[go: up one dir, main page]

CN111276397B - 晶片的加工方法 - Google Patents

晶片的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111276397B
CN111276397B CN201911212704.4A CN201911212704A CN111276397B CN 111276397 B CN111276397 B CN 111276397B CN 201911212704 A CN201911212704 A CN 201911212704A CN 111276397 B CN111276397 B CN 111276397B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
region
cutting
grinding
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911212704.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111276397A (zh
Inventor
Z·宝维斯
陆昕
凑浩吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN111276397A publication Critical patent/CN111276397A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111276397B publication Critical patent/CN111276397B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

提供晶片的加工方法，能够防止产生晶片的加工不良。该晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该器件区域具有：多个器件，它们分别形成于由交叉的多条分割预定线划分的多个区域的正面侧；以及电极，其沿着该区域的厚度方向埋入该区域的内部且与该器件连接，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：在外周剩余区域形成阶梯差部；借助粘接剂将晶片的正面侧固定于载体基板；对晶片的背面侧进行磨削；对晶片的背面侧提供药液而对晶片进行蚀刻从而使电极从晶片的背面侧突出；利用绝缘膜将晶片的背面侧覆盖；将外周剩余区域中的不与粘接剂接触的第2区域去除；以及对绝缘膜进行研磨而使电极从绝缘膜露出。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及在对硅晶片等晶片进行加工时使用的晶片的加工方法。
背景技术
将在由分割预定线(间隔道)划分的区域的正面侧分别形成有IC(IntegratedCircuit，集成电路)、LSI(Large Scale Integration，大规模集成)等器件的晶片沿着分割预定线进行分割，从而得到具有器件的器件芯片。另外，将多个器件芯片封装化而制造封装器件，将该封装器件搭载于以移动电话、个人计算机等为代表的各种电子设备中。
伴随电子设备的小型化、薄型化，对于封装器件也要求薄型化。因此，使用在分割前对晶片的背面侧进行磨削而使晶片变薄的方法。在晶片的磨削加工中，例如使用磨削装置，该磨削装置具有：卡盘工作台，其对晶片进行保持；以及磨削单元，其安装有对晶片进行磨削的磨削磨具。
另外，近年来，将多个器件芯片层叠且通过上下贯通器件芯片的贯通电极(TSV：Through-Silicon Via，硅通孔)将器件彼此连接的技术被实用化。当使用该贯通电极时，与使用引线接合等的情况相比，能够缩短将器件彼此连接的布线，因此能够实现封装器件的小型化、处理速度的提高。
关于将多个器件芯片层叠而成的封装器件的制造，提出了各种方法。例如在专利文献1中公开了如下的方法：沿着分割预定线对借助粘接剂将多个晶片贴合而得到的层叠晶片进行切削，从而制造具有层叠的器件芯片的封装器件。另外，在专利文献1所记载的方法中，预先去除所层叠的晶片彼此的接合不充分的外周区域，从而防止在层叠晶片的分割时外周区域的小片飞散。
专利文献1：日本特开2010-225976号公报
在通过上述贯通电极进行所层叠的器件彼此的连接的情况下，需要使与器件连接且埋入至晶片的内部的电极在晶片的背面侧露出而使该电极成为能够与其他器件连接的状态。因此，例如实施如下的工序：在借助粘接剂将晶片的正面侧固定于用于对晶片进行支承的载体基板上的状态下，通过药液对晶片的背面侧进行蚀刻，然后进一步利用研磨垫对晶片的背面侧进行研磨，从而使电极在晶片的背面侧露出。
当利用药液对晶片的背面侧进行蚀刻时，有时药液沿晶片的侧面传递而到达晶片的正面侧，涂布至晶片的正面侧的粘接剂的外周区域被药液去除。在该情况下，成为晶片的外周区域未与粘接剂接触的状态，晶片的固定变得不充分。并且，当在该状态下将研磨垫按压至晶片的背面侧而实施研磨处理时，有时在晶片的外周区域产生缺损(崩边)或裂纹等加工不良，导致器件芯片的品质降低。
发明内容
本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能够防止晶片的加工不良的产生。
根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，对晶片进行加工，该晶片具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该器件区域具有：多个器件，它们分别形成于由交叉的多条分割预定线划分的多个区域的正面侧；以及电极，其沿着该区域的厚度方向埋入该区域的内部且与该器件连接，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1切削步骤，通过使第1切削刀具按照规定的深度沿着该晶片的周向切入该外周剩余区域中的位于该晶片的外周缘侧的第1区域，从而在该外周剩余区域形成阶梯差部或者将该第1区域去除；载体基板固定步骤，借助粘接剂将该晶片的正面侧固定于载体基板；磨削步骤，在实施了该第1切削步骤和该载体基板固定步骤之后，对该晶片的背面侧进行磨削直至该晶片的厚度成为该规定的深度以下为止，在该电极不在该晶片的背面侧露出的范围内使该晶片变薄；蚀刻步骤，在实施了该磨削步骤之后，对该晶片的背面侧提供药液而对该晶片进行蚀刻，使该电极从该晶片的背面侧突出；绝缘膜包覆步骤，在实施了该蚀刻步骤之后，利用绝缘膜将该晶片的背面侧覆盖；第2切削步骤，在实施了该绝缘膜包覆步骤之后，通过使第2切削刀具沿着该晶片的周向切入该外周剩余区域中的不与该粘接剂接触的第2区域，从而将该第2区域去除；以及研磨步骤，在实施了该第2切削步骤之后，一边对该晶片的背面侧提供研磨液一边按压研磨垫而对该绝缘膜进行研磨，使该电极从该绝缘膜露出。
在本发明的一个方式的晶片的加工方法中，在通过药液对借助粘接剂将正面侧固定于载体基板的晶片的背面侧进行蚀刻之后，将晶片的外周区域中的不与粘接剂接触的区域去除，然后通过研磨垫对形成于晶片的背面侧的绝缘膜进行研磨。
当使用上述方法时，在利用基于药液的蚀刻将粘接剂的外周区域去除的情况下，也能够在晶片的整个正面侧与粘接剂接触的状态下实施研磨加工。由此，能够防止晶片的外周区域的缺损(崩边)或裂纹等加工不良的产生，能够抑制器件芯片的品质降低。
附图说明
图1的(A)是示出晶片的立体图，图1的(B)是将晶片的一部分放大而示出的立体图，图1的(C)是将晶片的一部分放大而示出的俯视图。
图2的(A)是示出第1切削步骤的情况的局部剖视主视图，图2的(B)是将外周剩余区域的第1区域的一部分放大而示出的俯视图。
图3是示出固定于载体基板的晶片的剖视图。
图4的(A)是示出磨削步骤的情况的局部剖视主视图，图4的(B)是将磨削步骤后的晶片的一部分放大而示出的剖视图。
图5的(A)是示出蚀刻步骤的情况的局部剖视主视图，图5的(B)是将蚀刻步骤后的晶片的一部分放大而示出的剖视图，图5的(C)是将蚀刻步骤后的外周剩余区域的一部分放大而示出的俯视图。
图6的(A)是示出在背面侧形成有绝缘膜的晶片的剖视图，图6的(B)是将绝缘膜包覆步骤后的晶片的一部分放大而示出的剖视图。
图7是示出第2切削步骤的情况的局部剖视主视图。
图8的(A)是示出研磨步骤的情况的局部剖视主视图，图8的(B)是将研磨步骤后的晶片的一部分放大而示出的剖视图。
图9是示出变形例的第1切削步骤的情况的局部剖视主视图。
图10是示出变形例的磨削步骤的情况的局部剖视主视图。
标号说明
11：晶片；11a：正面；11b：背面；11c：外周缘；11d：外周缘；11e：外周缘；13：分割预定线(间隔道)；15：器件；17：连接电极；19：电极(通孔电极、贯通电极)；21：器件区域；23：外周剩余区域；23a：第1区域；23b：阶梯差部；23c：第2区域；25：载体基板；25a：正面；25b：背面；27：粘接剂；29：绝缘膜；31：绝缘膜；2：切削装置；4：卡盘工作台；4a：保持面；6：切削单元；8：主轴；10：第1切削刀具；12：第2切削刀具；20：磨削装置；22：卡盘工作台；22a：保持面；24：磨削单元；26：主轴；28：安装座；30：磨削磨轮；32：基台；34：磨削磨具；40：蚀刻装置；42：卡盘工作台；42a：保持面；44：喷嘴；46：药液(蚀刻液)；50：研磨装置；52：卡盘工作台；52a：保持面；54：研磨单元；56：主轴；58：安装座；60：研磨垫；62：基台；64：研磨层；66：研磨液提供路。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。首先，对能够通过本实施方式的晶片的加工方法进行加工的晶片的结构例进行说明。图1的(A)是示出晶片11的立体图。
晶片11例如由硅等材料形成为圆盘状，其具有正面11a、背面11b以及与正面11a和背面11b连接的外周缘11c。晶片11由按照相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线(间隔道)13划分成多个区域，在该区域的正面11a侧分别形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)、LSI(Large Scale Integration，大规模集成)等器件15。
另外，晶片11的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如晶片11也可以由硅以外的半导体(GaAs、InP、GaN、SiC等)、玻璃、陶瓷、树脂、金属等材料形成。另外，器件15的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限制。
沿着分割预定线13对晶片11进行分割，从而得到分别具有器件15的多个器件芯片。在晶片11的分割中例如使用切削装置，该切削装置具有：卡盘工作台，其对晶片11进行保持；以及切削单元，其安装有对晶片11进行切削的圆环状的切削刀具。
切削单元具有主轴，该主轴在一端侧安装有切削刀具，另一端侧与电动机等旋转驱动源连接。通过旋转驱动源的动力使安装于主轴的切削刀具旋转而切入晶片11，从而对晶片11进行切削。
图1的(B)是将晶片11的一部分放大而示出的立体图。多个器件15分别具有在器件15的正面露出且与其他布线、电极、器件等连接的连接电极17。另外，在由分割预定线13划分的多个区域的内部分别形成有沿着该区域的厚度方向埋入且与器件15连接的柱状的电极(通孔电极、贯通电极)19。例如电极19与连接电极17连接。
电极19分别从器件15朝向晶片11的背面11b侧而配置，其高度小于晶片11的厚度。因此，电极19成为不在晶片11的背面11b露出而是埋没在晶片11的内部的状态。另外，电极19的材质没有限制，例如由铜、钨、铝、多晶硅等形成电极19。
图1的(C)是将晶片11的一部分放大而示出的俯视图。晶片11具有：圆形的器件区域21，其具有多个器件15和多个电极19；以及环状的外周剩余区域23，其围绕器件区域21。外周剩余区域23包含晶片11的外周缘11c，相当于晶片11中的未形成器件15和电极19的区域。
当对晶片11的背面11b侧进行加工而使电极19在晶片11的背面11b侧露出时，能够借助电极19将器件15和配置于晶片11的背面11b侧的其他器件连接。即，在将多个器件芯片层叠而制造封装器件时，电极19作为用于将所层叠的器件彼此连接的贯通电极发挥功能。
在本实施方式的晶片的加工方法中，对晶片11的背面11b侧实施磨削加工、基于药液的蚀刻、以及研磨加工，从而使电极19在晶片11的背面11b侧露出。以下，对本实施方式的晶片的加工方法的详细内容进行说明。
首先，使第1切削刀具沿着晶片11的周向切入外周剩余区域23中的位于晶片11的外周缘11c侧的区域，从而在外周剩余区域23形成阶梯差部(第1切削步骤)。
图2的(A)是示出第1切削步骤的情况的局部剖视主视图。第1切削步骤例如使用切削装置2来实施。
切削装置2具有对晶片11进行保持的卡盘工作台4。卡盘工作台4与电动机等旋转驱动源(未图示)连接，该旋转驱动源使卡盘工作台4绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。另外，在卡盘工作台4的下方设置有移动机构(未图示)，该移动机构使卡盘工作台4沿着第1水平方向(加工进给方向)移动。
卡盘工作台4的上表面构成对晶片11进行保持的保持面4a。保持面4a经由形成于卡盘工作台4的内部的吸引路(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。
在卡盘工作台4的上方配置有切削单元6。切削单元6具有主轴壳体(未图示)，在该主轴壳体中收纳有主轴8，其在相对于保持面4a大致平行且相对于加工进给方向大致垂直的方向上获取旋转轴。主轴8的一方的前端侧在壳体的外部露出，在露出的主轴8的前端部安装有圆环状的第1切削刀具10。
在主轴8的另一方的前端侧连接有电动机等旋转驱动源(未图示)，安装于主轴8的第1切削刀具10通过从该旋转驱动源传递的力而进行旋转。另外，切削单元6通过移动机构(未图示)进行支承，该移动机构使切削单元6沿着与第1水平方向垂直的第2水平方向(分度进给方向)和铅垂方向移动。
第1切削刀具10是利用结合材料固定由金刚石等构成的磨粒而形成的。作为结合材料，例如可以使用金属结合剂、树脂结合剂、陶瓷结合剂等。
在第1切削步骤中，首先在按照晶片11的背面11b侧与保持面4a对置的方式将晶片11配置在卡盘工作台4上的状态下，对保持面4a作用吸引源的负压。由此，晶片11在正面11a侧向上方露出的状态下被卡盘工作台4吸引保持。
接着，通过第1切削刀具10对卡盘工作台4所保持的晶片11的外周剩余区域23进行切削。在第1切削步骤中，使第1切削刀具10切入外周剩余区域23中的位于晶片11的外周缘11c侧的第1区域23a的正面11a侧。
图2的(B)是将外周剩余区域23的第1区域23a的一部分放大而示出的俯视图。如图2的(B)所示，外周剩余区域23具有包含晶片11的外周缘11c的环状的第1区域23a。并且，在第1切削步骤中，按照第1切削刀具10以规定的深度切入第1区域23a的方式调整切削单元6的位置。另外，作为第1切削刀具10，例如使用厚度为第1区域23a的宽度以上的切削刀具。
首先，按照将第1切削刀具10的下端配置于比晶片11的正面11a靠下方且比背面11b靠上方的位置的方式调整切削单元6的高度。这里，将第1切削刀具10配置成其下端与晶片11的正面11a的高度差(第1切削刀具10的切入深度)为规定的值。另外，第1切削刀具10的切入深度设定成后述的磨削步骤中的磨削加工之后的晶片11的厚度的目标值(磨削完工厚度)以上。
另外，按照第1切削刀具10和第1区域23a的正面11a侧在俯视下重叠的方式调整切削单元6的分度进给方向(图2的(A)的左右方向)上的位置。并且，一边使第1切削刀具10旋转一边使卡盘工作台4在加工进给方向(图2的(A)的前后方向)上移动，从而使卡盘工作台4和第1切削刀具10相对地移动。由此，第1切削刀具10以规定的深度切入第1区域23a的正面11a侧。
并且，在第1切削刀具10切入第1区域23a的状态下使卡盘工作台4旋转。由此，第1切削刀具10沿着晶片11的周向切入第1区域23a，在第1区域23a形成环状的槽。其结果是，第1区域23a与第1切削刀具10的切入深度相应地变薄，在外周剩余区域23形成阶梯差部23b(参照图3)。
接着，将晶片11固定于载体基板25(载体基板固定步骤)。图3是示出固定于载体基板25的晶片11的剖视图。
载体基板25例如是由玻璃、硅等形成的高刚性的基板，形成为具有正面25a和背面25b的板状。在载体基板固定步骤中，首先在载体基板25的正面25a侧涂布粘接剂27。粘接剂27的材质没有限制，例如可以使用环氧树脂、丙烯酸系树脂等具有粘接性的树脂。另外，粘接剂27也可以涂布于晶片11的正面11a侧。
并且，按照载体基板25的正面25a侧和晶片11的正面11a侧对置的方式借助粘接剂27将载体基板25和晶片11粘接，将晶片11固定于载体基板25。当将晶片11固定于载体基板25时，晶片11通过载体基板25进行支承，容易进行晶片11的保持、搬送。
接着，对晶片11的背面11b侧进行磨削(磨削步骤)。图4的(A)是示出磨削步骤的情况的局部剖视主视图。磨削步骤例如使用磨削装置20来实施。
磨削装置20具有对晶片11进行保持的卡盘工作台22。卡盘工作台22与电动机等旋转驱动源(未图示)连接，该旋转驱动源使卡盘工作台22绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。另外，在卡盘工作台22的下方设置有移动机构(未图示)，该移动机构使卡盘工作台22沿着水平方向(加工进给方向)移动。
卡盘工作台22的上表面构成对晶片11进行保持的保持面22a。保持面22a经由形成于卡盘工作台22的内部的吸引路(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。
在卡盘工作台22的上方配置有磨削单元24。磨削单元24具有通过升降机构(未图示)进行支承的主轴壳体(未图示)。在主轴壳体中收纳有主轴26，在主轴26的下端部固定有圆盘状的安装座28。
在安装座28的下表面侧安装有与安装座28大致相同直径的磨削磨轮30。磨削磨轮30具有由不锈钢、铝等金属材料形成的圆环状的基台32。另外，在基台32的下表面侧沿着基台32的外周呈环状排列有多个长方体状的磨削磨具34。
在主轴26的上端侧(基端侧)连接有电动机等旋转驱动源(未图示)，磨削磨轮30通过从该旋转驱动源传递的力而旋转。另外，在磨削单元24的内部设置有用于提供纯水等磨削液的磨削液提供路(未图示)。在对晶片11实施磨削加工时朝向晶片11和磨削磨具34提供磨削液。
在磨削步骤中，首先按照固定有晶片11的载体基板25的背面25b和保持面22a对置的方式将载体基板25配置在卡盘工作台22上，对保持面22a作用吸引源的负压。由此，晶片11在背面11b侧向上方露出的状态下被卡盘工作台22吸引保持。
接着，使卡盘工作台22移动而配置于磨削单元24的下方。并且，使卡盘工作台22和磨削磨轮30分别旋转，一边对晶片11的背面11b侧提供磨削液一边使主轴26下降。另外，主轴26的下降速度调整成使磨削磨具34的下表面以适当的力按压至晶片11的背面11b侧。
由此，对晶片11的背面11b侧进行磨削，将晶片11整体加工得较薄。该晶片11的磨削持续进行至晶片11的厚度成为规定的厚度(磨削完工厚度)为止。
图4的(B)是将磨削步骤后的晶片11的一部分放大而示出的剖视图。在晶片11的内部埋入有与器件15连接的电极19。另外，在电极19与晶片11之间按照覆盖电极19的方式形成有由氧化硅等构成的绝缘膜29，晶片11与电极19通过绝缘膜29绝缘。该绝缘膜29例如使用热氧化法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法而形成。
磨削步骤中的晶片11的磨削量设定在通过第1切削步骤而形成于第1区域23a的槽在晶片11的背面11b侧露出且如图4的(B)所示那样电极19不在晶片11的背面11b侧露出的范围内。当磨削步骤完成时，将晶片11的外周剩余区域23的第1区域23a(参照图3)去除。
这里，加工前的晶片11的外周缘11c有时从正面11a朝向背面11b而成为曲面状(例如参照图2的(A)的晶片11的左端部)。当不实施第1切削步骤而对这样的晶片11实施磨削步骤时，磨削加工后的晶片11的外周缘成为锐利的形状，晶片11的机械强度降低。
另一方面，当实施本实施方式的第1切削步骤时，即使利用之后的磨削步骤对外周剩余区域23进行磨削，将第1区域23a去除，磨削后的晶片11的外周缘11d(参照图4的(A))与晶片11的正面11a和背面11b大致垂直。因此，能够防止实施磨削步骤之后晶片11的外周缘11d成为锐利的形状，能够抑制晶片11的机械强度的降低。
接着，对晶片11的背面11b侧提供药液而对晶片11进行蚀刻，使被绝缘膜29覆盖的电极19从晶片11的背面11b侧突出(蚀刻步骤)。图5的(A)是示出蚀刻步骤的情况的局部剖视主视图。蚀刻步骤例如使用蚀刻装置40来实施。
蚀刻装置40具有对晶片11进行保持的卡盘工作台42。卡盘工作台42与电动机等旋转驱动源(未图示)连接，该旋转驱动源使卡盘工作台42绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。
卡盘工作台42的上表面构成对晶片11进行保持的保持面42a。保持面42a经由形成于卡盘工作台42的内部的吸引路(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。另外，在卡盘工作台42的上方配置有朝向卡盘工作台42侧提供用于对晶片11进行蚀刻的药液(蚀刻液)46的喷嘴44。
在蚀刻步骤中，首先按照固定有晶片11的载体基板25的背面25b侧和保持面42a对置的方式将载体基板25配置在卡盘工作台42上，对保持面42a作用吸引源的负压。由此，晶片11在背面11b侧向上方露出的状态下被卡盘工作台42吸引保持。
接着，从喷嘴44喷射药液46，并且使卡盘工作台42旋转，从而对晶片11的背面11b侧提供药液46。另外，药液46的材料根据晶片11的材质等适当选择。例如在使用硅晶片作为晶片11的情况下，可以使用含有氢氟酸和硝酸的酸性的混合液等作为药液46。由此，对晶片11的背面11b进行蚀刻，晶片11变薄。
图5的(B)是将蚀刻步骤后的晶片11的一部分放大而示出的剖视图。晶片11的蚀刻持续至如图5的(B)所示那样电极19和绝缘膜29从晶片11的背面11b向上方突出为止。
另外，当利用药液46对晶片11进行蚀刻时，药液46从晶片11的背面11b侧起在外周缘11d上传递而提供至正面11a侧，将在外周缘11d的附近露出的粘接剂27的外周区域去除。其结果是，如图5的(A)所示，成为晶片11的外周剩余区域23的至少一部分不与粘接剂27接触、晶片11相对于粘接剂27悬垂的状态。
图5的(C)是将蚀刻步骤后的外周剩余区域23的一部分放大而示出的俯视图。当通过药液46将粘接剂27的一部分去除时，在外周剩余区域23形成不与粘接剂27接触的第2区域23c。第2区域23c相当于外周剩余区域23中的位于比通过第1切削步骤和磨削步骤的实施而去除的第1区域23a靠器件区域21侧的位置的环状区域，与通过蚀刻步骤将粘接剂27去除的区域重叠。
接着，利用绝缘膜覆盖晶片11的背面11b侧(绝缘膜包覆步骤)。图6的(A)是示出在背面11b侧形成有绝缘膜31的晶片11的剖视图。
在绝缘膜包覆步骤中，按照覆盖晶片11的背面11b侧的方式形成绝缘膜31。由此，通过绝缘膜31覆盖从晶片11的背面11b突出的电极19和绝缘膜29。另外，绝缘膜31由氧化硅等构成，例如使用溅射法、CVD法等而形成。该绝缘膜31作为对晶片11的背面11b侧进行保护的钝化膜发挥功能。
图6的(B)是将绝缘膜包覆步骤后的晶片11的一部分放大而示出的剖视图。如图6的(B)所示，在晶片11的背面11b侧按照覆盖电极19和绝缘膜29的前端的方式形成绝缘膜31。
接着，使第2切削刀具沿着晶片11的周向切入外周剩余区域23的第2区域23c，从而将第2区域23c去除(第2切削步骤)。图7是示出第2切削步骤的情况的局部剖视主视图。
第2切削步骤与第1磨削步骤同样地，例如使用切削装置2来实施。另外，在下文中省略了说明的第2切削步骤的工序的详细内容与第1切削步骤相同。
在第2切削步骤中，在主轴8上安装环状的第2切削刀具12。第2切削刀具12是利用结合材料固定由金刚石等构成的磨粒而形成的。作为结合材料，例如可以使用金属结合剂、树脂结合剂、陶瓷结合剂等。第2切削刀具12可以是在第1切削步骤中使用的第1切削刀具10，也可以是其他切削刀具。
在第2切削步骤中，首先按照固定有晶片11的载体基板25的背面25b侧和卡盘工作台4的保持面4a对置的方式将载体基板25配置在卡盘工作台4上，对保持面4a作用吸引源的负压。由此，晶片11在背面11b侧(绝缘膜31侧)向上方露出的状态下被卡盘工作台4吸引保持。
接着，通过第2切削刀具12对卡盘工作台4所保持的晶片11的外周剩余区域23进行切削。这里，在第2切削步骤中，使第2切削刀具12切入外周剩余区域23中的不与粘接剂27接触的第2区域23c(参照图5的(A)、图5的(C))。
首先按照将第2切削刀具12的下端配置于比晶片11的正面11a(粘接剂27的上表面)靠下方且比粘接剂27的下表面靠上方的位置的方式调整切削单元6的高度。另外，按照使第2切削刀具12与外周剩余区域23的第2区域23c在俯视下重叠的方式调整切削单元6的分度进给方向(图7的左右方向)的位置。
并且，一边使第2切削刀具12旋转一边使卡盘工作台4在加工进给方向(图7的前后方向)上移动，从而使卡盘工作台4和第2切削刀具12相对地移动。由此，第2切削刀具12以超过晶片11的厚度的深度切入外周剩余区域23的第2区域23c(参照图5的(A)、图5的(C))。
并且，在第2切削刀具12切入第2区域23c的状态下，使卡盘工作台4旋转。由此，第2切削刀具12沿着晶片11的周向切入，呈环状切削第2区域23c。其结果是，将第2区域23c从晶片11去除。当将第2区域23c去除时，成为晶片11的整个正面11a侧与粘接剂27接触的状态，消除了晶片11相对于粘接剂27悬垂的状态。
接着，对晶片11的背面11b侧进行研磨，使电极19从绝缘膜31露出(研磨步骤)。图8的(A)是示出研磨步骤的情况的局部剖视主视图。研磨步骤例如使用研磨装置50来实施。
研磨装置50具有对晶片11进行保持的卡盘工作台52。卡盘工作台52与电动机等旋转驱动源(未图示)连接，该旋转驱动源使卡盘工作台52绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。另外，在卡盘工作台52的下方设置有移动机构(未图示)，该移动机构使卡盘工作台52沿着水平方向(加工进给方向)移动。
卡盘工作台52的上表面构成对晶片11进行保持的保持面52a。保持面52a经由形成于卡盘工作台52的内部的吸引路(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。
在卡盘工作台52的上方配置有研磨单元54。研磨单元54具有通过升降机构(未图示)进行支承的主轴壳体(未图示)。在主轴壳体中收纳有主轴56，在主轴56的下端部固定有圆盘状的安装座58。
在安装座58的下表面侧安装有构成为与安装座58大致相同直径的圆盘状的研磨垫60。研磨垫60具有由不锈钢、铝等金属材料、PPS(聚苯硫醚)等树脂构成的圆盘状的基台62。另外，在基台62的下表面侧固定有圆盘状的研磨层64。
另外，在研磨单元54的内部沿着铅垂方向形成有在研磨层64的下表面的中央部开口的研磨液提供路66。在对晶片11进行研磨时，从研磨液提供路66朝向晶片11和研磨层64提供研磨液。
研磨层64例如是在无纺布、发泡聚氨酯中分散磨粒(固定磨粒)而形成的。作为磨粒，例如可以使用粒径为0.1μm以上且10μm以下左右的二氧化硅。不过，磨粒的粒径、材质等根据晶片11的材质等适当变更。
在研磨层64中包含磨粒的情况下，作为从研磨液提供路66提供的研磨液，使用不含磨粒的研磨液。作为研磨液，例如可以使用溶解有氢氧化钠、氢氧化钾等的碱溶液、高锰酸盐等酸性液。另外，也可以使用纯水作为研磨液。
另一方面，也可以不在研磨层64中包含磨粒。在该情况下，作为从研磨液提供路66提供的研磨液，使用分散有磨粒(游离磨粒)的药液(浆料)。药液的材料、磨粒的材质、磨粒的粒径等根据晶片11的材质等适当选择。
在研磨步骤中，首先按照固定有晶片11的载体基板25的背面25b和保持面52a对置的方式将载体基板25配置在卡盘工作台52上，对保持面52a作用吸引源的负压。由此，晶片11在背面11b侧(绝缘膜31侧)向上方露出的状态下被卡盘工作台52吸引保持。
接着，使卡盘工作台52移动至研磨单元54的下方。并且，分别使卡盘工作台52和研磨垫60旋转，一边从研磨液提供路66向绝缘膜31提供研磨液一边使主轴56下降。另外，将主轴56的下降速度调整为使研磨层64的下表面以适当的力按压至绝缘膜31。由此，对绝缘膜31进行研磨。
图8的(B)是将研磨步骤后的晶片11的一部分放大而示出的剖视图。在研磨步骤中，对绝缘膜29和绝缘膜31进行研磨直至电极19从绝缘膜31露出为止。其结果是，在晶片11的内部形成与器件15连接且在晶片11的背面11b侧露出的电极19。然后，根据需要在晶片11的背面11b侧(绝缘膜31侧)形成与电极19连接的凸块(未图示)。
这里，当如图6的(A)所示那样在晶片11的外周剩余区域23不与粘接剂27接触而晶片11相对于粘接剂27悬垂的状态下实施研磨步骤时，会在外周剩余区域23的固定不充分的状态下实施研磨加工。其结果是，有时在外周剩余区域23产生缺损(崩边)或裂纹等加工不良。
另一方面，在本实施方式的晶片的加工方法中，通过实施第2切削步骤而将外周剩余区域23的第2区域23c去除，消除了晶片11的悬垂。其结果是，在实施研磨步骤时，成为晶片11的整个正面11a侧与粘接剂27接触且晶片11的外周剩余区域23被适当地固定的状态。由此，能够防止外周剩余区域23的加工不良的产生。
如上所述，在本实施方式的晶片的加工方法中，在对正面11a侧借助粘接剂27而固定于载体基板25的晶片11的背面11b侧通过药液46进行了蚀刻之后，将晶片11的外周剩余区域23中的不与粘接剂27接触的第2区域23c去除，然后通过研磨垫60对形成于晶片11的背面11b侧的绝缘膜31进行研磨。
当使用上述方法时，在利用基于药液46的蚀刻将粘接剂27的外周区域去除的情况下，也能够在晶片11的整个正面11a侧与粘接剂27接触的状态下实施研磨加工。由此，能够防止晶片11的外周剩余区域23的缺损(崩边)或裂纹等加工不良的产生，能够抑制器件芯片的品质降低。
另外，在上述中，对在实施了第1切削步骤之后实施载体基板固定步骤的方式进行了说明，但也可以在实施了载体基板固定步骤之后实施第1切削步骤。以下，对上述实施方式的变形例进行说明。另外，下文中未进行说明的详细内容与上述实施方式相同。
首先，在第1切削步骤的实施前，将晶片11固定于载体基板25(载体基板固定步骤)。另外，载体基板固定步骤的详细内容与图3的说明相同。
接着，对固定于载体基板25的晶片11实施第1切削步骤。图9是示出变形例的第1切削步骤的情况的局部剖视主视图。
在变形例的第1切削步骤中，首先按照固定有晶片11的载体基板25的背面25b和卡盘工作台4的保持面4a对置的方式将载体基板25配置在卡盘工作台4上，对保持面4a作用吸引源的负压。由此，晶片11在背面11b侧向上方露出的状态下被卡盘工作台4吸引保持。
并且，按照通过第1切削刀具10将外周剩余区域23的第1区域23a(参照图2的(A)、图2的(B))去除的方式调整切削单元6的位置。具体而言，将第1切削刀具10的下端配置于比晶片11的正面11a(粘接剂27的上表面)靠下方的位置。在该状态下使卡盘工作台4移动，使第1切削刀具10切入第1区域23a。由此，第1切削刀具10以到达晶片11的正面11a的深度切入晶片11。
并且，在第1切削刀具10切入第1区域23a的状态下，使卡盘工作台4旋转。由此，第1切削刀具10沿着晶片11的周向切入第1区域23a，将第1区域23a去除。
当这样按照将第1区域23a去除的方式实施第1切削步骤时，切削后的晶片11的外周缘11e与晶片11的正面11a和背面11b大致垂直。
接着，按照与图4的(A)的说明同样的步骤来实施磨削步骤。图10是示出变形例的磨削步骤的情况的局部剖视主视图。如图10所示，晶片11在外周缘11e与晶片11的正面11a和背面11b大致垂直的状态下被磨削。因此，即使通过磨削加工使晶片11变薄，晶片11的外周缘11e也不会成为锐利的形状，可抑制晶片11的机械强度的降低。
除此以外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (1)

1.一种晶片的加工方法，对晶片进行加工，该晶片具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该器件区域具有：多个器件，它们分别形成于由交叉的多条分割预定线划分的多个区域的正面侧；以及电极，其沿着该区域的厚度方向埋入该区域的内部且与该器件连接，
其特征在于，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
第1切削步骤，通过使第1切削刀具按照规定的深度沿着该晶片的周向切入该外周剩余区域中的位于该晶片的外周缘侧的第1区域，从而在该外周剩余区域形成阶梯差部或者将该第1区域去除；
载体基板固定步骤，借助粘接剂将该晶片的正面侧固定于载体基板；
磨削步骤，在实施了该第1切削步骤和该载体基板固定步骤之后，对该晶片的背面侧进行磨削直至该晶片的厚度成为该规定的深度以下为止，在该电极不在该晶片的背面侧露出的范围内使该晶片变薄；
蚀刻步骤，在实施了该磨削步骤之后，对该晶片的背面侧提供药液而对该晶片进行蚀刻，使该电极从该晶片的背面侧突出；
绝缘膜包覆步骤，在实施了该蚀刻步骤之后，利用绝缘膜将该晶片的背面侧覆盖；
第2切削步骤，在实施了该绝缘膜包覆步骤之后，通过使第2切削刀具沿着该晶片的周向切入该外周剩余区域中的不与该粘接剂接触的第2区域，从而将该第2区域去除；以及
研磨步骤，在实施了该第2切削步骤之后，一边对该晶片的背面侧提供研磨液一边按压研磨垫而对该绝缘膜进行研磨，使该电极从该绝缘膜露出。
CN201911212704.4A 2018-12-04 2019-12-02 晶片的加工方法 Active CN111276397B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-227440 2018-12-04
JP2018227440A JP7187115B2 (ja) 2018-12-04 2018-12-04 ウェーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111276397A CN111276397A (zh) 2020-06-12
CN111276397B true CN111276397B (zh) 2024-04-05

Family

ID=70681040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911212704.4A Active CN111276397B (zh) 2018-12-04 2019-12-02 晶片的加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10950504B2 (zh)
JP (1) JP7187115B2 (zh)
KR (1) KR102810033B1 (zh)
CN (1) CN111276397B (zh)
DE (1) DE102019218879B4 (zh)
TW (1) TWI805872B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7430515B2 (ja) * 2019-11-06 2024-02-13 株式会社ディスコ ウエーハの処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03183130A (ja) * 1989-12-12 1991-08-09 Sony Corp 半導体基板の製造方法
CN1925128A (zh) * 2005-08-30 2007-03-07 中美矽晶制品股份有限公司 复合晶片结构的制造方法
CN101127311A (zh) * 2006-08-16 2008-02-20 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的制造方法
CN101185156A (zh) * 2005-05-31 2008-05-21 信越半导体股份有限公司 贴合晶片的制造方法及贴合晶片的外周磨削装置
JP2014033160A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN104733300A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种键合晶片的减薄方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109677A (ja) * 1991-10-16 1993-04-30 Sony Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
JP3553196B2 (ja) * 1995-03-29 2004-08-11 コマツ電子金属株式会社 Ｓｏｉ基板の製造方法
JP2005026413A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Renesas Technology Corp 半導体ウエハ、半導体素子およびその製造方法
JP5307593B2 (ja) 2009-03-25 2013-10-02 株式会社ディスコ 積層ウェーハの分割方法
US8669166B1 (en) * 2012-08-15 2014-03-11 Globalfoundries Inc. Methods of thinning and/or dicing semiconducting substrates having integrated circuit products formed thereon
JP6042662B2 (ja) 2012-08-24 2016-12-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6302644B2 (ja) * 2013-11-11 2018-03-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6230381B2 (ja) * 2013-11-15 2017-11-15 株式会社ディスコ 加工方法
JP6344971B2 (ja) * 2014-05-16 2018-06-20 株式会社ディスコ サポートプレート、サポートプレートの形成方法及びウェーハの加工方法
US9786643B2 (en) * 2014-07-08 2017-10-10 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods
JP2016127232A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9455187B1 (en) * 2015-06-18 2016-09-27 International Business Machines Corporation Backside device contact
JP6636377B2 (ja) * 2016-04-08 2020-01-29 株式会社ディスコ パッケージウェーハの製造方法及びデバイスチップの製造方法
KR102524962B1 (ko) * 2016-11-14 2023-04-21 삼성전자주식회사 기판 구조체 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 기판 구조체

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03183130A (ja) * 1989-12-12 1991-08-09 Sony Corp 半導体基板の製造方法
CN101185156A (zh) * 2005-05-31 2008-05-21 信越半导体股份有限公司 贴合晶片的制造方法及贴合晶片的外周磨削装置
CN1925128A (zh) * 2005-08-30 2007-03-07 中美矽晶制品股份有限公司 复合晶片结构的制造方法
CN101127311A (zh) * 2006-08-16 2008-02-20 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置的制造方法
JP2014033160A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN104733300A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种键合晶片的减薄方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10950504B2 (en) 2021-03-16
DE102019218879B4 (de) 2024-05-16
JP7187115B2 (ja) 2022-12-12
US20200176316A1 (en) 2020-06-04
TW202022932A (zh) 2020-06-16
CN111276397A (zh) 2020-06-12
DE102019218879A1 (de) 2020-06-04
KR102810033B1 (ko) 2025-05-19
KR20200067760A (ko) 2020-06-12
TWI805872B (zh) 2023-06-21
JP2020092142A (ja) 2020-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101345201B (zh) 晶片的加工方法
JP7504537B2 (ja) ウェーハの研削方法
CN111276397B (zh) 晶片的加工方法
JP7511980B2 (ja) キャリア板の除去方法
JP2014053351A (ja) ウエーハの加工方法
JP7313775B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW202322234A (zh) 封裝元件的製造方法
JP6042662B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2021034498A (ja) ウェーハの加工方法
US11222808B2 (en) Method of removing carrier plate
JP6896346B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP6896347B2 (ja) 被加工物の加工方法
CN112397448A (zh) 封装的制造方法
KR20210025744A (ko) 기판 가장자리의 베벨 식각 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP2014053357A (ja) ウエーハの加工方法
JP2014033159A (ja) ウエーハの加工方法
JP2022087377A (ja) Ｓｏｉウェーハの製造方法
JP2024117934A (ja) 積層体の加工方法及び積層体の製造方法
JP2014053356A (ja) ウエーハの加工方法
JP2023108239A (ja) 被加工物の加工方法
TW202336851A (zh) 封裝器件之製造方法
JP2019077020A (ja) 被加工物の加工方法
JP2019080024A (ja) 被加工物の加工方法
JP2019080025A (ja) 被加工物の加工方法
JP2014033156A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant