CN112002791B - Micro-LED芯片及其制作方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供Micro‑LED芯片及其制作方法，以及包括该Micro‑LED芯片显示面板及显示终端。该Micro‑LED芯片包括外延层、N电极、P电极及连接电极。连接电极凸起于P电极背离外延层的一面，连接电极的表面能与P电极的表面能大小不同。制作显示面板时，驱动电路与连接电极进行连接，由于本申请的连接电极的表面能与P电极的表面能不同，因而将Micro‑LED芯片从衬底上剥离时，用于固定Micro‑LED芯片及衬底的透明胶材在连接电极上不残留或者残留于透明胶材的量少于在P电极上残留的量，能够保证在不损坏Micro‑LED芯片的前提下，保证Micro‑LED芯片与驱动电路的有效连接。

Description

Micro-LED芯片及其制作方法、显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片及其制作方法、显示面板及显示终端。

背景技术

微型发光二极管(micro-light emitting diode，Micro-LED)是指尺寸小于100μm的LED，由Micro-LED组成的高密度显示器件具有高亮度、高对比度和高分辨率等优点，已经成为显示领域的焦点之一。

在制作Micro-LED芯片的过程中，需要通过透明胶材将Micro-LED芯片固定在衬底上，以通过衬底支撑Micro-LED芯片。在Micro-LED芯片的转印至衬底基板上以形成显示面板的过程中，需要将Micro-LED芯片从衬底上剥离，再放置到衬底基板上，并与衬底基板上的驱动电路进行电连接，以通过驱动电路驱动Micro-LED芯片的发光。具体的，Micro-LED芯片包括相对设置的P电极及N电极，驱动电路分别与P电极及N电极进行连接，以驱动Micro-LED芯片发光。但是，在Micro-LED芯片从基板上剥离时，常会有部分的透明胶层材残留在Micro-LED芯片的N电极或者P电极上，使得Micro-LED芯片与驱动电路进行电连接时，残留在Micro-LED芯片的N电极或者P电极上的透明胶材影响驱动电路与Micro-LED芯片的N电极或者P电极的电连接效果。

发明内容

本申请提供一种Micro-LED芯片及其制作方法，以及包括该Micro-LED芯片显示面板及包括该显示面板的显示终端。本申请中，Micro-LED芯片转印至衬底基板上时不会受透明胶层的影响，能够与衬底基板上的驱动电路有良好的电连接效果。

第一方面，本申请提供一种Micro-LED芯片，该Micro-LED芯片包括外延层、N电极、P电极及连接电极；所述外延层包括相对的第一表面及第二表面，所述N电极层叠于所述第一表面，所述P电极层叠于所述第二表面；所述连接电极凸起于所述P电极背离所述外延层的一面，且所述连接电极与所述P电极电连接，所述连接电极部分覆盖所述P电极，所述连接电极的表面能与所述P电极的表面能大小不同。

本申请实施方式中，在P电极上设置连接电极，制作显示面板时，显示面板的驱动电路与连接电极进行连接，即驱动电路通过连接电极与P电极进行电连接，驱动芯片产生的信号电流从连接电极流入P电极内，相较于一般的直接将驱动电路与P电极进行连接的方式来说，由于本申请实施方式的连接电极的表面能与P电极的表面能不同，从而使得在制作显示面板的过程中转印Micro-LED芯片，将Micro-LED芯片从衬底上剥离时，用于固定Micro-LED芯片及衬底的透明胶材在连接电极上不残留或者残留于透明胶材的量少于在P电极上残留的量，能够保证在不损坏Micro-LED芯片的前提下，保证Micro-LED芯片与驱动电路的有效连接，提高包括该Micro-LED芯片的显示面板的显示质量。

一些实施方式中，所述连接电极的中心位于所述Micro-LED芯片的中心轴上，能够使得从连接电极的各个位置传输至外延层的中间位置的电流密度更加的均匀，不会存在外延层的某个局部位置被连接电极遮挡而产生的局部电流密度较弱而产生的出光不均的问题，保证Micro-LED芯片出射光线尽量的均匀，实现较好的出光效果。

一些实施方式中，所述连接电极为环绕所述P电极的边缘设置的环形结构。由于在制作Micro-LED芯片的过程中，Micro-LED芯片的边缘不可避免的会有一定的损伤，从而会产生一定的侧壁效应，即在Micro-LED芯片的边缘会有轻微的漏电，因而电流在Micro-LED芯片中间位置的密度相较于边缘位置的密度会更高，从而使得从Micro-LED芯片发出的光线在Micro-LED芯片的中间位置相较于边缘位置的亮度会更高。并且，本申请实施方式中，通过将连接电极环绕设置于Micro-LED芯片的边缘，能够减小连接电极会Micro-LED芯片发出光量的遮挡，从而减小对Micro-LED芯片的发光效率的影响。并且，由于连接电极环绕设置于Micro-LED芯片的边缘，驱动电路与连接电极连接时，连接驱动电路与连接电极的走线会尽量少的遮挡从Micro-LED芯片从P电极一侧的出光，从而进一步减小对Micro-LED芯片的发光效率的影响，保证Micro-LED芯片具有较高的出光效率。

一些实施方式中，所述Micro-LED芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述P电极与所述外延层之间，所述电流阻挡层上设有开孔，所述P电极通过所述开孔连接至所述外延层。由于电流阻挡层具有电流阻挡作用，因而从连接电极导入的信号电流会经P电极经过开孔传输至外延层内，使得外延层内的信号电流大部分集中在与开孔相对的部分，少部分位于开孔的周缘相对位置，从而使得Micro-LED芯片发出的光能够大部分集中在开孔相对的位置出射，少部分从开孔周缘相对的位置出射，从而能够实现Micro-LED芯片发出的光线的聚集，提高Micro-LED芯片发出的光线亮度。

