CN110808299A - 一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 95
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1698—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the metallic or insulating substrates being flexible
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
- H10F77/707—Surface textures, e.g. pyramid structures of the substrates or of layers on substrates, e.g. textured ITO layer on a glass substrate
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
本发明公开一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,包括柔性基底,柔性基底顶面由下至上依次层叠有前电极、缓冲层、吸收层、背接触层与保护层,吸收层为CdTe薄膜,前电极包含由下至上依次层叠的下阻隔层、微结构层、透明导电层与上阻隔层;微结构层为单分散SiO2小球薄膜,SiO2小球直径为100~500 nm;缓冲层的厚度为40~120nm;吸收层的厚度为1500~2500nm;背接触层的厚度为5~30nm;保护层的厚度为10~40nm;该薄膜太阳能电池能够提高对太阳能的吸收率,增强薄膜太阳能电池的整体性能。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域,具体是一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池。
背景技术
目前,薄膜太阳能电池作为一种高效能源产品正迅速发展,由于其重量相对更轻、外表光滑且制造成本相对较低,已成为国际光伏市场发展的新热点、新趋势。
现阶段,可以大规模产业化生产的薄膜太阳能电池主要有3种:硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池和碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池。其中,碲化镉薄膜太阳能电池结构相对最简单,可以容易制备单相CdTe晶体薄膜且制备方法较多。薄膜太阳能电池多数为玻璃基底,柔性薄膜太阳能电池刚刚开始,由于其质量轻,可折叠,可弯曲,便于携带,有利于实现大规模生产,且显著的降低成本,可大量应用于便携式应急充电背包,光伏帐篷,光伏窗帘,光伏屋顶,太阳能汽车等具有广阔的应用空间,研发柔性薄膜太阳能电池有利于我国光伏产业的持续健康发展。
但是,常规的碲化镉薄膜太阳能电池的吸收率不高,制约了薄膜太阳能电池的发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,该薄膜太阳能电池能够提高对太阳能的吸收率,增强薄膜太阳能电池的整体性能。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,包括柔性基底,柔性基底顶面由下至上依次层叠有前电极、缓冲层、吸收层、背接触层与保护层,吸收层为CdTe薄膜,其特征在于,所述前电极包含由下至上依次层叠的下阻隔层、微结构层、透明导电层与上阻隔层;
所述下阻隔层为TiO2、ZnO、Al2O3、SnO或In2O3薄膜,下阻隔层厚度为20~80nm;微结构层为单分散SiO2小球薄膜,SiO2小球直径为100~500 nm;透明导电层为BZO、AZO、GZO、IGZO或ITO薄膜,透明导电层厚度为600~1000nm;上阻隔层为TiO2、ZnO、Al2O3、SnO或In2O3薄膜,上阻隔层厚度为15~60 nm;
所述缓冲层的厚度为40~120nm;吸收层的厚度为1500~2500nm;背接触层的厚度为5~30nm;保护层的厚度为10~40nm。
进一步的,所述透明导电层的顶面呈凹凸的绒面结构。
进一步的,所述柔性基底采用聚合物基板或金属柔性基板。
进一步的,所述缓冲层为CdS、ZnS或InS薄膜。
进一步的,所述背接触层为Cu、Zn、Mo、Ti、Al、Ag或Au薄膜。
进一步的,所述保护层为Au、Zn、Pt、Zr或Ti薄膜。
进一步的,所述聚合物基板采用聚酰亚胺或聚苯并咪唑。
进一步的,所述金属柔性基板采用铁镍合金、不锈钢、铝箔、钛箔、钼箔或铜箔。
本发明的有益效果是:
一、采用聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底,质量轻、可折叠、可弯曲,便于携带,因此可以采用环绕式溅射沉积,有利于实现大规模生产,且显著的降低成本。
二、前电极采用多层膜的复合结构,下阻隔层可以有效防止薄膜太阳能电池漏电,增加前电极的透过率,并且能够阻隔来自衬底的污染、避免影响透明导电层的透光率和导电性能。
三、微结构层可以减少前电极的反射率,同时有利于透明导电层表面微结构的形成,进而有效增加前电极的透光率,增强太阳能电池吸收层对太阳光的吸收,提高光能利用率。
四、透明导电层可采用不同的薄膜,可根据吸收层和缓冲层的材料来调整透明导电层的材料与制备方法,进而实现优良的光电性能及降低成本。
五、透明导电层的凹凸绒面结构能够减少前电极的反射率,进而有效增加前电极的透光率,增强太阳能电池吸收层对太阳光的吸收,提高光能利用率。
六、上阻隔层可以作为前电极与缓冲层的中间缓冲,减少前电极与缓冲层的界面态,增加前电极的透过率,有效防止吸收层中的元素向透明导电层扩散,并且能够阻隔来自衬底的污染、避免影响透明导电层的透光率和导电性能。
七、缓冲层采用CdS、ZnS或InS薄膜,使晶格常数介于前电极和吸收层中间,减少前电极和吸收层的界面态。
八、背接触层采用Cu、Zn、Mo、Ti、Al、Ag或Au薄膜,可与吸收层形成良好的欧姆接触并减少载流子界面复合。
九、保护层采用Au、Zn、Pt、Zr或Ti薄膜,保护太阳能电池不被酸碱腐蚀降低光电转换效率或发生漏电,提高电池的耐候性及使用寿命。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明前电极的表面形貌图。
具体实施方式
如图1所示,本发明提供一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,包括柔性基底1,柔性基底1顶面由下至上依次层叠有前电极2、缓冲层3、吸收层4、背接触层5与保护层6,吸收层4为CdTe薄膜;结合图2所示,所述前电极2包含由下至上依次层叠的下阻隔层21、微结构层22、透明导电层23与上阻隔层24。
所述下阻隔层21为TiO2、ZnO、Al2O3、SnO或In2O3薄膜,下阻隔层21厚度为20~80nm;微结构层22为单分散SiO2小球薄膜,SiO2小球直径为100~500 nm;透明导电层23为BZO、AZO、GZO、IGZO或ITO薄膜,透明导电层23厚度为600~1000nm,作为优选的,透明导电层23的顶面呈凹凸的绒面结构;上阻隔层24为TiO2、ZnO、Al2O3、SnO或In2O3薄膜,上阻隔层24厚度为15~60 nm。
所述缓冲层3的厚度为40~120nm;吸收层4的厚度为1500~2500nm;背接触层5的厚度为5~30nm;保护层6的厚度为10~40nm。
作为优选的,柔性基底1采用聚合物基板或金属柔性基板,聚合物基板采用聚酰亚胺或聚苯并咪唑,金属柔性基板采用铁镍合金、不锈钢、铝箔、钛箔、钼箔或铜箔。缓冲层3为CdS、ZnS或InS薄膜。背接触层5为Cu、Zn、Mo、Ti、Al、Ag或Au薄膜。保护层6为Au、Zn、Pt、Zr或Ti薄膜。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (8)
1.一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,包括柔性基底,柔性基底顶面由下至上依次层叠有前电极、缓冲层、吸收层、背接触层与保护层,吸收层为CdTe薄膜,其特征在于,所述前电极包含由下至上依次层叠的下阻隔层、微结构层、透明导电层与上阻隔层;
所述下阻隔层为TiO2、ZnO、Al2O3、SnO或In2O3薄膜,下阻隔层厚度为20~80nm;微结构层为单分散SiO2小球薄膜,SiO2小球直径为100~500 nm;透明导电层为BZO、AZO、GZO、IGZO或ITO薄膜,透明导电层厚度为600~1000nm;上阻隔层为TiO2、ZnO、Al2O3、SnO或In2O3薄膜,上阻隔层厚度为15~60 nm;
所述缓冲层的厚度为40~120nm;吸收层的厚度为1500~2500nm;背接触层的厚度为5~30nm;保护层的厚度为10~40nm。
2.根据权利要求1所述的一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层的顶面呈凹凸的绒面结构。
3.根据权利要求1或2所述的一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述柔性基底采用聚合物基板或金属柔性基板。
4.根据权利要求1或2所述的一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层为CdS、ZnS或InS薄膜。
5.根据权利要求1或2所述的一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述背接触层为Cu、Zn、Mo、Ti、Al、Ag或Au薄膜。
6.根据权利要求1或2所述的一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述保护层为Au、Zn、Pt、Zr或Ti薄膜。
7.根据权利要求3所述的一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述聚合物基板采用聚酰亚胺或聚苯并咪唑。
8.根据权利要求3所述的一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池,其特征在于,所述金属柔性基板采用铁镍合金、不锈钢、铝箔、钛箔、钼箔或铜箔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911123061.6A CN110808299B (zh) | 2019-11-16 | 2019-11-16 | 一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911123061.6A CN110808299B (zh) | 2019-11-16 | 2019-11-16 | 一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110808299A true CN110808299A (zh) | 2020-02-18 |
CN110808299B CN110808299B (zh) | 2024-06-18 |
Family
ID=69490338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911123061.6A Active CN110808299B (zh) | 2019-11-16 | 2019-11-16 | 一种柔性高吸收率的薄膜太阳能电池 |
Country Status (1)
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