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CN111261569B - 微元件的转移装置及其转移方法 - Google Patents

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CN111261569B
CN111261569B CN201811455038.2A CN201811455038A CN111261569B CN 111261569 B CN111261569 B CN 111261569B CN 201811455038 A CN201811455038 A CN 201811455038A CN 111261569 B CN111261569 B CN 111261569B
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Chengdu Vistar Optoelectronics Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种微元件的转移装置及其转移方法，该转移装置包括：至少一个吸嘴，吸嘴具有真空通道；至少一个控制电路及伸缩头，伸缩头耦接控制电路，且位于真空通道内；控制电路用于控制改变伸缩头的长度/横截面面积，以使至少部分伸缩头或受伸缩头驱动的门阀堵塞真空通道，或反过来使真空通道畅通。通过本申请的转移装置能可靠高效地批量转移微元件。

Description

微元件的转移装置及其转移方法
技术领域
本申请涉及微元件处理技术领域，特别是涉及一种微元件的转移装置及其转移方法。
背景技术
微元件显示技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(Micro-LED)技术逐渐成为研究热门，相对于有机发光二极管(OLED)技术来说，Micro-LED由于具有高寿命、高亮度、低功耗等优势，其在显示领域具有很强的应用前景。
但目前还没有成熟的方法将LED芯片从承载基板上转移到接收基板上，限制了Micro-LED的应用。
发明内容
本申请主要提供一种微元件的转移装置及其转移方法，通过该转移装置能可靠高效地批量转移微元件。
为解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是提供一种微元件的转移装置，该转移装置包括：至少一个吸嘴，吸嘴具有真空通道；至少一个控制电路及至少一个伸缩头，伸缩头耦接控制电路，且位于真空通道内；控制电路用于控制改变伸缩头的长度/横截面面积，以使至少部分伸缩头或受伸缩头驱动的门阀堵塞真空通道，或反过来使真空通道畅通。
为解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是提供一种微元件的转移方法，该转移方法包括：将吸嘴移动至微元件处；通过控制电路改变伸缩头的长度/横截面面积，以使真空通道畅通，并对真空通道进行抽真空处理；通过控制电路改变伸缩头的长度/横截面面积，以使真空通道堵塞，并对微元件进行转移；通过控制电路改变伸缩头的长度/横截面面积，以使真空通道畅通，以释放微元件。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的转移装置通过控制电路和伸缩头的配合，使伸缩头伸长/膨胀或缩短/收缩，进而打开或关闭吸嘴中的真空通道，使吸嘴在真空和非真空状态间进行转换，进而完成对位于承载基板上的微元件进行吸取和转移，并将微元件释放至接收基板上的转移过程。通过本申请的转移装置能可靠高效地批量转移微元件。另外，本申请能够实现对每个吸嘴的精确控制，有利于精确的定位坏点，以方便对坏点进行修复。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本申请提供的转移装置第一实施方式的结构示意图；
图2是本申请提供的转移装置第二实施方式的结构示意图；
图3是本申请提供的转移装置第三实施方式的结构示意图；
图4是本申请提供的转移装置第四实施方式的结构示意图；
图5是本申请提供的转移装置第五实施方式的结构示意图；
图6是本申请提供的微元件的转移方法一实施方式的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
目前还没有成熟的微元件的转移技术，导致无法可靠高效地批量转移微元件。本申请针对该技术问题提出了一种微元件的转移装置，通过控制电路和伸缩头的配合，使伸缩头伸长/膨胀或缩短/收缩，进而打开或关闭吸嘴中的真空通道，使吸嘴在真空和非真空状态间进行转换，进而完成对位于承载基板上的微元件进行吸取和转移，并将微元件释放至接收基板上。通过本申请的转移装置能可靠高效地批量转移微元件。以下，结合附图对本申请进行详细说明。
请参阅图1，图1是本申请提供的转移装置第一实施方式的结构示意图。如图1所示，该转移装置包括多个吸嘴102、相互耦接的多个伸缩头104及控制电路(图1中未示出)。
吸嘴102具有真空通道103，真空通道103具有一狭窄通道口105，狭窄通道口105将真空通道103划分为第一通道1031、第二通道1032，即狭窄通道口105的两侧分别为第一通道1031和第二通道1032，其中第一通道1031连接真空源(图1未示)，第二通道1032的末端通过吸取开口110连通外界大气。伸缩头104位于狭窄通道口105两侧的第一通道1031内，第二通道1032的横截面面积大于等于狭窄通道口105的横截面面积，第二通道1032通过腔体侧壁111形成，且在腔体顶壁上形成有第二阶梯107，通过该第二阶梯107形成狭窄通道口105。所述横截面面积是指沿水平方向的截面面积。
在一个实施方式中，如图1所示，第二通道1032的横截面面积大于狭窄通道口105的横截面面积，便于在第二阶梯107上形成狭窄通道口105。在一个替代实施方式中，如图2所示，图2是本申请提供的转移装置第二实施方式的结构示意图，图2中的门阀206的横截面积等于狭窄通道口205的横截面面积，且等于第二通道2032的横截面面积，其中的狭窄通道口205将真空通道203划分为第一通道2031和第二通道2032；当磁致伸缩体2041为第二长度时，门阀206受磁致伸缩体2041的推动，打通狭窄通道口205使真空通道203畅通；当磁致伸缩体2041为第一长度时，门阀206堵塞狭窄通道口205，其中的第二长度大于第一长度，这样只需设置门阀206，不需设置第二阶梯。
在一个具体实施方式中，与第一通道1031连接的真空源为真空泵，第二通道1032的末端通过吸取开口110连通外界大气。其中的吸取开口110用于吸取微元件101，且其横截面积小于微元件101的横截面积，以防微元件101被吸入吸嘴102内。
伸缩头104为磁致伸缩头，磁致伸缩头包括磁致伸缩体1041及绕设于磁致伸缩体1041外围的电感线圈1042，电感线圈1042连接控制电路。
在一个实施方式中，门阀106为挡板，磁致伸缩体1041为传统金属与合金或稀土合金超磁致伸缩材料，其中传统金属、传统金属合金包括：纯镍、镍钴合金、铁镍合金、铁铝合金、铁钴合金；稀土合金超磁致伸缩材料为以Tb1-XDyXFe2化合物为基的合金，这两大类材料的磁致伸缩系数大，在磁场作用下的伸缩量变化大，从而能更好的实现真空通道103在畅通和堵塞二者之间的切换。且第一通道1031中设有安装腔108，安装腔108远离狭窄通道口105的腔壁向狭窄通道口105延伸而成固定件109，固定件109的自由端固定磁致伸缩体1041的固定端。即通过固定件109来固定磁致伸缩体1041的固定端，当磁致伸缩体1041由第一长度伸长为第二长度时，通过磁致伸缩体1041的伸缩端来推动挡板。
在一个实施方式中，控制电路用于控制改变伸缩头104的长度/横截面面积，以使至少部分受伸缩头104驱动的门阀106堵塞真空通道103，或反过来使真空通道103畅通。转移装置中的每一个吸嘴102都是通过控制电路单独控制、互不影响的对微元件101进行转移，即每次转移的过程中可以只控制部分吸嘴102来吸取并转移微元件101，也可以控制全部的吸嘴102来吸取并转移微元件101，具体根据实际情况而定。即本申请能够实现对每个吸嘴102的精确控制，有利于精确的定位坏点，以方便对坏点进行修复。
具体地，挡板设置于第二通道1032内，挡板的面积大于狭窄通道口105的横截面积；磁致伸缩体1041的固定端固定于第一通道1031中，磁致伸缩体1041的伸缩端从第一通道1031通过狭窄通道口105进入第二通道1032，且与挡板靠近第一通道1031一侧直接接触。通过控制电路对位于磁致伸缩体1041外围的电感线圈1042施加脉冲交变电流时，电感线圈1042周围产生磁场，从而使位于磁场中的磁致伸缩体1041从第一长度伸长为第二长度，进而磁致伸缩体1041推动挡板离开狭窄通道口105以使真空通道103畅通，此时通过狭窄通道口105对第二通道1032进行抽真空操作使第二通道1032的气体压强低于大气压强，即可利用气体压强差使吸嘴102从承载基板上吸取微元件101。
当用于吸取微元件101的气体压强差达到预定值后，控制电路不输出脉冲交变电流至电感线圈1042，电感线圈1042不产生磁场，从而磁致伸缩体1041由第二长度缩短为第一长度时，此时挡板堵塞在狭窄通道口105邻近第二通道1032一侧，以使挡板堵塞真空通道103，即此时第二通道1032达到预定的真空状态，不用进行真空操作。
当通过吸嘴102将微元件101转移到接收基板处时，再次对电感线圈1042施加脉冲交变电流产生磁场使磁致伸缩体1041从第一长度伸长为第二长度，进而磁致伸缩体1041推动挡板离开狭窄通道口105以使真空通道103畅通，此时不进行真空操作，外界大气通过狭窄通道口105进入第二通道1032使第二通道1032的气体压强等于外界大气压强，第二通道1032为非真空状态，从而微元件101得以被释放至接收基板上。
在一个更具体的实施方式中，挡板一端与狭窄通道口105一端转动连接，狭窄通道口105另一端形成第二阶梯107，控制电路不输出脉冲电流至电感线圈1042时，磁致伸缩体1041保持为第一长度或由第二长度缩短为第一长度时，挡板另一端周缘直接搭接在第二阶梯107上，以使挡板堵塞真空通道103。此实施方式中，当磁致伸缩体1041为第一长度时，挡板在第二阶梯107上的正投影区域至少部分与第二阶梯107重叠。在一优选实施方式中，挡板为弹性挡板，从而弹性挡板的另一端周缘搭接在第二阶梯107上时，能更好的实现堵塞真空通道103，以防通过吸嘴102移动微元件101的过程中出现漏气。
在一个替代实施方式中，请参阅图3，图3是本申请提供的转移装置第三实施方式的结构示意图。如图3所示，门阀306一端与狭窄通道口305一端转动连接，狭窄通道口305另一端形成环状的第一阶梯307，门阀306也为环状，狭窄通道口305将真空通道303划分为第一通道3031和第二通道3032。当控制电路控制磁致伸缩体3041为第二长度时，磁致伸缩体3041推动挡板离开第一阶梯307以使真空通道303畅通；当控制电路控制磁致伸缩体3041为第一长度时，门阀306周缘卡合在环状的第一阶梯307上，以使门阀306堵塞真空通道303，其中的第二长度大于第一长度。与图1中第一实施方式的主要不同之处在于，图1中的磁致伸缩体1041为第一长度时，门阀106与第二阶梯107分别位于两个不同的水平面上，且门阀106在水平面上的正投影区域与第二阶梯107在水平面上的正投影区域至少部分重叠以堵塞真空通道103；而在此第三实施方式中，当磁致伸缩体3041为第一长度时，门阀306与第一阶梯307位于同一水平面上，且门阀306在该水平面上的正投影区域与第一阶梯307在该水平面上的正投影区域相接触且不重叠以堵塞真空通道303。更具体地，门阀306为挡板，挡板为弹性挡板，或者挡板周缘朝向环状的第一阶梯307一侧设有弹性密封体，或环状的第一阶梯307上设有弹性密封体。此替代实施方式中，通过采用将挡板设置为弹性挡板或者设置弹性密封体的方式，能更好的实现挡板堵塞真空通道303，以防通过吸嘴302移动微元件301的过程中出现漏气。且通过将门阀306和第一阶梯307设置为相互配合的环状结构，能更好的实现磁致伸缩体3041为第一长度时门阀306与第一阶梯307间的卡合，进而提高密封性以避免漏气。本实施例中以环状第一阶梯和环状门阀为例，在其他实施例中，第一阶梯和门阀可以为其他形状。
在一个实施方式中，弹性密封体的材料包括聚二甲基硅氧烷、全氟聚醚、聚四氢呋喃、聚环氧乙烷、聚氧杂环丁烷、聚异戊二烯、聚丁二烯、基于氟烯烃的含氟弹性体中的至少一种，优选为聚二甲基硅氧烷，聚二甲基硅氧烷成本较低且具有良好的化学惰性。
上述实施方式均在吸嘴上设置有挡板，在其他替代实施方式中，在吸嘴上还可不设置挡板，具体请参阅图4，图4是本申请提供的转移装置第四实施方式的结构示意图。真空通道403具有狭窄通道口405，狭窄通道口405将真空通道403划分为第一通道4031和第二通道4032。磁致伸缩体4041的横截面积大于等于狭窄通道口405的面积，狭窄通道口405由腔体顶壁上的第二阶梯407形成。当磁致伸缩体4041为第一长度时，真空通道403畅通；当磁致伸缩体4041由第一长度伸长为第二长度时，此时直接通过第二长度的磁致伸缩体4041堵住狭窄通道口405，以使真空通道403堵塞。其中磁致伸缩体4041的形状可以为圆柱体、圆锥体、长方体、圆台等，只需满足磁致伸缩体4041在水平面上的投影面积大于狭窄通道口405的横截面积即可。
在其他替代实施方式中，当吸嘴上不设置挡板时，伸缩头(如图中伸缩体4041)位于狭窄通道口405中，当伸缩头的横截面面积处于自然状态时，伸缩头的横截面面积小于狭窄通道口405的横截面面积，此时真空通道403畅通；在控制电路的作用下，伸缩头的横截面面积膨胀为第一状态时，堵住狭窄通道口405，以使真空通道403堵塞。当控制电路不作用在伸缩头上时，伸缩头回复到自然状态。
由上述可知，通过控制电路和伸缩头的配合，使伸缩头伸长/膨胀或缩短/收缩，进而打开或关闭吸嘴中的真空通道，使吸嘴在真空和非真空状态间进行转换，进而完成对位于承载基板上的微元件进行吸取和转移，并将微元件释放至接收基板上的转移过程。通过该转移装置能可靠高效地批量转移微元件。此外，通过单独控制每个吸嘴中真空通道的堵塞或畅通，能够实现对每个吸嘴的精确控制，有利于精确的定位坏点，以方便对坏点进行修复。
请参阅图5，图5是本申请提供的转移装置第五实施方式的结构示意图。如图5所示，该转移装置包括吸嘴502、相互耦接的伸缩头504及控制电路(图5中未示出)。
吸嘴502具有真空通道503，真空通道503具有一狭窄通道口505，狭窄通道口505将真空通道503划分为第一通道5031、第二通道5032，伸缩头504位于狭窄通道口505两侧的第一通道5031中，第二通道5032的横截面面积大于狭窄通道口505的横截面面积。其中第一通道5031连接真空源(图5未示)，第二通道5032的末端连通外界大气。
在一具体实施方式中，与第一通道5031连接的真空源为真空泵，第二通道5032的末端通过吸取开口510连通外界大气。其中的吸取开口510用于吸取微元件501，且其横截面积小于微元件501的横截面积，以防微元件501被吸入吸嘴502内。
伸缩头504为磁致伸缩头504，磁致伸缩头504包括磁致伸缩体5041及绕设于磁致伸缩体5041外围的电感线圈5042，电感线圈5042连接控制电路。
该第五实施方式与第一实施方式的不同之处在于，第一实施方式中的门阀位于狭窄通道口朝向第二通道的一侧，即当磁致伸缩体为第一长度时真空通道堵塞，此时磁致伸缩体位于第一通道中；当磁致伸缩体为第二长度时推动门阀打通狭窄通道，真空通道畅通，此时磁致伸缩体的固定端位于第一通道中，磁致伸缩体的自由端位于第二通道中。而该第五实施方式中的门阀位于狭窄通道口朝向第一通道的一侧，即当磁致伸缩体为第一长度时真空通道畅通，当磁致伸缩体为第二长度时推动门阀堵塞狭窄通道，真空通道堵塞，且磁致伸缩体为第一长度及第二长度时，磁致伸缩体均位于第一通道中，这样可以不必局限于门阀的位置。
第五实施例中，当控制磁致伸缩体5041从第一长度伸长至第二长度时，受磁致伸缩体5041驱动的门阀506堵塞狭窄通道口505，以及不输出脉冲电流至电感线圈5042以使磁致伸缩体5041保持在第一长度或从第二长度缩短至第一长度时，打通狭窄通道口505。
具体地，门阀506设置于第一通道5031内，门阀506的面积大于狭窄通道口505的横截面积，磁致伸缩体5041位于第一通道5031中。当控制电路不输出脉冲交变电流至电感线时，电感线圈5042不产生磁场，此时磁致伸缩体5041为第一长度以打通狭窄通道口505，真空通道503畅通，通过狭窄通道口505对第二通道5032进行抽真空操作使第二通道5032的气体压强低于外界大气压强，利用气体压强差使吸嘴502从承载基板上吸取微元件501。且当用于吸取微元件501的气体压强差达到预定值后，控制电路对电感线圈5042施加脉冲交变电流，电感线圈5042周围产生磁场，使位于磁场中的磁致伸缩体5041从第一长度伸长为第二长度，进而磁致伸缩体5041推动门阀506使门阀506堵塞狭窄通道口505，此时第二通道5032已达到预定的真空状态，即此时不用进行真空操作。通过吸嘴502将微元件501转移到接收基板上后，停止对电感线圈5042施加脉冲交变电流，从而磁致伸缩体5041由第二长度缩短为第一长度，真空通道503畅通，此时不进行真空操作，外界大气通过狭窄通道口505进入第二通道5032使第二通道5032的气体压强等于外界大气压强，即第二通道5032为非真空状态，从而微元件501得以被释放至接收基板上。
在一更具体的实施方式中，门阀506为挡板，磁致伸缩体5042为传统金属与合金或稀土合金超磁致伸缩材料，其中传统金属与合金包括：纯镍、镍钴合金、铁镍合金、铁铝合金、铁钴合金；稀土合金超磁致伸缩材料为以Tb1-XDyXFe2化合物为基的合金，这两大类材料的磁致伸缩系数大，在磁场作用下的伸缩量变化大，从而能更好的实现真空通道503在畅通和堵塞二者之间的切换。且第一通道5031中设有安装腔508，安装腔508远离狭窄通道口505的腔壁向狭窄通道口505延伸而成固定件509，固定件509的自由端固定磁致伸缩体的固定端。
由上述可知，没有局限于门阀的位置，通过控制电路和伸缩头的配合，使伸缩头伸长或缩短，进而打开或关闭吸嘴中的真空通道，使吸嘴在真空和非真空状态间进行转换，进而完成对位于承载基板上的微元件进行吸取和转移，并将微元件释放至接收基板上的转移过程。通过该转移装置能可靠高效地批量转移微元件。此外，通过单独控制每个吸嘴中真空通道的堵塞或畅通，能够实现对每个吸嘴的精确控制，有利于精确的定位坏点，以方便对坏点进行修复。
请参阅图6，图6是本申请提供的微元件的转移方法一实施方式的流程示意图，该转移方法主要包括如下步骤：
步骤61：将吸嘴移动至微元件处。
在对微元件进行转移时要先将吸嘴移动至需进行转移的微元件处，也即要先将转移装置移动至微元件处。
步骤62：通过控制电路改变伸缩头的长度/横截面面积，以使真空通道畅通，并对真空通道进行抽真空处理。
在一个具体实施方式中，请参阅图1，通过控制电路对位于磁致伸缩体1041外围的电感线圈1042施加脉冲交变电流时，电感线圈1042周围产生磁场，从而使位于磁场中的磁致伸缩体1041从第一长度伸长为第二长度，进而磁致伸缩体1041推动挡板离开狭窄通道口105以使真空通道103畅通，此时通过狭窄通道口105对第二通道1032进行抽真空操作使第二通道1032的气体压强低于大气压强，进而通过吸取开口110吸取微元件101。
步骤63：通过控制电路改变伸缩头的长度/横截面面积，以使真空通道堵塞，并对微元件进行转移。
在一个具体实施方式中，请参阅图1，当用于吸取微元件101的气体压强差达到预定值后，控制电路不输出脉冲交变电流至电感线圈1042，电感线圈1042不产生磁场，从而磁致伸缩体1041由第二长度缩短为第一长度时，此时挡板堵塞在狭窄通道口105邻近第二通道1032一侧，以使挡板堵塞真空通道103，即此时第二通道1032达到预定的真空状态，不用进行真空操作，并通过吸嘴102将微元件101转移至接收基板处。
步骤64：通过:控制电路改变伸缩头的长度/横截面面积，以使真空通道畅通，以释放微元件。
在一个具体实施方式中，请参阅图1，当通过吸嘴102将微元件101转移到接收基板时，对电感线圈1042施加脉冲交变电流产生磁场使磁致伸缩体1041从第一长度伸长为第二长度，进而磁致伸缩体1041推动挡板离开狭窄通道口105以使真空通道103畅通，此时不进行真空操作，外界大气通过狭窄通道口105进入第二通道1032使第二通道1032的气体压强等于外界大气压强，第二通道1032为非真空状态，从而微元件101得以被释放至接收基板上。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的转移装置通过控制电路和伸缩头的配合，使伸缩头伸长/膨胀或缩短/收缩，进而打开或关闭吸嘴中的真空通道，使吸嘴在真空和非真空状态间进行转换，进而完成对位于承载基板上的微元件进行吸取和转移，并将微元件释放至接收基板上的转移过程。通过本申请的转移装置能可靠高效地批量转移微元件。另外，本申请能够实现对每个吸嘴的精确控制，有利于精确的定位坏点，以方便对坏点进行修复。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (12)

1.一种微元件的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括：
至少一个吸嘴，所述吸嘴具有真空通道；
至少一个控制电路及至少一个伸缩头，所述伸缩头耦接所述控制电路，且位于所述真空通道内；
所述控制电路用于控制改变所述伸缩头的长度/横截面面积，以使至少部分所述伸缩头或受所述伸缩头驱动的门阀堵塞所述真空通道，或反过来使所述真空通道畅通；其中，
响应于所述门阀为挡板，所述控制电路控制所述伸缩头为第二长度时，所述伸缩头推动所述挡板以使所述真空通道畅通或堵塞；或，
所述控制电路控制所述伸缩头的横截面面积膨胀，以使所述真空通道堵塞。
2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，
所述真空通道包括狭窄通道口，所述狭窄通道口将所述真空通道划分为第一通道和第二通道；
所述伸缩头为磁致伸缩头，所述磁致伸缩头包括磁致伸缩体及绕设于所述磁致伸缩体外围的电感线圈，所述电感线圈连接所述控制电路。
3.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，
所述磁致伸缩体的材料包括传统金属、传统金属合金或稀土合金超磁致伸缩材料。
4.根据权利要求3所述的转移装置，其特征在于，
所述传统金属包括纯镍，所述传统金属合金包括：镍钴合金、铁镍合金、铁铝合金、铁钴合金；所述稀土合金超磁致伸缩材料为以Tb1-XDyXFe2化合物为基的合金。
5.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，
所述门阀为挡板，所述挡板设置于所述第二通道内，所述挡板的面积大于或等于所述狭窄通道口的横截面积；
所述磁致伸缩体的固定端固定于第一通道中，所述磁致伸缩体的伸缩端从所述第一通道通过所述狭窄通道口进入所述第二通道，且与所述挡板靠近所述第一通道一侧直接接触；
所述控制电路控制所述磁致伸缩体为所述第二长度时，所述磁致伸缩体推动所述挡板离开所述狭窄通道口以使所述真空通道畅通；所述控制电路控制所述磁致伸缩体为第一长度时所述挡板堵塞在所述狭窄通道口邻近所述第二通道一侧，以使所述挡板堵塞所述真空通道。
6.根据权利要求5所述的转移装置，其特征在于，
所述挡板一端与所述狭窄通道口一端转动连接，所述狭窄通道口另一端形成第一阶梯，所述控制电路控制所述磁致伸缩体为所述第二长度时，所述磁致伸缩体推动所述挡板离开所述第一阶梯以使所述真空通道畅通；所述控制电路控制所述磁致伸缩体为所述第一长度时，所述挡板周缘卡合在所述第一阶梯上，以使所述挡板堵塞所述真空通道。
7.根据权利要求6所述的转移装置，其特征在于，
所述挡板周缘朝向所述第一阶梯一侧设有弹性密封体，或所述第一阶梯上设有弹性密封体，或所述挡板为弹性挡板。
8.根据权利要求7所述的转移装置，其特征在于，
所述弹性密封体的材料包括聚二甲基硅氧烷、全氟聚醚、聚四氢呋喃、聚环氧乙烷、聚氧杂环丁烷、聚异戊二烯、聚丁二烯、基于氟烯烃的含氟弹性体中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的转移装置，其特征在于，所述弹性密封体的材料为聚二甲基硅氧烷。
10.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，
所述门阀设置于所述第一通道内；
所述控制电路用于输出脉冲电流至所述电感线圈以使所述磁致伸缩体从第一长度伸长至所述第二长度时，受所述磁致伸缩体驱动的所述门阀堵塞所述狭窄通道口，以及不输出脉冲电流至所述电感线圈以使所述磁致伸缩体保持在所述第一长度或从所述第二长度缩短至所述第一长度时，打通狭窄通道口。
11.根据权利要求5或10所述的转移装置，其特征在于，
所述门阀一端与所述狭窄通道口一端转动连接，所述狭窄通道口另一端形成第二阶梯，所述门阀另一端周缘搭接在所述第二阶梯上，以使所述门阀堵塞所述真空通道。
12.一种微元件的转移方法，其特征在于，采用权利要求1至权利要求11任一项所述的转移装置，所述转移方法包括：
将吸嘴移动至所述微元件处；
通过控制电路改变伸缩头的长度/横截面面积，以使真空通道畅通，并对所述真空通道进行抽真空处理，使得所述微元件被吸附；
通过所述控制电路改变所述伸缩头的长度/横截面面积，以使所述真空通道堵塞，并对所述微元件进行转移；
通过所述控制电路改变所述伸缩头的长度/横截面面积，以使所述真空通道畅通，以释放所述微元件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM459093U (zh) * 2013-03-21 2013-08-11 Raden Automatic Co Ltd 物件擷取裝置
CN107039298A (zh) * 2016-11-04 2017-08-11 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN207402796U (zh) * 2017-03-07 2018-05-25 迅得机械（东莞）有限公司 一种吸取装置的持压结构

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