[go: up one dir, main page]

CN111190244B - 一种低透过率低反射率镀膜片 - Google Patents

一种低透过率低反射率镀膜片 Download PDF

Info

Publication number
CN111190244B
CN111190244B CN202010013282.4A CN202010013282A CN111190244B CN 111190244 B CN111190244 B CN 111190244B CN 202010013282 A CN202010013282 A CN 202010013282A CN 111190244 B CN111190244 B CN 111190244B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
substrate
metal
sputtering
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010013282.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111190244A (zh
Inventor
葛文志
王刚
王懿伟
矢岛大和
翁钦盛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Meidikai Photoelectric Technology Co ltd
Original Assignee
Hangzhou Meidikai Photoelectric Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Meidikai Photoelectric Technology Co ltd filed Critical Hangzhou Meidikai Photoelectric Technology Co ltd
Priority to CN202010013282.4A priority Critical patent/CN111190244B/zh
Publication of CN111190244A publication Critical patent/CN111190244A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111190244B publication Critical patent/CN111190244B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G02B1/115—Multilayers
    • G02B1/116—Multilayers including electrically conducting layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开了一种低透过率低反射率镀膜片制备方法，包括衬底基板，其特征在于，所述衬底基板表面镀有多层膜结构，所述的膜结构包括介电质膜和金属膜；所述衬底基板上不同所述金属膜的厚度随与所述衬底基板距离的增大而减小。本发明利用蒸镀工艺和溅射镀膜工艺，并通过在镀膜过程中调节金属材料蒸镀用量或金属靶材溅射用量来控制每层金属膜层的厚度，从而实现低透过率、低反射率镀膜片的制备，所用原料简单、容易配制，制备过程更加方便；由于制备过程中膜材料用量容易通过设备进行控制，故而制备出的镀膜片的膜厚度更加均匀，衬底基板镀膜过程在真空环境中进行，膜材料在衬底基板表面分布更加均匀；所制成品透过率低、反射率低，遮光效果好。

Description

一种低透过率低反射率镀膜片
技术领域
本发明涉及镀膜加工技术领域，尤其涉及一种低透过率低反射率镀膜片。
背景技术
近年来，随着科技发展，越来越多的人对拍照技术提出了更高的要求，有些摄影迷不惜一掷千金购买上万摄像设备，而有些日常随拍通过像素较高的手机便可以实现。不论是手机或是相机，它们的摄像头组成中都均有一个起遮光作用的遮光片，遮光片的遮光效果越好，拍摄出的照片效果越好；相反，如果遮光片遮光效果不好，就会出现漫反射现象，且会使拍出的照片产生光晕，进而影响照片拍摄质量；遮光片不仅能在相机上起着遮光作用，在屏下指纹上面也具有非常重要的作用，遮光片可以遮挡屏幕下指纹模块，起着美观的作用。
现有遮光片的透过率和反射率通常较高，遮光效果有待提高，且遮光片的结构较为复杂，不利于生产制备。
行业内，有通过油墨制备方法来制备低反射率、低透过率的遮光片(即镀膜片)，但是油墨制备过程比较繁琐，要先混合油墨，把油墨均匀涂抹在网板上，再把油墨刷到产品上，进行烘干，最后分割才可制得成品，需求原料复杂，而且成品膜厚度也不均匀。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种低透过率低反射率镀膜片，通过镀膜片上金属膜层与介电质膜层的搭配，以及不同金属膜层厚度的控制，使镀膜片具备低反射率、低透过率的特性。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种低透过率低反射率镀膜片，包括衬底基板，所述衬底基板表面镀有功能膜，所述的功能膜包括多层介电质膜和多层厚度递减的金属膜,即多层所述金属膜的厚度随与所述衬底基板距离的增大而减小。
优选地，所述镀膜片的透光率≤0.1％，反射率≤1.5％。
优选地，所述的介电质膜的厚度为20～300nm。
优选地，最靠近所述衬底基板的一层金属膜的厚度为100～300nm，之后每层所述金属膜的厚度减小量△D为1～230nm。
优选地，所述衬底基板最外层为二氧化硅材质的介电质膜。
优选地，所述介电质膜为二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽或五氧化二铌膜。
优选地，所述金属膜为钛、铬、银或铝膜。
优选地，所述衬底基板为水晶基板、玻璃基板、硅片基板或蓝宝石基板。
优选地，所述的镀膜片通过以下方法制备：
S1：将衬底基板放置到蒸镀设备的镀膜腔内的镀件夹上，并在100～300℃条件下对镀膜腔抽真空至1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度；
S2：将介电质膜材料和金属膜材料分别放入到相应的蒸发源中，相应蒸发源通过蒸发工艺将介电质膜源材料和金属膜源材料蒸镀到衬底基板上，并在衬底基板上形成多层层叠交错的介电质膜和金属膜，制得镀膜片成品；
其中，不同介电质膜层的蒸发工艺条件为：介电质膜材料在100～300℃和1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度条件下，以
Figure BDA0002357923020000021
的速率进行蒸发，其蒸发时间可根据需要蒸镀膜层的厚度来确定；不同金属膜层的蒸发工艺条件为：金属膜材料在100～300℃和1.0*10-3～2.3*10-3Pa条件下，蒸镀第一层金属膜以
Figure BDA0002357923020000022
的速率进行蒸发，其蒸发时间可根据需要蒸镀膜层的厚度来确定。
其中，介电质膜源材料为二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌中的一种或多种；金属膜源材料为钛、铬、银、铝中一种或多种；
S3：将制得的镀膜片成品取出。
优选地，所述的镀膜片通过以下方法制备：
A1：将金属靶材和介电质靶材安装在各自的靶台上；
A2：将衬底基板放置到溅射设备的基板转台上，并对溅射腔室抽真空至真空度达到1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度；
A3：对各靶材进行预溅射；
A4：依次打开所需溅射沉积靶材的靶电源，调整基板转台，在所述衬底基板上溅射沉积所需靶材，并在衬底基板上形成多层层叠交错的介电质膜和金属膜，制得镀膜片成品；
其中，溅射介电质靶材时，需同时向溅射腔室内通入氧气，以使被激发的介电质靶材在溅射过程中彻底氧化；溅射金属靶材前，将溅射腔室内氧气抽空，以防止被激发的金属靶材在溅射过程中被氧化；
A5：将制得的镀膜片成品取出；
其中，预溅射条件为：各靶材预溅射的时长2～10mim,电流20～50mA，电压300～600V；
其中，金属靶材为钛、铬、银、铝中一种或多种；介电质靶材为硅、钛、钽、铌中的一种或多种。
其中，各不同介电质膜层的溅射沉积条件为：介电质靶材在电流20～30mA，电压300～500V下，以
Figure BDA0002357923020000031
的速率进行溅射，溅射时长可根据需要溅射膜层的厚度来确定；
各不同金属膜层的蒸发工艺条件为：金属靶材在电流20～30mA，电压300～500V下，以
Figure BDA0002357923020000041
的速率进行溅射，溅射时长可根据需要溅射膜层的厚度来确定。
优选地，镀膜在所述衬底基板一侧的所述介电质膜和金属膜间隔或非间隔设置。
本发明的有益效果至少包括：
本发明通过镀膜片上金属膜层与介电质膜层的搭配，以及不同金属膜层厚度的控制，使镀膜片具备低反射率、低透过率的特性。
通过实验能够发现，衬底基板上的膜层，越靠近衬底基板的单层金属膜层越厚，越能够降低透过率，越远离衬底基板的单层金属膜层越薄，越能降低反射率，故此，本发明通过在靠近衬底基板表面的方向设置较厚的金属膜层，来降低镀膜片的透过率，通过在远离衬底基板表面的方向设置较薄的金属膜层，来降低镀膜片的反射率，从而使镀膜片的透过率小于0.1％、反射率小于1.5％，进而提高本镀膜片的遮光效果；另外，本遮光片结构简单，容易制备，制作成本低。
介电质膜的设置，是为了降低反射率，金属膜由于对光会有反射作用，越厚其反射越强，因此越远离衬底基板其设置地越薄，就是为了不让反射率升高，这样既能拥有金属膜特性，又能得到低反射率的镀膜片。
本发明利用蒸镀工艺和溅射镀膜工艺，并通过在镀膜过程中调节金属材料蒸镀用量或金属靶材溅射用量来控制每层金属膜层的厚度，从而实现低透过率、低反射率镀膜片的制备，所用原料简单、容易配制，制备过程更加方便；由于制备过程中膜材料用量容易通过设备进行控制，故而制备出的镀膜片的膜厚度更加均匀，衬底基板镀膜过程在真空环境中进行，膜材料在衬底基板表面分布更加均匀；所制成品透过率低、反射率低，遮光效果好。
附图说明
图1是镀膜片的结构示意图一。
图2是镀膜片的结构示意图二。
图3是本镀膜片的反射率图，波长400-1100nm，反射率小于1.5％。
图4是本镀膜片的透过率图，波长350-1150nm，透过率小于0.1％。
其中：1-衬底基板，2-介电质膜，3-金属膜。
具体实施方式
下面结合附图及实施方式对本发明做进一步说明。
实施例1
