[go: up one dir, main page]

CN111564481B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111564481B
CN111564481B CN202010435534.2A CN202010435534A CN111564481B CN 111564481 B CN111564481 B CN 111564481B CN 202010435534 A CN202010435534 A CN 202010435534A CN 111564481 B CN111564481 B CN 111564481B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
functional layer
orthographic projection
functional
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010435534.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111564481A (zh
Inventor
刘文祺
孙中元
薛金祥
闫华杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010435534.2A priority Critical patent/CN111564481B/zh
Publication of CN111564481A publication Critical patent/CN111564481A/zh
Priority to PCT/CN2021/086509 priority patent/WO2021233002A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111564481B publication Critical patent/CN111564481B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示基板及其制作方法、显示装置，其中，显示基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的像素定义层、发光结构层、功能层和彩膜层；彩膜层包括：多个滤光片；相邻滤光片在衬底基板上的正投影部分重叠，像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影；功能层位于发光结构层和彩膜层之间，且在衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。本公开通过设置功能层可以减少后续制程对有机发光层的影响，提升了显示基板的显示效果。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
微型有机发光二极管(Micro Organic Light-Emitting Diode，简称Micro-OLED)是近年来发展起来的微型显示器，硅基OLED是其中一种。硅基OLED不仅可以实现像素的有源寻址，并且可以实现在硅基衬底上制备包括时序控制(TCON)电路、过电流保护(OCP)电路等多种功能电路，有利于减小系统体积，实现轻量化。硅基OLED采用成熟的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS)集成电路工艺制备，具有体积小、高分辨率(Pixels Per Inch，简称PPI)、高刷新率等优点，广泛应用在虚拟现实(Virtual Reality，简称VR)或增强现实(Augmented Reality，简称AR)近眼显示领域中。
发明内容
本公开提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，可以减少后续制程对有机发光层的影响，提升了显示基板的显示效果。
第一方面，本公开提供了一种显示基板，包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的像素定义层、发光结构层、功能层和彩膜层；
所述彩膜层包括：多个滤光片；相邻滤光片在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影；
所述功能层位于所述发光结构层和所述彩膜层之间，且在所述衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括：位于所述发光结构层和所述彩膜层之间的封装层；
所述封装层包括：第一无机封装层、第二无机封装层和第三有机封装层；
所述第一无机封装层位于所述第二无机封装层靠近所述衬底基板的一侧；
所述第三有机封装层位于所述第二无机封装层远离所述衬底基板的一侧；
所述第一无机封装层的制作材料包括：氮化硅；所述第二无机封装层的制作材料包括：氧化硅；所述第三有机封装层的制作材料包括：聚对二甲苯；所述第三有机封装层的厚度为4500纳米至5500纳米。
在一些可能的实现方式中，所述功能层为单层结构，且为面状结构；
所述功能层位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间，或者，位于所述第二无机封装层和所述第三有机封装层之间；
所述功能层为透明膜层；
所述功能层的制作材料包括：掺杂有增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯或者二氧化钛纳米线。
在一些可能的实现方式中，所述功能层为多层结构，所述功能层包括：第一功能层和第二功能层；
所述第一功能层位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间，所述第二功能层位于所述第二无机封装层和所述第三有机封装层之间；
所述第一功能层和所述第二功能层均为透明膜层；
所述第一功能层的制作材料包括：掺杂增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯或者二氧化钛纳米线；
所述第二功能层的制作材料包括：掺杂增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯或者二氧化钛纳米线。
在一些可能的实现方式中，所述第一功能层和所述第二功能层为网格状结构；
所述第一功能层包括：第一走线以及由所述第一走线围绕而成的多个第一开口区域；所述第二功能层包括：第二走线以及由所述第二走线围绕而成的多个第二开口区域；
所述多个第一开口区域在衬底基板上的正投影与所述多个第二开口区域在衬底基板上的正投影不存在重叠区域。
在一些可能的实现方式中，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第一走线或所述第二走线在衬底基板上的正投影；
所述第一走线或所述第二走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。
在一些可能的实现方式中，所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为面状结构；
所述第一功能层包括：第一走线以及由所述第一走线围绕而成的多个第一开口区域；所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第一走线在衬底基板上的正投影；所述第一走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠；
或者，所述第一功能层为面状结构，所述第二功能层为网格状结构；
所述第二功能层包括：第二走线以及由所述第二走线围绕而成的第二开口区域；所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第二走线在衬底基板上的正投影；所述第二走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠；
或者，所述第一功能层和所述第二功能层为面状结构。
在一些可能的实现方式中，所述第一开口区域的截面形状包括：多边形、圆形或者椭圆形；
所述第二开口区域的截面形状包括：多边形、圆形或者椭圆形。
在一些可能的实现方式中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层采用沉积工艺形成；所述第一无机封装层的沉积密度小于所述第二无机封装层的沉积密度。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板还包括：驱动结构层、平坦层、贴合层和盖板；
