CN111196050B - 液晶聚合物薄膜的加工方法及其装置 - Google Patents

Abstract

液晶聚合物薄膜的加工方法，包括以下步骤：提供金属基板、提供液晶聚合物薄膜、压合液晶聚合物薄膜和金属基板，以形成复合板、在特定温度下加热复合板、以及将加热后的液晶聚合物薄膜从复合板分离，获得加工后的液晶聚合物薄膜。本发明同时提供液晶聚合物的加工装置，包含压合组件、输送组件、加热组件、以及分离组件。本揭示内容提供如上所述的提升液晶聚合物薄膜熔点(或液晶态过渡温度)的方法以及装置，以得到具有不同熔点(或液晶态过渡温度)的液晶聚合物薄膜。

Description

液晶聚合物薄膜的加工方法及其装置

技术领域

本揭示内容是关于一种液晶聚合物薄膜的加工方法及装置，具体来说，是关于提升液晶聚合物薄膜的熔点温度或液晶态过渡温度的加工方法及装置。

背景技术

由于液晶聚合物薄膜具有优良的低吸湿性、耐热性、耐化学试剂性及介电性质，其作为印制电路板等中的介电材料可以减少阻容延迟(RC delay)所产生的不良影响，因此液晶聚合物薄膜的商品化正迅速地发展。然而，在制作多层板时，由于每一叠层中的介电层与热源的距离不同，所以在历经高温压合时所受的热则会不一致，在相同介电层熔点(或液晶态过渡温度)之下，将造成介电层之间性质的差异。因此，如何提升液晶聚合物薄膜熔点(或液晶态过渡温度)，取得不同熔点(或液晶态过渡温度)的液晶聚合物薄膜，是待改进的问题。

发明内容

为了达到上述目的，本揭示内容的一目的在于提供液晶聚合物薄膜的加工方法，包括以下步骤：提供基板、提供液晶聚合物薄膜、压合液晶聚合物薄膜和基板，以形成复合板、在特定温度下加热复合板、以及将加热后的液晶聚合物薄膜从复合板分离，获得加工后的液晶聚合物薄膜。

根据本揭示内容一实施方式，基板包含表面平整且没有经过图案化处理的金属基板。

根据本揭示内容一实施方式，金属基板包含图案化金属基板。

根据本揭示内容一实施方式，图案化金属基板包含凹槽以及两个条状平台，条状平台分别凸设于凹槽的两侧。

根据本揭示内容一实施方式，图案化金属基板步骤更包含多个开口位于凹槽的两侧，开口与凹槽连通且凹陷于此些条状平台。

根据本揭示内容一实施方式，压合液晶聚合物薄膜和金属基板步骤包括将液晶聚合物薄膜压合于图案化金属基板的该凹槽中。

根据本揭示内容一实施方式，压合后的液晶聚合物薄膜低于条状平台的顶表面。

根据本揭示内容一实施方式，压合液晶聚合物薄膜和金属基板步骤之后，加工方法更包含将复合板滚成卷。

根据本揭示内容一实施方式，压合液晶聚合物薄膜和金属基板、在特定温度下加热复合板步骤、以及将加热后的液晶聚合物薄膜从复合板分离的步骤之间，以连续式输送复合板。

根据本揭示内容一实施方式，压合液晶聚合物薄膜和金属基板步骤以及在特定温度下加热复合板步骤为同时进行。

根据本揭示内容一实施方式，在特定温度下加热复合板步骤中，加热时间介于1小时至24小时之间。

根据本揭示内容一实施方式，在特定温度下加热复合板步骤，特定温度低于加热前的液晶聚合物薄膜的熔点温度或液晶态过渡温度。

根据本揭示内容一实施方式，在特定温度下加热复合板步骤更包含在特定温度下连续多阶段的加热复合板。

根据本揭示内容一实施方式，连续多阶段的加热步骤中，每一次的加热温度高于前一次的加热温度。

根据本揭示内容一实施方式，将加热后的液晶聚合物薄膜从复合板分离步骤中，包含使用剥离辊，利用上下剥离辊，从复合板将液晶聚合物薄膜分离出来。

为了达到上述目的，本揭示内容的另一目的在于提供液晶聚合物的加工装置，包含压合组件、输送组件、加热组件、以及分离组件。压合组件配置以压合液晶聚合物薄膜和基板，以形成复合板。输送组件用以经由一路径输送复合板，其中路径以压合组件作为起始位。加热组件，设置于压合组件之中，或是输送复合板的路径的至少一侧或其组合，并用以在特定温度下加热复合板。分离组件，位于输送组件输送复合板的路径终端，用以将加热后的液晶聚合物薄膜从复合板分离。

根据本揭示内容一实施方式，液晶聚合物薄膜包含热塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜。

根据本揭示内容一实施方式，可溶性液晶聚合物包括如下式(I)所示的重复单元：

其中Ar可为1,4-苯撑基(1,4-phenylene)、1,3-苯撑基(1,3-phenylene)、2,6-萘基(2,6-naphthalene)、或4,4′-亚联苯基(4,4′-biphenylene)；Y可为O或NH；且X可为氨基(amino)、酰胺基(amide group)、亚胺基(imido或imino)、脒基(amidino)、氨基羰基氨基(aminocarbonylamino)、氨基硫代羰基(aminothiocarbonyl)、氨基羰基氧基(aminocarbonyloxy)、氨基磺酰基(aminosulfonyl)、氨基磺酰氧基(aminosulfonyloxy)、氨基磺酰基氨基(aminosulfonylamino)、羧酸酯(carboxyl ester)、(羧酸酯)氨基((carboxyl ester)amino)、(烷氧基羰基)氧基((alkoxycarbonyl)oxy)、烷氧基羰基(alkoxycarbonyl)、羟胺基(hydroxyamino)、烷氧基氨基(alkoxyamino)、氰氧基(cyanato)、异氰酸基(isocyanato)或其组合。

根据本揭示内容一实施方式，基板包含金属基板。

根据本揭示内容一实施方式，基板为表面平整且没有经过图案化处理的金属基板。

根据本揭示内容一实施方式，压合组件包含上辊轮及下辊轮。

根据本揭示内容一实施方式，输送组件包含辊轮组。

根据本揭示内容一实施方式，加热组件包含红外线灯管。

根据本揭示内容一实施方式，加热组件沿着路径中相对于压合组件由近至远依序分布，形成多个加热区域，个别加热区域具有不同的特定温度，当加热区域越接近路径终端，则加热区域的特定温度越高。

根据本揭示内容一实施方式，特定温度低于加热前的液晶聚合物薄膜的熔点温度或液晶态过渡温度。

根据本揭示内容一实施方式，分离组件包含剥离辊。

上述发明内容旨在提供本揭示内容的简化摘要，以使阅读者对本揭示内容具备基本的理解。此发明内容并非本揭示内容的完整概述，且其用意并非在指出本发明实施例的重要/关键特征或界定本发明的范围。

附图说明

为让本揭示内容的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1A至图4为绘示本揭示内容的一实施方式的制造液晶聚合物薄膜在制程不同阶段中的侧视示意图；

图5为绘示本揭示内容的另一实施方式的制造液晶聚合物薄膜的侧视示意图；

其中，符号说明：

110：图案化金属基板 110T：厚度

112：凹槽 112D：深度

113：条状平台 114：开口

120：液晶聚合物薄膜 130：第一复合板

140：金属基板 150：第二复合板

160：压合组件 r1：上辊轮

r2：下辊轮 170：输送组件

180：加热组件 Z1：第一加热区域

Z2：第二加热区域 Z3：第三加热区域

Z4：第四加热区域 Z5：第五加热区域

182：红外线灯管 190：分离组件

r3：上剥离辊 r4：下剥离辊。

具体实施方式

为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本揭示内容的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本揭示内容具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。除非内容中有其他清楚的指称，本文所使用的单数词包含复数的指称对象。透过参考「一实施方式」这样特定的指称，在至少其中之一的本案揭示内容的实施方式中，表示一种特定的特征、结构或特色，因此在各处的「在一实施方式」，这样的片语透过特别的指称出现时，并不需要参考相同的实施方式，更进一步，在一或多实施方式中，这些特别的特征、结构、或特色可以依合适的情况相互组合。

在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本揭示内容的实施例。在其他情况下，为简化图式，熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。

于本文中通篇所使用的词汇一般代表其通常的意涵，至于一些特殊词汇会在下文中具体定义，以提供实践者额外的指引。为了方便起见，某些词汇可能被特别标示，例如使用斜体与/或引号。不论它是否被特别标示，其词汇的范围和含义不受任何影响，与平常词汇的范围和含义是相同的。相同的事情可以被一种以上的方式所描述是可以被理解的。因此，用于一个或多个的术语的替代语言与同义词可能会在本文中所使用，而其不是要阐述一个词汇在本文所论述的内容有其任何特殊的意义。某些词汇的同义词将被使用，重复的使用一个或多个同义词，并不会排除使用其他同义词。本说明书内所讨论的任何例证只用来作解说的用途，并不会以任何方式限制的本揭示内容或其例证的范围和意义。同样地，本揭示内容并不受限于本说明书中所提出的各种实施例。

于本文中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则『一』与『该』可泛指单一个或多个。将进一步理解的是，本文中所使用的『包含』、『包括』、『具有』及相似词汇，指明其所记载的特征、整数、步骤、与/或操作，但不排除其所述或额外的其一个或多个其它特征、整数、步骤、与/或操作。

关于本文中所使用的『约』一般通常是指数值的误差或范围约百分之二十以内，较好地是约百分之十以内，而更佳地则是约百分之五以内。文中若无明确说明，其所提及的数值皆视作为近似值，即如『约』所表示的误差或范围。

在本揭示内容中，对于本揭示内容所使用的液晶聚合物薄膜不作特别的限定，举例来说，液晶聚合物薄膜可为热塑性液晶聚合物和/或可溶性液晶聚合物。

在多个实施例中，热塑性液晶聚合物的原料成分具体可以分类成以下四类：

第一类：芳香族或脂肪族二羧酸(请参照下表一)

第二类：芳香族羟基羧酸(请参照下表二)

第三类：芳香族或脂肪族二羟基化合物(请参照下表三)

第四类：芳香族二胺、芳香族羟基胺或芳香族氨基羧酸(请参照下表四)

由上述表一至表四的原料化合物获得的液晶高分子的代表例可列举具有如下表五所绘示的结构单元的共聚物(a)至(e)。

表五、热塑性液晶聚合物的代表例

在多个实施例中，可溶性液晶聚合物包括如下式(I)所示的重复单元：

其中Ar可为1,4-苯撑基(1,4-phenylene)、1,3-苯撑基(1,3-phenylene)、2,6-萘基(2,6-naphthalene)、或4,4′-亚联苯基(4,4′-biphenylene)；Y可为O或NH；且X可为氨基(amino)、酰胺基(amide group)、亚胺基(imido或imino)、脒基(amidino)、氨基羰基氨基(aminocarbonylamino)、氨基硫代羰基(aminothiocarbonyl)、氨基羰基氧基(aminocarbonyloxy)、氨基磺酰基(aminosulfonyl)、氨基磺酰氧基(aminosulfonyloxy)、氨基磺酰基氨基(aminosulfonylamino)、羧酸酯(carboxyl ester)、(羧酸酯)氨基((carboxyl ester)amino)、(烷氧基羰基)氧基((alkoxycarbonyl)oxy)、烷氧基羰基(alkoxycarbonyl)、羟胺基(hydroxyamino)、烷氧基氨基(alkoxyamino)、氰氧基(cyanato)、异氰酸基(isocyanato)或其组合，但并不以此为限。

本揭示内容的一态样是提供液晶聚合物薄膜的加工方法，包括以下步骤：提供基板；提供液晶聚合物薄膜；压合液晶聚合物薄膜和基板，以形成复合板；在特定温度下加热复合板；以及将加热后的液晶聚合物薄膜从复合板分离，获得加工后的液晶聚合物薄膜。加热后的液晶聚合物薄膜的熔点高于加热前的液晶聚合物薄膜的熔点，藉由此加工方法，以得到具有不同熔点(或液晶态过渡温度)的液晶聚合物薄膜，即可应用于接收不同热量的介电层，以提升各叠层介电层间的性质稳定度。图1A、图1B、图2、图3及图4是根据本揭示内容的一实施方式的制造液晶聚合物薄膜在制程不同阶段中的侧视示意图，图5是根据本揭示内容的另一实施方式的制造液晶聚合物薄膜的侧视示意图。

请参阅图1A、图1B以及图5，在本揭示内容的一些实施例中，基板可包含金属基板140(例如：表面平整且没有经过图案化处理的金属基板)或是图案化金属基板110，请再参阅图1A及图1B。具体的说，图案化金属基板110具有一凹槽112。应注意，凹槽112并不会穿透图案化金属基板110，且凹槽112是沿着图案化金属基板110的长边延伸并用以置放后续制程中的液晶聚合物薄膜。在一些实施例中，图案化金属基板110可以为铜基板、铝基板、镍基板、钯基板或锡基板，但不以此为限。图案化金属基板110的厚度110T没有特别的限定，举例来说厚度110T可为100μm至500μm，例如为150μm、200μm、250μm、300μm、350μm、400μm或450μm。凹槽112的深度112D亦没有特别的限定，举例来说深度112D可为50μm至250μm，例如为75μm、100μm、125μm、150μm、175μm、200μm或250μm。可以理解的是，图案化金属基板110的厚度110T及凹槽112的深度112D可依据在后续制程中的液晶聚合物薄膜的厚度而调整。

在一实施例中，提供图案化金属基板110之前，可以在一表面平整的金属基板上形成第一光阻，并藉由微影蚀刻制程去除金属基板中央的部分金属以形成如图1A所绘示的图案化金属基板110。也就是说，图1A所绘示的图案化金属基板110包含一凹槽112以及两个条状平台113，条状平台113分别凸设于凹槽112的两侧。

在另一实施例中，可以在一表面平整的金属基板上形成第二光阻，并藉由微影蚀刻制程去除金属基板中央及两侧的部分金属以形成如图1B所绘示的图案化金属基板110。也就是说，图1B所绘示的图案化金属基板110除了包含有凹槽112之外，还包含多个开口114位于凹槽112的两侧，且开口114与凹槽112连通。在某些实例中，位于凹槽112的两侧的开口114可以对称设置也可以不对称设置。

本揭示内容的一些实施例中，压合液晶聚合物薄膜120和图案化金属基板110，以形成第一复合板130，请参阅图2。具体的说，液晶聚合物薄膜120是压合于图案化金属基板110的凹槽112中。在一些实施例中，液晶聚合物薄膜120可以为热塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜。应注意，在此步骤中所使用的尚未进行任何加工处理前的热塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜各自具有一熔点或液晶态过渡(Liquid CrystalTransition)温度。须说明的是，此熔点和液晶态过渡温度皆可利用差示扫描量热计对出现主吸热峰的温度进行测定而求得。在一些实施例中，压合液晶聚合物薄膜和金属基板步骤以及在特定温度下加热复合板步骤是为同时进行，如图2所示，可以藉由压合组件160，例如上辊轮r1对下辊轮r2(roll-to-roll)的方式输送，一边加热一边使其通过一对的加压上辊轮r1和下辊轮r2之间而连续地进行热压合的方式。在一些实施例中，请参阅图3，压合液晶聚合物薄膜和金属基板步骤之后可更包含将压合后的第一复合板130滚成卷，以利转移至下一热处理制程中。此外，由于液晶聚合物薄膜120位于图案化金属基板110的凹槽112中，因此成卷的第一复合板130可以藉由两侧凸起的部分将液晶聚合物薄膜120彼此分离。

在另一实施例中，若选择压合具有约50微米厚度的液晶聚合物薄膜120，则可使用厚度约为150微米的图案化金属基板110并蚀刻出具有约75微米深度的凹槽112。在另一实施例中，若选择压合具有约80微米厚度的液晶聚合物薄膜120，则可使用厚度约为200微米的图案化金属基板110并蚀刻出具有约100微米深度的凹槽112。应注意，压合后，位于凹槽112中的液晶聚合物薄膜120需低于条状平台113的顶表面，以避免成卷的第一复合板130于后续加热时，液晶聚合物薄膜120沾粘至图案化金属基板110。以上仅为示例，可以根据液晶聚合物薄膜120的厚度来搭配不同的图案化金属基板110的厚度及其凹槽112的深度。

本揭示内容的一些实施例中，在特定温度下加热复合板步骤，加热时间介于1小时至24小时之间，其中特定温度为低于加热前的液晶聚合物薄膜120的熔点温度或液晶态过渡温度。应注意，此步骤可以提高复合板中液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度。在一些实施例中，可以加热1小时、2小时、3小时、4小时、5小时、6小时、7小时、8小时、9小时、10小时、11小时、12小时、13小时、14小时、15小时、16小时、17小时、18小时、19小时、20小时、21小时、22小时、23小时或24小时。藉由这样长时间的热处理，可以增加液晶聚合物薄膜内的分子量，进而提升液晶聚合物薄膜的熔点或液晶态过渡温度。因此，可以理解的是，加热的时间越长，复合板中加热后的液晶聚合物薄膜的熔点或液晶态过渡温度提升的越高。

在一些实施例中，可以在加热组件(例如，热风循环炉、陶瓷加热器或烘箱)中执行加热复合板步骤。请参阅图3，在实际操作上，由于部分加热组件180(例如，烘箱)的空间有限，因此可直接将成卷的第一复合板130置于加热组件180中进行长时间加热。可以理解的是，为了让成卷的液晶聚合物薄膜120内外皆平均受热，图案化金属基板110成为了良好的热传导媒介，使得中心处与外围的液晶聚合物薄膜120之间的温差缩小。须强调的是，若第一复合板130中的图案化金属基板110如图1B以及图2所绘示，则热空气可以藉由开口114直接进入凹槽112并加热液晶聚合物薄膜120，这种设计可以使得中心处与外围的液晶聚合物薄膜120之间的温差更小。

在一实施例中，请继续参阅图3，特定温度可以是低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)30℃、低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)25℃、低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)20℃、低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)15℃、低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)10℃或低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)5℃，但不以此为限。应注意，特定温度不可以超过加热前液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度。

在另一实施例中，可以对复合板进行连续多阶段的加热处理。举例来说，第一次：使用低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)30℃的温度加热复合板约2小时；第二次：使用低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)20℃的温度加热复合板约3小时；以及第n次：使用低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)5℃的温度加热复合板约1小时。应注意，在连续多阶段的加热处理中，每一次的加热温度需高于前一次的加热温度，但是，加热时间则可以根据需求而调整。

本揭示内容的一些实施例中，将加热后的液晶聚合物薄膜120从复合板分离出来的步骤，请参阅图4。在一实施例中，分离的方法不做特别的限定，但如图4所示，可以使用剥离辊190，即利用上下剥离辊r3和r4从第一复合板130将加热后液晶聚合物薄膜120分离出来。须说明的是，加热后的液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度是高于加热前的液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度。

本揭示内容的一些实施例中，加工方法可连续式的进行。即，在压合液晶聚合物薄膜和金属基板步骤、特定温度下加热复合板步骤、以及将加热后的液晶聚合物薄膜从复合板分离的步骤之间，以连续式输送复合板。请参考图5，首先，压合液晶聚合物薄膜120和金属基板140，以形成第二复合板150。接着，在特定温度下加热第二复合板150。而后，将加热后的液晶聚合物薄膜120从第二复合板150分离，获得加工后的液晶聚合物薄膜120。在前述步骤间，使用输送组件170以连续式输送第二复合板150。需注意的是，非连续式进行与连续式进行的不同之处在于：连续式进行的每一步骤都可以在同一个加工装置下连续制造。另外，在一些实施例中，金属基板140为表面平整且没有经过图案化处理。

本揭示内容的另一态样是提供液晶聚合物的加工装置，可连续式的进行液晶聚合物的加工，加工装置包含压合组件160、输送组件170、加热组件180、以及分离组件190(如图5所示)。压合组件160用以压合液晶聚合物薄膜120和基板(例如金属基板140)，以形成复合板。输送组件170，用以经由路径输送复合板，而路径以压合组件160作为起始位。加热组件180，设置于压合组件160之中，或是输送复合板的路径的至少一侧或其组合，并用以在特定温度下加热复合板。分离组件190，位于输送组件170输送复合板的路径终端，用以将加热后的液晶聚合物薄膜120从复合板分离。

在本揭示内容的一些实施例中，首先，压合组件160可压合液晶聚合物薄膜120和金属基板140，以形成复合板。在一些实施例中，液晶聚合物薄膜120可以为热塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜。基板用以支撑液晶聚合物薄膜，可以为金属基板(例如：铜基板、铝基板、镍基板、钯基板或锡基板)，但不以此为限。应注意，在此步骤中所使用的尚未进行任何加工处理前的热塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜各自具有一熔点或液晶态过渡(LC Transition)温度。须说明的是，此熔点和液晶态过渡温度皆可利用差示扫描量热计对出现主吸热峰的温度进行测定而求得。在一些实施例中，请参阅图5，金属基板140为表面平整且没有经过图案化处理，在压合液晶聚合物薄膜120和表面平整且没有经过图案化处理的金属基板140后，形成第二复合板150。在一些实施例中，压合组件160包含上辊轮及下辊轮，如图5所示，压合组件160可以藉由上辊轮r1对下辊轮r2(roll-to-roll)的方式输送，一边加热一边使其通过一对加压辊轮(即r1和r2)之间而连续地进行热压合。

在本揭示内容的一些实施例中，输送组件170经由一路径输送复合板，其中路径涵盖范围包含压合组件160、加热组件180及分离组件190。在一些实施例中，输送组件170包含输送台或辊轮组，如图5所示，辊轮组经由旋转牵动第二复合板150，沿前述路径输送第二复合板150。

在本揭示内容的一些实施例中，如图5所示，加热组件180包含一红外线灯管182，加热组件180可利用红外线灯管182对第二复合板150进行热处理。在一些实施例中，加热组件180在特定温度下加热复合板的加热时间介于1至24小时之间，其中特定温度为低于加热前的液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度温度。应注意，此步骤可以提高复合板中液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度。在一些实施例中，可以加热1小时、2小时、3小时、4小时、5小时、6小时、7小时、8小时、9小时、10小时、11小时、12小时、13小时、14小时、15小时、16小时、17小时、18小时、19小时、20小时、21小时、22小时、23小时或24小时。藉由这样长时间的热处理，可以增加液晶聚合物薄膜120内的分子量，进而提升液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度。因此，可以理解的是，加热的时间越长，复合板中加热后的液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度提升的越高。

在一些实施例中，加热组件沿着路径中相对于压合组件由近至远依序分布，形成至少一加热区域。在一些实施例中，可形成多个加热区域，如图5所示，此连续式的加工装置依序包含五个加热区域Z1、Z2、Z3、Z4和Z5。更具体的说，每个加热区域(Z1、Z2、Z3、Z4和Z5)包含多个红外线灯管182。

在一些实施例中，如图5所示，每个加热区域(Z1、Z2、Z3、Z4和Z5)皆使用特定温度加热第二复合板150，举例来说，此特定温度可以是低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)30℃、低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)25℃、低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)20℃、低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)15℃、低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)10℃或低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)5℃，但不以此为限。应注意，特定温度不可以超过加热前液晶聚合物薄膜120的熔点或液晶态过渡温度。

在一些实施例中，如图5所示，多个加热区域可以对第二复合板150进行连续多阶段的加热处理。举例来说，第一加热区域Z1：使用低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)30℃的温度加热第二复合板150约4小时；第二加热区域Z2：低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)25℃的温度加热第二复合板150约6小时；第三加热区域Z3：使用低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)20℃的温度加热第二复合板150约2小时；第四加热区域Z4：使用低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)15℃的温度加热第二复合板150约3小时；以及第五加热区域Z5：使用低于加热前液晶聚合物薄膜120熔点(或液晶态过渡温度)10℃的温度加热第二复合板150约1小时。应注意，在连续多阶段的加热处理中，每一次的加热温度需高于前一次的加热温度，但是，加热时间则可以根据需求而调整。也就是，个别加热区域具有不同的特定温度，当加热区域越接近路径终端(即路径中相对于压合组件160的较远端)，则加热区域的特定温度越高。

在本揭示内容的一些实施例中，分离组件190可将加热后的液晶聚合物薄膜120从复合板分离出来。在一些实施例中，分离的方法不做特别的限定，但如图5所示，分离组件190可使用剥离辊，即，上下剥离辊r3和r4从第二复合板150将加热后液晶聚合物薄膜120分离出来。应注意，加热后的液晶聚合物薄膜120的熔点高于加热前的液晶聚合物薄膜120的熔点。

值得注意的是，本揭示内容中的液晶聚合物薄膜的加工方法可依据使用需求，以连续式或非连续式的方式进行，而本揭示内容中液晶聚合物薄膜的加工装置的每一步骤都可以连续式地进行。

综上所述，本揭示内容提供如上所述的提升液晶聚合物薄膜熔点(或液晶态过渡温度)的方法以及装置，以得到具有不同熔点(或液晶态过渡温度)的液晶聚合物薄膜。在应用上，如制作多层板，越靠近芯层(core layer)的介电层可以使用熔点越低的液晶聚合物薄膜，反之，远离芯层的介电层可以使用熔点(或液晶态过渡温度)越高的液晶聚合物薄膜。换句话说，即便每一叠层中的液晶聚合物薄膜所接受的热皆不一致，但是，由于每一叠层中的液晶聚合物薄膜具有不同的熔点(或液晶态过渡温度)，因此，各层介电层仍可以发挥其优点。

虽然本揭示内容已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本揭示内容，任何熟习此技艺者，在不脱离本揭示内容的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本揭示内容的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (20)

1.一种液晶聚合物薄膜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供图案化金属基板，其中该图案化金属基板包含一凹槽以及两个条状平台，该些条状平台分别凸设于该凹槽的两侧；

提供液晶聚合物薄膜；

压合该液晶聚合物薄膜于该图案化金属基板的该凹槽中，以形成复合板；在一温度下加热该复合板；以及

将加热后的该液晶聚合物薄膜从该复合板分离，获得加工后的该液晶聚合物薄膜。

2.如权利要求1所述的加工方法，其中该图案化金属基板更包含多个开口位于该凹槽的两侧，该开口与该凹槽连通且凹陷于该些条状平台。

3.如权利要求1所述的加工方法，其中压合后的该液晶聚合物薄膜低于该些条状平台的顶表面。

4.如权利要求1所述的加工方法，其中压合该液晶聚合物薄膜和该基板步骤之后，该方法更包含将该复合板滚成卷。

5.如权利要求1所述的加工方法，其中在压合该液晶聚合物薄膜于该图案化金属基板的该凹槽中、在该温度下加热该复合板步骤、以及将加热后的该液晶聚合物薄膜从该复合板分离的步骤之间，是以连续式输送该复合板。

6.如权利要求1所述的加工方法，其中压合该液晶聚合物薄膜和该基板步骤以及在该温度下加热该复合板步骤是为同时进行。

7.如权利要求1所述的加工方法，其中在该温度下加热该复合板步骤中，加热时间介于1小时至24小时之间。

8.如权利要求1所述的加工方法，其中在该温度下加热该复合板步骤，该温度低于加热前的该液晶聚合物薄膜的熔点温度或液晶态过渡温度。

9.如权利要求8所述的加工方法，其中在该温度下加热该复合板步骤更包含在该温度下连续多阶段的加热该复合板。

10.如权利要求9所述的加工方法，其中在该温度下连续多阶段的加热该复合板步骤中，每一次的加热温度高于前一次的加热温度。

11.如权利要求1所述的加工方法，其中将加热后的该液晶聚合物薄膜从该复合板分离步骤中，包含使用剥离辊，该剥离辊具有上下剥离辊，并利用上下剥离辊从该复合板将该液晶聚合物薄膜分离出来。

12.一种液晶聚合物的加工装置，其特征在于，包含：

压合组件，配置以压合液晶聚合物薄膜和图案化金属基板，以形成复合板，其中该图案化金属基板包含一凹槽以及两个条状平台，该些条状平台分别凸设于该凹槽的两侧；

输送组件，配置以经由一路径输送该复合板，其中该路径以该压合组件作为起始端；

加热组件，设置于该压合组件之中，或是设置于输送该复合板的该路径的至少一侧或其组合，并配置以在一温度下加热该复合板；以及

分离组件，位于该输送组件输送该复合板的该路径终端，配置以将加热后的该液晶聚合物薄膜从该复合板分离。

13.如权利要求12所述的加工装置，其中该液晶聚合物薄膜包含热塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜。

14.如权利要求13所述的加工装置，其中该可溶性液晶聚合物包括如下式(I)所示的重复单元：

其中Ar可为1,4-苯撑基、1,3-苯撑基、2,6-萘基、或4,4′-亚联苯基；Y可为O或NH；且X可为氨基、酰胺基、亚胺基、脒基、氨基羰基氨基、氨基硫代羰基、氨基羰基氧基、氨基磺酰基、氨基磺酰氧基、氨基磺酰基氨基、羧酸酯、(羧酸酯)氨基、(烷氧基羰基)氧基、烷氧基羰基、羟胺基、烷氧基氨基、氰氧基、异氰酸基或其组合。

15.如权利要求12所述的加工装置，其中该压合组件包含上辊轮及下辊轮。

16.如权利要求12所述的加工装置，其中该输送组件包含辊轮组。

17.如权利要求12所述的加工装置，其中该加热组件包含红外线灯管。

18.如权利要求12所述的加工装置，其中该加热组件沿着该路径中相对于该压合组件由近至远依序分布，形成多个加热区域，各该加热区域具有不同的该温度，当该些加热区域越接近该路径终端，则该加热区域的该温度越高。

19.如权利要求12所述的加工装置，其中该温度低于加热前的该液晶聚合物薄膜的熔点温度或液晶态过渡温度。

20.如权利要求12所述的加工装置，其中该分离组件包含剥离辊。

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