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CN111052422A - 发光二极管、部件及相关方法 - Google Patents

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CN111052422A CN201880055722.3A CN201880055722A CN111052422A CN 111052422 A CN111052422 A CN 111052422A CN 201880055722 A CN201880055722 A CN 201880055722A CN 111052422 A CN111052422 A CN 111052422A
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T·古尔德
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Abstract

提供了发光二极管部件和器件，其具有反射材料的壁并且具有改善的性能和光束角。设置有发光二极管器件的反射材料被构造成通过改变其组成、厚度、位置和/或角度来优化光反射率。还提供了制造和组装具有反射材料和改进的性能的发光二极管部件和器件的方法。

Description

发光二极管、部件及相关方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年9月1日提交的美国专利申请15/694,591的权益，其全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本文公开的主题总体上涉及发光二极管(LED)、部件及相关方法。具体而言，本文公开的主题涉及利用裸片构型和部件来改善发射图案和照明性能的装置、部件、系统及方法。
背景技术
发光二极管或LED是将电能转换为光的固态装置。LED可用于光发射器件或部件中，以提供用于各种照明和光电应用的不同颜色和图案的光。光发射器件可以包括表面安装器件(SMD)，该表面安装器件可以直接安装到其下面的诸如印刷电路板(PCB)或金属芯印刷电路板(MCPCB)的电路部件或散热器的表面上。SMD可以包括被构造成直接安装到其下面的电路部件的底部电触头或引线。SMD可以用于各种LED灯泡和灯具应用中，并且正在开发作为白炽灯、磷光灯和金属卤化物高强度放电(HID)照明应用的替代品。
LED照明产品的制造商一直在寻找降低其成本的方法，以便给客户提供较低的初始成本并鼓励采用LED产品。期望以持续或增加的亮度水平结合较少原材料的器件和部件。此外，越来越期望以最佳输出和增强的性能发光的LED，尤其是在使用相同或更少的功率时。
因此，尽管在市场上可获得各种发光器件和部件，但仍然需要能够快速、有效、以较低的成本生产并且具有改善的性能特征的器件、部件和方法。
发明内容
根据本公开，本文提供并描述了具有改善的可制造性和定制性的基于基板的LED、部件及相关方法。本文描述的器件、部件及方法可以有利地表现出改善的加工时间、易于制造和/或较低的加工成本。本文描述的器件、部件及相关方法可以很好地适于各种应用，例如个人、工业和商业照明应用，包括例如灯泡和灯具产品和/或应用。在一些方面中，本文描述的器件、部件及相关方法可以包括改善的(例如，更便宜和更有效的)制造工艺和/或改善的光学特性，包括一致和均匀的光发射和颜色。
提供了诸如LED的固态照明装置、系统及相关方法。一种示例性装置可以包括例如：基座；一个或多个LED；以及反射材料(也被称为白壁)。本文公开的LED器件和部件可以具有被明显减小的光输出的光束角，从而改善光发射和输出特性。
通过在本文中所描述的主题，能够至少全部或部分地实现根据在本文中所公开内容变得显而易见的这些和其它目的。
附图说明
在本说明书的剩余部分更具体地阐述了本主题的完整并且可行的公开内容，包括参考与一个或多个实施例相关的附图，在附图中：
图1A至图1D是本文公开的LED器件的实施例的示意图，其中，图1A是LED器件的俯视图，图1B是图1A的LED器件的轮廓图，图1C和图1D是LED器件的截面图；
图2A和图2B是用于制造LED部件的示例性方法的流程图；
图3是用于制造LED部件的示例性方法的流程图；
图4A至图4C是LED部件和器件的截面图；
图5A至图5C是LED部件和器件的截面图；
图6A至图6D是LED部件和器件的截面图；
图7A和图7B是LED部件的图像；
图8A至图8C描绘了不具有反射材料的LED，其中，图8A和图8B是LED的图像，并且图8C是LED的示意性截面图；
图9A至图9C描绘了具有反射材料的LED，其中，图9A和图9B是LED的图像，并且图9C是LED的示意性截面图；
图10A至图10D是LED部件和器件的截面图；
图11A和图11B是如本文所公开的LED部件和器件的截面图；
图12A和图12B是如本文所公开的LED部件和器件的截面图；
图13是确认图14中的数据点的有效性的色彩空间图；以及
图14是LED器件的发射输出性能数据的曲线图，其示出了封装高度和亮度之间的关系。
具体实施方式
在一些方面中，在本文中所描述的固态照明装置、LED器件和/或系统以及其制造方法能够包括各种固态光发射器电构型、颜色组合和/或电路部件，以用于提供具有经改善的效率、经改善的发射曲线、经增强的输出和/或经优化的颜色产生的固态照明装置。诸如在本文中所公开的那些装置和方法有利地比一些其它解决方案成本更低、更有效、更生动、更均匀和/或更亮。
除非另外定义，否则在本文中所使用的术语应当被解读为具有与本领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，在本文中所使用的术语应当被解读为具有与本说明书和相关领域的上下文中的相应含义一致的含义，并且不应当以理想化或者过于正式的含义来解读，除非在本文中明确地如此定义。
在本文中参考作为本主题的理想化方面的示意性图示的截面视图、立体图、正视图和/或平面视图描述了本主题的各方面。由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化是可预期的，使得本主题的各方面不应当被解读为限于在本文中所图示的特定形状。该主题能够以不同的形式体现，并且不应当被解读为限于在本文中所阐述的特定方面或实施例。在附图中，为了清楚起见，能够夸大各层和区域的尺寸和相对尺寸。
除非明确记载缺少一个或多个元件，否则在本文中所所用的术语“包括”、“包含”和“具有”应当被解读为不排除存在一个或多个元件的开放式术语。在本说明书中，相似的附图标记始终指代相似的元素。
将理解，当例如层、区域或基板的元件被称为在另一个元件“上”时，该元件可以直接在另一个元件上，或者可以存在中间元件。此外，在本文中使用诸如“在...上”、“上方”、“上部”、“顶部”、“下方”或“底部”的相对术语来描述一个结构或部分与另一结构或部分的关系，如在附图中所示的。将理解，诸如“在...上”、“上方”、“上部”、“顶部”、“下方”或“底部”的相对术语旨在涵盖器件的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它结构或部分“上方”的结构或部分现在将被定向在其它结构或部分“下方”。
在本文中所使用的术语“(一个或多个)电激发发射器”和“(一个或多个)发射器”是同义术语，并且指代能够产生可见光或近可见光(例如，从红外光到紫外光)波长辐射的任何器件，例如包括但不限于：氙灯、汞灯、钠灯、白炽灯和固态发射器，包括LED或LED芯片、有机发光二极管(OLED)和激光器。
术语“(一个或多个)固态光发射器”、“(一个或多个)固态发射器”和“(一个或多个)光发射器”是同义术语，并且指代LED芯片、激光二极管、有机LED芯片和/或任何其它半导体设备，其优选被布置为包括：一个或多个半导体层的半导体芯片，其能够包括硅、碳化硅、氮化镓和/或其它半导体材料；基板，其能够包括蓝宝石、硅、碳化硅和/或其它微电子基板；以及一个或多个接触层，其能够包括金属和/或其它导电材料。
在本文中所使用的术语“组”、“段”、“串”和“集”是同义术语。如在本文中所使用的，这些术语通常描述多个LED如何电连接(诸如串联、并联、混合串联/并联)在互斥的组/段/集内的公共阳极中或者在共同阳极配置中。LED的段能够以多种不同方式来配置，并且可以具有与其相关联的不同功能的电路(例如，驱动器电路、整流电路、限流电路、分流器、旁路电路等)，例如，如在共同受让和共同待决的于2009年9月24日提交的美国专利申请12/566195、于2013年2月15日提交的美国专利申请13/769273、于2013年2月15日提交的美国专利申请13/769277、于2011年9月16日提交的美国专利申请13/235103、于2011年9月16日提交的美国专利申请13/235127以及于2014年5月20日提交的美国专利8729589中所讨论的，上述申请文件的全部内容通过引用整体并入本文。
术语“目标”指代LED芯片段的配置，其被配置为提供预先定义的照明特性，这是针对照明装置的指定参数。例如，目标光谱功率分布能够描述在特定功率、电流或电压水平下生成的光的特性。
如在本文中所公开的装置、系统和方法能够利用红色芯片、绿色芯片和蓝色芯片。本文中的装置、系统和方法能够利用例如紫外(UV)芯片、青色芯片、蓝色芯片、绿色芯片、红色芯片、琥珀色芯片和/或红外芯片。
如本文中结合照明装置使用的术语“基板”或“基座”指代安装构件或元件，在该安装构件或元件上、中或者其上方能够布置、支撑和/或安装多个固态光发射器(例如，LED)。基板例如能够是部件基板、芯片基板(例如，LED基板)或者子面板基板。可用于在本文中所描述的照明装置的示例性基板例如能够包括印刷电路板(PCB)和/或相关部件(例如，包括但不限于金属芯印刷电路板(MCPCB)、柔性电路板、电介质层压板、基于陶瓷的基板等)，具有被布置在其一个或多个表面上的FR4和/或电迹线的陶瓷板，高反射率陶瓷(例如，氧化铝)支撑面板，和/或被布置成接收、支撑和/或向固态发射器传导电力的各种材料和构造的安装元件。在本文中所描述的电迹线向发射器提供电力，用于电激活和照射发射器。电迹线可以经由反射覆盖物可见和/或覆盖，例如焊料掩模材料、Ag或者其它适合的反射体。
在一些实施例中，除了至少一些其它电路和/或电路元件之外，一个基板能够用于支撑多组固态光发射器，诸如功率或电流驱动部件和/或电流切换部件。在其它方面，除了至少一些其它电路和/或电路元件之外，能够使用两个或更多个基板(例如，至少主基板以及一个或多个辅基板)来支撑多组固态光发射器，诸如电力或电流驱动部件和/或温度补偿部件。第一和第二(例如，主和辅)基板能够被设置在彼此上方和/或下方，并且沿着不同的平面，彼此相邻(例如，并排)，具有彼此相邻设置的一个或多个共面，垂直布置，水平布置，和/或相对于彼此以任意其它取向来布置。
根据本文中的主题的各方面的固态照明装置能够包括在硅、碳化硅、蓝宝石或III-V氮化物生长基板上制造的基于III-V氮化物(例如，氮化镓)的LED或激光芯片，包括(例如)由Durham,N.C.的Cree公司制造和销售的LED。这种LED和/或激光芯片能够被配置为操作用于使得通过基板以所谓的“倒装芯片”取向来发光。这种LED和/或激光芯片也能够没有生长基板(例如，之后移除生长基板)。在一些情况下，LED能够包括红色-III-V芯片，但是不包括诸如InGaAlP、GaAsP等的氮化物。
能与在本文中所公开的照明装置一起使用的LED能够包括水平结构(在LED芯片的同一侧上具有两个电触头)和/或竖直结构(在LED芯片的相对侧上具有电触头)。例如，水平结构的芯片(具有或不具有生长基板)能够倒装芯片键合(例如，使用焊料)到载体基板或印刷电路板(PCB)，或者线键合。竖直结构的芯片(具有或不具有生长基板)的第一端子能够焊料键合到载体基板、安装焊盘或印刷电路板(PCB)，并且第二端子能够线键合到载体基板、电元件或PCB。
电激活的光发射器(诸如固态发射器)能够个体地使用或者成组地使用以发射光来刺激一种或多种发光材料(例如，磷光体、闪烁体、发光油墨、量子点)的发射，并且生成在一个或多个峰值波长处的光或者至少一种期望的感知颜色(包括能够被感知为白色的颜色的组合)的光。在本文中所描述的照明装置中包含发光材料(也被称为“发冷光”)材料能够通过在发光体支撑元件或发光体支撑表面上施加直接涂覆材料来实现(例如，通过粉末涂覆、喷墨印刷等)，将这种材料添加到透镜中，和/或通过将这种材料嵌入或分散在发光体支撑元件或表面内。用于制造具有与其集成的平面化磷光体涂层的LED的方法例如在Chitnis等人于2007年9月7日提交的美国专利申请公开2008/0179611中进行了讨论，该申请的公开内容通过引用整体并入本文。
其它材料，诸如光散射元件(例如，颗粒)和/或折射率匹配材料能够与包含发光材料的元件或表面相关联。如在本文中所公开的装置和方法能够包括不同颜色的LED，其中的一个或多个能够是发出白色的(例如，包括具有一种或多种发光材料的至少一个LED)。
在一些方面中，一个或多个短波长固态发射器(例如，蓝色和/或青色LED)能够被用于刺激来自发光材料的混合物或发光材料的离散层(包括红色、黄色和绿色发光材料)的发射。不同波长的LED能够存在于同一组固态发射器中，或者能够设置在不同组的固态发射器中。各种波长的转换材料(例如，发光材料，也被称为发光体或发光介质，例如，如于2003年7月29日授权的美国专利6600175和于2008年10月9日提交的美国专利申请公开2009/0184616中所公开的，所述申请中的每个公开内容通过引用整体并入本文)是本领域技术人员公知并且可获得的。
在一些方面中，如在本文中所描述的照明装置和系统包括针对不同颜色的固态光发射器的多个集合的(例如，一个集合针对第一颜色，并且至少第二集合针对不同于第一颜色的第二颜色)。在一些方面中，所述多个集合中的每个集合包括相同颜色的至少两个固态光发射器(例如，峰值波长一致)。在一些方面中，固态发射器的多个集合中的每个集合适于发射一种或多种不同颜色的光。在一些方面中，固态发射器的多个集合中的每个集合适于发射相对于彼此不同的一种或多种颜色的光(例如，固态发射器的每个集合发射至少一个峰值波长，该峰值波长不是由固态发射器的另一集合发射的)。可以使用在共同受让和共同待决的美国专利申请14/221839中所描述的电路和/或技术来提供根据本主题的目标性和选择性激活固态发射器的各集合的各方面，该申请的公开内容先前通过引用并入上文。
关于固态发射器的术语“颜色”指代在电流通过时由芯片发射的光的颜色和/或波长。
本主题的一些实施例可以使用固态发射器、发射器封装、固定件、发光材料/元件、电源元件、控制元件和/或方法，诸如如在美国专利7564180；7456499；7213940；7095056；6958497；6853010；6791119；6600175；6201262；6187606；6120600；5912477；5739554；5631190；5604135；5523589；5416342；5393993；5359345；5338944；5210051；5027168；5027168；4966862和/或4918497，以及美国专利申请公开2009/0184616；2009/0080185；2009/0050908；2009/0050907；2008/0308825；2008/0198112；2008/0179611；2008/0173884；2008/0121921；2008/0012036；2007/0253209；2007/0223219；2007/0170447；2007/0158668；2007/0139923和/或2006/0221272；于2006年12月4日提交的美国专利申请11/556440中所描述的；前述专利、公开专利申请以及专利申请序列号的公开内容通过参考并入本文，如同在此完全阐述一样。
在本文中所使用的术语“发光装置”和“模块”是同义的，并且并非限制，除了其能够发光。亦即，发光装置能够是：照亮区域或体积的器件或装置，所述区域或体积例如是结构、游泳池或水疗中心、房间、仓库、指示器、道路、停车场、车辆、标牌(例如，道路标志、广告牌)、船舶、玩具、镜子、船只、电子设备、船、飞机、体育场、计算机、远程音频设备、远程视频设备、手机、树、窗户、LCD显示器、洞穴、隧道、庭院、灯柱；或者照亮外壳的设备或设备阵列；或者用于边缘或背光照明的设备(例如，背光海报、标牌、LCD显示器)、灯泡、灯泡更换(例如，更换AC白炽灯、低压灯、磷光灯等)、户外照明、安全照明、室外住宅照明(墙壁安装、后/立柱安装)、天花板固定/壁灯、橱柜照明、灯具(底板和/或台面和/或桌子)、景观照明、轨道照明、任务照明、专用照明、绳索灯、吊扇照明、档案/艺术展示照明、高振动/冲击照明工作灯等、镜子/梳妆台照明、聚光灯、高棚照明、低棚照明或者任何其它发光设备。
在本文中所公开的磷光体和磷光体化合物能够包括多种波长转换材料或包括发光材料的颜色转换成分中的一种或多种。发光材料(发光体)的示例包括磷光体、掺铈的钇铝石榴石(YAG)(例如LuAG:Ce)、氮化物、氧氮化物、闪烁体、日光发光带、纳米磷光体、量子点(例如，由NNCrystal US Corp.,Fayetteville,Arkansas提供的)以及在用光(例如紫外线)照射下以可见光谱发光的墨水。可以通过在固态发射器上提供这种材料的层(例如，涂层)和/或通过将发光材料分散到被布置成覆盖一个或多个固态光发射器的透明密封剂(例如，基于环氧树脂或基于硅树脂的可固化树脂或其它聚合物基体)来将在本文中所公开的波长转换部件或相关的部件中的发光体与固态发射器和发光二极管结合。能够用于本文所描述的器件中的一种或多种发光材料可以是下转换或上转换的，或者可以包括两种类型的组合。
波长转换材料可以带来以下好处，例如，经改善的长期可靠性(例如，在1000小时或以上以及85℃、105℃和/或125℃左右的性能得到改善)，固态发光器周围的气泡减少，较大的视角，更低的dCCT色散，更低的磷光体温度，更明亮的光发射，经改善的抗硫性和/或更小的色点散布，包括所有或所有这些特征的组合。
当前公开的主题涉及具有包括LED的光源的LED封装结构的不同实施例。LED封装能够以不同的方式来布置并且相对较小，同时是高效、可靠并且具有成本效益。根据本公开的实施例能够具有不同形状的密封剂，但是与具有完全半球形密封剂的相似LED封装相比，能够以改进的或相似的效率发射。在多个LED被安装在基板上的一些实施例中，能够控制每个LED芯片之间的间隔以优化从LED封装输出的光的强度。根据本公开的LED封装也能够更小并且制造成本更低。
在一些实施例中，本文的公开可以针对能够改善或调整根据本文公开的LED封装和器件的发射特性的许多不同的特征和布置。这些可以包括但不限于，经改善的发光输出以及从LED器件输出的光的减小的光束角。这种器件还可以具有改进的效率和可靠性，以及更高的输出。在一些实施例中，这些特征中的一些或全部的使用可以导致LED封装以改善的流明密度发射光。
