CN111653602B - 有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种有机电致发光显示面板，包括发光区，以及位于发光区之间的非发光区。有机电致发光显示面板还包括：基板、像素定义层和感光单元。感光单元和像素定义层位于基板的同一侧。像素定义层为透明绝缘层，包括位于发光区的开口部和位于开口部周围的堤部，堤部位于非发光区。感光单元包括感光半导体结构，感光半导体结构位于非发光区，且包裹在堤部内。由于本申请实施例的感光半导体结构位于所述非发光区，且包裹在所述堤部内，利用一次成膜、一次光刻工艺就制备出像素界定层以及感光半导体结构，大大简化了有机发光二极管光学补偿结构的工艺制程。

Description

有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体为一种有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置。

背景技术

由于工艺、材料以及设计等方面的原因，有机发光二极管显示装置通常会产生亮度不均的现象，从而造成显示画面的质量降低。对于显示画面亮度不均的现象。在现有技术中，一般会通过在显示装置的盖板玻璃上对应每一发光单元的上方制作感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管，以对显示装置中的发光单元的亮度进行实时监控，进而通过外部补偿的方式，进行实时光学补偿。

然而，将感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管制作在发光单元的上方会导致显示面板的开口率下降，造成显示面板的光利用率低等弊端。另外，目前在盖板玻璃上制作的感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管，通常膜层结构复杂，制备工艺繁琐。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置，用于解决现有技术中由于将感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管制作在发光单元的上方，从而导致显示面板的开口率下降，造成显示面板的光利用率低的技术问题。

为了解决上述问题，本申请实施例主要提供如下技术方案：

在第一方面中，本申请实施例公开了一种有机电致发光显示面板，包括发光区，以及位于所述发光区之间的非发光区，该有机电致发光显示面板还包括：基板、像素定义层和感光单元；

所述感光单元和所述像素定义层位于所述基板的同一侧；

所述像素定义层为透明绝缘层，包括位于所述发光区的开口部和位于所述开口部周围的堤部，所述堤部位于所述非发光区；

所述感光单元包括感光半导体结构，所述感光半导体结构位于所述非发光区，且包裹在所述堤部内。

可选地，该有机电致发光显示面板包括若干阵列排列的发光单元，所述发光单元与有机电致发光显示面板的亚像素单元一一对应设置；

所述感光单元与所述发光单元一一对应设置，每一所述感光单元用于接收与该感光单元对应位置处的所述发光单元发出的光，并进行光电感应后形成电信号；或者，

一所述感光单元与至少两个所述发光单元对应设置，该感光单元用于在同一时间段仅接收与该感光单元对应位置处的一个所述发光单元发出的光，并进行光电感应后形成电信号。

可选地，所述发光单元包括阳极、有机功能层和阴极，所述有机功能层位于所述开口部内，所述阳极位于所述有机功能层靠近所述基板一侧，所述阴极位于所述有机功能层远离所述基板一侧；

所述感光单元包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述感光半导体结构靠近所述基板一侧，所述第二电极位于所述感光半导体结构远离所述基板一侧；

所述第一电极与所述阳极同层设置，所述第二电极与所述阴极同层设置。

可选地，该有机电致发光显示面板包括用于控制所述感光单元的第一薄膜晶体管和用于控制所述发光单元的第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均位于所述非发光区，且所述第一薄膜晶体管在所述基板上的正投影区域与所述第二薄膜晶体管在所述基板上的正投影区域无重叠区域；

所述第一薄膜晶体管位于所述第一电极靠近所述基板一侧，包括第一栅极、第一半导体有源层和第一源极和第一漏极；

所述第二薄膜晶体管位于所述阳极靠近所述基板一侧，包括第二栅极、第二半导体有源层和第二源极和第二漏极；

所述第一栅极与所述第二栅极位于同一层，所述第一半导体有源层与所述第二半导体有源层位于同一层；

所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极位于同一层。

可选地，该有机电致发光显示面板包括位于所述第一薄膜晶体管和所述感光单元之间的钝化层和平坦层，所述钝化层远离所述感光单元设置，所述平坦层靠近所述感光单元设置；

所述第一电极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第一过孔与所述第一漏极连接；

所述阳极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第二过孔与所述第二漏极连接。

在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括第一方面所述的有机电致发光显示面板。

在第三方面中，本申请实施例公开了一种第一方面所述的有机电致发光显示面板的制作方法，包括：

提供一基板，在所述基板一侧制作非晶硅半导体层；

在所述非晶硅半导体层上涂覆光刻胶，采用灰阶曝光、显影方法形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，所述光刻胶完全去除区与需要形成所述开口部的区域对应，所述光刻胶完全保留区与需要形成所述感光半导体结构的区域对应；

采用刻蚀方法形成所述开口部，并去除光刻胶半保留区的光刻胶，暴露出所述非晶硅半导体层；

对暴露出的所述非晶硅半导体层进行氧化处理，形成所述堤部，以及被该堤部包裹的所述感光半导体结构。

可选地，所述在所述基板一侧制作非晶硅半导体层，包括：

在所述基板一侧依次沉积N型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和P型非晶硅半导体层；或，在所述基板一侧依次沉积P型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和N型非晶硅半导体层；

所述去除光刻胶半保留区的光刻胶，包括：

采用灰化工艺去除光刻胶半保留区的光刻胶。

可选地，所述在所述基板一侧制作非晶硅半导体层之前，包括：

在所述基板上通过构图工艺制作第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体有源层和第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二半导体有源层和第二源极和第二漏极；

在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上通过构图工艺依次制作钝化层和平坦层，以及制作贯穿所述钝化层和所述平坦层的第一过孔和第二过孔；

在所述平坦层上通过构图工艺制作第一电极和阳极，所述第一电极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第一过孔与所述第一漏极连接，所述阳极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第二过孔与所述第二漏极连接。

可选地，所述形成所述堤部，以及被该堤部包裹的所述感光半导体结构之后，包括：

在所述开口部内制作有机功能层，所述有机功能层包括电子传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层和空穴传输层；

采用构图工艺制作阴极和第二电极，所述阴极位于所述有机功能层上，所述第二电极位于所述感光半导体结构上。

借由上述技术方案，本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点：

由于本申请实施例的有机电致发光显示面板包括像素定义层和感光单元，像素定义层为透明绝缘层，包括位于发光区的开口部和位于开口部周围的堤部，堤部位于非发光区，感光单元包括感光半导体结构，感光半导体结构位于非发光区，且包裹在堤部内，当在开口部制作发光层后，发光层发出的光线能够沿透明的堤部传到感光半导体结构，进而能够对发光层发出的光进行实时监控，由于感光半导体结构位于非发光区，且包裹在堤部内，因此避免了目前现有技术中因将感光单元设置于自发光单元的出光侧而导致显示面板开口率下降的问题，且不会增加有机发光二极管显示面板的厚度。

上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文可选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的，而并不认为是对本申请实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本申请实施例的有机电致发光显示面板的结构示意图；

图2为本申请实施例的感光单元与发光单元布设的第一实施例的结构示意图；

图3为本申请实施例的感光单元与发光单元布设的第二实施例的结构示意图；

图4为本申请实施例的感光单元与发光单元布设的第三实施例的结构示意图；

图5为本申请实施例的有机电致发光显示面板的制造方法的流程图；

图6为对本申请实施例的有机电致发光显示面板的平坦层进行打孔处理后的结构示意图；

图7为在图6的平坦层的打孔处添加阳极以及下电极后的结构示意图；

图8为在图7的平坦层具有阳极和下电极一侧上涂覆非晶硅半导体层后的结构示意图；

图9为在图8的非晶硅半导体层远离非晶硅半导体层的一侧形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区的结构示意图；

图10为在图9的光刻胶完全去除区制作开口部后的结构示意图；

图11为去除图10中的光刻胶半保留区后的结构示意图；

图12为对图11中的像素定义层进行氧化处理后的结构示意图；

图13为去除图12中感光半导体结构上方的光刻胶后的结构示意图；

图14为在图13的开口部内制作有机功能层后的结构示意图。

附图标记介绍如下：

100-有机电致发光显示面板；1-基板；11-像素定义层；16-感光单元；17-发光单元；13-开口部；111-感光半导体结构；112-堤部；10-阳极；14-有机功能层；15-阴极；101-第一电极；151-第二电极；30-第一薄膜晶体管；21-第一栅极；41第一半导体有源层、33-第一源极；61-第一漏极；

31-第二薄膜晶体管；2-第二栅极；4-第二半导体有源层、34-第二源极；6-第二漏极；3-栅极绝缘层；5-层间介质层；7-钝化层；8-平坦层；91-第一过孔；92-第二过孔；

12-光刻胶；121-光刻胶完全保留区；122-光刻胶半保留区；123-光刻胶完全去除区；110-非晶硅半导体层。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

为了解决现有技术中由于将感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管制作在发光单元的上方，从而导致显示面板的开口率下降，造成显示面板的光利用率低的技术问题，本申请实施例提供了一种新的有机电致发光显示面板。

在第一方面中，图1示出了本申请实施例的有机电致发光显示面板100。本申请实施例的有机电致发光显示面板100包括发光区，以及位于发光区之间的非发光区，如图1所示，该有机电致发光显示面板还包括：基板1、像素定义层11和感光单元16。感光单元16和像素定义层11位于基板1的同一侧。像素定义层11为透明绝缘层，包括位于发光区的开口部13和位于开口部13周围的堤部112，堤部112位于非发光区。感光单元包括感光半导体结构111，感光半导体结构111位于非发光区，且包裹在堤部112内。

需要说明的是，本申请实施例中的感光半导体结构111为PIN光电二极管，PIN光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管，在两种半导体之间的PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器，具有结电容小、灵敏度高等优点。

由于本申请实施例的有机电致发光显示面板包括像素定义层11和感光单元16，像素定义层11为透明绝缘层，包括位于发光区的开口部13和位于开口部13周围的堤部112，堤部112位于非发光区，感光单元包括感光半导体结构111，感光半导体结构111位于非发光区，且包裹在堤部112内，当在开口部13制作发光层后，发光层发出的光线能够沿透明的堤部112传到感光半导体结构111，进而能够对发光层发出的光进行实时监控，由于感光半导体结构111位于非发光区，且包裹在堤部112内，因此避免了目前现有技术中因将感光单元16设置于自发光单元的出光侧而导致显示面板开口率下降的问题，且不会增加有机发光二极管显示面板的厚度。

可选地，继续参考图1，发光单元17包括阳极10、有机功能层14和阴极15，有机功能层14位于开口部13内，阳极10位于有机功能层14靠近基板1的一侧，阴极15位于有机功能层14远离基板1的一侧。感光单元16包括第一电极101和第二电极151，第一电极101位于感光半导体结构111靠近基板1的一侧，第二电极151位于感光半导体结构111远离基板1的一侧。第一电极101与阳极10同层设置，第二电极151与阴极15同层设置。

由于第一电极101与阳极10同层设置，第二电极151与阴极15同层设置，大大简化了有机发光二极管的整体结构，且可以通过一次构图工艺制作得到，节省了工艺时间，能够降低生产成本，且能够使得使用该有机发光二极管的产品更加轻薄，增强了有机发光二极管的市场竞争力。

可选地，如图1所示，该有机电致发光显示面板100包括用于控制感光单元16的第一薄膜晶体管30和用于控制发光单元17的第二薄膜晶体管31。第一薄膜晶体管30和第二薄膜晶体31管均位于非发光区，且第一薄膜晶体管30在基板1上的正投影区域与第二薄膜晶体管31在基板1上的正投影区域无重叠区域。第一薄膜晶体管30位于第一电极101靠近基板1一侧，包括第一栅极21、第一半导体有源层41和第一源极33和第一漏极61。第二薄膜晶体管31位于阳极10靠近基板1一侧，包括第二栅极2、第二半导体有源层4和第二源极34和第二漏极6。第一栅极21与第二栅极2位于同一层，第一半导体有源层41与第二半导体有源层4位于同一层。第一源极33、第一漏极61、第二源极34和第二漏极6位于同一层。其中，第一半导体有源层41和第二半导体有源层4可以经同一道工序制备完成，且材料可以为无定形硅、铟镓锌氧化物、低温多晶硅等等。

具体而言，第一薄膜晶体管30的第一栅极21和第二薄膜晶体管31的第二栅极2可以同时制作，第一薄膜晶体管30和第二薄膜晶体管31可以共用同一栅极绝缘层3和层间介质层5。第一薄膜晶体管30的第一半导体有源层41和第二薄膜晶体管31的第二半导体有源层4经同一道工序制备完成，第一薄膜晶体管30的第一漏极61和第二薄膜晶体管31的第二漏极6也可经同一道工序制备完成，各自与半导体有源层电连接。本申请实施例中第一薄膜晶体管30和第二薄膜晶体管31的具体结构与现有技术类似，可以为底栅型结构，也可以为底栅型结构，这里不再赘述。

可选地，如图1所示，该有机电致发光显示面板100包括位于第一薄膜晶体管30和感光单元16之间的钝化层7和平坦层8，钝化层7远离感光单元16设置，平坦层8靠近感光单元16设置。第一电极101通过贯穿钝化层7和平坦层8的第一过孔91与第一漏极61连接。阳极10通过贯穿钝化层7和平坦层8的第二过孔92与第二漏极6连接。平坦层8位于钝化层7上方，能够起到平坦保护的作用。

可选地，如图1-图4所示，本申请实施例中的有机电致发光显示面板100包括若干阵列排列的发光单元17，发光单元17与有机电致发光显示面板的亚像素单元一一对应设置。

可选地，在一个实施例中，如图2所示，感光单元16与发光单元17一一对应设置，每一感光单元16用于接收与该感光单元16对应位置处的发光单元17发出的光，并进行光电感应后形成电信号。即每一个发光单元17均对应设置有一感光单元16，也即一个感光单元16仅与一个发光单元对应，以对该发光单元的亮度进行测定。

具体地，如图1所示，对于顶发射型有机电致发光显示面板或者底发射型有机电致发光显示面板，当发光单元17发光时，会有一部分光线从像素定义层11的透明的堤部112中进行横向传播，照射到左侧的感光单元16的感光半导体结构111上，感光半导体结构111会进行光电感应并在第一电极101上进行电荷积累，此时打开左侧的第一薄膜晶体管30，将电荷信号导入到芯片处理单元，即得到此时右侧的发光单元17的发光强度信息。芯片处理单元会将根据上述信息对相应区域的发光单元16进行发光亮度的补偿控制，有效地解决有机电致发光显示面板显示的显示不均问题，具体补偿控制方法与现有技术类似，这里不再赘述。

可选地，在另一个实施例中，如图3和图4所示，一感光单元16与至少两个发光单元17对应设置，该感光单元16用于在同一时间段仅接收与该感光单元16对应位置处的一个发光单元17发出的光，并进行光电感应后形成电信号。如图3所示，一个感光单元16与列方向上的两个发光单元17对应，当然也可以是一个感光单元16与沿行方向上的两个发光单元17对应，这使得一个感光单元16可以在同一时刻对应列方向和行方向上的四个发光单元17。如图4所示，一个感光单元16设置在两个发光单元17之间，可以同时对应沿列方向上的两个发光单元17。

如图3和图4所示，在通过感光单元16侦测发光单元17的亮度时，该感光单元17对应的多个发光单元17应该分时点亮，分时侦测。在同一时刻，保证与该感光单元16对应的多个发光单元17中仅一个处于点亮状态。

在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括第一方面的有机电致发光显示面板。由于第二方面的显示装置包括了第一方面的有机电致发光显示面板，使得第二方面的显示装置具有与第一方面的有机电致发光显示面板相同的有益效果。因此，第二方面的显示装置的有益效果不再重复赘述。

在第三方面中，图5示出了本申请实施例的有机电致发光显示面板100的制造方法的流程图。如图5所示，本申请实施例公开了一种第一方面的有机电致发光显示面板100的制作方法，包括：

S101：提供一基板1，在基板1一侧制作非晶硅半导体层110。

S102：在非晶硅半导体层110上涂覆光刻胶12，采用灰阶曝光、显影方法形成光刻胶完全保留区121、光刻胶半保留区122和光刻胶完全去除区123，光刻胶完全去除区123与需要形成开口部13的区域对应，光刻胶完全保留区121与需要形成感光半导体结构111的区域对应。

S103：采用刻蚀方法形成开口部13，并去除光刻胶半保留区122的光刻胶120，暴露出非晶硅半导体层110。

S104：对暴露出的非晶硅半导体层110进行氧化处理，形成堤部112，以及被该堤部112包裹的感光半导体结构111。

通过上述制作方法，由于本申请实施例的感光半导体结构111位于非发光区，且包裹在堤部112内，利用一次成膜、一次光刻工艺就制备出像素界定层11以及感光半导体结构111，大大简化了有机电致发光显示面板的工艺制程，节约了工艺时间，降低了生产成本。同时像素定义层11为透明绝缘层，且可以与感光半导体结构111同层设置，避免了目前现有技术中因将感光单元16设置于自发光单元的出光侧而导致显示面板开口率下降的问题，且不会增加有机发光二极管显示装置的厚度。

以下通过图6-图14对本申请实施例的有机电致发光显示面板100的制作过程进行详细描述：

如图6所示，可选地，在基板1一侧制作非晶硅半导体层110之前，包括：

在基板1上通过构图工艺制作第一薄膜晶体管30和第二薄膜晶体管31，第一薄膜晶体管30包括第一栅极21、第一半导体有源层41和第一源极33和第一漏极61，第二薄膜晶体管31包括第二栅极2、第二半导体有源层4和第二源极34和第二漏极6。在第一薄膜晶体管30和第二薄膜晶体管31上通过构图工艺依次制作钝化层7和平坦层8，以及制作贯穿钝化层7和平坦层8的第一过孔91和第二过孔92。本申请实施例中的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀以及去除光刻胶的部分或全部过程。第一半导体有源层41和第二半导体有源层4的材料可以为a-Si、金属氧化物IGZO、低温多晶硅等。

接着，如图7所示，在平坦层8上通过构图工艺制作第一电极101和阳极10，第一电极101通过贯穿钝化层7和平坦层8的第一过孔91与第一漏极61连接，阳极10通过贯穿钝化层7和平坦层8的第二过孔92与第二漏极6连接。具体地，通过成膜、光刻、刻蚀等工艺，制备出发光单元17的阳极10，并同时制备出感光单元16的第一电极101。该阳极10可以为透明阳极，也可以为反射阳极中的一种，具体阳极的种类可以显示装置的类型来定。若为顶发光显示装置，则为反射阳极(如Al/ITO双层结构)，若为底发光型显示装置，则为透明阳极(如ITO材质)，若为透明显示装置则仍选用透明阳极(如ITO材质)。

随后，如图8所示，可选地，在基板1一侧制作非晶硅半导体层110。

具体地，该步骤包括：

在基板1一侧(即，在平坦层8具有第一电机101和阳极10的一侧)依次沉积N型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和P型非晶硅半导体层。或者，在另一个实施例中，在基板1一侧依次沉积P型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和N型非晶硅半导体层。在本实施例中，可以通过等离子体增强化学气相沉积法的方式依次沉积N型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和P型非晶硅半导体层。具体地，N型非晶硅半导体层为磷或者砷掺杂非晶硅半导体层，P型非晶硅半导体层为硼掺杂非晶硅半导体层。

接着，如图9所示，在非晶硅半导体层110远离平坦层8的一侧涂覆光刻胶12。采用灰阶曝光、显影方法，使得光刻胶12形成光刻胶完全保留区121、光刻胶半保留区122和光刻胶完全去除区123，光刻胶完全去除区123与需要形成开口部13的区域对应，光刻胶完全保留区121与需要形成感光半导体结构111的区域对应。具体地，通过等离子体刻蚀技术，以光刻胶12为抗刻蚀层，刻蚀制备出像素界定层11的开口部13，如图10所示。

接着，去除光刻胶半保留区122的光刻胶，具体地，采用灰化工艺去除光刻胶半保留区122的光刻胶，暴露出部分非晶硅半导体层110，形成如图11所示的结构。具体实施时，使用等离子体刻蚀设备，以O₂为气体，利用光刻胶灰化工艺，灰化去除光刻胶半保留区122的光刻胶，使需要形成像素界定层11的堤部112的区域裸露出来，同时光刻胶完全保留区域121的厚度也随之减薄，减薄后依然保护底部的非晶硅半导体层110。

接着，如图12所示，对暴露出的非晶硅半导体层110进行氧化处理，形成像素界定层11的堤部112，以及被该堤部112包裹的感光半导体结构111。在本申请实施例中，堤部112为透明绝缘层。

具体地，光刻胶12灰化制程完成后，继续在灰化设备中，利用灰化工艺以氧等离子体氧化处理未被光刻胶12保护的裸露出来的非晶硅半导体层110，将裸露出来的非晶硅半导体层110完全氧化为绝缘的二氧化硅材质。之后，剥离感光半导体结构111上方的光刻胶12，如图13所示，此时，像素界定层11制备完成，该像素定义层11包括绝缘的堤部112以及像素定义层11的开口坑部13，并且感光单元16的半导体结构111被制作包裹在堤部112中，与像素定义层11的开口部13绝缘隔开。

接着，如图14所示，形成堤部112，以及被该堤部112包裹的感光半导体结构111之后，包括：

在开口部13内制作有机功能层14，有机功能层14包括电子传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层和空穴传输层(图中未示出)。

具体地，通过蒸镀或者喷墨打印等方式，在开口部13中依次制备出电子传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、空穴传输层等膜层。

最后，采用构图工艺制作阴极15和第二电极151，阴极15位于有机功能层14上，第二电极151位于感光半导体结构111上，形成如图1所示的有机电致发光显示面板100的结构。具体地，阴极15可以为透明阴极，也可以为反射阴极，具体以有机电致发光显示面板的类型来定：若为顶发光型有机电致发光显示面板或者透明显示有机电致发光显示面板，则为透明阴极(如金属Mg、Ag等低功率函数材质，且厚度较薄，使阴极薄膜为半透明状态)；若为底发光型有机电致发光显示面板，则为反射阴极(如金属Mg、Ag等低功率函数材质，且厚度较厚，使阴极薄膜为不透明状态，或者使用多层金属膜层叠层结构的方式等)。

当然，实际制作过程中，还包括后续的无机封装膜层和有机封装膜层等膜层的制作，因这些膜层不涉及本申请中的创新点，此处不再赘述。

应用本申请实施例所获得的有益效果包括：

1、由于本申请实施例的有机电致发光显示面板包括像素定义层11和感光单元16，像素定义层11为透明绝缘层，包括位于发光区的开口部13和位于开口部13周围的堤部112，堤部112位于非发光区，感光单元包括感光半导体结构111，感光半导体结构111位于非发光区，且包裹在堤部112内，当在开口部13制作发光层后，发光层发出的光线能够沿透明的堤部112传到感光半导体结构111，进而能够对发光层发出的光进行实时监控，由于感光半导体结构111位于非发光区，且包裹在堤部112内，因此避免了目前现有技术中因将感光单元16设置于自发光单元的出光侧而导致显示面板开口率下降的问题，且不会增加有机发光二极管显示面板的厚度。

2、本申请实施例可以通过将感光单元16设置于相邻发光单元17之间的位置，并不需要设置在发光单元17的出光面，感光单元16接收的是在像素定义层11的堤部112中进行横向传播的光线，这样可有效提升显示面板的分辨率。

3、本申请实施例中制作有机电致发光显示面板时，利用一次成膜、一次光刻工艺就制备出像素界定层11以及感光半导体结构111，大大简化了有机电致发光显示面板的工艺制程，无需增加有机电致发光显示面板的厚度，节约了工艺时间，降低了生产成本。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种有机电致发光显示面板的制作方法，所述有机电致发光显示面板包括发光区，以及位于所述发光区之间的非发光区，其特征在于，包括：

提供一基板，在所述基板一侧制作非晶硅半导体层；

在所述非晶硅半导体层上涂覆光刻胶，采用灰阶曝光、显影方法形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，所述光刻胶完全去除区与需要形成像素定义层的开口部的区域对应，所述光刻胶完全保留区与需要形成感光单元的感光半导体结构的区域对应；

采用刻蚀方法形成所述开口部，所述开口部位于所述发光区，并去除光刻胶半保留区的光刻胶，暴露出所述非晶硅半导体层；

对暴露出的所述非晶硅半导体层进行氧化处理，形成所述像素定义层的堤部，以及被该堤部包裹的所述感光半导体结构，所述像素定义层为透明绝缘层，所述堤部位于所述开口部周围且位于所述非发光区；

其中：所述有机电致发光显示面板包括若干阵列排列的发光单元，所述发光单元与有机电致发光显示面板的亚像素单元一一对应设置；

所述感光单元与所述发光单元一一对应设置，每一所述感光单元用于接收与该感光单元对应位置处的所述发光单元发出的光，并进行光电感应后形成电信号；或者，

一所述感光单元与至少两个所述发光单元对应设置，该感光单元用于在同一时间段仅接收与该感光单元对应位置处的一个所述发光单元发出的光，并进行光电感应后形成电信号。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述在所述基板一侧制作非晶硅半导体层，包括：

在所述基板一侧依次沉积N型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和P型非晶硅半导体层；或，在所述基板一侧依次沉积P型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和N型非晶硅半导体层；

所述去除光刻胶半保留区的光刻胶，包括：

采用灰化工艺去除光刻胶半保留区的光刻胶。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基板一侧制作非晶硅半导体层之前，包括：

在所述基板上通过构图工艺制作第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管用于控制所述感光单元，所述第二薄膜晶体管用于控制所述发光单元；

所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体有源层和第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二半导体有源层和第二源极和第二漏极；

在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上通过构图工艺依次制作钝化层和平坦层，以及制作贯穿所述钝化层和所述平坦层的第一过孔和第二过孔；

在所述平坦层上通过构图工艺制作所述感光单元的第一电极和所述发光单元的阳极，所述第一电极位于所述感光半导体结构靠近所述基板一侧，所述第一薄膜晶体管位于所述第一电极靠近所述基板一侧，所述第二薄膜晶体管位于所述阳极靠近所述基板一侧，所述第一电极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第一过孔与所述第一漏极连接，所述阳极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第二过孔与所述第二漏极连接。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均位于所述非发光区，且所述第一薄膜晶体管在所述基板上的正投影区域与所述第二薄膜晶体管在所述基板上的正投影区域无重叠区域；

所述第一栅极与所述第二栅极位于同一层，所述第一半导体有源层与所述第二半导体有源层位于同一层，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极位于同一层。

5.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层和所述平坦层位于所述第一薄膜晶体管和所述感光单元之间，所述钝化层远离所述感光单元设置，所述平坦层靠近所述感光单元设置。

6.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述形成所述堤部，以及被该堤部包裹的所述感光半导体结构之后，包括：

在所述开口部内制作所述发光单元的有机功能层，所述有机功能层包括电子传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层和空穴传输层，所述阳极位于所述有机功能层靠近所述基板一侧；

采用构图工艺制作所述发光单元的阴极和所述感光单元的第二电极，所述阴极位于所述有机功能层远离所述基板一侧，所述第二电极位于所述感光半导体结构远离所述基板一侧。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极与所述阳极同层设置，所述第二电极与所述阴极同层设置。

8.一种显示装置，其特征在于，包括采用如权利要求1-7任一项所述的有机电致发光显示面板的制作方法制作的有机电致发光显示面板。

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