[go: up one dir, main page]

CN111384130B - 包括有机发光面板和无机发光二极管的照明装置 - Google Patents

包括有机发光面板和无机发光二极管的照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111384130B
CN111384130B CN201911347491.6A CN201911347491A CN111384130B CN 111384130 B CN111384130 B CN 111384130B CN 201911347491 A CN201911347491 A CN 201911347491A CN 111384130 B CN111384130 B CN 111384130B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
light emitting
layer
lighting device
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911347491.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111384130A (zh
Inventor
宋泰俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN111384130A publication Critical patent/CN111384130A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111384130B publication Critical patent/CN111384130B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of types provided for in two or more different subclasses of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856Reflecting means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/858Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8582Means for heat extraction or cooling characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15Organic light-emitting diodes [OLED]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/87Arrangements for heating or cooling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种照明装置包括有机发光面板、处于有机发光面板上的无机发光二极管、以及至少部分地围绕无机发光二极管的第一透镜结构。所述有机发光面板可以包括基础基板、处于基础基板上的辅助电极、处于辅助电极上的第一电极、处于第一电极上的钝化层、处于第一电极上的发光层、处于发光层上的第二电极、以及处于第二电极上的包封层。

Description

包括有机发光面板和无机发光二极管的照明装置
技术领域
本公开涉及包括有机发光面板和无机发光二极管的照明装置。
背景技术
最近,基于有机发光二极管的很多优势,针对使用有机发光二极管作为显示装置的照明装置或光源的研究正在活跃地进行。
如果使用有机发光二极管,由于易于制造出面光源或点光源,因而有机发光二极管被用于室内照明、室外照明和车辆照明。例如,有机发光二极管被应用于诸如闪光灯的个人便携式装置、诸如广告牌的室外安装设备、或者车辆照明装置,诸如车内照明、前灯、雾灯、侧灯、牌照灯、尾灯、转向灯和危险闪光灯。
有机发光二极管可以具有柔性特点并且具有可以设计成各种形状的优点。然而,如果有机发光二极管被用作用于需要高亮度的光发射的一部分的光源,例如,被用作车辆的刹车灯或者倒车灯,那么可能缩短有机发光二极管的寿命。
无机发光二极管具有可以发射强亮度的光并且具有优良的耐用性的优点。然而,如果照明装置的光源全部由无机发光二极管构成,那么成品率可能降低,并且可能提高制造成本。
如上文所述,有机发光二极管和无机发光二极管的每者具有优势和问题。
发明内容
本公开是鉴于上述问题做出的,并且在各种实施例中,本公开提供了包括有机发光面板和无机发光二极管的照明装置。
在一些实施例中,本公开提供了能够利用有机发光二极管和无机发光二极管中的每者的优点并且弥补有机发光二极管和无机发光二极管中的每者的问题的照明装置。
在一些实施例中,本公开提供了一种照明装置,其可以具有柔性特点,易于设计成各种形状,并且能够在必要情况下发射强亮度的光。
根据本公开的一个或多个实施例,上述和其它目的可以通过提供一种照明装置来实现,所述照明装置包括有机发光面板、处于有机发光面板上的无机发光二极管、以及至少部分地围绕无机发光二极管的第一透镜,其中,有机发光面板包括基础基板、处于基础基板上的辅助电极、处于辅助电极上的第一电极、处于第一电极上的钝化层、处于第一电极上的发光层、处于发光层上的第二电极、以及处于第二电极上的包封层。
钝化层可以与辅助电极重叠。
钝化层可以布置在第一电极和发光层之间。
所述照明装置还可以包括含有形成于第一电极中的沟槽以及处于所述沟槽中的绝缘材料的短路抑制图案。
短路抑制图案可以与钝化层连接。
所述照明装置还可以包括处于有机发光面板上的n型电极线和p型电极线,其中,n型电极线和p型电极线相互隔开,并且分别与无机发光二极管连接。
n型电极线和p型电极线的每者的至少部分可以与辅助电极重叠。
n型电极线和p型电极线可以布置在钝化层上。
所述无机发光二极管还可以包括n型电极、与n型电极连接的n型半导体层、与n型半导体层连接的有源层、与有源层连接的p型半导体层、以及与p型半导体层连接的p型电极,并且n型电极与n型电极线连接,并且p型电极与p型电极线连接。
所述照明装置还可以包括处于所述第一透镜上的导体层。
所述导体层可以与有机发光面板的第二电极连接。
所述导体层可以具有光反射特性。
所述导体层可以是导热的,并且可以具有导热性。
所述照明装置还可以包括处于导体层上的粘合剂层以及处于粘合剂层上的包封膜,其中,所述导体层与所述包封膜连接。
所述照明装置还可以包括处于有机发光面板上的第二透镜,其中,所述无机发光二极管未布置在所述有机发光面板和所述第二透镜之间。第二透镜可以与无机发光二极管横向隔开,并且第二透镜可以接触第一透镜。
根据本公开的至少一个实施例的照明装置包括有机发光二极管和无机发光二极管,并且利用了有机发光二极管和无机发光二极管的优点。根据本公开的至少一个实施例的照明装置可以具有柔性特点,易于设计成各种形状,并且能够在必要情况下产生强亮度的光
根据本公开的至少一个实施例的照明装置可以有效地应用于车辆的照明装置,诸如车内照明、前灯、雾灯、侧灯、牌照灯、尾灯、转向灯、危险闪光灯、刹车灯或倒车灯。
除了上文提及的本公开的效果之外,通过下文对本公开的描述,本领域技术人员将清楚地理解本公开的附加目的和特征。
附图说明
通过结合附图考虑下文的具体实施方式,本公开的上述以及其它目的、特征和其它优点将得到更清楚的理解,在附图中:
图1是示出了根据本公开的一个实施例的照明装置的平面图;
图2是示出了图1的任何一个发光单元的放大图;
图3是沿图2的I-I’线截取的截面图;
图4是沿图2的II-II’线截取的截面图;
图5是沿图1的A-A’线截取的截面图;
图6是沿图1的B-B’线截取的截面图;
图7是沿图1的C-C’线截取的截面图;
图8是沿图1的D-D’线截取的截面图;
图9是示出了根据本公开的另一实施例的发光装置的任何一个照明单元的放大图;并且
图10是沿图9的III-III’线截取的截面图。
具体实施方式
通过参考附图描述的下述实施例将使本公开的优点和特征及其实施方法变得清楚。然而,本公开可以通过不同的形式体现,并且不应被理解为局限于文中阐述的实施例。相反,提供这些实施例是为了使得本公开透彻并且完整,并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外,本公开仅受权利要求的范围限定。
附图中为了描述本公开的实施例而公开的形状、尺寸、比例、角度和数量只是示例性的,并且因而本公开不限于所示的细节。本说明书通篇以类似的附图标记表示类似的要素。在下文的描述中,在确定对相关已知功能或配置的详细描述会对本公开的要点造成不必要的模糊时,将省略这样的详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,也可能存在另一部分,除非使用“仅”。单数形式的术语可以包括复数形式,除非做出了相反的指示。
在解释要素时,该要素被解释为包括一定的误差范围,尽管可能没有明确描述。
在描述位置关系时,例如,在将位置关系描述为“上”、“上方”、“下方”以及“紧邻”时,一个或多个部分可以被布置在两个其它部分之间,除非使用“刚好”或者“直接”。
在本文中可以使用诸如“下方”、“下面”、“下部”、“上方”和“上部”的空间相对术语来容易地描述附图所示的一个或多个元件相对于另外一个或多个元件的关系。应当理解,这些术语旨在涵盖除了附图所示取向之外的不同装置取向。例如,如果将附图所示的装置颠倒,那么被描述为布置在另一装置“下方”或“下面”的装置可以被布置在另一装置“上方”。因此,示例性术语“下方或下面”可以包括“下方或下面”取向以及“上方”取向。类似地,示例性术语“上方”或“上”可以包括“上方”取向以及“下方或下面”取向。
在描述时间关系时,例如,在将时间顺序描述为“在……之后”、“紧接着……”、“接下来”以及“在……之前”时,可以包括不连续的情况,除非使用“刚好”或者“直接”。
应当理解,尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种要素,但这些要素不应受到这些术语的限制。这些术语只是用来将一个要素与另一要素分隔。例如,第一要素可以被称为第二要素,并且类似地,第二要素可以被称为第一要素,而不脱离本公开的范围。
术语“至少其中之一”应当被理解为包括相关联列举项中的一者或多者的任何以及所有组合。例如,“第一项、第二项和第三项的至少其中之一”的含义表示由第一项、第二项和第三项中的两者或更多者提出的所有项、以及第一项、第二项或第三项的组合。
本公开的各种实施例的特征可以部分或者完全相互耦合或结合,并且可以相互进行各种互操作并且受到技术驱动,这是本领域技术人员所能充分理解的。本公开的实施例可以是相互独立实施的,或者可以是按照相互依赖的关系一起实施的。
在描述本公开的实施例的附图中,通过相同的附图标记表示相同或类似的要素,即使它们是在不同的附图中描绘的。
在下文中,将参考图1、图2、图3和图4详细描述根据本公开的一个实施例的照明装置100。
图1是示出了根据本公开的一个实施例的照明装置的平面图,图2是示出了图1的任何一个发光单元的放大图,图3是沿图2的I-I’线截取的截面图,并且图4是沿图2的II-II’线截取的截面图。
参考图1、图2和图3,根据本公开的一个实施例的照明装置100包括有机发光面板110、处于有机发光面板110上的无机发光二极管230、以及围绕无机发光二极管230的第一透镜结构241。
有机发光面板110包括多个发光单元C。照明装置100可以通过发光单元C的光发射来发射光。根据本公开的一个实施例,发光单元可以由布置成点阵图案的辅助电极130和钝化层140限定。参考图1和图2,辅助电极130和钝化层140被布置成点阵图案,并且因此发光单元C具有点阵图案。然而,本公开的一个实施例不限于该示例,并且发光单元可以具有各种平面形状。
参考图3,有机发光面板110包括基础基板111以及处于基础基板111上的有机发光二极管170。
详细来讲,有机发光面板110包括基础基板111、处于基础基板111上的辅助电极130、处于辅助电极130上的第一电极171、处于第一电极171上的发光层172、以及处于发光层172上的第二电极173。
玻璃或塑料可以被用作基础基板111。具有柔性特性的透明塑料(例如,聚酰亚胺)可以被用作所述塑料。如果聚酰亚胺被用作基础基板111,那么考虑到要对基础基板111执行高温沉积工艺,可以使用耐高温的耐热聚酰亚胺。然而,本公开的一个实施例不限于该示例,并且可以使用另一种塑料材料作为基础基板111。
缓冲层120可以被布置在基础基板111上。缓冲层120可以由有机或无机绝缘材料制成。缓冲层120使基础基板111的上表面平面化,并且保护有机发光二极管170。缓冲层120可以被省略。
辅助电极130被布置在缓冲层120上。辅助电极130用来向第一电极171供应电源和电流。而且,辅助电极130可以用来限定发光单元C。参考图1,可以通过布置成点阵图案的辅助电极130将发光单元C相互识别。
辅助电极130具有良好的导电性。例如,辅助电极130可以包括Cu、Al、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca的至少其中之一。辅助电极130可以具有单个分层结构或者可以具有由多个层构成的沉积结构。
辅助电极端子135布置在基础基板111上。辅助电极端子135与辅助电极130连接,并且可以通过辅助电极端子135向辅助电极130供应电源和电流。辅助电极端子135可以与辅助电极130一起形成于单个主体中。
第一电极171布置于辅助电极130上。
第一电极171可以由具有大功函数的ITO(InSnO)、IZO(InZnO)、ZnO或In2O3制成。例如,第一电极171可以由ITO制成。根据本公开的一个实施例,第一电极171充当有机发光二极管170的阳极。而且,第一电极171具有光透射性。
根据本公开的一个实施例,由有机发光二极管170产生的光被通过基础基板111发射到外部。该结构被称为底部发射型结构。为了将由有机发光二极管170产生的光有效率地通过基础基板111发射到外部,第一电极171具有光透射性。
根据本公开的一个实施例,钝化层140布置在第一电极171上。详细而言,钝化层140部分地布置在第一电极171上,以与辅助电极130重叠。
发光层172布置在第一电极171上。发光层172还布置在钝化层140上。根据本公开的一个实施例,发光层172可以布置在基础基板111的整个表面上。
发光层172包括一个或多个有机发光层。更详细地,发光层172可以包括一个有机发光层或者可以包括上下沉积的两个或更多有机发光层。而且,发光层172还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的至少其中之一。发光层172可以发射白光,或者可以发射红光、蓝光和绿光中的任一者。然而,本公开的一个实施例不限于该示例,并且除白光、红光、蓝光和绿光之外,发光层172还可以发射另一颜色的光。
第二电极173布置在发光层172上。
根据本公开的一个实施例,为了使布置在第二电极173上方的无机发光二极管230产生的光通过基础基板111发射到外部,第二电极173可以具有光透射性。
第二电极173可以具有多层结构,该多层结构包括例如由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca制成的薄膜的具有小功函数的金属,以及形成于所述薄膜上的由ITO、IZO、ZnO或In2O3制成的光透射膜。
第二电极173可以具有良好的导电性。例如,第二电极173可以包括Cu、Al、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca的至少其中之一
第二电极173与第二电极端子175连接。电源被通过第二电极端子175供应给有机发光二极管170的第二电极173。第二电极端子175可以与第二电极173形成于单个主体中,或者可以与第二电极173分开形成并与第二电极173连接。
第二电极173可以具有反射特性。发光层172产生的光可以被从第二电极173反射,并且之后被通过基础基板111发射到外部。如果第二电极173具有反射特性,那么可以提高照明装置的光提取效率。
在本公开的一个实施例中,第一电极171、发光层172和第二电极173构成了有机发光二极管170。因此,根据本公开的一个实施例的照明装置100使用有机发光二极管170作为光源。
参考图3,包封层180布置在有机发光二极管170的第二电极173上。包封层180可以包括有机膜或无机膜。包封层180可以具有由交替沉积的一个或多个有机膜以及一个或多个无机膜构成的沉积结构。包封层180用来防止水或氧气渗透到有机发光二极管170中,由此防止有机发光二极管170受到水或氧气的损害。
根据本公开的一个实施例的照明装置100包括钝化层140和短路抑制图案141。
参考图3和图4,钝化层140布置于第一电极171和发光层172之间。钝化层140使处于辅助电极130上方的第一电极171和发光层172相互绝缘,并且还使处于辅助电极130的侧面的第一电极171和发光层172相互绝缘。通过这种方式,第一电极171和发光层172在辅助电极130上方以及在辅助电极130的侧面处相互绝缘。因此,光从布置辅助电极130和钝化层140的区域以外的区域发射。
一般而言,辅助电极130具有优于第一电极171的导电性的导电性。因此,如果钝化层140未布置在与辅助电极130重叠的第一电极171上,那么电流集中在辅助电极130的上部上,由此光发射集中在辅助电极130的上部上。在该情况下,光发射未在有机发光面板110的整个表面上产生,而是集中在特定部分上,因而照明装置100的照明效率可能降低。而且,如果因电流集中在辅助电极130的上部上而使得光发射集中在辅助电极130的上部上,那么处于辅助电极130的上部上的发光层172可能受到损坏。
为了避免这样的损坏,根据本公开的一个实施例,钝化层140被布置在与辅助电极130重叠的第一电极171上,由此使第一电极171和发光层172在辅助电极130的上部上相互绝缘。结果,将不在辅助电极130的上部上产生光发射,而是在其它区域上产生光发射。
参考图2和图3,短路抑制图案141形成于第一电极171中。例如,绝缘材料可以被填充在形成于第一电极171中的沟槽中,以形成短路抑制图案141。
根据本公开的一个实施例,短路抑制图案141与钝化层140连接。短路抑制图案141可以与钝化层140一起形成于单个主体中,以充当绝缘图案。
而且,参考图2和图3,第一电极171被双重短路抑制图案141局部划分,从而在第一电极171中形成了连接线171a。从辅助电极130供应的电流可以被通过连接线171a供应至第一电极171的其它区域。连接线171a具有窄宽度。
根据本公开的一个实施例,连接线171a用来防止电流集中在任何一个发光单元C上。而且,连接线171a可能因过电流而断开。在该情况下,连接线171a可以充当熔丝。
详细而言,由于有机发光二极管170具有由薄层构成的沉积结构,因而在相应的层之间可能出现短路。例如,如果在任何一个发光单元C的发光层172中出现了损坏,或者如果颗粒保留在其中,那么在第一电极171和第二电极173之间可能出现短路。如果出现了这种短路,那么电流将集中在出现短路的发光单元C上。结果,将不会有足够的电流供应给其它发光单元C,在这些发光单元处将不会产生光发射,而是仅在出现短路的发光单元中产生光发射。出于这一原因,照明装置100的光发射效率可能降低。而且,如果出现了电流集中,那么发光层172的寿命可能缩短。
根据本公开的一个实施例,具有窄宽度和相对高电阻的连接线171a被布置到发光单元C中,并且电流通过连接线171a供应至第一电极171。因此,即使在任何一个发光单元C的第一电极171和第二电极173之间出现了短路,仍然存在对可以流经连接线171a的电流的限制,从而防止电流集中在出现短路的发光单元C的第一电极上。最终,避免了电流集中在出现短路的发光单元C上,并且可以在其它发光单元C中出现光发射。
而且,根据本公开的一个实施例,如果在任何一个发光单元C的第一电极171和第二电极173之间出现了短路,并且因此电流集成在出现短路的发光单元C上,那么电流集中在连接线171a上,由此连接线171a可能受到损坏并因此断开。详细而言,由于连接线171a具有窄宽度,因而连接线171a可能因电流集中所引起的燃烧或损坏而断开。如果连接线171a因燃烧或损坏而断开,那么电流不再流过出现短路的发光单元。结果,避免了电流集中,并且在出现短路的发光单元C中不产生光发射。然而,由于在其它发光单元C中可以正常地产生光发射,因而照明装置100可以执行照明功能。
根据本公开的一个实施例的照明装置100还包括处于有机发光面板110上的无机发光二极管230。无机发光二极管230与有机发光面板110上的n型电极线210和p型电极线220连接。
参考图1、图2和图3,根据本公开的一个实施例的照明装置100包括处于有机发光面板110上的n型电极线210和p型电极线220。n型电极线210和p型电极线220相互隔开,并且之后分别与无机发光二极管230连接。
根据本公开的一个实施例,n型电极线210和p型电极线220的每者的至少一部分与辅助电极130重叠。更详细地,n型电极线210和p型电极线220可以布置在钝化层140上。按照这种方式,由于n型电极线210和p型电极线220布置在非发光区域上,因而可以使因n型电极线210和p型电极线220导致的发光面积损失最小化。
而且,由于无机发光二极管230也布置在钝化层140上,因而可以使因无机发光二极管230导致的发光面积损失最小化。
n型电极线210和p型电极线220具有优良的导电性。n型电极线210和p型电极线220的每者(例如)可以包括Cu、Al、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca的至少其中之一。n型电极线210和p型电极线220的每者可以具有单层结构或者可以具有由多个层构成的沉积结构。
参考图1,n型电极线端子215布置在基础基板111上。n型电极线端子215与n型电极线210连接。可以经由n型电极线端子215向n型电极线210供应电源和电流。n型电极线端子215和n型电极线210可以形成在单个主体中。n型电极线端子215可以布置在有机发光面板110上。
参考图1,p型电极线端子225布置在基础基板111上。p型电极线端子225与p型电极线220连接。可以经由p型电极线端子225向p型电极线220供应电源和电流。p型电极线端子225和p型电极线220可以形成在单个主体中。p型电极线端子225可以布置在有机发光面板110上。
参考图3,无机发光二极管230包括n型电极232、与n型电极232连接的n型半导体层233、与n型半导体层233连接的有源层234、与有源层234连接的p型半导体层235、以及与p型半导体层235连接的p型电极236。
根据本公开的一个实施例,n型半导体层233和p型半导体层235可以包括GaN。例如,基于GaN的二极管可以被用作无机发光二极管230。更详细地,Ti/Al膜、Cr/Au膜、Cr/Au膜或Ni/Au膜可以被用作n型电极232,n型GaN层可以被用作n型半导体层233,InGaN有源层可以被用作有源层234,p型GaN层可以被用作p型半导体层235,并且p型反射电极可以被用作p型电极236。
根据本公开的一个实施例,无机发光二极管230可以发射蓝光,可以发射绿光或红光,或者可以发射诸如白光的另一种颜色的光。根据本公开的一个实施例,无机发光二极管230中产生的光可以被通过作为n型半导体层233的n型GaN层发射到无机发光二极管230的外部。
n型电极232可以与n型电极线210连接,并且p型电极236可以与p型电极线220连接。更详细地,无机发光二极管230还可以包括与n型电极232连接的n型焊盘231以及与p型电极236连接的p型焊盘237。因此,n型电极232可以通过n型焊盘231与n型电极线210连接,并且p型电极236可以通过p型焊盘237与p型电极线220连接。
参考图3,根据本公开的一个实施例的照明装置100包括至少部分地围绕无机发光二极管230的第一透镜241(其在本文中可以被称为第一透镜结构241)。例如,第一透镜结构241可以围绕无机发光二极管230的侧部和上部,并且第一透镜结构241可以设置在有机发光面板110上,使得无机发光二极管230被第一透镜结构241和有机发光面板110包封或以其它方式围绕。第一透镜结构241保护并且固定无机发光二极管230。
第一透镜结构241可以由具有光透射性的聚合物树脂制成。例如,第一透镜结构241可以由从具有光透射性的丙烯酸类树脂以及聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的聚合物树脂中选择的至少一种材料制成。然而,聚合物树脂的类型不限于上述示例,并且第一透镜结构241可以由本领域已知的另一种透射光的聚合物制成。
参考图3,照明装置100还可以包括处于第一透镜结构241上的导体层250。
导体层250具有导电性,并且可以与有机发光二极管170的第二电极173连接。而且,绝缘层270可以布置在导体层250和包封层180之间。绝缘层270使布置在包封层180上的n型电极线210和p型电极线220与导体层250绝缘(参考图7和图8)。
参考图3,导体层250可以通过形成于包封层180中的接触孔255与有机发光二极管170的第二电极173连接。而且,导体层250可以与第二电极端子175连接。结果,导体层250可以向有机发光二极管170的第二电极173供应电源。
为了向第二电极173供应电源,导体层250可以由具有优良导电性的金属制成。导体层250(例如)可以包括Cu、Al、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca的至少其中之一。导体层250可以具有单个分层结构或者可以具有由多个层构成的沉积结构。
根据本公开的一个实施例,第二电极173具有光透射性。因此,第二电极173的导电性不如厚金属线那么优良。然而,如果通过导体层250向有机发光二极管170的第二电极173供应电源,那么所述电源可以被有效地供应给有机发光二极管170。结果,可以提高有机发光二极管170的光发射效率,由此可以提高照明装置100的光发射效率。
根据本公开的一个实施例,导体层250具有光反射特性。因此,第一透镜结构241上的导体层250可以形成透镜。在无机发光二极管230中产生的光可以被反射到导体层250,并且之后被通过基础基板111反射到外部。因此,即使无机发光二极管被布置到辅助电极130上,由无机发光二极管230产生的光也可以被容易地提取到外部。通过这种方式,可以通过第一透镜结构241和导体层250提高无机发光二极管的光提取效率,由此可以提高照明装置100的光发射效率。
根据本公开的一个实施例,导体层250具有导热性。例如,导体层250可以由传导热量的导热材料形成。在无机发光二极管230中产生的热量可以被通过导体层250发射到外部。因此,可以防止无机发光二极管230和有机发光二极管170由于热量而被损坏。例如,导体层250可以具有热发射图案251。热发射图案251可以与下文将描述的包封膜280连接。结果,可以执行有效辐射。通过这种方式,根据本公开的一个实施例,照明装置100内的热量可以被有效发射,由此可以提高照明装置100的寿命。
根据本公开的一个实施例,如图3所示,照明装置100还可以包括处于导体层250上的粘结剂层260以及处于粘合剂层260上的包封膜280。
包封膜280可以通过粘合剂层260被固定到有机发光二极管170的上部。包封膜280可以由金属制成。例如,金属膜可以被用作包封膜280。包封膜280通过防止水或氧气渗透到有机发光二极管170中而对有机发光二极管170加以保护,并且对光加以反射以允许在有机发光二极管170中产生的光被通过基础基板111发射到外部。
而且,可以通过由金属膜制成的包封膜280发射热量。例如,导体层250的热发射图案251和包封膜280相互连接,以通过导体层250、热发射图案251和包封膜280发射热量,由此可以有效地发射照明装置100内的热量。
钝化层290可以被布置在包封膜280上。钝化层290可以保护照明装置100不受外部环境影响。钝化层290具有防水特性和防氧气特性,以防止水或氧气渗透到照明装置100中。
图5是沿图1的A-A’线截取的截面图。
参考图5,辅助电极端子135布置在基础基板111上的未布置发光单元C的一侧。辅助电极端子135与辅助电极130连接。根据本公开的一个实施例,辅助电极端子135可以与辅助电极130一起形成于单个主体中。参考图5,第一电极171可以布置在辅助电极端子135上。外部供应电源被通过辅助电极端子135而传送至辅助电极130。
图6是沿图1的B-B’线截取的截面图。
参考图6,第二电极端子175布置在基础基板111上的未布置发光单元C的一侧。在图6中,第二电极端子175和第二电极173形成于单个主体中。参考图6,第二电极端子175可以布置在钝化层140上。外部供应电源被通过第二电极端子175而传送至第二电极173。
图7是沿图1的C-C’线截取的截面图。
参考图7,n型电极线端子215布置在基础基板111上的未布置发光单元C的一侧。在图7中,n型电极线端子215和n型电极线210形成在单个主体中。参考图7,n型电极线端子215可以布置在钝化层140和包封层180上。外部供应电源被通过n型电极线端子215传送至n型电极线210。
图8是沿图1的D-D’线截取的截面图。
参考图8,p型电极线端子225布置在基础基板111上的未布置发光单元C的一侧。在图8中,p型电极线端子225和p型电极线220形成在单个主体中。参考图8,p型电极线端子225可以布置在钝化层140和包封层180上。外部供应电源被通过p型电极线端子225传送至p型电极线220。
图9是示出了根据本公开的另一实施例的照明装置200的任何一个发光单元的放大图,并且图10是沿图9的III-III’线截取的截面图。
根据本公开的另一实施例的照明装置200还包括处于有机发光面板110上的第二透镜242(其在本文中可以被称为第二透镜结构242)。无机发光二极管230未布置于有机发光面板110和第二透镜结构242之间。例如,第二透镜结构242可以与无机发光二极管230横向隔开,并且第二透镜结构242可以被设置为与第一透镜结构241相邻,并且在一些实施例中可以与第一透镜结构241接触。
而且,参考图10,导体层250布置在第二透镜结构242上。由于具有光反射特性的导体层250布置在第二透镜结构242上,因而通过第二透镜结构242和导体层250形成了透镜。在有机发光二极管170中产生的光可以被反射到导体层250,并且之后被通过基础基板111发射到外部。因此,可以提高照明装置100的光发射效率。
对于本领域技术人员显而易见的是,上文描述的本公开不受上文描述的实施例和附图的限制,而且可以对本公开做出各种替换、修改和变化,而不脱离本公开的精神和范围。因此,本公开的范围由所附权利要求限定,并且旨在使从权利要求的含义、范围和等价构思推导出的所有变化或修改均落在本公开的范围内。
可以将上文描述的各种实施例结合,以提供其它实施例。根据上文的详细描述可以对实施例做出这些以及其它改变。一般而言,在下述权利要求中,所使用的术语不应被理解为使权利要求局限于说明书和权利要求中公开的具体实施例,而是应当将其理解为包括所有可能实施例连同为这样的权利要求赋予权利的等同物的完整范围。相应地,权利要求不受本公开的限制。

Claims (16)

1.一种照明装置,包括:
有机发光面板;
处于所述有机发光面板上的无机发光二极管;以及
至少部分地围绕所述无机发光二极管的第一透镜,
其中,所述有机发光面板包括:
基础基板;
处于所述基础基板上的辅助电极;
处于所述辅助电极上的第一电极;
处于所述第一电极上的钝化层;
处于所述第一电极上的发光层;
处于所述发光层上的第二电极;以及
处于所述第二电极上的包封层,
其中,所述照明装置还包括短路抑制图案,所述短路抑制图案包括形成于所述第一电极中的沟槽以及处于所述沟槽中的绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的照明装置,其中,所述钝化层与所述辅助电极重叠。
3.根据权利要求1所述的照明装置,其中,所述钝化层布置在所述第一电极和所述发光层之间。
4.根据权利要求1所述的照明装置,其中,所述短路抑制图案与所述钝化层连接。
5.根据权利要求1所述的照明装置,还包括:
处于所述有机发光面板上的n型电极线和p型电极线,
其中,所述n型电极线和p型电极线相互隔开,并且分别与所述无机发光二极管连接。
6.根据权利要求5所述的照明装置,其中,所述n型电极线和所述p型电极线的每者的至少一部分与所述辅助电极重叠。
7.根据权利要求5所述的照明装置,其中,所述n型电极线和所述p型电极线布置在所述钝化层上。
8.根据权利要求5所述的照明装置,其中,所述无机发光二极管包括:
n型电极;
与所述n型电极连接的n型半导体层;
与所述n型半导体层连接的有源层;
与所述有源层连接的p型半导体层;以及
与所述p型半导体层连接的p型电极,并且
其中,所述n型电极与所述n型电极线连接,并且所述p型电极与所述p型电极线连接。
9.根据权利要求1所述的照明装置,还包括处于所述第一透镜上的导体层。
10.根据权利要求9所述的照明装置,其中,所述导体层与所述有机发光面板的所述第二电极连接。
11.根据权利要求9所述的照明装置,其中,所述导体层具有光反射特性。
12.根据权利要求9所述的照明装置,其中,所述导体层是导热的。
13.根据权利要求9所述的照明装置,还包括:
处于所述导体层上的粘合剂层;以及
处于所述粘合剂层上的包封膜,
其中,所述导体层与所述包封膜连接。
14.根据权利要求1所述的照明装置,还包括处于所述有机发光面板上的第二透镜,其中,所述无机发光二极管未布置在所述有机发光面板和所述第二透镜之间。
15.根据权利要求14所述的照明装置,其中,所述第二透镜与所述无机发光二极管横向隔开。
16.根据权利要求14所述的照明装置,其中,所述第二透镜接触所述第一透镜。
CN201911347491.6A 2018-12-31 2019-12-24 包括有机发光面板和无机发光二极管的照明装置 Active CN111384130B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0173343 2018-12-31
KR1020180173343A KR102701975B1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 유기 발광 패널 및 무기 발광 다이오드를 포함하는 조명장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111384130A CN111384130A (zh) 2020-07-07
CN111384130B true CN111384130B (zh) 2023-09-22

Family

ID=71123162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911347491.6A Active CN111384130B (zh) 2018-12-31 2019-12-24 包括有机发光面板和无机发光二极管的照明装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11355483B2 (zh)
KR (1) KR102701975B1 (zh)
CN (1) CN111384130B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102701975B1 (ko) * 2018-12-31 2024-09-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 패널 및 무기 발광 다이오드를 포함하는 조명장치
CN112419980B (zh) * 2020-12-15 2021-08-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013064800A1 (en) * 2011-11-05 2013-05-10 Optovate Limited Illumination apparatus
CN106206611A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2018073515A1 (fr) * 2016-10-21 2018-04-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage et procede de fabrication d'un tel dispositif

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5583349A (en) * 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display
US7768210B2 (en) * 1999-12-22 2010-08-03 General Electric Company Hybrid electroluminescent devices
US20060012289A1 (en) * 2004-07-19 2006-01-19 General Electric Company Hybrid electroluminescent devices
GB2439584A (en) * 2006-06-30 2008-01-02 Cambridge Display Tech Ltd Active Matrix Organic Electro-Optic Devices
WO2008082362A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Agency For Science, Technology And Research Encapsulated device with integrated gas permeation sensor
KR100840098B1 (ko) * 2007-07-04 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법
DE102008019926B4 (de) * 2008-04-21 2011-07-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Erzeugung einer flächigen Lichtausgabe
KR101237589B1 (ko) 2009-05-20 2013-02-26 주식회사 엘지화학 조명장치
US9054262B2 (en) * 2009-09-29 2015-06-09 Research Triangle Institute Integrated optical upconversion devices and related methods
US8866416B2 (en) * 2011-05-04 2014-10-21 Universal Display Corporation Illumination source using LEDs and OLEDs
TW201251165A (en) * 2011-06-07 2012-12-16 Ind Tech Res Inst Photovoltaic organic light emitting diodes device and manufacturing method thereof
KR102144993B1 (ko) * 2013-10-02 2020-08-14 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
WO2015081289A1 (en) * 2013-11-27 2015-06-04 The Regents Of The University Of Michigan Devices combining thin film inorganic leds with organic leds and fabrication thereof
KR20170047324A (ko) 2014-08-26 2017-05-04 엑스-셀레프린트 리미티드 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들
US10381335B2 (en) * 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
DE102015100253B4 (de) * 2015-01-09 2020-08-06 Osram Oled Gmbh Licht emittierende Vorrichtung
US20170040391A1 (en) * 2015-08-05 2017-02-09 Wisechip Semiconductor Inc. Organic light emitting diode module with optical signal transmission
US9947728B2 (en) * 2015-08-25 2018-04-17 Universal Display Corporation Hybrid MEMS OLED display
US9818804B2 (en) * 2015-09-18 2017-11-14 Universal Display Corporation Hybrid display
US10263050B2 (en) * 2015-09-18 2019-04-16 Universal Display Corporation Hybrid display
KR102547686B1 (ko) * 2016-04-11 2023-06-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR101952502B1 (ko) 2017-04-20 2019-02-26 연세대학교 산학협력단 하이브리드 타입의 oled 및 그를 이용한 amoled 셀
CN109216418A (zh) * 2017-07-06 2019-01-15 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 显示装置及显示装置的制造方法
FR3070094B1 (fr) * 2017-08-11 2019-09-06 Isorg Systeme d'affichage comprenant un capteur d'images
KR102513102B1 (ko) 2017-12-20 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자 및 조명 장치
KR102755469B1 (ko) * 2018-11-29 2025-01-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102731295B1 (ko) * 2018-12-28 2024-11-15 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시장치
KR102701975B1 (ko) * 2018-12-31 2024-09-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 패널 및 무기 발광 다이오드를 포함하는 조명장치
KR102767646B1 (ko) * 2019-03-07 2025-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110491922B (zh) * 2019-08-22 2022-06-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013064800A1 (en) * 2011-11-05 2013-05-10 Optovate Limited Illumination apparatus
CN106206611A (zh) * 2016-08-19 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2018073515A1 (fr) * 2016-10-21 2018-04-26 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif d'affichage et procede de fabrication d'un tel dispositif

Also Published As

Publication number Publication date
KR102701975B1 (ko) 2024-09-02
US20200212025A1 (en) 2020-07-02
CN111384130A (zh) 2020-07-07
KR20200082602A (ko) 2020-07-08
US11355483B2 (en) 2022-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI604631B (zh) 發光裝置
CN102054935B (zh) 有机发光二极管照明装置
US8362500B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting system
TWI535061B (zh) 發光裝置
US9166115B2 (en) Semiconductor light emitting device package
US8384112B2 (en) Light emitting chip
CN103972219B (zh) 灯单元
CN106653965B (zh) 半导体发光器件
US10714451B2 (en) Tiling structure type light apparatus for organic light emitting device
JP2014131041A (ja) 発光素子
US10497891B2 (en) Lighting apparatus using organic light-emitting diode
JP2013046050A (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
CN111384130B (zh) 包括有机发光面板和无机发光二极管的照明装置
CN111384123A (zh) 电致发光照明装置
JP2004228297A (ja) 半導体発光装置
CN111384122B (zh) 具有高孔径比的电致发光照明装置
CN111384099B (zh) 窄边框电致发光照明装置
CN109979928B (zh) 发光器件和发光设备
US8384110B2 (en) Light emitting device
KR20110059359A (ko) 유기 발광 조명 장치
CN111384112B (zh) 具有高开口率的电致发光照明装置
KR20200082664A (ko) 발광 효율이 향상된 조명장치
TW201236197A (en) Light emitting diode structure
KR20200082591A (ko) 수분 침투 방지 및 광추출 특성이 향상된 조명장치
JP2012054447A (ja) 半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant