[go: up one dir, main page]

CN110781029A - 断电保护方法及系统 - Google Patents

断电保护方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110781029A
CN110781029A CN201810924849.6A CN201810924849A CN110781029A CN 110781029 A CN110781029 A CN 110781029A CN 201810924849 A CN201810924849 A CN 201810924849A CN 110781029 A CN110781029 A CN 110781029A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power
pin
storage device
data storage
host
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810924849.6A
Other languages
English (en)
Inventor
连弘炼
刘财发
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Silicon Motion Inc
Original Assignee
Silicon Motion Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Silicon Motion Inc filed Critical Silicon Motion Inc
Publication of CN110781029A publication Critical patent/CN110781029A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1415—Saving, restoring, recovering or retrying at system level
    • G06F11/1438—Restarting or rejuvenating
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/30—Means for acting in the event of power-supply failure or interruption, e.g. power-supply fluctuations
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/32—Means for saving power
    • G06F1/3203—Power management, i.e. event-based initiation of a power-saving mode
    • G06F1/3234—Power saving characterised by the action undertaken
    • G06F1/325—Power saving in peripheral device
    • G06F1/3275—Power saving in memory, e.g. RAM, cache
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1415—Saving, restoring, recovering or retrying at system level
    • G06F11/1441—Resetting or repowering
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/22—Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
    • G11C16/225—Preventing erasure, programming or reading when power supply voltages are outside the required ranges
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0751—Error or fault detection not based on redundancy
    • G06F11/0754—Error or fault detection not based on redundancy by exceeding limits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2201/00—Indexing scheme relating to error detection, to error correction, and to monitoring
    • G06F2201/81—Threshold
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Power Sources (AREA)

Abstract

一种断电保护方法及系统。所述断电保护方法适用于数据存储装置中。此数据存储装置包括控制器、非易失性存储器、第一接脚及第二接脚，且所述断电保护方法包括如下步骤。首先，利用第一接脚，接收数据存储装置运作所需的工作电压。接着，当发生断电事件时，利用第二接脚，接收非易失性存储器写回数据所需的闪存电压，以让非易失性存储器完成数据写入程序。

Description

断电保护方法及系统
技术领域
本发明涉及一种断电保护(Power Loss Protection，PLP)方法及系统，尤其涉及一种用于数据存储装置(Data Storage Device)的断电保护方法及系统。
背景技术
通常要解决数据存储装置，例如固态硬盘(SSD)所因不正常断电而造成数据遗失的方式，是在数据存储装置端上加入断电保护电路，并且借由该断电保护电路内的大容量电容来让数据存储装置可于断电瞬间获得延长电力，以让数据存储装置内的非易失性存储器，例如闪存(Flash Memory)可完成数据写入程序。但在这类方式中，数据存储装置也会因使用该大容量电容而增加其成本，并且无任何有效作法来提供保护高速缓存数据(CachingData)。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提出一种用于数据存储装置的断电保护方法及系统。为达上述目的，本发明实施例提供一种断电保护方法，适用于数据存储装置中。此数据存储装置包括控制器、非易失性存储器、第一接脚及第二接脚，且所述断电保护方法包括如下步骤。首先，利用第一接脚，接收数据存储装置运作所需的工作电压。接着，当发生断电事件时，利用第二接脚，接收非易失性存储器写回数据所需的闪存电压，以让非易失性存储器完成数据写入程序。
本发明实施例另提供一种断电保护系统。所述断电保护系统包括数据存储装置，且数据存储装置包括控制器、非易失性存储器、第一接脚及第二接脚。第一接脚用来接收数据存储装置运作所需的工作电压，并且当发生一断电事件时，第二接脚则用来接收非易失性存储器写回数据所需的闪存电压，以让非易失性存储器完成数据写入程序。
本发明的其他目的和优点可以从本发明所揭露的技术特征中得到进一步的了解。为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明实施例所提供的断电保护方法的流程示意图。
图2是本发明实施例所提供的断电保护系统的功能方块示意图。
图3是图2的断电保护系统中的工作电压与闪存电压的示意图。
具体实施方式
在下文中，将通过附图说明本发明的各种实施例来详细描述本发明。然而，本发明概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。此外，在附图中相同参考数字可用以表示类似的组件。
首先，请同时参阅图1及图2，图1是本发明实施例所提供的断电保护方法的流程示意图，而图2是本发明实施例所提供的断电保护系统的功能方块示意图。需要说明的是，图1的断电保护方法是可以适用于图2的数据存储装置10中，但本发明并不限制图1的断电保护方法仅能够适用于图2的数据存储装置10中。
如图2所示，断电保护系统1包括数据存储装置10，且数据存储装置10包括控制器110、非易失性存储器120、第一接脚130及第二接脚140，其中控制器110电性耦接于非易失性存储器120，并用以控制非易失性存储器120的数据存取。在本实施例中，数据存储装置10即可例如是以固态硬盘来实现，且非易失性存储器120则相对是以闪存来实现，但本发明皆不以此为限制。
必须了解的是，数据存储装置10通常是会自主机20接收其运作所需的电力，并且根据主机20所下达的写入/读取命令，来将数据写入到非易失性存储器120中，或者从非易失性存储器120中读取数据。因此，在本实施例中，断电保护系统1更可包括主机20，且数据存储装置10具有第一物理界面(未特别标示)，第一物理界面包含前述第一接脚130及第二接脚140。另外，主机20具有第二物理界面(未特别标示)，其中第一物理界面可与第二物理界面产生电性连结，并且用来传收指令及数据等。在本实施例中，第一物理界面及第二物理界面均可例如是以SATA、PCIE或SAS等界面来实现，但本发明亦不以此为限制。第一物理界面的第一接脚130用来接收来自第二物理界面所输出的电力，即主要电力，此主要电力作为数据存储装置10运作所需的工作电压SSD_V，并且当发生断电事件时，第一物理界面的第二接脚140则用来接收来自第二物理界面所输出的备用电力，此备用电力作为非易失性存储器120写回数据所需的闪存电压Flash_V，以让非易失性存储器120完成数据写入程序。也就是说，数据存储装置10的第一接脚130耦接于主机20，并且用来接收自于主机20所提供的工作电压SSD_V。然而，由于备用电力较佳与主要电力为互斥存在，因此在主机20停止提供主要电力时，即发生断电事件，主机20则会借由第二物理界面及第一物理界面的第二接脚140来提供闪存电压Flash_V至数据存储装置10中。
类似地，在本实施例中，第二接脚140较佳耦接于主机20内的断电保护电路210，并且当发生断电事件时，主机20内的断电保护电路210则用来提供非易失性存储器120写回数据所需的闪存电压Flash_V。需要说明的是，主机20内的断电保护电路210亦可配有大容量电容(未绘示)，或置于不断电系统(Uninterruptible Power System，UPS)中，但本发明并不以此为限制。总而言之，本发明并不限制主机20内的断电保护电路210的具体实现方式，本技术领域中具有通常知识者应可依据实际需求或应用来进行相关设计。另外，闪存电压Flash_V较佳小于工作电压SSD_V，以助于延长断电保护电路210所提供备用电力的供应时间，例如闪存电压Flash_V为1.8伏特，而工作电压SSD_V为3.3伏特，但本发明亦不以此为限制。
因此，当主机20所提供的工作电压SSD_V维持于高电位时，主机20将可使其断电保护电路210内的电容进行蓄电。然后，当发生断电事件时，例如主机20所提供的工作电压SSD_V下降至某低电位，例如1.8伏特时，主机20内的断电保护电路210便会用以其电容所储蓄的电力来提供闪存电压Flash_V给非易失性存储器120，借此让非易失性存储器120能够维持延长一段运作时间(例如，图3的Δt)以写回数据，从而避免非易失性存储器120因断电而造成的数据遗失。根据以上内容的教示，本技术领域中具有通常知识者应可理解到，本实施例是设计改让断电保护电路210被配置于主机20端中，并且借由主机20端来直接通过数据存储装置10上的另一电路接脚，即第二接脚140来提供断电保护，因此相比于现有技术，本实施例更能降低数据存储装置10的成本。然而，由于数据存储装置10与主机20的运作原理已为本技术领域中具有通常知识者所习知，因此有关上述细部内容于此就不再多加赘述。
如同前面内容所述，数据存储装置10的控制器110较佳可依据侦测第一接脚130所收到的工作电压SSD_V是否低于一阈值而判定发生断电事件。举例来说，请一并参阅图3，图3是图2的断电保护系统中的工作电压与闪存电压的示意图。如图3所示，假设上述阈值同样为1.8伏特，但本发明并不以此为限制。因此，当控制器110侦测到第一接脚130所收到的工作电压SSD_V低于1.8伏特时，数据存储装置10便能判定发生断电事件，并且利用第二接脚140来接收自于主机20所提供的闪存电压Flash_V。又或者是，主机20内的断电保护电路210也可能是作到主动告知数据存储装置10将发生断电事件的功能。因此，在本实施例中，数据存储装置10更可包括第三接脚150，且第三接脚150较佳包含于第一物理界面中，但本发明亦不以此为限制。第三接脚150耦接于主机20内的断电保护电路210，并且当发生断电事件时，第三接脚150用来接收自于断电保护电路210所提供的断电信息(未绘示)，并且使得该数据存储装置10则利用第二接脚140来接收非易失性存储器120写回数据所需的闪存电压Flash_V。
另一方面，数据存储装置10也可能是通过第三接脚150来传送其他信息给主机20，亦即第三接脚150与主机20间互为双向通信。总而言之，本发明并不限制第三接脚150的具体实现方式，本技术领域中具有通常知识者应可依据实际需求或应用来进行相关设计。此外，必须了解的是，除了第一接脚130为原数据存储装置规格所需的接脚外，本实施例是能用以数据存储装置10上的第一物理界面的任两冗余接脚来直接作为第二接脚140与第三接脚150，因此也就简化了本发明的实现。另外，在其它实施例中，即使当未发生断电事件时，数据存储装置10的第二接脚140还可变更为持续用来接收自于主机20内的断电保护电路210所提供的闪存电压Flash_V，而当发生断电事件时，主机20内的断电保护电路210才会用以其电容所储蓄的电力来提供闪存电压Flash_V至第二接脚140，借此让非易失性存储器120能够维持延长一段运作时间以写回数据。总而言之，此举并不影响本发明的实现，且本发明亦不限制第二接脚140所接收闪存电压Flash_V时的具体实现方式。
最后，复请参阅回图1，针对图2中的数据存储装置10所适用图1的断电保护方法则可包括如下步骤。首先，在步骤S110中，利用第一接脚130，接收数据存储装置10运作所需的工作电压SSD_V。其次，在步骤S120中，判断是否发生断电事件。如果是，则执行步骤S130。接着，在步骤S130中，则利用第二接脚140，接收非易失性存储器120写回数据所需的闪存电压Flash_V，以让非易失性存储器120完成数据写入程序。由于详尽细节亦如同前述内容所述，故于此就不再多加赘述。
综上所述，本发明实施例所提供的断电保护方法及系统，可以是设计改让断电保护电路被配置于主机端中，并且借由主机端来直接通过数据存储装置的另一电路接脚以提供断电保护，因此相比于现有技术，本实施例更能降低数据存储装置的成本。
以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以局限本发明的专利范围。

Claims (10)

1.一种断电保护方法，适用于一数据存储装置中，其特征在于，该数据存储装置包括一控制器、一非易失性存储器、一第一接脚及一第二接脚，该断电保护方法包括：
利用该第一接脚，接收该数据存储装置运作所需的一工作电压；以及
当发生一断电事件时，利用该第二接脚，接收该非易失性存储器写回数据所需的一闪存电压，以让该非易失性存储器完成一数据写入程序。
2.如权利要求1所述的断电保护方法，其特征在于，该第一接脚耦接于一主机，并且用来接收自于该主机所提供的该工作电压。
3.如权利要求2所述的断电保护方法，其特征在于，该第二接脚耦接于该主机内的一断电保护电路，并且当发生该断电事件时，该主机内的该断电保护电路则用来提供该非易失性存储器写回数据所需的该闪存电压。
4.如权利要求3所述的断电保护方法，其特征在于，该数据存储装置的该控制器依据侦测该第一接脚所收到的该工作电压是否低于一阈值而判定发生该断电事件。
5.如权利要求3所述的断电保护方法，其特征在于，该数据存储装置更包括一第三接脚，该第三接脚耦接于该主机内的该断电保护电路，并且当发生该断电事件时，该第三电路用来接收自于该断电保护电路所提供的一断电信息，并且使得该数据存储装置则利用该第二接脚来接收该非易失性存储器写回数据所需的该闪存电压。
6.一种断电保护系统，其特征在于，该断电保护系统包括：
一数据存储装置，包括一控制器、一非易失性存储器、一第一接脚以及一第二接脚，其中该第一接脚用来接收该数据存储装置运作所需的一工作电压，并且当发生一断电事件时，该第二接脚则用来接收该非易失性存储器写回数据所需的一闪存电压，以让该非易失性存储器完成一数据写入程序。
7.如权利要求6所述的断电保护系统，其特征在于，该断电保护系统更包括一主机，该第一接脚耦接于该主机，并且用来接收自于该主机所提供的该工作电压。
8.如权利要求7所述的断电保护系统，其特征在于，该第二接脚耦接于该主机内的一断电保护电路，并且当发生该断电事件时，该主机内的该断电保护电路则用来提供该非易失性存储器写回数据所需的该闪存电压。
9.如权利要求8所述的断电保护系统，其特征在于，该数据存储装置的该控制器依据侦测该第一接脚所收到的该工作电压是否低于一阈值而判定发生该断电事件。
10.如权利要求8所述的断电保护系统，其特征在于，该数据存储装置更包括一第三接脚，该第三接脚耦接于该主机内的该断电保护电路，并且当发生该断电事件时，该第三电路用来接收自于该断电保护电路所提供的一断电信息，并且使得该数据存储装置则利用该第二接脚来接收该非易失性存储器写回数据所需的该闪存电压。
CN201810924849.6A 2018-07-30 2018-08-14 断电保护方法及系统 Pending CN110781029A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107126306 2018-07-30
TW107126306A TWI670601B (zh) 2018-07-30 2018-07-30 斷電保護方法及系統

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110781029A true CN110781029A (zh) 2020-02-11

Family

ID=68618805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810924849.6A Pending CN110781029A (zh) 2018-07-30 2018-08-14 断电保护方法及系统

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20200035299A1 (zh)
CN (1) CN110781029A (zh)
TW (1) TWI670601B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112199045A (zh) * 2020-10-12 2021-01-08 长江存储科技有限责任公司 存储装置以及数据操作方法
WO2022048227A1 (zh) * 2020-09-07 2022-03-10 湖南国科微电子股份有限公司 一种数据保护装置、存储设备及存储系统

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110806794A (zh) * 2019-10-10 2020-02-18 浙江大华技术股份有限公司 存储系统的掉电保护方法、系统、计算机设备以及介质
JP2022051181A (ja) * 2020-09-18 2022-03-31 キオクシア株式会社 メモリシステム及び電源回路
US11475963B2 (en) * 2021-03-19 2022-10-18 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation Semiconductor memory with data protection function and data protection method thereof

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999575A (en) * 1989-09-25 1991-03-12 General Electric Company Power supply and monitor for controlling an electrical load following a power outage
JPH11184569A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Fujitsu Denso Ltd 半導体メモリのデータバックアップ装置及びデータバックアップ方法
JP2004334575A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Ricoh Co Ltd 電子機器
JP2009301093A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Ricoh Co Ltd 画像形成装置、画像形成装置の制御方法、画像形成装置の制御プログラム、及び記憶媒体
US20100180068A1 (en) * 2006-08-09 2010-07-15 Masahiro Matsumoto Storage device
US20100332858A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Jon David Trantham Systems, methods and devices for regulation or isolation of backup power in memory devices
CN102456404A (zh) * 2010-10-21 2012-05-16 群联电子股份有限公司 非易失性存储器存储装置、存储器控制器与数据存储方法
CN103345189A (zh) * 2013-07-29 2013-10-09 浙江中控技术股份有限公司 一种控制器和一种掉电保护方法
CN103514103A (zh) * 2012-06-21 2014-01-15 群联电子股份有限公司 数据保护方法、存储器控制器与存储器储存装置
TWI602115B (zh) * 2016-06-23 2017-10-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置之資料儲存方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI492051B (zh) * 2012-09-05 2015-07-11 Silicon Motion Inc 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法
US9588565B1 (en) * 2013-06-28 2017-03-07 EMC IP Holding Company LLC Method and apparatus for data protection on embedded flash devices during power loss events
US20170091042A1 (en) * 2015-09-25 2017-03-30 Quanta Computer Inc. System and method for power loss protection of storage device
US10031571B2 (en) * 2016-07-06 2018-07-24 Dell Products L.P. Systems and methods for power loss protection of storage resources
JP2019053616A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 メモリシステム
US10901898B2 (en) * 2018-02-14 2021-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Cost-effective solid state disk data-protection method for power outages

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999575A (en) * 1989-09-25 1991-03-12 General Electric Company Power supply and monitor for controlling an electrical load following a power outage
JPH11184569A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Fujitsu Denso Ltd 半導体メモリのデータバックアップ装置及びデータバックアップ方法
JP2004334575A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Ricoh Co Ltd 電子機器
US20100180068A1 (en) * 2006-08-09 2010-07-15 Masahiro Matsumoto Storage device
JP2009301093A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Ricoh Co Ltd 画像形成装置、画像形成装置の制御方法、画像形成装置の制御プログラム、及び記憶媒体
US20100332858A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Jon David Trantham Systems, methods and devices for regulation or isolation of backup power in memory devices
CN102456404A (zh) * 2010-10-21 2012-05-16 群联电子股份有限公司 非易失性存储器存储装置、存储器控制器与数据存储方法
CN103514103A (zh) * 2012-06-21 2014-01-15 群联电子股份有限公司 数据保护方法、存储器控制器与存储器储存装置
CN103345189A (zh) * 2013-07-29 2013-10-09 浙江中控技术股份有限公司 一种控制器和一种掉电保护方法
TWI602115B (zh) * 2016-06-23 2017-10-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置之資料儲存方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022048227A1 (zh) * 2020-09-07 2022-03-10 湖南国科微电子股份有限公司 一种数据保护装置、存储设备及存储系统
CN112199045A (zh) * 2020-10-12 2021-01-08 长江存储科技有限责任公司 存储装置以及数据操作方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI670601B (zh) 2019-09-01
TW202008174A (zh) 2020-02-16
US20200035299A1 (en) 2020-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110781029A (zh) 断电保护方法及系统
US9632935B2 (en) Systems and methods for non-volatile cache control
TWI451435B (zh) 非揮發性記憶體儲存裝置、記憶體控制器與資料儲存方法
US20150331624A1 (en) Host-controlled flash translation layer snapshot
US10592143B2 (en) Data storage device and data storage method thereof
US10824344B2 (en) Solid-state drive with non-volatile random access memory
TWI524183B (zh) 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
US20130205065A1 (en) Methods and structure for an improved solid-state drive for use in caching applications
US8228753B2 (en) System and method of maintaining data integrity in a flash storage device
US9443591B2 (en) Storage device out-of-space handling
US20210318739A1 (en) Systems and methods for managing reduced power failure energy requirements on a solid state drive
CN106294217A (zh) 一种ssd系统及其掉电保护方法
CN114490426A (zh) 与不正常关闭相关联的高效数据存储使用
US11803307B2 (en) Memory system and operating method thereof
CN117730305A (zh) 用于低功率模式的nvm中的选择性hmb备份
US20150135008A1 (en) Simulated Power Failure and Data Hardening
TWI748081B (zh) 電腦裝置及其資料保護方法
WO2016006108A1 (ja) ストレージおよびその制御方法
US11733910B2 (en) Memory sub-system data loss prediction
TW201447603A (zh) 線上同步備份系統方法及其裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200211

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication