计在OTP中，一一对应驱动电路中的MOS管，从而可以保证对驱动电路中的每一个用于驱动器件层的MOS管进行补偿校正，保证了即使在具有大量像素的硅基OLED，甚至具有巨量像素的硅基Micro-OLED中，依然可以实现显示基板的亮度均一化，提高了OLED显示基板的显示效果。
具体地，存储单元105位于电连接绑定区103靠近驱动电路101的一侧。也就是，在本申请的实施例中，将存储单元105设置在电连接绑定区103与驱动电路101之间的位置而不是驱动电路101靠近未设置电连接绑定区103的一侧，在对Wafer进行切割以形成显示基板时，不必顾忌存储单元105的存在，从而更贴近驱动电路101进行切割，有利于显示基板的小型化设计。
图2为根据本申请的一个实施例的显示基板的示例性俯视图，以及图3为根据本申请的另一个实施例的显示基板的示例性俯视图，其中在图2和图3中为了便于示出，省略了后文所述的屏蔽层107。
具体地，参照图2和图3，驱动电路层11在硅基衬底1上的正投影为长方形，包括长边和短边，当电连接绑定区103位于硅基衬底1的短边侧，则存储单元105距离长边边缘的距离大于预设的切割阈值L；或者当电连接绑定区103位于硅基衬底1的长边侧，则存储单元105距离短边边缘的距离大于预设的切割阈值L。在从大片Wafer切割形成独立的管芯(Die)时，设备具有一定的切割精度，例如，现有技术水平切割精度通常为150微米，在本申请中设置切割阈值，可选地，基于现有切割精度可以将切割阈值设置为450微米。本领域技术人员应理解，本申请并不限定于此，随着切割精度的提高，也可以设计适当减小切割阈值。
以上方式，通过设置存储单元105在上述情况下距离长边或短边的距离大于预设的切割阈值，可以保证存储单元不被切到。此外，单个管芯在制作成显示基板更进一步到制作显示模组的过程中，需要经过管芯绑定、FPC绑定(外部电路为FPC的情况下，当外部电路为其他电路的情况下，也可以是其他电路绑定)、盖板玻璃贴合等工序，这个过程中管芯的边缘会发送硅片破损，如果管芯的边缘硅片破裂或者损坏，容易伤到存储单元105，导致Trimming Code丢失。通过设置存储单元105在上述情况下距离长边或短边的距离大于预设的切割阈值，可以有效防止后续制作过程中硅片破损造成存储单元105结构损坏，进一步确保显示基板的亮度实现均一化，提高了OLED显示基板的显示效果。
在一些可选的实施例中，显示基板还包括设置在存储单元105靠近所述器件层一侧的屏蔽层107，屏蔽层107在硅基衬底1上的正投影覆盖存储单元105在硅基衬底1上的正投影，从而对存储单元105起到保护作用。具体地，图4中示出了屏蔽层107在硅基衬底1上的正投影大于存储单元105在硅基衬底1上的正投影的情形，但本申请并不限于此，屏蔽层107在硅基衬底1上的正投影可以对应于存储单元105在硅基衬底1上的正投影，只要能够保护存储单元105即可。可选地，屏蔽层107可以为金属层结构，并且屏蔽层可以设置为矩形、六边形或多边形形状。
在一些可选的实施例中，参照图5所示，器件层2在远离硅基衬底1的方向上包括依次层叠设置的阳极201、有机发光层203、阴极205、第一封装层207和彩膜层209。
具体地，器件层以堆叠方式制作而成。参照图5，在硅基衬底1中的驱动电路上方制作阳极201，作为有机发光层203的第一电极，有机发光层203通常是由有机材料制成的发射白光的结构层，利用有机材料的发光特性，在电压或者电流的作用下，有空穴与电子激发，形成激子，实现发光。在有机发光层203上面设置有金属的阴极205，阴极205是一种透明的结构，在阴极205远离有机发光层203的一侧设置有第一封装层207。优选地，阴极205可以选择Mg/Ag中的一种或几种合金材料制作而成。第一封装层207可以是薄膜封装层，以起到对阳极201、有机发光层203、阴极205组成的发光部分的保护作用。
在第一封装层207上设置有彩膜层209，其可以为RGB彩色薄膜层。如图5和图6所示，彩膜层209在垂直于硅基衬底1的方向上的正投影覆盖有机发光层203的正投影，以实现发射光的彩色化显示。彩膜层209自身并不发光，其包括黑矩阵、红(R)色滤光片、绿(G)色滤光片和蓝(B)色滤光片，彩膜层209与有机发光层203匹配作用，具体地，与有机发光层203在阳极201和阴极205作用下发射的白光配合，实现了高PPI以满足微显示器等应用场景下对PPI大于2000的要求。
进一步优选地，器件层2还包括设置在彩膜层209远离第一封装层207一侧的第二封装层211，所述第二封装层211也可以为薄膜封装层。第二封装层211与第一封装层207结合使用，实现对器件的有效封装，进一步实现对水汽、氧气的有限阻挡，达到保护器件，延长寿命的作用。优选地，第二封装层211采用密封特性较好的有机材料、无机材料中的一种或多种结合制作而成，优选地，可以选自二氧化硅、氮化硅等材料，以保护器件层中的器件结构，达到良好的密封作用。
本申请第二方面提供一种硅基OLED的显示装置，包括本申请第一方面中实施例所述的显示基板。本实施例的具体实施方式同前述实施例，在此不再赘述。
进一步优选地，参照图5和图6，显示装置还包括设置在第二封装层211上的盖板玻璃213，其是一种透明玻璃，可以选择高透过率的素玻璃。盖板玻璃213在垂直于衬底1的方向上的正投影覆盖第二封装层，以更进一步实现对器件的保护作用。
在本实施例中，硅基OLED的显示装置包括硅基OLED的显示基板，通过在该显示基板中设置存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，实现对各MOS管进行电压补偿，从而实现了驱动电路中各MOS管驱动特性的均一性，进而实现了显示亮度的均一性，提高了硅基OLED显示基板的显示效果；另外，通过合理设置该存储单元在驱动电路层中的位置布局，进一步保证OLED显示模组的尺寸小型化要求，具有广泛的应用前景。
基于上述显示基板，本申请还提供一种制作上述显示基板的方法，包括：在硅基衬底上形成驱动电路层，驱动电路层包括驱动电路、电连接绑定区和存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，驱动电路在硅基衬底上的正投影、存储单元在硅基衬底上的正投影和电连接绑定区在硅基衬底上的正投影互不重叠；在驱动电路上形成器件层。
在本实施例中，通过在该显示基板中设置存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，实现对各MOS管进行电压补偿，从而实现了驱动电路中各MOS管驱动特性的均一性，进而实现了显示亮度的均一性，提高了硅基OLED显示基板的显示效果；另外，通过合理设置该存储单元在驱动电路层中的位置布局，进一步保证OLED显示模组的尺寸小型化要求，具有广泛的应用前景。
具体地，参照图7至图9，在硅基衬底1上形成驱动电路层11包括：
在硅基衬底1上形成驱动电路101；
在硅基衬底1上形成存储单元105；
在硅基衬底1上形成与驱动电路101的输出信号线电连接的电连接绑定区103。
进一步具体地，参照图10，在硅基衬底1上形成存储单元105之后，方法还包括：在存储单元105上形成屏蔽层107，屏蔽层107在硅基衬底1上的正投影覆盖存储单元105在硅基衬底1上的正投影，如图4所示，图4中示出了屏蔽层107在硅基衬底1上的正投影大于存储单元105在硅基衬底1上的正投影的情形，但本申请并不限于此，屏蔽层107在硅基衬底1上的正投影可以对应于存储单元105在硅基衬底1上的正投影，只要能够保护存储单元105即可。可选地，屏蔽层107可以为金属层结构。通过在在存储单元105上形成屏蔽层107可以对存储单元105进行保护，从而进一步保护存储单元105中存储的Trimming Code，以确保实现驱动电路中各MOS管驱动特性的均一性，进而确保实现显示亮度的均一性，提高硅基OLED显示基板的显示效果。
需要说明的是，图7至图10中虽未具体示出在驱动电路上形成器件层2的步骤，但可以理解，该步骤后，再在驱动电路上形成图1中所示的显示基板。
本发明针对目前现有的问题，制定一种硅基OLED的显示基板及其制作方法、以及显示装置，通过在硅基OLED的显示基板中设置存储有驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，实现对驱动电路中各MOS管进行电压补偿，从而实现了各MOS管驱动特性的均一性，进而实现了显示亮度的均一性，提高了硅基OLED显示基板的显示效果；此外，通过合理设置该存储单元在驱动电路层中的位置布局，进一步保证OLED显示模组的尺寸小型化要求，具有广泛的应用前景。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种硅基OLED的显示基板，包括硅基衬底和设置在所述硅基衬底上的器件层，其特征在于，所述硅基衬底包括设置在其上的驱动电路层，所述驱动电路层包括驱动电路、电连接绑定区和存储有所述驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元；
所述驱动电路在所述硅基衬底上的正投影、所述存储单元在所述硅基衬底上的正投影和所述电连接绑定区在所述硅基衬底上的正投影互不重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述存储单元位于所述电连接绑定区靠近所述驱动电路的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层在所述硅基衬底上的正投影为长方形，包括长边和短边；
所述电连接绑定区位于所述硅基衬底的短边侧，所述存储单元距离所述长边边缘的距离大于预设的切割阈值；
或者
所述电连接绑定区位于所述硅基衬底的长边侧，所述存储单元距离所述短边边缘的距离大于预设的切割阈值。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述器件层在远离所述硅基衬底的方向上包括依次层叠设置的阳极、有机发光层、阴极、第一封装层和彩膜层。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述器件层还包括位于所述彩膜层远离所述第一封装层一侧的第二封装层。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述存储单元靠近所述器件层一侧的屏蔽层，所述屏蔽层在所述硅基衬底上的正投影覆盖所述存储单元在所述硅基衬底上的正投影。
7.一种硅基OLED的显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的显示基板。
8.一种制作权利要求1-6中任一项所述的显示基板的方法，其特征在于，包括：
在硅基衬底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括驱动电路、电连接绑定区和存储有所述驱动电路的各MOS管的补偿电压的存储单元，所述驱动电路在所述硅基衬底上的正投影、所述存储单元在所述硅基衬底上的正投影和所述电连接绑定区在所述硅基衬底上的正投影互不重叠；
在所述驱动电路上形成器件层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在硅基衬底上形成驱动电路层进一步包括：
在所述硅基衬底上形成驱动电路；
在所述硅基衬底上形成存储单元；
在所述硅基衬底上形成与所述驱动电路的输出信号线电连接的电连接绑定区。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述硅基衬底上形成存储单元之后，所述方法还包括：
在所述存储单元上形成屏蔽层，所述屏蔽层在所述硅基衬底上的正投影覆盖所述存储单元在所述硅基衬底上的正投影。
CN202011000611.8A 2020-09-22 2020-09-22 一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置 Active CN112117391B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011000611.8A CN112117391B (zh) 2020-09-22 2020-09-22 一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置
US17/213,532 US11765933B2 (en) 2020-09-22 2021-03-26 Silicon-based OLED display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011000611.8A CN112117391B (zh) 2020-09-22 2020-09-22 一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112117391A CN112117391A (zh) 2020-12-22
CN112117391B true CN112117391B (zh) 2023-05-30

Family

ID=73801474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011000611.8A Active CN112117391B (zh) 2020-09-22 2020-09-22 一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11765933B2 (zh)
CN (1) CN112117391B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113964166B (zh) * 2021-10-26 2024-04-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108597444A (zh) * 2018-04-19 2018-09-28 东南大学 一种硅基oled像素电路及其补偿oled电学特性变化的方法
CN111367365A (zh) * 2020-04-30 2020-07-03 厦门天马微电子有限公司 显示模组

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8120289B2 (en) * 2006-12-06 2012-02-21 Nxp B.V. Optical electrical system in package for LED based lighting system
US20120043999A1 (en) * 2008-07-01 2012-02-23 Quevy Emmanuel P Mems stabilized oscillator
CN105742312B (zh) * 2014-12-31 2019-02-12 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US11600234B2 (en) * 2015-10-15 2023-03-07 Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. Display substrate and driving method thereof
CN108155208B (zh) * 2016-12-06 2020-09-01 郑百乔 显示设备
CN110416437B (zh) * 2018-07-25 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
US10921855B1 (en) * 2019-08-29 2021-02-16 Synaptics Incorporated Interposer for a display driver integrated circuit chip
KR20210054323A (ko) * 2019-11-05 2021-05-13 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
KR102706520B1 (ko) * 2019-11-21 2024-09-11 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
KR20210069830A (ko) * 2019-12-04 2021-06-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
CN111276632B (zh) * 2020-02-19 2021-03-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN113826232B (zh) * 2020-03-31 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20220006689A (ko) * 2020-07-08 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
US11877503B2 (en) * 2020-08-06 2024-01-16 Lg Display Co., Ltd. Mother substrate and display panel having substrate with opening, and method of manufacturing the display panel

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108597444A (zh) * 2018-04-19 2018-09-28 东南大学 一种硅基oled像素电路及其补偿oled电学特性变化的方法
CN111367365A (zh) * 2020-04-30 2020-07-03 厦门天马微电子有限公司 显示模组

Also Published As

Publication number Publication date
US20220093696A1 (en) 2022-03-24
US11765933B2 (en) 2023-09-19
CN112117391A (zh) 2020-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10811475B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device
CN104425556B (zh) 发光装置、发光装置的制造方法以及电子设备
US10580843B2 (en) Substrate and fabrication method thereof, and display device
CN102969457B (zh) 有机el显示器、有机el显示器制造方法以及电子装置
US12029065B2 (en) Display device and manufacturing method thereof and driving substrate
US11081680B2 (en) Pixel structure, method for forming the same, and display screen
WO2020233284A1 (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US20210193954A1 (en) Display device and manufacturing method of same
CN112714955B (zh) 显示基板、显示面板及显示基板的制备方法
US20210134900A1 (en) Light emitting substrate and manufacturing method thereof, electronic device
JP2010272447A (ja) 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、および電子機器
CN116156957A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20110015757A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
CN112117391B (zh) 一种硅基oled的显示基板及其制作方法和显示装置
TWI489625B (zh) 有機發光顯示面板及其製作方法
CN110137233A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2021179419A1 (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US12232400B2 (en) Display panel and method for manufacturing the same, and display device
CN222465227U (zh) 显示面板、显示装置和掩膜版
KR20070066257A (ko) 유기 ｅｌ 디스플레이
KR100740134B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
US20240172486A1 (en) Organic light-emitting display device
CN106952989A (zh) 发光二极管、显示基板和显示装置
KR20050048705A (ko) 상부 전극 버스 라인을 구비하는 유기 전계 발광 소자
CN115249778A (zh) 显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant