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CN111863892A - 显示装置及其制备方法 - Google Patents

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CN111863892A CN202010668831.1A CN202010668831A CN111863892A CN 111863892 A CN111863892 A CN 111863892A CN 202010668831 A CN202010668831 A CN 202010668831A CN 111863892 A CN111863892 A CN 111863892A
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Abstract

本发明公开了一种显示装置及其制备方法，所述显示装置包括显示区以及非显示区；所述显示区包括发光区以及非发光区；所述显示装置包括底板、显示面板以及影像采集装置；所述显示面板包括基层、薄膜晶体管以及绝缘层，所述底板上的凹槽、所述基层上的厚度减薄区以及所述绝缘层上的透光孔相对设置。本发明的技术效果在于，将发光器件直接集成至驱动薄膜晶体管内，提高显示面板的开口率，在非发光区内开设透光孔，进一步增强透光性。

Description

显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
目前手机市场的发展趋势为制备出真正意义上的全面屏，为了满足手机全面屏的需求，面板开发商将更多的精力投入了OLED显示屏的开发，其原因在于OLED显示屏可以采用柔性基板作为基底，实现面板的可弯曲性，将非显示区域向面板两侧或者背面弯折，从而尽可能增大显示区域的屏占比是现时主流的实现手机全面屏的设计方法。
而从全面屏诞生之日起，屏占比和前置摄像头就是一对矛盾体。无论是小米MX系列那样将其放到下巴处，还是iPhone-X系列的刘海屏，又或是安卓机目前流行的小刘海，水滴屏。其实都是想用设计的思路去解决这对矛盾，手机正面终究要让一部分位置给前置摄像头，难以让消费者感觉到真正意义上全面屏。
最近，一种基于OLED显示面板的屏下摄像头技术正被越来越多手机及面板厂商所关注，由于OLED屏幕的自发光的特点，屏幕的结构较为简单。屏幕厚度相对于传统LCD屏幕也较薄，本身的透光性就比较好，因此将摄像头隐藏在屏幕下方就成为了可能。
传统结构的OLED显示屏其驱动晶体管都采用LTPS技术，来达到驱动OLED发光所需的迁移率，而LTPS技术难使得沟道层达到大面积的均一性，因此OLED显示屏都采用7TIC补偿电路来维持面板的亮度稳定。但是7TIC电路金属布线非常复杂，且金属走线透光性较差，这样使得屏幕下方摄像头采光性较差，不利于屏下摄像头技术的实现。
发明内容
本发明的目的在于，解决现有屏下摄像显示装置的摄像头采光不佳的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示装置，包括：显示区以及围绕所述显示区的非显示区；所述显示区包括发光区以及围绕所述发光区的非发光区；所述显示装置还包括：底板，设有一凹槽；显示面板，设于所述底板具有所述凹槽一侧的表面；以及影像采集装置，设于所述底板的凹槽内；其中，所述显示面板包括：基层，其朝向所述底板的一侧具有厚度减薄区，所述厚度减薄区与所述凹槽相对设置且相互连通；薄膜晶体管，设于所述基层远离所述底板一侧的表面；绝缘层，设于所述基层远离所述底板一侧的表面，其设有透光孔，所述透光孔设于所述非发光区内，且与所述厚度减薄区相对设置。
进一步地，所述显示面板包括2T1C电路结构，包括：开关薄膜晶体管，其栅极接入扫描信号，其源极接入数据信号；驱动薄膜晶体管，其栅极连接至所述开关薄膜晶体管的漏极，其源极接入VDD信号，其漏极接入VSS信号；以及一存储电容，其一端连接至所述驱动薄膜晶体管的栅极，其另一端连接至所述开关薄膜晶体管的漏极。
进一步地，所述显示面板还包括：阻隔层，设于所述基层远离所述底板一侧的表面，所述开关薄膜晶体管设于所述阻隔层远离所述基层一侧的表面；以及层间绝缘层，设于所述开关薄膜晶体管远离所述阻隔层一侧，所述驱动薄膜晶体管设于所述层间绝缘层远离所述开关薄膜晶体管一侧的表面。
进一步地，所述开关薄膜晶体管包括：第一栅极层，设于所述阻隔层远离所述基层一侧的表面；第一栅极绝缘层，设于所述第一栅极层以及所述阻隔层远离所述基层一侧的表面；第一沟道层，设于所述第一栅极绝缘层远离所述第一栅极层一侧的表面，且与所述第一栅极层相对设置；以及第一源漏极层，设于所述第一沟道层和/或所述第一栅极绝缘层远离所述阻隔层一侧的表面。
进一步地，所述驱动薄膜晶体管包括：第二栅极层，设于所述层间绝缘层远离所述开关薄膜晶体管一侧的表面，且穿过所述层间绝缘层，搭接至所述开关薄膜晶体管的第一源漏极层；第二栅极绝缘层，设于所述第二栅极层以及所述层间绝缘层远离所述阻隔层一侧的表面；以及第二源漏极层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述层间绝缘层一侧的表面；所述薄膜晶体管为垂直沟道的薄膜晶体管。
进一步地，所述显示面板还包括：支撑层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述层间绝缘层一侧的表面；像素定义层，设于所述支撑层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面；以及发光器件，贯穿所述像素定义层。
进一步地，所述第二源漏极层包括：第二源极层，贯穿所述支撑层、所述第二栅极绝缘层以及所述层间绝缘层，电连接至所述第一源漏极层；以及第二漏极层，设于所述发光器件远离所述支撑层一侧的表面，且与所述发光器件的顶面面积相同。
进一步地，所述发光器件集成于所述驱动薄膜晶体管内。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置的制备方法，包括以下步骤：提供一具有一凹槽的底板；制备出显示面板，包括：在一基层上制备出薄膜晶体管以及绝缘层，在所述基层的下表面挖出厚度减薄区；在所述绝缘层上开孔，形成透光孔，所述透光孔与所述影像采集装置相对设置；安装影像采集装置，包括：将一影像采集装置放置于所述凹槽与所述厚度减薄区所围成的空腔内，组装所述影像采集装置、所述底板以及所述显示面板。
进一步地，在所述基层的上表面制备出开关薄膜晶体管以及驱动薄膜晶体管；将发光器件集成至所述驱动薄膜晶体管内。
本发明的技术效果在于，采用有机薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，将发光器件直接集成至所述驱动薄膜晶体管内，提升显示装置的稳定性能，实现显示面板的最大化开口率。采用2T1C基本电路，减小金属布线的复杂程度，在非发光区内开设阵列透光孔，进一步增强透光性，使得透光孔下方的摄像头能均匀采光。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例所述显示装置的示意图；
图2为本发明实施例所述显示装置的结构图；
图3为本发明实施例所述显示装置的结构图；
图4为本发明实施例所述2T1C电路的电路图；
图5为本发明实施例所述影像采集装置的示意图；
图6为本发明实施例所述显示装置的制备方法的流程图。
部分组件标识如下：
100、显示区；110、发光区；120、非发光区；
1、底板；2、显示面板，3、影像采集装置；
11、凹槽；
21、基层；22、薄膜晶体管；23、绝缘层；24、发光器件；25、阻隔层；26、支撑层；27、像素定义层；28、封装层；20、透光孔；
211、厚度减薄区；
221、开关薄膜晶体管；222、驱动薄膜晶体管；
2211、第一栅极层；2212、第一沟道层；2213、第一源漏极层；231、第一栅极绝缘层；
2221、第二栅极层；2222、第二源极层；2223、第二漏极层；232、第二栅极绝缘层；233、层间绝缘层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的，请参阅图1～图5，本发明实施例提供一种显示装置，包括：底板1、显示面板2以及影像采集装置3。
所述显示装置包括显示区100以及围绕显示区100的非显示区(图未示)，显示区100包括发光层110以及围绕发光区110的非发光区120。
底板1从显示区100延伸至所述非显示区，底板1上设有凹槽11，凹槽11下凹于底板1，凹槽11用以容置影像采集装置3。
显示面板2设于底板1的上表面，且从显示区100延伸至所述非显示区，显示面板2可实现电路控制、彩色显示、发光等功能。
显示面板2包括基层21、薄膜晶体管22、绝缘层23、发光器件24、阻隔层25、支撑层26、像素定义层27以及封装层28等膜层，显示面板2还包括透光孔20，透光孔20与底板1的凹槽11相对设置，起到提升显示面板2的透光效果的作用。
基层21设于底板1的上表面，且从显示区100延伸至所述非显示区，基层21的材质为聚酰亚胺材料(PI)，基层21为柔性基底，具有良好的可弯折性。基层21包括厚度减薄区211，厚度减薄区211相当于一向上挖空的凹槽，厚度减薄区211与凹槽11相对设置，且相互连通。
阻隔层25设于基层21的上表面，且从显示区100延伸至所述非显示区，起到阻隔外界水氧的作用，阻隔层25的材质一般为无机材料，如硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物中的至少一种。
薄膜晶体管22设于阻隔层25的上表面，且设于显示区100内，薄膜晶体管22起到电路开关的作用，可控制整个显示装置的电路开关。在本实施例中，薄膜晶体管22包括开关薄膜晶体管(Switch TFT)221以及驱动薄膜晶体管(Driver TFT)222。开关薄膜晶体管221可控制驱动薄膜晶体管222的打开和关闭，驱动薄膜晶体管222驱动发光器件24发光，实现显示装置的彩色显示功能。
绝缘层23设于阻隔层25的上表面，且从显示区100延伸至所述非显示区，包括栅极绝缘层以及层间绝缘层，起到绝缘的作用，防止各金属电极之间发生短路的状况。
开关薄膜晶体管221包括第一栅极层2211、第一源漏极层2212、第一沟道层2213以及绝缘层23的第一栅极绝缘层231。
第一栅极层2211设于阻隔层25的上表面，第一栅极层2211的材质为金属材料，第一栅极层2211即为扫描信号走线，扫描信号能控制开关薄膜晶体管221的开闭。
第一栅极绝缘层231覆盖于第一栅极层2211的上表面，且覆盖于阻隔层25，起到开关薄膜晶体管221内走线之间良好的绝缘作用。
第一沟道层2212设于第一栅极绝缘层231的上表面，且与第一栅极层2211相对设置，即第一沟道层2212包覆第一栅极层2211上方的第一栅极绝缘层231，第一沟道层2212的材质为沟道层材料a-Si，开关薄膜晶体管221为普通的a-Si薄膜晶体管。
第一源漏极层2213设于第一沟道层2212和/或第一栅极绝缘层231的上表面，第一源漏极层2213作为开关薄膜晶体管221的数据信号走线以及电源信号走线。
层间绝缘层233设于第一栅极绝缘层231以及第一源漏极层2213的上表面，层间绝缘层233设于开关薄膜晶体管221以及驱动薄膜晶体管222之间，起到开关薄膜晶体管221与驱动薄膜晶体管222之间良好的绝缘作用，即保证在开关薄膜晶体管221与驱动薄膜晶体管222之间，除了源电极以及栅电极以外的金属电极之间不会造成短路现象。层间绝缘层233的材质包括有机或无机绝缘材料。
驱动薄膜晶体管222绝大部分设于层间绝缘层233的上表面，但其部分电极层会穿过层间绝缘层233电连接至开关薄膜晶体管221，驱动薄膜晶体管222包括第二栅极层2221、第二源极层2222、第二漏极层2223、第二沟道层以及绝缘层23中的第二栅极绝缘层232。驱动薄膜晶体管222为有机薄膜驱动晶体管。
第二栅极层2221设于层间绝缘层233的上表面，且穿过层间绝缘层233，电连接至开关薄膜晶体管221的第一源漏极层2213，具体地，第二栅极层2221电连接至开关薄膜晶体管221的漏极层，使得数据信号从开关薄膜晶体管221的源极层输入，再输出至驱动薄膜晶体管222。第二栅极层2221的材质为透明金属材料，透光性强。
第二栅极绝缘层232设于第二栅极层2221以及层间绝缘层233的上表面，起到驱动薄膜晶体管222内部走线之间的绝缘作用。
支撑层26设于第二栅极绝缘层232的上表面，用来改善第二源极层2222的表面附着力。
第二源漏极层设于支撑层26的上表面，所述第二源漏极层包括第二源极层2222以及第二漏极层2223。
第二源极层2222设于支撑层26的上表面，且依次穿过支撑层26以及层间绝缘层233，电连接至开关薄膜晶体管221的源极层，第二源极层2222接入VDD驱动信号，可驱动发光器件24发光。第二源极层2222的材质为采用特殊工艺制作的稀疏排列的碳纳米管，使得第二栅极层2221发出的电场线可以穿过第二源极层2222，可以实现栅压对碳纳米管和第二沟道层间空穴注入势垒的调控，从而实现驱动薄膜晶体管222的开关及驱动性能。
像素定义层27设于支撑层26以及第二源极层2222的上表面，像素定义层27上设有若干通孔，在所述通孔内放置发光器件24，所以可根据所述通孔的大小来定义本实施例中显示面板的发光区110的大小，所述通孔以外的像素定义层27所在区域为非发光区120，即发光器件24以外的像素定义层27所在区域为非发光区120。
发光器件24设于所述通孔内，其底部电连接至驱动薄膜晶体管222的第二源极层2222，发光器件24包括驱动薄膜晶体管222的第二沟道层、空穴注入层、空穴传输层、OLED发光层、电子传输层、电子注入层等功能层。发光器件24所在区域即为发光区110，发光器件24以外的区域则为非发光区120，附图1、图2中仅标识部分发光区110以及非发光区120。
第二漏极层2223设于发光器件24的上表面，即设于发光器件24顶层的上表面，第二漏极层2223接入VSS信号。
在本实施例中，发光器件24设于驱动薄膜晶体管222的源漏电极之间，即发光器件24集成于驱动薄膜晶体管222内，实现驱动薄膜晶体管及发光一体化的设计。驱动薄膜晶体管222的第二源极相当于阳极，驱动薄膜晶体管222的第二漏极相当于阴极，驱动薄膜晶体管222的第二沟道层直接设于发光器件24的底部，所述第二沟道层的材质为有机半导体材料。
显示面板2的驱动薄膜晶体管222采用垂直结构的有机薄膜晶体管，沟道长度可以缩减到亚微米的程度，使得整个面板的TFT性能更加均匀稳定，因此不需要传统OLED显示屏的7TIC补偿电路，只需基本的2TIC电路即可满足面板的发光均一性的要求，此时，显示装置的开口率会最大化。
当本实施中的显示装置的开口率和传统7T1C补偿电路的显示装置的开口率相当的时候，其不发光的区域(即非发光区120)就可以做成均一的阵列透光孔20，如图1或图2所示，透光孔2依次贯穿像素定义层27、支撑层26、第二栅极绝缘层232、层间绝缘层233、第一栅极绝缘层231以及阻隔层25，这样的透光孔20有利于影像采集装置3的均匀采光，更进一步有利于影像采集装置3中传感器进行还原算法。
为保证屏下摄像头的采光性能，本实施例中的像素电路需要减少金属布线的复杂程度，使得更多区域尽可能的多透光，提高显示装置的透光性能，因此本实施例中的驱动电路采用2T1C的基本电路，如图3所示，2T1C电路包括一个开关薄膜晶体管，一个驱动薄膜晶体管以及一个存储电容。所述开关薄膜晶体管的栅极接入扫描信号(Scan)，其源极接入数据信号(Vdata)，其漏极连接至所述驱动薄膜晶体管的栅极，所述驱动薄膜晶体管的源极接入VDD信号，其漏极接入VSS信号，所述存储电容一端连接至所述驱动薄膜晶体管的栅极，其另一端连接至所述开关薄膜晶体管的漏极。
所述2T1C电路没有补偿功能，因此需要驱动薄膜晶体管222的电性尽可能均一，本实施例采用垂直沟道的有机薄膜晶体管代替LTPS薄膜晶体管，不同于传统水平沟道的薄膜晶体管，垂直薄膜晶体管的采用堆叠结构，其源漏极分别位于有机半导体沟道层的上下两侧(参见图2)，有机半导体的厚度即为驱动薄膜晶体管222的沟道长度，即所述第二沟道层的长度，其厚度在亚微米级别，因此驱动薄膜晶体管222可以获得较高的驱动电流。
由于驱动薄膜晶体管222采用碳纳米管的第二源极层2222和堆叠结构的有机半导体第二沟道层，因此发光器件24的空穴注入层、空穴传输层、OLED发光层、电子传输层、电子注入层等功能层可以完美的堆叠到所述第二沟道层上，实现驱动薄膜晶体222和发光器件24的集成。将发光器件24和驱动薄膜晶体管222堆叠后集成为一个器件，则大大的增大了像素的开口率，即将发光区110面积的最大化。
结合图3和图4，进一步解释本实施例中显示面板2的像素的设计及驱动原理，本实施例所示的显示面板的中每个子像素都由2T1C电路控制发光，开关薄膜晶体221为普通的a-Si TFT,驱动薄膜晶体管222为垂直沟道的有机薄膜晶体管，发光器件24直接集成到驱动薄膜晶体管222上。扫描线(Scan)接入至开关薄膜晶体管221的栅极，控制栅极电压将开关薄膜晶体管221打开后，数据信号(Vdata)从开关薄膜晶体管221的源极输出到驱动薄膜晶体管222的栅极，驱动薄膜晶体管222的源极输入VDD驱动信号，漏极输入VSS信号，从而实现发光器件24的发光。
驱动薄膜晶体管222的源极和漏极间增加一个存储电容，用来锁住Vgs，维持OLED发光的驱动电流，从而维持一帧画面的稳定性。驱动薄膜晶体管222采用垂直沟道的有机薄膜晶体管，其栅极为透明材料的ITO电极，并通过过孔与开关薄膜晶体管221的漏极相连，驱动薄膜晶体管222的源极为特殊工艺制备的网状碳纳米管电极，栅极电场线可以通过网状碳纳米管电极调控驱动薄膜晶体管222的源极和半导体层间的空穴注入势垒从而实现驱动薄膜晶体管222的驱动功能，驱动薄膜晶体管222的沟道层采用有机半导体材料，其HOMO能级与发光器件24中的空穴传输层的HOMO能级较为接近，因此可以直接将发光器件24做到驱动薄膜晶体管222的上方驱动薄膜晶体管222的源极就是发光器件24的阳极，驱动薄膜晶体管222的漏极就是发光器件24的阴极。
将发光器件24集成到驱动薄膜晶体管222上以后，大幅度的提高了发光区100的面积，使得相邻子像素之间的间隙较大，此间隙的背板结构主要有无机层构成，通过曝光蚀刻方式在这个间隙区域形成均一有序的透光孔20，影像采集装置3的摄像头就可以安置在透光孔20的下方,这样就不需要给摄像头规划一个特定的区域，使得影像采集装置3可以放置在显示面板的各个位置，也可以放置双摄像头(参见图5)。
影像采集装置3设于底板1的凹槽11与基层21的厚度减薄区211所形成的空腔内，影像采集装置3包括摄像头，所述摄像头的出光面朝向显示面板2，且与上述阵列透光孔20相对设置。
封装层28设于像素定义层27的上表面，起到阻隔外界水氧，保护显示面板2的作用，封装层28部分填充于透光孔20内，但因为封装层28所用材料为氮氧化硅和高透明的有机材料，所以不会对透光孔20的透光性造成影响。
本实施例所述显示装置的技术效果在于，采用有机薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，将发光器件直接集成至所述驱动薄膜晶体管内，提升显示装置的稳定性能，实现显示面板的最大化开口率。采用2T1C基本电路，减小金属布线的复杂程度，在非发光区内开设阵列透光孔，进一步增强透光性，使得透光孔下方的摄像头能均匀采光。
如图6所示，本实施例还提供一种显示装置的制备方法，包括步骤S1～S3。
S1提供一具有一凹槽的底板。
S2制备出显示面板，具体地，包括步骤S21～S28。
S21在一基层上制备出阻隔层，所述基层为柔性基层，所述柔性基层的材质为聚酰亚胺材料，在所述基层的上表面沉积一层无机材料，所述无机材料包括硅的氮化物、硅的氧化物、硅的氮氧化物中的至少一种，形成阻隔层，所述阻隔层用以阻隔外界水氧。
S22在所述阻隔层的上表面制备出第一栅极层，具体地，沉积一层金属材料，曝光刻蚀处理所述金属材料，形成第一栅极层，即为扫描信号走线。
S23在所述第一栅极层的上表面沉积一层无机绝缘材料，形成第一栅极绝缘层。在所述栅极绝缘层的上表面沉积一层沟道层材料a-Si，曝光刻蚀后形成第一沟道层，所述第一沟道层设于所述第一栅极层的上方。在所述第一沟道层以及所述第一栅极绝缘层的上表面沉积一层金属材料，曝光刻蚀所述金属材料后，形成第一源漏极层，所述第一源漏极层包括数据信号走线以及电源信号走线，形成完整的开关薄膜晶体管。
S24在所述第一源漏极层以及所述第一栅极绝缘层的上表面沉积一层无机绝缘材料或有机绝缘材料，形成层间绝缘层，在所述第一源漏极层上方的层间绝缘层处曝光刻蚀处理，形成接触孔，用以开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管之间的电连接。
S25在所述层间绝缘层的上表面沉积一层透明氧化铟锡材料(ITO)，曝光刻蚀处理后，在所述开关薄膜晶体管上方形成第二栅极层，采用透明氧化铟锡材料作为第二栅极层，可增强透光性。在所述第二栅极层以及所述层间绝缘层的上表面沉积一层无机绝缘材料，形成第二栅极绝缘层。在所述第二栅极绝缘层的上表面形成一层支撑层以及阵列排布的透光孔，所述支撑层用来改善第二源极层的表面附着力，所述透光孔设于所述开关薄膜晶体管以外的区域处，依次贯穿所述支撑层、所述第二栅极绝缘层、所述层间绝缘层、所述第一栅极绝缘层以及所述阻隔层。所述透光孔有利于屏下影像采集装置的均匀采光，更进一步有利于影像采集装置中传感器进行还原算法。
S26在所述支撑层的上表面沉积一层采用特殊工艺制作的稀疏排列的碳纳米管，曝光刻蚀处理后，形成第二源极层，所述第二源极层通过所述接触孔电连接至所述开关薄膜晶体管的第一源漏极层。在所述第二源极层以及所述支撑层的上表面沉积一层有机光阻材料，曝光显影后形成像素定义层以及若干通孔，一部分通孔用以放置发光器件，另一部分通孔与所述透光孔相对设置。在所述通孔内依次蒸镀出第二沟道层、空穴注入层、空穴传输层、OLED发光层、电子传输层、电子注入层等功能层，所述第二沟道层的材质为有机半导体材料。在所述发光器件的上表面制备出第二漏极层，所述第二漏极层的面积与所述发光器件的上表面的面积相等，形成驱动薄膜晶体管，发光器件集成于所述驱动薄膜晶体管内，所述第二源极层相当于所述发光器件的阳极，所述第二漏极层相当于所述发光器件的阴极。
S27在所述第二漏极层以及所述像素定义层的上表面形成封装层，所述封装层填充于所述透光孔内，但因为所述封装层所用材料为氮氧化硅和高透明的有机材料，所以不会对所述透光孔的透光性造成影响。
S28对所述基层的下表面做激光减薄处理，形成一厚度减薄区，所述厚度减薄区用以放置影像采集装置，使得摄像头的采光性能更好，形成显示面板。
S3安装影像采集装置，具体地，包括：将一影像采集装置放置于所述底板的凹槽内，将所述底板与所述显示面板基层的厚度减薄区相对设置，围成一空腔内，完成所述影像采集装置、所述底板以及所述显示面板的组装。
本发明实施例所述显示装置的制备方法的技术效果在于，采用有机薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，将发光器件直接集成至所述驱动薄膜晶体管内，提升显示装置的稳定性能，实现显示面板的最大化开口率。采用2T1C基本电路，减小金属布线的复杂程度，在非发光区内开设阵列透光孔，进一步增强透光性，使得透光孔下方的摄像头能均匀采光。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上本发明实施例所提供的一种显示装置及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：显示区以及围绕所述显示区的非显示区；所述显示区包括发光区以及围绕所述发光区的非发光区；
所述显示装置还包括：
底板，设有一凹槽；
显示面板，设于所述底板具有所述凹槽一侧的表面；以及
影像采集装置，设于所述底板的凹槽内；
其中，所述显示面板包括：
基层，其朝向所述底板的一侧具有厚度减薄区，所述厚度减薄区与所述凹槽相对设置且相互连通；
薄膜晶体管，设于所述基层远离所述底板一侧的表面；
绝缘层，设于所述基层远离所述底板一侧的表面，其设有透光孔，所述透光孔设于所述非发光区内，且与所述厚度减薄区相对设置。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示面板包括2T1C电路结构，包括：
开关薄膜晶体管，其栅极接入扫描信号，其源极接入数据信号；
驱动薄膜晶体管，其栅极连接至所述开关薄膜晶体管的漏极，其源极接入VDD信号，其漏极接入VSS信号；以及
一存储电容，其一端连接至所述驱动薄膜晶体管的栅极，其另一端连接至所述开关薄膜晶体管的漏极。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述显示面板还包括：
阻隔层，设于所述基层远离所述底板一侧的表面，所述开关薄膜晶体管设于所述阻隔层远离所述基层一侧的表面；以及
层间绝缘层，设于所述开关薄膜晶体管远离所述阻隔层一侧，所述驱动薄膜晶体管设于所述层间绝缘层远离所述开关薄膜晶体管一侧的表面。
4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述开关薄膜晶体管包括：
第一栅极层，设于所述阻隔层远离所述基层一侧的表面；
第一栅极绝缘层，设于所述第一栅极层以及所述阻隔层远离所述基层一侧的表面；
第一沟道层，设于所述第一栅极绝缘层远离所述第一栅极层一侧的表面，且与所述第一栅极层相对设置；以及
第一源漏极层，设于所述第一沟道层和/或所述第一栅极绝缘层远离所述阻隔层一侧的表面。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述驱动薄膜晶体管包括：
第二栅极层，设于所述层间绝缘层远离所述开关薄膜晶体管一侧的表面，且穿过所述层间绝缘层，搭接至所述开关薄膜晶体管的第一源漏极层；
第二栅极绝缘层，设于所述第二栅极层以及所述层间绝缘层远离所述阻隔层一侧的表面；以及
第二源漏极层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述层间绝缘层一侧的表面；
所述薄膜晶体管为垂直沟道的薄膜晶体管。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述显示面板还包括：
支撑层，设于所述第二栅极绝缘层远离所述层间绝缘层一侧的表面；
像素定义层，设于所述支撑层远离所述第二栅极绝缘层一侧的表面；以及
发光器件，贯穿所述像素定义层。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第二源漏极层包括：
第二源极层，贯穿所述支撑层、所述第二栅极绝缘层以及所述层间绝缘层，电连接至所述第一源漏极层；以及
第二漏极层，设于所述发光器件远离所述支撑层一侧的表面，且与所述发光器件的顶面面积相同。
8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述发光器件集成于所述驱动薄膜晶体管内。
9.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一具有一凹槽的底板；
制备出显示面板，包括：在一基层上制备出薄膜晶体管以及绝缘层，在所述基层的下表面挖出厚度减薄区；在所述绝缘层上开孔，形成透光孔，所述透光孔与所述影像采集装置相对设置；
安装影像采集装置，包括：将一影像采集装置放置于所述凹槽与所述厚度减薄区所围成的空腔内，组装所述影像采集装置、所述底板以及所述显示面板。
10.如权利要求9所述的显示装置的制备方法，其特征在于，
在所述基层的上表面制备出开关薄膜晶体管以及驱动薄膜晶体管；
将发光器件集成至所述驱动薄膜晶体管内。
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