CN111415590A - 显示面板及其测试方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其测试方法，通过在显示面板的显示区中至少划分出第一测试区和第二测试区，并通过遮光层遮挡位于所述第一测试区内的各所述主像素电极和位于所述第二测试区内的各所述次像素电极，以便于分别测量位于所述第一测试区内的所述次像素电极的电压‑亮度特性曲线、及位于所述第二测试区内的所述主像素电极的电压‑亮度特性曲线，实现了次像素电极和主像素电极的电压‑亮度特性曲线的分别精准测量，便于为后续对像素电极单元的设计和评估提供支持。

Description

显示面板及其测试方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其测试方法。

背景技术

随着显示技术的发展，为改善显示面板大视角色偏的问题，将显示面板中像素电极单元(pixel)分成主像素电极(main-pixel)和次像素电极(sub-pixel)，并在显示时使主像素电极与次像素电极的亮度存在差异以对视角进行补偿，从而改善大视角色偏，显然，视角改善的效果主要取决于主像素电极与次像素电极的亮度差异，即分压关系，数据上主要体现为主像素电极与次像素电极的电压-亮度特性曲线(V-T Curve)关系。但实际上只能测出像素电极单元整体的电压-亮度特性曲线，却无法单独测量出主像素电极与次像素电极各自的电压-亮度特性曲线，这样在研发中很难深入定性的去研究主像素电极与次像素电极的分压关系，困扰着研发者对此类像素电极结构的设计和评估。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其测试方法，以解决现有显示面板中无法单独测量出主像素电极与次像素电极各自的亮度特性曲线的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种显示面板，包括显示区及位于所述显示区内的第一测试区和第二测试区；所述显示面板包括：

阵列基板；

像素电极层，位于所述阵列基板上且与所述显示区相对应，所述像素电极层包括多个呈阵列排布的像素电极单元，每一所述像素电极单元均包括主像素电极和次像素电极；

遮光层，设置于所述像素电极层上；

其中，在垂直于所述阵列基板的方向上，所述遮光层的正投影覆盖位于所述第一测试区内的各所述主像素电极和位于所述第二测试区内的各所述次像素电极的正投影。

在本申请一优选实施例中，还包括设置于所述阵列基板上方的黑色矩阵，所述遮光层与所述黑色矩阵材料相同，且为一体成型结构。

在本申请一优选实施例中，所述第一测试区和第二测试区位于所述显示区的中部。

在本申请一优选实施例中，所述第一测试区和第二测试区的形状相同且面积相等。

在本申请一优选实施例中，还包括第三测试区，所述第三测试区位于所述显示区内，所述遮光层位于所述第三测试区外部。

在本申请一优选实施例中，所述第一测试区、第二测试区和所述第三测试区呈等间隔顺次排布。

在本申请一优选实施例中，所述阵列基板包括与所述主像素电极连接的第一TFT、与所述次像素电极连接的第二TFT、以及与所述第二TFT连接的第三TFT。

本申请还提供一种显示面板的测试方法，测量前述任一项所述显示面板的电压-亮度特性曲线，包括以下步骤：

启动所述显示面板；

分别测量位于所述第一测试区内的所述次像素电极的电压-亮度特性曲线、位于所述第二测试区内的所述主像素电极的电压-亮度特性曲线、以及位于所述第一测试区和所述第二测试区外且位于所述显示区内的所述像素电极单元的电压-亮度特性曲线。

在本申请一优选实施例中，所述第一测试区和第二测试区位于所述显示区的中部，所述分别测量位于所述第一测试区内的所述次像素电极的电压-亮度特性曲线和位于所述第二测试区内的所述主像素电极的电压-亮度特性曲线的测试位置均位于所述显示区的中部。

在本申请一优选实施例中，所述显示面板还包括位于所述显示区内的第三测试区，所述测量位于所述第一测试区和所述第二测试区外且位于所述显示区内的所述像素电极单元的电压-亮度特性曲线包括：

测量位于所述第三测试区内的所述像素电极单元的电压-亮度特性曲线。

本申请的有益效果为：通过在显示面板的显示区中至少划分出第一测试区和第二测试区，并通过遮光层遮挡位于所述第一测试区内的各所述主像素电极和位于所述第二测试区内的各所述次像素电极，以便于分别测量位于所述第一测试区内的所述次像素电极的电压-亮度特性曲线、及位于所述第二测试区内的所述主像素电极的电压-亮度特性曲线，实现了次像素电极和主像素电极的电压-亮度特性曲线的分别精准测量，便于为后续对像素电极单元的设计和评估提供支持。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请一实施例中显示面板的俯视图；

图2为图1中第三测试区内的结构示意图；

图3为图1中第一测试区内的结构示意图；

图4为图1中第二测试区内的结构示意图；

图5为本申请一实施例中显示面板的层级结构示意图；

图6为本申请一实施例中显示面板的测试方法的流程示意框图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本申请提供一种显示面板，如图1-图5所示，包括显示区10及位于所述显示区10内的第一测试区11和第二测试区12；所述显示面板包括：

阵列基板100；

像素电极层200，位于所述阵列基板100上且与所述显示区10相对应，所述像素电极层200包括多个呈阵列排布的像素电极单元210，每一所述像素电极单元210均包括主像素电极211和次像素电极212；

遮光层300，设置于所述像素电极层200上，

其中，在垂直于所述阵列基板100的方向上，所述遮光层300的正投影覆盖位于所述第一测试区11内的各所述主像素电极211和位于所述第二测试区12内的各所述次像素电极212的正投影。

可以理解的是，在现有采用像素电极单元210(pixel)分成主像素电极211(main-pixel)和次像素电极212(sub-pixel)以改善显示面板大视角色偏的问题的显示面板中，很难单独测量次像素电极212或主像素电极211的电压-亮度特性曲线，不便于对次像素电极212与主像素电极211分压结构的设计和研究，本申请通过在所述显示面板的显示区10中至少划分出第一测试区11和第二测试区12，并结合遮光层300遮挡所述第一测试区11内的各所述主像素电极211和位于所述第二测试区12内各的所述次像素电极212，便于分别测量位于所述第一测试区11内的所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线和位于所述第二测试区12内的所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线，达到了对所述次像素电极212和所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线的分别精准测量的目的，显然，整体结构较为简单实用。

具体的，在所述第一测试区11内，利用所述遮光层300遮挡所述第一测试区11内的各所述主像素电极211，以便于在所述第一测试区11内通过光学测量仪器获取所述次像素电极212的亮度，同时也可以通过所述显示面板中的驱动电路获取次像素电极212的驱动电压，从而完成对所述次像素电极212电压-亮度特性曲线的测量，同理，在所述第二测试区12内，也可以利用所述遮光层300遮挡所述第二测试区12内的各所述次像素电极212，以便于在所述第二测试区12内通过光学测量仪器获取所述主像素电极211的亮度，同时也可以通过所述显示面板中的驱动电路获取主像素电极211的驱动电压，从而完成对所述主像素电极211电压-亮度特性曲线的测量，当然也可以是在基于本申请中所述遮挡光层遮挡所述第一测试区11内的各所述主像素电极211和位于所述第二测试区12内各的所述次像素电极212结构之上，采用其它有效的测量方式，在此，不做限制。

在一实施例中，如图5所示，还包括设置于所述阵列基板100上方的黑色矩阵400，所述遮光层300与所述黑色矩阵400材料相同，且为一体成型结构；具体的，所述黑色矩阵400设置于所述阵列基板100上，且位于各所述像素电极单元210之间；已达到最大化的遮光效果，可以理解的是，在所述显示面板中还包括黑色矩阵400，将所述遮光层300与所述黑色矩阵400选用相同材料，且设置为一体成型结构，显然，在所述显示面板的结构上，使得所述显示面板的结构更为紧凑，也避免了所述显示面板由于所述遮光层300结构的增加而导致整体面板厚度的增加；在所述显示面板的制作中，将所述黑色矩阵400与所述遮光层300采用一道工序制作而成，避免了由于所述遮光层300结构的增加而导致工艺的复杂化，也不影响所述显示面板整体的制作工序，适于批量化生产。

在一实施例中，如图1所示，所述第一测试区11和第二测试区12位于所述显示区10的中部，可以理解的是，在所述显示面板中，位于所述显示区10中部所述像素电极单元210相较于位于所述显示区10周边区域的所述像素电极单元210排布更为均匀且发光也更为饱和。通过将所述第一测试区11和第二测试区12设置于所述显示区10的中部。更有利于在分别测量位于所述第一测试区11内的所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线和位于所述第二测试区12内的所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线时，获得更为精准的电压-亮度特性曲线。具体的，所述第一测试区11和第二测试区12的形状相同且面积相等；显然，通过控制所述第一测试区11和所述第二测试区12具备相同的形状和尺寸，防止由于此类因素的影响，影响测试的准确度，所述第一测试区11和所述第二测试区12具体可以为大小相同的矩形，设置于所述显示区10的中部；进一步的，所述第一测试区11和所述第二测试区12可以相邻设置，也可以避免相互显示亮度的干扰，相互之间间隔一定距离设置。

在一实施例中，如图1所示，还包括第三测试区13，所述第三测试区13位于所述显示区10内，所述遮光层300位于所述第三测试区13外部，可以理解的是，第三测试区13用于测量包含主像素电极211和次像素电极212的所述像素电极单元210整体的电压-亮度特性曲线，具体的，所述第三测试区13中没有所述遮光层300，并且所述显示面板位于所述第三测试区13中的部分与所述显示面板位于所述显示区10中的部分的结构相同，显然，所述第三测试区13限定了测量所述像素电极单元210整体的电压-亮度特性曲线的位置，具体的，所述第三测试区13也位于所述显示区10的中部位置，所述第一测试区11、第二测试区12和所述第三测试区13呈等间隔顺次排布；如前所述，此种排布方式和结构均可以最大化保证测试的准确性。

在一实施例中，如图2所示，所述阵列基板100包括与所述主像素电极211连接的第一TFT110、与所述次像素电极212连接的第二TFT120、以及与所述第二TFT120连接的第三TFT130；可以理解的是，所述显示面板的驱动电路结构可以是3T架构，在所述显示面板的显示过程中，所述第一TFT110与所述主像素电极211连接，用于驱动所述主像素电极211，所述第二TFT120与所述次像素电极212连接，用于驱动所述次像素电极212，所述第三TFT130与所述第二TFT120连接，用于给所述第二TFT120分压，具体的驱动方式和分压形式均为较为成熟的技术，在此不再赘述，值得注意的是，本申请在分别测试所述主像素电极211、所述次像素电极212和所述像素电极单元210的电压-亮度特性曲线中的电压数据时，可以根据所述第一TFT110、第二TFT120和第三TFT130进行获取。

本申请还提供一种显示面板的测试方法，如图6所示，测量前述任一项所述显示面板的电压-亮度特性曲线，包括以下步骤：

步骤S10：启动所述显示面板；

步骤S20：分别测量位于所述第一测试区11内的所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线、位于所述第二测试区12内的所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线、以及位于所述第一测试区11和所述第二测试区12外且位于所述显示区10内的所述像素电极单元210的电压-亮度特性曲线。

可以理解的是，分别测量位于所述第一测试区11内的所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线、位于所述第二测试区12内的所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线、以及位于所述第一测试区11和所述第二测试区12外且位于所述显示区10内的所述像素电极单元210的电压-亮度特性曲线，是在启动所述显示面板之后，或者是响应于所述启动所述显示面板操作，值得注意的是，分别测量位于所述第一测试区11内的所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线、位于所述第二测试区12内的所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线、以及位于所述第一测试区11和所述第二测试区12外且位于所述显示区10内的所述像素电极单元210的电压-亮度特性曲线中，测量所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线、所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线、以及所述像素电极单元210的电压-亮度特性曲线这三者的顺序不做限制，但测量的时间可以在启动所述显示面板一段时间以后，在所述显示面板的显示达到稳定之后进行测试。

在一实施例中，所述第一测试区11和第二测试区12位于所述显示区10的中部，所述分别测量位于所述第一测试区11内的所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线和位于所述第二测试区12内的所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线的测试位置均位于所述显示区10的中部；显然，在所述显示面板中，位于所述显示区10中部所述像素电极单元210相较于位于所述显示区10周边区域的所述像素电极单元210排布更为均匀且发光也更为饱和。通过将所述第一测试区11和第二测试区12设置于所述显示区10的中部。更有利于在分别测量位于所述第一测试区11内的所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线和位于所述第二测试区12内的所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线时，获得更为精准的电压-亮度特性曲线。

在一实施例中，所述显示面板还包括位于所述显示区10内的第三测试区13，所述测量位于所述第一测试区11和所述第二测试区12外且位于所述显示区10内的所述像素电极单元210的电压-亮度特性曲线包括：

测量位于所述第三测试区13内的所述像素电极单元210的电压-亮度特性曲线；显然，通过所述第三测试区13限定了测量所述像素电极单元210整体的电压-亮度特性曲线的位置，具体的，所述第三测试区13也位于所述显示区10的中部位置，所述第一测试区11、第二测试区12和所述第三测试区13呈等间隔顺次排布；如前所述，此种排布方式和结构均最大化避免测试受到其它因素的干扰，保证测试的准确性，便于后续分析研究。

本申请的有益效果为：通过在显示面板的显示区10中至少划分出第一测试区11和第二测试区12，并通过遮光层300遮挡位于所述第一测试区11内的各所述主像素电极211和位于所述第二测试区12内的各所述次像素电极212，以便于分别测量位于所述第一测试区11内的所述次像素电极212的电压-亮度特性曲线、及位于所述第二测试区12内的所述主像素电极211的电压-亮度特性曲线，实现了次像素电极212和主像素电极211的电压-亮度特性曲线的分别精准测量，便于为后续对像素电极单元210的设计和评估提供支持。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区及位于所述显示区内的第一测试区和第二测试区；所述显示面板包括：

阵列基板；

像素电极层，位于所述阵列基板上且与所述显示区相对应，所述像素电极层包括多个呈阵列排布的像素电极单元，每一所述像素电极单元均包括主像素电极和次像素电极；

遮光层，设置于所述像素电极层上；

其中，在垂直于所述阵列基板的方向上，所述遮光层的正投影覆盖位于所述第一测试区内的各所述主像素电极和位于所述第二测试区内的各所述次像素电极的正投影。

2.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，还包括设置于所述阵列基板上方的黑色矩阵，所述遮光层与所述黑色矩阵材料相同，且为一体成型结构。

3.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，所述第一测试区和第二测试区位于所述显示区的中部。

4.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，所述第一测试区和第二测试区的形状相同且面积相等。

5.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，还包括第三测试区，所述第三测试区位于所述显示区内，所述遮光层位于所述第三测试区外部。

6.根据权利要求5所述显示面板，其特征在于，所述第一测试区、第二测试区和所述第三测试区呈等间隔顺次排布。

7.根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括与所述主像素电极连接的第一TFT、与所述次像素电极连接的第二TFT、以及与所述第二TFT连接的第三TFT。

8.一种显示面板的测试方法，其特征在于，测量所述1-7任一项所述显示面板的电压-亮度特性曲线，包括以下步骤：

启动所述显示面板；

分别测量位于所述第一测试区内的所述次像素电极的电压-亮度特性曲线、位于所述第二测试区内的所述主像素电极的电压-亮度特性曲线、以及位于所述第一测试区和所述第二测试区外且位于所述显示区内的所述像素电极单元的电压-亮度特性曲线。

9.根据权利要求8所述显示面板的测试方法，其特征在于，所述第一测试区和第二测试区位于所述显示区的中部，所述分别测量位于所述第一测试区内的所述次像素电极的电压-亮度特性曲线和位于所述第二测试区内的所述主像素电极的电压-亮度特性曲线的测试位置均位于所述显示区的中部。

10.根据权利要求8所述显示面板的测试方法，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述显示区内的第三测试区，所述测量位于所述第一测试区和所述第二测试区外且位于所述显示区内的所述像素电极单元的电压-亮度特性曲线包括：

测量位于所述第三测试区内的所述像素电极单元的电压-亮度特性曲线。

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