所述驱动结构层位于所述发光结构层靠近所述衬底基板的一侧，所述驱动结构层与所述发光结构层连接；
所述平坦层位于所述彩膜层远离所述衬底基板的一侧；所述平坦层的制作材料包括：聚对二甲苯；
所述贴合层位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述贴合层的制作材料包括：二氧化硅；
所述盖板位于所述贴合层远离所述衬底基板的一侧。
第二方面，本公开还提供了一种显示装置，包括：上述显示基板。
第三方面，本公开还提供了一种显示基板的制作方法，用于制作上述显示基板，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素定义层和发光结构层；
在所述发光结构层上依次形成功能层和彩膜层；所述彩膜层包括：多个滤光片；相邻滤光片在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影；
所述功能层位于所述发光结构层和所述彩膜层之间，且在所述衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。
在一些可能的实现方式中，所述功能层为单层结构，所述在所述发光结构层上依次形成功能层和彩膜层包括：
在所述发光结构层上采用化学气相沉积工艺形成第一无机封装层；
在第一无机封装层上形成功能层；
在功能层上采用原子层沉积工艺形成第二无机封装层；
在第二无机封装层上采用分子层沉积工艺形成第三有机封装层；
在第三有机封装层上形成彩膜层；
或者，
在所述发光结构层上采用化学气相沉积工艺形成第一无机封装层；
在第一无机封装层上采用原子层沉积工艺形成第二无机封装层；
在第二无机封装层上形成功能层；
在功能层上采用分子层沉积工艺形成第三有机封装层；
在第三有机封装层上形成彩膜层。
在一些可能的实现方式中，所述功能层为多层结构，所述功能层包括：第一功能层和第二功能层；
所述在所述发光结构层上依次形成功能层和彩膜层包括：
在所述发光结构层上采用化学气相沉积工艺形成第一无机封装层；
在第一无机封装层上形成第一功能层；
在第一功能层上采用原子层沉积工艺形成第二无机封装层；
在第二无机封装层上形成第二功能层；
在第二功能层上采用分子层沉积工艺形成第三有机封装层；
在第三有机封装层上形成彩膜层。
在一些可能的实现方式中，所述发光结构层包括：第一电极，有机发光层和第二电极，所述在所述衬底基板上形成像素定义层和发光结构层包括：
在所述衬底基板上形成驱动结构层；
在所述驱动结构层上形成第一电极；
在形成有第一电极的驱动结构层上依次形成像素定义层、有机发光层和第二电极，以形成发光结构层；
所述在所述发光结构层上依次形成功能层和彩膜层之后，所述方法还包括：
在所述彩膜层上依次形成平坦层、贴合层和盖板。
本公开提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，其中，显示基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的像素定义层、发光结构层、功能层和彩膜层；彩膜层包括：多个滤光片；相邻滤光片在衬底基板上的正投影部分重叠，像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影；功能层位于发光结构层和彩膜层之间，且在衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。本公开通过设置功能层可以减少后续制程对有机发光层的影响，提升了显示基板的显示效果。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开实施例提供的显示基板的一个结构示意图；
图2为本公开实施例提供的显示基板的另一结构示意图；
图3为本公开实施例提供的显示基板的又一结构示意图；
图4为一种示例性实施例提供的有机发光层的结构示意图；
图5为一种示例性实施例提供的电路原理的示意图；
图6为一种示例性实施例提供的电压控制电路和像素驱动电路的电路实现的示意图；
图7A为一种示例性实施例中的第一功能层的俯视图；
图7B为一种示例性实施例中的第二功能层的俯视图；
图8为本公开实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图9至图17为一种示例性实施例提供的显示基板的制作方法的示意图。
具体实施方式
本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的技术方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它技术方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的技术方案。因此，应当理解，在本公开中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
除非另外定义，本公开公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流可以流过漏电极、沟道区域以及源电极。沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
在一种显示基板中，在有机发光层之后还需要制作封装层和彩膜层，在制作封装层时，由于封装层中的部分有机膜层的厚度较薄，无法释放封装层中的无机膜层的应力，使得封装层中的无机膜层的应力较大，极易造成断裂等不良，进而无法保护有机发光层，另外，在制作彩膜层时，采用紫外线对彩膜层进行固化，而紫外线会损伤有机发光层。因此，在有机发光层的后续制程中会对有机发光层造成不利影响，降低了显示基板的显示效果。
图1为本公开实施例提供的显示基板的一个结构示意图，图2为本公开实施例提供的显示基板的另一结构示意图，图3为本公开实施例提供的显示基板的又一结构示意图。如图1至3所示，本公开实施例提供的显示基板包括：衬底基板10以及设置在衬底基板10上的发光结构层20、像素定义层24、功能层50和彩膜层30。
彩膜层30包括：多个滤光片31；相邻滤光片在衬底基板10上的正投影部分重叠，像素定义层24在衬底基板上的正投影覆盖相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影。功能层50位于发光结构层20和彩膜层30之间，且在衬底基板10上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。
在一种示例性实施例中，衬底基板10可以为硅基衬底或者玻璃衬底。
在一种示例性实施例中，发光结构层20包括：第一电极21、有机发光层22和第二电极23。
在一种示例性实施例中，第一电极21位于有机发光层22靠近衬底基板10的一侧，第二电极23位于有机发光层22远离衬底基板10的一侧。
在一种示例性实施例中，显示基板可以为顶发射结构。
在一种示例性实施例中，第一电极21为反射电极，第一电极21可以为多层复合结构。
在一种示例性实施例中，第一电极21可以包括：叠层设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层。
在一种示例性实施例中，第一导电层和第三导电层的制作材料可以为钛。第二导电层的制作材料可以为铝。
图4为一种示例性实施例提供的有机发光层的结构示意图。如图4所示，一种示例性实施例提供的有机发光层包括在第一电极与第二电极之间依次叠设的第一发光子层331、第一电荷产生层332、第二发光子层333、第二电荷产生层334和第三发光子层335。
第一发光子层331用于出射第一颜色光，包括依次叠设的第一空穴传输层(HTL)3311、第一发光材料层(EML)3312和第一电子传输层(ETL)3313。第二发光子层333用于出射第二颜色光，包括依次叠设的第二空穴传输层3331、第二发光材料层3332和第二电子传输层3333。第三发光子层335用于出射第三颜色光，包括依次叠设的第三空穴传输层3351、第三发光材料层3352和第三电子传输层3353。第一电荷产生层332设置在第一发光子层331与第二发光子层333之间，用于将两个发光子层串联起来，实现载流子的传递。第二电荷产生层334设置在第二发光子层333与第三发光子层335之间，用于将两个发光子层串联起来，实现载流子的传递。由于有机发光层包括出射第一颜色光的第一发光材料层、出射第二颜色光的第二发光材料层和出射第三颜色光的第三发光材料层，因而有机发光层最终出射的光为混合光。例如，可以设置第一发光材料层是出射红光的红光材料层，第二发光材料层是出射绿光的绿光材料层，第三发光材料层是出射蓝光的蓝光材料层，因而有机发光层最终出射白光。
在实际实施时，可以根据实际需要设计有机发光层的结构。每个发光子层中，为了提高电子和空穴注入发光材料层的效率，还可以设置空穴注入层和电子注入层。为了简化有机发光层的结构，可以取消第一电子传输层3313、第一电荷产生层332和第二空穴传输层3331，即第二发光材料层3332可以直接设置在第一发光材料层3312上。
在一种示例性实施例中，有机发光层可以采用出射第一颜色光的有机发光层和出射第一颜色光的互补光的有机发光层，该两个有机发光层相对于衬底基板依次堆叠，从而整体上发白光。
在一种示例性实施例中，第一电极21在衬底基板10上的正投影覆盖有机发光层22在衬底基板10上的正投影，即第一电极21的尺寸大于有机发光层22的尺寸，这样可以提高显示基板的显示亮度。
在一种示例性实施例中，第二电极23可以为面状电极。第二电极23为透射电极，用于透射有机发光层22发射的经第一电极21反射的光线。
在一种示例性实施例中，第二电极23的制作材料可以为氧化铟锡或者氧化锌锡，或者可以为其他透明导电材料。
如图1至3所示，在显示基板中不同颜色的滤光片的边界存在一定交叠。由于显示基板中的像素尺寸很小，后制成的滤光片的边缘会叠加在之前制成的滤光片上，造成滤光片之间存在厚度差异，从而导致彩膜层不均匀，即彩膜层30远离衬底基板10的表面不平坦。
在一种示例性实施例中，彩膜层30采用白光结合彩膜的方式实现全彩显示，采用白光结合彩膜方式可以实现大于2000的高分辨率，可以适应VR/AR需求。
在一种示例性实施例中，多个滤光片31呈阵列排布。
在一种示例性实施例中，滤光片31的形状可以为六边形、长条形或近似椭圆形。
在一种示例性实施例中，滤光片31的面积小于20μm2。
在一种示例性实施例中，滤光片31的制备温度小于90度。
在一种示例性实施例中，彩膜层30至少包括第一颜色滤光片、第二颜色滤光片和第三颜色滤光片。或者彩膜层30还可以包括：白色滤光片或者其他颜色的滤光片。
在一种示例性实施例中，以彩膜层30包括：第一颜色滤光片，第二颜色滤光片和第三颜色滤光片为例。位于一个像素区域内的彩膜层包括的第一颜色滤光片、第二颜色滤光片和第三颜色的滤光片沿一个像素区域中的多个子像素的排布方式排布。
在一种示例性实施例中，第一颜色滤光片、第二颜色滤光片和第三颜色滤光片设置在同一表面上。在平行于表面的平面上，第二颜色滤光片设置在第一颜色滤光片的第一侧，第三颜色滤光片设置在第一颜色滤光片的与第一侧相对的第二侧。
在一种示例性实施例中，第二颜色滤光片和第三颜色滤光片至少之一覆盖部分第一颜色滤光片；至少部分第一颜色滤光片与第二颜色滤光片和第三颜色滤光片均不交叠；第二颜色滤光片和第三颜色滤光片完全不交叠。
在一种示例性实施例中，构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺。
在一种示例性实施例中，采用第一次构图工艺形成第一颜色滤光片；位于第一颜色滤光片第一侧的第二颜色滤光片采用第二次构图工艺形成，第二颜色滤光片部分覆盖在第一颜色滤光片，可以减少第二颜色与彩膜层以下的膜层之间的接触面积；之后采用第三次构图工艺形成位于第一颜色滤光片第二侧的第三颜色滤光片，第三颜色滤光片部分覆盖在第二颜色滤光片，可以减少第三颜色与彩膜层以下的膜层之间的接触面积。
在一种示例性实施例中，第一颜色滤光片可以为绿(G)色滤光片，第二颜色滤光片可以为红(R)色滤光片，第三颜色滤光片可以为蓝(B)色滤光片，或者第一颜色滤光片可以为蓝色滤光片，第二颜色滤光片可以为绿色滤光片。第三颜色滤光片可以为红色滤光片。
在一种示例性实施例中，绿色滤光片的粘附性大于红色滤光片的粘附性和蓝色滤光片的粘附性。
以第一颜色滤光片可以为绿(G)色滤光片，第二颜色滤光片可以为红(R)色滤光片，第三颜色滤光片可以为蓝(B)色滤光片为例，粘附性大的绿色滤光片先形成，粘附性小的红色滤光片后形成，且粘附性小的红色滤光片部分覆盖在粘附性大的绿色滤光片上，这样可以减小粘附性小的红色滤光片与彩膜层以下膜层之间的接触面积。绿色滤光片和红色滤光片性质类似，绿色滤光片和红色滤光片之间的粘附力大于红色滤光片与彩膜层以下膜层之间的粘附力，这样和红色滤光片完全没有覆盖绿色滤光片的情形相比，红色滤光片部分覆盖绿色滤光片可以减小绿色滤光片和红色滤光片的整体从彩膜层以下膜层发生剥离的可能性。此外，由于红色滤光片的粘附性小，其流动性好，在形成红色滤光片的过程中，从而可以提高绿色滤光片和红色滤光片的整体在二者交叠的位置处膜厚的均一性。之后，形成粘附性小的蓝色滤光片，且粘附性小的蓝色滤光片部分覆盖在粘附性大的绿色滤光片上，这样可以减小粘附性小的蓝色滤光片与彩膜层以下膜层之间的接触面积。绿色滤光片和蓝色滤光片性质类似，绿色滤光片和蓝色滤光片之间的粘附力大于蓝色滤光片与彩膜层以下膜层之间的粘附力，这样和蓝色滤光片完全没有覆盖绿色滤光片的情形相比，蓝色滤光片部分覆盖绿色滤光片可以减小绿色滤光片和蓝色滤光片的整体从彩膜层以下膜层发生剥离的可能性。此外，由于蓝色滤光片的粘附性小，其流动性好，在形成蓝色滤光片的过程中，从而可以提高绿色滤光片和蓝色滤光片的整体在二者交叠的位置处膜厚的均一性。
在一种示例性实施例中，位于不同像素区域中的同一颜色的滤光片在同一制程中形成。
在一种示例性实施例中，像素定义层24的制作材料可以为聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
在一种示例性实施例中，显示基板还包括：设置在衬底基板10和发光结构层20之间的驱动结构层。驱动结构层与第一电极21连接。驱动结构层包括：设置在衬底基板10中的晶体管11以及依次设置在衬底基板10上的第一绝缘层12、第一导电柱13、反射电极14、第二绝缘层15和第二导电柱16。
在一种示例性实施例中，晶体管11的有源层设置于衬底基板10的内部。
在一种示例性实施例中，晶体管11可以为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxide Semiconductor，简称MOS)。
在一种示例性实施例中，晶体管包括：有源层、栅电极、源电极、漏电极以及栅连接电极。其中，源电极和漏电极分别与有源层连接，栅连接电极通过第二导电柱与栅电极连接。晶体管可以为底栅结构，或者可以为顶栅结构。
在一种示例性实施例中，有源层的制作材料可以包括：金属氧化物。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层12和第二绝缘层15的制作材料可以为硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或氮氧化硅(SiON)。第一绝缘层12和第二绝缘层15的结构可以是单层结构，或者可以是多层复合结构。
在一种示例性实施例中，第一导电柱13和第二导电柱16的制作材料可以为钨。
在一种示例性实施例中，反射电极14的制作材料可以为银或者铝。反射电极14的结构可以是单层结构，或者可以是多层复合结构。
本公开实施例提供的显示基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的像素定义层、发光结构层、功能层和彩膜层；彩膜层包括：多个滤光片；相邻滤光片在衬底基板上的正投影部分重叠，像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影；功能层位于发光结构层和彩膜层之间，且在衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。本公开通过设置位于发光结构层和彩膜层功能层可以减少后续制程对有机发光层的影响，提升了显示基板的显示效果。
一种示例性实施例中，如图1至3所示，显示基板包括：显示区域100、包围显示区域100的外围区域200以及设置在外围区域200远离显示区域100一侧的绑定区域300。
在一种示例性实施例中，显示区域100中设置有规则排布的多个子像素。每个子像素包括：发光元件和用于驱动发光元件发光的像素驱动电路。外围区域200中设置有用于向像素驱动电路提供控制信号的控制电路。绑定区域300中设置有与外部柔性线路板(Flexible Printed Circuit，简称FPC)绑定连接的焊盘组件。图1至3是以显示区域中的三个子像素100A、100B和100C为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，晶体管可以包括：开关晶体管和驱动晶体管。衬底基板10上的多个晶体管11可以构成像素驱动电路。
图5为一种示例性实施例提供的电路原理的示意图。如图5所示，显示区域中的多个子像素规则排布，以形成多个显示行和多个显示列。每个子像素包括像素驱动电路101以及与像素驱动电路101连接的发光器件102。像素驱动电路101至少包括驱动晶体管。控制电路至少包括多个电压控制电路110，每个电压控制电路110与多个像素驱动电路101连接。例如，一个电压控制电路110与一个显示行中的像素驱动电路101连接，该显示行像素驱动电路101中驱动晶体管的第一极共同连接该电压控制电路110，每个驱动晶体管的第二极与本子像素的发光器件102的阳极连接，发光器件102的阴极连接第二电源信号VSS的输入端。电压控制电路110分别与第一电源信号VDD的输入端、初始化信号Vinit的输入端、复位控制信号RE的输入端和发光控制信号EM的输入端连接。电压控制电路110被配置为响应于复位控制信号RE，将初始化信号Vinit输出至驱动晶体管的第一极，控制对应的发光器件102复位。电压控制电路110还被配置为响应于发光控制信号EM，将第一电源信号VDD输出至驱动晶体管的第一极，以驱动发光器件102发光。通过一个显示行中的像素驱动电路101共同连接电压控制电路110，可以简化显示区域100中像素驱动电路101的结构，降低显示区域100中像素驱动电路101的占用面积，从而使显示区域100设置更多的像素驱动电路101和发光器件102，实现高PPI显示。电压控制电路110在复位控制信号RE的控制下将初始化信号Vinit输出至驱动晶体管的第一极，控制对应的发光器件102复位，可以避免上一帧发光时加载于发光器件102上的电压对下一帧发光的影响，可以改善残影现象。
一种示例性实施例中，一个电压控制电路110可以连接同一显示行中两个相邻的子像素中的像素驱动电路101，或者可以连接同一显示行中三个或更多的子像素中的像素驱动电路101。
图6为一种示例性实施例提供的电压控制电路和像素驱动电路的电路实现的示意图。如图6所示，发光器件可以包括OLED。OLED的阳极与驱动晶体管M0的第二极D连接，OLED的阴极与第二电源信号VSS的输入端连接。
一种示例性实施例中，第二电源信号VSS的电压可以为负电压或接地电压VGND(一般为0V)。初始化信号Vinit的电压可以为接地电压VGND。
一种示例性实施例中，OLED可以是Micro-OLED或Mini-OLED，以有利于实现高PPI显示。
一种示例性实施例中，电压控制电路110与一显示行中的两个像素驱动电路101连接。像素驱动电路101包括驱动晶体管M0、第三晶体管M3、第四晶体管M4和存储电容Cst，电压控制电路110包括第一晶体管M1和第二晶体管M2。驱动晶体管M0、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4均是制备在衬底基板中的晶体管。
第一晶体管M1的控制极与复位控制信号RE的输入端连接，被配置为接收复位控制信号RE，第一晶体管M1的第一极与初始化信号Vinit的输入端连接，被配置为接收初始化信号Vinit，第一晶体管M1的第二极分别与对应的驱动晶体管M0的第一极S和第二晶体管M2的第二极连接。第二晶体管M2的控制极与发光控制信号EM的输入端连接，被配置为接收发光控制信号EM，第二晶体管M2的第一极与第一电源信号VDD的输入端连接，被配置为接收第一电源信号VDD，第二晶体管M2的第二极分别与对应的驱动晶体管M0的第一极S和第一晶体管M1的第二极连接。在示例性实施方式中，第一晶体管M1与第二晶体管M2的类型可以不同，例如，第一晶体管M1为N型晶体管，第二晶体管M2为P型晶体管，或者，第一晶体管M1为P型晶体管，第二晶体管M2为N型晶体管。在一些可能的实现方式中，第一晶体管M1与第二晶体管M2的类型可以相同，可以根据实际应用环境来设计确定。
像素驱动电路101包括驱动晶体管M0、第三晶体管M3、第四晶体管M4和存储电容Cst。驱动晶体管M0的控制极G，驱动晶体管M0的第一极S与第一晶体管M1的第二极和第二晶体管M2的第二极连接，驱动晶体管M0的第二极D与OLED的阳极连接。第三晶体管M3的控制极与第一控制极扫描信号S1的输入端连接，被配置为接收第一控制极扫描信号S1，第三晶体管M3的第一极与数据信号DA的输入端连接，被配置为接收数据信号DA，第三晶体管M3的第二极与驱动晶体管M0的控制极G连接。第四晶体管M4的控制极与第二控制极扫描信号S2的输入端连接，被配置为接收第二控制极扫描信号S2，第四晶体管M4的第一极与数据信号DA的输入端连接，被配置为接收数据信号DA，第四晶体管M4的第二极与驱动晶体管M0的控制极G连接。存储电容Cst的第一端与驱动晶体管M0的控制极G连接，存储电容Cst的第二端与接地端GND连接。在示例性实施方式中，驱动晶体管M0可以为N型晶体管，第三晶体管M3与第四晶体管M4的类型可以不同，例如，第三晶体管M3为N型晶体管，第四晶体管M4为P型晶体管。当数据信号DA的电压为高灰阶对应的电压时，通过P型的第四晶体管M4导通以将数据信号DA传输给驱动晶体管M0的控制极G，可以避免数据信号DA的电压受例如N型的第三晶体管M3的阈值电压的影响。当数据信号DA的电压为低灰阶对应的电压时，通过N型的第三晶体管M3导通以将数据信号DA传输给驱动晶体管M0的控制极G，可以避免数据信号DA的电压受P型的第四晶体管M4的阈值电压的影响。这样，可以提高输入到驱动晶体管M0的控制极G上的电压范围。
在一种示例性实施例中，第三晶体管M3与第四晶体管M4的类型可以是，第三晶体管M3为P型晶体管，第四晶体管M4为N型晶体管。
在一种示例性实施例中，像素驱动电路可以是3T1C、5T1C或7T1C电路结构，或可以是具有内部补偿或外部补偿功能的电路结构。
在一种示例性实施例中，如图1至3所示，驱动结构层覆盖整个显示区域100和外围区域200。
第一绝缘层12和第二绝缘层15覆盖整个显示区域和至少部分外围区域。在一种示例性实施例中，如图1至3所示，第一绝缘层12和第二绝缘层15覆盖整个显示区域100和外围区域200。
在一种示例性实施例中，第一导电柱13和第二导电柱16位于显示区域100和外围区域200。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层12上设置有暴露出部分漏电极的过孔，第一导电柱13设置在第一绝缘层12的过孔中。反射电极14通过第一导电柱13与漏电极连接。第二绝缘层15上设置有暴露出反射电极14的过孔，第二导电柱16设置在第二绝缘层15的过孔中。
在一种示例性实施例中，如图1至3所示，显示基板还包括：封装层40。封装层40位于发光结构层20和彩膜层30之间。
封装层40包括：第一无机封装层41、第二无机封装层42和第三有机封装层43；第一无机封装层41位于第二无机封装层42靠近衬底基板10的一侧；第三有机封装层43位于第二无机封装层42远离衬底基板10的一侧。
在一种示例性实施例中，彩膜层30位于显示区域100。
在一种示例性实施例中，封装层40覆盖整个显示区域100和至少部分外围区域200。在一种示例性实施例中，如图1至3所示，封装层40覆盖整个显示区域100和整个外围区域200。封装层40被配置为隔绝水氧，以保护发光结构层。
在一种示例性实施例中，第一无机封装层41的制作材料可以包括：氮化硅。第一无机封装层41可以避免在制作第二无机封装层42时对发光结构层造成损伤。由于第一无机封装层41具有无机特性，因而不仅具有良好的封装特性，而且具有良好的与第二电极的粘附性，保证了封装层的封装效果。
在一种示例性实施例中，第二无机封装层42的制作材料可以包括：氧化硅。第二无机封装层可以阻隔水氧进入到发光结构层中，可以延长发光结构层的使用寿命。
在一种示例性实施例中，第二无机封装层42的厚度大于第一无机封装层41的厚度。
在一种示例性实施例中，第三有机封装层43的制作材料可以包括：聚对二甲苯。由于第三有机封装层43具有有机特性，不仅具有较佳的有机封装特性，而且具有较好的粒子包覆能力，可以很好的包覆膜层上的粒子，防止刺穿膜层。此外，具有有机特性的材料可以很好的释放无机层之间的应力，防止膜层由于应力较大产生微裂纹或剥落等缺陷。第三有机封装层43还具有较好的平坦特性，可以为后续的彩膜层制作提供较平坦的衬底基板，防止彩膜层制程对第二无机封装层产生损伤。
在一种示例性实施例中，第三有机封装层43的厚度为4500纳米至5500纳米。
在一种示例性实施例中，第一无机封装层41和第二无机封装层42采用沉积工艺形成；第一无机封装层41的沉积密度小于第二无机封装层42的沉积密度。
在一种示例性实施例中，如图1和2所示，功能层50可以为单层结构，且为面状结构。功能层50位于第一无机封装层41和第二无机封装层42之间，或者，位于第二无机封装层42和第三有机封装层43之间。图1是以功能层50位于第一无机封装层41和第二无机封装层42之间为例进行说明的，图2是以功能层50位于第二无机封装层42和第三有机封装层43之间为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，功能层50位于整个显示区域100中。
在一种示例性实施例中，功能层50为透明膜层；透明膜层50的透光率高于76％；
在一种示例性实施例中，功能层50的制作材料包括：掺杂有增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯或者二氧化钛纳米线。其中，功能层50可以屏蔽99.8％以上的紫外光，可以阻挡99.8％以上制作彩膜层30所采用的紫外光射入有机发光层22中，有效地减小制作彩膜层的采用的紫外光对有机发光层的不利影响。
当功能层50的制作材料为掺杂有增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯时，功能层50的力学性能比较优，且由于功能层中掺杂有紫外光吸收剂，因此，功能层50可以有效地吸收紫外光。
当功能层50的制作材料为二氧化钛纳米线时，由于二氧化钛纳米线中二氧化钛的粒径达到了纳米级，可以有效的散射和吸收紫外线，当紫外光以电磁波的形式作用与纳米粒子时，由于纳米粒子的尺寸小于紫外线的波长，二氧化钛纳米线中的电子以入射紫外光波的频率被迫振动，成为电磁波的二次传播源，形成对紫外线的散射。二氧化钛纳米线同样力学性能优异，随着尺寸的减小，二氧化钛纳米线会体现比其他材料更好的机械性能，这样可以使功能层的韧性变好。
在一种示例性实施例中，由于功能层50的力学性能较优，拥有较好的塑形和韧性，功能层50位于第一无机封装层41和第二无机封装层42之间，或者，位于第二无机封装层42和第三有机封装层43之间，可以缓解第一无机封装层41和第二无机封装层42上的应力，使得第一无机封装层41和第二无机封装层42上的应力得到释放，避免无机层应力过大而出现爆膜或者断裂。
在一种示例性实施例中，如图3所示，功能层50可以为多层结构。功能层50包括：第一功能层51和第二功能层52。第一功能层51位于第一无机封装层41和第二无机封装层42之间，第二功能层52位于第二无机封装层42和第三有机封装层43之间。
在一种示例性实施例中，第一功能层为透明膜层；透明膜层的透光率高于76％。
在一种示例性实施例中，第一功能层的制作材料包括：掺杂增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯或者二氧化钛纳米线。第一功能层可以阻挡99.8％以上制作彩膜层30所采用的紫外光射入有机发光层22中，有效地减小制作彩膜层的采用的紫外光对有机发光层的不利影响。
在一种示例性实施例中，第二功能层为透明膜层；透明膜层的透光率高于76％。
在一种示例性实施例中，第二功能层的制作材料包括：掺杂增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯或者二氧化钛纳米线。第二功能层可以阻挡99.8％以上制作彩膜层30所采用的紫外光射入有机发光层22中，有效地减小制作彩膜层的采用的紫外光对有机发光层的不利影响。
在一种示例性实施例中，第一功能层的制作材料可以与第二功能层的制作材料可以相同，或者可以不同。
在一种示例性实施例中，第一功能层可以为面状结构或者网格状结构。
在一种示例性实施例中，第二功能层可以为面状结构或者网格状结构。
在一种示例性实施例中，图7A为一种示例性实施例中的第一功能层的俯视图，图7B为一种示例性实施例中的第二功能层的俯视图。如图7A是以第一功能层为网格状结构为例进行说明的，图7B是以第二功能层为网格状结构为例进行说明的。如图7A和图7B所示，第一功能层51和第二功能层52可以为网格状结构。第一功能层包括：第一走线510以及由第一走线510围绕而成的多个第一开口区域511；第二功能层包括：第二走线520以及由第二走线520围绕而成的第二开口区域521。
在一种示例性实施例中，多个第一开口区域阵列排布，多个第二开口区域阵列排布。
在一种示例性实施例中，相邻行的第一开口区域可以交错设置，多个第二开口区域可以交错设置。
在一种示例性实施例中，多个第一开口区域在衬底基板上的正投影与多个第二开口区域在衬底基板上的正投影不存在重叠区域，可以避免紫外光射入有机发光层。
在一种示例性实施例中，网格状结构的第一功能层和第二功能层可以使得第一无机封装层和第二无机封装层的应力更加分散，可以更好地释放第一无机封装层和第二无机封装层的应力，防止无机层应力过大而出现爆膜或者断裂，可以提高显示基板的可靠性和信赖性。
由于彩膜层中相邻滤光片之间存在重叠区域，使得每个子像素向内收缩，导致与相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上正投影重合的第一无机封装层和第二无机封装层的局部的应力较大。在一种示例性实施例中，像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖第一走线或第二走线在衬底基板上的正投影；第一走线或第二走线在衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠，第一走线或第二走线的设置方式可以缓解与相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上正投影重合的第一无机封装层和第二无机封装层的局部的应力，可以更好地释放第一无机封装层和第二无机封装层的应力，防止无机层应力过大而出现爆膜或者断裂，可以提高显示基板的可靠性和信赖性。
在一种示例性实施例中，第一功能层可以为网格状结构，第二功能层可以为面状结构。第一功能层包括：第一走线以及由第一走线围绕而成的多个第一开口区域；像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖第一走线在衬底基板上的正投影；第一走线在衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。此时，第一功能层为网格状结构，可以使得第一无机封装层和第二无机封装层的应力更加分散，可以更好地释放第一无机封装层和第二无机封装层的应力，防止无机层应力过大而出现爆膜或者断裂，可以提高显示基板的可靠性和信赖性。
在一种示例性实施例中，第一功能层可以为面状结构，第二功能层可以为网格状结构。第二功能层包括：第二走线以及由第二走线围绕而成的第二开口区域；像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖第二走线在衬底基板上的正投影；第二走线在衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。此时，第二功能层为网格状结构，可以使得第二无机封装层的应力更加分散，可以更好地释放第二无机封装层的应力，防止无机层应力过大而出现爆膜或者断裂，可以提高显示基板的可靠性和信赖性。
在一种示例性实施例中，第一功能层和第二功能层可以为面状结构。
在一种示例性实施例中，第一开口区域511的截面形状包括：多边形、圆形或者椭圆形，多边形包括：方形或者棱形。如图7A是以第一开口区域的截面形状为方形为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第二开口区域521的截面形状包括：多边形、圆形或者椭圆形，多边形包括：方形或者棱形。如图7B是以第二开口区域的截面形状为方形为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第一开口区域的截面形状与第二开口区域的截面形状可以相同，或者可以不同，图7A和图7B是以第一开口区域的截面形状与第二开口区域的截面形状相同为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，如图1至3所示，显示基板还包括：显示基板还包括：平坦层60、贴合层70和盖板80。平坦层60位于彩膜层30远离衬底基板10的一侧；贴合层70位于平坦层60远离衬底基板10的一侧，盖板80位于贴合层70远离衬底基板10的一侧。
在一种示例性实施例中，平坦层60和贴合层70覆盖整个显示区域100和整个外围区域200。盖板80的边界位于绑定区域300。
在一种示例性实施例中，平坦层60的制作材料可以包括：聚对二甲苯；
在一种示例性实施例中，贴合层70的制作材料可以包括：二氧化硅，采用无机材料制作的贴合层可以更好地与盖板贴合。
在一种示例性实施例中，盖板80可以为玻璃盖板。
在一种示例性实施例中，如图1至3所示，显示基板还包括：封框胶90。盖板80通过封框胶90与衬底基板10固定。
在一种示例性实施例中，封框胶90设置于衬底基板10与盖板80之间，可以为阻隔水氧入侵提供保障，使硅基OLED显示基板寿命大幅提升。在另一示例性实施方式中，封框胶可以设置于盖板的侧面，盖板的四周侧面与衬底基板之间通过封框胶密封，封框胶远离衬底基板一侧的端面位于盖板邻近衬底基板一侧的表面与盖板远离衬底基板一侧的表面之间，由此既可以确保密封效果，又可以防止封框胶高出盖板导致显示基板的厚度增加。
在一种示例性实施例中，如图1至3所示，外围区域200包括：供电电极201、辅助电极202、连接电极203和第二电极23。辅助电极202通过第一导电柱与供电电极201连接，连接电极203通过第二导电柱与辅助电极202连接。连接电极203与第二电极23直接搭接，即连接电极203与第二电极23之间直接接触，不存在其他膜层。
在一种示例性实施例中，供电电极201与位于显示区域中的驱动结构层中晶体管的源漏电极同层设置，且采用同一制程形成。辅助电极202与位于显示区域中的驱动结构层中的反射电极14同层设置，且采用同一制程形成。连接电极203与位于显示区域中的第一电极21同层设置，且采用同一制程形成。
在一种示例性实施例中，第二电极23可以通过过孔与连接电极203连接，这样连接电极203和辅助电极202形成第二电极23与供电电极201之间的导电通道。供电电极201提供的电压信号通过该导电通道传输到第二电极23。导电通道称为阴极环结构。
在一种示例性实施例中，阴极环为位于外围区域的环状结构，为包围显示区域的导电通道，以实现为第二电极供电。
在一种示例性实施例中，如图1至3所示，绑定区域300包括：绑定电极301和绑定焊盘302。
在一种示例性实施例中，位于绑定区域300中的绑定电极301与位于显示区域中的晶体管的源漏电极同层设置，且采用同一制程形成。
图8为本公开实施例提供的显示基板的制作方法的流程图。如图8所示，本公开实施例还提供一种显示基板的制作方法，用于制作显示基板，本公开实施例提供的显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤S100、提供一衬底基板。
步骤S200、在衬底基板上形成像素定义层和发光结构层。
步骤S300、在发光结构层上依次形成功能层和彩膜层。
彩膜层包括：多个滤光片；相邻滤光片在衬底基板上的正投影部分重叠，像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影；功能层位于发光结构层和彩膜层之间，且在衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。
在一种示例性实施例中，显示基板包括：显示区域、外围区域和绑定区域。
本公开实施例提供的显示基板的制作方法用于制作前述任一个实施例提供的显示基板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，发光结构层包括：第一电极，有机发光层和第二电极，步骤S2包括：在衬底基板上形成驱动结构层；在驱动结构层上形成第一电极；在形成有第一电极的驱动结构层上依次形成像素定义层、有机发光层和第二电极，以形成发光结构层。
在一种示例性实施例中，功能层为单层结构，步骤S3包括：在发光结构层上采用化学气相沉积工艺形成第一无机封装层；在第一无机封装层上形成功能层；在功能层上采用原子层沉积工艺形成第二无机封装层；在第二无机封装层上采用分子层沉积工艺形成第三有机封装层；在第三有机封装层上形成彩膜层。
在另一种示例性实施例中，功能层为单层结构，步骤S3包括：在发光结构层上采用化学气相沉积工艺形成第一无机封装层；在第一无机封装层上采用原子层沉积工艺形成第二无机封装层；在第二无机封装层上形成功能层；在功能层上采用分子层沉积工艺形成第三有机封装层；在第三有机封装层上形成彩膜层。
在一种示例性实施例中，功能层为多层结构，功能层包括：第一功能层和第二功能层；步骤S3包括：在发光结构层上采用化学气相沉积工艺形成第一无机封装层；在第一无机封装层上形成第一功能层；在第一功能层上采用原子层沉积工艺形成第二无机封装层；在第二无机封装层上形成第二功能层；在第二功能层上采用分子层沉积工艺形成第三有机封装层；在第三有机封装层上形成彩膜层。
在一种示例性实施例中，步骤S3之后，显示基板的制作方法还包括：在彩膜层上依次形成平坦层、贴合层和盖板。
下面以功能层为多层结构为例结合图9至图17说明一种示例性实施例提供的显示基板的制作方法。
步骤S1、提供一衬底基板10，衬底基板10上设置有位于显示区域100的晶体管11、位于外围区域200的供电电极201以及位于绑定区域300的绑定电极301，如图9所示。
步骤S2、在衬底基板10上形成第一绝缘层12；在第一绝缘层12的过孔中形成第一导电柱13；在第一绝缘层12上形成位于显示区域100的反射电极14以及位于外围区域200的辅助电极202；在形成有反射电极14和辅助电极202的第一绝缘层12上形成第二绝缘层15；在第二绝缘层15的过孔中形成第二导电柱16，以形成驱动结构层，如图10所示。
步骤S3、在驱动结构层上形成位于显示区域100的第一电极21、位于外围区域的连接电极203，在形成有第一电极21的驱动结构层上形成像素定义层24，在形成有像素定义层的驱动结构层上依次形成位于显示区域100的有机发光层22和位于显示区域100和外围区域200的第二电极23，如图11所示。
步骤S4、在第二电极23上采用化学气相沉积工艺形成覆盖整个显示区域100和整个外围区域200的第一无机封装层41，如图12所示。
步骤S5、在第一无机封装层41上形成覆盖整个显示区域100的第一功能层51，如图13所示。
步骤S6、在第一功能层51上采用原子层沉积工艺形成覆盖整个显示区域100和整个外围区域200的第二无机封装层42，如图14所示。
步骤S7、在第二无机封装层42上形成覆盖整个显示区域100的第二功能层52，如图15所示。
步骤S8、在第二功能层52上采用分子层沉积工艺形成覆盖整个显示区域100和整个外围区域200的第三有机封装层43，如图16所示。
步骤S9、在第三有机封装层43上形成彩膜层30，如图17所示。
步骤S10、在彩膜层30上形成平坦层60、贴合层70和盖板80，并在盖板80与衬底基板10之间填充封框胶90，如图3所示。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括：前述任一个实施例提供的显示基板。
在一种示例性实施例中，显示装置包括：VR设备或者AR设备。
本公开中的附图只涉及本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板以及设置在所述衬底基板上的像素定义层、发光结构层、功能层和彩膜层；还包括：位于所述发光结构层和所述彩膜层之间的封装层；所述封装层包括：第一无机封装层、第二无机封装层和第三有机封装层；所述第一无机封装层位于所述第二无机封装层靠近所述衬底基板的一侧；所述第三有机封装层位于所述第二无机封装层远离所述衬底基板的一侧；
所述彩膜层包括：多个滤光片；相邻滤光片在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影；
所述功能层位于所述发光结构层和所述彩膜层之间，且在所述衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠；
所述功能层为多层结构，所述功能层包括：第一功能层和第二功能层，所述第一功能层位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间，所述第二功能层位于所述第二无机封装层和所述第三有机封装层之间，所述第一功能层和所述第二功能层均为透明膜层；所述第一功能层和所述第二功能层中的至少一个膜层为网格状结构；
所述第一功能层和所述第二功能层的制作材料包括：掺杂有增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯或者二氧化钛纳米线；
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层采用沉积工艺形成；所述第一无机封装层的沉积密度小于所述第二无机封装层的沉积密度；
所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为网格状结构，或者，所述第一功能层为面状结构，所述第二功能层为网格状结构，或者，所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为面状结构；
当所述第一功能层为网格状结构时，所述第一功能层包括：第一走线以及由所述第一走线围绕而成的多个第一开口区域；
当所述第二功能层为网格状结构时，所述第二功能层包括：第二走线以及由所述第二走线围绕而成的多个第二开口区域；
当所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为网格状结构时，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第一走线或所述第二走线在衬底基板上的正投影，所述第一走线或所述第二走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠；
当所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为面状结构时，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第一走线在衬底基板上的正投影，所述第一走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠；
当所述第一功能层为面状结构，所述第二功能层为网格状结构时，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第二走线在衬底基板上的正投影，所述第二走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一无机封装层的制作材料包括：氮化硅；所述第二无机封装层的制作材料包括：氧化硅；所述第三有机封装层的制作材料包括：聚对二甲苯；所述第三有机封装层的厚度为4500纳米至5500纳米。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，当所述第一功能层和所述第二功能层为网格状结构时，
所述多个第一开口区域在衬底基板上的正投影与所述多个第二开口区域在衬底基板上的正投影不存在重叠区域。
4.根据权利要求1或3所述的显示基板，其特征在于，所述第一开口区域的截面形状包括：多边形、圆形或者椭圆形；
所述第二开口区域的截面形状包括：多边形、圆形或者椭圆形。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：驱动结构层、平坦层、贴合层和盖板；
所述驱动结构层位于所述发光结构层靠近所述衬底基板的一侧，所述驱动结构层与所述发光结构层连接；
所述平坦层位于所述彩膜层远离所述衬底基板的一侧；所述平坦层的制作材料包括：聚对二甲苯；
所述贴合层位于所述平坦层远离所述衬底基板的一侧，所述贴合层的制作材料包括：二氧化硅；
所述盖板位于所述贴合层远离所述衬底基板的一侧。
6.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至5任一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1至5任一项所述的显示基板，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成像素定义层和发光结构层；
在所述发光结构层上依次形成功能层和彩膜层；所述彩膜层包括：多个滤光片；相邻滤光片在所述衬底基板上的正投影部分重叠，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述相邻滤光片的重叠部分在衬底基板上的正投影；
所述功能层位于所述发光结构层和所述彩膜层之间，且在所述衬底基板上的正投影与相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠，所述显示基板还包括：位于所述发光结构层和所述彩膜层之间的封装层；所述封装层包括：第一无机封装层、第二无机封装层和第三有机封装层，所述第一无机封装层位于所述第二无机封装层靠近所述衬底基板的一侧；所述第三有机封装层位于所述第二无机封装层远离所述衬底基板的一侧；所述功能层为多层结构，所述功能层包括：第一功能层和第二功能层，所述第一功能层位于所述第一无机封装层和所述第二无机封装层之间，所述第二功能层位于所述第二无机封装层和所述第三有机封装层之间，所述第一功能层和所述第二功能层均为透明膜层；所述第一功能层和所述第二功能层中的至少一个为网格状结构；所述第一功能层和所述第二功能层的制作材料包括：掺杂有增塑剂、稳定剂和紫外光吸收剂的聚氯乙烯或者二氧化钛纳米线；
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层采用沉积工艺形成；所述第一无机封装层的沉积密度小于所述第二无机封装层的沉积密度；
所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为网格状结构，或者，所述第一功能层为面状结构，所述第二功能层为网格状结构，或者，所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为面状结构；
当所述第一功能层为网格状结构时，所述第一功能层包括：第一走线以及由所述第一走线围绕而成的多个第一开口区域；
当所述第二功能层为网格状结构时，所述第二功能层包括：第二走线以及由所述第二走线围绕而成的多个第二开口区域；
当所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为网格状结构时，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第一走线或所述第二走线在衬底基板上的正投影，所述第一走线或所述第二走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠；
当所述第一功能层为网格状结构，所述第二功能层为面状结构时，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第一走线在衬底基板上的正投影，所述第一走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠；
当所述第一功能层为面状结构，所述第二功能层为网格状结构时，所述像素定义层在衬底基板上的正投影覆盖所述第二走线在衬底基板上的正投影，所述第二走线在衬底基板上的正投影与所述相邻滤光片的重叠部分至少部分重叠。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述在所述发光结构层上依次形成功能层和彩膜层包括：
在所述发光结构层上采用化学气相沉积工艺形成第一无机封装层；
在第一无机封装层上形成第一功能层；
在第一功能层上采用原子层沉积工艺形成第二无机封装层；
在第二无机封装层上形成第二功能层；
在第二功能层上采用分子层沉积工艺形成第三有机封装层；
在第三有机封装层上形成彩膜层。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括：第一电极，有机发光层和第二电极，所述在所述衬底基板上形成像素定义层和发光结构层包括：
在所述衬底基板上形成驱动结构层；
在所述驱动结构层上形成第一电极；
在形成有第一电极的驱动结构层上依次形成像素定义层、有机发光层和第二电极，以形成发光结构层；
所述在所述发光结构层上依次形成功能层和彩膜层之后，所述方法还包括：
在所述彩膜层上依次形成平坦层、贴合层和盖板。
CN202010435534.2A 2020-05-21 2020-05-21 显示基板及其制作方法、显示装置 Active CN111564481B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010435534.2A CN111564481B (zh) 2020-05-21 2020-05-21 显示基板及其制作方法、显示装置
PCT/CN2021/086509 WO2021233002A1 (zh) 2020-05-21 2021-04-12 显示基板及其制作方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010435534.2A CN111564481B (zh) 2020-05-21 2020-05-21 显示基板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111564481A CN111564481A (zh) 2020-08-21
CN111564481B true CN111564481B (zh) 2023-09-22

Family

ID=72072255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010435534.2A Active CN111564481B (zh) 2020-05-21 2020-05-21 显示基板及其制作方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111564481B (zh)
WO (1) WO2021233002A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111564481B (zh) * 2020-05-21 2023-09-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN113555517B (zh) * 2021-07-22 2025-01-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN113707705A (zh) * 2021-09-02 2021-11-26 南京芯视元电子有限公司 Oled显示器及其制备方法、qled显示器
CN113871433A (zh) * 2021-09-17 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN116033806A (zh) * 2021-10-22 2023-04-28 华为技术有限公司 一种显示面板和电子设备
CN114023906B (zh) * 2021-10-29 2023-09-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置、待切割基板的制作方法
CN114420859B (zh) * 2021-11-29 2024-03-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法
CN114171705A (zh) * 2021-12-08 2022-03-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板和oled显示装置
CN114779954B (zh) * 2022-03-28 2025-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种触控面板和显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070056468A (ko) * 2005-11-29 2007-06-04 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
CN104299980A (zh) * 2013-07-19 2015-01-21 索尼公司 显示单元、显示单元的制造方法和电子装置
CN107104198A (zh) * 2016-02-19 2017-08-29 株式会社日本显示器 显示装置及显示装置的制造方法
CN108493211A (zh) * 2017-12-28 2018-09-04 友达光电股份有限公司 显示面板
CN109037280A (zh) * 2018-07-24 2018-12-18 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN110010794A (zh) * 2019-04-15 2019-07-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110047890A (zh) * 2019-04-18 2019-07-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板和柔性显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10168844B2 (en) * 2015-06-26 2019-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
JP6504206B2 (ja) * 2017-06-30 2019-04-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
CN111564481B (zh) * 2020-05-21 2023-09-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070056468A (ko) * 2005-11-29 2007-06-04 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
CN104299980A (zh) * 2013-07-19 2015-01-21 索尼公司 显示单元、显示单元的制造方法和电子装置
CN107104198A (zh) * 2016-02-19 2017-08-29 株式会社日本显示器 显示装置及显示装置的制造方法
CN108493211A (zh) * 2017-12-28 2018-09-04 友达光电股份有限公司 显示面板
CN109037280A (zh) * 2018-07-24 2018-12-18 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
CN110010794A (zh) * 2019-04-15 2019-07-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110047890A (zh) * 2019-04-18 2019-07-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板和柔性显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021233002A1 (zh) 2021-11-25
CN111564481A (zh) 2020-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111564481B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US11233097B2 (en) Display device including dummy pixels with transmissive areas
CN109411619B (zh) Oled阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
JP7525512B2 (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
TWI766481B (zh) 包含觸控感測器的有機發光二極體顯示裝置及其製造方法
WO2020253649A1 (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
TW202125810A (zh) 顯示裝置及其製造方法
US20150279915A1 (en) Display device
US10861911B2 (en) Light-emitting display device and method of manufacturing the same
TWI596755B (zh) 有機發光二極體顯示器及其製造方法
US11545476B2 (en) Display device and method of fabricating the same
CN116156957A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
JP7547384B2 (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
US12101969B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR100474000B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
CN112714969B (zh) 发光装置、制备发光装置的方法以及电子设备
CN114695484A (zh) 发光二极管显示设备
KR100482161B1 (ko) 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
US20230189547A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN116390575A (zh) 显示装置
KR20210086240A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210086059A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN116234380A (zh) 一种有源矩阵有机发光显示面板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant