CN111812357B - 一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针，该探针由三臂式悬臂梁、金属接触焊盘、打印用镍铬合金加热电极、输运用镍铬合金加热电极和聚合物存储区组成。本发明采用光刻、湿法刻蚀等常规微纳加工工艺制作得到。本发明利用加热电极的梯度密度设计，产生连续的温度梯度变化，从而实现打印料物从储存区到针尖区的持续性输运，实现自填料。本发明可以和CMOS工艺无缝集成，且打印出的材料可以通过CMOS工艺中常用的丙酮或者氧气等离子体彻底消除，没有沾污；而且采用本发明的微纳米加工方法只需要造价远远低于电子束光刻机或者极紫外光刻机的原子力显微镜，在常温下打印，具有成本低、使用简单的特点。
Description
技术领域
本发明属于微纳米制造技术领域，尤其涉及一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针。
背景技术
可控和可重复性制造是纳米机电系统NEMS(Nano-Electro-Mechanical System)中的核心问题，也是限制其在信息技术、医疗健康、环境能源、国防军事等领域广泛应用的重要原因。其中主要的一个技术瓶颈在于如何同时实现高精度、低成本且与CMOS电路工艺集成的纳米加工工艺。理想的纳米机电系统的制造方法需要速度快、可靠性高、成本低、使用方便、对材料破坏损伤小、可实现对加工结果实时的监测等特点。相较于目前主流的纳米加工工艺，例如电子束光刻、聚焦离子刻蚀、纳米压印、深紫外光刻等，基于扫描探针的纳米加工方法有着精度高，沾污小，依赖成本相对其他纳米加工设备比较低的原子力显微镜，且具有加工任何形状的自由度，有着较大的量产可能性。
基于扫描探针的加工技术，利用一个扫描探针和衬底在局部纳米尺度区域发生相互作用，实现微纳米加工。根据其使用的显微镜类型，可分为采用扫描隧道显微镜的扫描探针加工工艺和采用原子力显微镜的扫描探针加工技术。采用扫描隧道显微镜的扫描探针加工技术主要优势是可以达到原子精度，但是速度极慢，目前远远不适合纳机电器件的制造。基于原子力显微镜的扫描探针加工技术速度更快，大部分不需要真空环境，操作简单，更合适用于微纳米器件的加工。
在多种采用原子力显微镜平台的基于扫描探针的微纳米加工技术中，添加式的基于热扫描探针的加工方法目前在制造纳机电系统方面展示了巨大的潜力。该种技术的主要原理是通过一个可加热的的原子力显微镜探针，将熔融的聚合物通过探针自由端的纳米针尖打印到半导体材料衬底上，然后用打印出的聚合物纳米结构作为刻蚀掩模，通过一步衬底的刻蚀，将聚合物的纳米结构转移到半导体衬底材料上，如硅或者石墨烯，从而实现半导体材料硅和石墨烯纳米结构的制作。尤为重要的是，该方法可以和CMOS工艺无缝集成，因为打印出来的材料可以通过CMOS工艺中常用的丙酮或者氧气等离子体彻底消除，没有沾污。
现有的热探针都是利用硅悬臂梁本身作为加热电极，一般需要两步不同的硅掺杂，利用不同掺杂浓度实现不同阻值的硅，从而产生不同的发热梯度。手动添加在针尖区域的聚合物在300摄氏度左右会熔化，并从针尖输运到处于常温的衬底上，温度迅速下降固化留在衬底上。打印出的聚合物形状是由热探针的运动轨迹决定，可以通过软件控制原子力显微镜平台的探针运动轨迹从而实现任意形状的打印。但该种热探针是基于掺杂硅的，在制作过程中需要两步氧化、光刻、刻蚀和离子注入步骤。如何更为精准的控制产生表面温度梯度分布，使得熔融聚合物在微纳米打印过程中实现自填料式的精准连续打印依旧是一个比较大的技术难点。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针，由三臂式悬臂梁、金属接触焊盘、打印用镍铬合金加热电极、输运用镍铬合金加热电极和聚合物存储区组成；其中，三臂式悬臂梁呈E字型，外侧的两个悬臂梁为打印悬臂梁，中间的悬臂梁为输运悬臂梁，探针针尖位于连接三个悬臂梁的区域，且在输运悬臂梁的延长线上；聚合物存储区位于输运悬臂梁相对于探针针尖的另一端；输运悬臂梁上设有输运用镍铬合金加热电极，呈S型分布，用于加热聚合物存储区，且从聚合物存储区到探针针尖，输运用镍铬合金加热电极的分布由密到疏，沿着输运悬臂梁形成由高到低的温度梯度，使熔融聚合物流向探针针尖；打印悬臂梁和连接三个悬臂梁的区域上均设有打印用镍铬合金加热电极，呈S型均匀分布，用于加热探针针尖，使得流到探针针尖的聚合物保持液态；三臂式悬臂梁的两侧和三个悬臂梁的间隙共设有四个金属接触焊盘，用于提供加热电极的电源；三臂式悬臂梁两侧的两个金属接触焊盘分别连接打印用镍铬合金加热电极的两端形成回路；三个悬臂梁间隙中的两个金属接触焊盘分别连接输运用镍铬合金加热电极的两端形成回路。
本发明的有益效果是：本发明利用梯度加热电极的设计实现自填料式微纳米打印，从而将突破目前热探针无法持续打印微纳米结构的技术瓶颈，以此来提高微纳米加工的稳定性、可靠性和持续性，可通过更改针尖尺寸、聚合物种类以及温度变化梯度并控制打印速度实现1-2微米、10-100纳米的打印制作纳机电器件甚至10纳米以下精度的结构制造；可以和CMOS工艺无缝集成，具有低成本、使用简单的特点。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：
图1是本发明的三臂式热探针制作方法示意图；
图2是本发明的三臂式热探针示意图；
图3是本发明在纳米打印应用上的示意图；
图中，SOI顶层单晶硅11、氮化硅保护层12、二氧化硅13、SOI底层单晶硅14、镍铬合金电极15、三臂式悬臂梁16、探针针尖21、金属接触焊盘22、打印用镍铬合金加热电极23、输运用镍铬合金加热电极24、熔融聚合物26、聚合物存储区27、金属电极34、二维材料35、三臂式自填料热探针36、聚合物掩膜37。
具体实施方式
本发明一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针，利用加热电极的梯度密度设计，产生连续的温度梯度变化，从而实现打印料物从存储区到针尖区的持续性输运，可实现低成本的实时自填料高精度微纳米打印。
本发明一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针的制作方法，包括以下步骤：
如图1所示，在SOI硅片上制作做出2×2微米大小左右的氮化硅掩膜，然后进行湿法的各向同性腐蚀，制作出初步针尖，去掉掩膜后，再通过硅的氧化和氢氟酸腐蚀来进一步减小针尖的顶端半径。在针尖区域周围依次采用传统的光刻、电子束蒸镀、光刻胶剥离方法制作镍铬合金薄膜，最后采用基于SOI衬底的工艺技术制造悬臂梁，具体为：
(1.1)如图1(a)，以SOI硅片为原材料，在SOI顶层单晶硅11表面依次采用光刻、溅射、光刻胶剥离工艺制作氮化硅保护层12；
(1.2)如图1(b)，采用各向同性湿法刻蚀SOI顶层单晶硅11得到初步针尖；如图1(c)，去掉氮化硅保护层12；如图1(d)，依次利用硅氧化和氢氟酸进一步刻蚀SOI顶层单晶硅11上的初步针尖，得到最终的探针针尖21；
(1.3)如图1(e)为探针针尖21制作完成的SOI硅片；如图1(f)，依次采用传统光刻、电子束蒸镀、光刻胶剥离方法在SOI顶层单晶硅1表面制作镍铬合金电极15金属薄膜；
(1.4)如图1(g)，将SOI顶层单晶硅1刻蚀成E字型，得到三臂式悬臂梁16；
(1.5)如图1(h)，对SOI底层单晶硅14进行背部光刻，在需要的区域进行硅的深法刻蚀，直至SOI硅片中间的二氧化硅13牺牲层部分；
(1.6)如图1(i)，用氢氟酸腐蚀裸露的二氧化硅13层，释放三臂式悬臂梁16，最终得到三臂式热扫描探针36。
如图2所示，本发明一种用于微纳米制造的自填料三臂式自填料热探针，由三臂式悬臂梁16、金属接触焊盘22、打印用镍铬合金加热电极23、输运用镍铬合金加热电极24和聚合物存储区27组成。其中，三臂式悬臂梁16呈E字型，外侧的两个悬臂梁为打印悬臂梁，中间的悬臂梁为输运悬臂梁，探针针尖21位于连接三个悬臂梁的区域，且在输运悬臂梁的延长线上；聚合物存储区27位于输运悬臂梁相对于探针针尖21的另一端；输运悬臂梁上设有输运用镍铬合金加热电极24，也呈S型分布，用于加热聚合物存储区27，且从聚合物存储区27到探针针尖21，输运用镍铬合金加热电极24的分布由密到疏，沿着输运悬臂梁形成由高到低的连续的温度梯度，使熔融聚合物26流向探针针尖21；打印悬臂梁和连接三个悬臂梁的区域上均设有打印用镍铬合金加热电极23，呈S型均匀分布，用于加热探针针尖21，使得流到探针针尖21的聚合物保持液态，用于自填料式的微纳米打印；三臂式悬臂梁16的两侧和三个悬臂梁的间隙共设有四个金属接触焊盘22，用于提供加热电极的电源；三臂式悬臂梁16两侧的两个金属接触焊盘22分别连接打印用镍铬合金加热电极23的两端形成回路；三个悬臂梁间隙中的两个金属接触焊盘22分别连接输运悬臂梁上输运用镍铬合金加热电极24的两端形成回路。
本发明的应用实施例如图3所示，制造100纳米以下的硅基纳机电器件和二维材料的纳机电器件，具体步骤如下：
(3.1)如图3(a)，以SOI硅片为原材料；如图3(b)，在SOI顶层单晶硅11表面依次采用光刻、电子束蒸镀、光刻胶剥离技术制作微尺度金属电极34；
(3.2)如图3(c)，ICP刻蚀SOI顶层单晶硅31薄膜未受金属电极34保护的部分；
(3.3)如图3(d)，转印二维材料于步骤(3.2)刻蚀后的SOI硅片表面；
(3.4)如图3(e)，利用三臂式自填料热探针36，在SOI硅片刻蚀部分打印100纳米尺度的聚合物掩膜37；
(3.5)如图3(f)，刻蚀二维材料无聚合物掩膜37部分，然后去除表面聚合物掩膜37得到悬空的二维材料纳米带。
Claims (1)
1.一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针，其特征在于，由三臂式悬臂梁、金属接触焊盘、打印用镍铬合金加热电极、输运用镍铬合金加热电极和聚合物存储区组成；其中，三臂式悬臂梁呈E字型，外侧的两个悬臂梁为打印悬臂梁，中间的悬臂梁为输运悬臂梁，探针针尖位于连接三个悬臂梁的区域，且在输运悬臂梁的延长线上；聚合物存储区位于输运悬臂梁相对于探针针尖的另一端；输运悬臂梁上设有输运用镍铬合金加热电极，呈S型分布，用于加热聚合物存储区，且从聚合物存储区到探针针尖，输运用镍铬合金加热电极的分布由密到疏，沿着输运悬臂梁形成由高到低的温度梯度，使熔融聚合物流向探针针尖；打印悬臂梁和连接三个悬臂梁的区域上均设有打印用镍铬合金加热电极，呈S型均匀分布，用于加热探针针尖，使得流到探针针尖的聚合物保持液态；三臂式悬臂梁的两侧和三个悬臂梁的间隙共设有四个金属接触焊盘，用于提供加热电极的电源；三臂式悬臂梁两侧的两个金属接触焊盘分别连接打印用镍铬合金加热电极的两端形成回路；三个悬臂梁间隙中的两个金属接触焊盘分别连接输运用镍铬合金加热电极的两端形成回路。
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| CN111812357B (zh) * | 2020-07-10 | 2021-05-25 | 浙江大学 | 一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针 |
| CN113504394B (zh) * | 2021-07-12 | 2024-01-23 | 中国科学院半导体研究所 | 镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针 |
| CN115267261B (zh) * | 2022-08-11 | 2024-10-11 | 中国科学技术大学 | 一种曳尾式微悬臂梁原子力扫描探针的制备方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1554119A (zh) * | 2001-07-26 | 2004-12-08 | ����ŵ����ѧ���й���ίԱ�� | 用于纳米光刻的平行的、可单独寻址的探针 |
| CN1875469A (zh) * | 2003-08-26 | 2006-12-06 | 纳米墨水公司 | 将纳米蚀刻作为构图手段来制造导电图案的方法 |
| CN1967687A (zh) * | 2005-11-17 | 2007-05-23 | Lg电子株式会社 | 使用悬臂结构的毫微数据写入和读取设备及其制造方法 |
| CN101035629A (zh) * | 2004-08-18 | 2007-09-12 | 海军秘书处代表的美国政府 | 蘸礁笔纳米平板印刷术的沉积作用中的热控制 |
| KR20080098143A (ko) * | 2007-05-04 | 2008-11-07 | 엘지전자 주식회사 | 탐침형 원자현미경 기반 나노정보저장장치의 헤드, 그 제조방법 및 나노저장장치 |
| CN101920338A (zh) * | 2010-06-24 | 2010-12-22 | 西安交通大学 | 一种原位还原金属纳米结构的直写方法 |
| CN108557755A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-21 | 上海交通大学 | 一种高频交流电驱动的局域阳极氧化加工方法 |
| JP2019113368A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 国立大学法人金沢大学 | 液体充填方法、ｓｉｃｍ用プローブの製造方法、ｓｉｃｍ用プローブ及びｓｉｃｍ |
| CN110146726A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-20 | 季华实验室 | 用于控制探针温度的方法 |
| CN110143568A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-20 | 季华实验室 | 在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法 |
| EP3623821A1 (en) * | 2018-09-14 | 2020-03-18 | Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (CSIC) | System for scanning probe microscopy applications and method for obtaining said system |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4089575A (en) * | 1976-09-27 | 1978-05-16 | Amp Incorporated | Connector for connecting a circuit element to the surface of a substrate |
| US5929438A (en) * | 1994-08-12 | 1999-07-27 | Nikon Corporation | Cantilever and measuring apparatus using it |
| US6509217B1 (en) * | 1999-10-22 | 2003-01-21 | Damoder Reddy | Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same |
| TWI232944B (en) * | 2003-10-17 | 2005-05-21 | Ind Tech Res Inst | MEMS differential actuated scanning nano probe |
| US20050236566A1 (en) * | 2004-04-26 | 2005-10-27 | Chang Liu | Scanning probe microscope probe with integrated capillary channel |
| JP2012532342A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-13 | ナノインク インコーポレーティッド | フォトマスクの修復方法 |
| EP2848997A1 (en) * | 2013-09-16 | 2015-03-18 | SwissLitho AG | Scanning probe nanolithography system and method |
| GB2521417A (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-24 | Swisslitho Ag | Multiscale patterning of a sample with apparatus having both thermo-optical lithography capability and thermal scanning probe lithography capability |
| EP3615226B1 (en) * | 2017-02-02 | 2024-07-17 | Tera-Print, Llc | Electrical contact auto-alignment strategy for highly parallel arrays in cantilever free scanning probe lithography |
| CN110656358B (zh) * | 2019-10-17 | 2021-02-05 | 中北大学 | 一种微米级纯铝的3d打印设备及方法 |
| CN111812357B (zh) * | 2020-07-10 | 2021-05-25 | 浙江大学 | 一种用于微纳米制造的自填料三臂式热扫描探针 |
-
2020
- 2020-07-10 CN CN202010662491.1A patent/CN111812357B/zh active Active
-
2021
- 2021-06-18 US US17/767,904 patent/US11970392B2/en active Active
- 2021-06-18 WO PCT/CN2021/100920 patent/WO2022007615A1/zh active Application Filing
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1554119A (zh) * | 2001-07-26 | 2004-12-08 | ����ŵ����ѧ���й���ίԱ�� | 用于纳米光刻的平行的、可单独寻址的探针 |
| CN1875469A (zh) * | 2003-08-26 | 2006-12-06 | 纳米墨水公司 | 将纳米蚀刻作为构图手段来制造导电图案的方法 |
| CN101035629A (zh) * | 2004-08-18 | 2007-09-12 | 海军秘书处代表的美国政府 | 蘸礁笔纳米平板印刷术的沉积作用中的热控制 |
| CN1967687A (zh) * | 2005-11-17 | 2007-05-23 | Lg电子株式会社 | 使用悬臂结构的毫微数据写入和读取设备及其制造方法 |
| KR20080098143A (ko) * | 2007-05-04 | 2008-11-07 | 엘지전자 주식회사 | 탐침형 원자현미경 기반 나노정보저장장치의 헤드, 그 제조방법 및 나노저장장치 |
| CN101920338A (zh) * | 2010-06-24 | 2010-12-22 | 西安交通大学 | 一种原位还原金属纳米结构的直写方法 |
| JP2019113368A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 国立大学法人金沢大学 | 液体充填方法、ｓｉｃｍ用プローブの製造方法、ｓｉｃｍ用プローブ及びｓｉｃｍ |
| CN108557755A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-09-21 | 上海交通大学 | 一种高频交流电驱动的局域阳极氧化加工方法 |
| EP3623821A1 (en) * | 2018-09-14 | 2020-03-18 | Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (CSIC) | System for scanning probe microscopy applications and method for obtaining said system |
| CN110146726A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-20 | 季华实验室 | 用于控制探针温度的方法 |
| CN110143568A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-08-20 | 季华实验室 | 在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 扫描探针纳米加工技术的现状与发展趋势;宫建茹等;《大学化学》;20030228;第18卷(第1期);第7-11页 * |
| 用于热机械微纳加工的掺 Al 多晶硅加热器;荣皓等;《光学精密工程》;20110131;第19卷(第1期);第124-131页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240002220A1 (en) | 2024-01-04 |
| US11970392B2 (en) | 2024-04-30 |
| CN111812357A (zh) | 2020-10-23 |
| WO2022007615A1 (zh) | 2022-01-13 |
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