一些实施方式中，所述开孔的中心位于所述Micro-LED芯片的中心轴上，此时，电流阻挡层的开孔位置位于电流阻挡层的中间位置。由于电流阻挡层具有电流阻挡作用，因而，从连接电极导入的信号电流会经P电极经过开孔传输至外延层内，使得外延层内的信号电流大部分集中在与开孔相对的部分，少部分位于开孔的周缘相对位置，从而使得Micro-LED芯片发出的光能够大部分集中在开孔相对的位置出射，少部分从开孔周缘相对的位置出射，从而能够实现Micro-LED芯片发出的光线的聚集，提高Micro-LED芯片发出的光线亮度。并且，由于开孔的中心位于所述Micro-LED芯片的中心轴上，即开孔位于电流阻挡层的中间位置，因而外延层内电流较高的位置位于外延层的中间位置，从而避免电流由于Micro-LED芯片的侧壁效应而漏电，从而提高Micro-LED芯片的光电转化效率，使得Micro-LED芯片的出光效率更高。

一些实施方式中，所述连接电极在所述电流阻挡层上的投影围绕所述开孔设置。由于Micro-LED芯片发出的光能够大部分集中在开孔相对的位置出射，少部分从开孔周缘相对的位置出射，通过将连接电极在所述电流阻挡层上的投影围绕所述开孔设置，能够进一步减少连接电极对Micro-LED芯片发出的光线的遮挡。

一些实施方式中，所述P电极为透明ITO电极，所述连接电极为金属电极。

一些实施方式中，所述N电极为金属电极，所述N电极朝向所述外延层的一面为反射面，所述反射面用于反射光线，从而使得Micro-LED芯片发出的光传输至N电极上时能够反射并从P电极的一侧射出，从而避免光线从N电极的一侧漏光，提高Micro-LED芯片的光线利用率。

一些实施方式中，所述外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、量子阱层及P型半导体层，所述N型半导体层背离所述量子阱层的一面为所述第一表面，所述P型半导体层背离所述量子阱层的一面为所述第二表面。

一些实施方式中，所述Micro-LED芯片包括周面，所述周面连接于所述N电极背离所述P电极的表面与所述P电极背离所述N电极的表面之间；所述Micro-LED芯片还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述周面。绝缘层覆盖Micro-LED芯片的所述周面，能够起到保护Micro-LED芯片的作用，避免Micro-LED芯片的外延层、N电极及P电极受到外界的腐蚀、撞击等而损坏。并且，绝缘层覆盖Micro-LED芯片的所述周面，能够避免Micro-LED芯片中的电流经外延层的侧壁及P电极或者N电极的侧壁漏出，从而提高Micro-LED芯片的出光效率。并且，当多个Micro-LED芯片阵列设置时，绝缘层能够将各个Micro-LED芯片隔离开来，避免相邻的Micro-LED芯片的电流相互干扰而影响各自发光。

第二方面，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括衬底基板、驱动芯片、驱动电路及上述的Micro-LED芯片，所述Micro-LED芯片为多个，多个所述Micro-LED芯片阵列设置于所述衬底基板上，所述驱动电路连接所述驱动芯片，并连接所述Micro-LED芯片的所述N电极及所述连接电极，以通过所述驱动电路连接所述Micro-LED芯片与所述驱动芯片，所述驱动芯片用于控制阵列设置的多个所述Micro-LED芯片发光。本申请实施方式中，由于Micro-LED芯片能与驱动电路的有效连接，从而能够提高显示面板的显示质量。

第三方面，本申请还提供一种显示终端，该显示终端包括外壳及上述的显示面板，所述显示面板固定于所述外壳上。由于显示面板能够具有较好的的显示质量，因而显示终端也能够实现较好的显示效果。

第四方面，本申请还提供一种Micro-LED芯片的制作方法，包括步骤：

提供外延片，所述外延片包括第一衬底以及层叠于所述第一衬底上的外延层；

在所述外延层背离所述第一衬底的一面层叠P电极层；

在所述P电极层背离所述外延层的表面形成多个阵列设置的连接电极，多个阵列设置的所述连接电极部分覆盖所述P电极层；

在所述连接电极背离所述P电极层的一侧层叠第二衬底，并通过透明胶层将所述第二衬底与所述连接电极及未被连接电极覆盖的所述P电极层粘接在一起；

剥离所述第一衬底；

在所述外延层背离所述第二衬底的一面形成多个阵列设置的N电极，相邻的两个所述N电极之间的区域为切割沟道区，每个所述N电极在所述连接电极层的正投影覆盖一个所述连接电极；

沿所述切割沟道区切割所述外延层及所述P电极层以得到多个阵列设置的Micro-LED芯片，其中，切割所述P电极层形成多个阵列设置的P电极，每个所述P电极与一个所述N电极相对。

通过本申请的Micro-LED芯片的制作方法，在P电极上设置连接电极，能够保证在不损坏Micro-LED芯片的前提下，保证Micro-LED芯片与驱动电路的有效连接。

一些实施方式中，在步骤“所述外延层背离所述第一衬底的一面层叠P电极层”之前还包括步骤：

在所述外延层背离所述第一衬底的一面形成电流阻挡层，所述P电极层位于所述电流阻挡层背离所述外延层的一面，所述电流阻挡层上设有阵列设置的多个开孔，每个所述开孔在所述N电极层的投影位于一个所述N电极内。

通过本申请的Micro-LED芯片的制作方法，在Micro-LED芯片中设置电流阻挡层，并在电流阻挡层上设置开孔。由于电流阻挡层具有电流阻挡作用，因而从连接电极导入的信号电流会经P电极经过开孔传输至外延层内，使得外延层内的信号电流大部分集中在与开孔相对的部分，少部分位于开孔的周缘相对位置，从而使得Micro-LED芯片发出的光能够大部分集中在开孔相对的位置出射，少部分从开孔周缘相对的位置出射，从而能够实现Micro-LED芯片发出的光线的聚集，提高Micro-LED芯片发出的光线亮度。

一些实施方式中，在步骤“沿所述切割沟道区切割所述外延层及所述P电极层从而得到多个阵列设置的Micro-LED芯片”之后还包括步骤：

在每个所述Micro-LED芯片的周面上覆盖绝缘层。

通过本申请的Micro-LED芯片的制作方法，在Micro-LED芯片中设置绝缘层，绝缘层覆盖Micro-LED芯片的所述周面，能够起到保护Micro-LED芯片的作用，避免Micro-LED芯片的外延层、N电极及P电极受到外界的腐蚀、撞击等而损坏。并且，绝缘层覆盖Micro-LED芯片的所述周面，能够避免Micro-LED芯片中的电流经外延层的侧壁及P电极或者N电极的侧壁漏出，从而提高Micro-LED芯片的出光效率。并且，当多个Micro-LED芯片阵列设置时，绝缘层能够将各个Micro-LED芯片隔离开来，避免相邻的Micro-LED芯片的电流相互干扰而影响各自发光。

附图说明

图1为本申请一种实施方式的显示终端的结构示意图。

图2为本申请一种实施方式的显示面板的截面示意图。

图2a为本申请的其它一些实施方式的显示面板100的截面示意图。

图3为图2所示的实施方式的显示面板的部分结构示意图。

图4为本申请一种实施方式的Micro-LED芯片的结构示意图。

图5为本申请一种实施方式的图4中A方向的视图。

图6为图5所示的Micro-LED芯片出射的各个方向的光强示意图。

图7为本申请的其它实施方式的Micro-LED芯片出射的各个方向的光强示意图。

图8为本申请的另一种实施方式的Micro-LED芯片的截面结构示意图。

图9为图8所示的Micro-LED芯片的A方向的视图。

图10为图8所示的Micro-LED芯片出射的各个方向的光强示意图。

图11为图8所示实施方式的Micro-LED芯片的制作方法流程图。

图12-图23为图11所示流程图中各步骤中Micro-LED芯片的截面示意图。

具体实施方式

下面结合本申请实施方式中的附图对本申请的实施方式进行具体描述。

本申请提供一种显示终端，该显示终端可以为手机、平板、智能手表、电视、行车仪等能够用于画面显示的显示结构。请参阅图1，图1所示为本申请一种实施方式的显示终端1000的结构示意图。本实施方式中，显示终端1000为智能手表。本申请以显示终端1000为智能手表对本申请的技术方案进行具体描述。本申请实施方式中，显示终端1000包括显示面板100及外壳200，其中，显示面板1000固定于外壳200上。显示面板100能够用于进行画面显示。

请参阅图2及图3，图2所示为本申请一种实施方式的显示面板100的截面示意图，图3为图2所示的实施方式的显示面板的部分结构示意图。本申请实施方式中，显示面板100为Micro-LED显示面板。显示面板100包括衬底基板101、驱动芯片102、驱动电路103及Micro-LED芯片104。驱动芯片102、驱动电路103及Micro-LED芯片104均形成于衬底基板101上。驱动芯片102与Micro-LED芯片104通过驱动电路103电连接，以通过驱动芯片102驱动Micro-LED芯片104进行发光。本申请实施方式中，显示面板100包括的Micro-LED芯片104为多个，多个Micro-LED芯片104阵列设置。Micro-LED芯片104可以根据实际需要发出不同颜色的光。本实施方式中，显示面板100上多个阵列设置的Micro-LED芯片104中包括数个红色Micro-LED芯片、数个绿色Micro-LED芯片及数个蓝色Micro-LED芯片。其中，红色Micro-LED芯片能够发出红色光，绿色Micro-LED芯片能够发出绿色光，蓝色Micro-LED芯片能够发出蓝色光。可以理解的是，本申请的其它一些实施方式中，多个阵列设置的Micro-LED芯片104中还可以包括有数个白色Micro-LED芯片，白色Micro-LED芯片能够发出白色光。通过驱动芯片102控制发出不同颜色的光的Micro-LED芯片104的发光亮度变化以实现彩色画面的显示。

本申请实施方式中，显示面板100包括多个阵列设置的像素单元100A，每个像素单元100A内均包括有一个红色Micro-LED芯片、一个绿色Micro-LED芯片及一个蓝色Micro-LED芯片。通过驱动芯片102驱动每个像素单元100A内对应颜色的Micro-LED芯片104发光，从而使得显示面板100显示出彩色画面。可以理解的是，本申请的一些实施方式中，每个像素单元100A内还可以包括白色Micro-LED芯片，以增加显示面板100的亮度。

一些实施方式中，显示面板100包括的驱动芯片102的数量也为多个，每个驱动芯片102与一个或者多个像素单元100A内的Micro-LED芯片104进行连接，以通过该驱动芯片102控制与其连接的Micro-LED芯片104的发光与否及发光亮度，从而控制显示面板100进行彩色画面显示。图3所示实施方式中，每个驱动芯片102与一个像素单元100A内的三个Micro-LED芯片104进行连接，以通过该驱动芯片102控制与该像素单元100A内的三个Micro-LED芯片104的发光及发光亮度。本实施方式中，一个像素单元100A内的三个Micro-LED芯片104分别为红色Micro-LED芯片、绿色Micro-LED芯片及蓝色Micro-LED芯片。本实施方式中，驱动芯片102包括有多个引脚1021，像素单元100A内的三个Micro-LED芯片104分别连接至驱动芯片102的不同引脚1021。驱动芯片102的不同引脚传输不同的信号，以控制与对应引脚1021连接的Micro-LED芯片104的发光与否与发光亮度的大小。

请参阅图2a，图2a所示为本申请的其它一些实施方式的显示面板100的截面示意图。本申请的其它一些实施方式中，驱动电路103包括多个阵列设置的CMOS晶体管1031，每个CMOS晶体管1031均与一个Micro-LED芯片104电连接，驱动芯片102与CMOS晶体管1031电连接，以通过与Micro-LED芯片104连接的CMOS晶体管1031控制Micro-LED芯片104的发光与否及发光亮度的大小。

需要说明的是，本申请的显示面板100还可以包括平坦化树脂层等结构，在此不进行具体限定。

请参阅图2及图4，图4所示为本申请一种实施方式的Micro-LED芯片104的结构示意图。本申请实施方式中，Micro-LED芯片104为垂直结构的Micro-LED芯片。垂直结构的Micro-LED芯片具有散热好、发光强度高且具备更小的体积的特性，更适用于制作高密度显示器件。Micro-LED芯片104包括外延层10、N电极20及P电极30。所述外延层10包括相对的第一表面10a及第二表面10b，所述N电极20层叠于所述第一表面10a，所述P电极30层叠于所述第二表面10b。本申请实施方式中，将Micro-LED芯片104设置于衬底基板101上时，驱动芯片102通过驱动电路103分别与Micro-LED芯片104的P电极30及N电极20电连接，从而实现驱动芯片102对Micro-LED芯片104的发光与否及发光亮度的控制。需要说明的是，本申请中，与Micro-LED芯片104的P电极30或N电极20电连接可以直接与Micro-LED芯片104的P电极30或N电极20电连接，也可以通过其它结构与Micro-LED芯片104的P电极30或N电极20实现电连接。本申请实施方式中，驱动芯片102通过驱动电路103与Micro-LED芯片104电连接时，驱动芯片102产生的信号电流从Micro-LED芯片104的P电极30经外延层10向N电极20方向流动，再从N电极20回流至驱动芯片102，从而实现驱动芯片102对Micro-LED芯片104的控制。

请参阅图4，本申请实施方式中，外延层10包括依次层叠设置的N型半导体层11、量子阱层12及P型半导体层13，即量子阱层12位于N型半导体层11与P型半导体层13之间。本实施方式中，N电极20位于N型半导体层11背离量子阱层12的一面，即所述N型半导体层11背离所述量子阱层12的一面为外延层10的第一表面10a；P电极30位于P型半导体层13背离量子阱层12的一面，即所述P型半导体层13背离所述量子阱层12的一面为外延层10的第二表面10b。

N型半导体层11及P型半导体13均为在半导体材料中掺杂离子形成。本申请实施方式中，组成N型半导体层11及P型半导体13的半导体材料可以包括但不限于氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC),铝氮化镓(AlGaN)或磷化铝镓铟(AlGaInP)等半导体材料中的任一种。本申请实施方式中，N型半导体层11中存在多余的电子，P型半导体层13中存在多余的电子空穴，在电流的作用下，N型半导体层11中多余的电子及P型半导体层13中多余的电子空穴均能够向量子阱层12移动，且N型半导体层11中多余的电子及P型半导体层13中多余的电子空穴在量子阱层12内进行复合产生光子发光，从而实现Micro-LED芯片104的发光。

本申请实施方式中，通过改变组成N型半导体层11及P型半导体13的半导体材料或者半导体材料内掺杂的离子的种类，能够使得N型半导体层11中多余的电子及P型半导体层13中多余的电子空穴复合时产生的光子的波长不同，从而产生不同颜色的光。例如，本申请一些实施方式中，显示面板100中多个Micro-LED芯片104中部分Micro-LED芯片104能够发出红光、部分Micro-LED芯片104能够发出绿光、部分Micro-LED芯片104能够发出蓝光。组成发出红光的Micro-LED芯片104的半导体材料为磷化镓(GaP)半导体材料,组成发出绿光及蓝光的Micro-LED芯片104的半导体材料为为氮化镓(GaN)半导体材料。

具体的，本申请实施方式中，P电极30为透明电极层，Micro-LED芯片104发出的光能够从P电极30的一侧出射。具体的，P电极30可以为氧化铟锡(ndiumtin oxide，ITO)、掺氟的氧化锡(FTO)等透明导电材料形成。N电极20可以为金属材料形成的电极层。具体的，N电极20可以为镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铂(Pt)、铬(Cr)等金属中的一种金属材料或几种金属材料层叠形成，或者也可通过几种不同的金属形成的合金材料制成。本申请一些实施方式中，N电极20形成于外延层10的第一表面10a上时，N电极20与第一表面10a贴合的一面能够反射光线，即N电极20朝向外延层10的一面为反射面，从而使得Micro-LED芯片104发出的光传输至N电极20上时能够反射并从P电极30的一侧射出，从而避免光线从N电极20的一侧漏光，提高Micro-LED芯片104的光线利用率。

本申请实施方式中，Micro-LED芯片104还包括连接电极40，连接电极40位于所述P电极30背离所述外延层10的一面。本申请实施方式中，连接电极40部分覆盖所述P电极30，即连接电极40只能够部分覆盖P电极30，从而避免连接电极40对从P电极30一侧光线出射的影响。并且，本申请实施方式中，所述连接电极40凸起于所述P电极30并与所述P电极30电连接。本申请实施方式中，驱动电路103通过连接电极40与P电极30电连接，即驱动电路103连接至连接电极40，而连接电极20又与P电极30连接，即实现驱动电路103通过连接电极40与P电极30电连接。本申请实施方式中，所述连接电极40的表面能与所述P电极30的表面能大小不同，从而使得透明胶材(如硬化胶)相较于P电极30来说，更不容易在连接电极40上残留。换句话说，在Micro-LED芯片104转印至衬底基板101上以形成显示面板100的过程中，将粘附于连接电极40及未被连接电极40覆盖的P电极30的表面的透明胶材剥离时，透明胶材在连接电极40上的残留量小于在P电极30上的残留量，或者，透明胶材在连接电极40上不会有残留。本申请实施方式中，由于透明胶材在连接电极40上的残留量小于在P电极30上的残留量，或者透明胶材在连接电极40上不会残留。当转印Micro-LED芯片104时需要将透明胶材从Micro-LED芯片104上剥离下来时，透明胶材会在P电极30未被连接电极40覆盖的位置残留，但不会在连接电极40上残留或者在连接电极40上少量残留。当连接电极40上没有透明胶材残留时，驱动电路103的连接引线能够有效的连接至连接电极40上，使得驱动芯片102产生的信号电流能够经驱动电路103有效的引入至Micro-LED芯片104中。当透明胶材在连接电极40上及P电极30上的均有残留时，也可以通过等离子去胶技术，强力轰击去除连接电极40上的残留透明胶材。由于透明胶材在连接电极40上的残留量小于在P电极30上的残留量，通过等离子去胶技术去除连接电极40上的透明胶材时，P电极30上未被连接电极40覆盖的位置仍然有透明胶材残留，因而等离子去胶过程中不会损坏P电极30，更不会损坏外延层10，从而保证Micro-LED芯片104不会受到损伤。

本申请实施方式中，通过在P电极30上设置连接电极40，驱动电路103与连接电极40进行连接，即驱动电路103通过连接电极40与P电极30进行电连接，驱动芯片102产生的信号电流从连接电极40流入P电极30内，相较于一般的直接将驱动电路103与P电极30进行连接的方式来说，由于本申请实施方式的连接电极40的表面能与P电极30的表面能不同，从而使得透明胶材在连接电极40上不残留或者残留于透明胶材的量少于在P电极30上残留的量，能够保证在不损坏Micro-LED芯片104的前提下，保证Micro-LED芯片104与驱动电路103的有效连接，提高显示面板100的显示质量。

本申请一些实施方式中，连接电极40为形成于P电极30背离外延层10一面的环形结构。环形的连接电极40包括相对的内环面40a及外环面40b。环形的连接电极40的粗细在制作工艺允许的范围内尽量的细，即连接电极40的内环面40a与外环面40b之间的距离b尽量的小，以尽量减少连接电极40对从P电极30一侧的出光的遮挡。具体的，本申请一实施方式中，金属环的内环面与外环面之间的距离b约为2um。可以理解的是，本申请的其它实施方式中，连接电极40也可以为块状结构。

本申请实施方式中，连接电极40可以为镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铂(Pt)、铬(Cr)等金属中的一种或者几种形成的合金材料制成。一些实施方式中，连接电极40的形成材料可以与N电极20的形成材料相同，从而实现较好的连接效果的同时，不需要额外的增加制程中使用的材料，减少Micro-LED芯片104的制作成本。

请参阅图4及图5，图5所示为本申请一种实施方式的图4中A方向的视图。一些实施方式中，连接电极40环绕设置于Micro-LED芯片104的边缘。由于在制作Micro-LED芯片104的过程中，Micro-LED芯片104的边缘不可避免的会有一定的损伤，从而会产生一定的侧壁效应，即在Micro-LED芯片104的边缘会有轻微的漏电，因而电流在Micro-LED芯片104中间位置的密度相较于边缘位置的密度会更高，从而使得从Micro-LED芯片104发出的光线在Micro-LED芯片104的中间位置相较于边缘位置的亮度会更高。并且，本申请实施方式中，通过将连接电极40环绕设置于Micro-LED芯片104的边缘，能够减小连接电极40会Micro-LED芯片104发出光量的遮挡，从而减小对Micro-LED芯片104的发光效率的影响。并且，由于连接电极40环绕设置于Micro-LED芯片104的边缘，驱动电路103与连接电极40连接时，连接驱动电路103与连接电极40的走线会尽量少的遮挡从Micro-LED芯片104从P电极30一侧的出光，从而进一步减小对Micro-LED芯片104的发光效率的影响，保证Micro-LED芯片104具有较高的出光效率。

本申请的一些实施方式中，所述连接电极40的中心位于所述Micro-LED芯片104的中心轴a上。需要说明的是，本申请所说的连接电极40的中心位于所述Micro-LED芯片104的中心轴a上可以连接电极40的中心完全位于所述Micro-LED芯片104的中心轴a上，也可以为长方形的Micro-LED芯片104的中心略微的偏离Micro-LED芯片104的中心轴a。本申请实施方式中，环形结构的连接电极40环绕形成的结构可以为四边形、圆形、三角形、五边形等各种类型的结构。

本申请实施方式中，通过将连接电极40的中心位于所述Micro-LED芯片104的中心轴a上，能够使得从连接电极40的各个位置传输至外延层10的中间位置的电流密度更加的均匀，不会存在外延层10的某个局部位置被连接电极40遮挡而产生的局部电流密度较弱而产生的出光不均的问题，保证Micro-LED芯片104出射光线尽量的均匀，实现较好的出光效果。例如，请参阅图6及图7，图6所示为图5所示的Micro-LED芯片104出射的各个方向的光强示意图。从图中可以看出，本实施方式中的Micro-LED芯片104具有较为均匀且对称的出光效果，不会有局部位置光线明显更强或明显更弱的区域。图7所示为本申请的其它实施方式的Micro-LED芯片104出射的各个方向的光强示意图。图7所示实施方式中，Micro-LED芯片104的连接电极40位于所述P电极30的边缘位置，从而使得在Micro-LED芯片104的-90°的位置与90°的位置有较大的区别，即Micro-LED芯片104的发光偏向-90°一侧的位置，使得Micro-LED芯片104的出光效果较差。

一些实施方式中，环形结构的连接电极40环绕形成的结构为对称式结构，能够使得从连接电极40的各个位置传输至外延层10的中间位置的电流密度更加的均匀，实现较好的出光效果。本实施方式中，Micro-LED芯片104围绕形成的区域为长方体，环绕Micro-LED芯片104的边缘设置的连接电极40为长方形。Micro-LED芯片104的中心轴a为经过Micro-LED芯片104的中心且垂直于外延层10的轴线。长方形的Micro-LED芯片104的中心位于Micro-LED芯片104的中心轴a上。

需要说明的是，一些实施方式中，Micro-LED芯片140的P电极13未被连接电极40覆盖的区域还覆盖有透明胶残余层50，透明胶残余层50为在Micro-LED芯片140的制作过程中残留在Micro-LED芯片140上透明胶材形成。

一些实施方式中，所述Micro-LED芯片140包括周面10c，周面10c为Micro-LED芯片140连接于所述N电极20背离所述P电极30的表面与所述P电极30背离所述N电极20的表面之间的面，周面10c包括外延层10的侧壁、P电极30及N电极20的侧壁。所述Micro-LED芯片104还包括绝缘层60，所述绝缘层60覆盖所述周面10c。本申请的Micro-LED芯片104还包括绝缘层60，绝缘层60覆盖于Micro-LED芯片104的周面10c上。本申请中，绝缘层60为绝缘材料形成。绝缘层60覆盖Micro-LED芯片104的所述周面10c，能够起到保护Micro-LED芯片104的作用，避免Micro-LED芯片104的外延层10、N电极20及P电极30受到外界的腐蚀、撞击等而损坏。并且，绝缘层60覆盖Micro-LED芯片104的所述周面10c，能够避免Micro-LED芯片104中的电流经外延层10的侧壁及P电极30或者N电极20的侧壁漏出，从而提高Micro-LED芯片104的出光效率。并且，当多个Micro-LED芯片104阵列设置时，绝缘层60能够将各个Micro-LED芯片104隔离开来，避免相邻的Micro-LED芯片104的电流相互干扰而影响各自发光。

请参阅图8及图9，图8所示为本申请的另一种实施方式的Micro-LED芯片104的截面结构示意图，图9为图8所示的Micro-LED芯片104的A方向的视图。图8所示实施方式的Micro-LED芯片104与图4所示实施方式的Micro-LED芯片104的差别在于：本实施方式中，Micro-LED芯片104还包括电流阻挡层70，电流阻挡层70设置于P电极30与所述外延层10之间。其中，电流阻挡层70可以为二氧化硅、氮化硅、透明树脂层等透明电流阻挡层，也可以为非透明的电流阻挡层。电流阻挡层70用于将P电极30与外延层10隔开。本实施方式中，电流阻挡层70上设有开孔71，所述P电极30通过所述开孔71连接至所述外延层10。本实施方式中，通过设置电流阻挡层70，并在电流阻挡层70上设置开孔71。由于电流阻挡层70具有电流阻挡作用，因而，从连接电极40导入的信号电流会经P电极30经过开孔71传输至外延层10内，使得外延层10内的信号电流大部分集中在与开孔71相对的部分，少部分位于开孔71的周缘相对位置，从而使得Micro-LED芯片104发出的光能够大部分集中在开孔71相对的位置出射，少部分从开孔71周缘相对的位置出射，从而能够实现Micro-LED芯片104发出的光线的聚集，提高Micro-LED芯片104发出的光线亮度。请参阅图8中的箭头方向及图10，图8中所示的箭头方向为图8所示实施方式的Micro-LED芯片104中的电流的传输方向，图10所示为图8所示的Micro-LED芯片104出射的各个方向的光强示意图。本实施方式中，驱动电路103传输的电流经连接电极40传输至P电极30，再在P电极30上进行一定距离的传输后传输至电流阻挡层70上的开孔71位置，在从开孔71位置传输至外延层10。其中，在外延层10内传输的电流主要集中于与开孔71相对的位置及开孔71的周缘相对的位置。从图10中可以看出，图8所示实施方式的Micro-LED芯片104发出的光线的光型集中且对称，且具有较好的显示均匀性，从而使得Micro-LED芯片104发出的光线能够均匀且亮度较高，具有较好的发光效果。

本申请一些实施方式中，电流阻挡层70的开孔71位置位于电流阻挡层70的中间位置，且开孔71位于连接电极40环绕形成的区域内。电流经开孔71流入外延层10内，因而外延层10内对应于开孔71的位置的电流密度较高。由于开孔71位于电流阻挡层70的中间位置，因而外延层10内电流较高的位置位于外延层10的中间位置，从而避免电流由于Micro-LED芯片104的侧壁效应而漏电，从而提高Micro-LED芯片104的光电转化效率，使得Micro-LED芯片104的出光效率更高。本实施方式中，开孔71可以为圆形、方形等各种形状，在此不进行具体限定。开孔71的中心位于Micro-LED芯片104的中心轴a上，从而保证开孔71位于电流阻挡层70的中间位置。可以理解的是，一些实施方式中，开孔71的中心也可以略微的偏离Micro-LED芯片104的中心轴a。

本申请还包括Micro-LED芯片104的制作方法。具体的，请参阅图11及图12-图23，图11所示为图8所示实施方式的Micro-LED芯片104的制作方法流程图，图12-图23为图11所示流程图中各步骤中Micro-LED芯片104的截面示意图。本实施方式中，Micro-LED芯片104的制作方法具体包括：

步骤110：请参阅图12，提供外延片10，所述外延片10包括第一衬底80以及层叠于所述第一衬底80上的外延层10。其中，外延层10形成于第一衬底80上，第一衬底80用于支撑外延层10。本申请实施方式中，第一衬底80应为一种容易去除、能起到支撑作用、具有一定厚度的物质，材质可以是硅、蓝宝石、玻璃、陶瓷或聚合物基板。本实施方式中，第一衬底80为蓝宝石材质，具体可以是C-Plane蓝宝石衬底、图案化蓝宝石衬底或是其它形式的蓝宝石衬底。

本实施方式中，外延层10包括依次层叠设置的N型半导体层11、量子阱层12及P型半导体层13，即量子阱层12位于N型半导体层11与P型半导体层13之间。其中，N型半导体层11用于提供电子，P型半导体层13用于提供电子空穴。在电流的作用下，N型半导体层11中多余的电子及P型半导体层13中多余的电子空穴均能够向量子阱层12移动，且N型半导体层11中多余的电子及P型半导体层13中多余的电子空穴在量子阱层12内进行复合产生光子发光，从而实现Micro-LED芯片104的发光。本实施方式中，N型半导体层11背离量子阱层12的一面与第一衬底80贴合。可以理解的是，本申请的其它一些实施方式中，也可以为P型半导体层13背离量子阱层12的一面与第一衬底80贴合。

步骤120：在所述外延层10背离所述第一衬底80的一面形成电流阻挡层70，所述P电极层30a位于所述电流阻挡层70背离所述外延层10的一面，所述电流阻挡层70上设有阵列设置的多个开孔71，每个所述开孔71在所述N电极20层的投影位于一个所述N电极20内。本实施方式中，电流阻挡层70为氧化硅(SiO2)形成的透明电流阻挡层70。电流阻挡层70通过气相沉积的方式形成于P电极层30a。可以理解的是，本申请的其它一些实施方式中，电流阻挡层70也可以为氮化硅(SiN)等材料形成的透明电流阻挡层70，或者，也可以为塑料、陶瓷等形成的非透明电流阻挡层70。

具体的，一些实施方式中，步骤120包括：

步骤a：请参阅图13，在所述外延层10背离所述第一衬底80的一面形成电流阻挡材料层70a，所述P电极层30a位于所述电流阻挡材料层70a背离所述外延层10的一面。

步骤b：请参阅图14，图案化所述电流阻挡材料层70a以得到具有阵列设置的开孔71的电流阻挡层70。本实施方式中，可以通过黄光工艺对电流阻挡材料层70a进行图案化，以得到电流阻挡层70。

可以理解的是，本申请的其它实施方式中，也可以通过一些其它的方式直接在所述外延层10背离所述第一衬底80的一面形成电流阻挡层70。

需要说明的是，当形成本申请图4所示实施方式的Micro-LED芯片104时，由于图4所示实施方式的Micro-LED芯片104没有电流阻挡层70，因此，可以没有步骤120。

步骤130：请参阅图15，在所述外延层10背离所述第一衬底80的一面层叠P电极层30a。本实施方式中，外延层10背离第一衬底80的一面即为P型半导体层13背离量子阱层12的一面，P电极层30a完全覆盖P型半导体层13背离量子阱层12的一面。本实施方式中通过磁控溅射、化学沉积或者电镀等各种方式在外延层10背离所述第一衬底80的一面层叠P电极层30a，在此不进行具体限定。P电极层30a为透明导电层，能够实现导电作用的同时，避免对光线的遮挡。本实施方式中，P电极层30a为ITO导电材料形成。可以理解的是，本申请的其它实施方式中，P电极层30a还可以为FTO等透明导电材料形成。

步骤140：在所述P电极层30a背离所述外延层10的表面形成多个阵列设置的连接电极40，多个阵列设置的所述连接电极40部分覆盖所述P电极层30a。

一些实施方式中，在所述P电极层30a背离所述外延层10的表面形成多个阵列设置的连接电极40还包括：

步骤c：请参阅图16，在所述P电极层30a背离所述外延层10的表面形成连接电极40层40a。连接电极层40a完全覆盖述P电极层30a背离所述外延层10的表面。连接电极层40a的形成材料可以为镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铂(Pt)、铬(Cr)等金属中的一种金属材质制成或者通过几种不同的金属形成的合金材料制成。

步骤d：请参阅图17，对所述连接电极层40a进行图案化形成多个阵列设置的连接电极40。需要说明的是，本申请的所述的图案化可以通过黄光工艺形成所需的图案，从而得到多个阵列设置的连接电极40。其中，黄光工艺可以包括通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等一系列操作。或者，一些实施方式中，也可以为通过激光刻蚀，干法刻蚀或者湿法刻蚀等直接刻蚀方式得到所需图案，从而得到多个阵列设置的连接电极40。

可以理解的是，本申请的其它一些实施方式中，也可以通过在所述P电极层30a背离所述外延层10的表面通过蒸镀、磁控溅射、气相沉积等方式直接形成多个阵列设置的连接电极40。

本实施方式中，每个连接电极40均为环形结构。连接电极40包括内环面40a及外环面40b，内环面40a与外环面40b之间的距离尽量的小，以使得连接电极40尽量的细，以避免连接电极40对Micro-LED芯片104出光的遮挡。

步骤150：请参阅图18，在所述连接电极40背离所述P电极层30a的一侧层叠第二衬底90，并通过透明胶层51将所述第二衬底90与所述连接电极40粘接在一起。本实施方式中，透明胶层51将第二衬底90与连接电极40粘接在一起时，透明胶层51同时也能够将第二衬底90与P电极层30a未被连接电极40覆盖的部分粘接在一起。第二衬底90可以为硅、蓝宝石、玻璃、陶瓷或聚合物基板。本实施方式中，第二衬底90为蓝宝石衬底。

具体的，本申请一些实施方式中，通过透明胶层51将所述第二衬底90与所述连接电极40粘接在一起时包括：

步骤e：在第二衬底90朝向连接电极40的一面涂覆第一透明胶层，在连接电极40朝向第二衬底90的表面以及P电极层30a未被连接电极40覆盖的表面涂覆第二透明胶层，将第二衬底90与连接电极40及P电极层30a对位，并使第一透明胶层与连接电极40及P电极层30a上的第二透明胶层粘合，第一透明胶层与第二透明胶层一起组成本申请的透明胶层51。

步骤f：将透明胶层51进行固化，从而使第二衬底90与连接电极40及未被连接电极40覆盖的P电极层30a通过透明胶层51粘接在一起。本申请一些实施方式中，通过高温、光照等固化步骤将透明胶层51进行固化。

可以理解是，本申请的其它一些实施方式中，也可以仅在第二衬底90朝向连接电极40的一面涂覆第一透明胶层，通过第一透明胶层将第二衬底90与连接电极40及未被连接电极40覆盖的P电极层30a粘接在一起。此时，第一透明胶层即为本实施方式的透明胶层51。或者，也可以仅在连接电极40及未被连接电极40覆盖的P电极层30a朝向第二衬底90的一面涂覆第二透明胶层，通过第二透明胶层将第二衬底90与连接电极40及未被连接电极40覆盖的P电极层30a粘接在一起。此时，第二透明胶层即为本实施方式的透明胶层51。

本申请实施方式中，透明胶层51为透明且具有粘性，且容易去除的透明胶材形成。本实施方式中，透明胶层51为BCB胶形成。BCB胶具有粘性，并在高温下能够进行固定，且通过激光能够容易的去除。可以理解的是，一些实施方式中，透明胶层51还可以为聚酰亚胺(PI)胶形成，或者可以是SU-8胶、苯并环丁烯、聚酞亚胺、聚苯并恶唑树脂或硅酮胶等胶材。

步骤160：请参阅图19，剥离所述第一衬底80。本实施方式中，通过激光剥离工艺剥离所述第一衬底80。可以理解的是，本申请实施方式中，也可以通过其它的剥离工艺剥离第一衬底80，在此不进行具体限定。

步骤170：在所述外延层10背离所述第二衬底90的一面形成多个阵列设置的N电极20，相邻的两个所述N电极20之间的区域为切割沟道区21，每个所述N电极20在所述连接电极层40a的正投影覆盖一个所述连接电极40，即每个N电极20与一个连接电极40相对。本实施方式中，N电极20可以为镍(Ni)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铂(Pt)、铬(Cr)等金属中的一种金属材质制成或者通过几种不同的金属形成的合金材料制成。

一些实施方式中，步骤170包括：

步骤g：请参阅图20，在所述外延层10背离所述第二衬底90的一面形成N电极层20a。

步骤h：请参阅图21，图案化所述N电极层20a以得到多个阵列设置的N电极20。本实施方式中，可以通过黄光工艺图案化所述N电极层20a。

步骤180：请参阅图22，沿所述切割沟道区切割所述外延层10及所述P电极层30a从而得到多个阵列设置的Micro-LED芯片104，此时，多个阵列设置的Micro-LED芯片104均通过透明胶层51粘接于第二衬底90上。其中，切割所述P电极层30a形成多个阵列设置的P电极30，每个P电极30与一个N电极20相对。一些实施方式中，P电极30的大小与N电极20的大小相同，即每个P电极30在N电极层20a上的投影与一个N电极20重合。

一些实施方式中，在步骤180以后还包括步骤190：请参阅图23，在每个所述Micro-LED芯片104的周面10c上覆盖绝缘层60，以通过绝缘层60保护Micro-LED芯片104。能够避免Micro-LED芯片104中的电流经外延层10的侧壁及P电极30或者N电极20的侧壁漏出，从而提高Micro-LED芯片104的出光效率。

当需要转印Micro-LED芯片104至衬底基板时，通过激光剥离工艺等方式将Micro-LED芯片104从第二衬底90上剥离下来，以转印至衬底基板上。由于连接电极40的表面能与P电极30的表面能不同，透明胶层51在连接电极40的表面不会有残留或者残留量少于透明胶层51在P电极30上的残留量。通过离子轰击等方式对连接电极40的表面及未被连接电极40的表面遮挡的P电极30的表面进行轰击，从而完全去除连接电极40表面的透明胶层51。由于连接电极40的表面的透明胶层51的残留量少于P电极30的表面的透明胶层51的残余量，因而，当连接电极40表面的透明胶层51完全被去除时，P电极30的表面的透明胶层51可能还会有透明胶层51的残余形成透明胶残余层50，相较于一般的没有连接电极40的Micro-LED芯片104来说，在离子轰击过程中不会损伤P电极30，更不会损伤外延层10，从而保证Micro-LED芯片104的有效性。

需要说明的是，以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内；在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种Micro-LED芯片，其特征在于，包括外延层、N电极、P电极、电流阻挡层及连接电极；所述外延层包括相对的第一表面及第二表面，所述N电极层叠于所述第一表面，所述P电极层叠于所述第二表面；所述电流阻挡层位于所述P电极与所述外延层之间，所述电流阻挡层上设有开孔，所述P电极通过所述开孔连接至所述外延层；所述连接电极凸起于所述P电极背离所述外延层的一面，且所述连接电极与所述P电极电连接，所述连接电极部分覆盖所述P电极，所述连接电极的表面能与所述P电极的表面能大小不同，使得将所述Micro-LED芯片从支撑衬底上剥离并转印至显示面板的衬底上以形成显示面板时，固定所述Micro-LED芯与所述衬底的透明胶材在所述连接电极的表面的残留量少于在所述P电极的表面的残留量。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述连接电极的中心位于所述Micro-LED芯片的中心轴上。

3.根据权利要求1或2所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述连接电极为环绕所述P电极的边缘设置的环形结构。

4.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述开孔的中心位于所述Micro-LED芯片的中心轴上。

5.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述连接电极在所述电流阻挡层上的投影围绕所述开孔设置。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述P电极为透明ITO电极，所述连接电极为金属电极。

7.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述N电极为金属电极，所述N电极朝向所述外延层的一面为反射面，所述反射面用于反射光线。

8.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述外延层包括依次层叠设置的N型半导体层、量子阱层及P型半导体层，所述N型半导体层背离所述量子阱层的一面为所述第一表面，所述P型半导体层背离所述量子阱层的一面为所述第二表面。

9.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括周面，所述周面连接于所述N电极背离所述P电极的表面与所述P电极背离所述N电极的表面之间；所述Micro-LED芯片还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述周面。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括衬底基板、驱动芯片、驱动电路及如权利要求1-9任一项所述的Micro-LED芯片，所述Micro-LED芯片为多个，多个所述Micro-LED芯片阵列设置于所述衬底基板上，所述驱动电路连接所述驱动芯片，并所述驱动电路连接所述Micro-LED芯片的所述N电极及所述连接电极，其中，所述驱动电路通过所述连接电极连接所述Micro-LED芯片的所述P电极，驱动芯片产生的信号电流从连接电极流入P电极，以通过所述驱动电路连接所述Micro-LED芯片与所述驱动芯片，所述驱动芯片用于控制阵列设置的多个所述Micro-LED芯片发光。

11.一种显示终端，其特征在于，包括外壳及权利要求10所述的显示面板，所述显示面板固定于所述外壳上。

12.一种Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供外延片，所述外延片包括第一衬底以及层叠于所述第一衬底上的外延层；

在所述外延层背离所述第一衬底的一面形成电流阻挡层，所述电流阻挡层上设有阵列设置的多个开孔，每个所述开孔在所述Micro-LED芯片的N电极层的投影位于一个N电极内；

在所述外延层背离所述第一衬底的一面层叠P电极层，所述P电极层位于所述电流阻挡层背离所述外延层的一面；

在所述P电极层背离所述外延层的表面形成多个阵列设置的连接电极，多个阵列设置的所述连接电极部分覆盖所述P电极层；

在所述连接电极背离所述P电极层的一侧层叠第二衬底，并通过透明胶层将所述第二衬底与所述连接电极及未被连接电极覆盖的所述P电极层粘接在一起；

剥离所述第一衬底；

在所述外延层背离所述第二衬底的一面形成多个阵列设置的N电极，相邻的两个所述N电极之间的区域为切割沟道区，每个所述N电极在所述连接电极的正投影覆盖一个所述连接电极；

沿所述切割沟道区切割所述外延层及所述P电极层以得到多个阵列设置的Micro-LED芯片，其中，切割所述P电极层形成多个阵列设置的P电极，每个所述P电极与一个所述N电极相对；

所述连接电极的表面能与所述P电极的表面能大小不同，使得在将所述Micro-LED芯片从所述第二衬底上剥离并转印至显示面板的衬底基板以形成显示面板时，固定所述Micro-LED芯片与所述第二衬底的透明胶层在所述连接电极的表面的残留量少于在所述P电极的表面的残留量。

13.根据权利要求12所述的Micro-LED 芯片的制作方法 ，其特征在于，在步骤“沿所述切割沟道区切割所述外延层及所述P电极层从而得到多个阵列设置的Micro-LED芯片”之后还包括步骤：

在每个所述Micro-LED芯片的周面上覆盖绝缘层。

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