CN111934193B - 一种ld芯片无机封装结构及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于半导体技术领域，提供了一种LD芯片无机封装结构及其制备方法，LD芯片无机封装结构包括陶瓷衬底，陶瓷衬底的两面均镀有第一金属层，陶瓷衬底两面电极区域的第一金属层相连，其中一面散热区域的第一金属层上安装有LD芯片，LD芯片的正负极分别与同一面电极区域的第一金属层相连；LD芯片的出光侧依次设有光纤和反射镜，且LD芯片的光源穿过光纤中心，反射镜靠近光纤的一侧为倾斜反射面；陶瓷衬底的其中一面还设有外框，外框的顶部适配盖合有荧光盖板，荧光盖板为光阑片结构。本发明实现了真正意义上的无机封装，LD芯片不会接触到水汽和有机成分，使用寿命大大延长，且该封装结构体积更小，散热效果大大提高，安装使用更加简单方便。

Description

一种LD芯片无机封装结构及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LD芯片无机封装结构及其制备方法。

背景技术

LD（半导体激光器）是用半导体材料作为工作物质的激光器，具有制作简单、成本低，效率高、寿命长、光束质量好，重量轻等诸多优点，近年得到快速发展，并成为当今国际上激光领域较为令人关注的研究热点。在LD芯片的制造、管芯（模组）封装和产品应用三个方面，封装工艺和设备更接近于市场，对产业的推动作用更为直接。LD芯片封装技术是指发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同，封装的功能在于提供芯片足够的保护，防止芯片在空气中长期暴露或机械损伤而失效，以提高芯片的稳定性，还需要具有良好光取出效率和良好的散热性，好的封装可以让芯片具备更好的发光效率和散热环境，进而提升使用寿命。

目前，激光芯片的封装多为TO封装，常规模组是TO封装的芯片加上透镜使用，将光变为平行光。由于TO封装的结构，LD芯片易接触到水汽和有机成分，进而大大降低其使用寿命，同时，TO封装体积大，无法用到小型模组中，且插入式安装，安装不便，并且LD芯片功率高，产生的热量大，TO封装的散热效果差，进而进一步影响芯片性能及使用寿命，此外，目前采用陶瓷作为热沉的陶瓷封装，虽然陶瓷基板的散热效果好，但限制了芯片粘接使用的焊接材料，通常需要银胶等胶合剂将芯片粘接到陶瓷热沉上，但胶合剂形成的固化层导热性不佳，会阻碍芯片与陶瓷热沉间的热传导，散热效果有待进一步提高，此外，在受热环境下，胶合剂形成的固化层粘合强度易减弱，导致结合强度差，甚至会发生芯片与陶瓷热沉间的分离。因此，开发一种LD芯片无机封装结构及其制备方法，不但具有迫切的研究价值，也具有良好的经济效益和工业应用潜力，这正是本发明得以完成的动力所在和基础。

发明内容

为了克服上述所指出的现有技术的缺陷，本发明人对此进行了深入研究，在付出了大量创造性劳动后，从而完成了本发明。

具体而言，本发明所要解决的技术问题是：提供一种LD芯片无机封装结构及其制备方法，以解决目前的激光芯片封装器件LD芯片易接触到水汽和有机成分，会缩短使用寿命，同时存在体积大，散热效果差的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种LD芯片无机封装结构，包括陶瓷衬底，所述陶瓷衬底的两面均镀有第一金属层，所述第一金属层包括散热区域和电极区域，且所述陶瓷衬底两面电极区域的所述第一金属层相连，其中一面散热区域的所述第一金属层上安装有LD芯片，所述LD芯片的正负极分别与同一面电极区域的所述第一金属层相连；

所述LD芯片的出光侧依次设有光纤和反射镜，所述光纤与所述LD芯片的光源发出点对应设置，所述反射镜靠近所述光纤的一侧为倾斜反射面；

所述陶瓷衬底的其中一面还设有外框，所述外框的顶部适配盖合有荧光盖板，所述荧光盖板为光阑片结构，且所述陶瓷衬底、所述外框和所述荧光盖板形成用以容纳内部光路器件的封装区。

作为一种改进的技术方案，所述陶瓷衬底的两端部均开设有通孔，所述陶瓷衬底两面电极区域的所述第一金属层分别通过所述通孔相连。

作为一种改进的技术方案，所述陶瓷衬底其中一面的所述第一金属层还包括外围区域，所述外围区域环绕所述散热区域和所述电极区域，且所述外框于外围区域的所述第一金属层上设置。

作为一种改进的技术方案，所述LD芯片通过焊片于散热区域的所述第一金属层上焊接固定，且所述LD芯片的正负极分别利用金属丝与同一面电极区域的所述第一金属层相连。

作为一种改进的技术方案，所述光纤的两端均设有定位件，所述定位件为与所述光纤外径相适配的U形结构，所述第一金属层上开设有与所述定位件底部相适配的安装孔，所述定位件插装于所述安装孔内，且利用纳米锡膏与所述第一金属层粘接固定。

作为一种改进的技术方案，所述反射镜底部通过固晶胶固定安装于所述第一金属层上。

作为一种改进的技术方案，所述荧光盖板的正面具有荧光粉层，所述荧光盖板背面的边缘位置具有第二金属层，所述荧光盖板背面的中间位置具有所述第二金属层环绕形成的圆形透光区，所述荧光盖板通过所述第二金属层且利用纳米锡膏与所述外框粘接固定。

本发明同时公开了一种LD芯片无机封装结构的制备方法，包括如下步骤：

S1、提供一陶瓷衬底，在所述陶瓷衬底上开设通孔，得到结构I；

S2、在结构I的两面分别制备第一金属层，得到结构II；

S3、对结构II进行切割，将其分切为若干热沉单元，每个所述热沉单元两面的第一金属层均包括散热区域和电极区域，且其中一面还包括环绕所述散热区域和所述电极区域的外围区域；

S4、在热沉单元外围区域的第一金属层位置处通过焊接安装或电镀的方式制备外框，得到结构III；

S5、在所述热沉单元具有外框一面进行LD芯片安装，将LD芯片利用焊片焊接到散热区域的第一金属层上，之后进行打线，利用金属丝将所述LD芯片的正负极分别与同一面电极区域的第一金属层相连，得到结构IV；

S6、在所述LD芯片发光侧依次设置光纤和反射镜，得到结构V；

S7、提供一具有圆形透光区的荧光盖板，将所述荧光盖板盖合到外框顶部。

作为一种改进的技术方案，步骤S2中，在结构I的两面分别制备第一金属层包括：

在结构I的一面形成光刻胶层，并通过曝光以及显影工艺图形化所述光刻胶层，之后对所述陶瓷衬底具有图形化光刻胶层的一面进行蒸镀或电镀，镀上一层第一金属层；

在结构I的另一面同样做出图形化光刻胶后镀上第一金属层，得到两面都镀有第一金属层的结构，且所述通孔位置处的第一金属层通过所述通孔相连；

通过光刻胶剥离工艺进行光刻胶剥离，去除所述光刻胶层，得到结构II。

作为一种改进的技术方案，步骤S5中，将LD芯片利用焊片焊接到散热区域的第一金属层上包括：

将所述焊片放置于所述LD芯片和散热区域的所述第一金属层之间，通过回流焊技术，并利用氮气作保护气体，在280-320℃、5-30s条件下融化所述焊片，之后通过缓慢降温的方式达到粘接效果，实现所述LD芯片于第一金属层上的焊接固定。

作为一种改进的技术方案，步骤S6中，在所述LD芯片发光侧依次设置光纤和反射镜包括：

将所述光纤的两端分别利用U形结构的定位件进行固定，所述定位件分别卡装到所述光纤的两端部，定位件的底部插装到所述第一金属层上，并利用纳米锡膏与所述第一金属层粘接固定，实现所述光纤的定位安装，确保安装后所述LD芯片的光源穿过所述光纤中心；

将所述反射镜具有倾斜反射面的一侧靠近所述光纤放置，并利用固晶胶将所述反射镜固定安装于所述第一金属层上。

作为一种改进的技术方案，步骤S7中，提供一具有圆形透光区的荧光盖板，将所述荧光盖板盖合到外框顶部包括：

在所述荧光盖板背面的边缘位置镀上一层第二金属层，将所述荧光盖板做成具有圆形透光区的光阑片样式，所述荧光盖板具有所述第二金属层的一侧适配盖合到外框顶部，并利用纳米锡膏将所述第二金属层和所述外框粘接固定。

采用了上述技术方案后，本发明的有益效果是：

（1）该LD芯片无机封装结构，LD芯片平放，激光通过LD芯片侧面出光后，经过光纤整形为平行光打到反射镜上，经反射镜反射到顶部的荧光盖板上，激发发出白光；相较传统的TO封装结构，激光可以照到的地方均没有有机胶水，实现了真正意义上的无机封装，LD芯片不会接触到水汽和有机成分，使用寿命大大延长，且该封装结构体积更小，能够应用到小型模组中使用。

（2）LD芯片的正负极通过打线及电极区域的第一金属层转换至陶瓷衬底的背面，可以通过贴片式焊接使用，安装使用更加简单方便。

（3）通过在陶瓷衬底上制备第一金属层，并利用焊片实现LD芯片于第一金属层上的粘接固定，粘接牢固可靠，焊片代替传统的银胶，导热性好，使得整个芯片封装结构的散热效果大大提高，进而有效提高LD芯片的性能及使用寿命。

（4）光纤利用定位件实现其安装固定，且定位件通过安装孔定位插装到第一金属层上并利用纳米锡膏与第一金属层粘接固定的结构，安装固定操作简单方便，且能够实现光纤的精确定位安装，为实现对LD芯片出光的有效整型提供了可靠保障。

（5）设有的光阑片结构样式的该荧光盖板，第二金属层利用纳米锡膏与外框粘接固定，不仅便于实现于外框上的盖合固定，且形成的圆形透光区，可以起到整型光的作用，将主光斑外的杂光遮住，荧光盖板具有的荧光粉层，采用荧光功能材料将单色激光转换为白色光发出。

（6）该LD芯片无机封装结构的制备方法，可实现热沉单元的高效率制备及LD芯片的高效、有序封装，制备方法简单。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。

图1为本发明结构I的结构示意图；

图2为本发明结构II的结构示意图；

图3为本发明热沉单元的结构示意图；

图4为本发明结构III的结构示意图；

图5为本发明结构IV的结构示意图；

图6为本发明结构V的结构示意图；

图7为本发明荧光盖板的结构示意图；

图8为本发明LD芯片无机封装的结构示意图；

图9为本发明LD芯片无机封装的内部结构示意图；

图10为本发明LD芯片无机封装的剖视结构示意图；

图11为本发明LD芯片无机封装的制备方法流程图；

附图标记：1-陶瓷衬底；101-通孔；2-第一金属层；201-条形标识孔；202-安装孔；3-外框；4-LD芯片；5-金属丝；6-光纤；7-定位件；8-反射镜；9-荧光盖板；901-荧光粉层；902-第二金属层；903-圆形透光区。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明进一步说明。但这些例举性实施方式的用途和目的仅用来例举本发明，并非对本发明的实际保护范围构成任何形式的任何限定，更非将本发明的保护范围局限于此。

如图1至图10共同所示，本实施例提供了一种LD芯片无机封装结构，包括陶瓷衬底1，陶瓷衬底1的两面均镀有第一金属层2，第一金属层2包括散热区域和电极区域，且陶瓷衬底1两面电极区域的第一金属层2相连，其中一面散热区域的第一金属层2上安装有LD芯片4，LD芯片4的正负极分别与同一面电极区域的第一金属层2相连。

LD芯片4的出光侧依次设有光纤6和反射镜8，光纤6与LD芯片4的光源发出点对应设置，反射镜8靠近光纤6的一侧为倾斜反射面。

陶瓷衬底1的其中一面还设有外框3，外框3的顶部适配盖合有荧光盖板9，荧光盖板9为光阑片结构，且陶瓷衬底1、外框3和荧光盖板9形成用以容纳内部光路器件的封装区。

本实施例中，陶瓷衬底1选用AlN基陶瓷衬底，AlN基陶瓷衬底比氧化铝的导热性能好，散热效果更佳，且陶瓷衬底11的厚度为200-500μm。

为实现陶瓷衬底1两面电极区域的第一金属层2间的连接，陶瓷衬底1的两端部均开设有通孔101，陶瓷衬底1两面电极区域的第一金属层2分别通过通孔101相连。

本实施例中，通孔101开设有若干，确保第一金属层2间的有效连接。

本实施例中，与LD芯片4负极相连的第一金属层2的一端开设有条形标识孔201，便于该封装结构贴片使用时区分正负极。

陶瓷衬底1其中一面的第一金属层2还包括外围区域，外围区域环绕散热区域和电极区域，且外框3于外围区域的第一金属层2上设置；本实施例中，外框3为采用电镀的方式在外围区域的第一金属层2上制备，密封性好。

本实施例中，陶瓷衬底1其中一面散热区域的第一金属层2和用以与LD芯片4正极相连的电极区域的第一金属层2为一体相连结构。

本实施例中，LD芯片4通过焊片于散热区域的第一金属层2上焊接固定，焊片采用Au80%和Sn20%的预成型金锡焊片。

本实施例中，LD芯片4于散热区域的第一金属层2上安装时，侧边与第一金属层2的边缘相齐平，进而实现LD芯片4的定位安装，确保LD芯片4安装位置精确。

本实施例中，LD芯片4的正负极分别利用金属丝5与同一面电极区域的第一金属层2相连，金属丝5为40-60μm的金线，LD芯片4的正负极通过金属丝5与同一面的第一金属层2相连，将LD芯片4的正负极分别转移至另外一面电极区域的第一金属层2上，便于贴片使用。

为实现光纤6的安装固定，并确保安装后LD芯片4的光源穿过光纤6的中心，光纤6的两端均设有定位件7，定位件7为与光纤6外径相适配的U形结构，第一金属层2上开设有与定位件7底部相适配的安装孔202，定位件7插装于安装孔202内，且利用纳米锡膏与第一金属层2粘接固定；光纤6利用定位件7实现其安装固定，且定位件7通过安装孔202定位插装到第一金属层2上并利用纳米锡膏与第一金属层2粘接固定的结构，安装固定操作简单方便，且能够实现光纤6的精确定位安装，为实现对LD芯片4出光的有效整型提供了可靠保障。

本实施例中，反射镜8底部通过固晶胶固定安装于第一金属层2上，反射镜8为具有倾斜面的硅座，倾斜面上制备一层DBR形成反射面。

荧光盖板9的正面具有荧光粉层901，荧光盖板9背面的边缘位置具有第二金属层902，荧光盖板9背面的中间位置具有第二金属层902环绕形成的圆形透光区903，荧光盖板9通过第二金属层902且利用纳米锡膏与外框3粘接固定；设有的光阑片结构样式的该荧光盖板9，第二金属层902利用纳米锡膏与外框3粘接固定，不仅便于实现于外框3上的盖合固定，且形成的圆形透光区903，可以起到整型光的作用，将主光斑外的杂光遮住，荧光盖板9具有的荧光粉层901，采用荧光功能材料将单色激光转换为白色光发出。

本实施例中，第一金属层2和第二金属层902均为Cr、Al、Ti、Pt、Au或Ni、Al、Ti、Pt、Au金属的组合结构，且金属层的厚度为40-60μm。

本实施例同时公开了一种LD芯片无机封装结构的制备方法，如图11所示，包括如下步骤：

步骤S1：提供一陶瓷衬底1，在陶瓷衬底1上开设通孔101，得到结构I，如图1所示；

该步骤中，对陶瓷衬底1进行开孔的设备及开孔工艺为本领域技术人员所共识的，在此不作赘述。

步骤S2：在结构I的两面分别制备第一金属层2，得到结构II，如图2所示；

该步骤中，首先在结构I的一面形成光刻胶层，并通过曝光以及显影工艺图形化光刻胶层，之后对陶瓷衬底1具有图形化光刻胶层的一面进行蒸镀或电镀，镀上一层第一金属层2，图形化光刻胶为常规工艺，在此不作赘述；

之后，在结构I的另一面同样做出图形化光刻胶后镀上第一金属层2，得到两面都镀有第一金属层2的结构，且通孔101位置处的第一金属层2通过通孔101相连；镀金属层工艺时，通孔101内会镀上金属，实现陶瓷衬底1两面金属层的连接；

最后，通过光刻胶剥离工艺进行光刻胶剥离，去除光刻胶层，对光刻胶剥离时，光刻胶上镀有的金属层会随光刻胶剥离而去除，留下镀在陶瓷衬底1上的金属层，得到结构II。

步骤S3：对结构II进行切割，将其分切为若干热沉单元，每个热沉单元两面的第一金属层2均包括散热区域和电极区域，且其中一面还包括环绕散热区域和电极区域的外围区域，如图3所示；

该步骤中，采用切割设备对陶瓷衬底1进行分切为本领域技术人员所共识的，在此不作赘述，分切后的单个热沉单元用以实现LD芯片4的封装，且热沉单元中间的散热区域，为金属层的大部分厚度区，用以实现有效导热散热。

步骤S4：在热沉单元外围区域的第一金属层2位置处通过焊接安装或电镀的方式制备外框3，得到结构III，如图4所示；

该步骤中，外框3采用电镀的方式直接在外围区域的第一金属层2上制备，相较于第一金属层2上粘接的方式，牢固性及密封性更好。

步骤S5：在热沉单元具有外框3一面进行LD芯片4安装，将LD芯片4利用焊片焊接到散热区域的第一金属层2上，之后进行打线，利用金属丝5将LD芯片4的正负极分别与同一面电极区域的第一金属层2相连，得到结构IV，如图5所示；

该步骤中，将焊片放置于LD芯片4和散热区域的第一金属层2之间，通过回流焊技术，并利用氮气作保护气体，在280-320℃、5-30s条件下融化焊片，之后通过缓慢降温的方式达到粘接效果，实现LD芯片4于第一金属层2上的焊接固定；

本实施例中，LD芯片4焊接的温度控制在300℃上下，加热时间25s，能够实现金锡焊片的有效融化，实现LD芯片4的高效焊接。

步骤S6：在LD芯片4发光侧依次设置光纤6和反射镜8，得到结构V，如图6所示；

该步骤中，将光纤6的两端分别利用U形结构的定位件7进行固定，定位件7分别卡装到光纤6的两端部，定位件7的底部插装到第一金属层2上，并利用纳米锡膏与第一金属层2粘接固定，实现光纤6的定位安装，确保安装后LD芯片4的光源穿过光纤6的中心；

将反射镜8具有倾斜反射面的一侧靠近光纤6放置，并利用固晶胶将反射镜8固定安装于第一金属层2上。

步骤S7：提供一具有圆形透光区903的荧光盖板9，将荧光盖板9盖合到外框3顶部，如图7至图10共同所示。

该步骤中，在荧光盖板9背面的边缘位置镀上一层第二金属层902，将荧光盖板9做成具有圆形透光区903的光阑片样式，荧光盖板9具有第二金属层902的一侧适配盖合到外框3顶部，并利用纳米锡膏将第二金属层902和外框3粘接固定。

基于上述步骤的该LD芯片4无机封装结构的制备方法，可实现热沉单元的高效率制备及LD芯片4的高效、有序封装，制备方法简单，制备得的该LD芯片4无机封装结构，LD芯片4平放，激光通过LD芯片4侧面出光后，经过光纤6整形为平行光打到反射镜8上，经反射镜8反射到顶部的荧光盖板9上，激发发出白光；相较传统的TO封装结构，激光可以照到的地方均没有有机胶水，实现了真正意义上的无机封装，LD芯片4不会接触到水汽和有机成分，使用寿命大大延长，且该封装结构体积更小，能够应用到小型模组中使用。

此外，LD芯片4的正负极通过打线及电极区域的第一金属层2转换至陶瓷衬底1的背面，可以通过贴片式焊接使用，安装使用更加简单方便；通过在陶瓷衬底1上制备第一金属层2，并利用焊片实现LD芯片4于第一金属层2上的粘接固定，粘接牢固可靠，焊片代替传统的银胶，导热性好，使得整个芯片4封装结构的散热效果大大提高，进而有效提高LD芯片4的性能及使用寿命。

应当理解，这些实施例的用途仅用于说明本发明而非意欲限制本发明的保护范围。此外，也应理解，在阅读了本发明的技术内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动、修改和/或变型，所有的这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种LD芯片无机封装结构，其特征在于，包括陶瓷衬底，所述陶瓷衬底的两面均镀有第一金属层，所述第一金属层包括散热区域和电极区域，且所述陶瓷衬底两面电极区域的所述第一金属层相连，其中一面散热区域的所述第一金属层上安装有LD芯片，所述LD芯片通过焊片于散热区域的所述第一金属层上焊接固定，焊片采用Au80%和Sn20%的预成型金锡焊片，所述LD芯片的正负极分别利用金属丝与同一面电极区域的所述第一金属层相连；

所述LD芯片的出光侧依次设有光纤和反射镜，所述光纤的两端均设有定位件，所述定位件为与所述光纤外径相适配的U形结构，所述第一金属层上开设有与所述定位件底部相适配的安装孔，所述定位件插装于所述安装孔内，且利用纳米锡膏与所述第一金属层粘接固定，所述光纤与所述LD芯片的光源发出点对应设置，所述反射镜靠近所述光纤的一侧为倾斜反射面,且所述反射镜底部通过固晶胶固定安装于所述第一金属层上；

所述陶瓷衬底的其中一面还设有外框，所述外框的顶部适配盖合有荧光盖板，所述荧光盖板为光阑片结构，且所述陶瓷衬底、所述外框和所述荧光盖板形成用以容纳内部光路器件的封装区。

2.如权利要求1所述的LD芯片无机封装结构，其特征在于：所述陶瓷衬底的两端部均开设有通孔，所述陶瓷衬底两面电极区域的所述第一金属层分别通过所述通孔相连；

所述陶瓷衬底其中一面的所述第一金属层还包括外围区域，所述外围区域环绕所述散热区域和所述电极区域，且所述外框于外围区域的所述第一金属层上设置。

3.如权利要求2所述的LD芯片无机封装结构，其特征在于：所述荧光盖板的正面具有荧光粉层，所述荧光盖板背面的边缘位置具有第二金属层，所述荧光盖板背面的中间位置具有所述第二金属层环绕形成的圆形透光区，所述荧光盖板通过所述第二金属层且利用纳米锡膏与所述外框粘接固定。

4.一种基于权利要求1所述的LD芯片无机封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一陶瓷衬底，在所述陶瓷衬底上开设通孔，得到结构I；

S2、在结构I的两面分别制备第一金属层，得到结构II；

S3、对结构II进行切割，将其分切为若干热沉单元，每个所述热沉单元两面的第一金属层均包括散热区域和电极区域，且其中一面还包括环绕所述散热区域和所述电极区域的外围区域；

S4、在热沉单元外围区域的第一金属层位置处通过焊接安装或电镀的方式制备外框，得到结构III；

S5、在所述热沉单元具有外框一面进行LD芯片安装，将LD芯片利用焊片焊接到散热区域的第一金属层上，之后进行打线，利用金属丝将所述LD芯片的正负极分别与同一面电极区域的第一金属层相连，得到结构IV；

S6、在所述LD芯片发光侧依次设置光纤和反射镜，得到结构V；

S7、提供一具有圆形透光区的荧光盖板，将所述荧光盖板盖合到外框顶部。

5.如权利要求4所述的LD芯片无机封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在结构I的两面分别制备第一金属层包括：

在结构I的一面形成光刻胶层，并通过曝光以及显影工艺图形化所述光刻胶层，之后对所述陶瓷衬底具有图形化光刻胶层的一面进行蒸镀或电镀，镀上一层第一金属层；

在结构I的另一面同样做出图形化光刻胶后镀上第一金属层，得到两面都镀有第一金属层的结构，且所述通孔位置处的第一金属层通过所述通孔相连；

通过光刻胶剥离工艺进行光刻胶剥离，去除所述光刻胶层，得到结构II。

6.如权利要求5所述的LD芯片无机封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S5中，将LD芯片利用焊片焊接到散热区域的第一金属层上包括：

将所述焊片放置于所述LD芯片和散热区域的所述第一金属层之间，通过回流焊技术，并利用氮气作保护气体，在280-320℃、5-30s条件下融化所述焊片，之后通过缓慢降温的方式达到粘接效果，实现所述LD芯片于第一金属层上的焊接固定。

7.如权利要求6所述的LD芯片无机封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S6中，在所述LD芯片发光侧依次设置光纤和反射镜包括：

将所述光纤的两端分别利用U形结构的定位件进行固定，所述定位件分别卡装到所述光纤的两端部，定位件的底部插装到所述第一金属层上，并利用纳米锡膏与所述第一金属层粘接固定，实现所述光纤的定位安装，确保安装后所述LD芯片的光源穿过所述光纤中心；

将所述反射镜具有倾斜反射面的一侧靠近所述光纤放置，并利用固晶胶将所述反射镜固定安装于所述第一金属层上。

8.如权利要求7所述的LD芯片无机封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S7中，提供一具有圆形透光区的荧光盖板，将所述荧光盖板盖合到外框顶部包括：

在所述荧光盖板背面的边缘位置镀上一层第二金属层，将所述荧光盖板做成具有圆形透光区的光阑片样式，所述荧光盖板具有所述第二金属层的一侧适配盖合到外框顶部，并利用纳米锡膏将所述第二金属层和所述外框粘接固定。

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