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CN110653720B - 抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件 - Google Patents

抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件，涉及半导体技术领域，抛光器件包括：抛光头；抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10‑80mm，所述抛光垫的厚度为0.5‑6mm。利用该抛光器件抛光获得的半导体器件表面粗糙度低、平坦度高、TTV值较低以及TTV值较为集中。

Description

抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件。
背景技术
半导体器件，例如SiC衬底晶片，选用的半导体材料为碳化硅(SiC)晶体材料，该材料因其具有宽禁带、高击穿场、大热导率、电子饱和漂移速度高、抗辐射强和良好化学稳定性的优越性质，成为新一代微电子器件和电路的关键半导体材料；SiC衬底晶片的加工包括晶棒的线切、研磨、倒角、退火、铜抛以及抛光等制程，经过线切后晶片表面都会留下较大的损伤层和残留应力，需要通过研磨、退火、铜抛、抛光逐步的进行修复。抛光做为SiC衬底晶片(例如衬底晶片)的最后一道加工直接影响SiC衬底晶片的表面粗糙度和晶片的总厚度差(TTV)。然而目前抛光获得的半导体器件仍存在TTV值偏高的现象。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抛光器件，利用该抛光器件抛光获得的半导体器件表面粗糙度低、平坦度高、TTV值较低以及TTV值较为集中。
本发明提供的抛光器件包括：
抛光头；
抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；
其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10-80mm，所述抛光垫的厚度为0.5-6mm；
优选地，所述抛光垫的环宽为40-60mm，所述抛光垫的厚度为1.8-2.5mm。
进一步地，所述抛光垫的硬度为60-90HB；
优选地，所述抛光垫的材质包括橡胶、无纺布以及复合型中的至少一种。
进一步地，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述抛光垫的中心与所述抛光头的中心在一条直线上；
优选地，所述抛光垫的形状为圆环形；
优选地，所述抛光头的截面形状为圆形。
进一步地，所述抛光垫的宽度为40-100mm。
进一步地，还包括：陶瓷盘，所述陶瓷盘设置在所述抛光头和所述抛光垫之间；
优选地，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述陶瓷盘的中心、所述抛光垫的中心以及所述抛光头的中心在一条直线上。
一种前面所述的抛光器件的制备方法，包括：将抛光垫设置在抛光头的表面上，得到所述抛光器件。
进一步地，在温度与室温相差±2℃时将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；
优选地，将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上的方式为贴附。
一种抛光方法，包括：将前面所述的抛光器件的抛光垫与待抛光物体接触进行抛光，在所述抛光时将抛光液输送至所述抛光垫上以及所述待抛光物体的表面；
优选地，先将所述待抛光物体放置在抛光盘的表面上，再将所述抛光垫与所述抛光物体接触进行所述抛光，其中，所述待抛光物体位于所述抛光盘与所述抛光垫之间。
进一步地，所述抛光满足以下条件中的至少一种：
所述抛光头的压力为0.3-0.5kg/cm2；
所述抛光头的转速为40-60rpm；
所述抛光盘的转速为50-70rpm；
所述抛光液流速为90-110ml/min；以及，
所述抛光的温度为40-45℃。
一种半导体器件，所述半导体器件的至少一部分表面是利用前面所述的抛光方法抛光得到的；
优选地，所述半导体器件包括SiC衬底晶片、硅衬底晶片及蓝宝石衬底晶片中的至少一种。
与现有技术相比，本发明至少可以取得以下有益效果：
在抛光头表面设置本发明的抛光垫，该抛光垫可以忍耐抛光头施加的压力；由于抛光垫为环形，可以有效分散抛光头施加的压力，进而可以有效避免抛光头施加的压力集中在某一区域而导致的抛光获得的产品的TTV品质较低，从而，使用本发明的抛光器件可以均匀有效地抛光待抛光物体，减小抛光时待抛光物体各位置受压的差异，有效降低抛光后的待抛光物体表面的粗糙度，抛光后的待抛光物体TTV值较低且较为集中、平坦度较高，使得抛光获得的产品的TTV品质得以提高。
本发明的抛光垫可以使得抛光液均匀分布在待抛光物体的表面，抛光时抛光液与待抛光物体的接触量以及接触的时间分布比较均匀，待抛光物体表面的移除量更均匀更为合适，进一步提高抛光后产品的TTV品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施方式中的抛光器件的结构示意图；
图2为本发明一个实施方式中抛光垫的俯视图；
图3为本发明另一个实施方式中的抛光器件的结构示意图。
图标：100-抛光头；200-抛光垫；300-陶瓷盘。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种抛光器件，参照图1和图2，该抛光器件包括：抛光头100；抛光垫200，所述抛光垫200设置在所述抛光头100的表面上；其中，所述抛光垫200呈环形，所述抛光垫200的环宽W为10-80mm(例如可以为10mm、30mm、50mm、70mm或者80mm等)，所述抛光垫的厚度H为0.5-6mm(例如可以为0.5mm、1mm、3mm、5mm或者6mm等)。
在抛光头表面设置本发明的抛光垫，该抛光垫可以忍耐抛光头施加的压力；由于抛光垫为环形，可以有效分散抛光头施加的压力，进而可以有效避免抛光头施加的压力集中在某一区域而导致的抛光获得的产品的TTV品质较低，从而，使用本发明的抛光器件可以均匀有效地抛光待抛光物体，减小抛光时待抛光物体各位置受压的差异，有效降低抛光后的待抛光物体表面的粗糙度(例如表面粗糙度可以小于0.2纳米)，抛光后的待抛光物体TTV值较低(例如TTV值可以小于3微米)且较为集中、平坦度较高，使得抛光后产品的TTV品质得以提高。
当抛光垫的环宽过宽或当抛光垫的环宽过窄时，则TTV变化与不使用垫环的效果不显著差异；当抛光垫的厚度过厚时，则存在陶瓷盘甩出的风险，当抛光垫的厚度过薄时，则TTV变化与不使用的效果不显著差异。
在本发明的一些实施方式中，所述抛光垫的形状为圆环形；所述抛光头的截面形状为圆形。
需要说明的是，环宽指的是，当圆环为由两个同心圆围成的圆环时，环宽指的是两个同心圆的半径的差值；当围成圆环的两个圆不是同心圆时，环宽指的是在圆环区域内，内部的圆上的任意一点与外部的圆上的任意一点之间连线(该连线的延长线经过该环形的中心)距离的最大值。
在本发明的一些优选实施方式中，所述抛光垫的环宽为40-60mm，所述抛光垫的厚度为1.8-2.5mm。
在本发明的一些实施方式中，所述抛光垫的宽度为40-100mm(例如可以为40mm、60mm、80mm或者100mm等)。
需要说明的是，抛光垫的宽度指的是环形抛光垫上外周壁上任意两点之间连线的最大距离；以圆环为例进行解释抛光垫的宽度，抛光垫的宽度指的是外部圆的直径。
在本发明的一些实施方式中，所述抛光垫的硬度为60-90HB。由此，抛光垫耐压能力较强，缓冲抛光头的压力的效果较佳，更利于均匀分散抛光头施加的压力。
在本发明的一些实施方式中，所述抛光垫的材质包括橡胶、无纺布以及复合型中的至少一种。由此，材料来源广泛，价格较低，硬度较为合适。
在本发明的一些实施方式中，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述抛光垫的中心与所述抛光头的中心在一条直线上。由此，有利于抛光垫和抛光头稳定运行，且有利于抛光头中压力的均匀分散，进而有利于提高抛光获得的产品的TTV品质。
需要说明的是，抛光垫的中心可以为抛光垫的重心，以抛光垫为同心圆环形为例进行解释抛光垫的中心，其指的是同心圆环形抛光垫的圆心；抛光头的中心可以为抛光头的重心，以抛光头为圆形为例进行解释抛光头的中心，其指的是圆形抛光头的圆心。
在本发明的一些实施方式中，参照图3，所述抛光器件还包括：陶瓷盘300，所述陶瓷盘300设置在所述抛光头100和所述抛光垫200之间。
在本发明的一些实施方式中，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述陶瓷盘的中心、所述抛光垫的中心以及所述抛光头的中心在一条直线上。由此，有利于抛光器件稳定运行，且有利于抛光头中压力的均匀分散，进而有利于提高抛光获得的产品的TTV品质。
需要说明的是，以陶瓷盘为圆形为例进行解释陶瓷盘的中心，其指的是圆形陶瓷盘的圆心。
可以理解的是，上述抛光器件除了包括前面所述的抛光垫、抛光头以及陶瓷盘之外，还可以包括抛光盘、电源等结构，在此不再过多赘述。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种前面所述的抛光器件的制备方法，该制备方法包括：将抛光垫设置在抛光头的表面上，得到所述抛光器件。
在本发明的一些实施方式中，在温度与室温相差±2℃时将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上。
在本发明的一些实施方式中，将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上的方式为贴附。在本发明的一些实施方式中，为了能够将抛光垫牢固地贴附在抛光头的表面上，还可以通过静压的方式对抛光垫进行加固，所使用的静压的压力可以根据实际需要进行灵活选择，在此不再过多赘述。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种抛光方法，该抛光方法包括：将前面所述的抛光器件的抛光垫与待抛光物体接触进行抛光，在所述抛光时将抛光液输送至所述抛光垫上以及所述待抛光物体的表面。由此，抛光后的待抛光物体的表面粗糙度低，表面光滑度高，抛光获得的产品的TTV品质优异。
在本发明的一些实施方式中，先将所述待抛光物体放置在抛光盘的表面上，再将所述抛光垫与所述抛光物体接触进行所述抛光，其中，所述待抛光物体位于所述抛光盘与所述抛光垫之间。
在本发明的一些实施方式中，所述抛光满足以下条件中的至少一种：所述抛光头的压力为0.3-0.5kg/cm2(例如可以为0.3kg/cm2、0.4kg/cm2或者0.5kg/cm2等)；所述抛光头的转速为40-60rpm(例如可以为40rpm、50rpm或者60rpm等)；所述抛光盘的转速为50-70rpm(例如可以为50rpm、60rpm或者70rpm等)；所述抛光液流速为90-110ml/min(例如可以为90ml/min、100ml/min或者110ml/min等)；以及，所述抛光的温度为40-45℃(例如可以为40℃、42℃、44℃或者45℃等)。由此，更有利于提高抛光获得的产品的TTV品质。
在本发明的另一方面，本方面提供了一种半导体器件，所述半导体器件的至少一部分表面是利用前面所述的抛光方法抛光得到的。由此，半导体器件的表面比较光滑、平坦，品质较高。
在本发明的一些实施方式中，所述半导体器件包括SiC衬底晶片、硅衬底晶片及蓝宝石衬底晶片中的至少一种。
下面结合具体实施例对本发明进行进一步地解释。
实施例
实施例1
抛光器件的结构如下：
抛光头；
抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；
其中，所述抛光垫呈同心圆环形，抛光垫的材质为橡胶，抛光头为圆形，抛光头的圆心与抛光垫的圆心重合；
圆环的外径为360mm，环宽为15mm，抛光垫的厚度为1.5mm。
实施例2
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于环宽为35mm，抛光垫的厚度为2mm。
实施例3
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于环宽为80mm。
实施例4
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于环宽为10mm。
实施例5
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于抛光垫的厚度为0.5mm。
实施例6
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于抛光垫的厚度为6mm。
对比例1
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于环宽为5mm。
对比例2
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于环宽为85mm。
对比例3
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于抛光垫的厚度为0.2mm。
对比例4
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于抛光垫的厚度为5mm。
对比例5
抛光器件的结构同实施例1，不同之处在于不包括抛光垫。
利用实施例1-6以及对比例1-5中的抛光器件对4H-SiC的2寸衬底晶片进行抛光，将4H-SiC的2寸衬底晶片放置在抛光器件与抛光盘之间，三者之间相互接触进行抛光，抛光满足以下条件：抛光头压力为0.4kg/cm2；抛光盘转速为60rpm；抛光头转速为50rpm；抛光液流量为100ml/min；抛光温度43℃，抛光10个周期(10run)4H-SiC的2寸衬底晶片后，对衬底晶片的粗糙度和TTV值进行测量(其中，使用AFM设备测量粗糙度，使用FRT设备测量TTV值)，各实施例和对比例对应的抛光器件抛光衬底晶片后的结果如下表1所示：
表1
Figure BDA0002220993830000091
Figure BDA0002220993830000101
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (17)

1.一种抛光器件，其特征在于，包括：
抛光头；
抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；
其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10-80mm，所述抛光垫的厚度为0.5-6mm；
所述抛光垫的宽度为40-100mm。
2.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光垫的环宽为40-60mm，所述抛光垫的厚度为1.8-2.5mm。
3.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光垫的硬度为60-90 HB。
4.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光垫的材质包括橡胶、无纺布以及复合型中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述抛光垫的中心与所述抛光头的中心在一条直线上。
6.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光垫的形状为圆环形。
7.根据权利要求6所述的抛光器件，其特征在于，所述抛光头的截面形状为圆形。
8.根据权利要求1所述的抛光器件，其特征在于，还包括：陶瓷盘，所述陶瓷盘设置在所述抛光头和所述抛光垫之间。
9.根据权利要求8所述的抛光器件，其特征在于，在所述抛光垫远离所述抛光头的方向上，所述陶瓷盘的中心、所述抛光垫的中心以及所述抛光头的中心在一条直线上。
10.一种权利要求1-9任一项所述的抛光器件的制备方法，其特征在于，包括：将抛光垫设置在抛光头的表面上，得到所述抛光器件。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在温度与室温相差±2℃时将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，将所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上的方式为贴附。
13.一种抛光方法，其特征在于，包括：将权利要求1-9任一项所述的抛光器件的抛光垫与待抛光物体接触进行抛光，在所述抛光时将抛光液输送至所述抛光垫上以及所述待抛光物体的表面。
14.根据权利要求13所述的抛光方法，其特征在于，先将所述待抛光物体放置在抛光盘的表面上，再将所述抛光垫与所述抛光物体接触进行所述抛光，其中，所述待抛光物体位于所述抛光盘与所述抛光垫之间。
15.根据权利要求13所述的抛光方法，其特征在于，所述抛光满足以下条件中的至少一种：
所述抛光头的压力为0.3-0.5kg/cm2；
所述抛光头的转速为40-60rpm；
所述抛光盘的转速为50-70rpm；
所述抛光液流速为90-110ml/min；以及，
所述抛光的温度为40-45℃。
16.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的至少一部分表面是利用权利要求13-15任一项所述的抛光方法抛光得到的。
17.根据权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括SiC衬底晶片、硅衬底晶片及蓝宝石衬底晶片中的至少一种。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113524017B (zh) * 2021-07-16 2022-11-29 昆明物理研究所 一种大面积碲锌镉(211)b材料表面抛光方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002042033A1 (en) * 2000-11-21 2002-05-30 Memc Electronic Materials, S.P.A. Semiconductor wafer, polishing apparatus and method
CN102630194A (zh) * 2009-11-30 2012-08-08 康宁股份有限公司 用于适应性抛光的方法和设备
CN103707154A (zh) * 2013-12-17 2014-04-09 天津大学 一种基于动压效应的盘式抛光装置及抛光方法
CN203696700U (zh) * 2014-03-14 2014-07-09 天津大学 流体动压半接触固结磨料抛光装置
CN107378747A (zh) * 2017-07-11 2017-11-24 天津华海清科机电科技有限公司 用于mems器件的化学机械抛光工艺

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8524035B2 (en) * 2009-11-30 2013-09-03 Corning Incorporated Method and apparatus for conformable polishing
WO2018045039A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-08 Applied Materials, Inc. Polishing system with annular platen or polishing pad

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002042033A1 (en) * 2000-11-21 2002-05-30 Memc Electronic Materials, S.P.A. Semiconductor wafer, polishing apparatus and method
CN102630194A (zh) * 2009-11-30 2012-08-08 康宁股份有限公司 用于适应性抛光的方法和设备
CN103707154A (zh) * 2013-12-17 2014-04-09 天津大学 一种基于动压效应的盘式抛光装置及抛光方法
CN203696700U (zh) * 2014-03-14 2014-07-09 天津大学 流体动压半接触固结磨料抛光装置
CN107378747A (zh) * 2017-07-11 2017-11-24 天津华海清科机电科技有限公司 用于mems器件的化学机械抛光工艺

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