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CN111278926B - 硬化性硅酮组合物、包含其的光学构件用树脂片材及发光器件 - Google Patents

硬化性硅酮组合物、包含其的光学构件用树脂片材及发光器件 Download PDF

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CN111278926B CN201880069195.1A CN201880069195A CN111278926B CN 111278926 B CN111278926 B CN 111278926B CN 201880069195 A CN201880069195 A CN 201880069195A CN 111278926 B CN111278926 B CN 111278926B
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尼子雅章
竹内香须美
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Dow Corning Toray Co Ltd
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Abstract

本发明的课题在于提供一种操作作业性、成形性、硬化物的机械强度(尤其是硬度)及柔软性优异，并且实现高透明性的硬化性硅酮组合物、包含其的光学构件用树脂片材、使用其的发光器件等。本发明是一种硬化性硅酮组合物及其用途，该硬化性硅酮组合物含有：(A)硅氢化反应性的树脂‑线性嵌段共聚物型有机聚硅氧烷、(B)分子内具备具有碳‑碳双键的硬化反应性基的有机聚硅氧烷树脂、(C)有机氢聚硅氧烷、及(D)硅氢化反应催化剂，在室温下测定的成分(A)与成分(B)的折射率的差的绝对值(ΔRI)小于0.05。

Description

硬化性硅酮组合物、包含其的光学构件用树脂片材及发光 器件
技术领域
本发明涉及一种操作作业性、成形性、硬化物的机械强度(尤其是硬度)及柔软性优异，并且实现高透明性的硬化性硅酮组合物、包含其的光学构件用树脂片材、具备其的层叠体。进而，本发明涉及一种具有该硬化性硅酮组合物或其硬化物的光学构件或发光器件。
背景技术
固体硅酮材料由于成形性优异，具有耐热性、耐寒性、电绝缘性、耐候性、拨水性、透明性，因此用于广泛的产业领域。尤其是硬化性硅酮组合物的硬化物由于与其它有机材料相比不易变色，而且物理物性的降低小，因此也适合作为光学材料、尤其是发光器件(无机或有机发光二极管)的密封剂。
近年来，为了新的发光器件的制造工艺，提出一种于室温下为固体状或半固体状，于高温下加热熔融的具有热熔性的含硅酮材料。具有热熔性的含硅酮材料与通常的液状材料不同，操作作业性及均匀涂布性优异，例如，本申请人等人在专利文献1中，提出一种光学组件，其将分子内具有树脂状硅氧烷结构及直链状硅氧烷结构的反应性或非反应性的含硅酮热熔组合物用于密封材料膜。同样地，在专利文献2中，提出一种硬化性硅酮组合物，其利用硅氢化反应硬化，且包含非反应性的有机聚硅氧烷树脂。
该密封材料尤其通过与具有高折射率且具有转换来自光源的波长的荧光材料的密封材料膜(荧光体层)组合使用，能够提供生产性及发光效率优异的发光器件。而且，该含硅酮材料通过去除有机溶剂，能够容易地成型为片状，可提供发光器件的生产性、光提取效率、物性及耐久性优异的光学构件用树脂片材。
然而，在将上述使用具有树脂状硅氧烷结构及直链状硅氧烷结构的硅酮材料的光学构件用树脂片材用于制造发光器件的情况下，存在如下情况：尤其是于压缩成型法等的成型加工时，包含该光学构件用树脂片材或其硬化物的密封构件的硬度或柔软性不充分，产生于密封构件发生龟裂、或者密封构件未追随器件而剥离等问题。
另一方面，提出为了改善强度或密接性而添加非反应性有机聚硅氧烷树脂(专利文献2及专利文献3)、或者添加二硫化物化合物作为主剂的硅酮材料的稳定剂(专利文献4)。然而，通过使用这些添加剂，作为光学器件的密封构件的强度或柔软性、对器件的追随性并未充分得到改善，仍留有进一步改良的余地。另外，这些添加剂、尤其是非反应性有机聚硅氧烷树脂为了对片材或其硬化物表面赋予粘着性而改善追随性，但存在如下情况：对主剂的硅酮材料的相容性不充分，导致组合物凝胶化，除此以外，对流动性带来不良影响，因此导致成形性、或片材及其硬化物的柔软性降低，于密封构件产生龟裂。进而，存在如下情况：非反应性有机聚硅氧烷树脂由于与主剂的硅酮材料的折射率不同，因此产生浑浊或着色，导致透明性及光提取效率降低。因此，强烈期望一种操作作业性优异，硬化物的硬度及柔软性优异，并且实现高透明性的硬化性硅酮组合物。
背景技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特表2016-508290号公报
专利文献2：国际公开第2016/022332号
专利文献3：日本专利特表2016-536440号公报
专利文献4：国际公开第2016/077159号
发明内容
[发明要解决的问题]
本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种不产生凝胶化等问题，操作作业性及成形性优异，硬化物的硬度及柔软性优异，并且实现高透明性的硬化性硅酮组合物、包含其的光学构件用树脂片材。另外，本发明的目的在于提供一种具备该光学构件用树脂片材的层叠体、具备该硬化性硅酮组合物或其硬化物的光学构件或发光器件。
[解决问题的技术手段]
本发明者等人进行了锐意研究，结果发现通过使用如下硬化性硅酮组合物，能够解决上述课题，从而完成了本发明，该硬化性硅酮组合物含有：(A)分子内具有RASiO3/2(式中，RA为碳原子数6～14的芳基)所表示的芳基硅氧烷单元及(R2SiO2/2)n(式中，R为可经卤素原子取代的碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～14的芳基，n为3～1000的范围的数)所表示的聚二有机硅氧烷结构，且分子内平均具有1个以上硅氢化反应性基的有机聚硅氧烷100质量份；
(B)分子内具备具有碳-碳双键的硬化反应性基的有机聚硅氧烷树脂1～200质量份；
(C)分子内具有至少2个与硅原子键结的氢原子的有机氢聚硅氧烷相对于本组合物中的碳-碳双键1摩尔，成分(C)中的与硅原子键结的氢原子成为0.2摩尔以上的范围的量；及
(D)硅氢化反应催化剂催化剂量；
在室温下测定的成分(A)与成分(B)的折射率的差的绝对值(ΔRI)小于0.05，更优选小于0.02。上述硬化性硅酮组合物优选进一步含有至少1种以上(E)荧光体或反射材料，可以是分散于有机溶剂的液状组合物的形态，也可以是去除有机溶剂而成的固体状组合物的形态。另外，尤其优选该组合物成型为片状。
进而，本发明者等人发现，利用包含上述硬化性硅酮组合物的光学构件用树脂片材能够解决上述课题，从而完成了本发明。该光学构件用树脂片材可以具备于该片材上进一步配置有具备与该片材不同的光学功能或光学性质的固体硅酮材料的结构。
同样地，本发明者等人发现，利用包含上述光学构件用树脂片材的层叠体能够良好地解决上述课题，从而完成了本发明。该层叠体只要为层叠有光学构件用树脂片材的结构体，则没有特别限制，包含功能性树脂片材、发光器件等结构体。另外，包括以光学构件用树脂片材的操作及流通为目的而具备与该光学构件用树脂片材对向的剥离层的剥离性层叠体。
除此以外，本发明者等人发现，利用：
·具备上述硬化性硅酮组合物或其硬化物的光学构件、及
·具有被上述硬化性硅酮组合物或其硬化物密封的结构的发光器件能够解决上述课题，从而完成了本发明。
[发明的效果]
本发明的硬化性硅酮组合物能够形成不产生凝胶化等问题，操作作业性及成形性优异，并且硬度及柔软性优异，而且实现高透明性的硬化物。另外，上述硬化性硅酮组合物通过成型为片状，能够提供一种具备这些有利性质的光学构件用树脂片材。进而，通过本发明，能够提供一种具备该光学构件用树脂片材的层叠体、具有该硬化性硅酮组合物或其硬化物的光学构件或发光器件。
附图说明
无
具体实施方式
[硬化性硅酮组合物]
首先，对本发明的硬化性硅酮组合物进行说明。为了解决上述课题，本发明的硬化性硅酮组合物的特征在于，其是硅氢化反应硬化性组合物，包含分子内兼具RASiO3/2所表示的芳基硅氧烷单元(T支链单元或树脂结构)及(R2SiO2/2)n所表示的聚二有机硅氧烷结构(硅氧烷直链结构)的硅氢化反应性树脂-线性嵌段共聚物型有机聚硅氧烷，且包含分子内具备具有碳-碳双键的硬化反应性基，且与该树脂-线性嵌段共聚物型有机聚硅氧烷在室温下的折射率的差的绝对值(ΔRI)非常小的有机聚硅氧烷树脂。通过一同使用反应性且折射率接近的有机聚硅氧烷树脂，能够获得改善其硬化物的机械强度(尤其是硬度)及柔软性，并且实现高透明性的硬化性硅酮组合物。
具体来说，该硬化性硅酮组合物含有：(A)分子内具有RASiO3/2(式中，RA为碳原子数6～14的芳基)所表示的芳基硅氧烷单元及(R2SiO2/2)n(式中，R为可经卤素原子取代的碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～14的芳基，n为3～1000的范围的数)所表示的聚二有机硅氧烷结构，且分子内平均具有1个以上硅氢化反应性基的有机聚硅氧烷100质量份；
(B)分子内具备具有碳-碳双键的硬化反应性基的有机聚硅氧烷树脂1～200质量份；
(C)分子内具有至少2个与硅原子键结的氢原子的有机氢聚硅氧烷相对于本组合物中的碳-碳双键1摩尔，成分(C)中的与硅原子键结的氢原子成为0.2摩尔以上的范围的量；及
(D)硅氢化反应催化剂催化剂量；
在室温下测定的成分(A)与成分(B)的折射率的差的绝对值(ΔRI)小于0.05。
[成分(A)]
上述成分(A)为包含具有芳基的T单元且具有硅氢化反应性的树脂-线性聚合物型有机聚硅氧烷，由于折射率高并且具有热熔性，所以能够作为荧光体或反射材料等成分的粘合剂树脂，与下述成分(B)或成分(C)一起形成由硅氢化反应获得的硬化物，形成所需形状的硬化物层。尤其是成分(A)是作为光学构件用树脂片材的粘合剂树脂有用的成分。
这种成分(A)为分子内具有RASiO3/2(式中，RA为碳原子数6～14的芳基)所表示的芳基硅氧烷单元及(R2SiO2/2)n(式中，R为可经卤素原子取代的碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～14的芳基，n为3～1000的范围的数)所表示的聚二有机硅氧烷结构，且分子内平均具有1个以上硅氢化反应性基的有机聚硅氧烷。
此处，碳原子数6～14的芳基为苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基，从工业生产上的角度来说，优选苯基。另外，R为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基等芳基；及与这些基键结的氢原子的一部分或全部被取代为氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子而成的基，从工业生产上的角度来说，优选甲基或苯基。
除此以外，成分(A)与上述硅氧烷结构分开地，分子内平均具有1个以上、优选2个以上硅氢化反应性基。此处，硅氢化反应性基是分子内具有碳-碳双键的硬化反应性基或与硅原子键结的氢原子，前者与下述成分(C)、后者与下述成分(B)分别在成分(D)的存在下利用硅氢化反应，组合物整体形成硬化物。具体来说，分子内具有碳-碳双键的硬化反应性基为烯基或丙烯酰基，例如可列举乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等碳数2～10的烯基；3-甲基丙烯酰氧基丙基、3-丙烯酰氧基丙基等含有丙烯酰基的一价有机基；尤其优选乙烯基或己烯基。从工业生产上的角度来说，硅氢化反应性基可以是乙烯基等碳数2～10的烯基。
更具体来说，成分(A)为如下树脂-线性有机聚硅氧烷嵌段共聚物，其具有将具备T单元：R1SiO3/2(R1为一价有机基、羟基或碳原子数1～6的烷氧基，分子内的所有R1中的至少1个以上为碳原子数6～14的芳基)、任意的Q单元：SiO4/2所表示的硅氧烷单元的树脂结构嵌段与(R2SiO2/2)n(式中，n为与所述相同的数，R为与所述相同的基)所表示的线性结构嵌段利用硅烷撑键或Si-O-Si键连结而成的结构，并且具有RASiO3/2单元；在聚合物中的连结树脂结构嵌段与线性结构嵌段的硅烷撑键或Si-O-Si键中，优选与树脂结构键结的Si原子构成RASiO3/2单元。除此以外，特征在于，在该成分(A)中，必须具备具有至少1个硅氢化反应性基的有机硅烷氧基单元。这种有机硅烷氧基单元为包含上文所述的硅氢化反应性基的选自三有机硅烷氧基单元(MRB单元)、二有机硅烷氧基单元(DRB单元)及单有机硅烷氧基单元(TRB单元)的1种以上有机硅烷氧基单元，具有硅氢化反应性基的有机硅烷氧基单元数占该成分(A)分子中，优选成分(A)中的所有硅烷氧基单元的0.1摩尔％～5.0摩尔％的范围。此外，于该成分(A)中，除构成线性结构嵌段的二有机硅烷氧基单元以外，分子内可进一步包含具有官能基R的三有机硅烷氧基单元(MR单元)或单有机硅烷氧基单元(TR单元)，且是优选的。
成分(A)中的树脂结构嵌段为对成分(A)整体赋予热熔性的部分结构，为树脂(resin)状有机聚硅氧烷结构。该结构以RASiO3/2所表示的芳基硅氧烷单元作为必须，形成包含键结有多个T单元或Q单元的树脂状有机聚硅氧烷的部分结构。尤其是在分子内包含多个苯基等芳基的情况下，能够提高成分(A)的折射率。优选成分(A)为含有RASiO3/2(式中，RA为与所述相同的基)所表示的芳基硅氧烷单元达有机聚硅氧烷整体的20～80质量％的有机聚硅氧烷，从上述热熔性及折射率的角度来说，尤其优选树脂结构实质上仅由RASiO3/2所表示的芳基硅氧烷单元形成。
线性结构为(R2SiO2/2)n所表示的非反应性嵌段，为R2SiO2/2所表示的二有机硅烷氧基单元至少为3单元以上、优选5单元以上连结为链状的结构。该线性结构嵌段是对由本共聚物形成的固体层及硬化物层赋予适度柔软性的部分结构。式中，n为构成该部分结构的二有机硅烷氧基单元的聚合度，优选3～250的范围，更优选5～250、50～250、100～250的范围。如果部分结构中的n超过上述上限，那么存在强烈表现出源自线性结构的作为线性分子的性质，薄膜形成性降低的情况。另一方面，如果n小于上述下限，那么存在如下情况：作为线性分子的性质不充分，尤其是在涂布为膜状的情况下容易产生收缩等而无法均匀涂布，或者硬化物的机械强度变得不充分。
构成线性结构的二有机硅烷氧基单元上的官能基R为烷基或芳基，它们必须对于同一分子中的树脂结构及其官能基为非反应性，在分子内不发生缩合反应等聚合反应，维持线性结构。这些烷基及芳基为与上述相同的基，从工业角度来说，优选甲基或苯基。
成分(A)中的树脂结构嵌段与线性结构嵌段优选利用由烯基和与硅原子键结的氢原子间的硅氢化反应所产生的硅烷撑键、或者由树脂结构或线性结构末端的缩合性反应基产生的Si-O-Si键连结。尤其是在本发明中，尤其优选与树脂结构键结的Si原子构成R1SiO3/2单元，尤其优选具有下述部分结构(T-Dn)。从工业角度来说，R1优选苯基，R优选甲基或苯基。
部分结构(T-Dn)
[化1]
Figure BDA0002463690020000081
优选在上述部分结构中，构成T单元的左侧的Si-O-键的末端分别与氢原子或构成树脂结构的其它硅氧烷单元、优选其它T单元键结。另一方面，右侧的Si-O-键的末端与形成线性结构或树脂结构的其它硅氧烷单元、三有机硅烷氧基单元(M单元)或氢原子键结。此外，当然，在Si-O-键的末端键结氢原子的情况下，形成硅烷醇基(Si-OH)。
于成分(A)中，除上述结构以外，包含具有至少1个硅氢化反应性基的有机硅烷氧基单元。如上所述，该有机硅烷氧基单元可以是选自三有机硅烷氧基单元(MRB单元)、二有机硅烷氧基单元(DRB单元)及单有机硅烷氧基单元(TRB单元)的1种以上有机硅烷氧基单元，也可以作为以下通式所表示的有机硅烷氧基单元，与分子内的任一部分键结。
通式：
RB mSiO(4-m)/2
式中，RB分别独立为一价有机基，m为1～3的范围的数。其中，有机硅烷氧基单元中的m个RB中的至少一个为硅氢化反应性基。此处，优选的硅氢化反应性基与所述相同，可例示乙烯基等碳原子数2～10的烯基。进而，剩余的一价有机基RB可以是可经卤素原子取代的碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～14的芳基，从工业上而言，优选甲基或苯基。作为这种具有硅氢化反应性基的有机硅烷氧基单元，可例示：乙烯基二甲基硅烷氧基单元、乙烯基甲基苯基硅烷氧基单元、乙烯基二苯基硅烷氧基单元、乙烯基甲基硅烷氧基单元、乙烯基苯基硅烷氧基单元、乙烯基硅烷氧基单元等。它们可通过使具有乙烯基等硅氢化反应性基的水解性硅烷类与具备树脂结构嵌段及线性结构嵌段的成分(A)的前驱物分子发生反应而导入至分子内，且是优选的。
于成分(A)中，除上述结构以外，分子内可进一步任意包含具有官能基R的三有机硅烷氧基单元(MR单元)或单有机硅烷氧基单元(TR单元)。这种有机硅烷氧基单元也可以作为以下通式所表示的有机硅烷氧基单元，与分子内的任一部分键结。
通式：
RtSiO(4-t)/2
式中，R为与所述相同的基，t为1或3的数。即，该有机硅烷氧基单元包括R3SiO1/2及RSiO3/2所表示的有机硅烷氧基单元。
从成分(A)的热熔性、其硬化物的机械强度及为了改善光提取效率而要求的折射率、及尤其是薄膜化的情况下的均匀涂布性的角度来说，成分(A)优选由RASiO3/2所表示的芳基硅氧烷单元及R2SiO2/2所表示的二有机硅氧烷单元、具有至少1个硅氢化反应性基的有机硅烷氧基单元、及任意包含的其它有机硅烷氧基单元构成的硅氢化反应性有机聚硅氧烷。更具体来说，成分(A)优选
{(R2SiO2/2)}a{RASiO3/2}1-a-b-c{RB mSiO(4-m)/2}b{RtSiO(4-t)/2}c
所表示的有机聚硅氧烷。式中，R、RA、RB为与所述相同的基，a为0.8～0.2的范围的数，更优选0.70～0.25的范围的数，b为0.05～0.001的范围的数，c为0.05～0.00的范围的数，m为1～3的范围的数，t为1或3的数。该组成式所表示的有机聚硅氧烷于分子内必须具有包含硅氢化反应性基的官能基RB，并且，具有对应于树脂结构的包含RASiO3/2单元的部分结构、对应于线性结构的包含R2SiO2/2连锁单元的部分结构，并且分子内任意包含R3SiO1/2或RSiO3/2所表示的有机硅烷氧基单元。
[成分(A)的热熔性]
成分(A)优选显示热熔性，具体来说，优选于25℃下为非流动性，100℃的熔融粘度为200,000Pa·s以下。非流动性意味着在无负载的状态下不流动，例如，表示小于利用JISK 6863-1994“热熔粘接剂的软化点试验方法”中规定的热熔粘接剂的由环球法进行的软化点试验方法所测定的软化点下的状态。即，为了在25℃下为非流动性，需要软化点高于25℃。优选(B)成分的100℃的熔融粘度为200,000Pa·s以下、100,000Pa·s以下、50,000Pa·s以下、20,000Pa·s以下，或者为10～20,000Pa·s的范围内。如果100℃的熔融粘度为上述范围内，那么热熔后，冷却至25℃后的硬化物的密接性良好。另外，通过使用上述熔融粘度为100～15,000Pa·s的成分(A)，存在对成型加工后的硬化物能够抑制其变形或剥离的情况。
[成分(B)]
成分(B)为分子内具备具有碳-碳双键的硬化反应性基的有机聚硅氧烷树脂，通过以在室温下测定的成分(A)与成分(B)的折射率的差的绝对值(ΔRI)小于0.05、小于0.04、更优选小于0.02的方式进行设计，具有如下优点：改善两成分的相容性，抑制因凝胶化或源自树脂的沉淀物(结晶物)的产生而导致操作作业性降低，改善硬化物的机械强度、尤其是硬度，并且不损害折射率及透明性。此外，在设计本组合物时，成分(A)及成分(B)可以是单独成分，也可以分别是2种以上的折射率不同的成分的混合物。在该情况下，关于成分(A)的树脂-线性嵌段共聚物型有机聚硅氧烷单独或混合物整体的折射率、及成分(B)的具有硬化反应性基的有机聚硅氧烷树脂单独或混合物整体的折射率，只要两者的折射率的差的绝对值满足上述关系即可，此种形态在本发明的计划内。
成分(B)必须分子内具备具有碳-碳双键的硬化反应性基。这种硬化反应性基为硅氢化反应性的官能基，通过利用成分(C)或成分(A)(其中，成分(A)限于含有与硅原子键结的氢原子的情况)所进行的交联反应，形成透明且机械强度/柔软性优异的硬化物。另外，通过成分(B)为反应性，改善与成分(A)的相容性，抑制因凝胶化或源自树脂的沉淀物(结晶物)的产生而导致操作作业性降低。这种硬化反应性基为烯基或丙烯酰基，例如可列举乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等碳数2～10的烯基；3-甲基丙烯酰氧基丙基、3-丙烯酰氧基丙基等含有丙烯酰基的一价有机基，尤其优选乙烯基或己烯基。另一方面，在使用不具有硬化反应性基的有机聚硅氧烷树脂的情况下，除与成分(A)的相容性变差以外，存在当整形为片状的情况时或者随着加热硬化时的加热老化，该有机聚硅氧烷树脂自组合物中脱离，无法获得均匀片材或硬化物的情况。
成分(B)必须成分(A)与成分(B)在室温下的折射率的差的绝对值(ΔRI)小于0.05。折射率的测定手段可无特别限制地使用公知的方法，但需要以室温下的折射率为基准，优选两者的折射率的值的差小于0.02。两者的折射率的差小意味着成分(A)与成分(B)的官能基类似，由此，两者的亲和性及硬化物的透明性得到改善。反之，在两者的折射率的差超过0.05的情况下，由于其官能基不同，因此亲和性及相容性降低，结果硬化物的透明性降低。
具体来说，成分(B)为包含三有机硅烷氧基单元(M单元)、二有机硅烷氧基单元(D单元)、单有机硅烷氧基单元(T单元)及硅烷氧基单元(Q单元)的任意组合的具有树脂状或网状分子结构的有机聚硅氧烷树脂，可列举：包含R2SiO2/2单元(D单元)及RSiO3/2单元(T单元)(式中，R互相独立为一价有机基或羟基)的有机聚硅氧烷树脂、包含单独T单元的有机聚硅氧烷树脂、以及包含R3SiO1/2单元(M单元)及SiO4/2单元(Q单元)且分子中具有上述硬化反应性基的有机聚硅氧烷树脂。尤其优选使用包含R3SiO1/2单元(M单元)及SiO4/2单元(Q单元)的有机聚硅氧烷树脂(也称作MQ树脂)。此外，在成分(B)中存在羟基的情况下，与分子内的T单元或Q单元等的硅直接键结，是源自原料硅烷的基或硅烷水解所产生的基。另外，上述各硅烷氧基单元中的R为一价有机基或羟基，于有机聚硅氧烷树脂分子中具有至少1个硬化反应性基。工业上，R为烷基、芳基、烯基或含有丙烯酰基的有机基，尤其优选甲基、苯基、乙烯基或己烯基。此外，有机聚硅氧烷树脂分子中的所有R中的30～95摩尔％可以是非反应性的烷基或芳基，可以是甲基或苯基。另外，成分(B)中的具有碳-碳双键的硬化反应性基的含量可适当选择，有机聚硅氧烷树脂中的与硅原子键结的官能基的5～70摩尔％可以是乙烯基等烯基或3-丙烯酰氧基丙基等含有丙烯酰基的一价有机基。
尤其优选成分(B)为如下有机聚硅氧烷树脂，其包含选自(CH3)3SiO1/2单元、(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2单元、(C6H5)3SiO1/2单元、(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2单元及(CH2＝CH)(C6H5)2SiO1/2单元的三有机硅烷氧基单元(M单元)及SiO4/2单元(Q单元)，且分子内必须具有(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2单元、(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2单元或(CH2＝CH)(C6H5)2SiO1/2单元。此处，作为与硅原子键结的官能基，由于包含许多甲基的有机聚硅氧烷树脂有折射率降低的倾向，包含许多苯基的有机聚硅氧烷树脂有折射率上升的倾向，因此在室温下测定的成分(A)的折射率高的情况下选择包含许多苯基的有机聚硅氧烷树脂，反之在成分(A)的折射率低的情况下选择包含许多甲基的有机聚硅氧烷树脂，由此可将所述两者的折射率的差设计为小于0.05、小于0.02。另外，通过成分(A)的取代基与成分(B)的取代基的种类一致，存在两者的亲和性得到改善，利用成分(B)等的硬化反应而形成的硬化物的机械强度及透明性得到进一步改善的情况。
成分(B)的调配量相对于成分(A)100质量份，为1～200质量份的范围，更优选30～180质量份、40～150质量份的范围。如果成分(B)的调配量小于所述下限，那么硬化物无法实现充分的机械强度。另外，如果成分(B)的调配量超过所述上限，那么源自树脂的性质变得过强，失去硬化物的柔软性，在作为树脂片材使用的情况下，存在除对基材的追随性变差之外，导致硬化物龟裂等的情况。
[成分(C)]
成分(C)为成分(B)或成分(A)(其中，限于成分(A)在分子内含有具有碳-碳双键的硬化反应性基的情况)的交联剂，是有机氢聚硅氧烷、尤其是一分子中具有至少2个与硅原子键结的氢原子的有机氢聚硅氧烷。有机氢聚硅氧烷的分子结构没有特别限定，可无限制地使用硅氧烷聚合度1000以下的选自直链状、支链状、树脂状或环状的1种或2种以上有机氢聚硅氧烷，也可以包含树脂状的有机氢聚硅氧烷树脂。此外，在本发明中，成分(A)及成分(B)优选都具有乙烯基等分子内具有碳-碳双键的硬化反应性基，成分(C)优选为这些成分的交联剂。
具体来说，作为成分(C)，可例示：分子链两末端经二甲基氢硅烷氧基封阻的二甲基聚硅氧烷、分子链两末端经二甲基氢硅烷氧基封阻的甲基苯基聚硅氧烷、分子链两末端经二甲基氢硅烷氧基封阻的二甲基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物、分子链两末端经二甲基氢硅烷氧基封阻的二苯基聚硅氧烷、分子链两末端经三甲基硅烷氧基封阻的甲基氢聚硅氧烷、分子链两末端经三甲基硅烷氧基封阻的甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、分子链两末端经二甲基氢硅烷氧基封阻的甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、及这些有机聚硅氧烷的2种以上的混合物。在本发明中，(B)成分可例示25℃下的粘度为1～500mpa·s的分子链两末端经三甲基硅烷氧基封阻的甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物。此外，可以包含具有所述T单元或Q单元，于硅原子上具有SiH基的树脂状的有机氢聚硅氧烷树脂(MT树脂、MQ树脂)、例如二甲基氢硅氧烷苯基倍半硅氧烷共聚物作为成分(C)，且是优选的。
成分(C)的调配量是利用与组合物中的烯基的交联反应而使整体硬化所必需的量，具体来说，是相对于组合物中的参与硅氢化反应的碳-碳双键、更具体来说烯基等1摩尔，成分(C)中的与硅原子键结的氢原子成为0.2摩尔以上的范围的量，是成为0.2～5.0摩尔、更优选成为0.5～2.0摩尔的范围。此外，如果过度调配成分(C)，那么存在导致产生源自未反应的与硅原子键结的氢原子的氢气的情况，不优选。但为了改善硬化物对玻璃等基材的密接性，也可以选择使用过量的成分(C)。即使假设在成分(A)具有与硅原子键结的氢原子的情况下，也优选调配成分(C)、尤其是硅原子上具有SiH基的树脂状的有机氢聚硅氧烷树脂(MT树脂、MQ树脂)。
[成分(D)]
成分(D)为本组合物的硬化剂，可无特别限制地使用公知的硅氢化反应催化剂。此外，在本发明中，根据所需也可将其它硬化剂、例如缩合反应催化剂、光自由基反应引发剂、过氧化物等自由基引发剂与硅氢化反应催化剂一同使用。
作为硅氢化反应催化剂，可例示铂系催化剂、铑系催化剂、钯系催化剂，从能够显著促进本组合物的硬化的方面来说，优选铂系催化剂。作为该铂系催化剂，可例示铂细粉、氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂-烯基硅氧烷络合物、铂-烯烃络合物、铂-羰基络合物、及将这些铂系催化剂分散于硅酮树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸系树脂等热塑性树脂中或者制成胶囊而成的催化剂，尤其优选铂-烯基硅氧烷络合物。作为该烯基硅氧烷，可例示1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷、这些烯基硅氧烷的甲基的一部分被取代为乙基、苯基等而成的烯基硅氧烷、这些烯基硅氧烷的乙烯基被取代为烯丙基、己烯基等而成的烯基硅氧烷。尤其是从该铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性良好的方面来说，优选1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷。此外，作为促进硅氢化反应的催化剂，还可以使用铁、钌、铁/钴等非铂系金属催化剂。
除此以外，在本发明的硬化性硅酮组合物中，可以使用分散于热塑性树脂或者制成胶囊的微粒子状的含有铂的硅氢化反应催化剂。通过使用这种制成胶囊的硬化剂，除以往的操作作业性及组合物的适用期的改善的优点以外，可获得硬化性硅酮组合物的保存稳定性的改善及由其硬化反应的温度实现的控制的优点。
在本发明中，还可以使用除加热以外，利用紫外线等高能量线照射促进硅氢化反应的光活性型铂络合物硬化催化剂等硅氢化反应催化剂。这种硅氢化反应催化剂可良好地例示β-二酮铂络合物或于配位基具有环状二烯化合物的铂络合物，具体可例示选自由三甲基(乙酰丙酮)铂络合物、三甲基(2，4-戊二酮)铂络合物、三甲基(3，5-庚二酮)铂络合物、三甲基(乙酰乙酸甲酯)铂络合物、双(2，4-戊二酮)铂络合物、双(2，4-己二酮)铂络合物、双(2，4-庚二酮)铂络合物、双(3，5-庚二酮)铂络合物、双(1-苯基-1，3-丁二酮)铂络合物、双(1，3-二苯基-1，3-丙二酮)铂络合物、(1，5-环辛二烯基)二甲基铂络合物、(1，5-环辛二烯基)二苯基铂络合物、(1，5-环辛二烯基)二丙基铂络合物、(2，5-降冰片二烯)二甲基铂络合物、(2，5-降冰片二烯)二苯基铂络合物、(环戊二烯基)二甲基铂络合物、(甲基环戊二烯基)二乙基铂络合物、(三甲基硅烷基环戊二烯基)二苯基铂络合物、(甲基环辛烷-1，5-二烯基)二乙基铂络合物、(环戊二烯基)三甲基铂络合物、(环戊二烯基)乙基二甲基铂络合物、(环戊二烯基)乙酰基二甲基铂络合物、(甲基环戊二烯基)三甲基铂络合物、(甲基环戊二烯基)三己基铂络合物、(三甲基硅烷基环戊二烯基)三甲基铂络合物、(三甲基硅烷基环戊二烯基)三己基铂络合物、(二甲基苯基硅烷基环戊二烯基)三苯基铂络合物、及(环戊二烯基)二甲基三甲基硅烷基甲基铂络合物所组成的群中的铂络合物。
在使用上述利用高能量线照射促进硅氢化反应的硬化剂的情况下，可不进行加热操作，以硬化性硅酮组合物为原料形成硬化物。
成分(D)的调配量为催化剂量。具体来说，优选将使用本发明的硬化性硅酮组合物而获得的硬化物整体设为100质量份时，金属原子以质量单位计成为0.01～500ppm的范围内的量、成为0.01～100ppm的范围内的量、或者成为0.01～50ppm的范围内的量。
[成分(E)]
本发明的组合物优选进一步含有至少1种以上(E)荧光体或反射材料。这些成分分散于含有上述成分(A)～(D)的粘合剂树脂中而成的组合物或其硬化物在用作LED等发光器件的构件的情况下，具有波长转换特性或反射率、光提取效率、及密封性能优异的优点。
作为本发明中可利用的荧光体，只要作为波长转换材料发挥功能，则无特别限定，可例示广泛用于发光二极管(LED)或有机电场发光元件(OLED)的包含氧化物系荧光体、氮氧化物系荧光体、氮化物系荧光体、硫化物系荧光体、氟化物系荧光体、氧硫化物系荧光体等的黄色、红色、绿色、及蓝色发光荧光体。作为氧化物系荧光体，可例示：包含铈离子的钇铝石榴石系的YAG系绿色～黄色发光荧光体；包含铈离子的铽铝石榴石系的TAG系黄色发光荧光体；包含铈或铕离子的硅酸盐系绿色～黄色发光荧光体。另外，作为氮氧化物系荧光体，可例示包含铕离子的硅铝氧氮系的赛隆系红色～绿色发光荧光体。作为氮化物系荧光体，可例示包含铕离子的钙锶铝硅氮系的CASN系红色发光荧光体。作为硫化物系荧光体，可例示包含铜离子或铝离子的ZnS系绿色显色荧光体。作为氟化物系荧光体，可例示KSF荧光体(K2SiF6：Mn4+)。作为氧硫化物系荧光体，可例示包含铕离子的Y2O2S系红色发光荧光体。荧光体可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
作为本发明中可利用的反射材料，没有特别限定，优选选自氧化钛、氧化钡、氧化铬、氧化铁、氮化硼、及氮化钛的1种或2种以上。尤其优选氧化钛。
荧光体或反射材料优选具有分散于至少含有硅酮树脂的粘合剂树脂中的结构。另外，为了改善向硅酮树脂中的分散性，荧光体或反射材料的至少一部分可以利用有机硅化合物进行表面处理。具体来说，荧光体或反射材料的至少一部分可以利用烷氧基硅烷、有机卤硅烷、有机硅氮烷、硅氧烷低聚物等进行表面处理。
成分(E)的荧光体或反射材料的调配量没有特别限制，尤其是在将本发明的组合物作为光学构件用树脂片材使用的情况下，相对于片材的总重量为0～90质量％，优选以10～90质量％的范围含有，尤其优选以15～85质量％的范围含有。
[补强性填料]
本发明的组合物根据所需还可以进一步包含补强性填料。补强性填料能够改善由本发明所获得的硬化物的机械强度，保持高保型性及适度的硬度。作为这种补强性填料，例如可列举气相二氧化硅细粉、沉淀性二氧化硅细粉、煅烧二氧化硅细粉、气相二氧化钛细粉、石英细粉、碳酸钙细粉、硅藻土细粉、氧化铝细粉、氢氧化铝细粉、氧化锌细粉、碳酸锌细粉等无机质填充剂，还可以含有利用甲基三甲氧基硅烷等有机烷氧基硅烷、三甲基氯硅烷等有机卤硅烷、六甲基二硅氮烷等有机硅氮烷、经α，ω-硅烷醇基封阻的二甲基硅氧烷低聚物、经α，ω-硅烷醇基封阻的甲基苯基硅氧烷低聚物、经α，ω-硅烷醇基封阻的甲基乙烯基硅氧烷低聚物等硅氧烷低聚物等处理剂对这些无机质填充剂进行表面处理而得的无机质填充剂。其调配量在将硬化物整体设为100质量份的情况下，为0.0～150.0质量份的范围、0.0～120.0质量份的范围，优选1.0～115.0质量份范围。此外，二氧化硅细粉的粒子的形状没有特别限定，可使用实心二氧化硅及中空二氧化硅的任一种，尤其是在使用中空二氧化硅的情况下，存在可根据折射率的差异实现高光扩散性的情况。
[其它成分：硬化延迟剂等]
在不损及本发明的技术效果的范围内，于上述硬化性硅酮组合物中，可包含除上述成分以外的成分。例如，可包含公知的硅氢化反应的硬化延迟剂；有机官能性烷氧基硅烷化合物等粘接性提高剂/粘接赋予剂；聚二甲基硅氧烷或聚二甲基二苯基硅氧烷等非反应性的有机聚硅氧烷；酚系、醌系、胺系、磷系、亚磷酸酯系、硫系、或硫醚系等的抗氧化剂；三唑系或二苯甲酮系等的光稳定剂；磷酸酯系、卤素系、磷系、或锑系等的阻燃剂；包含阳离子系表面活性剂、阴离子系表面活性剂、或非离子系表面活性剂等的1种以上防静电剂；染料；颜料；导热性填料；介电性填料；导电性填料；离型性成分：自由基捕捉剂等。
另外，上述硬化性硅酮组合物优选成型为片状，以制成下述膜或薄膜为目的等，可分散于有机溶剂中进行涂布。作为所使用的有机溶剂，只要为能够溶解组合物中的全部构成成分或一部分构成成分的化合物，则其种类没有特别限定，优选使用沸点为80℃以上200℃以下的溶剂。例如可列举：异丙醇、叔丁醇、环己醇、环己酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、甲苯、二甲苯、均三甲苯、1，4-二恶烷、二丁醚、苯甲醚、4-甲基苯甲醚、乙基苯、乙氧基苯、乙二醇、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、2-甲氧基乙醇(乙二醇单甲醚)、二乙二醇二甲醚、二乙二醇单甲醚、二丙二醇甲醚乙酸酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酸丙酯(＝propylpropionate)、乙酸1-甲氧基-2-丙酯、乙酸1-乙氧基-2-丙酯、八甲基环四硅氧烷、及六甲基二硅氧烷等非卤素系溶剂；三氟甲基苯、1，2-双(三氟甲基)苯、1，3-双(三氟甲基)苯、1，4-双(三氟甲基)苯、三氟甲基氯苯、三氟甲基氟苯、氢氟醚等卤素系溶剂。这些有机溶剂可以单独使用，也可以混合两种以上使用。
[固形组合物]
硬化性硅酮组合物如上所述，以成型为片状为目的等，可分散于有机溶剂中使用，优选成型后实质上不包含有机溶剂的固形组合物的形态，具体来说为固体状的片材等。该固形组合物由于为片材等固体，因此操作作业性优异，并且，优选具有热熔性及加热硬化性，因此在所需的基材上被熔融，利用进一步加热形成硬化物。此外，成型为片状等后，利用干燥等手段，可去除溶剂。
[光学构件用树脂片材及层叠体]
本发明的硬化性硅酮组合物可良好用作光学构件用材料，尤其是通过成型为片状，可作为光学构件用树脂片材制成构成发光器件或发光器件中所使用的层叠体的固体层、具体来说密封层等而配置或者层叠于发光器件的光源上等。
这种光学构件用树脂片材可根据所需进行设计，实质上平坦且关于片材的宽度方向，片材中央的平均厚度优选10～1000μm的范围，优选处于20～950μm的范围，尤其优选处于30～900μm的范围。如果片材中央的平均厚度小于所述下限，那么存在因膜厚太薄而作为光学构件用树脂片材的用途受限的情况，如果超过所述上限，那么存在于以单层操作时，因膜厚太厚而不适合要求薄型化的发光器件等用途的情况。此外，本发明的光学构件用树脂片材关于片材的宽度方向，片材末端的厚度与片材中央的厚度的差相对于片材的总膜厚为5.0％以内，可为包含两端的鼓起在内，实质上于表面上无凹凸的平坦且均匀的结构，这种光学构件用树脂片材可利用日本专利特愿2017-146350中申请人等人提出的方法制造。
本发明的光学构件用树脂片材可以是所需的面积，优选片材面积为225mm2以上。另外，本发明的光学构件用树脂片材优选片材的宽度及长度分别为15mm以上，尤其优选30mm以上。另外，本发明的光学构件用树脂片材为实质上不具有凹凸的平坦的膜，可以具有即便于剥离层上也均匀涂布原料的硬化性组合物并使其硬化而成的结构，所以长度方向即便为可于辊上卷取的长度，也可以无限制地使用。进而，该光学构件用树脂片材可切割为所需大小及形状而使用。另外，本发明的硬化物由于表面粘性低，因此具有即便针对切片(dicing)等细微的切割，切割面也不易附着于刀刃，操作作业性及芯片及片材的生产效率优异的优点。
本发明的光学构件用树脂片材的硬度由于还取决于基材，所以没有特别限定，实用上优选以铅笔硬度计为2B以上。
[剥离性的层叠体]
在一实施方式中，本发明的光学构件用树脂片材可作为具备剥离层的层叠体的构件使用。在剥离层上形成有本发明的光学构件用树脂片材的情况下，可从剥离层剥离本发明的光学构件用树脂片材或具备其的层叠构件使用。作为本发明的层叠体，可例示具备以下构成的层叠体。此外，在以下的例示中，“/”表示关于层叠体的层叠方向(一般为相对于基材垂直的厚度方向)，各层相对向。另外，基材与剥离层可以是一体或同一层(材质具有剥离性或设置物理性凹凸而具有剥离性的基材)，各层可以包含多层。
例1：基材/剥离层/本发明的光学构件用树脂片材/其它任意层
例2：基材/剥离层/本发明的光学构件用树脂片材/其它任意层/剥离层/基材
尤其是如例2所示，具有由2个剥离层夹着本发明的光学构件用树脂片材或具备其的光学构件的构成的情况下，可在被基材保护的状态下运输具备本发明的光学构件用树脂片材的构件，可在所需的时机及场所，从层叠体的两面分离具备剥离层的基材，仅将本发明的光学构件用树脂片材或光学构件配置或者层叠于所需的结构体、例如发光器件的光源上等。因此，从能够改善操作作业性的方面而言有用。
层叠体中使用的基材没有特别限制，可例示：纸板、瓦楞纸、粘土涂料纸、聚烯烃层压纸、尤其是聚乙烯层压纸、合成树脂膜、天然纤维布、合成纤维布、人工皮革布、金属箔等。尤其优选合成树脂膜，作为合成树脂，可例示：聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、环聚烯烃、尼龙等。基材优选膜状或片状。其厚度没有特别限制，可根据用途按所需的厚度设计。此外，如下所述，可以是基材自身作为剥离层发挥功能的材质，还可以具有于基材表面物理地形成细微的凹凸等而具备剥离性的结构。
剥离层有时也被称为剥离衬垫、离型层或者剥离涂层，优选地，可以是硅酮系剥离剂、氟系剥离剂、醇酸系剥离剂、或氟硅酮系剥离剂等具有剥离涂布能力的剥离层，另外，也可以是于基材表面物理地形成细微的凹凸、或者不易与本发明的光学构件用树脂片材附着的基材自身。
层叠体中的其它层可以是1层以上，也可以是2层以上的具备不同功能的多层。另外，层叠于本发明的光学构件用树脂片材上的层叠构件整体的厚度没有特别限定，优选10μm以上，从操作作业性的角度来说，优选50～10,000μm，尤其优选100～5,000μm。
本发明的光学构件用树脂片材及具备其的层叠体可用作密封片材，可具有配置于有机发光二极管等发光器件的光源上且被密封的结构。此处，从光源发出的光在本发明的光学构件用树脂片材包含荧光体的情况下，进行波长转换。
在一实施方式中，本发明的光学构件用树脂片材是将作为光学构件用树脂片材的原料的硬化性硅酮组合物在25℃下的粘度为10～10,000mpa·s、湿润状态下的膜厚成为10～1000μm的条件下，利用片材涂布制造机涂布于基材上而制造。
本发明的光学构件用树脂片材的制造方法中使用的基材优选柔性基材。具体来说，可使用上述层叠体中使用的基材中所列举的基材。
作为将涂布液涂布于柔性基材的方法，可无特别限制地使用公知的涂布方法，使用敷料器或狭缝式涂布机的方法由于片材表面均匀，并且小批次下的批量工艺可相对容易地实现，因此适合作为本发明的光学构件用树脂片材的制造方法。
[固体硅酮材料层]
包含本发明的硬化性硅酮组合物的光学构件用树脂片材可以具备于该片材上进一步配置有具备与该片材不同的光学功能或光学性质的固体硅酮材料的结构。具体来说，可以将包含折射率或透光率不同的固体硅酮材料的薄膜配置为包含本发明的硬化性硅酮组合物的片状而成，例如，如日本专利特愿2017-102355中申请人等人所提出，具有内部或细孔内含有空气的结构，包含将小粒径(纳米规模)的中空或者多孔质无机微粒子以一定量分散于包含所述成分(A)树脂-线性嵌段共聚物型有机聚硅氧烷的聚合物基质中而成的固体硅酮材料的薄膜实现低折射率性，并且，在具有光源、作为包含本发明的硬化性硅酮组合物的光学构件用树脂片材的荧光体层的情况下，存在提高从光器件的光提取效率的情况。这种膜状或薄膜状的固体硅酮材料的膜厚可根据所需进行设计。
进一步具备包含该固体硅酮材料层的薄膜的本发明的光学构件用树脂片材通过在包含上述本发明的硬化性硅酮组合物的片材上，(i)利用成型加工进行成膜或(ii)使用溶剂进行薄膜状涂布并去除溶剂而进行成膜，可容易地获得。此外，如下所述，通过使用于剥离涂层上形成有本发明的固体硅酮材料的膜状或薄膜状构件的层叠体，可将该膜状或薄膜状构件、或包含其的层叠构件从剥离层分离并配置于其它基材上。
于包含本发明的硬化性硅酮组合物的片材上具备包含上述固体硅酮材料的膜状或薄膜状构件的光学构件用树脂片材要求根据所需，以单独构件进行操作。在剥离层上配置有包含上述固体硅酮材料的固体层的情况下，能够从构成层叠体的剥离层容易地分离包含本发明的固体硅酮材料的膜状或薄膜状构件、包含其的层叠构件进行操作。这种层叠体具有与包含上述固体硅酮材料的固体层对向的剥离层，可以任意进一步具备其它剥离层，可例示以下层叠体的构成。此外，在以下的例子中，“/”意味着针对层叠体的层叠方向(一般为相对于基材垂直的厚度方向)，各层相对向。另外，基材与剥离层可以是一体或同一层(材质具有剥离性或设置物理性凹凸而具有剥离性的基材)。
例1：基材/剥离层/包含上述固体硅酮材料的固体层/包含本发明的硬化性硅酮组合物的片材(可以是1层或2层以上)
例2：基材/剥离层/包含本发明的固体硅酮材料的固体层/包含本发明的硬化性硅酮组合物的片材(可以是1层或2层以上)/剥离层/基材
此外，该剥离性层叠体的优点及使用方法如上所述。尤其是包含上述固体硅酮材料的固体层(薄膜层)优选于光器件等中配置于与空气的界面。
[具备光源的层叠体、光学构件及发光器件]
本发明的光学构件用树脂片材及其硬化物层可配置于光源上、优选与空气的界面，在配置于发光二极管(LED)或有机电场发光元件(OLED)的光源上的情况下，优选如下配置：本发明的光学构件用树脂片材作为光源的波长转换材料及其保护层发挥功能，从光源发出的光利用荧光体层进行波长转换，任意地，到达配置于与空气的界面的包含上述固体硅酮材料的固体层。即，本发明的硬化性硅酮树脂或其硬化物作为用于发光器件的光学构件有用，可以是密封层、保护层、透镜层、波长转换层、反射层等所需的光学构件。
该具备光源的层叠体为发光二极管(LED)或有机电场发光元件(OLED)等发光器件，尤其优选具有被本发明的光学构件用树脂片材及其硬化物层密封的结构。
[发光器件的制造方法及密封方法]
本发明的光学构件用树脂片材由于其操作作业性、硬化物的机械强度及透明性优异，并且，优选具有热熔性，含有荧光体等，因此在所需的光源上配置该片材，利用一体成型等公知的成型方法，可在所需的光源上形成密封结构。作为一般的成型方法，可列举：转移成型、注射成型、压缩成型。
用于使本发明的硬化性硅酮组合物或光学构件用树脂片材硬化的条件没有特别限定，在室温下或利用加热进行硬化反应，为了迅速硬化，优选进行加热。作为该加热温度，优选50～200℃的范围内。本发明的硬化性硅酮组合物或光学构件用树脂片材的硬化物适合光器件的密封剂等。
实施例
以下，列举实施例对本发明进行说明，但本发明并不限定于这些。此外，以下，在实施例的说明及表中，有时将由合成例1～3所获得的具有树脂-线性聚合物结构的有机聚硅氧烷(本发明中的成分(A))简称为“RL共聚物”。另外，在组成式或结构式中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
(关于合成例1～5)
利用以下的方法，制备实施例等中所使用的具有树脂-线性聚合物结构的有机聚硅氧烷(合成例1～3：RL共聚物)及含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(合成例4、5)。此处，合成例1、2为高折射率型RL共聚物的合成例，合成例3为通常的折射率的RL共聚物的合成例。另外，合成例4及合成例5为折射率不同的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂的合成例。
(合成例1)
在1L四口圆底烧瓶中填充苯基倍半硅氧烷水解物(247.50g、1.81mol的Si)及丙酸丙酯(210.43g)。在氮气氛围下，一面使该混合物回流一面加热30分钟。将反应混合物冷却至100℃后，添加末端为二乙酰氧基的聚苯基甲基硅氧烷(308.95g、硅氧烷聚合度188)的丙酸丙酯溶液。一面使反应混合物回流一面加热2小时。其后，添加甲基乙烯基二乙酰氧基硅烷(16.13g、0.09mol的Si)，历经1小时使混合物回流。添加水(47mL)，通过共沸蒸馏去除水相。添加甲基三乙酰氧基硅烷(32g、0.15mol的Si)，历经1小时使混合物回流。添加水(47mL)，通过共沸蒸馏去除水相。通过将该顺序进一步重复2次使乙酸浓度降低，进一步蒸馏去除一部分丙酸丙酯，获得透明的具有树脂-线性聚合物结构的有机聚硅氧烷的丙酸丙酯溶液(重量平均分子量＝96000，固形物成分浓度78.70％)。
(合成例2)
在1L四口圆底烧瓶中填充苯基倍半硅氧烷水解物(302.50g、2.214mol的Si)及丙酸丙酯(210.20g)。在氮气氛围下，一面使该混合物回流一面加热30分钟。将反应混合物冷却至100℃后，添加末端为二乙酰氧基的聚苯基甲基硅氧烷(256.35g、硅氧烷聚合度112)的丙酸丙酯溶液。一面使反应混合物回流一面加热2小时。其后，添加甲基乙烯基二乙酰氧基硅烷(16.16g、0.09mol的Si)，历经1小时使混合物回流。添加水(60mL)，通过共沸蒸馏去除水相。添加甲基三乙酰氧基硅烷(40g、0.18mol的Si)，历经1小时使混合物回流。添加水(60mL)，通过共沸蒸馏去除水相。其后，进一步添加甲基三乙酰氧基硅烷(5.07g、0.02mol的Si)，历经1小时使混合物回流。添加水(60mL)，通过共沸蒸馏去除水相。通过将该顺序进一步重复2次使乙酸浓度降低，进一步蒸馏去除一部分丙酸丙酯，获得透明的具有树脂-线性聚合物结构的有机聚硅氧烷的丙酸丙酯溶液(重量平均分子量＝85600，固形物成分浓度71.16％)。
(合成例3)
在1L四口圆底烧瓶中填充苯基倍半硅氧烷水解物(135.00g、0.988mol的Si)及甲苯(360g)。在氮气氛围下，一面使该混合物回流一面加热30分钟。将反应混合物冷却至100℃后，添加末端为二乙酰氧基的聚二甲基硅氧烷(185.80g、硅氧烷聚合度50)的甲苯溶液。一面使反应混合物回流一面加热2小时。其后，添加甲基三乙酰氧基硅烷(2.63g、0.012mol的Si)，历经1小时使混合物回流。添加甲基乙烯基二乙酰氧基硅烷(12.61g、0.067mol的Si)，历经2小时使混合物回流。添加水(74mL)，通过共沸蒸馏去除水相。添加乙酸(12.11g)并加热至90℃后，滴加1，1，1，3，3，3-六甲基二硅氮烷(32.48g)。历经4小时使混合物回流。添加水(74mL)并共沸30分钟，静置去除水层。进行该作业合计4次。其后，将水替代为饱和盐水(74mL)，重复进行相同作业2次。进而，将饱和盐水替代为水，重复进行相同作业2次，使乙酸浓度降低。于该混合物中添加丙酸丙酯而与甲苯进行溶剂交换，获得透明的具有树脂-线性聚合物结构的有机聚硅氧烷的丙酸丙酯溶液(重量平均分子量＝73900，固形物成分浓度72.9％)。
(合成例4)
在300ml四口圆底烧瓶中添加四乙氧基硅烷(80g、0.384mol)、二苯基甲基氯硅烷(32.18g、0.138mol)、甲基苯基乙烯基甲氧基硅烷(2.73g、0.015mol)、甲苯(40.g)及乙醇(40g)，一面搅拌一面缓慢滴加水(20.74g、1.15mol)。在室温下搅拌30分钟后，一面回流一面加热2小时。通过共沸蒸馏将水去除，确认反应溶液成为中性后，添加氢氧化钠(0.079g、0.002mol)。再次进行共沸蒸馏将残留水去除，在107度下回流4小时。过滤去除固形物成分后，通过减压干燥，获得折射率：1.540、重量平均分子量：10,600的树脂。
(合成例5)
在500ml四口圆底烧瓶中添加二苯基四甲基二硅氧烷(61.0g、0.192mol)、二乙烯基四甲基二硅氧烷(15.2g、0.082mol)、六甲基二硅氧烷(10.1g、0.062mol)、甲苯(33.g)、乙醇(33.3g)及三氟甲磺酸(1.94g、0.013mol)并进行搅拌。进一步添加四乙氧基硅烷(200g、0.96g)，一面搅拌一面缓慢滴加水(57.0g、3.17mol)。滴加后，一面使该混合物回流一面加热1小时。其后，去除挥发分直至溶液温度成为80度。添加氢氧化钠(0.785g、0.02mol)及甲苯(100g)，通过共沸蒸馏将水去除，在110度下回流4小时。过滤去除固形物成分后，通过减压干燥，获得折射率：1.482、重量平均分子量：3,800的树脂。
(实施例、比较例：原料溶液的制备)
利用以下方法，制备实施例/比较例的硬化性硅酮组合物中使用的A～G液(原料溶液)。
<A液的调整>
于合成例1中获得的RL共聚物的丙酸丙酯溶液(固形物成分浓度78.7％、562.15g)中添加以铂含量计成为2ppm的量的铂的二乙烯基二硅氧烷络合物，使用机械力均匀搅拌，获得A液。
<B液的调整>
于合成例1中获得的RL共聚物的丙酸丙酯溶液(固形物成分浓度78.7％、562.15g)中添加组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(20.26g)，使用机械力均匀搅拌，获得B液。
<C液的调整>
于组成式：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂的甲苯溶液(固形物成分浓度60.11％、251.01g)中，添加组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(42.64g)，使用蒸发器将甲苯蒸馏去除而获得C液。所获得的溶液的SiH/Vi比根据29Si NMR为0.91。
<D液的调整>
于组成式：(MePhViSiO1/2)0.23(PhSiO3/2)0.77所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂的甲苯溶液(固形物成分浓度63.59％、237.00g)中，添加组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(39.5g)，使用蒸发器将甲苯蒸馏去除而获得D液。所获得的溶液的SiH/Vi比根据29Si NMR为0.96。
<E液的调整>
于组成式：(Me2SiO2/2)0.10(MeViSiO2/2)0.15(PhSiO3/2)0.75所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂的甲苯溶液(固形物成分浓度53.83％、300.01g)中，添加组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(21.4g)，使用蒸发器将甲苯蒸馏去除后，添加丙酸丙酯69.9g而获得E液(固形物成分浓度72.3％)。所获得的溶液的SiH/Vi根据29Si NMR为0.98。
<F液的调整>
于合成例3中所获得的RL共聚物的丙酸丙酯溶液(固形物成分浓度72.9％、48.045g)中添加以铂含量计成为2ppm的量的铂的二乙烯基二硅氧烷络合物，使用机械力均匀搅拌，获得F液。
<G液的调整>
于合成例3中所获得的RL共聚物的丙酸丙酯溶液(固形物成分浓度72.9％、46.350g)中，添加结构式：HMe2SiOPh2SiOSiHMe2所表示的两末端为SiH的有机氢三硅氧烷(2.446g)、组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(0.246g)，使用机械力均匀搅拌，获得G液。
以下，实施例等中的片状组合物的平均厚度是使用膜厚计(Nikon公司制造，DIGIMICRO MFC-101A)测定。
[实施例1]
将上述A液10g、B液10g、C液1.36g进行混合，进一步添加组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(0.03g)、以铂含量计成为1ppm的量的铂的二乙烯基二硅氧烷络合物，一面于减压下脱气一面使用机械力均匀搅拌，获得调整液1。
使用涂布机(PI-1210 FILM COATER)将所获得的调整液1以210μm的间隙浇铸于Daicel Value Coating公司制造的T788 PET膜(剥离膜)，利用设定为70度的烘箱干燥30分钟，获得片状组合物。此处，所获得的片材的平均厚度为80μm。
[实施例2]
将C液的量设为3.34g，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.07g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例3]
将C液的量设为5.50g，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.12g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例4]
添加D液1.36g代替C液，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.02g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例5]
添加D液3.40g代替C液，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.03g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例6]
添加D液5.50g代替C液，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.05g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例7]
添加E液1.60g代替C液，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.004g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例8]
添加E液4.10g代替C液，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.008g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例9]
添加E液7.20g代替C液，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.012g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例10]
添加合成例4中获得的树脂(含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂)1.14g代替C液，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.027g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例11]
将上述F液8g、G液8g、组成式：(Me3SiO1/2)0.05(Me2ViSiO1/2)0.50(SiO4/2)0.45所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂0.793g进行混合，进一步添加组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(0.850g)、以铂含量计成为1ppm的量的铂的二乙烯基二硅氧烷络合物，一面于减压下脱气一面使用机械力均匀搅拌，获得调整液11。
关于所获得的调整液11，以与实施例1中的调整液1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[实施例12]
将上述F液8g、G液8g、组成式：(Me3SiO1/2)0.05(Me2ViSiO1/2)0.17(PhSiO3/2)0.39(MeSiO3/2)0.39所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂与结构式：HMe2SiOPh2SiOSiHMe2所表示的两末端为SiH的有机氢三硅氧烷的质量比为84∶16的混合物2.017g进行混合，进一步添加组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(0.260g)、以铂含量计成为1ppm的量的铂的二乙烯基二硅氧烷络合物，使用机械力均匀搅拌，获得调整液12。
关于所获得的调整液12，以与实施例1中的调整液1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[比较例1]
不添加C液，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[比较例2]
添加合成例5中所获得的树脂(含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂)2.70g代替C液，将组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂的量设为0.154g，除此以外，以与实施例1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[比较例3]
使用机械力均匀搅拌上述F液8g及G液8g，获得调整液C3。
关于所获得的调整液C3，以与实施例1中的调整液1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[比较例4]
将上述A液8g、B液8g、组成式：(Me3SiO1/2)0.43(Me2ViSiO1/2)0.14(SiO4/2)0.43所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂1.26g进行混合，进一步添加组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂(0.372g)、以铂含量计成为1ppm的量的铂的二乙烯基二硅氧烷络合物，一面于减压下脱气一面使用机械力均匀搅拌，获得调整液C4。
关于所获得的调整液C4，以与实施例1中的调整液1相同的方式，获得厚度80μm的片状组合物。
[比较例4′]
于比较例4中，添加不包含乙烯基等硬化反应性基的MQ型有机聚硅氧烷树脂代替含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂，除此以外，以与比较例4相同的方式，尝试制作厚度80μm的片状组合物。
然而，该片状组合物由于在烘箱内，MQ型有机聚硅氧烷树脂脱离，于片材表面产生明显的凹凸，因此无法获得均匀的片状组合物。因此，不进行之后的硬度等的测定。
[实施例1～12、比较例1～4的评价]
通过利用以下方法层叠上述厚度(膜厚)80μm的片状组合物，制作半硬化片材及其硬化物，测定其物性。将它们的测定结果示于表1及表2。
[半硬化片材的粘弹性测定方法]
层叠15片膜厚80μm的片材，使用厚度1mm的模具，首先以设定为50℃的真空加压进行加热压接3分钟，其后以设定为90℃的加压进一步加热压接1分钟，由此制作厚度1mm的一体化的片材(半硬化片材)。将该片材裁切为直径8mm作为测定样品。将该样品于以下的测定装置及测定条件下进行测定而测定150℃下的最低储存模数G′(kPa)及Max tanδ(delta)的值。
测定装置：粘弹性测定装置AntonPaar MCR301
几何形状：平衡圆板型(8mm)
应变：0.2％
频率：1.0Hz
起始温度：50℃
升温速度：25℃/分钟
到达温度：150℃
到达温度保持时间：30分钟
[硬化物的硬度测定]
层叠2片上述所获得的厚度1mm的片材，使用厚度2mm的模具，首先以设定为50℃的真空加压进行加热压接3分钟，其后以设定为150℃的加压按压30分钟后，从模具取出，利用设定为120℃的烘箱加热1小时，其后升温至160℃并加热2小时，由此获得厚度2mm的硬化物。测定所获得的硬化物的肖氏D(Shore D)硬度。
此外，表中，对标示*的样品一并测定肖氏A(Shore A)硬度。
[硬化物的透光率测定]
使用上述所获得的厚度2mm的硬化物测定波长450nm下的透过率。
在表1或表2中，实施例1～12、比较例1～4的各成分的数量为g(质量)，表中的各成分的表示如下所示。表中的ΔRI是成分(A)与成分(B)的折射率的差的绝对值。此外，在所有实施例/比较例中，铂金属量(Pt)为1ppm，SiH/Vi比统一为1.0。
(a1)RL-HRI：合成例1中所获得的具有树脂-线性聚合物结构的有机聚硅氧烷
(a3)RL-MRI：合成例3中所获得的具有树脂-线性聚合物结构的有机聚硅氧烷
(b1)MViTPh：组成式：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂
(b2)MPhViTPh：组成式：(MePhViSiO1/2)0.23(PhSiO3/2)0.77所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂
(b3)DDViTPh：组成式：(Me2SiO2/2)0.10(MeViSiO2/2)0.15(PhSiO3/2)0.75所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂
(b4)树脂(Vi)-HRI：合成例4中所获得的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂
(b5)树脂(Vi)-MRI：合成例5中所获得的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂
(b6)MMViQ(1)：组成式：(Me3SiO1/2)0.05(Me2ViSiO1/2)0.50(SiO4/2)0.45所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂
(b7/c1)MMViTTPh/SiH：组成式：(Me3SiO1/2)0.05(Me2ViSiO1/2)0.17(PhSiO3/2)0.39(MeSiO3/2)0.39所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂与结构式：HMe2SiOPh2SiOSiHMe2所表示的两末端为SiH的有机氢三硅氧烷的质量比为84∶16的混合物
(b8)MMViQ(2)：组成式：(Me3SiO1/2)0.43(Me2ViSiO1/2)0.14(SiO4/2)0.43所表示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂
(c2)MHTPh：组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂
(c3)SiH：结构式：HMe2SiOPh2SiOSiHMe2所表示的两末端为SiH的有机氢三硅氧烷
[表1]
Figure BDA0002463690020000341
*肖氏A硬度1)74、2)72
[表2]
Figure BDA0002463690020000351
*肖氏A硬度3)56、4)50
[实施例13～15、比较例5：含有荧光体的光学构件用树脂片材]
以下，在上述实施例/合成例中获得的组合物等中调配荧光体，制作用于光器件的密封用的光学构件用树脂片材，利用以下方法对其性能进行评价。此外，在实施例14～16、比较例5中，“份”为重量份。
<评价方法>
将以下实施例等的含有荧光体的光学构件用树脂片材对将45mil(＝1/1000英寸)、高度150μm的LED芯片以2.5mm间隔排列为纵8个、横8个的LED器件使用真空加压，于120℃、132℃、145℃、或160℃下从低温至高温进行追随密封，成为表3的结果。
[实施例13]
针对与实施例2相同的组合物(固形物成分20份)，添加80份的量的Intematix公司制造的YAG荧光体NYAG-4454S8(平均粒径8μm)而制作调整液，利用依据实施例1的方法以250μm的间隙进行涂布，在70℃的烘箱中干燥30分钟，结果获得厚度(膜厚)100μm的光学构件用树脂片材。
[实施例14]
使用与实施例5相同的组合物(固形物成分20份)代替与实施例2相同的组合物，除此以外，以与实施例14相同的方式，获得厚度(膜厚)100μm的光学构件用树脂片材。
[实施例15]
使用与实施例8相同的组合物(固形物成分20份)代替与实施例2相同的组合物，除此以外，以与实施例14相同的方式，获得厚度(膜厚)100μm的光学构件用树脂片材。
[比较例5]
于合成例2中获得的溶液(高折射率型的具有树脂-线性聚合物结构的有机聚硅氧烷)中添加组合物中的SiH/Vi比成为1的量的组成式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4所表示的有机氢硅氧烷树脂、以铂含量计成为1ppm的量的铂的二乙烯基二硅氧烷络合物，使用制备的组合物(固形物成分20份)代替与实施例2相同的组合物，除此以外，以与实施例14相同的方式，获得厚度(膜厚)100μm的光学构件用树脂片材。
[表3]
Figure BDA0002463690020000361
<实施例1～12、比较例1～4、4′的总结>
本发明的成分(A)与成分(B)的折射率的差小于0.05，通过使用作为硬化反应性有机聚硅氧烷树脂的成分(B)，如实施例1～12所示，可获得柔软且透光率(透明性)优异，加热成形性优异的片状组合物。另一方面，如果缺少成分(B)，或者使用与成分(A)的折射率的差大的成分(B)，那么硬度或透过率不充分，无法获得均匀的片材。
<实施例13～15、比较例5的总结>
关于在上述硅酮组合物中添加荧光体的光学构件用树脂片材，在实施例13～15中，加热整形成功，但在缺少成分(B)的比较例5中，加热整形性非常差，密封失败。

Claims (12)

1.一种硬化性硅酮组合物，其成型为片状且具有热熔性及加热硬化性，其含有：
(A)分子内具有RASiO3/2所表示的芳基硅氧烷单元及(R2SiO2/2)n所表示的聚二有机硅氧烷结构，分子内平均具有1个以上硅氢化反应性基，且具有下述部分结构T-Dn的具有热熔性的有机聚硅氧烷100质量份；式RASiO3/2中，RA为碳原子数6～14的芳基；式(R2SiO2/2)n中，R为经卤素原子取代或未被取代的碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～14的芳基，n为3～1000的范围的数；
部分结构T-Dn
[化1]
Figure FDA0003525519980000011
部分结构T-Dn中，R1为一价有机基、羟基或碳原子数1～6的烷氧基，分子内的所有R1中的至少1个以上为碳原子数6～14的芳基；
(B)包含选自(CH3)3SiO1/2单元、(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2单元、(C6H5)3SiO1/2单元、(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2单元及(CH2＝CH)(C6H5)2SiO1/2单元的三有机硅烷氧基单元即M单元及SiO4/2单元即Q单元，且分子内必须具有(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2单元、(CH2＝CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2单元或(CH2＝CH)(C6H5)2SiO1/2单元的有机聚硅氧烷树脂1～200质量份；
(C)分子内具有至少2个与硅原子键结的氢原子的有机氢聚硅氧烷相对于本组合物中的碳-碳双键1摩尔，成分(C)中的与硅原子键结的氢原子成为0.2摩尔以上的范围的量；及
(D)硅氢化反应催化剂催化剂量；
在室温下测定的成分(A)与成分(B)的折射率的差的绝对值ΔRI小于0.02。
2.根据权利要求1所述的硬化性硅酮组合物，其中成分(B)为如下树脂状或网状的有机聚硅氧烷树脂：分子内具有至少2个碳原子数2～10的烯基；
成分(C)的至少一部分为如下树脂状或网状的有机氢聚硅氧烷树脂：包含(C1)三有机硅烷氧基单元即M单元、二有机硅烷氧基单元即D单元、单有机硅烷氧基单元即T单元及硅烷氧基单元即Q单元的任意组合，且分子内具有至少2个与硅原子键结的氢原子。
3.根据权利要求1所述的硬化性硅酮组合物，其中成分(A)为含有RASiO3/2所表示的芳基硅氧烷单元达有机聚硅氧烷整体的20～80质量％的有机聚硅氧烷；式RASiO3/2中，RA为与所述相同的基。
4.根据权利要求1或3所述的硬化性硅酮组合物，其中成分(A)是如下有机聚硅氧烷：由平均组成式：
{(R2SiO2/2)}a{RASiO3/2}1-a-b-c{RB mSiO(4-m)/2}b{RtSiO(4-t)/2}c
表示，且作为RB的一部分的硅氢化反应性基为碳原子数2～10的烯基；
式中，R为经卤素原子取代或未被取代的碳原子数1～20的烷基或碳原子数6～14的芳基，RA为碳原子数6～14的芳基，RB分别独立为一价有机基，m个RB中的至少一个为硅氢化反应性基，a为0.8～0.2的范围的数，b为0.05～0.001的范围的数，c为0.05～0.00的范围的数，m为1～3的范围的数，t为1或3的数。
5.根据权利要求1所述的硬化性硅酮组合物，其进一步含有至少1种以上(E)荧光体或反射材料。
6.根据权利要求1或5所述的硬化性硅酮组合物，其是实质上不包含有机溶剂的固形组合物的形态，成型为平均厚度为10～1000μm的范围的片状而成。
7.一种光学构件用树脂片材，其包含根据权利要求1或5所述的硬化性硅酮组合物。
8.根据权利要求7所述的光学构件用树脂片材，其具备在该片材上进一步配置有具备与该片材不同的光学功能或光学性质的固体硅酮材料的结构。
9.一种层叠体，其具备根据权利要求7所述的光学构件用树脂片材。
10.根据权利要求9所述的层叠体，其进一步具备与该光学构件用树脂片材对向的剥离层。
11.一种光学构件，其具备根据权利要求1或5所述的硬化性硅酮组合物的硬化物。
12.一种发光器件，其具有被根据权利要求1或5所述的硬化性硅酮组合物的硬化物密封的结构。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR20210084572A (ko) 2018-10-30 2021-07-07 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화 반응성 실리콘 조성물 및 그 경화물 및 이들의 용도
TWI833869B (zh) 2018-12-27 2024-03-01 日商陶氏東麗股份有限公司 固化性聚矽氧組成物、其固化物及其製造方法
WO2020138408A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 ダウ・東レ株式会社 ホットメルト性を有する硬化性シリコーンシートの製造方法
WO2020138410A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
US12258496B2 (en) 2019-03-29 2025-03-25 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product of same and method for producing same
EP4028252B1 (en) 2019-09-12 2025-06-04 Solventum Intellectual Properties Company Apparatus, system and method of post-curing an article
EP4082776A4 (en) * 2019-12-27 2024-02-07 Dow Toray Co., Ltd. MULTI-LAYER BODY AND ELECTRONIC COMPONENT MADE THEREFROM
JP2021107550A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 ダウ・東レ株式会社 硬化性ホットメルトシリコーン組成物、その硬化物、及び前記組成物又は硬化物を含む積層体
JP7450388B2 (ja) * 2019-12-27 2024-03-15 ダウ・東レ株式会社 電子装置用基板の封止方法及び封止された電子装置用基板
KR20210111946A (ko) * 2020-03-03 2021-09-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
WO2021200643A1 (ja) * 2020-03-30 2021-10-07 ダウ・東レ株式会社 硬化性ホットメルトシリコーン組成物、その硬化物、及び前記組成物又は硬化物を含む積層体
CN115836112A (zh) * 2020-06-30 2023-03-21 陶氏东丽株式会社 固化性聚有机硅氧烷组合物及其使用
JP7673941B2 (ja) * 2020-07-20 2025-05-09 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置
KR102703006B1 (ko) * 2021-08-31 2024-09-04 주식회사 케이씨씨실리콘 부가경화형 실록산 조성물
TW202413561A (zh) * 2022-09-20 2024-04-01 美商陶氏有機矽公司 聚矽氧塗層組成物

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004138764A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 定着ベルト及び定着ベルト用シリコーンゴム組成物
JP2011026582A (ja) * 2009-07-01 2011-02-10 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、該組成物からなる硬化層を備えたシート状物品およびその製造方法
CN102596565A (zh) * 2009-08-27 2012-07-18 旭硝子株式会社 挠性基材-支撑体的层叠结构体、带有支撑体的电子装置用面板、以及电子装置用面板的制造方法
CN103879099A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 信越化学工业株式会社 具有荧光体含有层和白色颜料含有层的热固化性硅酮树脂片材、使用该片材的发光装置的制造方法，以及封装发光半导体装置
CN104838516A (zh) * 2012-12-21 2015-08-12 道康宁公司 层状聚合物结构和方法
CN105601931A (zh) * 2016-01-13 2016-05-25 上海应用技术学院 一种uv固化led封装胶树脂以及制备方法
CN106255728A (zh) * 2014-02-04 2016-12-21 道康宁东丽株式会社 硬化性硅组合物、其硬化物、以及光半导体装置
JP2016215394A (ja) * 2015-05-14 2016-12-22 東京応化工業株式会社 分離層形成用組成物、分離層、分離層を含む積層体、積層体の製造方法および積層体の処理方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4949130B2 (ja) 2006-06-14 2012-06-06 信越化学工業株式会社 蛍光体充填硬化性シリコーン樹脂組成物およびその硬化物
TWI428396B (zh) 2006-06-14 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 填充磷光體之可固化聚矽氧樹脂組成物及其固化產物
JP4927019B2 (ja) 2007-04-10 2012-05-09 信越化学工業株式会社 蛍光体含有接着性シリコーン組成物、該組成物からなる組成物シート、及び該シートを使用する発光装置の製造方法
JP5136963B2 (ja) * 2008-03-24 2013-02-06 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP5526823B2 (ja) * 2009-02-24 2014-06-18 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂で封止された光半導体装置
US8841689B2 (en) * 2012-02-03 2014-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, method of producing light emitting device utilizing same and light emitting semiconductor device obtained by the method
CN104870585B (zh) 2012-12-21 2017-06-20 道康宁公司 用于压缩模制或层合的热熔型固化性有机硅组合物
EP3046981B1 (en) 2013-09-18 2020-04-01 Dow Silicones Corporation Compositions of resin-linear organosiloxane block copolymers
KR102375222B1 (ko) 2014-08-06 2022-03-16 다우 실리콘즈 코포레이션 오르가노실록산 조성물 및 이의 용도
TWI688609B (zh) 2014-11-13 2020-03-21 美商道康寧公司 含硫聚有機矽氧烷組成物及相關態樣
WO2019022861A1 (en) * 2017-07-27 2019-01-31 Dow Silicones Corporation HYDROSILYLATION-CURABLE POLYSILOXANE
TWI848915B (zh) * 2017-07-28 2024-07-21 日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司 光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004138764A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 定着ベルト及び定着ベルト用シリコーンゴム組成物
JP2011026582A (ja) * 2009-07-01 2011-02-10 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、該組成物からなる硬化層を備えたシート状物品およびその製造方法
CN102596565A (zh) * 2009-08-27 2012-07-18 旭硝子株式会社 挠性基材-支撑体的层叠结构体、带有支撑体的电子装置用面板、以及电子装置用面板的制造方法
CN103879099A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 信越化学工业株式会社 具有荧光体含有层和白色颜料含有层的热固化性硅酮树脂片材、使用该片材的发光装置的制造方法，以及封装发光半导体装置
CN104838516A (zh) * 2012-12-21 2015-08-12 道康宁公司 层状聚合物结构和方法
CN106255728A (zh) * 2014-02-04 2016-12-21 道康宁东丽株式会社 硬化性硅组合物、其硬化物、以及光半导体装置
JP2016215394A (ja) * 2015-05-14 2016-12-22 東京応化工業株式会社 分離層形成用組成物、分離層、分離層を含む積層体、積層体の製造方法および積層体の処理方法
CN105601931A (zh) * 2016-01-13 2016-05-25 上海应用技术学院 一种uv固化led封装胶树脂以及制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LED有机硅封装材料的研究进展;王安营 等;《有机硅材料》;20160725;第30卷(第4期);第329-332页 *

Also Published As

Publication number Publication date
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