一种低透过率低反射率镀膜片，如图1至图4所示，包括衬底基板1，所述衬底基板1表面镀有功能膜，所述的功能膜包括多层介电质膜2和多层厚度递减的金属膜3，即所述衬底基板1上不同所述金属膜3的厚度随与所述衬底基板1距离的增大而减小。
介电质膜2的设置，主要是为了降低金属膜的反射率，而根据金属或金属膜的反射和透过率特性，金属膜3不仅透过率低，而且经过大量试验证明，金属膜3越靠近衬底基板1的膜层厚度越厚，越能够更好的降低透过率，离基板越远的金属膜层越薄，越能够降低反射率，通过多层金属膜3和介电质膜2间隔或非间隔的设置，从而能够使镀膜片具有低反射率和低透过率的性质。
进一步地，所述镀膜片的透光率≤0.1％，反射率≤1.5％。
进一步地，所述的功能膜的厚度为800～1000nm，优选900nm，其总镀膜层数为3～30层，优选8层，其中，所述的介电质膜2的厚度为20～300nm，优选70nm。这样设置，能够减小镀膜片的厚度，使其不容易翘起，应力小，方便后续加工。
进一步地，最靠近所述衬底基板1的一层金属膜3的厚度为100～300nm，优选200nm，之后每层所述金属膜3的厚度减小量△D为1～230nm，即衬底基板1上的金属膜3随与衬底基板1距离的增大而减小，且每相邻两个金属膜之间的厚度差为1～230nm。当然，介电质膜2和金属膜3的厚度也可根据需要进行调节，具体厚度减小量△D的确定，根据需要确定，在本实施例中△D优选30nm。
进一步地，所述衬底基板1最外层为二氧化硅介电质膜2，这样设置，由于二氧化硅材料稳定，能够防止与空气等反应，且其粘合力好，不容易掉落。
进一步地，所述介电质膜2为二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽或五氧化二铌膜。
进一步地，所述金属膜3为钛、铬、银或铝膜。
进一步地，所述衬底基板1为水晶基板、玻璃基板、硅片基板或蓝宝石基板。
进一步地，所述的镀膜片通过以下方法制备：
S1：将衬底基板1放置到蒸镀设备的镀膜腔内的镀件夹上，并在100～300℃条件下对镀膜腔抽真空至1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度，优选2.0*10-3Pa其中温度条件优选300℃；
S2：将介电质膜源材料和金属膜源材料分别放入到相应的蒸发源中，相应蒸发源通过蒸发工艺将介电质膜源材料和金属膜源材料蒸镀到衬底基板1上，并在衬底基板1上形成多层层叠交错的介电质膜2和金属膜3，制得镀膜片成品。其中每个金属膜3层的厚度可通过调节设备的镀膜时间和镀膜速率来确定(镀膜时间＝膜层厚度/镀膜速率)，其具体厚度可根据需要来设定。
其中，不同介电质膜层的蒸发工艺条件为：介电质膜材料在100～300℃和1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度条件下，以
Figure BDA0002357923020000061
的速率进行蒸发，其蒸发时间可根据需要蒸镀膜层的厚度来确定；其中介电质膜2蒸发优选条件为蒸发温度300℃，真空度2.0*10-3Pa，蒸镀速率
Figure BDA0002357923020000071
不同金属膜层的蒸发工艺条件为：金属膜材料在100～300℃和1.0*10-3～2.3*10-3Pa条件下，蒸镀第一层金属膜以
Figure BDA0002357923020000072
的速率进行蒸发，其蒸发时间可根据需要蒸镀膜层的厚度来确定；其中金属膜3蒸发优选条件为蒸发温度300℃，真空度2.0*10-3Pa，蒸镀速率
Figure BDA0002357923020000073
其中，介电质膜源材料可以选择二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌中的一种或多种；金属膜源材料可以选择钛、铬、银、铝中一种或多种；
S3：将制得的镀膜片成品取出
进一步地，参见图1、图2所示，镀膜在所述衬底基板1一侧的所述介电质膜2和金属膜3可以间隔设置，也可以非间隔设置，具体地，可以镀一层或几层金属膜3后，再镀一层或几层介电质膜2；或者镀一层或几层介电质膜2后，再镀一层或几层金属膜3，如此往复。在整个功能膜中，金属膜3层一般设置3～10层，在本实施例中优选7层，这样能够使镀膜片的具有更好的低透过率和低反射率。
实施例2
本实施例与实施例1基本相同，其不同之处在于，所述的镀膜片通过以下方法制备：
A1：将金属靶材和介电质靶材安装在各自的靶台上；
A2：将衬底基板放置到溅射设备的基板转台上，并对溅射腔室抽真空至真空度达到1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度，优选2.0*10-3Pa；
A3：对各靶材进行预溅射；
A4：依次打开所需溅射沉积靶材的靶电源，调整基板转台，在所述衬底基板1上溅射沉积所需靶材，并在衬底基板1上形成多层层叠交错的介电质膜2和金属膜3，制得镀膜片成品；其中每个金属膜3层的厚度可通过调节设备的溅射时间和溅射速率来确定(溅射时间＝膜层厚度/溅射速率)，其具体厚度可根据需要来设定。
其中，溅射介电质靶材时，需同时向溅射腔室内通入氧气，以使被激发的介电质靶材在溅射过程中彻底氧化，由于通入的氧气较少，故而对金属靶材的氧化可以忽略不计，铝耙材会被氧化的多点，一般在镀膜前都会清洗，为了清洗氧化层；溅射金属靶材前，将溅射腔室内氧气抽空，以防止被激发的金属靶材在溅射过程中被氧化；
A5：将制得的镀膜片成品取出；
其中，预溅射条件为：各靶材预溅射的时长2～10mim,电流20～50mA，电压300～600V，预溅射的优选条件为各靶材预溅射的时长6mi n，电流25mA，电压475V；
其中，金属靶材为钛、铬、银、铝中一种或多种；介电质靶材为硅、钛、钽、铌中的一种或多种；
其中，各不同介电质膜层的溅射沉积条件为：介电质靶材在电流20～50mA，电压300～600V下，以
Figure BDA0002357923020000081
的速率进行溅射，溅射时长可根据需要溅射膜层的厚度来确定；其中介电质膜2层溅射的优选条件为：介电质靶材的溅射电流为30mA，电压为475V，溅射速率为
Figure BDA0002357923020000082
各不同金属膜层的蒸发工艺条件为：金属靶材在电流20～50mA，电压300～600V下，以
Figure BDA0002357923020000083
的速率进行溅射，溅射时长可根据需要溅射膜层的厚度来确定；其中金属膜3层溅射的优选条件为：介电质靶材的溅射电流为25mA，电压为500V，溅射速率为
Figure BDA0002357923020000084
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域普通技术人员，在不脱离本发明精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属本发明的范畴，本发明专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (6)

1.一种低透过率低反射率镀膜片，包括衬底基板(1)，其特征在于，所述镀膜片的透光率≤0.1％，反射率≤1.5％，所述衬底基板(1)表面镀有功能膜，所述的功能膜包括多层介电质膜(2)和多层厚度递减的金属膜(3)，靠近所述衬底基板(1)的最内层为所述介电质膜(2)镀于所述衬底基板(1)的内表面，远离所述衬底基板(1)的最外层为二氧化硅介电质膜(2)；
所述的介电质膜(2)的厚度为20～300nm,最靠近所述衬底基板(1)的一层金属膜(3)的厚度为100～300nm，之后每层所述金属膜(3)的厚度减小量△D为1～230nm。
2.根据权利要求1所述的低透过率低反射率镀膜片,其特征在于，所述介电质膜(2)为二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽或五氧化二铌膜。
3.根据权利要求1所述的低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述金属膜(3)为钛、铬、银或铝膜。
4.根据权利要求1所述的低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述衬底基板(1)为水晶基板、玻璃基板、硅片基板或蓝宝石基板。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述的镀膜片通过以下步骤制备：
S1：将衬底基板(1)放置到蒸镀设备的镀膜腔内的镀件夹上，并在100～300℃条件下对镀膜腔抽真空至1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度；
S2：将介电质膜材料和金属膜材料分别放入到相应的蒸发源中，相应蒸发源通过蒸发工艺将介电质膜源材料和金属膜源材料蒸镀到衬底基板(1)上，并在衬底基板(1)上形成多层层叠交错的介电质膜(2)和金属膜(3)，制得镀膜片成品；
其中，介电质膜源材料为二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌中的一种或多种；金属膜源材料为钛、铬、银、铝中一种或多种；
S3：将制得的镀膜片成品取出。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述的镀膜片通过以下步骤制备：
A1：将金属靶材和介电质靶材安装在各自的靶台上；
A2：将衬底基板(1)放置到溅射设备的基板转台上，并对溅射腔室抽真空至真空度达到1.0*10-3～2.3*10-3Pa；
A3：对各靶材进行预溅射；
A4：依次打开所需溅射沉积靶材的靶电源，调整基板转台，在所述衬底基板(1)上溅射沉积所需靶材，并在衬底基板(1)上形成多层层叠交错的介电质膜(2)和金属膜(3)，制得镀膜片成品；
其中，溅射介电质靶材时，需同时向溅射腔室内通入氧气，以使被激发的介电质靶材在溅射过程中彻底氧化；溅射金属靶材前，将溅射腔室内氧气抽空，以防止被激发的金属靶材在溅射过程中被氧化；
A5：将制得的镀膜片成品取出；
其中，预溅射条件为：各靶材预溅射的时长2～10mim,电流20～50mA，电压300～600V；
其中，金属靶材为钛、铬、银、铝中一种或多种；介电质靶材为硅、钛、钽、铌中的一种或多种。
CN202010013282.4A 2020-01-07 2020-01-07 一种低透过率低反射率镀膜片 Active CN111190244B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010013282.4A CN111190244B (zh) 2020-01-07 2020-01-07 一种低透过率低反射率镀膜片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010013282.4A CN111190244B (zh) 2020-01-07 2020-01-07 一种低透过率低反射率镀膜片

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111190244A CN111190244A (zh) 2020-05-22
CN111190244B true CN111190244B (zh) 2021-10-08

Family

ID=70708390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010013282.4A Active CN111190244B (zh) 2020-01-07 2020-01-07 一种低透过率低反射率镀膜片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111190244B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111763016A (zh) * 2020-07-28 2020-10-13 光驰科技(上海)有限公司 一种低应力薄膜
CN112962064A (zh) * 2021-02-01 2021-06-15 国家纳米科学中心 一种耐高温光学反射膜及其制备方法和用途
CN117741836A (zh) * 2024-01-26 2024-03-22 杭州邦齐州科技有限公司 一种低透过、低反射防光晕输入窗及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206476892U (zh) * 2017-02-16 2017-09-08 东莞市群创薄膜科技有限公司 一种减反射镀膜玻璃
CN110418855B (zh) * 2017-03-17 2020-12-11 富士胶片株式会社 透明光学膜的制造方法及透明多层膜的制造方法
JP2019174796A (ja) * 2018-03-13 2019-10-10 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドＶｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ． 機能処理を施した光学層スタックを備えた光学デバイス
CN209778662U (zh) * 2019-03-22 2019-12-13 深圳市三束镀膜技术有限公司 一种镀膜玻璃

Also Published As

Publication number Publication date
CN111190244A (zh) 2020-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111190244B (zh) 一种低透过率低反射率镀膜片
US11314004B2 (en) Optical filters and methods for forming the same
TWI425244B (zh) 抗反射膜及其製成方法
JP4255617B2 (ja) 多層導電性反射防止コーティング
US20060274420A1 (en) Optical element and method for making the same
JP4623349B2 (ja) 薄膜型ｎｄフィルタおよびその製造方法
JP2002363745A (ja) スパッタによる膜の形成方法、光学部材、およびスパッタ装置
US20240274728A1 (en) Optical Filter Structure For Arbitrary Combination Of RGB And IR Wavelength Ranges And Its Manufacturing Method
JP2006227432A (ja) 光学フィルタの製造方法及びこれを用いた光学フィルタ並びに光量調整装置
JP4804830B2 (ja) 多層膜の成膜方法および成膜装置
WO2017107181A1 (zh) 增透膜及其制备方法
US20230070703A1 (en) Optical filter structure of arbitrary combination of uv, r, g, b, and ir, and manufacturing method thereof
CN113584448B (zh) 一种光学滤光片镀膜方法
JPH0925562A (ja) 反射防止多層薄膜およびその成膜方法並びにその成膜装置
CN107479116A (zh) 一种双面低反射铬膜系及其制备方法
CN110577369B (zh) 多层金属涂层Logo及其制备方法、玻璃基板和电子设备
JP2007316238A (ja) Ｎｄフィルタ
JP2019083020A (ja) 多層薄膜
JP7478721B2 (ja) 透明電極付き基板の製造方法
KR102194623B1 (ko) 반사/반사방지 영역을 갖는 무기 다층 필름 및 이의 제조방법
JP2006171645A (ja) 光学多層膜及び光学素子
KR20140100734A (ko) 은반사필름 제조방법
KR20140069837A (ko) 반사필름 제조방법
WO2024198115A1 (zh) 光学镜头
CN117127144A (zh) 镀膜方法及壳体

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant