CN111463267A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
一种显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111463267A CN111463267A CN202010268785.6A CN202010268785A CN111463267A CN 111463267 A CN111463267 A CN 111463267A CN 202010268785 A CN202010268785 A CN 202010268785A CN 111463267 A CN111463267 A CN 111463267A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display panel
- substrate
- active layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
- H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
- H10D64/411—Gate electrodes for field-effect devices for FETs
- H10D64/511—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
- H10D64/517—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the conducting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
- H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
- H10D64/411—Gate electrodes for field-effect devices for FETs
- H10D64/511—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
- H10D64/517—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the conducting layers
- H10D64/519—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the conducting layers characterised by their top-view geometrical layouts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示面板及显示装置,通过调整有源层在基板上的投影图形,使得所述栅极层在基板上的投影区域位于所述有源层在基板上的投影区域内,消除现有的显示面板中存在的有源层侧沟道,进而避免栅极绝缘层在侧沟道和主沟道区域成膜厚度不一致导致的I‑V曲线主沟道和侧沟道分离,出现驼峰的现象,提高显示面板的显示效果,提高显示面板的可靠性低。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来,并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机,借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。
有机发光显示装置(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是:当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对),而此激发态在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子复合并将能量传递给发光材料,使其从基态能级跃迁为激发态,激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子,释放出光能,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色,构成基本色彩。
OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,已经成为当今最重要的显示技术之一。
如图1所示,现有的显示面板中的阵列基板100包括:基板101、缓冲层102、有源层103、栅极绝缘层104以及栅极层105。
如图1所示,阵列基板100中定义有侧沟道106和主沟道107。其中有源层103的边缘坡道处定义为侧沟道106,有源层103的中心处定义为主沟道107。位于有源层103上方的栅极绝缘层104在有源层103边缘处(即侧沟道106)具有台阶结构,容易造成栅极绝缘层104在有源层103的边缘处成膜较薄,在有源层103中心处(即主沟道107)成膜较厚,使得栅极绝缘层104在主沟道107区域与侧沟道106区域覆盖厚度不一样,因此栅极层105对主沟道107区域的有源层103以及侧沟道106区域的有源层103的控制能力不同,当TFT持续受到电学应力时,栅极层105对主沟道107区域的有源层103及侧沟道106区域的有源层103的应力不同,在提供相同的电压驱动TFT时,I-V曲线出现主沟道107和侧沟道106分离,表现为驼峰现象,影响显示效果,可靠性较低。因此,需要寻求一种新型的显示面板以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及显示装置,其能够解决现有的显示面板中存在的I-V曲线出现主沟道和侧沟道分离,出现驼峰的现象,影响显示效果,可靠性低等问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种显示面板,其包括:基板;有源层,设置于所述基板上;栅极绝缘层,部分覆盖于所述有源层上;栅极层,设置于所述栅极绝缘层上;其中,所述栅极层在所述基板上的投影区域位于所述有源层在所述基板上的投影区域内。
进一步的,其中所述有源层在所述基板上的投影的图形形状与所述栅极层在所述基板上的投影的图形形状一致。
进一步的,其中所述栅极层在所述基板上的投影为第一蛇形线,所述有源层在所述基板上的投影为第二蛇形线。
进一步的,其中所述第一蛇形线的长度小于或等于第二蛇形线的长度。
进一步的,其中所述第一蛇形线的宽度小于或等于第二蛇形线的宽度。
进一步的,其中所述显示面板还包括:缓冲层,设置于所述基板与所述有源层之间。
进一步的,其中所述显示面板还包括:层间绝缘层,设置于所述栅极层上,且延伸覆盖至所述基板上;源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,且通过过孔连接至所述有源层上;以及钝化层,设置于所述源漏极层上,且延伸覆盖至所述层间绝缘层上。
进一步的,其中所述显示面板还包括:第一电极,设置于所述钝化层上,且通过通孔连接至所述源漏极层上;像素定义层,设置于所述第一电极两侧的钝化层上;发光层,设置于所述第一电极上;以及第二电极,设置于所述发光层上。
进一步的,其中所述显示面板还包括:封装层,设置于所述第二电极上。
为了解决上述问题,本发明还提供了一种显示装置,包括本发明所涉及的显示面板。
本发明的优点是:本发明涉及一种显示面板及显示装置,通过调整有源层在基板上的投影图形,使得所述栅极层在基板上的投影区域位于所述有源层在基板上的投影区域内,消除现有的显示面板中存在的有源层侧沟道,进而避免栅极绝缘层在侧沟道和主沟道区域成膜厚度不一致导致的I-V曲线主沟道和侧沟道分离,出现驼峰的现象,提高显示面板的显示效果,提高显示面板的可靠性低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有显示面板的阵列基板结构示意图。
图2为本发明的显示面板的结构示意图。
图3为本发明的有源层及栅极层在基板上的投影叠图。
图4为本发明的有源层在基板上的投影图形。
图5为本发明的栅极层在基板上的投影图形。
图中部件标识如下:
100、现有技术的阵列基板
101、基板 102、缓冲层
103、有源层 104、栅极绝缘层
105、栅极层 106、侧沟道
107、主沟道
200、显示面板
1、基板 2、缓冲层
3、有源层 4、栅极绝缘层
5、栅极层 6、层间绝缘层
7、源漏极层 8、钝化层
9、第一电极 10、像素定义层
11、发光层 12、第二电极
13、封装层
31、第二蛇形线 51、第一蛇形线
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例,以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容,以举例证明本发明可以实施,使得本发明公开的技术内容更加清楚,使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现,本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例,下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是附图中的方向,本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明,而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中,结构相同的部件以相同数字标号表示,各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外,为了便于理解和描述,附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的,本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
当某些组件,被描述为“在”另一组件“上”时,所述组件可以直接置于所述另一组件上;也可以存在一中间组件,所述组件置于所述中间组件上,且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时,二者可以理解为直接“安装”或“连接”,或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。
如图2所示,本实施例提供了一种显示装置,包括显示面板200。所述显示面板200包括:基板1、缓冲层2、有源层3、栅极绝缘层4、栅极层5、层间绝缘层6、源漏极层7、钝化层8、第一电极9、像素定义层10、发光层11、第二电极12以及封装层13。
基板1可以采用柔性基板,具有阻隔水氧作用,基板1可具有较好的抗冲击能力,可以有效保护显示面板100。基板1的材质包括玻璃、二氧化硅、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乳酸、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚氨酯中的一种或多种。
缓冲层2设置于所述基板1上,主要是充当缓冲及保护作用。缓冲层2的材质包括二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx中的一种或多种。
有源层3设置于所述缓冲层2上。有源层31的材质为氧化物半导体,本实施例优选铟镓锌氧化物IGZO。
栅极绝缘层4部分覆盖于所述有源层3上,其主要是用于防止栅极层5与有源层3之间接触产生短路现象。栅极绝缘层4的材质可以采用SiO2、SiNx中的一种或多种。
栅极层5设置于所述栅极绝缘层4上,其材质为金属,如铜Cu或钼Mo。
如图2、图3、图4、图5所示,所述栅极层5在所述基板1上的投影区域位于所述有源层3在所述基板1上的投影区域内。由此,可以通过将所述栅极层5在所述基板1上的投影完全落入所述有源层3在所述基板1上的投影中,消除现有的显示面板中存在的有源层3侧沟道,进而避免栅极绝缘层4在侧沟道和主沟道区域成膜厚度不一致导致的I-V曲线主沟道和侧沟道分离,出现驼峰的现象,提高显示面板100的显示效果,提高显示面板100的可靠性低。
如图2、图3、图4、图5所示,其中所述有源层3在所述基板1上的投影的图形形状与所述栅极层5在所述基板1上的投影的图形形状一致。即,两者为相似图形。
如图2、图3、图4、图5所示,本实施例中所述栅极层5在所述基板1上的投影为第一蛇形线51,所述有源层3在所述基板1上的投影为第二蛇形线31。
所述第一蛇形线51的长度小于或等于第二蛇形线31的长度。其中所述第一蛇形线51的长度为第一蛇形线51展开长度,所述第二蛇形线31的长度为第二蛇形线31展开长度。其中第二蛇形线31的线宽为a,第一蛇形线51的线宽为b,所述第一蛇形线51的宽度b小于或等于第二蛇形线31的宽度a。由此,可以保证所述栅极层5在所述基板1上的投影区域位于所述有源层3在所述基板1上的投影区域内,消除现有的显示面板中存在的有源层3侧沟道,进而避免栅极绝缘层4在侧沟道和主沟道区域成膜厚度不一致导致的I-V曲线主沟道和侧沟道分离,出现驼峰的现象,提高显示面板100的显示效果,提高显示面板100的可靠性低。
层间绝缘层6设置于所述栅极层4上,且延伸覆盖至所述缓冲层2上。层间绝缘层6的材质可以采用SiO2、SiNx中的一种或多种。
源漏极层7设置于所述层间绝缘层6上,且通过过孔连接至所述有源层3上。源漏极层7的材质为金属,如铜Cu或钼Mo。由此源漏极层7可以从有源层3中获得电信号,为显示面板200的发光提供电信号。
钝化层8设置于所述源漏极层7上,且延伸覆盖至所述层间绝缘层6上。一方面,所述钝化层8可以对其下膜层起到保护作用,另一方面,可以起到平坦作用,为其上膜层的制备提供平整的表面。
第一电极9设置于所述钝化层8上,且通过通孔连接至所述源漏极层7上;由此第一电极9可以通过源漏极层7从有源层3中获得电信号,为显示面板200的发光提供电信号。由于ITO作为纳米铟锡金属氧化物,具有很好的导电性和透光性,因此,本实施例中的第一电极9的材质优选ITO。
像素定义层10设置于所述第一电极9两侧的钝化层上;所述像素定义层10主要是用于防止相邻像素之间产生光串扰现象。
发光层11设置于所述第一电极9上,发光层11的材质包括有机电致发光材料。
第二电极12设置于所述发光层11上。由于ITO作为纳米铟锡金属氧化物,具有很好的导电性和透光性,因此,本实施例中的第二电极12的材质优选ITO。
封装层13设置于所述第二电极12上。所述封装层13主要是起阻水氧作用,防止显示面板200内部器件被外界水氧侵蚀老化,降低显示面板200的使用年限。具体的,所述封装层13可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。其中第一无机发光层和第二无机封装层主要是起阻水氧作用,其中的有机封装层主要是对封装层13受到的应力进行缓冲及释放,增加显示面板200的可弯折性能。
以上对本申请所提供的显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
有源层,设置于所述基板上;
栅极绝缘层,部分覆盖于所述有源层上;
栅极层,设置于所述栅极绝缘层上;
其中,所述栅极层在所述基板上的投影区域位于所述有源层在所述基板上的投影区域内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层在所述基板上的投影的图形形状与所述栅极层在所述基板上的投影的图形形状一致。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述栅极层在所述基板上的投影为第一蛇形线,所述有源层在所述基板上的投影为第二蛇形线。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一蛇形线的长度小于或等于第二蛇形线的长度。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一蛇形线的宽度小于或等于第二蛇形线的宽度。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
缓冲层,设置于所述基板与所述有源层之间。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
层间绝缘层,设置于所述栅极层上,且延伸覆盖至所述基板上;
源漏极层,设置于所述层间绝缘层上,且通过过孔连接至所述有源层上;以及
钝化层,设置于所述源漏极层上,且延伸覆盖至所述层间绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第一电极,设置于所述钝化层上,且通过通孔连接至所述源漏极层上;
像素定义层,设置于所述第一电极两侧的钝化层上;
发光层,设置于所述第一电极上;以及
第二电极,设置于所述发光层上。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,还包括:
封装层,设置于所述第二电极上。
10.一种显示装置,包括权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010268785.6A CN111463267A (zh) | 2020-04-08 | 2020-04-08 | 一种显示面板及显示装置 |
PCT/CN2020/085813 WO2021203473A1 (zh) | 2020-04-08 | 2020-04-21 | 一种显示面板及显示装置 |
US16/762,929 US20220109125A1 (en) | 2020-04-08 | 2020-04-21 | Display panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010268785.6A CN111463267A (zh) | 2020-04-08 | 2020-04-08 | 一种显示面板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111463267A true CN111463267A (zh) | 2020-07-28 |
Family
ID=71681208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010268785.6A Pending CN111463267A (zh) | 2020-04-08 | 2020-04-08 | 一种显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220109125A1 (zh) |
CN (1) | CN111463267A (zh) |
WO (1) | WO2021203473A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113224084A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板、以及柔性显示装置 |
WO2023108678A1 (zh) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107452755A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-12-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示面板 |
CN107895726A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-04-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
CN111048524A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及制备方法、显示面板 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107204375B (zh) * | 2017-05-19 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法 |
CN109148597A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法 |
CN109300915B (zh) * | 2018-09-30 | 2020-09-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN109671755A (zh) * | 2018-12-15 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN109686793A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置 |
CN109860305B (zh) * | 2018-12-25 | 2020-11-06 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置 |
CN109860307A (zh) * | 2019-02-26 | 2019-06-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置 |
CN109920845A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
CN110190031B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-07-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜晶体管基板的制备方法 |
CN110112204B (zh) * | 2019-06-05 | 2022-07-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN110400811B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-12-17 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
CN110867474B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-01-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板 |
CN110854205A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及制作方法、显示面板及显示装置 |
-
2020
- 2020-04-08 CN CN202010268785.6A patent/CN111463267A/zh active Pending
- 2020-04-21 US US16/762,929 patent/US20220109125A1/en not_active Abandoned
- 2020-04-21 WO PCT/CN2020/085813 patent/WO2021203473A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107452755A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-12-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示面板 |
CN107895726A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-04-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
CN111048524A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-21 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及制备方法、显示面板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113224084A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板、以及柔性显示装置 |
WO2023108678A1 (zh) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220109125A1 (en) | 2022-04-07 |
WO2021203473A1 (zh) | 2021-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11152443B2 (en) | Display panel having a storage capacitor and method of fabricating same | |
US20130056714A1 (en) | Organic el display, method of producing organic el display, and electronic unit | |
CN107170762A (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
CN106531770A (zh) | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
US7535166B2 (en) | Organic EL display | |
CN110783490A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
CN113130821B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
CN112703615B (zh) | 显示基板及其制作方法 | |
WO2021121095A1 (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
US20240016029A1 (en) | Display panel | |
CN111463267A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN110391283A (zh) | 有机发光显示面板和有机发光显示装置 | |
CN114220821A (zh) | 显示面板 | |
WO2021179419A1 (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
KR102593461B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN111415963A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
US20250004585A1 (en) | Touch display device and method for controlling the same | |
KR20240083005A (ko) | 표시장치 | |
CN114725128A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
WO2023097716A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN114361195A (zh) | 显示装置及制造其的方法 | |
CN113745247A (zh) | 显示面板 | |
JP2006085985A (ja) | 有機el表示装置 | |
KR102309510B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
CN113113424B (zh) | 显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200728 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |