CN110934513A - 煎烤机及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本公开是关于煎烤机，该煎烤机包括上盘组件和下盘组件，所述上盘组件与所述下盘组件可转动连接，所述下盘组件包括：下壳，烤盘和位于所述下壳和烤盘之间的加热部件；所述上盘组件包括：上盖；加热基板，位于所述上盖形成的容置空间内，与所述上盖固定连接；纳米发热膜，位于所述加热基板面向所述上盖的一侧；电极，位于所述纳米发热膜上，所述电极通过导电线连接电源，以向所述纳米发热膜供电使其发热；控制器，连接所述加热部件和所述电极，用于控制所述加热部件和所述电极工作，对所述烤盘上的物品进行加热。该技术方案可以利用纳米发热膜电热效率高、加热速度快的特点，在上色阶段迅速对食物顶面集中加热，对食物加速上色，提升食物的烹饪品质。

Description

煎烤机及其控制方法

技术领域

本公开涉及厨具领域，尤其涉及煎烤机及其控制方法。

背景技术

市面上的煎烤机大多采用铝制烤盘底部设置发热管加热方式，通过铝盘导热将产品工作热量传导给煎烤机内的食材。因铝材本身储热较大以及高温受热热变形大的特性，一般煎烤机产品设置的功率一般都不高。在烹饪饼类食材需要上色的场景，需要等待的时间比较长，且上色效果一般，用户使用体验感不好。

发明内容

本公开实施例提供一种煎烤机及其控制方法。所述技术方案如下：

根据本公开实施例的第一方面，提供一种煎烤机，包括上盘组件和下盘组件，所述上盘组件与所述下盘组件可转动连接，所述下盘组件包括：下壳，烤盘和位于所述下壳和烤盘之间的加热部件；所述上盘组件包括：

上盖；

加热基板，位于所述上盖形成的容置空间内，与所述上盖固定连接；

纳米发热膜，位于所述加热基板面向所述上盖的一侧；

电极，位于所述纳米发热膜上，所述电极通过导电线连接电源，以向所述纳米发热膜供电使其发热；

控制器，连接所述加热部件和所述电极，用于控制所述加热部件和所述电极工作，对所述烤盘上的物品进行加热。

在一个实施例中，所述煎烤机还包括限温保护装置，其中：

所述限温保护装置，设置在所述加热基板上，用于限定所述加热基板的温度不超过预设的最高温度。

在一个实施例中，所述煎烤机还包括限温保护装置，其中：

所述限温保护装置包括突跳式温控器，其中：

所述突跳式温控器，连接在所述电极与电源之间，用于在所述加热基板的温度达到所述最高温度时，断开所述电极与电源之间的连接。

在一个实施例中，所述限温保护装置包括热敏电阻，其中：

所述热敏电阻，连接所述控制器，用于将检测到的温度信号发送给所述控制器；

所述控制器，连接所述电极，用于在接收到所述温度信号表明所述加热基板的温度达到所述最高温度时，控制所述电源停止对所述电极的供电。

在一个实施例中，所述加热基板的厚度大于等于3mm。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种煎烤机的控制方法，所述方法应用于上述的煎烤机，在所述煎烤机上电烹饪预设食物时，所述方法包括：

在升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热，所述第一功率大于所述第二功率；

在所述烤盘的温度达到预设温度时进入加热稳定阶段，控制所述发热部件以第一可调功率对所述烤盘进行加热，使得所述烤盘的温度在第一预设温度范围内，控制所述纳米发热膜以第二可调功率对所述加热基板进行加热，使得所述加热基板的温度在第二预设温度范围内；其中，所述烤盘的温度大于所述加热基板的温度，所述烤盘和所述加热基板之间的温差在5℃至30℃之间；

在所述加热稳定阶段达到预设时间时进入上色阶段，控制所述纳米发热膜以第三功率对所述加热基板进行加热预设时间后，关闭所述煎烤机；所述第三功率大于所述第二可调功率。

在一个实施例中，所述第一预设温度范围包括120℃至200℃。

在一个实施例中，所述第二预设温度范围包括100℃至180℃。

在一个实施例中，所述预设时间包括10s至180s。

在一个实施例中，所述煎烤机包括包括与所述控制器连接的第一温度传感器和第二温度传感器，其中，所述第一温度传感器接触所述烤盘，用于检测所述烤盘的温度，所述第二温度传感器接触所述加热基板，用于检测所述加热基板的温度；

所述在升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热，包括：

在升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热；根据所述第一温度传感器检测到的烤盘的温度和所述第二温度传感器检测到的加热基板的温度，调整所述第一功率和所述第二功率，使得所述烤盘的升温速度高于所述加热基板的升温速度。

本实施例可以在烹饪饼类食材需要上色的场景中，利用纳米发热膜电热效率高、加热速度快的特点，控制纳米发热膜的以预设的发热功率加热，迅速对食物顶面集中加热，让食物加速上色。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种煎烤机的结构示意图。

图2是根据一示例性实施例示出的一种煎烤机的结构示意图。

图3是根据本公开一示例性实施例示出的一种煎烤机的控制方法的流程图。

图4是一种是根据本公开一示例性实施例示出的一种煎烤烹饪过程中的温度示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本公开的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

图1是根据一示例性实施例示出的一种煎烤机的结构示意图，如图1所示，该煎烤机包括上盘组件1和下盘组件2，所述上盘组件1与所述下盘组件2可转动连接，如此，用户在使用煎烤机时，可以旋转上盘组件1，打开煎烤机，将待煎烤的食物放进上盘组件1和下盘组件2之间的空腔内，然后再次旋转上盘组件1，使该煎烤机闭合，最后就可以启动煎烤机对空腔内的食物进行煎烤。

如图1所示，本实施例提供的煎烤机中，所述下盘组件2包括：下壳21，烤盘22和位于所述下壳21和烤盘22之间的加热部件23；该加热部件23位于该烤盘22的下方，用于对烤盘22上的食物进行加热。示例的，如图1所示，该加热部件23可以是均匀分布在烤盘22下的发热管，该烤盘22的下方可以设置有凹槽，该加热管可以设置在凹槽内。该发热管是一种管状会发热的电热元件。按材质分可分为金属管，玻璃管，陶瓷管，碳纤维管，硅胶管等。以金属管为例，可以在金属管内沿管内中心轴向均布螺旋电热合金丝(镍铬、铁铬合金)，这些电热合金丝在通电会后可以将电能转换为热能，通过金属管的热传递加热烤盘22，对烤盘22上的食物进行煎烤。

如图1所示，所述上盘组件1包括：上盖11，加热基板12，纳米发热膜 13和电极14。

该加热基板12位于所述上盖11形成的容置空间内，与所述上盖11固定连接；示例的，如图1所示，该上盖11包括顶板和侧板，该顶板和侧板形成有容置空间，该上盖11上可以设置一凹槽板位于该容置空间内，该加热基板 12就固定在该凹槽板的凹槽内。当然，该加热板也可以通过上盖11内侧壁上的固定装置(如卡槽等)直接固定在上盖11的侧壁上，在此不再一一例举。这里，所述加热基板12的材质可以是微晶玻璃、钢化玻璃或石英玻璃，该微晶玻璃、钢化玻璃、石英玻璃均具有耐高温性能，适宜作为加热基板12。

所述纳米发热膜13位于所述加热基板12面向所述上盖11的一侧，如此，纳米发热膜13位于加热基板12和上盖11之间，避免纳米发热膜13被脏污以及太热灼伤用户。电极14位于所述纳米发热膜13上。所述电极14通过导电线连接电源，以向所述纳米发热膜13供电使其发热。

在本公开的实施例中，纳米发热膜13是一种多晶硅半导体新材料，其利用硅的超低电阻率的特点，在硅元素中按比例添加金属和非金属元素，采用纳米级技术将发热材料细化成纳米级颗粒，以复杂工艺经过烧结，沉积等步骤可以制取3～5微米厚的导电发热层，进而制取纳米发热膜13。纳米发热膜13具有电热效率高、加热速度快、远红外辐射加热功能等特点，还同时兼具不结水垢、耐酸碱等特点，从而能长期保持99％以上的热效比，工作电压 4V～400V都可以工作。

在本公开的实施例中，可以在纳米发热膜13上印刷电极14来作为电源输入和输出极，为所述纳米发热膜13供电，通电后在两个电极14之间的纳米发热膜13产生电流发热，对位于纳米发热膜13下方的烤盘22上的食物进行加热。该电源电压可以是宽电压4～400V，本实施例提供的煎烤机通常用于家庭场合，电压通常是220V。这里需要说明的是，该煎烤机中可以设置控制器来控制电源向电极14的供电，进而控制纳米发热膜13的发热功率，方便用户调整不同的加热功率来烹制不同的食物。

在本公开的实施例中，纳米发热膜13的面积和厚度可以根据实际情况来确定，纳米发热膜13的面积可以是煎烤机中待加热区域的面积；然后可以根据加热功率，使用场景的电压确定纳米薄膜的电阻，然后根据该纳米薄膜的电阻和纳米发热膜13的面积确定纳米发热膜13的厚度。

在本公开的实施例中，所述煎烤机还包括控制器(图中未显示)，该控制器可以设置在上盖组件内，也可以设置在下盖组件内，在此不做限制。该控制器连接所述加热部件和所述电极，用于控制所述加热部件和所述电极工作，对所述烤盘上的物品进行加热，该加热部件通过对烤盘的加热对该物品的底面进行加热，该电极通电使纳米发热膜13对该物品的顶面进行加热。如此，在烹饪饼类食材需要上色的场景中，可以利用纳米发热膜电热效率高、加热速度快的特点，控制器可以控制纳米发热膜的以预设的发热功率加热，迅速对面饼顶面集中加热，让面饼加速上色，提升产品烤饼烹饪品质。

这里需要说明的是，上述方案中，上盖11对应于所述烤盘22的区域、加热基板12和纳米发热膜13可以均设置为透明，这样，用户在使用该煎烤机时，可以透过这些透明的部件看到烤盘22上的物品的烹饪状态，而不用频繁打开上盖11造成动作浪费、脏污以及热量损失。

在一个实施例中，图2是根据一示例性实施例示出的一种煎烤机的结构示意图，所述煎烤机还包括限温保护装置15，其中，所述限温保护装置15，设置在所述加热基板12上，可以检测到加热基板12上的温度，在加热基板 12上的温度达到预设的最高温度时，使纳米发热膜13停止工作，停止对加热基板的加热，如此，限定所述加热基板的温度不超过预设的最高温度。这里需要说明的是，由于纳米发热膜13设置在加热基板12，故限温保护装置 15检测到加热基板的温度就是纳米发热膜13的工作温度。该限温保护装置 15限定的加热基板的温度就相当于限定了纳米发热膜13工作的最高温度，如此，可以防止纳米发热膜13工作时温度过高，使得煎烤机的使用更安全，且增长纳米发热膜13的使用时间，提高煎烤机的使用寿命。

这里，所述纳米发热膜13工作的最高温度小于等于300℃，故该预设的最高温度小于等于300℃。

在一个实施例中，所述限温保护装置15包括突跳式温控器，其中，所述突跳式温控器可以连接在所述电极14与电源之间，用于在所述加热基板12 的温度达到所述最高温度时，断开所述电极14与电源之间的连接。

示例的，该突跳式温控器可以将定温后的双金属圆片作为热敏感反应组件，当加热基板的温度增高时所产生的热量传递到双金属圆片上，双金属圆片作为感受温度的元件在温度上升到最高温度时，在瞬间产生突跳动作，该动作被动作杆传递到弹性零件——动触点支架，动触点和定触点分别铆接在动触点支架和牛角上，动触点支架被动作杆推动后，动触点和定触点分离，从而使电路断开，断开电极14与电源之间的连接，使得纳米发热膜13停止产热。当加热基板的温度下降到双金属圆片恢复温度时，双金属圆片瞬间恢复原来的形状，施在动作杆上的压力消除，动、定触点恢复接通，电极14 与电源之间重新连接，使得纳米发热膜13继续工作；如此就可以自动限定所述加热基板的温度不超过预设的最高温度。

在一个实施例中，所述限温保护装置15包括热敏电阻。

所述热敏电阻连接所述控制器，用于将检测到的温度信号发送给所述控制器；所述控制器，连接所述电极14，用于在接收到所述温度信号表明所述加热基板的温度达到所述最高温度时，控制所述电源停止对所述电极14的供电。

该热敏电阻器对温度敏感，在不同的温度下表现出不同的电阻值，控制器可以根据最高温度时的电阻值确定加热基板12的温度是否达到最高温度，在该加热基板12的温度达到最高温度时，控制所述电源停止对所述电极14 的供电，使得纳米发热膜13停止对加热基板的加热。

在一种可能的实施例中，所述加热基板12的厚度大于等于3mm，这样可以抗冲击防护，提高煎烤机的质量，增长煎烤机的使用寿命。

在一种可能的实施例中，如图2所示，所述上盖11对应于所述烤盘22 的区域处设置有保护层17，所述保护层17用于隔热和电器安全防护。为了方便用户观察食物16的状态，该保护层17可以是透明的保护层。

示例的，如图2所示，可以在该上盖11对应于所述烤盘22的区域处设置一凹陷的凹槽，将该透明的保护层17设置在该凹槽内。当然，该透明的保护层17也可以设置为上盖11的透明区域，即上盖11对应于所述烤盘22的区域直接由该透明的保护层17构成，可以在上盖11上对应于所述烤盘22 的区域设置一通孔，将该透明的保护层17固定(如卡合或粘结)在该通孔处。

这里，该透明的保护层17可以有隔热作用，防止该下方的纳米发热膜 13过热，灼伤用户；同时，该透明的保护层17为绝缘材料，可以进行电器安全防护，放置用户触电。

这里，该透明的保护层17可以是钢化玻璃、石英玻璃、微晶玻璃中的一个。

这里，该钢化玻璃安全性高，当玻璃受外力破坏时，碎片会成类似蜂窝状的钝角碎小颗粒，不易对人体造成严重的伤害。强度高，同等厚度的钢化玻璃抗冲击强度是普通玻璃的3～5倍，抗弯强度是普通玻璃的3～5倍。热稳定性良好的热稳定性，能承受的温差是普通玻璃的3倍，可承受300℃的温差变化。该石英玻璃具有高的耐温性，优良的电绝缘性，且透光度良好，方便用户观察。该微晶玻璃机械强度高，绝缘性能优良，耐化学腐蚀，耐磨，热稳定性好，使用温度高。该钢化玻璃、石英玻璃和微晶玻璃均可以很好地达到隔热和电器安全防护的作用。

在一个实施例中，所述透明的保护层17与所述纳米发热膜13之间的间距大于等于10mm，使得透明的保护层17与热源-纳米发热膜13之间的距离超过10mm，隔热效果更好。

在一个实施例中，所述透明的保护层17的厚度大于等于3mm，这样可以抗冲击防护，提高煎烤机的质量，增长煎烤机的使用寿命。

本公开还提供了一种煎烤机的控制方法，所述方法应用于上述的任一种煎烤机，图3是根据本公开一示例性实施例示出的一种煎烤机的控制方法的流程图，在所述煎烤机上电烹饪预设食物时，该方法包括以下步骤301、302和3 03：

在步骤301中，在升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热，所述第一功率大于所述第二功率。

这里，在煎烤食物时，煎烤机需要先进入升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，进而对烤盘上食物的底面进行加热；同时，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热，进而对烤盘上食物的顶面进行加热。

本公开实施例中，在食物上色前以烤盘加热为主，通过下方的烤盘加热温度对食物进行一次糊化，避免食物上部温度过高导致水分散失过快造成发干发硬影响口感。

在步骤302中，在所述烤盘的温度达到预设温度时进入加热稳定阶段，控制所述发热部件以第一可调功率对所述烤盘进行加热，使得所述烤盘的温度在第一预设温度范围内，控制所述纳米发热膜以第二可调功率对所述加热基板进行加热，使得所述加热基板的温度在第二预设温度范围内；其中，所述烤盘的温度大于所述加热基板的温度，所述烤盘和所述加热基板之间的温差在5℃至30℃之间。

这里，在所述烤盘的温度达到预设温度时，结束升温阶段，进入加热稳定阶段，在该加热稳定阶段，要保证烤盘的烤盘的温度稳定在第一预设温度范围内且所述加热基板的温度稳定在第二预设温度范围内。这里为了确保以烤盘加热为主，所述烤盘的温度要大于所述加热基板的温度，优选的，所述烤盘和所述加热基板之间的温差可以在5℃至30℃之间。

这里，可以在烤盘和加热基板上设置温度传感器(示例的，上述实施例中加热基板上的热敏电阻可以作为加热基板上的温度传感器)来检测烤盘和加热基板的温度，当烤盘上的温度传感器检测到烤盘的温度超过该第一预设温度范围时，调低第一可调功率如可以是调为0，当烤盘上的温度传感器检测到烤盘的温度小于该第一预设温度范围时，调高第一可调功率，保证该烤盘的温度在第一预设温度范围内。同时，当加热基板上的温度传感器检测到加热基板的温度超过该第二预设温度范围时，调低第二可调功率如可以是调为0，当加热基板上的温度传感器检测到加热基板的温度小于该第二预设温度范围时，调高第一可调功率，保证该烤盘的温度在第二预设温度范围内。

优选的，该所述第一预设温度范围包括120℃至200℃。示例的，该烤盘的温度是120℃时，该加热基板的温度可以是90℃至117℃，该烤盘的温度是170℃时，该加热基板的温度可以是120℃至145℃，该烤盘的温度是200℃时，该加热基板的温度可以是170℃至195℃。

优选的，该第二预设温度范围包括100℃至180℃。示例的，该烤盘的温度是120℃时，该加热基板的温度可以是100℃至117℃，该烤盘的温度是 170℃时，该加热基板的温度可以是120℃至145℃，该烤盘的温度是200℃时，该加热基板的温度可以是170℃至180℃。当然，只要烤盘的温度在120℃至200℃之间，该加热基板的温度在100℃至180℃之间，且烤盘和加热基板之间的温差在5℃至30℃之间都可以。

这里，针对每种物品对应的煎烤时间是不同的，该加热稳定阶段的时间可以是用户直接设置的，也可以是控制器根据用户输入的煎烤物品的种类获取的。

在步骤303中，在所述加热稳定阶段达到预设时间时进入上色阶段，控制所述纳米发热膜以第三功率对所述加热基板进行加热预设时间后，关闭所述煎烤机；所述第三功率大于所述第二可调功率。

这里，需要上色的预设食物可以是饼类、面包等食物，这些食物在烹饪时，会在加热稳定阶段结束后进行上色，此时，可以利用纳米发热膜电热效率高、加热速度快等热惯性小的特点，调高纳米发热膜的功率，使该纳米发热膜以高于第二可调功率的第三功率对所述加热基板进行加热，如此，迅速对面饼上端面集中加热，让面饼加速上色，提升烤饼产品的烹饪品质。

这里，在上色阶段，上色时间太短上色效果不好，上色时间太长容易把食物烤焦。故，优选的，该上色阶段需要的预设时间为10s≤t≤180s，针对不同的食物可以设置不同的预设时间，如可以是10s、50s、180s等等。

示例的，图4是一种是根据本公开一示例性实施例示出的一种煎烤烹饪过程中的温度示意图。如图4所示，在0-t1时间段内为升温阶段，在该升温阶段内，该烤盘的升温速度高于加热基板的升温速度，在烤盘的温度上升到预设温度即图4中所示的190℃左右时，开始加热稳定阶段，保证烤盘的温度范围180℃至190℃之间徘徊，加热基板的温度在170℃至180℃之间徘徊，使得烤盘的温度T2与加热基板的温度T1之间的温差ΔT在5℃至30℃之间。在时间达到t2时，结束加热稳定阶段，进入上色阶段，在上色阶段加大纳米加热膜的发热功率，使得加热基板的温度快速升高，此时，加热基板的温度超过烤盘的温度，快速对食物上色，该上色阶段的时间为t3-t2。

本实施例可以在上色阶段增大纳米发热膜的加热功率，利用纳米发热膜热惯性小的特点，迅速对食物的顶面集中加热，让食物加速上色，提升食物的烹饪品质。

在一种可能的实施例中，为了更精准地控制煎烤机进行煎烤，上所述煎烤机包括与所述控制器连接的第一温度传感器和第二温度传感器，其中，所述第一温度传感器接触所述烤盘，用于检测所述烤盘的温度，所述第二温度传感器接触所述加热基板，用于检测所述加热基板的温度；上述的步骤301 还可以实现为以下步骤A1。

在步骤A1中，在升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热；根据所述第一温度传感器检测到的烤盘的温度和所述第二温度传感器检测到的加热基板的温度，调整所述第一功率和所述第二功率，使得所述烤盘的升温速度高于所述加热基板的升温速度。

这里，第一温度传感器和第二温度传感器可以将检测到的温度上传给控制器，该控制器可以在烤盘的升温速度不高于所述加热基板的升温速度时，调高第一功率，调低第二功率，直至烤盘的升温速度高于所述加热基板的升温速度，如此，根据温度传感器反馈的温度情况精确地控制上下的加热功率表。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种煎烤机，包括上盘组件和下盘组件，所述上盘组件与所述下盘组件可转动连接，其特征在于，所述下盘组件包括：下壳，烤盘和位于所述下壳和烤盘之间的加热部件；所述上盘组件包括：

上盖；

加热基板，位于所述上盖形成的容置空间内，与所述上盖固定连接；

纳米发热膜，位于所述加热基板面向所述上盖的一侧；

电极，位于所述纳米发热膜上，所述电极通过导电线连接电源，以向所述纳米发热膜供电使其发热；

控制器，连接所述加热部件和所述电极，用于控制所述加热部件和所述电极工作，对所述烤盘上的物品进行加热。

2.根据权利要求1所述的煎烤机，其特征在于，所述煎烤机还包括限温保护装置，其中：

所述限温保护装置，设置在所述加热基板上，用于限定所述加热基板的温度不超过预设的最高温度。

3.根据权利要求2所述的煎烤机，其特征在于，所述煎烤机还包括限温保护装置，其中：

所述限温保护装置包括突跳式温控器，其中：

所述突跳式温控器，连接在所述电极与电源之间，用于在所述加热基板的温度达到所述最高温度时，断开所述电极与电源之间的连接。

4.根据权利要求2所述的煎烤机，其特征在于，所述限温保护装置包括热敏电阻，其中：

所述热敏电阻，连接所述控制器，用于将检测到的温度信号发送给所述控制器；

所述控制器，连接所述电极，用于在接收到所述温度信号表明所述加热基板的温度达到所述最高温度时，控制所述电源停止对所述电极的供电。

5.根据权利要求1所述的煎烤机，其特征在于，所述加热基板的厚度大于等于3mm。

6.一种煎烤机的控制方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1至5任一项所述的煎烤机，在所述煎烤机上电烹饪预设食物时，所述方法包括：

在升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热，所述第一功率大于所述第二功率；

在所述烤盘的温度达到预设温度时进入加热稳定阶段，控制所述发热部件以第一可调功率对所述烤盘进行加热，使得所述烤盘的温度在第一预设温度范围内，控制所述纳米发热膜以第二可调功率对所述加热基板进行加热，使得所述加热基板的温度在第二预设温度范围内；其中，所述烤盘的温度大于所述加热基板的温度，所述烤盘和所述加热基板之间的温差在5℃至30℃之间；

在所述加热稳定阶段达到预设时间时进入上色阶段，控制所述纳米发热膜以第三功率对所述加热基板进行加热预设时间后，关闭所述煎烤机；所述第三功率大于所述第二可调功率。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度范围包括120℃至200℃。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二预设温度范围包括100℃至180℃。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设时间包括10s至180s。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述煎烤机包括包括与所述控制器连接的第一温度传感器和第二温度传感器，其中，所述第一温度传感器接触所述烤盘，用于检测所述烤盘的温度，所述第二温度传感器接触所述加热基板，用于检测所述加热基板的温度；

所述在升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热，包括：

在升温阶段，控制所述发热部件以第一功率对所述烤盘进行加热，控制所述纳米发热膜以第二功率对所述加热基板进行加热；根据所述第一温度传感器检测到的烤盘的温度和所述第二温度传感器检测到的加热基板的温度，调整所述第一功率和所述第二功率，使得所述烤盘的升温速度高于所述加热基板的升温速度。

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