本文参考特定实施例描述了本文的公开内容，但是应当理解，本文的公开内容能够以许多不同的形式来体现，并且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。具体而言，下文关于具有不同配置的LED的特定LED封装来描述本文的公开内容，但是应当理解，本文的公开内容能够用于具有其它LED配置的许多其它LED封装。LED封装还能够具有下文所描述的那些之外的许多不同的形状，诸如矩形，并且焊盘和附接焊盘能够以许多不同的方式来布置。在其它实施例中，能够控制不同类型的LED的发射强度以改变整个LED封装发射。
在本文中所描述的实施例是参考一个LED或多个LED，但是根据本文的公开内容并且在一些方面中，在本文中所使用的LED可以包括LED芯片、裸片或者任何其它适合的一种或多种结构。例如，在本文中所使用的LED能够是单片LED的单独接头。例如，LED不是完全独立的LED芯片，而是每个LED都能够是LED区域，所有LED区域都位于具有不同类型的单片接头的公共基板上。在LED之间以及在公共基板之上的台面(mesa)能够延伸到特定层，或者能够一直延伸到公共基板或者从公共基板延伸。因此，单片LED能够在公共基板上包括多于一个LED接头，并且LED之间的间隙能够由至少部分地分离LED的台面形成。
在本文中所描述的部件能够具有不同于所示的那些的不同的形状和尺寸，并且能够包括一个或不同数量的LED。还应当理解，下文所描述的实施例利用共面光源，但是应当理解，也能够使用非共面光源。还应当理解，LED光源可以包括可以具有不同发射波长的多个LED。如上文所提到的，在一些实施例中，LED中的至少一些LED能够包括利用黄色磷光体覆盖的蓝光发射LED以及红光发射LED，从而导致来自LED封装的白光发射。在多个LED封装中，LED能够串联互连，或者能够以不同的串联和并联组合互连。
还应理解到，当例如层、区域、密封剂或基座的元件被称为在另一个元件“上”时，该元件可以直接在另一个元件上，或者可以存在中间元件。此外，在本文中使用诸如“内部”、“外部”、“上部”、“上方”、“下部”、“下面”或“下方”的相对术语来描述一个层与另一区域的关系。将理解，这些术语旨在涵盖器件的除了在附图中描绘的那些定向的不同定向。
在本文中所使用的术语“(一个或多个)电激发发射器”和“(一个或多个)发射器”是同义术语，并且指代能够产生可见光或近可见光(例如，从红外光到紫外光)波长辐射的任何器件，例如包括但不限于：氙灯、汞灯、钠灯、白炽灯和固态发射器，包括LED或LED芯片、有机发光二极管(OLED)和激光器。
术语“(一个或多个)固态光发射器”、“(一个或多个)固态发射器”和“(一个或多个)光发射器”是同义术语，并且指代LED芯片、激光二极管、有机LED芯片和/或任何其它半导体设备，其优选被布置为包括：一个或多个半导体层的半导体芯片，其能够包括硅、碳化硅、氮化镓和/或其它半导体材料；基板，其能够包括蓝宝石、硅、碳化硅和/或其它微电子基板；以及一个或多个接触层，其能够包括金属和/或其它导电材料。
在本文中所使用的术语“组”、“段”、“串”和“集”是同义术语。如在本文中所使用的，这些术语通常描述多个LED芯片如何电连接(诸如串联、并联、混合串联/并联)在互斥的组/段/集内的公共阳极中或者在共同阳极配置中。LED芯片的段能够以多种不同方式来配置，并且可以具有与其相关联的不同功能的电路(例如，驱动器电路、整流电路、限流电路、分流器、旁路电路等)，例如，如在共同受让和共同待决的于2009年9月24日提交的美国专利申请12/566195、于2013年2月15日提交的美国专利申请13/769273、于2013年2月15日提交的美国专利申请13/769277、于2011年9月16日提交的美国专利申请13/235103、于2011年9月16日提交的美国专利申请13/235127以及于2014年5月20日提交的美国专利8729589中所讨论的，上述申请文件的全部内容通过引用整体并入本文。
术语“目标”指代LED芯片段的配置，其被配置为提供预先定义的照明特性，这是针对照明装置的指定参数。例如，目标光谱功率分布能够描述在特定功率、电流或电压水平下生成的光的特性。
波长转换材料可以带来以下好处，例如，经改善的长期可靠性(例如，在1000小时或以上以及85℃、105℃和/或125℃左右的性能得到改善)，固态发光器周围的气泡减少，较大的视角，更低的dCCT色散，更低的磷光体温度，更明亮的光发射，经改善的抗硫性和/或更小的色点散布，包括所有或所有这些特征的组合。
如在本文中描述的，一个或多个LED芯片能够至少部分地覆盖有波长转换部件，该波长转换部件包括在透明基板(例如，蓝宝石)上的一种或多种磷光体和/或一层或多层磷光体。在一些实施例中，这种波长转换部件可以被称为磷光体-蓝宝石帽或Phos帽(Phoshat)。磷光体可以适于在被经由一个或多个LED芯片发射的光撞击时发射蓝光、黄光、绿光、红光或其任何组合。也就是说，在一些方面中，Phos帽中的一种或多种磷光体能够吸收由LED芯片发射的光中的一部分，并依次重新发射处于不同波长的吸收光，使得光发射器器件或部件发射来自(一个或多个)LED芯片和(一个或多个)磷光体中的每个光的组合。在一个实施例中，在本文中描述的光发射器器件和部件能够发射由于来自LED芯片和Phos帽的光发射的组合而产生的白光。在根据本主题的一个实施例中，白光发射器件和部件能够由呈发射蓝色波长光谱的光的LED芯片以及Phos帽中的吸收一些蓝光并且以绿色、黄色和/或红色波长光谱重新发射光的磷光体组成。因此，器件和部件可以在可见光谱范围内发出白光组合。在其它实施例中，如在美国专利7,213,940中描述的，具有波长转换部件(例如，Phos帽)的LED芯片可以发射蓝光和黄光的非白光组合。本文还考虑了发射红光的LED芯片者或由吸收LED光并发射红光的Phos帽的磷光体覆盖的LED芯片。
在一些实施例中使用的波长转换部件或Phos帽以及所公开的LED部件和器件能够以任何合适的方式制造或组装。在一些实施例中，通过仅在Phos帽的一个表面上施加磷光体来生产这种波长转换部件，使得在LED器件或部件的组装中，光影响材料(即，用于使光转向的重散射体)直接靠着或基本邻近蓝宝石或Phos帽基板，给弯月面控制提供了干净的边缘。
在一些实施例中，这种波长转换部件通过以稍微间隔的方式对被在胶带或其它剥离材料上单个化的基板(例如，LED芯片)进行喷涂而产生，其可以允许将一些磷光体施加到基板的侧壁，以形成Phos帽。在一些方面中，这种方法在不使用白色TiO2光影响材料或者在设置Phos帽之前施加白色TiO2光影响材料的情况下有用，这在一些实施例中可以避免蓝色光从Phos帽的侧面逸出。
在一些实施例中，可以在室温以上(即，热地)或在室温下喷涂基板晶片，以制造Phos帽。在一些方面中，适于在室温下喷涂晶片，随后固化，然后将晶片上的裸片单个化。
如本文所公开的，在波长转换部件中使用的波长转换材料(例如，磷，P)的其它益处例如包括：改善的远场图像(例如，从而以较大的视角促进远场中非常均匀的颜色外观)；较低的色偏(较低的dCCT)；改善的长期可靠性(例如，在大约1000小时或更长时间内改善了亮度保持(光学))；较高的产品额定值；较低的磷光体工作温度；和/或较低的色点扩散；包括这些功能的全部或任意组合。
磷光体是一类已知的发光材料。磷光体可以是指吸收一种波长的光并以在可见光谱中的不同波长重新发射光的任何材料，而与吸收和重新发射之间的延迟以及所涉及的波长无关。因此，术语“磷光体”在本文中可以用于指有时被称为荧光和/或磷光的材料。通常，磷光体可以吸收具有第一波长的光并且重新发射具有与第一波长不同的第二波长的光。
在一些实施例中，磷光体可以被包括于在LED器件上使用的密封剂中。磷光体可以发射在可见光谱中的能量低于光发射器发射的辐射的辐射，并且可以响应于发射器发出的波长进行发射。磷光体的组合可以与发射蓝色或紫外线的芯片/LED结合使用，以产生白光；例如，蓝色和黄色，蓝色和绿色和红色，以及蓝色和绿色和黄色和红色。使用三种或更多种颜色可以给选择特定的白点和更好的显色提供机会。还可以预期，具有多于一个发射峰的LED将对激发一种或多种磷光体以产生白光有用。
能够以任何期望的量或数量选择性地添加和/或施加磷光体和/或磷光体化合物，以使材料的基板、晶片或片材透明或基本透明。磷光体和/或磷光体化合物的施加可以通过任何合适的方法来实现，包括例如喷涂、重力沉降、离心、添加溶剂、丝网印刷、蒸发(溅射、电子束、热、CVD、静电和/或电泳沉积)、浸涂、旋涂、直接分配和/或振动，例如，如在Ibbetson等人名下的美国专利8,410,679和在Hussell等人名下的美国专利8,425,271中描述的，这些美国专利的全部公开内容通过引用并入本文。在一些实施例中，施加到透明基板、例如蓝宝石晶片的磷光体化合物顺应透明基板的形状和/或表面。即，磷光体或磷光体化合物的顺应层可以例如具有至少基本均匀的厚度。
位于透明基板上的磷光体化合物和/或磷光体层的厚度可以例如在约2μm和约100μm之间的范围内，但是，可以根据需要在波长转换部件上提供任何磷光体化合物的厚度。可以选择所使用的厚度，以减少或最小化平面中的蓝光转换、自吸收和/或散射，并且可以基于涂覆过程、磷光体的密度、磷光体化合物中的其它组分，例如，硅树脂和/或所需的应用。
本文参考作为本公开的实施例的示意性图示的截面视图图示来描述本公开的实施例。如此，各层的实际厚度能够是不同的，并且例如由于制造技术和/或公差导致的图示形状的变化是预期的。本公开的实施例不应当被解释为限于在本文中所图示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。由于正常的制造公差，被图示或描述为方形或矩形的区域通常具有圆形或弯曲的特征。因此，图中所图示的区域本质上是示意性的，并且其形状并不旨在图示设备的区域的精确形状，并且并不旨在限制本文公开的范围。
本文提供的是LED裸片，包括例如具有蓝宝石的晶片级封装(WLP)，其结合有绕着反射器材料的包裹体，以产生平坦的光发射表面。当前可用的LED芯片具有大量的光，对于大多数应用而言，该光的角度太大。通过在LED裸片的周边上布置和/或包裹TiO2/硅树脂基体(也被称为壁、侧壁、反射壁或白壁)以形成侧壁，可以将该裸片构造成将光反射到表面，从而优化光角度。在一些实施例中，反射侧壁可以被构造成延伸到LED上的玻璃帽的侧壁。此外，在一些方面中，可以通过调节填充材料(例如，TiO2)的百分比或调节反射材料的厚度来将反射壁调节为光学上厚，或者可以调节反射壁以允许一定量的漏光。
在一些实施例中，黑色和白色的组合或任何其它期望的颜色或阴影可以被配置在围绕LED的反射壁中的水平或竖直层中，以使从顶部观察时的亮度(侧壁的反射率)和眩光减少最大化。此外，作为侧壁单个化步骤的一部分，反射材料的壁可以被构造有浅的、直的或斜切的切口，以进一步增强光控制，例如添加黑色的顶层。在一些实施例中，反射壁材料可以进一步包括磷材料或其它滤光材料，以改变侧壁的光发射特性。
所公开的LED裸片可以被构造成用于广泛的应用，包括其中所公开的LED可以用作LED部件构建基块的任何LED部件。作为示例而非限制，这种LED可以用于黑白视频标牌中。通过提供较小的占地面积和高效率地顶部发射的能力，再加上视频类型板的黑色顶表面的功能，可以产生非常可读的黑白视频标牌，其可以从远距离读取(由于可用的高功率)，以及具有相对较小的功率输出的像素封装。这种LED可以被构造成平坦的方形顶部，其也可以有利于与光管道(例如，边缘分布)配合。
在一些实施例中，本文提供了将LED直接安装到金属基板上以优化热传递的装置、系统和方法，其与反射壁结合，使得可以在施加反射壁之后实现LED的引线键合。这种实施例解决了未满足的需求，因为这种封装中的LED可以被供电到其最大极限，以实现可能的最高输出，而没有可靠性的困扰。通过最大程度地提高热传递并优化光路，可以实现这种结果。
在一些实施例中，本文公开的LED器件和部件消除了对昂贵的Alanod型基板的需求，从而显著降低LED器件和部件的成本。此外，这可以允许使用高可靠性和长期光学级硅树脂来操纵光。
这种LED器件和部件可以像其它LED部件一样用作LED部件的构建基块，因此可以在广泛的应用中使用。
因此，在一些实施例中，本文提供了一种LED器件，其包括：基座，其包括上表面和底表面；LED，其被布置在该基座的上表面上，所述LED包括上表面和一个或多个侧面；密封剂，其通过被布置在LED的上表面和一个或多个侧面上来围绕所述LED；以及围绕所述围绕所述LED的密封剂的反射壁，其中，所述反射壁的上表面的至少一部分与所述密封剂的上表面的至少一部分基本共面。在一些方面中，LED器件的底板的表面积基本等于或大于LED或裸片的上表面的表面积。在一些方面中，反射壁包括TiO2和硅树脂，或者主要是在硅树脂中的TiO2，其中，反射壁中的TiO2:硅树脂的比率为约1:1，或者在约1:1至约3:1之间的范围内且包括约1:1和约3:1。在一些实施例中，反射壁或其它光散射体可以包括热解法二氧化硅或熔融二氧化硅作为与TiO2一起的散射体，在一些实施例中，其可以改变粘度和/或流动性质。在一些实施例中，从本LED器件输出的光的光束角被显著减小，尤其是与没有反射壁的LED器件相比，并且例如可以具有约115°或更小的光束角。在一些实施例中，光束角的显著减小可以包括约10°至约20°的减小。在一些实施例中，可以使用全宽半最大值(FWHM)方法来测量光束角，其中相对角度定义了对称光学器件，其最大强度位于其光分布的中间(水平和垂直0度)，即照明强度从最大峰值降至50％的角度。
在一些实施例中，本文提供了一种LED器件，其包括：定位在封装晶片上的单个化裸片；围绕所述单个化裸片的密封剂；以及围绕所述围绕所述单个化裸片的密封剂的反射壁，其中，所述反射壁的上表面的至少一部分与所述密封剂的上表面的至少一部分基本共面。在一些方面中，反射壁包括TiO2和硅树脂，其中，反射壁中的TiO2:硅树脂的比率为约1:1，或在约1:1至约3:1之间的范围内且包括约1:1和约3:1。在一些实施例中，从本LED器件输出的光的光束角被显著减小，尤其是与没有反射壁的LED器件相比，并且例如可以具有约115°或更小的光束角。
在一些实施例中，本文提供了制造LED器件的方法，例如包括：提供基板；将裸片附接到基板；将密封剂施加在裸片和/或基板的上表面上；将被附接到基板的裸片单个化，以形成分开的裸片部件；将单个化的裸片部件安装到剥离(释放)基板；施加反射材料，以围绕分开的裸片部件；以及穿过所述反射材料切割以将裸片部件单个化，从而提供被反射材料的壁围绕的LED器件。
在一些实施例中，这种方法可以包括：提供基板；将裸片附接到基板；将密封剂施加在裸片和/或基板的上表面上；通过第一切割将被附接到所述基板的裸片单个化，所述第一切割穿过所述密封剂直到所述基板以形成将裸片部件沿着所述基板分开的通道；施加白壁材料，以围绕被单个化的裸片部件；以及通过第二切割来穿过所述白壁材料和所述基板切割，以将裸片部件单个化，从而提供被所述白壁材料围绕的LED器件。
在一些实施例中，这种方法可以包括：提供基板；将多个裸片附接到陶瓷基板；在位于平坦模具(flat mold)中的多个裸片和/或陶瓷基板的上表面上施加密封剂；将被附接到所述陶瓷基板的裸片单个化，以形成分开的裸片部件；将分开的裸片部件在模具中排列成阵列；用反射材料掩膜呈阵列布置的裸片部件周围的空间，以围绕单个化的裸片部件；以及穿过裸片部件周围的反射材料切割，以将裸片部件单个化，从而提供包括被反射材料的壁围绕的裸片部件的LED器件。
在一些实施例中，一种制造LED器件的方法，包括：提供多个LED芯片，其中，多个LED芯片中的每个包括上表面、下表面和一个或多个侧面；将一个或多个LED芯片施加到模具中的热剥离(释放)带，其中，LED芯片的上表面面向下；用反射材料淹没模具中的LED芯片，使反射材料围绕LED芯片的一个或多个侧面；以及固化反射材料，以形成具有嵌在其中的LED芯片的反射材料的垛；将垛从热剥离带上移走并将该垛施加到基板，以形成包括被反射材料围绕的多个间隔开的LED芯片的LED器件。
一种制造LED器件的方法，例如上文描述的方法，还可以包括：提供定位在封装晶片上的裸片；使用刀片对在封装晶片上的裸片的外边缘间隙成形；以及在封装芯片的裸片的成形外边缘周围施加反射材料，以形成反射材料的壁。
在一些实施例中，本文提供一种发光二极管(LED)装置，其包括：基座，其包括上表面和底表面；被布置在所述基座的上表面上的LED，所述LED包括上表面以及一个或多个侧面；以及通过被布置在LED的上表面和一个或多个侧面上而围绕LED的密封剂；以及反射壁，其围绕所述围绕LED的密封剂，其中，反射壁的上表面的至少一部分与密封剂的上表面的至少一部分共面。如以图1A中的俯视视角和图1B中的立体视角所示，LED器件(总体上用100表示)包括由反射壁112(在本文中也称为白壁)围绕的LED 110。LED 110与白壁112之间的空间能够填充有密封剂114。LED 110和白壁112之间的距离d可以根据需要变化，和/或可以进行调整以优化底板或暴露的基座(即涂覆有磷光体的基座)的表面区域与LED的表面区域的比率，如下文进一步描述的。
LED器件100的实施例的截面图被在图1C和图1D中示出。LED器件100包括：基座116(例如，基板)，其具有上表面118和底表面120；被布置在基座116的上表面上的LED 110，该LED包括上表面122和一个或多个侧面124；密封剂114，其通过被布置在LED 110的上表面122和一个或多个侧面124上(例如，与其接触)而围绕LED 110；以及反射壁112，其围绕所述围绕LED的密封剂114；其中，反射壁112的上表面126的至少一部分与密封剂114的上表面128的至少一部分基本共面。
在一些实施例中，基座116可以延伸超出LED 110的侧面124，使得基座116的上表面118形成LED器件100的底板。在一些方面中，LED器件100的底板的表面积140基本等于或大于LED 110的上表面122的表面积142。可选择地，底板的表面积140与LED的表面积142之比可以基本等于或大于1:1。如图1A所示，可以至少部分地基于LED 110与外部反射壁112之间的距离d来优化这些相对表面积。
在一些实施例中，反射壁112的外边缘130的至少一部分或全部与基座116的外边缘132的至少一部分或全部基本共面。在这种实施例中，反射材料112的壁被构建或施加在基座116上。参见例如图1C和图5。可选择地，反射壁112可以布置基座116的外边缘132周围。参见例如图1D和图4。
密封剂可以包括任何合适的材料，包括例如基于环氧基或基于硅树脂的可固化树脂或其它聚合物基体。
在所公开的实施例中，反射材料可以用于反射光并改善来自LED的光发射。反射材料可以用于在所公开的LED器件上形成壁或白壁(例如，反射壁112)，以优化光输出和发射角，同时允许LED器件的性能提高。例如图1A至图1D所示的以及在本文公开的所有实施方式中的这种反射材料的白壁或壁在一些实施方式中可以包括TiO2和硅树脂，其中反射壁112中的TiO2:硅树脂的比率可以为约1:1。在一些方面中，反射壁112中的TiO2:硅树脂的比率可以在约1:1至约3:1之间且包括约1:1和约3:1。反射壁112可以具有约50μm至约400μm的厚度。在一些实施例中，反射壁112可以具有约250μm的厚度，并且TiO2:硅树脂的比率为约1:1，这种配置提供了反射壁112，该反射壁112能够基本上阻挡从LED 110发射并且射向反射壁112的所有光。
在一些实施例中，取决于所期望的最佳光输出和性能，反射壁112可以被构造成在光学上较厚和/或允许通过反射壁112的漏光。如上所述，可以通过改变厚度和/或组成来调整在本文中公开的反射壁112或白壁实施例。此外，在一些方面中，反射壁112可以包括一层或多层交替的黑白材料，其被配置成优化对从LED发射的光的反射率。
现在转到图2A，在一些实施例中，可以使用图2A中示出的方法步骤中的一些或全部来制造本文公开的LED器件。例如，在一些方面中，制造LED器件的方法(总体上用200表示)可以包括：提供基板202；将裸片附接到该基板204；在裸片和/或基板的上表面上施加密封剂206；将被附接到该基板的裸片单个化210，以形成单独的裸片部件；将单个化的裸片部件安装到剥离基板214；施加反射材料216以围绕单个化的裸片部件；以及穿过反射材料220切割，以将裸片部件单个化，从而提供被反射材料的壁围绕的LED器件。在一些实施例中，这种制造LED器件的方法200可以在一些方面中包括：提供基板202；将裸片附接到该基板204；在裸片和/或基板的上表面上施加密封剂206；安装诸如phos帽的光改变材料208；将被附接到该基板的裸片单个化210，以形成单独的裸片部件；穿过基板(例如陶瓷基板)和phos帽212切割；将单个化的裸片部件安装到剥离基板214；施加反射材料216以围绕单个化的裸片部件；以及穿过反射材料220切割，以将裸片部件单个化，从而提供被反射材料的壁围绕的LED器件。在图2A的方法中，基板可以包括陶瓷基板，其中，陶瓷基板可以是约2.5mm乘2.5mm。在一些实施例中，剥离基板可以包括热剥离带，该热剥离带被构造成用于在LED器件构建期间能够剥离地固定部件，并且随后在完成时剥离器件。
现在转到图2B，在一些实施例中，可以使用图2B所示的方法步骤中的一些或全部来制造本文公开的LED器件。例如，在一些方面中，制造LED器件的方法(总体上用240表示)可以包括：将裸片或多个裸片附接到基板242；在裸片和/或陶瓷基板的上表面上施加密封剂244并且将密封剂模制在其上246，例如，在具有SA1400不对称裸片的2525面板上用平坦模具或Towa模具；将被附接到陶瓷基板的裸片单个化248并封装以形成单独的裸片部件；将单独的裸片部件在模具中布置成阵列250；使用反射材料淹没252呈阵列布置的裸片部件周围的空间，以围绕单个化的裸片部件；以及穿过裸片部件周围的反射材料254切割，以将裸片部件单个化，从而提供包括被反射材料的壁围绕的裸片部件的LED器件。在一些实施例中，图2B的方法可以包括使用真空室和/或重力重量来代替和/或补充于平坦模具或Towa模具。
在一些实施例中，图2B的方法还可以包括在穿过反射材料切割之前固化反射材料。在图2B的方法中，在所得的LED器件中，反射壁被布置在基座的外边缘周围。
图3示出了用于制造本文公开的LED器件的另一种方法，其在一些实施例中使用图3中示出的方法步骤中的一些或全部。在一些实施例中，这种方法(总体上用300表示)可以包括：提供基板302；将裸片附接到基板304；在裸片和/或基板的上表面上施加密封剂306；通过第一切割310来将被附接到基板上的裸片单个化，所述第一切割穿过密封剂直到基板以形成将裸片部件沿着基板分隔开的通道；施加反射(或白壁)材料312，以围绕单个化的裸片部件；以及通过第二切割316来穿过白壁材料和基板切割，以将裸片部件单个化，从而提供被白壁材料围绕的LED器件。在一些实施例中，图3的方法300可以包括：提供基板302；将裸片附接到基板304；在裸片和/或基板的上表面上施加密封剂306；将光改变材料(例如phos帽)安装在裸片上308；通过第一切割310将被附接到基板的裸片单个化，所述第一切割穿过密封剂直到基板，以形成将裸片部件沿着基板分隔开的通道；施加反射(或白壁)材料312，以围绕单个化的裸片部件；固化反射材料314；以及通过第二切割316来穿过白壁材料和基板切割，以将裸片部件单个化，从而提供被白壁材料围绕的LED器件。在图3的方法中，基板可以包括陶瓷基板，其中，陶瓷基板可以是约3.5mm乘3.5mm。
在本文公开的方法、包括例如上文描述和在图2A、图2B和图3中示出的那些方法中，密封剂可以包括例如基于环氧树脂或基于硅树脂的可固化树脂或其它聚合物基体，其被布置成覆盖一个或多个固态光发射器，并且在一些实施例中，可以包括磷或者在本文中讨论的一些其它发光体。此外，在本文公开的方法、包括例如上文描述和在图2A、图2B和图3中示出的那些方法中，反射材料可以包括TiO2(在一些实施例中，被称为白漆或白壁)。在一些实施例中，反射材料可以包括TiO2和硅树脂，其中反射壁中的TiO2:硅树脂的比率为约1:1，或者可以在约1:1至约3:1之间并且包括约1:1和约3:1。
在一些实施例中，本文公开的方法、包括例如上文描述和在图2A、图2B和图3中示出的那些方法可以导致这样的LED器件，其中反射壁被布置在基座/基板的外边缘周围，或者被布置在基座/基板上，使得反射壁的外部竖直表面的至少一部分或全部与基座/基板的外边缘的至少一部分或全部基本共面(在本文中进一步讨论)。在一些实施例中，反射材料的壁具有约50μm至约400μm的厚度。在一些实施例中，反射壁具有约250μm的厚度以及约1:1的TiO2:硅树脂的比率，其中，反射壁基本阻挡从LED发射并射向反射壁的所有光。在一些实施例中，与没有反射壁的LED器件相比，根据本文公开的方法的LED器件的从LED器件输出的光的光束角被大大减小。作为示例而非限制，该光束角可以使从LED器件输出的光为约115°或更小。
现在转到图4A、图4B和图4C，LED器件的这些截面图示出了如通过本文公开的方法生产的具有反射壁或白壁的LED器件的生产阶段。图4A和图4B示出了在制造图4C的示例性LED器件期间的LED器件部件，如使用如图2A所示并且在上文描述的方法生产的。LED部件(总体上用400表示)包括基板410，例如陶瓷基板，其上安装有裸片412。在一些实施例中，例如图4A所示，LED部件400可以进一步包括裸片附接材料414、phos帽416和密封剂418。
基于本文公开的方法，包括例如图2A所示并且在上文讨论的方法，可以将反射材料420添加到LED部件400，尤其围绕LED部件400的边缘添加和/或沿着LED部件400的侧面添加。在一些实施例中，这可以通过使用用于在施加反射材料期间固定一个或多个LED部件的诸如热带的剥离材料来实现，例如图2A中所公开。在一些实施例中，呈系列或阵列的多个LED部件可以同时用反射材料420围绕或淹没，并且随后顺序地通过切割C来被单个化，以产生如图4C所示的总体上用430表示的LED器件。在通过切割C单个化或者移除多余的反射材料420之后，提供了具有围绕的反射壁或白壁422的LED器件430。在一些实施例中，图4A至图4C所示的LED部件和所得到的LED器件可以产生类似于图1A、图1B和/或图1D中描绘的LED器件，其中白壁422完全围绕LED部件430的外周边并且直到白壁422的至少一部分或全部与LED部件430的上表面的至少一部分或全部基本共面。
现在转到图5A、图5B和图5C，LED器件的这些截面图示出了如通过本文公开的方法生产的具有反射壁或白壁的LED器件的生产阶段。图5A和图5B示出了在制造图5C的示例性LED器件期间的LED器件部件，如使用如图2B所示并且在上文描述的方法生产的。LED部件(总体上用450表示)包括基板452，例如陶瓷基板，其上安装有裸片454。在一些实施例中，例如图5A所示，LED部件450可以进一步包括密封剂456，例如在本文中进一步详细描述的。
基于本文公开的方法，包括例如图2B所示并且在上文讨论的方法，可以通过切割C来将被附接到基板452的裸片454单个化，以形成单独(分开)的裸片部件。随后，如图5B所示，可以将反射材料458添加或施加到单独的裸片部件，尤其是围绕单个化的裸片部件的边缘和/或沿着单个化的裸片部件的侧面。在一些实施例中，这可以通过使用剥离材料(例如，热带(thermal tape))和/或模制技术(例如，平坦模制)来实现。在一些实施例中，呈系列或阵列的多个LED部件可以同时用反射材料458围绕或淹没。在反射材料458固化之后，穿过反射材料458的第二切割C提供对裸片部件的单个化，以提供由反射材料的壁462(即，白壁)围绕的LED器件(总体上用460表示)。在一些实施例中，图5A至图5C所示的LED部件和所得到的LED器件可以产生类似于图1A、图1B和/或图1D所描绘的LED器件，其中白壁完全围绕LED部件的外周边，直到白壁的至少一部分或全部与LED部件的上表面的至少一部分或全部基本共面。
现在转到图6A、图6B、图6C和图6D，LED器件的这些截面图示出了如通过本文公开的方法生产的具有反射壁或白壁的LED器件的生产阶段。图6A、图6B和图6C示出了在制造图6D的示例性LED器件期间的LED器件部件，如使用如图3所示并且在上文描述的方法生产的。LED部件(总体上用480表示)包括基板482，例如陶瓷基板，其上安装有裸片484。在一些实施例中，例如图6A所示，LED部件480可以进一步包括裸片附接材料486、phos帽488和密封剂490。
基于本文公开的方法，包括例如图3所示并且在上文讨论的方法，可以将反射材料494添加到LED部件480。例如，如图6A和图6B所示，可以穿过密封剂490和/或裸片附接材料486作出第一切割C1直至基板482，以形成通道492，从而沿着基板482将裸片部件484分隔开。随后，在通道492内，反射材料494可以被添加或施加以填充或基本填充通道492。在固化反射材料494之后，可以通过穿过反射材料494(即，白壁材料)和基板482切割以将裸片部件单个化来作出如图6C所示的第二切割C2，从而提供被白壁材料围绕的LED器件(总体上用496表示)，如图6D所示。在一些实施例中，可以对呈系列或阵列中的多个LED部件进行切割以形成通道492，用反射材料494包围或淹没，随后顺序地用切割C2单个化以产生图6D中的LED器件496。在一些实施例中，图6A至图6D所示的LED部件和所得到的LED器件可以产生类似于图1A、图1B和/或图1C所描绘的LED器件，其中白壁完全围绕LED部件的外周边，构建在基板上，直到白壁的至少一部分或全部与LED部件的上表面的至少一部分或全部基本共面。
在一些实施例中，所公开的方法以及使白壁绕着LED结合所得到的LED器件适于各种类型的LED，包括例如芯片级封装的以及晶片级封装(WLP)的LED。因此，在一些实施例中，如本文所公开的，WLP LED可以用于产生具有白壁的LED器件，以改善光发射特性和性能。例如，图7A和图7B示出了布置在WLP LED的基体(总体上用500表示)中的WLP LED(总体上用502表示)，在基体500中的每个WLP LED之间的空间中施加有反射材料(总体上用504表示)，即白壁。在一些实施例中，可以使用多次通过来施加反射材料504或白色涂料，使得其基本或完全填充WLP LED 502的基体500中的间隙。在固化之后，基体中的WLP LED502可以被(例如通过切割)单个化，如本文所公开的，以形成单个或成组的白壁WLP LED或LED部件(例如，参见图9A和图9B)。
图8A至图8C和图9A至图9C分别示出了不具有白壁和具有白壁的WLP LED的比较。具体而言，图8A至图8C示出了不具有反射壁或白壁的WLP LED。图8A是置于表面(总体上用522表示)、例如星板(starboard)上的WLP LED 520的图像，该WLP LED 520处于断电状态。图8B是置于在表面522上并且在照明测试期间处于通电状态的WLP LED 520的图像。如图8B所示，大量的光从WLP LED 520的侧面发射，被表面522反射。如图8C所示，这种WLP LED 520包括定位在封装晶片526上的单个化裸片524以及围绕该单个化裸片524的密封剂528。图8C进一步示出了来自不具有所公开的光反射壁(例如，参见图9C)的单个化WLP LED的光发射LE被沿着多个方向(例如，约180度)发射，包括基本水平地离开器件的侧面。
相反，图9A至图9C示出了具有反射壁530或白壁的WLP LED。图9A是置于表面544、例如星板(starboard)上的WLP LED(总体上用540表示)的图像，该WLP LED 540处于断电状态。图9B是置于在表面544上并且在照明测试期间处于通电状态的WLP LED 540的图像。如图9B所示，最少的光被表面544反射，表明从WLP LED 540的侧面发射的光已经被最小化，尤其是与图8B中的没有白壁的LED 520相比。图9C示出了LED器件540，其包括定位在封装晶片526上的单个化裸片524、围绕该单个化裸片524的密封剂528、以及围绕该围绕单个裸片524的密封剂528的反射壁530，其中，反射壁530的上表面的至少一部分或全部与密封剂528的上表面的至少一部分或全部基本共面。该实施例中的反射壁530的组成和尺寸可以在一些实施例中与本文针对其它LED器件和部件所公开的组成和尺寸相似。如图9C所示，来自具有所公开的光反射壁530的单个化WLP LED的光发射LE通过反射壁来沿着基本垂直的方向发射，该反射壁用于优化光束角。
在一些实施例中，LED部件和/或LED器件可以使用如图10A至图10C中所示的一系列步骤来组装或制造，并且被被结合到LED器件、诸如图10D所示的LED器件630中。可以提供多个LED芯片(总体上用602表示)，其中LED芯片602可以包括具有一个或多个键合焊盘606的上表面、下表面以及一个或多个侧面。LED芯片602包括二极管604。如图10A所示，LED芯片602可以被施加到热剥离带608，或者在一些实施例中被施加到模具内的其它可剥离材料。LED芯片602可以被施加到热剥离带608，使得LED芯片602被上表面或键合焊盘606面向下地施加，即被压入剥离带608中。在一些方面中，剥离带608可以被提供在基板610上。接下来，如图10B所示，在热剥离带608上的LED芯片602可以在一个或多个侧面上被反射材料612淹没或以其它方式围绕。在一些方面中，可以使用例如压模或真空模的模具来施加反射材料612。在一些实施例中，用反射材料612淹没LED芯片602以使LED芯片602的一个或多个侧面围绕有反射材料612可以包括施加反射材料612，至少直到LED芯片602的与剥离带608相反地面向上的下表面。围绕LED芯片602的反射材料612可以被固化，以形成使LED芯片602嵌置在其中的反射材料612的垛(总体上用620表示)。接下来，可以从热剥离带608上移除垛620，并且如果需要，在一些实施例中，可以例如通过打磨LED芯片602的上表面来移除过量的反射材料612，以暴露一个或多个键合焊盘606，如图10所示。在图10C中，垛620包括由反射材料612隔开距离D的LED芯片602，使得每个LED 602在被结合到相同的垛620中时被有效地隔离，从而可以提高其性能和光发射。在一些方面中，垛620可以被翻转并施加到基板622，以形成LED器件630，如图10D所示。
在一些实施例中，包括在图10A至图10C所示的步骤中，可以在模制部分中使用平坦模具、Towa模具、真空室和/或重力重量。如果需要，在一些实施例中，可以通过先使用任何研磨材料、诸如先是粗砂纸随后是较细的砂纸或金刚砂纸进行抛光，和/或使用溶剂或热风枪来“闪熔”多余的材料，从LED芯片602的上表面移除过量的反射材料612，以暴露一个或多个键合焊盘606，如图10C所示。
在图10D中，LED器件(总体上用630表示的)包括基板622，垛620被施加到该基板622，以提供由反射材料610围绕的多个间隔开的LED芯片602。LED芯片602可以通过引线键合WB来电连接在LED器件630上，并且在一些方面中，被电连接到一条或多条导电迹线626或其它合适的电源。在一些实施例中，如本文所描述的密封剂624可以被施加到LED器件630。在图10D中，垛620中的LED芯片602可以在被加到基板622之前抛光，以在裸片上确保正确的金属暴露。
LED器件630的基板622可以包括任何合适的基板，包括例如陶瓷基板或金属基板。反射材料610包括TiO2，或者在一些实施例中，包括TiO2和硅树脂，其中TiO2:硅树脂的比率在约1:1至约3:1之间并且包括约1:1和约3:1。
图11A和图11B是本文公开的附加LED器件的截面图，其中反射材料提供增强的性能和/或发射轮廓。在图11A中，LED器件(总体上用650表示)包括具有基台654的基板652。在一些实施例中，基板652可以包括冲压的铝材料，其中基台654被构造成用于将裸片或LED附接到其上。基台654可以包括与基板652相同或不同的材料，包括例如陶瓷、金属或铝。在基台654的上表面上，可以施加一个或多个LED芯片658或裸片，其中，多个LED芯片(总体上用658表示)可以通过引线键合WB电连接。在一些实施例中，可以在基台654之间提供反射材料656，并且在一些实施例中，可以填充或基本填充基台654之间的空间，使得反射材料656的高度与基台654处的高度大约相同。在附接LED芯片658之前，在将反射材料656施加在基台654之间的位置，基台654的上表面可以被抛光以移除任何多余的反射材料656，并提供对LED芯片658的正确附接。在这种构型中，从LED芯片658反射并朝着基台654向下倾斜的任何光可以被反射回来，以改善来自LED器件650的光输出和发射角度。在一些方面中，LED芯片658可以包括具有镜面背面的蓝宝石裸片。
类似地，在图11B中，LED器件(总体上用670表示)包括具有基台654的基板652。基台654可以包括与基板652相同或不同的材料，包括例如陶瓷或金属。在基台654的上表面上，可以施加一个或多个LED芯片658或裸片，其中，多个LED芯片658可以通过引线键合WB电连接。在一些实施例中，反射材料656可以被设置在基台654之间。与图11A中的器件不同，基台654之间的空间以及LED芯片658之间的空间可以被填充或基本填充，使得反射材料656的高度与LED芯片658处的高度大约相同。在这种构型中，来自LED芯片658的一个或多个侧面的任何反射光被反射回LED芯片658和/或被从LED芯片658的顶部反射出，以改善来自LED器件670的光输出和发射角度。在一些方面中，LED芯片658可以包括具有镜面背面的蓝宝石裸片。
在一些实施例中，为了到达图11B中的LED器件670，可以提供具有基台654的基板652，其中，在基台654之间的空间中施加反射材料656，如图11A所示。随后，如在图10C中所示，垛620被施加到基台654，使得LED芯片与基座对准，并且垛中的反射材料与基座之间的反射材料对准。如图11B所示，这导致LED器件670。
类似于以上实施例，LED器件650和670中的反射材料656可以包括TiO2，或者在一些实施例中，包括TiO2和硅树脂，其中TiO2:硅树脂的比率在约1:1至约3:1的范围内并且包括约1:1和约3:1。
图12A和图12B是通过本文公开的方法制造的LED部件和器件的截面图。图12B的LED器件(总体上用700表示)可以包括位于封装晶片702上的裸片或LED芯片704或晶片级封装(WLP)LED，其具有密封剂706以及有斜面的或倾斜的白壁710。为了形成LED器件700，可以如本文公开地使用密封剂706封装WLP LED。如图12A所示，可以使用有斜切(beveled)的刀片来作出穿过封装的晶片702(或基板)并穿过密封剂706(或玻璃)进行斜切割BC。实际上，封装晶片702上的裸片的外边缘通过斜切BC而从封装晶片上的裸片的底侧成形，以形成具有倾斜角度的斜切边缘。随后可以使用本文公开的任何方法、包括例如平压模制和/或使用热剥离带来用反射材料710填充通过斜切割BC留下的空间。反射材料710的壁被施加到斜切边缘，以形成反射材料的壁，该反射材料的壁在其底部的厚度大于在其顶部的厚度，从而允许设计量(例如，预定和/或期望的量)的光被发射。在一些方面中，在所有侧壁厚度都在光学上厚的情况下，成形边缘或斜切边缘可以比直的侧壁在光学上更亮。在一些实施例中，使斜切角度更大(例如，更多)将导致部件更亮(例如，在至少一方面中输出更大的光强度)。在一些实施例中，“光学上厚”的部件是被构造成不允许光透过或几乎没有明显的光透过的部件。例如，光学上厚的部件或材料可以足够厚，或者具有足够的散射特性，以反射或以其它方式阻止光透过该部件或材料。
一旦反射材料710固化，能够以穿过反射材料710的斜切割BC的方式作出直的切割，以将LED部件单个化，并且形成具有带斜面的或倾斜的反射材料(即，白壁710)的LED器件700，其结果如图12B所示。通过提供倾斜的白壁710，如图12B所示，可以增强光反射，使得可以优化发射角和轮廓。
类似于以上实施例，LED器件700中的反射材料710可以包括TiO2，或者在一些实施例中，可以包括TiO2和硅树脂，其中TiO2:硅树脂的比率在约1:1至约3:1之间并且包括约1:1和约3:1。
图13和图14是发光性能的图形描述。图13是色彩空间图，其表明图14中的数据点在色彩位置相似时是有效的。图14示出了封装高度和亮度之间的关系。由于不同的封装高度具有封装越高角度越紧的视角趋势，因此亮度和视角之间也存在对应关系。如此，虽然可以调节视角，但是在流明之间进行折衷，尽管可能不在有用的流明中进行折衷。在一些实施例中，视角可以是确定最佳发光输出的重要考虑因素，但是在二次光学设计(例如反射器设计)中也可以考虑。
如在本文中描述的，迹线、电触头、引线和接触焊盘可包括任何合适的导电材料，例如，用无电Ag精加工的Cu、Ni-Ag、ENIG、ENIPIG、HASL、OSP等。可以通过镀覆(例如，通过电镀或化学镀)、沉积(例如，物理、化学和/或等离子体沉积、CVD、PECVD等)、溅射或通过任何其它合适的技术来在基板的一个或多个表面上施加迹线。在一些方面中，迹线可以包括金属或金属合金，其可以包含(全部或部分)铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、钯(Pd)、铝(Al)、锡(Sn)、其组合和/或任何其它合适的导体。
在一些方面中，基板和/或基座可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯印刷电路板(MCPCB)、柔性印刷电路板、电介质层压板(例如，本领域已知的FR-4板)、基于陶瓷的基板或用于安装LED和/或LED封装的任何其它适合基板。在一些方面中，这种基板可以包括一种或多种材料，其被布置成提供期望的电隔离和高导热率。例如，这种基板的至少一部分可以包括电介质，以在电迹线和/或固态发射器的组之间提供期望的电隔离。在一些方面中，这种基座可以包括陶瓷，例如氧化铝(Al2O3)，氮化铝(AlN)，碳化硅(SiC)，硅或塑料，或聚合材料，例如聚酰亚胺、聚酯等。在一些方面中，这种基板包括柔性电路板，其可以允许基板以非平面或弯曲的形状形成，从而允许提供定向的光发射，使固态发射器也以非平面的方式布置在非平面得基板上。
在一些方面中，LED可以被水平地构造，使得安装在基板或基座上的LED可以在不使用引线键合的情况下电连接到迹线。例如，每个LED可以是水平构造的器件，其中每个电触头(例如，阳极和阴极)可以布置在LED的底表面上。可以使用任何合适的材料和/或技术(例如焊料附接、预成型件附接、助焊剂或无助焊剂共熔附接、硅树脂环氧树脂附接、金属环氧树脂附接、热压附接、凸点结合和/或其组合)的芯片附接LED能够直接将LED电连接到电迹线，而无需引线键合。
在一些方面中，本文公开的LED器件和系统中的LED可以是不包括倾斜表面或斜面的器件。例如，这种LED可以是这种LED器件，其在LED的一侧(底侧)上包括共面电触头，而使大多数发光或透射表面位于相反侧(上侧)，其也称为“倒装芯片”部件。可以使用焊料(或其它合适的导电材料)的凸点以及力、能量(例如，超声波)和/或热量将LED凸点结合到迹线。
在一些方面中，LED器件能够可选地包括用于光学器件、透镜、偏振器、抗反射(AR)涂层、防眩光、微透镜、光导、视差屏障、双凸透镜阵列等的漫射层。其结果是，这种器件的漫反射在光谱的可见光部分可以为5％或更小。
在一些方面中，并且根据本文中的公开，发光二极管(LED)器件包括：具有上表面和底表面的基座；布置在该基座的上表面上的LED，该LED包括上表面和一个至少一个或多个侧面；围绕所述LED的密封剂，该密封剂被布置在LED的上表面和一个或多个侧面上；以及围绕所述围绕所述LED的密封剂的反射壁；其中，反射壁的上表面的至少一部分与密封剂的上表面的至少一部分基本共面。在一些方面中，上文描述的LED器件可以包括延伸超出LED的一个或多个侧面的基座，并且基座的上表面的延伸超出LED的一个或多个侧面的一部分形成LED器件的底板。LED器件的底板的表面积可以基本等于或大于LED的上表面的表面积。反射壁的外边缘可以与基座的外边缘基本共面。反射壁可以布置在基座的外边缘周围。密封剂可以包括基于环氧树脂或基于硅树脂的可固化树脂或其它聚合物基体。反射壁可以包括TiO2。反射壁可以包括TiO2和硅树脂，并且反射壁中TiO2:硅树脂的比率可以为约1:1。反射壁可以包括TiO2和硅树脂，并且反射壁中TiO2:硅树脂的比率可以在约1:1至约3:1之间且包括约1:1和约3:1。反射壁的厚度可以在约50微米(μm)至大约400μm之间并且包括约50μm和约400μm。反射壁可以具有约250μm的厚度，TiO2:硅树脂的比率为约1:1，并且可以被构造成基本阻挡从LED朝着反射壁发射的所有的光。LED器件可以进一步包括布置在LED的上表面上方的Phos帽。与没有反射壁的LED器件相比，该LED器件可以使从LED器件输出的光的光束角减小约10°至约20°。从LED器件输出的光的光束角可以为约115°或更小。基座可以包括金属材料。反射壁可以被构造成在光学上厚，以防止经由其漏光。反射壁可以包括黑白材料层，其被构造成优化从LED发射的光的反射率。
在一些方面中，发光二极管(LED)器件包括：定位在封装晶片上的单个化裸片；围绕所述单个化裸片的密封剂；以及围绕所述围绕所述单个化裸片的密封剂的反射壁，其中，反射壁的上表面的至少一部分或全部与密封剂的上表面的至少一部分或全部基本共面。反射壁可以围绕封装晶片上的单个化裸片的外边缘布置。密封剂可以包括基于环氧树脂或基于硅树脂的可固化树脂或其它聚合物基体。反射壁可以包括TiO2。反射壁可以包括TiO2和硅树脂，并且反射壁中TiO2:硅树脂的比率可以为约1:1。反射壁可以包括TiO2和硅树脂，并且反射壁中TiO2:硅树脂的比率可以在约1:1至约3:1之间且包括约1:1和约3:1。反射壁的厚度可以在约50微米(μm)至大约400μm之间并且包括约50μm和约400μm。反射壁可以具有约250μm的厚度，TiO2:硅树脂的比率为约1:1，并且可以被构造成基本阻挡从LED朝着反射壁发射的所有的光。LED器件可以进一步包括布置在LED的上表面上方的Phos帽。与没有反射壁的LED器件相比，该LED器件可以使从LED器件输出的光的光束角大大减小。从LED器件输出的光的光束角可以为约115°或更小。
在一些方面中，一种制造发光二极管(LED)器件的方法包括：提供陶瓷基座；将多个裸片附接到陶瓷基板；在位于平坦模具中的裸片和/或陶瓷基座的上表面上施加密封剂；将被附接到陶瓷基板的多个芯片单个化，以形成分开的裸片部件；将分开的裸片部件在模具中排列成阵列；用反射材料淹没呈阵列布置的分开的裸片部件周围的空间，以围绕分开的裸片部件；以及穿过分开的裸片部件周围的反射材料切割，以单个化分开的裸片部件，从而提供包括由通过反射材料形成的围绕的壁分开的裸片部件中的至少一个的LED器件。该方法可以进一步包括在穿过反射材料切割之前固化反射材料。密封剂可以包括磷。反射材料可以包括TiO2。反射材料可以包括TiO2和硅树脂，并且反射壁中TiO2:硅树脂的比率可以为约1:1。反射材料可以包括TiO2和硅树脂，并且反射材料中TiO2:硅树脂的比率可以在约1:1至约3:1之间且包括约1:1和约3:1。由反射材料形成的壁可以布置在基座的外边缘周围。反射材料的壁的厚度可以在约50微米(μm)至大约400μm之间并且包括约50μm和约400μm。反射材料可以包括TiO2和硅树脂，反射材料的壁可以具有约250μm的厚度，TiO2:硅树脂的比率为约1:1，并且反射材料的壁可以被构造成基本阻挡从LED朝着反射壁发射的所有的光。与没有反射壁的LED器件相比，该LED器件可以使从LED器件输出的光的光束角大大减小。从LED器件输出的光的光束角可以为约115°或更小。
在一些方面中，一种制造发光二极管(LED)器件的方法可以包括：提供多个LED芯片，其中，多个LED芯片中的每个包括上表面、下表面以及一个或多个侧面；将多个LED芯片中的每个施加到模具中的热剥离带，其中，多个LED芯片中的每个被上表面朝下地朝着热剥离带的接触表面施加；用反射材料淹没模具中的多个LED芯片中的每个周围的空间，以用所述反射材料围绕多个LED芯片的一个或多个侧面；固化反射材料以形成垛，所述垛包括具有嵌在其中的多个LED芯片的反射材料，垛与热剥离带接触；以及将垛从热剥离带上移除，并将垛施加到基板，以形成包括由反射材料围绕的多个间隔开的LED芯片的LED器件。多个LED芯片中的每个可以在其上表面上包括引线键合部。该方法可以包括用反射材料淹没模具中的多个LED芯片中的每个周围的空间，以用反射材料围绕多个LED芯片的一个或多个侧面，还包括施加反射材料，至少直到多个LED芯片中的每个的背离散热带的接触表面面向上的下表面。该方法可以包括将垛施加到基板，以形成包括由反射材料围绕的多个间隔开的LED芯片的LED器件，还包括在将垛施加到基板之前，将垛翻转过来，使得多个LED芯片的上表面背离所述基板面向上。该方法可以进一步包括经由引线键合部电连接LED器件上的多个LED芯片。该方法可以进一步包括固化反射材料。基板可以包括陶瓷基板。基板可以包括金属基板。反射材料可以包括TiO2。反射材料可以包括TiO2和硅树脂，并且反射材料中的TiO2:硅树脂的比率为约1:1。反射材料可以包括TiO2和硅树脂，并且反射材料中的TiO2:硅树脂的比率在约1:1至约3:1之间并且包括约1:1和约3:1。
在一些方面中，一种制造发光二极管(LED)器件的方法包括：提供定位在封装晶片上的裸片；使用刀片对定位在封装晶片上的裸片的外边缘进行成形；以及在位于封装晶片上的裸片的经成形的外边缘周围施加反射材料，以形成反射材料的壁。对位于封装晶片上的裸片的外边缘进行成形可以包括使用斜切刀片(beveled blade)以从位于封装晶片上的裸片的底侧作出斜面切割，从而形成具有倾斜角度的斜切边缘。可以将反射材料的壁施加到斜切边缘，以形成反射材料的壁，该反射材料的壁在其底部处的厚度大于在其顶部处的厚度。反射材料可以包括TiO2。反射材料可以包括TiO2和硅树脂，并且反射材料中的TiO2:硅树脂的比率为大约1:1。反射材料可以包括TiO2和硅树脂，并且反射材料中的TiO2:硅树脂的比率在约1:1至约3:1之间并且包括约1:1和约3:1。
虽然这里已经参考具体方面、特征和说明性实施例描述了本主题，但是应当理解，本主题的效用不因此受到限制，而是扩展到并且涵盖基于本文的公开内容本主题领域的普通技术人员自己想到的许多其它变型、特性、改型以及替代实施例。
本文所公开的各方面可以例如但不限于提供以下有益技术效果中的一个或多个：降低提供固态照明装置的成本；减小固态照明装置的尺寸、体积或占地面积；改善效率；改善显色性；改善热管理；简化电路；改善对比度；改善视角；改善色彩混合；可靠性提高和/或简化的DC或AC可操作性。
本文所述的结构和特征的各种组合和子组合是预期的，并且对于具有本公开的公知常识的本领域技术人员而言将是显而易见的。如本文公开的各种特征和元件中的任何特征和元件可以与一个或多个其它公开的特征和元件组合，除非在此相反指示。相应地，在下文中要求保护的主题旨在广泛地诠释和解释为包括在其范围内的所有这些变型、改型和替代实施例并且包括权利要求的等同物。

Claims (22)

1.一种制造发光二极管(LED)器件的方法，所述方法包括：
提供基座；
将裸片附接到基板；
将密封剂施加在所述裸片和/或所述基板的上表面上；
将被附接到所述基板的裸片单个化，以形成分开的裸片部件；
将被单个化的所述裸片部件安装到剥离基板；
施加反射材料，以围绕被单个化的所述裸片部件；以及
穿过所述反射材料切割，以将所述裸片部件单个化，从而提供被反射材料的壁围绕的LED器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离基板包括热剥离带。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述密封剂包括基于环氧树脂或基于硅树脂的可固化树脂或其它聚合物基体。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射材料包括TiO2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射材料包括TiO2和硅树脂，并且所述反射壁中的TiO2:硅树脂的比率为约1:1。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射材料包括TiO2和硅树脂，并且所述反射材料中的TiO2:硅树脂的比率在约1:1至约3:1的范围内且包括约1:1和约3:1。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射壁被布置在所述基座的外边缘周围。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射材料的壁的厚度在约50微米(μm)至约400μm之间并且包括约50μm和约400μm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反射壁具有约250μm的厚度以及约1:1的TiO2:硅树脂的比率，其中，所述反射壁基本阻挡从所述LED发射并射向所述反射壁的所有光。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与没有所述反射壁的LED器件相比，从所述LED器件输出的光的光束角被明显减小。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，从所述LED器件输出的光的光束角为约115°或更小。
12.一种制造发光二极管(LED)器件的方法，包括：
提供基座；
将裸片附接到基板；
将密封剂施加在所述裸片和/或所述基板的上表面上；
通过第一切割将被附接到所述基板的裸片单个化，所述第一切割穿过所述密封剂直到所述基板，以形成将多个被单个化的裸片部件沿着所述基板分开的通道；
施加反射材料以围绕所述多个被单个化的裸片部件，从而形成白壁；以及
通过第二切割来穿过所述反射材料和所述基板切割，以将所述多个被单个化的裸片部件单个化，从而提供被所述反射材料围绕的LED器件。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述密封剂包括磷。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述反射材料包括TiO2。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述反射材料包括TiO2和硅树脂，并且所述反射材料中的TiO2:硅树脂的比率为约1:1。
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述反射材料包括TiO2和硅树脂，并且所述反射材料中的TiO2:硅树脂的比率在约1:1至约3:1的范围内且包括约1:1和约3:1。
17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述反射材料的厚度在约50微米(μm)至约400μm之间并且包括约50μm和约400μm。
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述反射材料包括TiO2和硅树脂，所述反射材料具有约250μm的厚度以及约1:1的TiO2:硅树脂的比率，并且所述反射材料被构造成基本阻挡从所述LED朝着所述反射壁发射的所有光。
19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，与没有所述反射材料的LED器件相比，从所述LED器件输出的光的光束角被明显减小。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，从所述LED器件输出的光的光束角为约115°或更小。
21.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一切割包括使用比用于作出所述第二切割的刀片更宽的刀片。
22.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述反射材料的外边缘与所述基板的外边缘基本共面。
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