[go: up one dir, main page]

CN111399116A - 一种堆叠式光波导结构及制备方法 - Google Patents

一种堆叠式光波导结构及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111399116A
CN111399116A CN202010331127.7A CN202010331127A CN111399116A CN 111399116 A CN111399116 A CN 111399116A CN 202010331127 A CN202010331127 A CN 202010331127A CN 111399116 A CN111399116 A CN 111399116A
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical waveguide
bonding
optical fiber
silicon
stacked
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010331127.7A
Other languages
English (en)
Inventor
黄向向
杨敏
道格拉斯·雷·斯巴克斯
关健
张晓磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanking Electronics Liaoning Co ltd
Original Assignee
Hanking Electronics Liaoning Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hanking Electronics Liaoning Co ltd filed Critical Hanking Electronics Liaoning Co ltd
Priority to CN202010331127.7A priority Critical patent/CN111399116A/zh
Publication of CN111399116A publication Critical patent/CN111399116A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

一种堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆，光波导层，光纤，光纤底座，键合界面；衬底晶圆之间带有键合界面，衬底晶圆上带有光波导层，在衬底晶圆上带有光纤底座，光纤固定在光纤底座上，多层衬底晶圆为整体结构，实现堆叠式多光波导器件。一种堆叠式光波导结构的制备方法，在衬底晶圆上利用刻蚀方法，制作出光纤底座，光纤固定在光纤底座上，利用晶圆键合方法，将多层衬底晶圆，通过硅‑硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层‑氧化层键合、氮化层‑氮化层键合的方法结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。本发明的优点：应用于平面光波方向改变，光束分裂，以及光束干涉，从而传递光信号，结构和工艺性能稳定，传输损耗小。

Description

一种堆叠式光波导结构及制备方法
技术领域
本发明涉及堆叠式光波导领域，特别涉及了一种堆叠式光波导结构及制备方法。
背景技术
叠层光波导技术，具体涉及利用多层平面光波导结构实现数据信息的三维记录和读取的方法，叠层波导存储器由多片平面光学波导叠合而成，目前产品中，结构和工艺稳定性是迫切需要解决的问题，同时波导传输损耗较大。
发明内容
本发明的目的是为了克服上述问题，特提供了一种堆叠式光波导结构及制备方法。
本发明提供了一种堆叠式光波导结构，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆1，光波导层2，光纤3，光纤底座4，键合界面5；
其中：衬底晶圆1之间带有键合界面5，衬底晶圆1上带有光波导层2，在衬底晶圆1上带有光纤底座4，光纤3固定在光纤底座4上，多层衬底晶圆1为整体结构，实现堆叠式多光波导器件。
所述的衬底晶圆1为多层结构，下面各层设有凹槽，凹槽内布置光纤3，顶上面一层为盖状结构。
所述的衬底晶圆1为优选为三层结构，下面两层设有凹槽，凹槽内布置光纤3，顶上面一层为盖状结构。
一种如权利要求1所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构的制备方法具体为：在衬底晶圆1上利用刻蚀方法，制作出光纤底座4，光纤3固定在光纤底座4上，利用晶圆键合方法，将多层衬底晶圆1，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合的方法结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。
所述的衬底晶圆1：由硅、砷化镓、玻璃材料组成，作为光纤底座基底材料和光波导支撑。
所述的光波导层2：由玻璃/二氧化硅、铌酸锂、III-V族半导体化合物、绝缘体上的硅、氮化硅、氮氧化硅、高分子聚合物的一种或多种材料组成，是平面光信号传输途径，由薄膜沉积、光刻、刻蚀工艺制作。
所述的光纤3：由玻璃或塑料组成，作为光传导工具；光纤底座4：利用刻蚀技术在衬底晶圆1上刻蚀出的光纤底座。
所述的键合界面5：利用晶圆键合技术，将不同的衬底晶圆1堆叠、键合成为整体的界面；是硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合方法中的一种或多种结合。
所述的堆叠式光波导由衬底晶圆1以及生长在衬底晶圆1上的光波导层2，以及用于传输光信号的光纤3组成。
叠层光波导是利用多片晶圆键合叠加形成光波导带，并在晶圆利用刻蚀工艺形成光纤底座，从而使得光纤与光波导连接，叠层光波导其具有3D结构，可应用于平面光波方向改变，光束分裂，以及光束干涉，从而传递光信号。
堆叠式光波导由衬底晶圆1，以及生长在衬底晶圆1上的光波导层2，以及用于传输光信号的光纤3组成。在衬底晶圆1上利用刻蚀技术，制作出光纤底座4，将光纤3固定在光纤底座4上，利用晶圆键合技术，将多层衬底晶圆1，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合等技术结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。
本发明的优点：
本发明所述的堆叠式光波导结构及制备方法，利用多片晶圆键合叠加形成光波导带，并在晶圆利用刻蚀工艺形成光纤底座，从而使得光纤与光波导连接，叠层光波导其具有3D结构，可应用于平面光波方向改变，光束分裂，以及光束干涉，从而传递光信号，结构和工艺性能稳定，传输损耗小。
附图说明
下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为堆叠式光波导剖面图；
图2为堆叠式光波导剖面图；
图3为光纤底座结构图。
具体实施方式
实施例1
本发明提供了一种堆叠式光波导结构，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆1，光波导层2，光纤3，光纤底座4，键合界面5；
其中：衬底晶圆1之间带有键合界面5，衬底晶圆1上带有光波导层2，在衬底晶圆1上带有光纤底座4，光纤3固定在光纤底座4上，多层衬底晶圆1为整体结构，实现堆叠式多光波导器件。
所述的衬底晶圆1为多层结构，下面各层设有凹槽，凹槽内布置光纤3，顶上面一层为盖状结构。
一种如权利要求1所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构的制备方法具体为：在衬底晶圆1上利用刻蚀方法，制作出光纤底座4，光纤3固定在光纤底座4上，利用晶圆键合方法，将多层衬底晶圆1，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合的方法结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。
所述的衬底晶圆1：由硅、砷化镓、玻璃材料组成，作为光纤底座基底材料和光波导支撑。
所述的光波导层2：由玻璃/二氧化硅、铌酸锂、III-V族半导体化合物、绝缘体上的硅、氮化硅、氮氧化硅、高分子聚合物的一种或多种材料组成，是平面光信号传输途径，由薄膜沉积、光刻、刻蚀工艺制作。
所述的光纤3：由玻璃或塑料组成，作为光传导工具；光纤底座4：利用刻蚀技术在衬底晶圆1上刻蚀出的光纤底座。
所述的键合界面5：利用晶圆键合技术，将不同的衬底晶圆1堆叠、键合成为整体的界面；是硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合方法中的一种或多种结合。
所述的堆叠式光波导由衬底晶圆1以及生长在衬底晶圆1上的光波导层2，以及用于传输光信号的光纤3组成。
叠层光波导是利用多片晶圆键合叠加形成光波导带，并在晶圆利用刻蚀工艺形成光纤底座，从而使得光纤与光波导连接，叠层光波导其具有3D结构，可应用于平面光波方向改变，光束分裂，以及光束干涉，从而传递光信号。
堆叠式光波导由衬底晶圆1，以及生长在衬底晶圆1上的光波导层2，以及用于传输光信号的光纤3组成。在衬底晶圆1上利用刻蚀技术，制作出光纤底座4，将光纤3固定在光纤底座4上，利用晶圆键合技术，将多层衬底晶圆1，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合等技术结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。
实施例2
本发明提供了一种堆叠式光波导结构，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆1，光波导层2，光纤3，光纤底座4，键合界面5；
其中：衬底晶圆1之间带有键合界面5，衬底晶圆1上带有光波导层2，在衬底晶圆1上带有光纤底座4，光纤3固定在光纤底座4上，多层衬底晶圆1为整体结构，实现堆叠式多光波导器件。
一种如权利要求1所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构的制备方法具体为：在衬底晶圆1上利用刻蚀方法，制作出光纤底座4，光纤3固定在光纤底座4上，利用晶圆键合方法，将多层衬底晶圆1，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合的方法结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。
所述的衬底晶圆1：由硅、砷化镓、玻璃材料组成，作为光纤底座基底材料和光波导支撑。
所述的光波导层2：由玻璃/二氧化硅、铌酸锂、III-V族半导体化合物、绝缘体上的硅、氮化硅、氮氧化硅、高分子聚合物的一种或多种材料组成，是平面光信号传输途径，由薄膜沉积、光刻、刻蚀工艺制作。
所述的光纤3：由玻璃或塑料组成，作为光传导工具；光纤底座4：利用刻蚀技术在衬底晶圆1上刻蚀出的光纤底座。
所述的键合界面5：利用晶圆键合技术，将不同的衬底晶圆1堆叠、键合成为整体的界面；是硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合方法中的一种或多种结合。
所述的堆叠式光波导由衬底晶圆1以及生长在衬底晶圆1上的光波导层2，以及用于传输光信号的光纤3组成。
叠层光波导是利用多片晶圆键合叠加形成光波导带，并在晶圆利用刻蚀工艺形成光纤底座，从而使得光纤与光波导连接，叠层光波导其具有3D结构，可应用于平面光波方向改变，光束分裂，以及光束干涉，从而传递光信号。
堆叠式光波导由衬底晶圆1，以及生长在衬底晶圆1上的光波导层2，以及用于传输光信号的光纤3组成。在衬底晶圆1上利用刻蚀技术，制作出光纤底座4，将光纤3固定在光纤底座4上，利用晶圆键合技术，将多层衬底晶圆1，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合等技术结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。
实施例3
本发明提供了一种堆叠式光波导结构，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆1，光波导层2，光纤3，光纤底座4，键合界面5；
其中：衬底晶圆1之间带有键合界面5，衬底晶圆1上带有光波导层2，在衬底晶圆1上带有光纤底座4，光纤3固定在光纤底座4上，多层衬底晶圆1为整体结构，实现堆叠式多光波导器件。
所述的衬底晶圆1为多层结构，下面各层设有凹槽，凹槽内布置光纤3，顶上面一层为盖状结构。
一种如权利要求1所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构的制备方法具体为：在衬底晶圆1上利用刻蚀方法，制作出光纤底座4，光纤3固定在光纤底座4上，利用晶圆键合方法，将多层衬底晶圆1，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合的方法结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。
所述的光波导层2：由玻璃/二氧化硅、铌酸锂、III-V族半导体化合物、绝缘体上的硅、氮化硅、氮氧化硅、高分子聚合物的一种或多种材料组成，是平面光信号传输途径，由薄膜沉积、光刻、刻蚀工艺制作。
所述的光纤3：由玻璃或塑料组成，作为光传导工具；光纤底座4：利用刻蚀技术在衬底晶圆1上刻蚀出的光纤底座。
所述的键合界面5：利用晶圆键合技术，将不同的衬底晶圆1堆叠、键合成为整体的界面；是硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合方法中的一种或多种结合。
所述的堆叠式光波导由衬底晶圆1以及生长在衬底晶圆1上的光波导层2，以及用于传输光信号的光纤3组成。
叠层光波导是利用多片晶圆键合叠加形成光波导带，并在晶圆利用刻蚀工艺形成光纤底座，从而使得光纤与光波导连接，叠层光波导其具有3D结构，可应用于平面光波方向改变，光束分裂，以及光束干涉，从而传递光信号。
堆叠式光波导由衬底晶圆1，以及生长在衬底晶圆1上的光波导层2，以及用于传输光信号的光纤3组成。在衬底晶圆1上利用刻蚀技术，制作出光纤底座4，将光纤3固定在光纤底座4上，利用晶圆键合技术，将多层衬底晶圆1，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合等技术结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。

Claims (9)

1.一种堆叠式光波导结构，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆(1)，光波导层(2)，光纤(3)，光纤底座(4)，键合界面(5)；
其中：衬底晶圆(1)之间带有键合界面(5)，衬底晶圆(1)上带有光波导层(2)，在衬底晶圆(1)上带有光纤底座(4)，光纤(3)固定在光纤底座(4)上，多层衬底晶圆(1)为整体结构，实现堆叠式多光波导器件。
2.按照权利要求1所述的堆叠式光波导结构，其特征在于：所述的衬底晶圆(1)为多层结构，下面各层设有凹槽，凹槽内布置光纤(3)，顶上面一层为盖状结构。
3.按照权利要求1所述的堆叠式光波导结构，其特征在于：所述的衬底晶圆(1)为三层结构，下面两层设有凹槽，凹槽内布置光纤(3)，顶上面一层为盖状结构。
4.一种如权利要求1所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的堆叠式光波导结构的制备方法具体为：在衬底晶圆(1)上利用刻蚀方法，制作出光纤底座(4)，光纤(3)固定在光纤底座(4)上，利用晶圆键合方法，将多层衬底晶圆(1)，通过硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合的方法结合成整体，实现堆叠式多光波导器件。
5.按照权利要求4所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的衬底晶圆(1)：由硅、砷化镓、玻璃材料组成，作为光纤底座基底材料和光波导支撑。
6.按照权利要求4所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的光波导层(2)：由玻璃/二氧化硅、铌酸锂、III-V族半导体化合物、绝缘体上的硅、氮化硅、氮氧化硅、高分子聚合物的一种或多种材料组成，是平面光信号传输途径，由薄膜沉积、光刻、刻蚀工艺制作。
7.按照权利要求4所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的光纤(3)：由玻璃或塑料组成，作为光传导工具；光纤底座(4)：利用刻蚀技术在衬底晶圆(1)上刻蚀出的光纤底座。
8.按照权利要求4所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的键合界面(5)：利用晶圆键合技术，将不同的衬底晶圆(1)堆叠、键合成为整体的界面；是硅-硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层-氧化层键合、氮化层-氮化层键合方法中的一种或多种结合。
9.按照权利要求4所述的堆叠式光波导结构的制备方法，其特征在于：所述的堆叠式光波导由衬底晶圆(1)以及生长在衬底晶圆(1)上的光波导层(2)，以及用于传输光信号的光纤(3)组成。
CN202010331127.7A 2020-04-24 2020-04-24 一种堆叠式光波导结构及制备方法 Pending CN111399116A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010331127.7A CN111399116A (zh) 2020-04-24 2020-04-24 一种堆叠式光波导结构及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010331127.7A CN111399116A (zh) 2020-04-24 2020-04-24 一种堆叠式光波导结构及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111399116A true CN111399116A (zh) 2020-07-10

Family

ID=71435399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010331127.7A Pending CN111399116A (zh) 2020-04-24 2020-04-24 一种堆叠式光波导结构及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111399116A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111736259A (zh) * 2020-07-24 2020-10-02 歌尔股份有限公司 波导镜片模组及其制作方法、ar设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5485540A (en) * 1992-11-16 1996-01-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide device bonded through direct bonding and a method for fabricating the same
CN1790073A (zh) * 2004-12-14 2006-06-21 欧姆龙株式会社 光模块及其制造方法
US20120288995A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Ostendo Technologies, Inc. Semiconductor Wafer Bonding Incorporating Electrical and Optical Interconnects
CN106154426A (zh) * 2016-06-30 2016-11-23 派尼尔科技（天津）有限公司 一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式及其实现方法
CN207801150U (zh) * 2017-12-19 2018-08-31 苏州矩阵光电有限公司 第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件
CN110824612A (zh) * 2019-09-29 2020-02-21 昆明理工大学 一种多层硅光子三维光连接结构
CN212111857U (zh) * 2020-04-24 2020-12-08 罕王微电子（辽宁）有限公司 一种堆叠式光波导结构
CN112400161A (zh) * 2018-05-17 2021-02-23 轻物质公司 光学接口堆叠存储器及相关方法和系统

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5485540A (en) * 1992-11-16 1996-01-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical waveguide device bonded through direct bonding and a method for fabricating the same
CN1790073A (zh) * 2004-12-14 2006-06-21 欧姆龙株式会社 光模块及其制造方法
US20120288995A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Ostendo Technologies, Inc. Semiconductor Wafer Bonding Incorporating Electrical and Optical Interconnects
CN106154426A (zh) * 2016-06-30 2016-11-23 派尼尔科技（天津）有限公司 一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式及其实现方法
CN207801150U (zh) * 2017-12-19 2018-08-31 苏州矩阵光电有限公司 第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件
CN112400161A (zh) * 2018-05-17 2021-02-23 轻物质公司 光学接口堆叠存储器及相关方法和系统
CN110824612A (zh) * 2019-09-29 2020-02-21 昆明理工大学 一种多层硅光子三维光连接结构
CN212111857U (zh) * 2020-04-24 2020-12-08 罕王微电子（辽宁）有限公司 一种堆叠式光波导结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111736259A (zh) * 2020-07-24 2020-10-02 歌尔股份有限公司 波导镜片模组及其制作方法、ar设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11231548B2 (en) Integrated photonic device with improved optical coupling
JP5357131B2 (ja) Ｃｍｏｓ適合の集積型誘電体光導波路カプラ及び製造装置
JP5579667B2 (ja) スーパーレンズ素子を用いて光学的に結合された集積回路層
US9915784B2 (en) Optical waveguide structure with waveguide coupler to facilitate off-chip coupling
KR20010053567A (ko) 광 도파관 제조방법
JP2015118372A (ja) 放射線カプラ
TW200300504A (en) Waveguide-bonded optoelectronic devices
US12164152B2 (en) Method of fabricating semiconductor structure
JP5026416B2 (ja) 光学的に結合された層を有する集積回路デバイス
CN111399116A (zh) 一种堆叠式光波导结构及制备方法
CN212111857U (zh) 一种堆叠式光波导结构
CN102495445A (zh) 一种光学垂直互连结构及其互连方法
CN115685600A (zh) 一种光学芯片衬底结构及其制备方法
JP2004341147A (ja) 光導波路デバイスおよび進行波形光変調器
JP2007240756A (ja) 光素子及びその製造方法
CN111290077B (zh) 双层隔离层的soi衬底
CN116134352A (zh) 光波导元件及使用所述光波导元件的光调制器件以及光发送装置
US10605992B2 (en) Backside binary grated lens coupled to front side waveguide
JP2023511567A (ja) 複合フィルム及びその製造方法
WO2021108235A1 (en) Optical waveguides and methods for producing
WO2022138699A1 (ja) 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置
CN222618817U (zh) 半导体结构
CN113534336B (zh) 一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件
US10514497B2 (en) Photonics packaging method
CN116819682A (zh) 一种用于异质集成的三层耦合器结构及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200710

RJ01 Rejection of invention patent application after publication