CN110783253B - 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置。显示基板的制作方法，包括以下步骤：在透明基板上形成第一衬底，并在所述第一衬底上形成第一阻挡层；去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分。本发明实施例通过在形成第一阻挡层之后，去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分，能够避免激光照射的能量被第一阻挡层吸收而减弱，这样，在通过激光照射的方式剥离显示基板时，能够避免能量损失，从而有助于提高剥离效果，使得显示基板和玻璃基板易于分离。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置。
背景技术
柔性显示基板通常在玻璃基板上制作，然后通过激光照射的方式，使与玻璃基板接触的聚酰亚胺(PI)材料的有机分子的化学键破坏，从而使柔性显示基板与玻璃基板分离，然而实际生产过程中，要使玻璃基板和显示基板达到正常分离，通常需要多次激光玻璃，否则，会出现显示基板和玻璃基板难以分离的现象，通常称作De-Lami褶皱问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置，以解决显示基板和玻璃基板难以分离的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括以下步骤：
在透明基板上形成第一衬底，并在所述第一衬底上形成第一阻挡层；
去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分。
可选的，所述去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分，包括：
在所述第一阻挡层远离所述透明基板的一侧涂覆光刻胶；
使所述光刻胶曝光，并使所述光刻胶显影，然后去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的光刻胶；
刻蚀掉所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的第一阻挡层。
可选的，所述使所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的光刻胶曝光，包括：
由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光。
可选的，所述由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光，包括：
在曝光强度小于所述第一衬底对于光线的阻挡程度的条件下，由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光。
可选的，所述刻蚀掉所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的第一阻挡层之后，还包括：
剥离所述第一阻挡层上剩余的所述光刻胶。
可选的，所述去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分之后，还包括：
在所述第一阻挡层远离所述透明基板的一侧制作第二衬底；
在所述第二衬底远离所述阻挡层的一侧制作第二阻挡层。
可选的，所述在所述第二衬底远离所述阻挡层的一侧制作第二阻挡层之后，还包括：
在所述第二阻挡层远离所述透明基板的一侧制作显示单元。
可选的，所述在所述第二阻挡层远离所述透明基板的一侧制作显示单元之后，还包括：
利用激光由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧照射所述第一衬底和所述第二衬底，以使所述第一衬底和所述第二衬底与所述透明基板分离。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示基板，通过以上任一项所述的显示基板的制作方法制作得到。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示基板。
本发明实施例通过在形成第一阻挡层之后，去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分，能够避免激光照射的能量被第一阻挡层吸收而减弱，这样，在通过激光照射的方式剥离显示基板时，能够避免能量损失，从而有助于提高剥离效果，使得显示基板和玻璃基板易于分离。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1是现有显示基板的剥离示意图；
图2是现有显示基板的结构示意图；
图3是本发明一实施例中显示基板的制作方法的流程图；
图4是本发明一实施例中显示基板制作过程中的结构示意图；
图5是本发明一实施例中显示基板制作过程中的结构示意图；
图6是本发明一实施例中显示基板制作过程中的结构示意图；
图7是本发明一实施例中显示基板的曝光示意图；
图8是本发明一实施例中显示基板制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，在显示基板由玻璃基板110剥离过程中，首先将剥离基板平置，且显示基板位于玻璃基板110的下方，然后通常采用激光剥离技术(Laser Lift Off，LLO)，由玻璃基板110远离显示基板的一侧穿透玻璃基板110照射显示基板，具体的，为照射显示基板与玻璃基板110接触的PI(聚酰亚胺)120，PI120材料的有机分子的化学键受到高能激光的破坏，因脉冲持续时间很短、扫描重叠率较大且单位面积的能量密度较小，仅会使PI120表面接触区反应。
一般情况下，激光的能量越高，PI120的损伤层121越厚或者PI120吸收热量产生的形变(收缩力/膨胀力)越大，Barrier(阻挡层)130承受的压力越大，越容易发生脆性断裂，从而释放对PI120的包覆力，使得显示基板与玻璃基板110正常分离。其中，PI120的损伤层121为PI120的一部分，具体为在受到激光照射时发生损伤的部分。
如图1所示，实际生产过程中，通常需要多次激光照射剥离，否则可能出现Glass与PI120材料无法分离的现象，即De-Lami褶皱问题。
如图2所示，现有显示基板通常包括第一衬底202、第一阻挡层203、第二衬底204和第二阻挡层205，制作过程中，首先在玻璃基板201上制作第一衬底202，然后制作覆盖第一衬底202的第一阻挡层203，接下来，在第一阻挡层203上制作第二衬底204、第二阻挡层205和显示单元(图未示)等。
由于第一阻挡层203通常包括非晶硅(a-Si)等材料，一般为厚度40A左右的非晶硅，这些材料能够吸收一定的激光的能量，这导致直接与玻璃基板201相接触的第一阻挡层203上的第二衬底204在受到激光照射时，吸收的能量不足，从而无法有效剥离。
本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括以下步骤：
步骤301：在透明基板上形成第一衬底，并在所述第一衬底上形成第一阻挡层；
如图4所示，本实施例中，透明基板401可以选择玻璃基板等透明基板401，第一衬底402的材料通常为PI，第一阻挡层403通常为包括多种材料的复合膜层，第一阻挡层403覆盖第一衬底402，且第一阻挡层403的部分与透明基板401相接触。该步骤301中涉及到的相关工艺及材料具体可参考相关技术，此处不再赘述。
步骤302：去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分。
如图5所示，为了避免第一阻挡层403对于激光剥离沟槽中的激光能量的吸收，接下来可以通过刻蚀等方式去除第一阻挡层403与透明基板401相接触的部分，这样，显示基板的膜层能够直接与透明基板401相接触，在剥离过程中，从而避免了第一阻挡层403吸收激光的能量而使得显示基板和透明基板401不易分离。
本发明实施例通过在形成第一阻挡层403之后，去除所述第一阻挡层403与所述透明基板401直接接触的部分，能够避免激光照射的能量被第一阻挡层403吸收而减弱，这样，在通过激光照射的方式剥离显示基板时，能够避免能量损失，从而有助于提高剥离效果，使得显示基板和玻璃基板易于分离。
可选的，在一个具体实施方式中步骤302包括：
在所述第一阻挡层远离所述透明基板的一侧涂覆光刻胶；
使所述光刻胶曝光，并使所述光刻胶显影，然后去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的光刻胶；
刻蚀掉所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的第一阻挡层。
本实施例中具体是通过光刻去除第一阻挡层403与透明基板401相接触的部分，实施时，如图6所示，首先在第一阻挡层403上涂覆光刻胶404，然后使光刻胶404曝光显影，并进一步刻蚀掉第一阻挡层403与所述透明基板401相接触的区域对应的第一阻挡层403。
在一个具体实施方式中，可以采用常规曝光方式，以使用的光刻胶404为正性光刻胶为例说明，实施时，提供一掩膜版(mask)，掩膜版的形状与第一衬底402的形状相同，这样，在进行曝光、显影和刻蚀之后，第一阻挡层403剩余的部分与第一衬底402的形状相同，也就是说，第一阻挡层403与透明基板401相接触的部分被刻蚀掉。
当采用负性光刻胶时，对掩膜版做出适应性调整即可，其原理和操作过程基本相同，此处不再赘述。
在另一个具体实施方式中，曝光的步骤具体包括：
由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光。
如图7所示，可以理解为，本实施例中需要采用正性光刻胶404，而第一衬底402实际上起到了掩膜版的作用，由于需要刻蚀掉的第一阻挡层403恰好是位于第一衬底402对应的区域之外的部分，所以以第一衬底402作为掩膜版，也恰好能使第一衬底402对应的区域之外的区域的光刻胶404曝光，即提高了对于曝光范围控制的准确程度，也减少了掩膜版的使用，节约了制造成本。
进一步的，所述由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光，包括：
在曝光强度小于所述第一衬底对于光线的阻挡程度的条件下，由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光。
应当理解的是，由于第一阻挡层403作为掩膜版使用，其遮光程度可能无法达到正常掩膜版的遮光效果，所以需要根据第一衬底402的厚度和透光度对曝光时的曝光强度(dose)进行调节，从而确保只有与透明基板401直接接触的第一阻挡层403对应的区域的光刻胶404能够曝光，而第一衬底402对应的区域的光刻胶404不会被曝光。
可选的，所述刻蚀掉所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的第一阻挡层之后，还包括：
剥离所述第一阻挡层上剩余的所述光刻胶。
为了避免对后续生产过程造成干扰，进一步的，需要去除剩余的光刻胶404，具体的，为第一衬底402对应的区域中残留的光刻胶404。实施时，可以利用剥离(Strip)工艺去除残留的光刻胶404。
可选的，所述去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分之后，还包括：
在所述第一阻挡层远离所述透明基板的一侧制作第二衬底；
在所述第二衬底远离所述阻挡层的一侧制作第二阻挡层。
如图8所示，在去除掉第一阻挡层403多余的部分之后，进一步的在第一阻挡层403远离透明基板401的一侧制作第二衬底405，所制作的第二衬底405的尺寸大于第一衬底402，这样，第二衬底405的一部分是与透明基板401直接接触的。
第二阻挡层406的范围可以与第二衬底405对应，也就是说，第二阻挡层406在透明基板401上的正投影与第二衬底405在透明基板401上的正投影重合。实际生产过程中，第二阻挡层406的范围通常大于第二衬底405，也就是说，第二阻挡层406的一部分与透明基板401直接接触。
一般来说，相对于第二衬底405来说，第二阻挡层406的强度较低，所以在第一衬底402和第二衬底405与透明基板401分离的情况下，第二阻挡层406承受的压力较大，会发生脆性断裂，从而与透明基板401分离，所以可以忽略第二阻挡层406对于显示基板和透明基板401之间分离造成的影响。
可选的，所述在所述第二衬底远离所述阻挡层的一侧制作第二阻挡层之后，还包括：
在所述第二阻挡层远离所述透明基板的一侧制作显示单元。
在制作完第二阻挡层406后，进一步制作显示单元，该显示单元可以是包括薄膜晶体管和有机发光单元的OLED(有机发光二极管)，还可以是micro-LED(微型二极管)显示单元。具体可参考相关技术，此处对显示单元的具体类型和结构不作进一步限定和描述。
可选的，所述在所述第二阻挡层远离所述透明基板的一侧制作显示单元之后，还包括：
利用激光由所述透明基板401远离所述第一衬底402的一侧照射所述第一衬底402和所述第二衬底405，以使所述第一衬底402和和所述第二衬底405与所述透明基板401分离。
当利用激光由透明基板401远离显示基板的一侧照射时，由于第一衬底402和第二衬底405均与透明基板401直接接触，所以减少了能量损失，是的第一衬底402和第二衬底405更易于与透明基板401分离。
本发明实施例还提供了一种显示基板，通过以上任一项所述的显示基板的制作方法制作得到。
由于本实施例的技术方案包括了上述实施例的全部技术方案，因此至少能实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示基板。
该显示装置具体可以包括：手机、平板电脑、电子书阅读器、数码相机、膝上型便携计算机、车载电脑、台式计算机、机顶盒、智能电视机、可穿戴设备中的至少一项。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在透明基板上形成第一衬底，并在所述第一衬底上形成第一阻挡层；
去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分；
所述去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分，包括：
在所述第一阻挡层远离所述透明基板的一侧涂覆光刻胶；
使所述光刻胶曝光，并使所述光刻胶显影，然后去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的光刻胶；
刻蚀掉所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的第一阻挡层。
2.如权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述使所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的光刻胶曝光，包括：
由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光。
3.如权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光，包括：
在曝光强度小于所述第一衬底对于光线的阻挡程度的条件下，由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧使所述光刻胶曝光。
4.如权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀掉所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的区域对应的第一阻挡层之后，还包括：
剥离所述第一阻挡层上剩余的所述光刻胶。
5.如权利要求1至4中任一项所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述去除所述第一阻挡层与所述透明基板相接触的部分之后，还包括：
在所述第一阻挡层远离所述透明基板的一侧制作第二衬底；
在所述第二衬底远离所述阻挡层的一侧制作第二阻挡层。
6.如权利要求5所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第二衬底远离所述阻挡层的一侧制作第二阻挡层之后，还包括：
在所述第二阻挡层远离所述透明基板的一侧制作显示单元。
7.如权利要求6所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第二阻挡层远离所述透明基板的一侧制作显示单元之后，还包括：
利用激光由所述透明基板远离所述第一衬底的一侧照射所述第一衬底和所述第二衬底，以使所述第一衬底和所述第二衬底与所述透明基板分离。
8.一种显示基板，其特征在于，通过权利要求1至7中任一项所述的显示基板的制作方法制作得到。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911063425.6A CN110783253B (zh) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911063425.6A CN110783253B (zh) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110783253A CN110783253A (zh) | 2020-02-11 |
| CN110783253B true CN110783253B (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=69388624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911063425.6A Active CN110783253B (zh) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110783253B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113539127B (zh) * | 2021-07-09 | 2023-04-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| US8182633B2 (en) * | 2008-04-29 | 2012-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating a flexible display device |
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| KR20130003997A (ko) * | 2011-07-01 | 2013-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 캐리어 기판과 박형 글라스의 탈부착 방법 |
| WO2015019971A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method |
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| CN107195643B (zh) * | 2017-07-12 | 2020-11-03 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
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-
2019
- 2019-10-31 CN CN201911063425.6A patent/CN110783253B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110783253A (zh) | 2020-02-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |