[go: up one dir, main page]

CN111900151A - 一种低成本mosfet模块 - Google Patents

一种低成本mosfet模块 Download PDF

Info

Publication number
CN111900151A
CN111900151A CN202010819803.5A CN202010819803A CN111900151A CN 111900151 A CN111900151 A CN 111900151A CN 202010819803 A CN202010819803 A CN 202010819803A CN 111900151 A CN111900151 A CN 111900151A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mosfet
wafer
lower bridge
low
bridge wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010819803.5A
Other languages
English (en)
Inventor
李亮亮
潘波
许俊
杨尧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Scilicon Electric Co ltd
Original Assignee
Chengdu Scilicon Electric Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Scilicon Electric Co ltd filed Critical Chengdu Scilicon Electric Co ltd
Priority to CN202010819803.5A priority Critical patent/CN111900151A/zh
Publication of CN111900151A publication Critical patent/CN111900151A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4846—Connecting portions with multiple bonds on the same bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种低成本MOSFET模块，包括MOSFET晶片、MOSFET基板和绑定线；MOSFET晶片通过绑定线和MOSFET基板固定连接，且MOSFET晶片和MOSFET基板通信连接。本发明的晶圆的一致性好，封装的模块电气特性好，且具有产品开发周期短，开发成本低和开发灵活的优势。体积小，杂散电感低，成本低，节省大部分的封装成本，如模具、MOSFET框架和塑封料等。热阻低，晶片直接贴于基板上，减少框架等中间层。多场景且灵活的应用场合，可根据需求来进行不同的布局。且无需开模，开发周期短。

Description

一种低成本MOSFET模块
技术领域
本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种低成本MOSFET模块。
背景技术
MOSFET在电机控制器应用中常采用多颗单管并联的或者是MOSFET模块的方案以获得更大的功率输出。单管并联方案，即使用多颗的单管MOSFET并联来提高设计产品的过流能力。不同的单管由于可能是不同的批次，造成电气特性出现差异，在并联使用中会增加MOSFET器件的失效率；同时增加产品开发难度和成本以及产品的开发周期；增加产品的生产成本以及生产周期。单管并联方案虽然成本较低，但是单管并联方案存在热阻高、由于单管特性不一致而导致的电气特性较差和安装工序多等缺陷。这些缺陷常常使用MOSFET模块来解决，但是MOSFET模块的成本又比较高。MOSFET模块化方案，即将多颗MOSFET的晶圆并联封装至一起，将相同电气特性的引脚引出，以提高产品的过电流能力以及降低应用开发的难度。MOSFET模块的开发需要开通模具，在初期开发时会造成产品开发周期长，开发成本高。MOSFET模块一经定型无法更改，灵活性差；如若有新的需求，需要重新开发。在这种背景下提出了一种新型低成本的MOSFET模块解决方案，既能解决单管并联热阻高、工序多和电气特性较差等问题，又能拥有MOSFET模块的优势。
发明内容
本发明的目的是为了解决MOSFET在大电流场景应用的问题，提出了一种低成本MOSFET模块。
本发明的技术方案是：一种低成本MOSFET模块包括MOSFET晶片、MOSFET基板和绑定线；
MOSFET晶片通过绑定线和MOSFET基板固定连接，且MOSFET晶片和MOSFET基板通信连接。
进一步地，MOSFET晶片包括第一上桥晶片、第二上桥晶片、第一下桥晶片和第二下桥晶片；
第一上桥晶片、第二上桥晶片、第一下桥晶片和第二下桥晶片的结构相同，均包括MOSFET漏极、MOSFET源极和MOSFET门极；第一上桥晶片和第二上桥晶片形成MOSFET模块的上桥臂；第一下桥晶片和第二下桥晶片形成MOSFET模块的下桥臂。
进一步地，MOSFET基板包括从上至下依次固定连接的导电材料层、绝缘绝热材料层和散热材料层；
导电材料层和绝缘绝热材料层之间以及绝缘绝热材料层和散热材料层之间均通过粘接的方式固定连接。
进一步地，导电材料层包括依次设置的母线正极端、上桥门极控制信号端、相线信号输出端、下桥源极控制信号输出端、下桥门极控制信号端、相线功率输出端和母线负极端。
进一步地，第一上桥晶片的MOSFET漏极和第二上桥晶片的MOSFET漏极均通过焊接的方式与母线正极端固定连接，且第一上桥晶片和第二上桥晶片均与母线正极端通信连接；第一下桥晶片的MOSFET漏极和第二下桥晶片的MOSFET漏极均通过焊接的方式与相线功率输出端固定连接，且第一下桥晶片和第二下桥晶片均与相线功率输出端通信连接。
进一步地，第一上桥晶片的MOSFET源极和第二上桥晶片的MOSFET源极均通过绑定线与相线信号输出端和相线功率输出端通信连接；第一下桥晶片的MOSFET源极和第二下桥晶片的MOSFET源极均通过绑定线与母线负极端通信连接。
进一步地，第一上桥晶片的MOSFET门极和第二上桥晶片的MOSFET门极均通过绑定线与上桥门控制信号端通信连接；第一下桥晶片的MOSFET门极和第二下桥晶片的MOSFET门极均通过绑定线与下桥门控制信号端通信连接。
进一步地，低成本MOSFET模块还包括封装材料；MOSFET晶片和绑定线均通过封装材料封装。
本发明的有益效果是：
(1)晶圆的一致性好，封装的模块电气特性好，且具有产品开发周期短，开发成本低和开发灵活的优势。
(2)体积小，杂散电感低，成本低，节省大部分的封装成本，如模具、MOSFET框架和塑封料等。
(3)热阻低，晶片直接贴于基板上，减少框架等中间层。
(4)多场景且灵活的应用场合，可根据需求来进行不同的布局。且无需开模，开发周期短。
附图说明
图1为MOSFET模块的内部结构图；
图2(a)为MOSFET模块的正面结构图；
图2(b)为MOSFET模块的背面结构图；
图3为MOSFET基板的结构图；
图4为MOSFET模块的封装结构图；
图5为MOSFET模块的导体材料排列结构图；
图中，1、MOSFET晶片；1-1、第一上桥晶片；1-2、第二上桥晶片；1-3、第一下桥晶片；1-4、第二下桥晶片；2、MOSFET漏极；3、MOSFET源极；4、MOSFET门极；5、封装材料；6、导电材料层；6-1、母线正极端；6-2、上桥门极控制信号端；6-3、相线信号输出端；6-4、下桥源极控制信号输出端；6-5、下桥门极控制信号端；6-6、相线功率输出端；6-7、母线负极端；7、绝缘绝热材料层；8、散热材料层；9、绑定线；11、MOSFET基板。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例作进一步的说明。
如图1所示，本发明提供了一种低成本MOSFET模块，包括MOSFET晶片1、MOSFET基板11和绑定线9；
MOSFET晶片1通过绑定线9和MOSFET基板11固定连接，且MOSFET晶片1和MOSFET基板11通信连接。
在本发明实施例中，如图1所示，MOSFET晶片1包括第一上桥晶片1-1、第二上桥晶片1-2、第一下桥晶片1-3和第二下桥晶片1-4；
第一上桥晶片1-1、第二上桥晶片1-2、第一下桥晶片1-3和第二下桥晶片1-4的结构相同，如图2所示，均包括MOSFET漏极2、MOSFET源极3和MOSFET门极4；第一上桥晶片1-1和第二上桥晶片1-2形成MOSFET模块的上桥臂；第一下桥晶片1-3和第二下桥晶片1-4形成MOSFET模块的下桥臂。
在本发明实施例中，上桥晶片和下桥晶片的颗数可根据实际情况确定。
在本发明实施例中，如图3所示，MOSFET基板11包括从上至下依次固定连接的导电材料层6、绝缘绝热材料层7和散热材料层8；
导电材料层6和绝缘绝热材料层7之间以及绝缘绝热材料层7和散热材料层8之间均通过粘接的方式固定连接。
在本发明实施例中，如图1所示，导电材料层6包括母线正极端6-1、上桥门极控制信号端6-2、相线信号输出端6-3、下桥源极控制信号输出端6-4、下桥门极控制信号端6-5、相线功率输出端6-6和母线负极端6-7。
在本发明实施例中，如图1所示，第一上桥晶片1-1的MOSFET漏极2和第二上桥晶片1-2的MOSFET漏极2均通过焊接的方式与母线正极端6-1固定连接，且第一上桥晶片1-1和第二上桥晶片1-2均与母线正极端6-1通信连接；第一下桥晶片1-3的MOSFET漏极2和第二下桥晶片1-4的MOSFET漏极2均通过焊接的方式与相线功率输出端6-6固定连接，且第一下桥晶片1-3和第二下桥晶片1-4均与相线功率输出端6-6通信连接。
在本发明实施例中，如图1所示，第一上桥晶片1-1的MOSFET源极3和第二上桥晶片1-2的MOSFET源极3均通过绑定线9与相线信号输出端6-3和相线功率输出端6-6通信连接；第一下桥晶片1-3的MOSFET源极3和第二下桥晶片1-4的MOSFET源极3均通过绑定线9与母线负极端6-7通信连接。
在本发明实施例中，如图1所示，第一上桥晶片1-1的MOSFET门极4和第二上桥晶片1-2的MOSFET门极4均通过绑定线9与上桥门控制信号端6-2通信连接；第一下桥晶片1-3的MOSFET门极4和第二下桥晶片1-4的MOSFET门极4均通过绑定线9与下桥门控制信号端6-5通信连接。
在本发明实施例中，如图4所示，低成本MOSFET模块还包括封装材料5；MOSFET晶片1和绑定线9均通过封装材料5封装。
本发明的工作原理及过程为：在应用开发中，由于低成本MOSFET模块已做绝缘处理，因此模块可以直接焊接或者压接在散热器上。上桥门极控制信号端6-2、相线信号输出端6-3、下桥源极控制信号输出端6-4和下桥门极控制信号端6-5均可焊接或者压接导体连接驱动信号；相线功率输出端6-6、母线负极端6-7和母线正极端6-1均可焊接或者压接导体连接功率导线。绑定线9在除绑定线焊接点以外的其他地方没有电气连接关系。
同时模块形状与导体材料形状可根据具体应用场合进行更改，晶片的并联不局限于2个，可以是多个。
如图5所示，是另外一种导体材料的排列方式(不局限于出现的两种)。其信号与功率的引出方向和图4不同，适用于不同的应用场景。
本发明的有益效果是：
(1)晶圆的一致性好，封装的模块电气特性好，且具有产品开发周期短，开发成本低和开发灵活的优势。
(2)体积小，杂散电感低，成本低，节省大部分的封装成本，如模具、MOSFET框架和塑封料等。
(3)热阻低，晶片直接贴于基板上，减少框架等中间层。
(4)多场景且灵活的应用场合，可根据需求来进行不同的布局。且无需开模，开发周期短。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。

Claims (8)

1.一种低成本MOSFET模块，其特征在于，包括MOSFET晶片(1)、MOSFET基板(11)和绑定线(9)；
所述MOSFET晶片(1)通过绑定线(9)和MOSFET基板(11)固定连接，且所述MOSFET晶片(1)和MOSFET基板(11)通信连接。
2.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述MOSFET晶片(1)包括第一上桥晶片(1-1)、第二上桥晶片(1-2)、第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)；
所述第一上桥晶片(1-1)、第二上桥晶片(1-2)、第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)的结构相同，均包括MOSFET漏极(2)、MOSFET源极(3)和MOSFET门极(4)；所述第一上桥晶片(1-1)和第二上桥晶片(1-2)形成MOSFET模块的上桥臂；所述第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)形成MOSFET模块的下桥臂。
3.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述MOSFET基板(11)包括从上至下依次固定连接的导电材料层(6)、绝缘绝热材料层(7)和散热材料层(8)；
所述导电材料层(6)和绝缘绝热材料层(7)之间以及绝缘绝热材料层(7)和散热材料层(8)之间均通过粘接的方式固定连接。
4.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述导电材料层(6)包括依次设置的母线正极端(6-1)、上桥门极控制信号端(6-2)、相线信号输出端(6-3)、下桥源极控制信号输出端(6-4)、下桥门极控制信号端(6-5)、相线功率输出端(6-6)和母线负极端(6-7)。
5.根据权利要求4所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述第一上桥晶片(1-1)的MOSFET漏极(2)和第二上桥晶片(1-2)的MOSFET漏极(2)均通过焊接的方式与母线正极端(6-1)固定连接，且所述第一上桥晶片(1-1)和第二上桥晶片(1-2)均与母线正极端(6-1)通信连接；所述第一下桥晶片(1-3)的MOSFET漏极(2)和第二下桥晶片(1-4)的MOSFET漏极(2)均通过焊接的方式与相线功率输出端(6-6)固定连接，且所述第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)均与相线功率输出端(6-6)通信连接。
6.根据权利要求4所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述第一上桥晶片(1-1)的MOSFET源极(3)和第二上桥晶片(1-2)的MOSFET源极(3)均通过绑定线(9)与相线信号输出端(6-3)和相线功率输出端(6-6)通信连接；所述第一下桥晶片(1-3)的MOSFET源极(3)和第二下桥晶片(1-4)的MOSFET源极(3)均通过绑定线(9)与母线负极端(6-7)通信连接。
7.根据权利要求4所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述第一上桥晶片(1-1)的MOSFET门极(4)和第二上桥晶片(1-2)的MOSFET门极(4)均通过绑定线(9)与上桥门控制信号端(6-2)通信连接；所述第一下桥晶片(1-3)的MOSFET门极(4)和第二下桥晶片(1-4)的MOSFET门极(4)均通过绑定线(9)与下桥门控制信号端(6-5)通信连接。
8.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述低成本MOSFET模块还包括封装材料(5)；所述MOSFET晶片(1)和绑定线(9)均通过封装材料(5)封装。
CN202010819803.5A 2020-08-14 2020-08-14 一种低成本mosfet模块 Pending CN111900151A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010819803.5A CN111900151A (zh) 2020-08-14 2020-08-14 一种低成本mosfet模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010819803.5A CN111900151A (zh) 2020-08-14 2020-08-14 一种低成本mosfet模块

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111900151A true CN111900151A (zh) 2020-11-06

Family

ID=73229477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010819803.5A Pending CN111900151A (zh) 2020-08-14 2020-08-14 一种低成本mosfet模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111900151A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020179945A1 (en) * 2001-06-04 2002-12-05 Kozo Sakamoto Power semiconductor device
CN101582394A (zh) * 2009-04-02 2009-11-18 嘉兴斯达微电子有限公司 带门极电阻布局的功率mosfet模块
CN203774296U (zh) * 2014-03-13 2014-08-13 杭州明果教育咨询有限公司 一种多mosfet集成六桥臂封装模块
CN206194727U (zh) * 2016-06-17 2017-05-24 扬州国扬电子有限公司 一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块
WO2018186353A1 (ja) * 2017-04-05 2018-10-11 ローム株式会社 パワーモジュール
JP2018195838A (ja) * 2018-07-19 2018-12-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN109887907A (zh) * 2019-03-01 2019-06-14 深圳市慧成功率电子有限公司 多芯片一体布线焊接的功率模块及功率模组
CN110060971A (zh) * 2019-03-01 2019-07-26 深圳市慧成功率电子有限公司 多路供电布局布线的功率模块及功率模组
CN212625568U (zh) * 2020-08-14 2021-02-26 成都赛力康电气有限公司 一种低成本mosfet模块

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020179945A1 (en) * 2001-06-04 2002-12-05 Kozo Sakamoto Power semiconductor device
CN101582394A (zh) * 2009-04-02 2009-11-18 嘉兴斯达微电子有限公司 带门极电阻布局的功率mosfet模块
CN203774296U (zh) * 2014-03-13 2014-08-13 杭州明果教育咨询有限公司 一种多mosfet集成六桥臂封装模块
CN206194727U (zh) * 2016-06-17 2017-05-24 扬州国扬电子有限公司 一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块
WO2018186353A1 (ja) * 2017-04-05 2018-10-11 ローム株式会社 パワーモジュール
JP2018195838A (ja) * 2018-07-19 2018-12-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN109887907A (zh) * 2019-03-01 2019-06-14 深圳市慧成功率电子有限公司 多芯片一体布线焊接的功率模块及功率模组
CN110060971A (zh) * 2019-03-01 2019-07-26 深圳市慧成功率电子有限公司 多路供电布局布线的功率模块及功率模组
CN212625568U (zh) * 2020-08-14 2021-02-26 成都赛力康电气有限公司 一种低成本mosfet模块

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103688352B (zh) 半导体器件及半导体器件的制造方法
TWI696253B (zh) 模壓智慧電源模組
CN206116387U (zh) 一种大电流功率半导体器件的封装结构
JP2015099843A (ja) 半導体装置
CN100461401C (zh) 半导体器件
CN201435388Y (zh) 一种用于mosfet封装的引线框架
JP2000138342A (ja) 半導体装置
CN117976642B (zh) 功率模块和电子设备
CN212625568U (zh) 一种低成本mosfet模块
CN107154389B (zh) 一种高散热能力的小型贴片固态继电器及其制造方法
CN111900151A (zh) 一种低成本mosfet模块
CN221614839U (zh) 功率半导体模块及半桥功率模块
CN118588681A (zh) 互联组件及应用其的功率半导体模块
CN220400582U (zh) 智能功率模块的基板、智能功率模块和电子设备
CN208015601U (zh) 一种三相全桥电路及智能功率模块
CN207165546U (zh) 绝缘栅双极型晶体管模块
US8946876B2 (en) Semiconductor device
CN110149057A (zh) 一种三相全桥电路及智能功率模块
CN115425007A (zh) 一种芯片连接件及功率模块
CN211045415U (zh) 一种铝基板的功率模块
CN216849933U (zh) 一种直流单相电机驱动功率器件的封装结构
CN215731698U (zh) 三相全桥功率集成mosfet模块
CN220604667U (zh) 一种无框式大功率mos封装模块及电路结构
CN212570989U (zh) 一种低成本全桥功率mos模组
CN107359143A (zh) 一种绝缘栅双极型晶体管模块

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination