CN111455342A - 蒸发镀膜设备、蒸发镀膜系统及蒸发镀膜控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种蒸发镀膜设备、蒸发镀膜系统和控制方法，其中，该设备包括：多个蒸发源，呈阵列排布；多个加热装置，与蒸发源一一对应；多个蒸发量监控装置，与蒸发源一一对应，设置于蒸发源上方，用于检测当前蒸发量；控制装置，分别与蒸发量监控装置和加热装置连接，用于调整加热装置的加热量进而分别调整蒸发量。该系统中蒸发源呈阵列分布，每一个蒸发源设置一个加热装置，并且在其上方设置蒸发量监控装置，从而控制器可分别对每一个加热装置的加热量进行调整，进而单独调整每一个蒸发源的蒸发量，调节过程更加精确，使得蒸镀的膜层厚度均匀。

Description

蒸发镀膜设备、蒸发镀膜系统及蒸发镀膜控制方法

技术领域

本发明涉及蒸镀技术领域，具体涉及一种蒸发镀膜设备、蒸发镀膜系统及蒸发镀膜控制方法。

背景技术

蒸镀是将材料在真空环境中加热，使之气化并沉积到基片而获得薄膜材料的方法，又称为真空蒸镀或真空镀膜。目前通常采用点源蒸镀或线性源蒸镀进行蒸镀；其中，点源蒸镀技术发展较为成熟，已经在生产线实现了量产，但点源蒸发源是不连续的，导致蒸发镀膜的膜层均匀性较差；线性源蒸镀，在设备机械加工完成后，线性源的调节性差，也使得蒸发镀膜后的膜层均匀性差。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种蒸发镀膜设备、蒸发镀膜系统及蒸发镀膜控制方法，以解决现有技术中蒸发镀膜的膜层厚度不均匀的问题。

根据第一方面，本发明实施例提供了一种蒸发镀膜设备，包括：多个呈阵列式排布的蒸发源；多个加热装置，与多个所述蒸发源一一对应，用于对所述蒸发源内的蒸发材料进行加热。

可选地，还包括：多个与多个蒸发源一一对应的蒸发量监控装置，设置于所述蒸发源上方的蒸镀范围内，用于检测所述蒸发源的当前蒸发量。

可选地，还包括：控制装置，分别与所述多个蒸发量监控装置和所述多个加热装置连接，用于根据所述蒸发量监控装置的反馈，控制与所述蒸发量监控装置对应的所述加热装置，进而分别调整每一个蒸发源的蒸发量。

可选地，沿与所述基板移动方向相垂直的方向排列的一列或相邻多列蒸发源，用于设置同一种蒸发材料；在与基板移动方向相垂直的方向上，任意相邻的两个蒸发源对应的蒸镀范围至少存在部分重叠。

可选地，所述多个蒸发源包括至少两组蒸发源，每一组蒸发源包括一列或相邻多列蒸发源，所述一组蒸发源用于设置同一种蒸发材料；所述至少两组蒸发源中设置的材料分别与欲形成的至少两层膜层的材料对应，所述至少两层膜层层叠设置。

可选地，还包括：隔离装置，设置于相邻的两组蒸发源之间，用于避免相邻组蒸发源中的蒸发材料在蒸镀过程中相互混合。

可选地，所述蒸发源为点状蒸发源，且多个点状蒸发源等间距排列。

可选地，所述蒸发源包括：容器；喷嘴，设置于所述容器的开口处，所述喷嘴的底部开口与所述容器的开口相适应，所述喷嘴的顶部开口的面积大于所述底部开口的面积。

可选地，所述喷嘴的蒸镀范围根据所述喷嘴的开口角度、以及所述喷嘴底部开口与所述基板的距离确定；在与基板移动方向相垂直的方向上，任意相邻的两个喷嘴对应的蒸镀范围至少存在部分重叠。

可选地，所述蒸发量监控装置包括石英晶体微天平。

根据第二方面，本发明实施例提供了一种蒸发镀膜系统，包括如本发明第一方面中任一所述的蒸发镀膜设备。

可选地，还包括：膜层参数监控装置，与所述蒸发镀膜设备的控制装置连接，用于检测基板上蒸镀形成的膜层的参数；所述蒸发镀膜设备的控制装置还用于根据当前蒸发量和蒸镀膜层的参数调整所述加热装置的加热量进而分别调整所述蒸发镀膜设备的蒸发源的蒸发量。

可选地，所述蒸镀膜层的参数包括膜层厚度和/或膜层成分信息。

可选地，所述膜层参数监控装置包括X射线荧光光谱分析仪。

根据第三方面，本发明实施例提供了一种蒸发镀膜控制方法，适用于如本发明第二方面中任一项所述的蒸发镀膜系统，包括如下步骤：获取多个蒸发源的当前蒸发量和基板上蒸镀形成的膜层的参数；根据所述当前蒸发量和蒸镀膜层的所述参数控制所述加热装置。

可选地，根据所述当前蒸发量和蒸镀膜层的所述参数控制所述加热装置，包括：根据膜层参数监控装置实时检测并反馈的所述参数确定待调整的蒸发源的位置信息；实时调整对应所述位置信息上的蒸发源所对应的加热装置的加热量，使蒸镀后的膜层厚度达到目标值。

本发明技术方案，具有如下优点：

本发明实施例提供的蒸发镀膜设备，采用呈阵列分布的蒸发源，且每一个蒸发源设置一个加热装置，方便在镀膜的过程中调节，例如调节某个区域的镀膜厚度，调节过程更加精确；而且，多个阵列分布的蒸发源，与一个点蒸发源和一个线蒸发源的方式相比，可以使得蒸镀的膜层厚度更均匀。同时，呈阵列分布的蒸发源还可实现大面积的均匀镀膜。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中蒸发镀膜设备的一个应用场景的示意图；

图2为本发明实施例中图1的仰视图；

图3为本发明实施例中蒸发镀膜设备的一个具体示例的示意图；

图4为本发明实施例中蒸发镀膜设备的蒸发源的一个具体示例的示意图；

图5为本发明实施例中蒸发镀膜设备的另一个具体示例的示意图；

图6为本发明实施例中蒸发镀膜设备的另一个具体示例的示意图；

图7为本发明实施例中蒸发镀膜系统的一个具体示例的示意图；

图8为本发明实施例中蒸发镀膜控制方法的一个具体示例的流程图。

附图标记：

1、蒸发源；11、容器；12、喷嘴；2、基板；3、加热装置；

4、蒸发量监控装置；5、控制装置；6、隔离装置；7、膜层参数监控装置。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

图1是本发明实施例的一个应用场景的示意图，基板2在蒸镀过程中沿着图1所示的移动方向自左向右进行移动。下方设置有蒸发源1，蒸发源1可以加热容置在其内的待蒸发材料，使待蒸发材料蒸发上升附着在基板2上。基板2位于蒸发源1的上方，在蒸镀过程中基板2自左向右移动，当基板2移过蒸发源1之后，基板2上随之形成覆盖其上的与蒸发源1中待蒸发材料一致的膜层。

本实施例还提供一种蒸发镀膜设备，如图2所示，包括：多个呈阵列排布的蒸发源1；多个加热装置3，与多个蒸发源1一一对应，用于对蒸发源1的容器内的蒸发材料进行加热。例如，所述蒸发镀膜设备用于对基板2进行蒸镀。

本公开中将蒸发源改为分散的多个蒸发源，多个蒸发源呈阵列式排布，这样可以待蒸发材料可以同时从多个蒸发源的分布区域蒸发出来，即形成的气态待蒸发材料可以分布得更均匀，这样形成得薄膜厚度比较均匀，尤其是在基板比较大，待成膜区域比较大的情况下，这种优势更明显。

上述蒸发镀膜设备中的多个蒸发源呈阵列排布，且每一个蒸发源对应一个加热装置，加热装置单独对蒸发源进行加热以调节每一个蒸发源内盛放的蒸发材料的蒸发量，实现了蒸发源蒸发量的单独调节，从而使得整个基板的蒸镀膜层厚度更加均匀。在一些实施例中，尤其是在基板面积较大的情况下，阵列排布的蒸发源可以根据基板的实际面积进行调整，使得各个位置上的镀膜厚度一致，保证整个基板上镀膜的均匀性。

在一些实施例中，如图3所示，该蒸发镀膜设备还包括：多个蒸发量监控装置4，与多个蒸发源1一一对应，蒸发量监控装置4设置于蒸发源1上方的蒸镀范围内，用于检测蒸发源1的当前蒸发量。检测到当前蒸发量后，例如可以将蒸发量发送至控制装置，方便控制装置根据预设镀膜厚度调整当前蒸发量，提高了成膜的均匀性。蒸发量监控装置4可以为蒸发量的调整提供数据，

在一实施例中，如图3所示，该蒸发镀膜设备还包括：控制装置5，分别与多个蒸发量监控装置4和多个加热装置3连接，用于根据蒸发量监控装置的反馈，控制与蒸发量监控装置对应的加热装置3，进而分别调整每一个蒸发源1的蒸发量。例如，在一些批量生产的应用场景下，基板蒸镀完成后检测镀膜厚度的均匀性，可以根据检测结果确定膜层不均匀处的位置，进而确定与该位置对应的蒸发源，对蒸发源的蒸发量进行调整，对后续基板的镀膜采用调整后的参数，使得镀膜厚度更加均匀。例如，检测到前一个镀膜完成的基板在某一位置上的膜层厚度较厚，则需要降低与该位置对应的蒸发源的蒸发量，以使后续批量生产中该位置上的镀膜厚度减小，与整体厚度一致。

上述蒸发镀膜设备中的蒸发源呈阵列分布，每一个蒸发源设置一个加热装置，并且每一个蒸发源的上方设置一个检测当前蒸发量的蒸发量监控装置，从而控制器可分别对每一个加热装置的加热量进行调整，进而单独调整每一个蒸发源的蒸发量，在镀膜的过程中可以很方便地调节镀膜厚度，调节过程更加精确，使得蒸镀的膜层厚度更加均匀，同时呈阵列分布的蒸发源还可实现大面积的均匀镀膜。

在一些实施例中，沿与基板移动方向相垂直的方向排列的一列或者相邻多列蒸发源用于设置同一种蒸发材料；在与基板移动方向相垂直的方向上，任意相邻的两个蒸发源对应的蒸镀范围至少存在部分重叠。

为方便理解，仅以一列蒸发源设置同种蒸发材料为例，这一列上相邻的两个蒸发源对应的蒸镀范围至少存在部分重叠。也就是说，我们利用多个蒸发源排成一列模拟出一个线性蒸发源，但由于每个蒸发源可单独调整/控制蒸发量，所以克服了现有线性源的调节性差的问题。

进一步地，沿与基板移动方向相垂直的方向排列的多列蒸发源中，可每一列蒸发源可对应同一种蒸发材料，相邻的不同列可对应不同的蒸发材料，实现不同镀膜材料的层叠膜层蒸镀。在蒸镀过程中，随着基板的移动，每一列可以设置一种材料，每一列对应蒸镀形成一层膜层，蒸镀过程更加简单、控制更加便捷。

也可以多列蒸发源对应同一种蒸发材料，在蒸镀过程中，随着基板的移动，每一列蒸发源对应蒸镀形成一层膜层，多列蒸发源对应蒸镀形成多层膜层，增加了同一种蒸发材料蒸镀膜层的厚度，对应最终形成的同一膜层的厚度越厚需要的列数越多。例如，阵列排布的蒸发源包括三列，蒸发源中均盛放同一种蒸发材料，在蒸镀过程中，基板经过第一列蒸发源后形成一层厚度为X的膜层，经过第二列蒸发源后形成的膜层厚度为2X，经过第三列蒸发源后形成的膜层厚度为3X，在一次蒸镀过程中便可实现较厚的蒸镀膜层，控制更加便捷，尤其适用于蒸镀膜层较厚的情况。

当然，也可以考虑将本公开的蒸发镀膜设备用于实现多层层叠的不同材质膜层的蒸镀。下面结合具体实施例进行说明。在一实施例中，多个蒸发源包括至少两组蒸发源，每一组蒸发源包括用于设置同一种蒸发材料的一列或相邻多列蒸发源；至少两组蒸发源中设置的材料分别与欲形成的至少两层膜层的材料对应，所述至少两层膜层层叠设置。多个蒸发源包括多组蒸发源，每一组蒸发源中的蒸发材料相同，不同组中蒸发源所盛放的蒸发材料不相同，多组蒸发源所对应的蒸发材料与欲形成的膜层的材料对应。

为方便理解，仅以每组包括一列，每一列设置不同材料进行说明。因为对多层膜而言，在图1所示连续蒸镀的情况下，最底层的膜层最先形成，越靠上形成的时间越晚，表层的膜层最后形成；这样，最底层的膜层对应的蒸镀材料需要设置在图1中的最左侧，基板最先经过，在基板上首先形成；表层膜层的最后形成，表层膜层对应的蒸镀材料需要设置在图1中的最右侧。所以，参考图1所示，从左至右多个蒸发源中的材料按从最底层的膜层到表层膜层的顺序排列，即先经过的蒸发源设置相对底层的膜层的对应蒸镀材料。蒸镀完成后在基板上形成的多层层叠设置的膜层，在一次蒸镀过程中便可同时形成多层层叠的膜层，形成方式更加灵活，蒸镀效率更高。

例如，欲形成的层叠膜层包括三层，以钛→铝→钛为例进行说明，按照叠层膜层的形成要求，多个蒸发源包括三组蒸发源，第一组蒸发源中的蒸发材料为钛，第二组蒸发源中的蒸发材料为铝，第三组蒸发源中的蒸发材料为钛。基板在移动过程中，依次经过第一组蒸发源、第二组蒸发源和第三组蒸发源，经过第一组蒸发源后在基板上先形成一层钛膜层，经过第二组蒸发源后在钛膜层上形成一层铝膜层，经过第三蒸发源后在铝膜层上再形成一层钛膜层，最后在基板上形成三层自下而上层叠的钛/铝/钛膜层。

又例如，上述三层层叠的钛铝钛膜层中的每一层的厚度不相同，则只需改变每一组蒸发源中所包含的蒸发源的列数即可实现。与基板直接接触的第一层为钛膜层，厚度为Y；第一层上面的第二层为铝膜层，厚度为3Y，第二层上面的第三层为钛膜层，厚度为2Y，依据上述需求，如果不考虑蒸发速度不同的影响，第一组蒸发源可设置为一列，第二组蒸发源可设置为3列，第三组蒸发源可设置为2列。基板在移动过程中，依次经过第一组蒸发源、第二组蒸发源和第三组蒸发源，经过第一组蒸发源后，在基板上先形成一层厚度为Y的钛膜层；经过第二组蒸发源后，在钛膜层上形成一层厚度为3Y的铝膜层；经过第三蒸发源后，在铝膜层上再形成一层厚度为2Y的钛膜层；最后在基板上形成满足要求的三层层叠的钛铝钛膜层。基板在一次移动过程中同时形成上述膜层，解决了现有技术中不能在基板的一次移动过程中同时形成不同厚度膜层、不同材料膜层叠层设置的缺陷，无需对各个膜层分别蒸镀，提高了蒸镀效率。调节厚度时，可以通过调整放同种材料的蒸发源的列数来实现，无需调整基板移动速度、蒸发量等参数。

需要说明的是，本实施例仅作示意性说明，并不以此为限，在其它实施例中可根据实际需要合理设置多个蒸发源以形成满足要求的膜层结构。

在一实施例中，如图6所示，蒸发镀膜设备还包括：隔离装置6，设置于相邻的两组蒸发源之间，用于隔离相邻组的蒸发源中的蒸发材料在蒸镀过程中的相互混合。设置于相邻组之间的隔离装置能够有效阻挡相邻组蒸发源在蒸发过程中混合，避免出现不同蒸发材料的相互污染；在减小设备占用面积的同时保证镀膜质量。

需要说明的是，相邻组蒸发源之间的距离可根据实际需要合理设置，例如，本实施例中图6所示，在隔离装置6可以避免相互污染的情况下，可将相邻组蒸发源之间的距离设置为正好相邻，图6仅作示意性表示，并不以此为限；当然，在其它实施例中，可根据需要合理调整其位置，例如将相邻组蒸发源之间的间距设置的更大或者更小，只要结合相邻组蒸发源之间设置的隔离装置能够将不同蒸发材料进行有效隔离为准。

在一实施例中，隔离装置可以是挡板，挡板例如是垂直于基板设置，挡板在基板上的投影的长度不小于基板在沿垂直于移动方向上的长度。例如，垂直于基板移动方向称为列方向，挡板投影的长度大于基板在列方向上的长度，使得基板的列方向上均设置有挡板以阻挡蒸发材料的混合，提高了蒸镀膜层的质量。当然，在其它实施例中，隔离装置还可采用现有技术中的其它具有阻挡作用的装置，根据需要合理设置即可。

在一实施例中，蒸发源为点状蒸发源，且多个点状蒸发源等间距排列。点状等间距排列的蒸发源，对每一点状蒸发源分别控制其蒸发量，能够实现更加精确的膜层厚度控制，增加镀膜的均匀性。当然，在其它实施例中，蒸发源还可以是线性蒸发源，根据需要合理设置即可。

需要说明的是，只需要保证与基板的移动方向相垂直的方向上的蒸发源等间距排列，沿基板移动方向上相邻的蒸发源之间的间距可根据实际需要合理设置，可设置为相同，也可设置为不相同。

在一实施例中，如图4所示，蒸发源1包括：容器11，用于盛放蒸发材料；喷嘴12，设置于容器11的开口处，喷嘴12的底部开口与容器11的开口相适应，喷嘴12的顶部开口的面积大于底部开口的面积，使得在蒸镀过程中形成的镀膜更加均匀。从喷嘴的底部喷射出来的蒸发材料可以近似的看为以底部喷嘴为球心的球面型分布，在投影到基板上时会出现从投影中心沿径向膜层厚底递减的分布，分布不均匀。设置喇叭口的喷嘴后，膜层分布被限制在一定的区域内(分布区域由喷嘴角度决定)。

在一实施例中，容器可为坩埚，喷嘴和坩埚可使用耐高温和耐腐蚀的裂解氮化硼材质加工而成；当然，在其它实施例中，喷嘴和坩埚的材质也可以不同，还可采用现有技术中其它材料制备而成，并不以此为限。

在一实施例中，喷嘴的蒸镀范围根据喷嘴的开口角度、以及底部开口与基板的距离确定；在与基板移动方向相垂直的方向上，任意相邻的两个喷嘴对应的蒸镀范围至少存在部分重叠；保证基板在相邻喷嘴对应的蒸镀范围的交接处有重叠，不存在膜层不连续的情况，提高了镀膜的均匀性和镀膜质量。具体地，如图5所示，与基板移动方向相垂直的方向上相邻喷嘴之间所对应的蒸镀范围部分重叠，重叠区域的大小可根据实际情况合理确定，本实施例不作任何限制。

在一实施例中，可通过如下计算公式确定蒸镀范围，

其中，L为相邻蒸发源中心线之间的距离；θ为喷嘴开口角度；d为喷嘴底部开口到基板的距离；a为一常数。具体地，常数a的优选范围可为1.5－1.85，优选值为

本实施例仅作示意性说明，并不以此为限，相邻蒸发源之间的重叠范围具体可根据实际需要合理设置。需要说明的是，如果蒸发源的蒸镀区域可以看成均匀膜层，则两个相邻的蒸发源之间的蒸镀范围刚好紧邻且没有重叠较好。但实际情况是，可以有重叠，只要重叠区域的膜厚满足设计要求就行。理想状态下，两个相邻的蒸发源之间的蒸镀范围刚好紧邻且没有重叠时，相邻蒸发源之间的距离为

即将上述公式中的系数a设置为小于2即可实现部分重叠的蒸镀范围。发明人通过创造性劳动发现，将a的数值设置为1.5－1.85，这样制得的膜层均匀性较佳。

在一实施例中，喷嘴为喇叭状，喇叭口状的蒸发源喷嘴使得蒸发材料蒸发出来后呈一个近似的球面分布，增加镀膜的均匀性。

在一实施例中，容器和喷嘴一体成形，使得蒸发源的制备过程更加简单；当然，在其它实施例中，容器和喷嘴还可以分体制备，制备完成后再组装使用，使用过程更加灵活。

在一实施例中，蒸发量监控装置4包括石英晶体微天平(QCM)，能够实现持续监测，监测的时间较长。当然，在其它实施例中，还可采用现有技术中的其它监控装置，根据需要合理设置即可。

上述蒸发镀膜装置，使用点源阵列代替线性源，突破了线性源镀膜对镀基板大小的限制，一方面实现了大面积均匀镀膜，另一方面解决了线性源不能单独进行局部镀膜参数调节的缺陷；实现镀膜过程的实时调整，提高了镀膜的一致性和均匀性。

本实施例还提供一种蒸发镀膜系统，包括如上述实施例中任一所述的蒸发镀膜设备。

在一实施例中，如图7所示，该系统还包括：膜层参数监控装置7，与蒸发镀膜设备的控制装置5连接，用于检测基板上蒸镀形成的膜层的参数；当前蒸发量可以通过上面的蒸发量监控装置得到；蒸发镀膜设备的控制装置5还用于根据当前蒸发量和蒸镀膜层参数调整加热装置的加热量进而分别调整蒸发镀膜设备的蒸发源的蒸发量。

在一些实施例中，膜层参数监控装置7是对蒸镀膜层进行实时检测实时反馈的。此时，膜层参数监控装置7设置于腔室内。

在一些实施例中，膜层参数监控装置7在镀膜结束后进行膜层的参数检测，为了避免影响，一般在镀膜腔室后面再设置一个专门测试的腔室，用于膜层参数的检测，测试的腔室为真空环境，减少干扰，提高膜层参数检测的精确度。可采取垂直于基板运动方向上进行扫描测试(一般选取几个有代表性的测试点位进行测试)，测试反馈结果(即膜层的参数)可包括测试点的膜层厚度及膜层成份数据等。

上述蒸发镀膜系统，使用点源阵列代替传统的线性源或点蒸镀源，突破了点蒸镀源和线性源镀膜对镀膜基板大小的限制，一方面实现了大面积均匀镀膜，另一方面解决了线性源不能单独进行局部镀膜参数调节的缺陷；并且每个蒸发源设置有膜层监控装置，膜层监控装置实时监控蒸发源的蒸发量并反馈给蒸发镀膜设备的控制装置5，控制装置5接收根据膜层参数监控装置7反馈的蒸镀膜层参数，并根据当前蒸发量和蒸镀膜层参数对蒸发源进行相应的调节，实现镀膜过程的实时调整，提高了镀膜的一致性和均匀性。

在一实施例中，膜层参数监控装置7包括X射线荧光光谱分析仪(XRF)。当然，在其它实施例中，还可采用现有技术中的其它监控装置，如X射线光电子能谱分析仪(XPS)或者二次离子质谱分析(SIMS)，根据需要合理设置即可。

在一实施例中，蒸镀膜层的参数可包括膜层厚度和膜层成分数据。具体地，蒸镀膜层的参数包括不同位置的膜层厚度和膜层成分数据，根据多个位置的蒸镀膜层的参数进行调整，调节更加精细化，提高了调整的精度，使得蒸镀的膜层更加均匀。当然，在其它实施例中，蒸镀膜层的参数也可包括上述参数之一或者除上述参数之外的其它参数，根据需要合理设置即可。

本实施例还提供一种蒸发镀膜控制方法，适用于如上述实施例中任一所述的蒸发镀膜系统，如图8所示，包括如下步骤S1－S2。

步骤S1：获取多个蒸发量监控装置4检测到的与之对应的多个蒸发源1的当前蒸发量，获取膜层参数监控装置7检测到的基板上蒸镀形成的膜层的参数。

在一实施例中，具体可通过设置于蒸发源1上方的蒸镀范围内的多个蒸发量监控装置4检测每一个蒸发源1的当前蒸发量，一个蒸发源对应一个当前蒸发量；通过膜层参数监控装置7检测基板上蒸镀形成的膜层的参数。

步骤S2：根据当前蒸发量和蒸镀膜层的参数控制加热装置。在一实施例中，步骤S2具体包括步骤S21－S22。

步骤S21：根据膜层参数监控装置实时检测并反馈的膜层的参数确定待调整的蒸发源的位置信息。

具体地，膜层参数监控装置可以是XRF，XRF对每个测试点的反馈数据主要是该点的不同元素的厚度量，根据厚度量确定待调整位置所对应的蒸发源。

步骤S22：实时调整对应位置信息上的蒸发源所对应的加热装置的加热量，使蒸镀后的膜层厚度达到目标值。具体地，可通过调整加热装置的加热温度来调节加热装置的输出功率，从而调整加热量，改变加热装置所对应的蒸发源的蒸发量，进而对该位置上蒸镀的膜层厚度进行调整。

具体地，蒸发镀膜过程中，蒸发量监控装置4实时监控蒸发源蒸发量的多少，根据一定的算法实时的反馈给控制装置5，控制装置5根据当前蒸发量和蒸镀膜层参数实时调整加热装置3的加热量(例如，通过调整加热装置的功率输出调整加热量的大小)，进而实时调整蒸发源的蒸发量，最终形成控制闭环，不断优化蒸发源，最终达到目标值。对每个蒸发源的蒸发量进行实时调整，可以极大程度地实现膜层性能的精确控制，提高了蒸镀膜层的均匀性。

上述蒸发镀膜控制方法，根据当前蒸发量和膜层参数监控装置反馈的蒸镀膜层参数调整每一个加热装置的加热量，进而单独调整每一个蒸发源的蒸发量，在镀膜的过程中调节镀膜厚度，调节过程更加精确，使得蒸镀的膜层厚度均匀，同时呈阵列分布的蒸发源还可实现大面积的均匀镀膜。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (15)

1.一种蒸发镀膜设备，其特征在于，包括：

多个呈阵列式排布的蒸发源；

多个加热装置，与多个所述蒸发源一一对应，用于对所述蒸发源内的蒸发材料进行加热。

2.根据权利要求1所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，还包括：

多个与多个蒸发源一一对应的蒸发量监控装置，设置于所述蒸发源上方的蒸镀范围内，用于检测所述蒸发源的当前蒸发量。

3.根据权利要求2所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，还包括：

控制装置，分别与所述多个蒸发量监控装置和所述多个加热装置连接，用于根据所述蒸发量监控装置的反馈，控制与所述蒸发量监控装置对应的所述加热装置，进而分别调整每一个蒸发源的蒸发量。

4.根据权利要求1－3任一项所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，沿与所述基板移动方向相垂直的方向排列的一列或相邻多列蒸发源，用于设置同一种蒸发材料；

在与基板移动方向相垂直的方向上，任意相邻的两个蒸发源对应的蒸镀范围至少存在部分重叠。

5.根据权利要求4所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，

所述多个蒸发源包括至少两组蒸发源，每一组蒸发源包括用于设置同一种蒸发材料的一列或相邻多列蒸发源；所述至少两组蒸发源中设置的材料分别与欲形成的至少两层膜层的材料对应，所述至少两层膜层层叠设置。

6.根据权利要求5任一所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，还包括：

隔离装置，设置于相邻的两组蒸发源之间，用于避免相邻组蒸发源中的蒸发材料在蒸镀过程中相互混合。

7.根据权利要求1所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，所述蒸发源为点状蒸发源，且多个点状蒸发源等间距排列。

8.根据权利要求1－3任一所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，所述蒸发源包括：

容器；

喷嘴，设置于所述容器的开口处，所述喷嘴的底部开口与所述容器的开口相适应，所述喷嘴的顶部开口的面积大于所述底部开口的面积。

9.根据权利要求8所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，所述喷嘴的蒸镀范围根据所述喷嘴的开口角度、以及所述喷嘴底部开口与所述基板的距离确定；在与基板移动方向相垂直的方向上，任意相邻的两个喷嘴对应的蒸镀范围至少存在部分重叠。

10.根据权利要求1－3任一所述的蒸发镀膜设备，其特征在于，所述蒸发量监控装置包括石英晶体微天平。

11.一种蒸发镀膜系统，其特征在于，包括如权利要求1－10任一所述的蒸发镀膜设备。

12.根据权利要求11所述的蒸发镀膜系统，其特征在于，还包括：

膜层参数监控装置，与所述蒸发镀膜设备的控制装置连接，用于检测基板上蒸镀形成的膜层的参数；

所述蒸发镀膜设备的控制装置还用于根据当前蒸发量和蒸镀膜层参数调整所述加热装置的加热量，进而分别调整所述蒸发镀膜设备的蒸发源的蒸发量。

13.根据权利要求12所述的蒸发镀膜系统，其特征在于，所述蒸镀膜层的参数包括膜层厚度和/或膜层成分信息。

14.一种蒸发镀膜控制方法，其特征在于，适用于如权利要求11－13任一项所述的蒸发镀膜系统，包括如下步骤：

获取多个蒸发源的当前蒸发量和基板上蒸镀形成的膜层的参数；

根据所述当前蒸发量和蒸镀膜层的所述参数控制所述加热装置。

15.根据权利要求14所述的蒸发镀膜控制方法，其特征在于，根据所述当前蒸发量和蒸镀膜层的所述参数控制所述加热装置，包括：

根据膜层参数监控装置实时检测并反馈的膜层的参数确定待调整的蒸发源的位置信息；

实时调整对应所述位置信息上的蒸发源所对应的加热装置的加热量，使蒸镀后的膜层厚度达到目标值。

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