CN110649179B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置、掩膜板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置、掩模板,涉及显示技术领域,在不影响显示装置的显示效果的情况下,提高显示基板中镂空区域的部分的光透过率。一种显示基板,具有多个子像素区域和位于相邻子像素区域之间的非子像素区域;所述显示基板包括发光器件层,所述发光器件层包括第一电极层,所述第一电极层包括多个相互电连接的第一电极,部分相邻所述第一电极之间具有镂空区域,所述镂空区域位于所述非子像素区域内。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置、掩膜板。
背景技术
随着智能手机等显示产品的普及,用户对手机等智能产品的功能要求越来越高。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置、掩膜板,可在不影响显示装置的显示效果的情况下,提高发光器件层中位于镂空区域的部分的光透过率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种显示基板,具有多个子像素区域和子像素区域之间的非子像素区域;所述显示基板包括发光器件层,所述发光器件层包括第一电极层,所述第一电极层包括多个相互电连接的第一电极,部分相邻所述第一电极之间具有镂空区域,所述镂空区域位于所述非子像素区域内。
可选的,所述发光器件层还包括与所述第一电极层层叠设置的第二电极层,所述第二电极层包括多个间隔设置的第二电极;至少部分相邻所述第二电极之间的区域与所述镂空区域重叠。
可选的,所述第一电极与所述子像素区域一一对应;多个所述子像素区域包括多个第一颜色子像素区域、多个第二颜色子像素区域、以及多个第三颜色子像素区域;所述第一颜色子像素区域和所述第二颜色子像素区域位于同一行且交替排布,所述第三颜色子像素区域位于所述第一颜色子像素区域的相邻行;沿行方向,所述第三颜色子像素区域与所述第一颜色子像素区域和所述第二颜色子像素区域均错开设置;沿行方向,与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极和与所述第二颜色子像素区域对应的所述第一电极直接接触;沿列方向,与所述第三颜色子像素区域对应的所述第一电极,和与其错开且与所述第一颜色子像素和所述第二颜色子像素对应的所述第一电极直接接触;所述镂空区域位于与所述第三颜色子像素区域对应的、沿所述行方向排布的相邻所述第一电极之间。
可选的,所述第一颜色子像素区域为蓝色子像素区域,所述第二颜色子像素区域为红色子像素区域,所述第三颜色子像素区域为绿色子像素区域。
可选的,与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极的面积,和与所述第二颜色子像素区域对应的所述第一电极的形状及面积均相同。
可选的,与所述第三颜色子像素区域对应的所述第一电极的形状及面积,和与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极的形状及面积均相同。
可选的,多个所述子像素区域呈阵列排布。
可选的,所述第一电极与所述子像素区域一一对应;所述子像素区域具有M列;沿行方向,至少部分所述第一电极之间直接接触;沿列方向,位于第X列的至少部分所述第一电极之间直接接触;1≤X≤M,X和M均为正整数。
可选的,至少部分相邻的所述第一电极在所述非子像素区域有交叠。
可选的,所述第一电极与所述子像素区域一一对应;所述第一电极的边沿超出与其对应的子像素区域的边沿,且到该子像素区域的边沿的距离处处相等。
第二方面,提供一种显示装置,包括第一方面所述的显示基板;所述显示装置还包括设置于背离发光器件层的出光侧一侧的采集部;在所述发光器件层包括第一电极层时,所述采集部位于相邻所述第一电极之间的区域与镂空区域的重叠区域,以接收采集信号。
可选的,所述采集部包括摄像头、指纹识别器、体征采集器中的至少一个。
第三方面,提供一种显示基板的制备方法,所述发光器件层包括多个子像素区域和所述子像素区域之间的非子像素区域;所述显示基板的制备方法包括:利用掩膜板在衬底上形成第一电极层,所述第一电极层包括多个相互电连接的第一电极,部分相邻所述第一电极之间具有镂空区域,所述镂空区域位于所述非子像素区域内。
可选的,所述第一电极与所述子像素区域一一对应;多个所述子像素区域包括多个第一颜色子像素区域、多个第二颜色子像素区域、以及多个第三颜色子像素区域;所述第一颜色子像素区域和所述第二颜色子像素区域位于同一行且交替设置,所述第三颜色子像素区域位于所述第一颜色子像素区域的相邻行;沿行方向,所述第三颜色子像素区域与所述第一颜色子像素区域和所述第二颜色子像素区域均错开设置;沿行方向,与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极和与所述第二颜色子像素区域对应的所述第一电极直接接触;沿列方向,与所述第三颜色子像素区域对应的所述第一电极,和与其错开且与所述第一颜色子像素和所述第二颜色子像素对应的所述第一电极直接接触;所述镂空区域位于与所述第三颜色子像素区域对应的、沿所述行方向排布的相邻所述第一电极之间。
可选的,所述第一颜色子像素区域为蓝色子像素区域,所述第二颜色子像素区域为红色子像素区域,所述第三颜色子像素区域为绿色子像素区域。
可选的,利用所述掩膜板形成第一电极层,包括:利用所述掩膜板的第一子掩膜板分别形成与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极和与所述第二颜色子像素区域对应的所述第一电极。
可选的,利用所述掩膜板形成第一电极层,还包括:利用所述第一子掩膜板形成与所述第三颜色子像素区域对应的所述第一电极。
可选的,多个所述子像素区域呈阵列排布。
可选的,所述第一电极与所述子像素区域一一对应;所述子像素区域具有M列;利用掩膜板在衬底上形成第一电极层,包括:沿列方向,利用所述掩膜板的第二子掩膜板形成与第X列子像素区域对应的所述第一电极;沿行方向,利用所述掩膜板的第三子掩膜板形成其他的所述第一电极;其中,沿行方向,至少部分相邻所述第一电极之间直接接触;沿列方向,位于第X列的至少部分所述第一电极之间直接接触;1≤X≤M,X和M均为正整数。
第四方面,提供一种掩膜板,用于利用蒸镀的方式制备第一方面所述的显示基板中的第一电极层。
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置、掩膜板,发光器件层包括第一电极层,第一电极层包括多个电连接的第一电极,部分相邻的第一电极之间具有镂空区域,镂空区域在非子像素区域内。这样一来,可大大提高发光器件层中位于镂空区域的部分的光透过率,当所述发光器件层应用于显示装置时,可在背离发光器件层的出光侧一侧设置接收光信号的采集部,以使显示装置实现更多功能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的侧视示意图;
图2为本发明实施例提供的一种第一电极层的俯视示意图;
图3为本发明实施例提供的一种显示装置的侧视示意图;
图4为本发明实施例提供的一种显示装置的侧视示意图;
图5为本发明实施例提供的一种显示装置的侧视示意图;
图6为本发明实施例提供的一种第一电极层的俯视示意图;
图7为本发明实施例提供的一种第一电极层的俯视示意图;
图8为本发明实施例提供的一种第一电极层的制备过程图;
图9为本发明实施例提供的一种第一电极层的制备过程图;
图10为本发明实施例提供的一种第一电极层的俯视示意图;
图11为本发明实施例提供的一种第一电极层的俯视示意图。
附图标记:
101-子像素区域;1-框架;2-显示面板;21-显示基板;22-封装层;3-电路板;4-盖板;10-衬底;11-薄膜晶体管;12-发光器件层;121-第二电极;122-发光功能层;123-第一电极;124-导电结构;14-采集部。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
显示装置可以用作手机、平板电脑、个人数字助理(personal digitalassistant,PDA)、车载电脑等,本发明实施例对显示装置的具体用途不做特殊限制。
如图1所示,该显示装置例如可以包括框架1、显示面板2、电路板3、盖板4、以及其他电子配件。显示面板2包括显示基板21和封装层22。
本发明实施例提供一种显示基板21,该显示基板21可以用作上述显示装置中的显示基板21。当然,该显示基板21还可以用作其他显示装置,本发明实施例对此不作特殊限定。
如图2所示,该显示基板21具有子像素区域101和子像素区域101之间的非子像素区域;显示基板21包括发光器件层,发光器件层包括第一电极层,第一电极层包括多个相互电连接的第一电极123,部分相邻第一电极123之间具有镂空区域,镂空区域位于非子像素区域内。
在此基础上,如图3-图5所示,显示基板21还包括衬底10和设置于衬底10上的薄膜晶体管11。发光器件层12设置于薄膜晶体管11背离衬底10一侧。
在一些实施例中,如图3-图5所示,包括所述显示基板21的显示面板2例如可以是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称 OLED)显示面板,或量子点电致(Quantum Dot Light Emitting Diodes,简称QLED)显示面板。
此外,发光器件层12还包括发光功能层122。若显示面板2为OLED显示面板,则发光功能层122为有机发光功能层;若显示面板2为QLED显示面板,则发光功能层122为量子点发光功能层。
在一些实施例中,第一电极123为阴极,即,发光器件层12共阴极;或者,第一电极123为阳极,即发光器件层12为共阳极。
在一些实施例中,以OLED显示面板为例,显示面板2例如可以是顶发光或底发光中的任意一种。图3-图5仅示出顶发光的情况。
在一些实施中,第一电极123可以覆盖一个子像素区域101,也可以覆盖多个子像素区域101。
在一些实施例中,根据实际需求,子像素区域101可以是任意形状。
示例的,如图2所示,子像素区域101的形状为六边形;如图10所示,子像素区域101的形状为矩形。
在此基础上,假设第一电极123与子像素区域101一一对应,第一电极123的形状和与其对应的子像素区域101的形状相同或不同,只要第一电极123完全覆盖与其对应的子像素区域101即可。
示例的,如图2所示,第一电极123和与其对应的子像素区域101的形状均为六边形。
在一些实施例中,显示基板21具有显示区,显示区中除子像素区域101以外的区域即为非子像素区域。
在一些实施例中,所有第一电极123均电连接,且部分相邻的第一电极123之间具有镂空区域。即,除用于构成镂空区域的相邻的第一电极123,其他相邻的第一电极123之间无镂空区域;也即,其他相邻的第一电极123之间直接接触。
在一些实施例中,不对第一电极123的尺寸进行限定,只要所有第一电极123电连接、且部分相邻的第一电极123之间具有镂空区域即可。
在一些实施例中,如图2所示,相邻且直接接触的第一电极123在衬底10上的正投影无交叠;或者,如图6所示,相邻且直接接触的第一电极123在衬底10上的正投影部分交叠。
可选的,如图6所示,相邻且直接接触的第一电极123在衬底10上的正投影的交叠部分位于非子像素区域。
本发明实施例提供一种显示基板21,显示基板21包括发光器件层12,发光器件层12包括第一电极层,第一电极层包括多个电连接的第一电极123,部分相邻的第一电极123之间具有镂空区域,镂空区域在非子像素区域内。这样一来,可大大提高显示基板21中镂空区域的部分的光透过率,当所述显示基板21应用于显示装置时,可在背离发光器件层12的出光侧一侧设置接收光信号的采集部14,以使显示装置实现更多功能。
可选的,发光器件层12还包括与第一电极层层叠设置的第二电极层,第二电极层包括多个间隔设置的第二电极121;至少部分相邻第二电极121之间的区域与镂空区域重叠。
在一些实施例中,在第一电极123为阴极的情况下,第二电极121为阳极;在第一电极123为阳极的情况下,第二电极121为阴极。
在一些实施例中,第二电极121与子像素区域101一一对应。在第一电极123也与子像素区域101一一对应的情况下,第二电极121的形状和尺寸可以与第一电极123的形状和尺寸相同或不同。
在一些实施例中,第二电极121恰好位于与其对应的子像素区域101;或者,如图2所示,第二电极121位于与其对应的子像素区域101,且第二电极121的边沿超出与其对应的子像区域101。
本发明实施例中,通过使至少部分相邻第二电极121之间的区域与镂空区域重叠,这样一来,可以将接收光信号的采集部14设置在相邻第二电极121之间的区域与镂空区域的重叠区域,从而使采集部14的任意位置均可接收光信号,提高采集部14的检测效率。
可选的,如图2、图6和图7所示,第一电极123与子像素区域101一一对应;多个子像素区域101包括多个第一颜色子像素区域、多个第二颜色子像素区域、以及多个第三颜色子像素区域;第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域位于同一行且交替排布,第三颜色子像素区域位于第一颜色子像素区域的相邻行;沿行方向,第三颜色子像素区域与第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域均错开设置;沿行方向,与第一颜色子像素区域对应的第一电极123和与第二颜色子像素区域对应的第一电极123直接接触;沿列方向,与第三颜色子像素区域对应的第一电极123,和与其错开且与第一颜色子像素和第二颜色子像素对应的第一电极123直接接触;镂空区域位于与第三颜色子像素区域对应的、沿行方向排布的相邻第一电极123之间。
即,镂空区域由与相邻的第三颜色子像素区域对应的第一电极123、以及与位于相邻第三颜色子像素区域之间的第一颜色子像素区域和/或第二颜色子像素区域对应的第一电极123围成。
在一些实施例中,显示基板21具有多行子像素区域101。
示例的,第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域位于奇数行,第三颜色子像素区域位于偶数行;或者,第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域位于偶数行,第三颜色子像素区域位于奇数行。
在一些实施例中,第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域可以互为红色子像素区域、绿色子像素区域、以及蓝色子像素区域;或者,第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域可以互为青色子像素区域、黄色子像素区域、以及品红色子像素区域。
本发明实施例中,一方面,由于第三颜色子像素区域所在行的第一电极123的个数,为第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域所在行的第一电极123的个数的一半,因此,通过将镂空区域设在与相邻第三颜色子像素区域对应的第一电极123之间,可使镂空区域的面积最大化,从而增大照射到采集部14上的光线的强度。另一方面,由于镂空区域位于与第三颜色子像素区域对应的相邻第一电极123之间,即,与第一颜色子像素区域对应的第一电极123和与第二颜色子像素区域对应的第一电极123之间、与第一颜色子像素区域对应的第一电极123和与第三颜色子像素区域对应的第一电极123之间、与第二颜色子像素区域对应的第一电极123和与第三颜色子像素区域对应的第一电极123之间均直接接触,相较于第一电极层中部分相邻的第一电极123之间直接接触、另一部分未直接接触,本发明实施例可改善因多个第一电极123上的电压不同而产生压降(IR Drop)的问题。
可选的,如图2和图6所示,第一颜色子像素区域为蓝色子像素区域,第二颜色子像素区域为红色子像素区域,第三颜色子像素区域为绿色子像素区域。
本发明实施例中,由于人眼对绿光最敏感,因此,可使绿色子像素区域稀疏排布,以在显示装置显示白光时,人眼看到的白光显示更均匀。
可选的,如图6所示,与第一颜色子像素区域对应的第一电极123的面积,和与第二颜色子像素区域对应的第一电极123的形状及面积均相同。
本领域的技术人员应该知道,通常采用蒸镀的方式制备第一电极层。其中,掩膜板的开口区域,对应第一电极层所在的区域。
基于此,本发明实施例中的第一电极层的制备过程为:
第一种情况:如图8所示,先利用掩膜板的第一子掩膜板制备与蓝色子像素区域对应的第一电极123;如图9所示,再利用第一子掩膜板制备与红色子像素区域对应的第一电极123;如图6所示,最后利用掩膜板的第四子掩膜板制备与绿色子像素区域对应的第一电极123。
第二种情况:先利用第一子掩膜板制备与红色子像素区域对应的第一电极123;再利用第一子掩膜板制备与蓝色子像素区域对应的第一电极123;最后利用第四子掩膜板制备与绿色子像素区域对应的第一电极123。
第三种情况:先利用第四子掩膜板制备与绿色子像素区域对应的第一电极123;再利用第一子掩膜板制备与蓝色子像素区域对应的第一电极123;最后利用第一子掩膜板制备与红色子像素区域对应的第一电极123。
第四种情况:先利用第四子掩膜板制备与绿色子像素区域对应的第一电极123;再利用第一子掩膜板制备与红色子像素区域对应的第一电极123;最后利用第一子掩膜板制备与蓝色子像素区域对应的第一电极123。
其中,第一子掩膜板的图案与第四子掩膜板的图案可以相同,也可以不相同。
本发明实施例中,相较于分别与第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域对应的第一电极123的形状和面积均不相同,本发明实施例可使与第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域对应的第一电极123均通过第一子掩膜板制备得到,从而节省一道掩膜板,降低第一电极层的制备成本。
可选的,如图7所示,与第三颜色子像素区域对应的第一电极123的形状及面积,和与第一颜色子像素区域对应的第一电极123的形状及面积均相同。
本发明实施例中,相较于分别与第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域对应的第一电极123的形状和面积均不相同,本发明实施例可使与第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域对应的第一电极123通过同一道掩膜板制备得到,从而节省两道掩膜板,降低第一电极层的制备成本。
可选的,如图10和图11所示,多个子像素区域101呈阵列排布。
在一些实施例中,不对与阵列排布的多个子像素区域101对应的第一电极123的排布方式进行限定。
示例的,如图10和图11所示,子像素区域101具有M列,沿行方向,至少部分第一电极123之间直接接触;沿列方向,位于第X列的至少部分第一电极123之间直接接触;1≤X≤M,X和M均为正整数。
此处,当显示基板21应用于显示装置时,显示装置还包括与发光器件层12电连接的像素电路,像素电路包括栅线。其中,行方向可以是与栅线的延伸方向相同的方向,也可以是与栅线的延伸方向垂直的方向。
在一些实施例中,如图10所示,沿行方向,位于同一行的所有第一电极123之间直接接触;沿列方向,位于第X列的所有第一电极123之间直接接触。
或者,如图11所示,位于同一行的部分第一电极123之间直接接触,另一部分第一电极123之间通过导电结构124电连接;沿列方向,位于第X列的部分第一电极123之间直接接触,另一部分第一电极123之间通过导电结构124电连接。
本领域的技术人员应该知道,通常采用蒸镀的方式制备第一电极层。其中,掩膜板的开口区域,对应第一电极层所在的区域。
基于此,本发明实施例中的第一电极层的制备过程为:
第一种情况:先利用掩膜板的第二子掩膜板形成与第X列子像素区域对应的第一电极123;之后,再利用掩膜板的第三子掩膜板形成其他的第一电极123。第二种情况:先利用掩膜板的第三子掩膜板形成其他的第一电极123;之后,再利用掩膜板的第二子掩膜板形成与第X列子像素区域对应的第一电极123。
这样一来,通过第二子掩膜板形成的第一电极123与通过第三子掩膜板形成的第一电极123中相邻的部分,不但可以直接接触,还可以部分重叠,以避免因工艺误差,而导致两次形成的第一电极123之间电连接不充分。
当然,第一电极层中的多个第一电极123之间还可以通过其他方式电连接,本发明实施例对此不作特殊限定。
可选的,如图6和图7所示,至少部分相邻的第一电极123在非子像素区域有交叠。
本发明实施例中,通过使相邻第一电极123在非子像素区域有交叠,一方面,可以避免因工艺误差导致原本应直接接触的第一电极123之间未直接接触,从而使得第一电极层中的所有第一电极123上的电压不同,影响显示装置正常显示;另一方面,由于第一电极123的透过率较低,若相邻第一电极123的重叠部分位于子像素区域101,将会导致显示装置显示的画面亮度不均,因此,通过使相邻第一电极123的重叠部分位于非子像素区域,可以避免第一电极123影响显示装置的显示效果。
可选的,如图6和图7所示,第一电极123与子像素区域101一一对应;第一电极123的边沿超出与其对应的子像素区域101的边沿,且到该子像素区域101的边沿的距离处处相等。
本发明实施例中,为了避免在蒸镀时因对位误差,导致部分第一电极123未完全覆盖与其对应的子像素区域101,可使得与子像素区域101对应的第一电极123的边沿,超出该子像素区域101的边沿,且到该子像素区域101的边沿的距离处处相等。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括前述任一实施例所述的显示基板21;显示装置还包括设置于背离发光器件层12的出光侧一侧的采集部14;在发光器件层12包括第一电极层时,采集部14位于相邻第一电极123之间的区域与镂空区域的重叠区域,以接收采集信号。
在一些实施中,不对采集部14的具体设置位置进行限定,只要采集部14设置于背离发光器件层12的出光侧的一侧即可。若发光器件层12为顶发光,则采集部14设置于发光器件层12背离封装层22一侧;若发光器件层12为底发光,则采集部14设置于发光器件层12背离衬底10一侧,例如采集部14可以设置在封装层22背离衬底10一侧。
其中,显示基板21包括采集部14;或者,采集部14也可以独立设置于电路板3上,该电路板3集成于显示基板21上。
示例的,显示基板21包括采集部14。如图3所示,采集部14设置于衬底10背离发光器件层12一侧;或者,如图4所示,采集部14也可以设置于薄膜晶体管11与发光器件层12之间;或者,如图5所示,采集部14也可以设置于衬底10与薄膜晶体管11之间。
当然,采集部14还可以设置在显示装置中的其他位置,本发明实施例对此不作特殊限定。
在一些实施例中,当采集部14设置于薄膜晶体管11背离发光器件层12一侧时,由于薄膜晶体管11不透光,因此,为了使采集部14接收到采集信号,采集信号不能被薄膜晶体管11遮挡。
基于此,当采集部14设置于薄膜晶体管11背离发光器件层12一侧时,采集部14在衬底10上的正投影与薄膜晶体管11在衬底10上的正投影无交叠。
在一些实施例中,采集部14用于接收采集信号。在此基础上,部分采集部14还可以发出信号。
不对采集部14的具体结构进行限定,以采集部14的功能为准。
示例的,采集部14包括摄像头、指纹识别器、体征采集器中的至少一种。当然,采集部14还可以是其他功能的结构,本发明实施例对此不作特殊限定。
摄像头例如可以是红外摄像头。红外摄像头发出的红外光照射到被拍摄物体上,经被拍摄物体反射,再反射至红外摄像头的接收器上,接收器对自身接收的光线进行处理,以构成拍摄画面。
指纹识别器例如可以是光学式指纹识别器。显示装置的显示用光照射到手指等带有纹路的待检测物上,经待检测物的谷、脊反射,部分显示光反射至光学式指纹识别器上,光学式指纹识别器将光信号转换成电信号,并得到纹路图像。
体征采集器例如可以是光学式体征采集器。可根据人体皮肤对光的皮肤对光的反射,来检测心跳、血红蛋白含量等。
以上,采集信号例如可以是光信号。其中,光信号可以是可见光信号,或非可见光信号。
随着智能手机的普及和其更新速度的加快,消费者们对智能手机提出了更高的要求。目前,智能手机的显示屏幕逐渐向全屏显示的方向发展,然而,摄像头、指纹识别器、体征采集器等结构将影响智能手机的屏占比。
相关技术中,通常将摄像头等设置在显示面板2下方,来实现全屏显示的效果。然而,阴极通常为设置于显示区的一整层结构,且阴极的材料包括金属,其光透过率非常低,仅有非常少一部分光线可透过阴极照射到摄像头上,摄像头接收到的光线的强度过低,将影响拍摄效果。
而本发明实施例提供一种显示装置,通过将采集部14设置在相邻第二电极121之间的区域与镂空区域的重叠区域,一方面,可避免采集部14影响显示面板2的正常显示;另一方面,由于第一电极层在采集部14的设置区域镂空,光线可不经过第一电极123入射至采集部14,因此,还可提高入射至采集部14的光线的强度,从而提高采集部14的精确度。
本发明实施例还提供一种显示基板21的制备方法,显示基板21具有多个子像素区域101和位于相邻子像素区域101之间的非子像素区域。
显示基板21的制备方法包括:利用掩膜板在衬底10上形成第一电极层,第一电极层包括多个相互电连接的第一电极123,部分相邻第一电极123之间具有镂空区域,镂空区域位于非子像素区域内。
在一些实施例中,第一电极123为阴极,即,发光器件层12共阴极;或者,第一电极123为阳极,即发光器件层12为共阳极。
在一些实施中,第一电极123可以覆盖一个子像素区域101,也可以覆盖多个子像素区域101。
在一些实施例中,根据实际需求,子像素区域101可以是任意形状。示例的,如图2所示,子像素区域101的形状为六边形;如图10所示,子像素区域101的形状为矩形。
在此基础上,假设第一电极123与子像素区域101一一对应,第一电极123的形状和与其对应的子像素区域101的形状相同或不同,只要第一电极123完全覆盖与其对应的子像素区域101即可。
示例的,如图2所示,第一电极123和与其对应的子像素区域101的形状均为六边形。
在一些实施例中,显示基板21具有显示区,显示区中除子像素区域101以外的区域即为非子像素区域。
在一些实施例中,所有第一电极123均电连接,且部分相邻的第一电极123之间具有镂空区域。即,除用于构成镂空区域的相邻的第一电极123,其他相邻的第一电极123之间无镂空区域;也即,其他相邻的第一电极123之间直接接触。
在一些实施例中,不对第一电极123的尺寸进行限定,只要所有第一电极123电连接、且部分相邻的第一电极123之间具有镂空区域即可。
在一些实施例中,如图2所示,相邻且直接接触的第一电极123在衬底10上的正投影无交叠;或者,如图6所示,相邻且直接接触的第一电极123在衬底10上的正投影部分交叠。
可选的,如图6所示,相邻且直接接触的第一电极123在衬底10上的正投影的交叠部分位于非子像素区域。
本发明实施例提供一种显示基板21的制备方法,利用掩膜板在衬底10上形成第一电极层,第一电极层包括多个电连接的第一电极123,部分相邻的第一电极123之间具有镂空区域,镂空区域在非子像素区域内。这样一来,可大大提高显示基板21中镂空区域的部分的光透过率,当所述显示基板21应用于显示装置时,可在背离发光器件层12的出光侧一侧设置接收光信号的采集部14,以使显示装置实现更多功能。
可选的,如图2、图6和图7所示,第一电极123与子像素区域101一一对应;多个子像素区域101包括多个第一颜色子像素区域、多个第二颜色子像素区域、以及多个第三颜色子像素区域;第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域位于同一行且交替设置,第三颜色子像素区域位于所述第一颜色子像素区域的相邻行;沿行方向,第三颜色子像素区域与第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域均错开设置;沿行方向,与第一颜色子像素区域对应的第一电极123和与第二颜色子像素区域对应的第一电极123直接接触;沿列方向,与第三颜色子像素区域对应的第一电极123,和与其错开且与第一颜色子像素和第二颜色子像素对应的第一电极123直接接触;镂空区域位于与第三颜色子像素区域对应的、沿行方向排布的相邻第一电极123之间。
即,镂空区域由与相邻的第三颜色子像素区域对应的第一电极123、以及与位于相邻第三颜色子像素区域之间的第一颜色子像素区域和/或第二颜色子像素区域对应的第一电极123围成。
在一些实施例中,显示基板21具有多行子像素区域101。
示例的,第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域位于奇数行,第三颜色子像素区域位于偶数行;或者,第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域位于偶数行,第三颜色子像素区域位于奇数行。
在一些实施例中,第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域可以互为红色子像素区域、绿色子像素区域、以及蓝色子像素区域;或者,第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域可以互为青色子像素区域、黄色子像素区域、以及品红色子像素区域。
本发明实施例中,一方面,由于第三颜色子像素区域所在行的第一电极123的个数,为第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域所在行的第一电极123的个数的一半,因此,通过将镂空区域设在与相邻第三颜色子像素区域对应的第一电极123之间,可使镂空区域的面积最大化,从而增大照射到采集部14上的光线的强度。另一方面,由于镂空区域位于与第三颜色子像素区域对应的相邻第一电极123之间,即,与第一颜色子像素区域对应的第一电极123和与第二颜色子像素区域对应的第一电极123之间、与第一颜色子像素区域对应的第一电极123和与第三颜色子像素区域对应的第一电极123之间、与第二颜色子像素区域对应的第一电极123和与第三颜色子像素区域对应的第一电极123之间均直接接触,相较于第一电极层中部分相邻的第一电极123之间直接接触,另一部分未直接接触,本发明实施例可改善因多个第一电极123上的电压不同而产生IR Drop的问题。
可选的,如图2和图6所示,第一颜色子像素区域为蓝色子像素区域,第二颜色子像素区域为红色子像素区域,第三颜色子像素区域为绿色子像素区域。
本发明实施例中,由于人眼对绿光最敏感,因此,可使绿色子像素区域稀疏排布,以在显示装置显示白光时,人眼看到的白光显示更均匀。
可选的,利用掩膜板形成第一电极层,包括:利用掩膜板的第一子掩膜板分别形成与第一颜色子像素区域对应的第一电极123和与第二颜色子像素区域对应的第一电极123。
在一些实施例中,第一子掩膜板的包括第一开口区,第一开口区用于分别形成与第一颜色子像素区域对应的第一电极123和与第二颜色子像素区域对应的第一电极123。
在一些实施例中,本发明实施例中的第二电极层的制备过程可以为:
第一种情况:如图8所示,先利用掩膜板的第一子掩膜板制备与蓝色子像素区域对应的第一电极123;如图9所示,再利用第一子掩膜板制备与红色子像素区域对应的第一电极123;如图6所示,最后利用掩膜板的第四子掩膜板制备与绿色子像素区域对应的第一电极123。
第二种情况:先利用第一子掩膜板制备与红色子像素区域对应的第一电极123;再利用第一子掩膜板制备与蓝色子像素区域对应的第一电极123;最后利用第四子掩膜板制备与绿色子像素区域对应的第一电极123。
第三种情况:先利用第四子掩膜板制备与绿色子像素区域对应的第一电极123;再利用第一子掩膜板制备与蓝色子像素区域对应的第一电极123;最后利用第一子掩膜板制备与红色子像素区域对应的第一电极123。
第四种情况:先利用第四子掩膜板制备与绿色子像素区域对应的第一电极123;再利用第一子掩膜板制备与红色子像素区域对应的第一电极123;最后利用第一子掩膜板制备与蓝色子像素区域对应的第一电极123。
其中,第一子掩膜板的图案与第四子掩膜板的图案可以相同,也可以不相同。
本发明实施例中,相较于分别与第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域对应的第一电极123的形状和面积均不相同,本发明实施例可使与第一颜色子像素区域和第二颜色子像素区域对应的第一电极123均通过第一子掩膜板制备得到,从而节省一道掩膜板,降低第一电极层的制备成本。
可选的,如图7所示,利用所述掩膜板形成第一电极层,还包括:利用第一子掩膜板形成与第三颜色子像素区域对应的第一电极123。
本发明实施例中,相较于分别与第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域对应的第一电极123的形状和面积均不相同,本发明实施例可使与第一颜色子像素区域、第二颜色子像素区域、以及第三颜色子像素区域对应的第一电极123通过同一道掩膜板制备得到,从而节省两道掩膜板,降低第一电极层的制备成本。
可选的,如图10和图11所示,多个子像素区域101呈阵列排布。
在一些实施例中,不对与阵列排布的多个子像素区域101对应的第一电极123的排布方式进行限定。
可选的,第一电极123与子像素区域101一一对应;子像素区域101具有M列;利用掩膜板在衬底10上形成第一电极层,包括:沿列方向,利用掩膜板的第二子掩膜板形成与第X列子像素区域对应的第一电极123;沿行方向,利用掩膜板的第三子掩膜板形成其他的第一电极123;其中,沿行方向,至少部分相邻第一电极123之间直接接触;沿列方向,位于第X列的至少部分第一电极123之间直接接触;1≤X≤M,X和M均为正整数。
此处,当显示基板21应用于显示装置时,显示装置还包括与发光器件层12电连接的像素电路,像素电路包括栅线。其中,行方向可以是与栅线的延伸方向相同的方向,也可以是与栅线的延伸方向垂直的方向。
在一些实施例中,如图10所示,沿行方向,位于同一行的所有第一电极123之间直接接触;沿列方向,位于第X列的所有第一电极123之间直接接触。
或者,如图11所示,位于同一行的部分第一电极123之间直接接触,另一部分第一电极123之间通过导电结构124电连接;沿列方向,位于第X列的部分第一电极123之间直接接触,另一部分第一电极123之间通过导电结构124电连接。
本领域的技术人员应该知道,通常采用蒸镀的方式制备第一电极层。其中,掩膜板的开口区域,对应第一电极层所在的区域。
基于此,本发明实施例中的第一电极层的制备过程为:
第一种情况:先利用掩膜板的第二子掩膜板形成与第X列子像素区域对应的第一电极123;之后,再利用掩膜板的第三子掩膜板形成其他的第一电极123。第二种情况:先利用掩膜板的第三子掩膜板形成其他的第一电极123;之后,再利用掩膜板的第二子掩膜板形成与第X列子像素区域对应的第一电极123。
这样一来,通过第二子掩膜板形成的第一电极123与通过第三子掩膜板形成的第一电极123中相邻的部分,不但可以直接接触,还可以部分重叠,以避免因工艺误差,而导致两次形成的第一电极123之间电连接不充分。
当然,第一电极层中的多个第一电极123之间还可以通过其他方式电连接,本发明实施例对此不作特殊限定。
本发明实施例还提供一种掩膜板,用于利用蒸镀的方式制备前述任一实施例所述的显示基板21中的第一电极层。
本发明实施例提供一种掩膜板,与前述一种显示基板21的说明与效果相同,在此不再赘述。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (17)
1.一种显示基板,其特征在于,具有多个子像素区域和子像素区域之间的非子像素区域;
所述显示基板包括衬底和位于所述衬底一侧的发光器件层,所述发光器件层包括第一电极层,所述第一电极层包括多个相互电连接的第一电极,部分相邻所述第一电极之间具有镂空区域,所述镂空区域位于所述非子像素区域内;
所述第一电极与所述子像素区域一一对应;多个所述子像素区域包括多个第一颜色子像素区域、多个第二颜色子像素区域、以及多个第三颜色子像素区域;
所述第一颜色子像素区域和所述第二颜色子像素区域位于同一行且交替排布,所述第三颜色子像素区域位于所述第一颜色子像素区域的相邻行;沿行方向,所述第三颜色子像素区域与所述第一颜色子像素区域和所述第二颜色子像素区域均错开设置;
沿行方向,与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极和与所述第二颜色子像素区域对应的所述第一电极直接接触;沿列方向,与所述第三颜色子像素区域对应的所述第一电极,和与其错开且与所述第一颜色子像素和所述第二颜色子像素对应的所述第一电极直接接触;
所述镂空区域位于与所述第三颜色子像素区域对应的、沿行方向排布的相邻所述第一电极之间;
所述第一电极的边沿超出与其对应的子像素区域的边沿,且到该子像素区域的边沿的距离处处相等;相邻且直接接触的所述第一电极在所述衬底上的正投影的交叠部分位于所述非子像素区域。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件层还包括与所述第一电极层层叠设置的第二电极层,所述第二电极层包括多个间隔设置的第二电极;
至少部分相邻所述第二电极之间的区域与所述镂空区域重叠。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一颜色子像素区域为蓝色子像素区域,所述第二颜色子像素区域为红色子像素区域,所述第三颜色子像素区域为绿色子像素区域。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极的面积,和与所述第二颜色子像素区域对应的所述第一电极的形状及面积均相同。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,与所述第三颜色子像素区域对应的所述第一电极的形状及面积,和与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极的形状及面积均相同。
6.根据权利要求1或2所述的显示基板,其特征在于,多个所述子像素区域呈阵列排布。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极与所述子像素区域一一对应;所述子像素区域具有M列;
沿行方向,至少部分所述第一电极之间直接接触;沿列方向,位于第X列的至少部分所述第一电极之间直接接触;1≤X≤M,X和M均为正整数。
8.根据权利要求1或2所述的显示基板,其特征在于,至少部分相邻的所述第一电极在所述非子像素区域有交叠。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8中任一项所述的显示基板;
所述显示装置还包括设置于背离发光器件层的出光侧一侧的采集部;在所述发光器件层包括第一电极层时,所述采集部位于相邻所述第一电极之间的区域与镂空区域的重叠区域,以接收采集信号。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述采集部包括摄像头、指纹识别器、体征采集器中的至少一个。
11.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板具有多个子像素区域和所述子像素区域之间的非子像素区域;所述显示基板的制备方法包括:
利用掩膜板在衬底上形成第一电极层,所述第一电极层包括多个相互电连接的第一电极,部分相邻所述第一电极之间具有镂空区域,所述镂空区域位于所述非子像素区域内;
所述第一电极与所述子像素区域一一对应;多个所述子像素区域包括多个第一颜色子像素区域、多个第二颜色子像素区域、以及多个第三颜色子像素区域;
所述第一颜色子像素区域和所述第二颜色子像素区域位于同一行且交替设置,所述第三颜色子像素区域位于所述第一颜色子像素区域的相邻行;沿行方向,所述第三颜色子像素区域与所述第一颜色子像素区域和所述第二颜色子像素区域均错开设置;
沿行方向,与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极和与所述第二颜色子像素区域对应的所述第一电极直接接触;沿列方向,与所述第三颜色子像素区域对应的所述第一电极,和与其错开且与所述第一颜色子像素和所述第二颜色子像素对应的所述第一电极直接接触;
所述镂空区域位于与所述第三颜色子像素区域对应的、沿所述行方向排布的相邻所述第一电极之间;
所述第一电极的边沿超出与其对应的子像素区域的边沿,且到该子像素区域的边沿的距离处处相等;相邻且直接接触的所述第一电极在所述衬底上的正投影的交叠部分位于所述非子像素区域。
12.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一颜色子像素区域为蓝色子像素区域,所述第二颜色子像素区域为红色子像素区域,所述第三颜色子像素区域为绿色子像素区域。
13.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法,其特征在于,利用所述掩膜板形成第一电极层,包括:
利用所述掩膜板的第一子掩膜板分别形成与所述第一颜色子像素区域对应的所述第一电极和与所述第二颜色子像素区域对应的所述第一电极。
14.根据权利要求13所述的显示基板的制备方法,其特征在于,利用所述掩膜板形成第一电极层,还包括:
利用所述第一子掩膜板形成与所述第三颜色子像素区域对应的所述第一电极。
15.根据权利要求11所述的显示基板的制备方法,其特征在于,多个所述子像素区域呈阵列排布。
16.根据权利要求15所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一电极与所述子像素区域一一对应;所述子像素区域具有M列;
利用掩膜板在衬底上形成第一电极层,包括:
沿列方向,利用所述掩膜板的第二子掩膜板形成与第X列子像素区域对应的所述第一电极;沿行方向,利用所述掩膜板的第三子掩膜板形成其他的所述第一电极;
其中,沿行方向,至少部分相邻所述第一电极之间直接接触;沿列方向,位于第X列的至少部分所述第一电极之间直接接触;1≤X≤M,X和M均为正整数。
17.一种掩膜板,其特征在于,用于利用蒸镀的方式制备权利要求1-8任一项所述的显示基板中的第一电极层。
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CN201910934187.5A CN110649179B (zh) | 2019-09-29 | 2019-09-29 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置、掩膜板 |
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Publications (2)
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106405951A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-02-15 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置及其维修方法 |
CN110190104A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (23)
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---|---|---|---|---|
US8026531B2 (en) * | 2005-03-22 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
KR20110101980A (ko) * | 2010-03-10 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR20140107928A (ko) * | 2013-02-28 | 2014-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐소드 증착 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
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KR102453420B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
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CN110190104A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制造方法 |
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