[go: up one dir, main page]

CN111492088B - 真空处理装置、伪基板装置 - Google Patents

真空处理装置、伪基板装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111492088B
CN111492088B CN201980007096.5A CN201980007096A CN111492088B CN 111492088 B CN111492088 B CN 111492088B CN 201980007096 A CN201980007096 A CN 201980007096A CN 111492088 B CN111492088 B CN 111492088B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tray
vacuum processing
chamber
dummy substrate
substrate device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980007096.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111492088A (zh
Inventor
阪上弘敏
大野哲宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of CN111492088A publication Critical patent/CN111492088A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111492088B publication Critical patent/CN111492088B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03CMAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C3/00Separating dispersed particles from gases or vapour, e.g. air, by electrostatic effect
    • B03C3/34Constructional details or accessories or operation thereof
    • B03C3/40Electrode constructions
    • B03C3/45Collecting-electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

除去真空处理装置中的真空氛围中的灰尘。在真空处理装置(2)的搬运室(10)设置储藏室(12),在储藏室(12)内配置伪基板装置(20),借助带电装置(18)使伪基板装置(20)的捕集体(28)带电,向真空处理室(13a~13d)的内部搬入。各真空处理室(13a~13d)的内部的灰尘由于静电力而被吸附于被搬入的伪基板装置(20)的捕集体(2)。灰尘被捕集的伪基板装置(20)向大气氛围中取出,拆下捕集体(28)来洗涤,使伪基板装置(20)再生。

Description

真空处理装置、伪基板装置
技术领域
本发明涉及真空处理技术,特别涉及在真空氛围中将灰尘除去的技术或预溅射中不产生灰尘的技术。
背景技术
以搬运室为中心连接多个真空处理室的多腔型的真空处理装置广泛用于以半导体晶圆为基板的半导体设备的制造装置。
连接于搬运室的真空处理室中,有形成薄膜真空处理室、用于将薄膜蚀刻的真空处理室等各种各样的装置,但特别地,已知真空处理室在用于形成薄膜的溅镀装置、蒸着装置、或CVD装置等成膜装置中容易产生灰尘。
若这样产生的灰尘附着于基板,则作为形成的薄膜的缺陷、配线的断线等不良的原因,特别地,在图案形成微细化的近年来的半导体装置中以往能够无视的程度的大小的微小的灰尘也成为不良的原因。
因此,以往使真空处理室的内部向大气开放,将真空槽内人工清扫,进行将灰尘除去的作业,但作业烦杂且困难,此外,有在向大气开放的真空处理室的内部为了形成真空氛围而需要较长时间等不良情况,需要将其解决。
此外,现有技术中,开始成膜前为了清洁溅镀靶材的表面,进行预溅射。预溅射的期间,为使膜不附着于基板架,配置有作为伪基板而不使用的玻璃基板。但是,若预溅射中膜过多地附着于玻璃基板,则有玻璃基板破裂的情况。因此,更换玻璃基板的同时进行预溅射。预溅射中使用的玻璃基板无法再使用,所以产生浪费的成本。预溅射中希望不发生伪玻璃基板的破裂及成为浪费的玻璃基板。
此外,预溅射中也能够取代使用伪基板而在溅镀靶材与基板架之间配置闸门,但若重复多次进行预溅镀工序,则附着于闸门的薄膜变厚,剥离而成为产生灰尘的原因。因此,希望不产生灰尘的预溅镀。
此外,使用大型基板的装置中,闸门大型化,移动机构大型化。进而,闸门需要避让的位置,由于真空腔也大型化,所以在大型装置难以使用闸门。
专利文献1:日本特开2002-038264号。
专利文献2:日本特开2004-027364号。
发明内容
本发明的目的在于,为了解决上述现有技术的不良情况,提供能够在真空氛围中除去灰尘的技术和在预溅镀时不产生灰尘的技术。
为了解决上述问题,本发明是一种真空处理装置,前述真空处理装置具有使搬运对象物在真空氛围中移动的基板搬运机器人、供前述搬运对象物搬入的真空处理室,具有伪基板装置和带电装置,前述伪基板装置具有托盘和配置于前述托盘的捕集体,前述带电装置使前述捕集体带电,玻璃基板和前述伪基板装置包含于前述搬运对象物,借助前述伪基板装置捕集前述真空处理室内的灰尘。
此外,本发明是真空处理装置,前述捕集体是金属片,在前述托盘配置有将前述金属片能够拆装地固定于前述托盘的固定部。
此外,本发明是真空处理装置,前述固定部具有至少一方为永久磁铁而借助磁力互相吸引的第一、第二吸引部件,前述第一、第二吸引部件中的一方设置于前述托盘,另一方配置于前述金属片上,前述第一、第二吸引部件将前述金属片夹于其间地被互相吸引。
此外,本发明是真空处理装置,前述金属片被螺纹固定于前述托盘。
此外,本发明是真空处理装置,前述捕集体具有互相绝缘的两个电极、对前述两个电极的一方施加正电压而对另一方施加负电压的直流电压源。
此外,本发明是真空处理装置,具有配置一台至多台前述伪基板装置的储藏室,借助前述基板搬运机器人,前述伪基板装置被相对于前述储藏室搬入搬出。
此外,本发明是真空处理装置,前述基板搬运机器人配置于搬运室,前述真空处理室和前述储藏室与前述搬运室连接。
此外,本发明是一种真空处理装置,前述真空处理装置具有使搬运对象物在真空氛围中移动的基板搬运机器人、供前述搬运对象物搬入的真空处理室、配置于前述真空处理室的阴电极、配置于前述阴电极的靶材,前述靶材被溅镀而生成的溅镀颗粒被放出,前述搬运对象物包括面对前述靶材地形成薄膜的玻璃基板和捕集体配置于托盘的伪基板装置,前述伪基板装置为,前述溅镀颗粒面对前述靶材地到达前述捕集体。
此外,本发明是真空处理装置,前述捕集体是金属片,在前述托盘,配置有将前述金属片能够拆装地固定于前述托盘的固定部。
此外,本发明是真空处理装置,前述固定部具有至少一方为永久磁铁而借助磁力被互相吸引的第一、第二吸引部件,前述第一、第二吸引部件中的一方设置于前述托盘,另一方配置于前述金属片上,前述第一、第二吸引部件将前述金属片夹于其间地被互相吸引。
此外,本发明是真空处理装置,前述金属片被螺纹固定于前述托盘。
此外,本发明是一种伪基板装置,被包含于真空处理装置的前述搬运对象物,前述真空处理装置具有使搬运对象物在真空氛围中移动的基板搬运机器人、供前述搬运对象物搬入的真空处理室,前述伪基板装置具有托盘和配置于前述托盘的捕集体,借助前述捕集体捕集前述真空处理室内产生的灰尘。
此外,本发明是伪基板装置,前述捕集体是金属片,在前述托盘配置有将前述金属片能够拆装地固定于前述托盘的固定部。
此外,本发明是伪基板装置,前述固定部具有至少一方为永久磁铁而借助磁力被互相吸引的第一、第二吸引部件,前述第一、第二吸引部件中的一方设置于前述托盘,另一方配置于前述金属片上,前述金属片被夹于互相吸引的前述第一、第二吸引部件之间。
此外,本发明是伪基板装置,前述金属片被螺纹固定于前述托盘。
此外,本发明是伪基板装置,前述捕集体具有互相绝缘的两个电极,在前述托盘设置有对一方的前述电极施加正电压而对另一方的前述电极施加负电压的直流电压源。
此外,本发明是伪基板装置,前述捕集体由于设置于前述真空处理装置的带电装置而带电。
发明效果
能够无需人工且能够不使搬运室、真空处理室暴露于大气地除去灰尘。
能够不使用伪玻璃基板、闸门地进行预溅镀。
能够借助搬运玻璃基板的基板搬运机器人搬运伪基板装置,相对于真空处理室的内部搬入搬出。
附图说明
图1是本发明的真空处理装置。
图2中 (a)是储藏室,(b)是玻璃基板,(c)是真空处理室。
图3中(a)是本发明的伪基板装置的托盘的一例,(b)是其C-C’线截断剖视图。
图4中(a)是在本发明的伪基板装置配置有捕集体的例子,(b)是其D-D’线截断剖视图。
图5中(a)是本发明的伪基板装置的一例,(b)是其E-E’线截断剖视图。
图6中(a)是本发明的伪基板装置的托盘的其他例,(b)是其F-F’线截断剖视图。
图7中(a)是本发明的伪基板装置的其他例,(b)是其G-G’线截断剖视图。
图8中(a)是具有电池的本发明的伪基板装置的例子,(b)是其H-H’线截断剖视图。
具体实施方式
图1是本发明的真空处理装置2,该真空处理装置2具有配置有基板搬运机器人17的搬运室10、配置本发明的伪基板装置20的储藏室12、真空氛围中将搬运对象物所包含的玻璃基板真空处理的多个真空处理室13a~13d、用于使搬运对象物在大气压的氛围与真空氛围之间搬入搬出的搬入搬出室15。
储藏室12、搬入搬出室15、真空处理室13a~13d设置成,借助闸阀42、43、46a~46d,它们的内部能够与搬运室10的内部分离。
搬运室10、储藏室12、各真空处理室13a~13d与搬入搬出室15分别连接有真空排气装置55、58、56a~56d、57。关闭闸阀42、43、46a~46d,若各真空排气装置55、58、56a~56d、57动作,则各室10、12、13a~13d、15被真空排气,在内部形成真空氛围。这里,在搬运室10、储藏室12、真空处理室13a~13d形成有真空氛围。
图2(b)的附图标记50表示配置于大气氛围中的玻璃基板,借助真空处理装置2将玻璃基板50真空处理时,首先,在大气压氛围的搬入搬出室15的内部配置玻璃基板50,使搬入搬出室15从大气氛围分离后,借助真空排气装置57将搬入搬出室15的内部真空排气。
搬入搬出室15的内部的压力下降至既定值,打开闸阀43,将搬入搬出室15的内部与搬运室10的内部连接。
基板搬运机器人17具有旋转轴29、根部部分安装于旋转轴29的臂部36、安装于臂部36的末端的手39,若旋转轴29旋转,则臂部36进行旋转动作与伸缩动作的某一方或两方,手39移动至所希望的场所。真空处理装置2具有控制装置19,基板搬运机器人17的动作、闸阀42、43、46a~46d的开闭等、以下所记载的真空处理装置2的部件的动作被通过控制装置19控制。
将手39插入搬入搬出室15的内部,配置于将搬入搬出室15的玻璃基板50作为搬运对象物搭载于手39上后,与搬运对象物一同将手39从搬入搬出室15抽去,关闭闸阀43。
接着,使搭载有搬运对象物的手39通过搬运室10向所希望的真空处理室13a~13d移动。这里是溅镀装置,搬运对象物向图2(c)所示的真空处理室13a移动。
真空处理室13a具有真空槽65,在真空槽65的内部配置有阴电极61和设置于阴电极61的溅镀靶材62。图2(c)的附图标记11表示搬运对象物,如上所述,这里玻璃基板50为搬运对象物11,配置于真空槽65的内部。
搬运对象物11穿过真空处理室13a与搬运室10之间的闸阀46a被向真空槽65的内部搬入而配置后,手39被从真空处理室13a抽去,关闭闸阀46a,从气体导入装置59向真空槽65的内部导入溅镀气体。
真空槽65的内部呈既定压力的溅镀气体氛围后,使溅射电源63动作,对阴电极61施加溅射电压,溅镀靶材62被溅镀,溅镀颗粒向配置于真空处理室13a的搬运对象物11飞行。
打开搬运对象物11与溅镀靶材62之间的闸门(无图示),若在作为搬运对象物11的玻璃基板50的表面形成所希望膜厚的薄膜,则停止溅镀电压的施加与溅镀气体的供给,打开闸阀46a,基板搬运机器人17的手39被向真空槽65的内部插入而在手39上搭载形成有薄膜的搬运对象物11,与搬运对象物11一同将手39从真空处理室13a的内部抽去,关闭闸阀46a。
最初的真空处理室13a中进行真空处理的搬运对象物11被以既定的顺序向其他真空处理室13b~13d搬运,在各真空处理室13b~13d进行真空处理。各真空处理室13a~13d处的真空处理结束时,向搬入搬出室15的内部移动而被配置。
接着,搬入搬出室15与搬运室10之间的闸阀43关闭而搬入搬出室15的内部与搬运室10的内部分离后,大气等气体被向导入搬入搬出室15。通过气体的导入而搬入搬出室15的内部升压成大气压,搬入搬出室15与大气之间的门打开,若搬运对象物11被向大气中取出,则得到被进行各真空处理室13a~13d处的真空处理的玻璃基板50。
这样的真空处理中,若通过溅镀方法、CVD方法等在真空处理装置2的内部形成薄膜,则在该真空处理室的真空槽的内壁面、防止向内壁面的薄膜附着的防接板的表面附着薄膜。若这样的薄膜的膜厚变厚则剥离而产生灰尘,所以需要每将既定张数的玻璃基板50真空处理就进行灰尘的除去。
图5(a)、(b)的附图标记20表示本发明的一例的伪基板装置,本发明能够将伪基板装置20作为搬运对象物11搬运来除去真空处理装置2的灰尘。图5(a)为伪基板装置20的俯视图,该图(b)为其E-E’线截断剖视图。同样地,后述的图3、图4、图6~图8的(a)是托盘21、31、41、其他例的伪基板装置30、40等的俯视图,(b)是它们的C-C’线、D-D’线、F-F’线、G-G’线、H-H’线截断剖视图。
首先,若说明图5(a)、(b)的伪基板装置20,则该伪基板装置20具有由板状或一个至多个的框构成的框状的托盘21。
参照图3(a)、(b),在托盘21,在长边方向的两端或与长边方向垂直的方向的两端的场所设置有第一吸引部件25a、25b,如图4(a)、(b)所示,在托盘21上配置比两端的第一吸引部件25a、25b的间隔长的片状的捕集体28,捕集体28位于第一吸引部件25a、25b上。这里捕集体28使用金属片,例如能够将由铜构成的金属片、由镍构成的金属片用于捕集体28。
在配置有捕集体28的托盘21上,如图5(a)、(b)所示,在将捕集体28夹于其间的状态下在与第一吸引部件25a、25b面对的位置配置有第二吸引部件26a、26b。
第一、第二吸引部件25a、25b、26a、26b是将捕集体28固定于托盘21的固定部,构成为至少某一方为磁铁而另一方为被磁铁吸引的金属或磁铁,第一吸引部件25a、25b与第二吸引部件26a、26b将捕集体28在其间互相吸引,第一吸引部件25a、25b与捕集体28的背面接触,第二吸引部件26a、26b与捕集体28的正面接触而夹着捕集体28地推压捕集体28。
第一吸引部件25a、25b固定于托盘21,因此,捕集体28借助第一吸引部件25a、25b、吸引第一吸引部件25a、25b或被吸引的第二吸引部件26a、26b固定于托盘21。
在托盘21形成有一个至多个贯通孔22,捕集体28的正面在托盘21上露出,背面向贯通孔22的底面露出。在贯通孔22与贯通孔22之间配置有桥部24。托盘21例如能够使用轻量的金属铝。
设为搬运对象物11的玻璃基板50与配置捕集体28而设为搬运对象物11的伪基板装置20(及后述的图7(a)、(b)的伪基板装置30与图8(a)、(b)的伪基板装置40)大小相同,伪基板装置20、30、40能够通过玻璃基板50能够通过的闸阀43、46a~46d。
此外,伪基板装置20、30、40为不超过基板搬运机器人17能够搬运的可搬重量的重量,能够借助使玻璃基板50移动的基板搬运机器人17将伪基板装置20、30、40搭载于手39上来使其移动。
对图5(a)、(b)的使用伪基板装置20来减少灰尘的流程进行说明。
首先,将捕集体28具有清洁的正面和清洁的背面的伪基板装置20作为搬运对象物11向大气压的氛围的搬入搬出室15配置,将搬入搬出室15真空排气来呈真空氛围,将搬入搬出室15的内部与搬运室10的内部连接,将手39向搬入搬出室15的内部插入,将搬运对象物11搭载于手39上而与搬运对象物11一同将手39从搬入搬出室15抽去。
手39上的搬运对象物11在搬运室10的内部的真空氛围中移动,穿过位于储藏室12与搬运室10之间的闸阀42,被向储藏室12的内部搬入。
图2(a)表示储藏室12。
储藏室12具有储藏槽16,在储藏槽16的内部配置有多张货架板66。
储藏槽16的内部中,作为手39上的搬运对象物11的伪基板装置20向货架板66上移动,若手39被从储藏槽16抽去则闸阀42关闭。
这样,一张至多张伪基板装置20作为搬运对象物11被在真空处理装置2的内部搬运,被向成为真空氛围的储藏室12的内部搬入,配置于货架板66上。这里,多个伪基板装置20配置于储藏室12的内部。
在储藏室12设置有带电装置18。在带电装置18处连接有离子化用气体供给源14,从离子化用气体供给源14向带电装置18供给离子化用气体。带电装置18也可以设置于搬运室10。
带电装置18起动时,被供给的离子化用气体在带电装置18的内部被离子化而生成带电气体,带电气体被从设置于带电装置18的放出口放出。
各室12、13a~13d、15连接于接地电位,被从带电装置18放出的带电气体是正或负的某一方的极性的离子。
由玻璃基板50构成的搬运对象物11借助真空处理室13a~13d进行真空处理的期间,储藏室12与搬运室10之间的闸阀42预先关闭。若各真空处理室13a~13d内由多个玻璃基板50构成的搬运对象物11进行真空处理而在各真空处理室13a~13d的内部产生灰尘,则打开闸阀42,将手39插入储藏室12,将货架板66上的伪基板装置20搭载于手39上。
带电装置18的放出口若在将手39从储藏室12抽去时朝向搭载于手39上的伪基板装置20的捕集体28的正面而从带电装置18的放出口放出带电气体,则带电气体被向手39上的伪基板装置20的捕集体28的正面喷吹,捕集体28带有与带电气体相同的极性的正或负的电位。
配置有带电的捕集体28的伪基板装置20被向真空处理室13a~13d中的最先除去灰尘的真空处理室13a的内部搬入,伪基板装置20配置于真空处理室13a的内部,手39被抽去。
借助被喷吹的带电气体,伪基板装置20的捕集体28带电,灰尘借助静电力被捕集体28吸引,真空处理室13a的内部的灰尘被捕集体28吸附。
这里,伪基板装置20向真空处理室13a的内部移动后,关闭真空处理室13a与搬运室10之间的闸阀46a,从与真空处理室13a连接的气体导入装置59向真空处理室13a导入气体,由于气体的流动,使向地面等落下的灰尘飞舞而被吸附,能够高效率地进行灰尘的除去。
一台真空处理室13a的灰尘除去结束时,借助基板搬运机器人17,作为伪基板装置20的搬运对象物11被从处理结束的真空处理室13a取出,经由搬运室10被向其他真空处理室13b~13d的内部顺序地搬入,关闭闸阀46b~46d而导入气体,除去其他真空处理室13b~13d的内部的灰尘。
用于灰尘的除去的搬运对象物11向搬入搬出室15移动,关闭闸阀43而搬入搬出室15与搬运室10分离后,被向大气氛围中取出。
在储藏室12配置有多张伪基板装置20,将带电气体向一张伪基板装置20喷吹而使捕集体28带电,作为搬运对象物11在真空处理装置2的内部搬运,进行灰尘的除去后,向配置于储藏室12的其他的伪基板装置20喷吹带电气体而使捕集体28带电,作为搬运对象物11向各真空处理室13a~13d顺序地搬入也能够进一步地将灰尘除去。
此外,进行灰尘的除去后,将既定张数的玻璃基板50真空处理,能够借助配置于储藏室12的伪基板装置20进行灰尘的除去。
进行灰尘的除去后,关于向大气取出的伪基板装置20,将第一、第二吸引部件25a、25b、26a、26b分离来将已捕集灰尘的捕集体28从托盘21拆下,将拆下的捕集体28洗涤来除去吸附的灰尘。
被洗涤而表面变为清洁的捕集体28能够安装于托盘21来将伪基板装置20再生。再生的伪基板装置20被从搬入搬出室15向真空处理装置2的内部搬入,能够配置于储藏室12。
此外,也可以是,将附着有灰尘的捕集体28拆下后,在储藏室12配置通过将新的捕集体28配置于托盘21来再生的伪基板装置20。
上述伪基板装置20中,捕集体28由于第一、第二吸引部件25a、25b、26a、26b的磁力固定于托盘21,但也能够像图6(a)、(b)的托盘31那样在托盘31设置安装孔371~374,如图7(a)、(b)所示,使得金属片等片状的捕集体38为,将形成于捕集体38的插通孔(图7(a)中未表示插通孔,该图(b)中表示两个插通孔351、352,但在捕集体38设置有与安装孔371~374的个数相同数量的个数的插通孔351~354。)配置于安装孔371~374的正上方,使螺纹件331~334向安装孔371~374与插通孔351~354插通,使螺纹件331~334的螺纹头与捕集体38接触,使捕集体38密接于托盘31。
此时,在螺纹件331~334的外周设置有螺纹峰而在安装孔371~374的内周设置有能够与螺纹峰螺纹接合的螺纹槽的情况下,能够借助螺纹件331~334将捕集体38螺纹固定于托盘31。
关于该托盘31,螺纹件331~334能够从托盘31拆下,所以与上述的托盘21的情况相同地,带电而捕集灰尘的捕集体38能够通过洗涤或向新的捕集体的更换而将伪基板装置30再生。
此外,关于该托盘31,以与上述托盘21相同的大小在相同的位置形成有贯通孔32,在贯通孔32之间配置有桥部34。
这些伪基板装置20、30中,可以在一台托盘21、31上配置一张捕集体28、38,也可以以覆盖贯通孔22、32的方式在一个贯通孔22、32上配置一张捕集体。
但是,将配置于作为溅镀装置的上述真空处理室13a的溅镀靶材62更换成未使用的溅镀靶材时,有新的溅镀靶材的表面不清洁而附着有灰尘的情况。
即使将这样的溅镀靶材溅镀也不能形成高品质的薄膜。此外,其他真空处理室13b~13d也有被灰尘汚染的可能。
上述伪基板装置20、30将静电力用于灰尘的捕集,但能够将溅镀靶材62预溅镀来除去灰尘。此时,向预溅镀必不可少的真空处理室13a将伪基板装置20、30作为搬运对象物11搬入,打开闸门,使伪基板装置20、30的捕集体28、38面对溅镀靶材62地溅镀,能够使从溅镀靶材62飞出的溅镀颗粒附着于捕集体28、38。
溅镀颗粒附着于捕集体28、38的伪基板装置20、30作为搬运对象物11搬运,能够向真空处理装置2的外部搬出,所以在真空处理室13a的内部不产生由于预溅镀而产生的灰尘。
用于预溅射而向真空处理装置2的外部搬出的伪基板装置20、30能够通过洗涤、捕集体28、38的更换而再生。
以上对使用借助带电装置18而带电的捕集体28、38的伪基板装置20、30进行了说明,但也能够通过对捕集体28、38施加电压来捕集灰尘。
图8(a)、(b)所示的伪基板装置40中,托盘41上,由金属膜、金属板、或金属薄膜形成的多个电极作为捕集体481~484设置。
在该托盘41设置作为电流电压源的电池45,各捕集体481~484通过配线441~444与电池45的正电压端子或负电压端子连接,电池45从正电压端子输出的正电压和从负电压端子输出的负电压被向互相绝缘的不同的捕集体481~484施加。
该例的伪基板装置40中多个捕集体481~484配置成一列,配置成一列的捕集体481~484被交替地与正电压端子和负电压端子连接,向相邻的捕集体481~484施加不同的极性的电压,交替地带电成正电压与负电压。因此,伪基板装置40整体的电气极性为中性,能够使各捕集体481~484的带电量的合计值变大。
该伪基板装置40也将一张至多张预先配置于储藏室12,在储藏室12内作为搬运对象物11搭载于手39,从储藏室12取出来搬运,配置于真空处理室13a~13d而向捕集体48施加电压时,由于施加于捕集体481~484的电压的电场,配置有伪基板装置40的真空处理室13a~13d的内部灰尘被捕集。也可以是,向真空处理室13a~13d导入气体,使灰尘飞舞而被伪基板装置40捕集。
无需向该伪基板装置40的捕集体481~484喷吹带电气体,所以也可以不在储藏室12、搬运室10设置带电装置。
将该伪基板装置40借助基板搬运机器人17搬运而向真空处理装置2的外部取出,将附着于捕集体481~484的灰尘洗涤来除去,能够使伪基板装置40再生。此外,将附着有灰尘的金属膜、金属板、或金属薄膜等捕集体481~484除去,通过更换成新的金属膜、金属板、或金属薄膜等新的清洁的捕集体而能够再生。
另外,也可以是,将电池45设为充电电池,在储藏室12设置充电装置,将配置于储藏室12的真空氛围中的伪基板装置40的电池45充电。
附图标记说明
11……搬运对象物(玻璃基板或伪基板装置)
13a~13d……真空处理室
17……基板搬运机器人
18……带电装置
20、30、40……伪基板装置
21、31、41……托盘
25a、25b……第一吸引部件
26a、26b……第二吸引部件
28、38、481~484……捕集体
45……直流电压源(电池)
50……玻璃基板。

Claims (8)

1.一种真空处理装置,前述真空处理装置具有使搬运对象物在真空氛围中移动的基板搬运机器人、供前述搬运对象物搬入的真空处理室,其特征在于,
具有伪基板装置和带电装置,
前述伪基板装置具有托盘和配置于前述托盘的捕集体,前述托盘形成有一个至多个贯通孔,前述伪基板装置为不超过前述基板搬运机器人的可搬重量的重量,
前述带电装置使前述捕集体带电,
前述捕集体是金属片,在前述托盘配置有将前述金属片能够拆装地固定于前述托盘的固定部,
前述固定部具有至少一方为永久磁铁而借助磁力互相吸引的第一、第二吸引部件,
前述第一、第二吸引部件中的一方设置于前述托盘,另一方配置于前述金属片上,前述第一、第二吸引部件将前述金属片夹于其间地被互相吸引,
玻璃基板和前述伪基板装置包含于前述搬运对象物,前述捕集体的正面在前述托盘上露出,并且前述捕集体的背面向前述贯通孔的底面露出,借助前述伪基板装置的前述捕集体捕集前述真空处理室内的灰尘。
2.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于,
前述捕集体具有互相绝缘的两个电极,在前述托盘设置有对前述两个电极的一方施加正电压而对另一方施加负电压的直流电压源。
3.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于,
具有配置一台至多台前述伪基板装置的储藏室,
借助前述基板搬运机器人,前述伪基板装置被相对于前述储藏室搬入搬出。
4.如权利要求3所述的真空处理装置,其特征在于,
前述基板搬运机器人配置于搬运室,前述真空处理室和前述储藏室与前述搬运室连接。
5.一种真空处理装置,真空处理装置具有使搬运对象物在真空氛围中移动的基板搬运机器人、供前述搬运对象物搬入的真空处理室、配置于前述真空处理室的阴电极、配置于前述阴电极的靶材、伪基板装置,前述伪基板装置具有托盘和配置于前述托盘的捕集体,前述托盘形成有一个至多个贯通孔,前述伪基板装置为不超过前述基板搬运机器人的可搬重量的重量,前述靶材被溅镀而生成的溅镀颗粒被放出,其特征在于,
前述捕集体是金属片,在前述托盘,配置有将前述金属片能够拆装地固定于前述托盘的固定部,
前述固定部具有至少一方为永久磁铁而借助磁力被互相吸引的第一、第二吸引部件,
前述第一、第二吸引部件中的一方设置于前述托盘,另一方配置于前述金属片上,前述第一、第二吸引部件将前述金属片夹于其间地被互相吸引,
前述搬运对象物包括面对前述靶材地形成薄膜的玻璃基板和前述捕集体配置于前述托盘的前述伪基板装置,前述捕集体被以覆盖前述贯通孔的方式在前述托盘上配置,
前述伪基板装置面对前述靶材,前述溅镀颗粒到达前述捕集体。
6.一种伪基板装置,被包含于真空处理装置的前述搬运对象物,前述真空处理装置具有使搬运对象物在真空氛围中移动的基板搬运机器人、供前述搬运对象物搬入的真空处理室,前述伪基板装置具有不超过前述基板搬运机器人能够搬运的可搬重量的重量,其特征在于,
前述伪基板装置具有托盘和配置于前述托盘的捕集体,前述托盘形成有一个至多个贯通孔,
前述捕集体是金属片,在前述托盘配置有将前述金属片能够拆装地固定于前述托盘的固定部,
前述固定部具有至少一方为永久磁铁而借助磁力被互相吸引的第一、第二吸引部件,
前述第一、第二吸引部件中的一方设置于前述托盘,另一方配置于前述金属片上,前述金属片被夹于互相吸引的前述第一、第二吸引部件之间,
前述捕集体的正面在前述托盘上露出,并且前述捕集体的背面向前述贯通孔的底面露出,借助前述捕集体捕集前述真空处理室内产生的灰尘。
7.如权利要求6所述的伪基板装置,其特征在于,
前述捕集体具有互相绝缘的两个电极,在前述托盘设置有对一方的前述电极施加正电压而对另一方的前述电极施加负电压的直流电压源。
8.如权利要求6所述的伪基板装置,其特征在于,
前述捕集体由于设置于前述真空处理装置的带电装置而带电。
CN201980007096.5A 2018-06-15 2019-06-07 真空处理装置、伪基板装置 Active CN111492088B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-114862 2018-06-15
JP2018114862 2018-06-15
PCT/JP2019/022705 WO2019240029A1 (ja) 2018-06-15 2019-06-07 真空処理装置、ダミー基板装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111492088A CN111492088A (zh) 2020-08-04
CN111492088B true CN111492088B (zh) 2023-03-14

Family

ID=68842517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980007096.5A Active CN111492088B (zh) 2018-06-15 2019-06-07 真空处理装置、伪基板装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7012155B2 (zh)
KR (1) KR102392851B1 (zh)
CN (1) CN111492088B (zh)
TW (1) TWI740157B (zh)
WO (1) WO2019240029A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7651517B2 (ja) * 2022-06-30 2025-03-26 株式会社アルバック 集塵方法
US20250205754A1 (en) * 2023-12-26 2025-06-26 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Charging system and method for controlling charging system
US20250205757A1 (en) * 2023-12-26 2025-06-26 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Particle removal system and method for controlling particle removal system
US20250205756A1 (en) * 2023-12-26 2025-06-26 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Particle removal system and method of controlling particle removal system
US20250205755A1 (en) * 2023-12-26 2025-06-26 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Charging system and method of controlling charging system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1961258A (zh) * 2004-05-28 2007-05-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 清洗掩模基板
CN101657563A (zh) * 2007-04-18 2010-02-24 株式会社爱发科 伪基板和使用该伪基板的成膜装置的启动方法、成膜条件的维持或变更方法及停止方法
JP2015126092A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 大日本印刷株式会社 クリーニング用基板および基板処理装置のクリーニング方法
CN104797736A (zh) * 2012-06-29 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 溅射靶材的使用方法以及氧化物膜的制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002038264A (ja) 2000-07-25 2002-02-06 Toshiba Corp スパッタ成膜方法およびスパッタ成膜装置
TW574385B (en) 2002-06-25 2004-02-01 Hannstar Display Corp Method of pre-sputtering with an increased rate of use of sputtering target
JP2005254031A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nitto Denko Corp クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP4764028B2 (ja) * 2005-02-28 2011-08-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
JP2009144193A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理装置の清掃方法、プラズマ処理装置の清掃用基板、及び太陽電池の生産方法
JP2010103363A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Nec Electronics Corp 液浸露光装置の洗浄方法、ダミーウェハ、及び液浸露光装置
JP2010283174A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Panasonic Corp 半導体製造装置
KR101573665B1 (ko) * 2010-10-06 2015-12-01 가부시키가이샤 알박 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법
TWI660454B (zh) * 2015-02-07 2019-05-21 Creative Technology Corporation 被加工物保持裝置及雷射切割加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1961258A (zh) * 2004-05-28 2007-05-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 清洗掩模基板
CN101657563A (zh) * 2007-04-18 2010-02-24 株式会社爱发科 伪基板和使用该伪基板的成膜装置的启动方法、成膜条件的维持或变更方法及停止方法
CN104797736A (zh) * 2012-06-29 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 溅射靶材的使用方法以及氧化物膜的制造方法
JP2015126092A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 大日本印刷株式会社 クリーニング用基板および基板処理装置のクリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7012155B2 (ja) 2022-01-27
TW202015157A (zh) 2020-04-16
CN111492088A (zh) 2020-08-04
WO2019240029A1 (ja) 2019-12-19
KR102392851B1 (ko) 2022-04-29
KR20200083563A (ko) 2020-07-08
TWI740157B (zh) 2021-09-21
JPWO2019240029A1 (ja) 2021-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111492088B (zh) 真空处理装置、伪基板装置
JPH0243980A (ja) 静電集塵装置
TW201401425A (zh) 針對被處理基體之微粒附著控制方法及處理裝置
JP3191139B2 (ja) 試料保持装置
CN112640042A (zh) 洗净装置
JP6322508B2 (ja) 真空処理装置
KR100630895B1 (ko) 기류반송장치
CN1606145B (zh) 防止微粒附着装置和等离子体处理装置
EP0790642A2 (en) Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment
CN109819570B (zh) 平面面板显示器制造装置
CN105492650A (zh) 溅射成膜装置以及溅射成膜方法
JP2002353086A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
US20060102588A1 (en) Method of processing an object and method of controlling processing apparatus to prevent contamination of the object
JP4806165B2 (ja) 基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム
CN100388430C (zh) 基板清洗装置和基板清洗方法
JP3801130B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP4355046B2 (ja) クリーニング方法及び基板処理装置
TWI401329B (zh) Sputtering source, sputtering apparatus, and film manufacturing method
JP3071730B2 (ja) イオン注入装置及びイオン注入方法
JP4073657B2 (ja) 処理方法
JPH0525634A (ja) 真空成膜装置
JPH02275630A (ja) 異物除去装置
JPS60154621A (ja) 真空処理方法
KR102148474B1 (ko) 스퍼터링 장치의 이물 제거장치 및 이를 이용한 이물제거 방법
JPH0737860A (ja) 基板放電クリーニング方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant