CN110556405B - 一种柔性显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭露一种柔性显示面板及其制备方法，通过在挡墙角落处的无机膜层的应力集中区域填充保护膜，可有效减缓挡墙侧壁的坡度，在一定程度上减小上层封装结构中无机膜层的应力集中作用，保护膜在受到应力作用时，可有效缓释应力，削弱甚至消除挡墙角落处封装结构对阳极层的应力作用。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示面板及其制备方法。
背景技术
随着OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术的快速发展，推动曲面和柔性显示产品迅速进入市场，相关领域技术更新也是日新月异。OLED器件是利用有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的二极管器件。OLED器件因其重量轻、厚度薄、可弯曲、视角范围大等优势，受到了广泛关注。
由于OLED器件的发光材料对水氧十分敏感，少量的水氧入侵即会造成器件的快速衰减及老化，从而影响其寿命。有效的阻隔外界水氧对OLED器件的破坏，以保证OLED柔性显示面板具有较长的使用寿命，其封装技术尤为重要。
现有的薄膜封装(TFE)设计，一般采用无机/有机膜层堆叠结构来达到阻隔水氧的目的。其中，无机膜层主要作用是阻隔水氧，一般由化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)工艺或原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)工艺制备；有机膜层主要起使基板表面平坦化、包覆住污染颗粒(particle)及缓释应力的作用，一般由喷墨打印(Inkjet Printing，IJP)工艺或原子层沉积工艺制备。为了防止有机膜层流出无机膜层的覆盖区域，一般会在显示面板的显示区(Active Area，简称AA)外围设计一个或多个挡墙(Dam)。
请参阅图1，现有OLED显示面板部分层状结构剖视图。所述OLED显示面板包括一TFT(薄膜晶体管)阵列基板11、形成于所述TFT阵列基板11上的发光器件层12，围绕所述发光器件层12的边缘设置的一挡墙13以及形成于所述发光器件层12上的封装结构14。
所述TFT阵列基板11包括一TFT阵列层111、形成于所述TFT阵列层111上的一平坦化层(PLN)112。所述TFT阵列层111为所述OLED面板的驱动电路，是显示面板的重要组成部分；所述平坦化层112主要起平整所述TFT阵列基板11上因各种不同层图案所造成的面内段差，以及隔离TFT与发光器件层、防止电场干扰的作用。
所述发光器件层12包括依次层叠设置的一阳极(ANO)层121，一像素定义(PDL)层122，一发光材料层123以及一阴极层(未示于图中)。所述阳极层121采用一第一ITO层1211/一Ag层1212/一第二ITO层1213夹层结构。所述发光材料功能层123制备在所述像素定义层122所定义的区域。
所述挡墙13用于防止所述封装结构14中的有机膜层材料流出无机膜层的覆盖区域。
所述封装结构14包括：覆盖所述挡墙13、所述发光器件层12以及所述TFT阵列基板11的一第一无机膜层141、沉积在所述第一无机膜层141之上的第一有机膜层142、覆盖所述第一有机膜层142、所述第一无机膜层141的第二无机膜层143。
请参阅图2，现有OLED显示面板阳极层产生剥落现象示意图，图中阳极层121上的箭头示意应力方向。在实际的OLED显示面板封装可靠性试验中，发现经过所述封装结构14封装后，所述阳极层121的第二ITO层1213与Ag层1212之间易在挡墙的角落处产生剥落现象(peeling)201，即挡墙角落处的所述阳极层121自身会产生剥离，进而导致封装失效。分析原因如下：
1)无机膜层的应力集中作用：因挡墙为阻挡有机膜层溢出，一般高度较高，且挡墙处的封装膜层仅有无机膜层，无应力缓释作用，这就导致在挡墙角落处应力较大，较大的应力会将上层ITO层抓起，从而导致上层ITO层与Ag层剥离，产生剥落现象，这也是阳极层发生剥落现象的主要因素；
2)ITO层与Ag层间的结合力较弱：阳极层为金属膜层，一般采用理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD)等设备进行物理性沉积，导致膜层之间的结合力较弱，在受到封装结构中无机膜层的应力作用时，极易在结合力较弱(weak)处发生剥离，产生剥落现象。
发明内容
本发明的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种柔性显示面板及其制备方法，可以缓释挡墙角落处的无机膜层应力集中作用，从而有效改善柔性显示面板阳极层的剥落现象的问题，提高显示面板的封装良率。
为实现上述目的，本发明提供了一种柔性显示面板，所述柔性显示面板包括：一阵列基板；一发光器件层，所述发光器件层包括形成于所述阵列基板上的一阳极层；一挡墙组，所述挡墙组包括围绕所述发光器件层的边缘设置的至少一挡墙；一保护膜，覆盖所述挡墙的至少一侧壁的至少一部分；以及一封装结构，形成于所述发光器件层上，并完全覆盖所述发光器件层、所述挡墙、所述保护膜以及所述阵列基板。
为实现上述目的，本发明还提供了一种柔性显示面板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：在一阵列基板上形成一发光器件层的一阳极层；在所述阳极层上形成一挡墙组和所述发光器件层的一像素定义层，其中，所述挡墙组包括围绕所述发光器件层的边缘设置的至少一挡墙；在靠近所述挡墙处形成一保护膜，所述保护膜覆盖所述挡墙的至少一侧壁的至少一部分；在所述像素定义层所定义的区域形成所述发光器件层的发光材料功能层；以及在所述发光器件层上形成一封装结构，所述封装结构完全覆盖所述发光器件层、所述挡墙、所述保护膜以及所述阵列基板。
本发明的优点在于：本发明通过在挡墙角落处的无机膜层的应力集中区域填充保护膜，一方面，可有效减缓挡墙侧壁的坡度，在一定程度上减小上层封装结构中无机膜层的应力集中作用；另一方面，保护膜在受到应力作用时，可有效缓释应力，削弱甚至消除挡墙角落处封装结构对阳极层的应力作用。通过从以上两方面缓释了挡墙角落处的应力集中作用，从而能有效改善挡墙处阳极层易方式剥落现象的问题，提高柔性显示面板的封装良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1，现有OLED显示面板部分层状结构剖视图；
图2，现有OLED显示面板阳极层产生剥落现象示意图；
图3，本发明柔性显示面板第一实施例的部分层状结构剖视图；
图4，本发明柔性显示面板第二实施例的部分层状结构剖视图；
图5，本发明柔性显示面板的制备方法的流程示意图；
图6A-6D，本发明柔性显示面板的一实施例的制备流程图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。本发明所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前、后、内、外、侧面等，仅是参考附图的方向。本发明的说明书和权利要求书以及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序，应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。此外，本发明在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
本发明柔性显示面板，包括阵列基板，形成于所述阵列基板上的发光器件层，围绕所述发光器件层的边缘设置的至少一挡墙，覆盖所述挡墙的至少一侧壁的至少一部分的一保护膜，以及形成于所述发光器件层上的封装结构，所述封装结构采用无机/有机膜层堆叠结构。通过在挡墙的角落采用曝光显影方式、掩模板技术或压印方式制备所述保护膜，一方面可有效减缓所述挡墙的坡度，在一定程度上减小所述封装结构中的无机膜层的应力集中作用；另一方面，所述保护膜足以缓释无机膜层的应力，使无机膜层不再有应力作用在所述发光器件层的阳极层上，进而保护所述阳极层，从而有效改善所述挡墙处阳极层的剥落现象(Peeling)，提高柔性显示面板的封装良率。
请参阅图3，本发明柔性显示面板第一实施例的部分层状结构剖视图。所述柔性显示面板包括：一阵列基板31、一发光器件层32、一挡墙组33、一保护膜34以及一封装结构35。
在本实施例中，所述阵列基板31为TFT阵列基板，包括一TFT阵列层311、形成于所述TFT阵列层311上的一平坦化层(PLN)312。所述TFT阵列层311为所述柔性显示面板的驱动电路，是显示面板的重要组成部分；所述平坦化层312主要起平整所述TFT阵列基板31上因各种不同层图案所造成的面内段差，以及隔离TFT与所述发光器件层32、防止电场干扰的作用。所述阵列基板31的制备工艺可参考现有工艺，本发明对此不做限定。
在本实施例中，所述发光器件层32包括依次层叠设置的一阳极层321，一像素定义层(PDL)322，一发光材料功能层323以及一阴极层(未示于图中)。
所述阳极层321采用一第一ITO层3211/一Ag层3212/一第二ITO层3213的夹层结构；ITO的光透过率高，同时有提高膜层附着力、提高功函数与提高发光材料层123中的发光材料匹配度的作用；Ag的电导率较高，发射率高，可有效防止光透过。由于所述阳极层321为金属膜层，一般采用理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD)等设备进行物理性沉积，导致膜层之间的结合力较弱。本实施例中，采用夹层结构的所述阳极层321的边缘被所述平坦化层312包覆。
所述发光材料功能层323包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、发光层(EML)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)，制备在所述像素定义层322所定义的区域。所述发光材料功能层323的发光材料可以为OLED发光材料，相应的，所述柔性显示面板为OLED柔性显示面板。需要说明的是，在其它实施例中，所述发光材料功能层323的发光材料的也可以是量子点发光材料，本发明对于发光材料的具体设置形式不作限定。
在本实施例中，所述挡墙组33包括围绕所述发光器件层32的边缘间隔设置的一第一挡墙331和一第二挡墙332，用于防止所述封装结构中的有机膜层材料流出无机膜层的覆盖区域。具体的，所述第一挡墙331设置在所述阳极层321上，并靠近所述像素定义层322；所述第二挡墙332设置在所述阳极层321与所述平坦化层312的交界面上，并远离所述像素定义层322。所述第一挡墙331与所述第二挡墙332形状相同，在其它实施例中，两挡墙的形状也可以不同。所述挡墙组33为有机膜层，可以与所述像素定义层322同层，且采用同一构图工艺制备而成。所述挡墙组33的挡墙(Dam)可以采用parylene(聚对二甲苯基或派瑞林)类材料，并与所述像素定义层322采用同一道光罩，通过曝光、显影等工序制备而成。需要说明的是，所述挡墙组33的挡墙(Dam)的数量不限于一个，可为两个或多个，本发明对此不做限定。
在本实施例中，所述保护膜34分别覆盖所述第一挡墙331的两侧壁，以及覆盖所述第二挡墙332的两侧壁；即在相应挡墙角落处的无机膜层的应力集中区域填充保护膜，以此来缓释此处的应力集中作用，从而改善柔性显示面板中阳极层处的剥落现象的问题。
进一步的实施例中，所述保护膜34可以采用曝光显影方式、掩模板(mask)技术或压印方式制备而成。所述保护膜34采用的材料可以为环氧树脂(Epoxy resin)、铝基有机无机复合薄膜(alucone)，或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
进一步的实施例中，所述保护膜34的厚度小于或等于所述第一挡墙331的厚度(所述第二挡墙332与所述第一挡墙331形状相同)。在主视视角下，所述保护膜34的截面图为钝角三角形，所述保护膜34远离所述第一挡墙331的一侧壁为所述钝角三角形的最长边。所述保护膜34远离所述第一挡墙331的一侧壁(即所述钝角三角形的最长边对应的侧壁)的坡度小于所述第一挡墙331的侧壁的坡度。
在本实施例中，所述封装结构35形成于所述发光器件层32上，并完全覆盖所述发光器件层32、所述挡墙组33、所述保护膜34以及所述阵列基板31。
进一步的实施例中，所述封装结构35采用无机/有机膜层堆叠结构，包括：一第一无机膜层351、一第一有机膜层352以及一第二无机膜层353。需要说明的是，所述封装结构35也可以包括多层有机膜层，多层有机膜层可以堆叠设置在所述第一无机膜层351与所述第二无机膜层353之间。
所述第一无机膜层351完全覆盖所述发光器件层32、所述挡墙组33、所述保护膜34以及所述阵列基板31，其主要作用是隔绝水氧，以防止水汽或氧侵入所述发光器件层(特别是所述发光材料功能层323)而造成的发光变暗。所述第一无机膜层351可通过采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺、原子层沉积(Atomic LayerDeposition，ALD)工艺、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺或溅射镀膜层(sputtering)工艺等工艺制程方式制备而成。可以理解的是，所述第一无机膜层351所采用的材料为能增加器件阻水氧性能的无机材料。
所述第一有机膜层352沉积在所述第一无机膜层351之上，且位于所述挡墙组33远离所述柔性显示面板边缘的一侧，主要起使基板表面平坦化及包覆住污染颗粒(particle)的作用。所述第一有机膜层352可以采用喷墨打印(Inkjet Printing，IJP)工艺制备而成。可以理解的是，所述第一有机膜层352所采用的材料为用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖的材料。可以理解的是，在一些实施例中，也可能不存在污染颗粒。
所述第二无机膜层353完全覆盖所述第一有机膜层352以及所述第一无机膜层351，其主要作用是隔绝水氧。所述第二无机膜层353也可通过采用化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺或溅射镀膜层工艺等工艺制程方式制备而成。可以理解的是，所述第二无机膜层353所采用的材料也为能增加器件阻水氧性能的无机材料，其可以与所述第一无机膜层351所采用的材料相同。
通过对柔性显示面板中阳极层处的发生剥落现象分析可知，挡墙角落处的无机膜层的应力集中作用是阳极层处的发生剥落现象的主要因素。本发明通过在挡墙角落处的无机膜层的应力集中区域填充保护膜，一方面，可有效减缓挡墙侧壁的坡度，在一定程度上减小上层封装结构中无机膜层的应力集中作用；另一方面，保护膜在受到应力作用时，可有效缓释应力，削弱甚至消除挡墙角落处封装结构对阳极层的应力作用。通过从以上两方面缓释了挡墙角落处的应力集中作用，从而能有效改善挡墙处阳极层易方式剥落现象的问题，提高柔性显示面板的封装良率。
请参阅图4，本发明柔性显示面板第二实施例的部分层状结构剖视图。与图3所示实施例的不同之处在于，在本实施例中，一保护膜44完全覆盖所述挡墙组33。具体的，所述保护膜44包覆所述第一挡墙331的两侧壁和顶面，以及包覆所述第二挡墙332的两侧壁和顶面；覆盖在相应挡墙顶面上的所述保护膜44的厚度设计为1μm左右。即在相应挡墙的所有外露面全部覆盖保护膜，这样的设计不仅可以缓释相应挡墙角落处的应力集中作用，还可以缓释应挡墙角顶面上的应力作用，从而更有利于缓释封装结构中的无机膜层的应力作用，有效改善柔性显示面板中阳极层处的剥落现象的问题。同样的，所述保护膜44远离所述第一挡墙331的一侧壁的坡度小于所述第一挡墙331的侧壁的坡度。
基于同一发明构思，本发明还提供一种柔性显示面板的制备方法。请一并参阅图5及图6A-6D，其中，图5为本发明柔性显示面板的制备方法的流程示意图，图6A-6D为本发明柔性显示面板的一实施例的制备流程图。
本发明柔性显示面板的制备方，具体包括以下步骤：
步骤S51：在一阵列基板上形成一发光器件层的一阳极层；经过该步骤获得结构如图6A所示。其中，提供的阵列基板31为TFT阵列基板，包括一TFT阵列层311、形成于所述TFT阵列层311上的一平坦化层312。所述TFT阵列层311为所述柔性显示面板的驱动电路，是显示面板的重要组成部分；所述平坦化层312主要起平整所述TFT阵列基板31上因各种不同层图案所造成的面内段差，以及隔离TFT与所述发光器件层32、防止电场干扰的作用。所述阵列基板31的制备工艺可参考现有工艺，本发明对此不做限定。形成的阳极层321采用一第一ITO层3211/一Ag层3212/一第二ITO层3213的夹层结构；ITO的光透过率高，同时有提高膜层附着力、提高功函数与提高发光材料层323中的发光材料匹配度的作用；Ag的电导率较高，发射率高，可有效防止光透过。本实施例中，采用夹层结构的所述阳极层321的边缘被所述平坦化层312包覆。
步骤S52：在所述阳极层上形成一挡墙组和所述发光器件层的一像素定义层，其中，所述挡墙组包括围绕所述发光器件层的边缘设置的至少一挡墙；经过该步骤获得结构如图6B所示。其中，挡墙组33可以与像素定义层322同层，且采用同一构图工艺制备而成。
在本实施例中，所述挡墙组33包括围绕所述发光器件层32的边缘间隔设置的一第一挡墙331和一第二挡墙332，用于防止所述封装结构中的有机膜层材料流出无机膜层的覆盖区域。具体的，所述第一挡墙331设置在所述阳极层321上，并靠近所述像素定义层322；所述第二挡墙332设置在所述阳极层321与所述平坦化层312的交界面上，并远离所述像素定义层322。所述第一挡墙331与所述第二挡墙332形状相同，在其它实施例中，两挡墙的形状也可以不同。所述挡墙组33的挡墙(Dam)可以采用parylene(聚对二甲苯基或派瑞林)类材料，并与所述像素定义层322采用同一道光罩，通过曝光、显影等工序制备而成。需要说明的是，所述挡墙组33的挡墙(Dam)的数量不限于一个，可为两个或多个，本发明对此不做限定。
步骤S53：在靠近所述挡墙处形成一保护膜，所述保护膜覆盖所述挡墙的至少一侧壁的至少一部分；经过该步骤获得结构如图6C所示。其中，可以采用曝光显影方式、掩模板(mask)技术或压印方式制备保护膜34，所述保护膜34采用的材料可以为环氧树脂(Epoxyresin)、铝基有机无机复合薄膜(alucone)，或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
在本实施例中，所述保护膜34分别覆盖所述第一挡墙331的两侧壁，以及覆盖所述第二挡墙332的两侧壁；即在相应挡墙角落处的无机膜层的应力集中区域填充保护膜，以此来缓释此处的应力集中作用，从而改善柔性显示面板中阳极层处的剥落现象的问题。所述保护膜34的厚度小于或等于所述第一挡墙331的厚度(所述第二挡墙332与所述第一挡墙331形状相同)。在主视视角下，所述保护膜34的截面图为钝角三角形，所述保护膜34远离所述第一挡墙331的一侧壁为所述钝角三角形的最长边。所述保护膜34远离所述第一挡墙331的一侧壁(即所述钝角三角形的最长边对应的侧壁)的坡度小于所述第一挡墙331的侧壁的坡度。
在其它实施例中，制备的保护膜可以完全覆盖所述挡墙组33。具体的，所述保护膜包覆所述第一挡墙331的两侧壁和顶面，以及包覆所述第二挡墙332的两侧壁和顶面；覆盖在相应挡墙顶面上的所述保护膜的厚度设计为1μm左右。即在相应挡墙的所有外露面全部覆盖保护膜，这样的设计不仅可以缓释相应挡墙角落处的应力集中作用，还可以缓释应挡墙角顶面上的应力作用，从而更有利于缓释封装结构中的无机膜层的应力作用，有效改善柔性显示面板中阳极层处的剥落现象的问题。
步骤S54：在所述像素定义层所定义的区域形成所述发光器件层的发光材料功能层；经过该步骤获得结构如图6D所示。其中，形成的发光材料功能层323包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、发光层(EML)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)。所述发光材料功能层323的发光材料可以为OLED发光材料，相应的，所述柔性显示面板为OLED柔性显示面板。需要说明的是，在其它实施例中，所述发光材料功能层323的发光材料的也可以是量子点发光材料，本发明对于发光材料的具体设置形式不作限定。需要说明的是，所述制备方法还包括在所述发光材料功能层323上制备所述发光器件层32的阴极层，其制备方式可参考现有工艺，本发明对此不做限定。
步骤S55：在所述发光器件层上形成一封装结构，所述封装结构完全覆盖所述发光器件层、所述挡墙、所述保护膜以及所述阵列基板；经过该步骤获得结构如图3所示。其中，形成的封装结构35采用无机/有机膜层堆叠结构，包括：一第一无机膜层351、一第一有机膜层352以及一第二无机膜层353。需要说明的是，所述封装结构35也可以包括多层有机膜层，多层有机膜层可以堆叠设置在所述第一无机膜层351与所述第二无机膜层353之间。
所述第一无机膜层351完全覆盖所述发光器件层32、所述挡墙组33、所述保护膜34以及所述阵列基板31，其主要作用是隔绝水氧，以防止水汽或氧侵入所述发光器件层(特别是所述发光材料功能层323)而造成的发光变暗。所述第一无机膜层351可通过采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺、原子层沉积(Atomic LayerDeposition，ALD)工艺、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺或溅射镀膜层(sputtering)工艺等工艺制程方式制备而成。可以理解的是，所述第一无机膜层351所采用的材料为能增加器件阻水氧性能的无机材料。
所述第一有机膜层352沉积在所述第一无机膜层351之上，且位于所述挡墙组33远离所述柔性显示面板边缘的一侧，主要起使基板表面平坦化及包覆住污染颗粒(particle)的作用。所述第一有机膜层352可以采用喷墨打印(Inkjet Printing，IJP)工艺制备而成。可以理解的是，所述第一有机膜层352所采用的材料为用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖的材料。可以理解的是，在一些实施例中，也可能不存在污染颗粒。
所述第二无机膜层353完全覆盖所述第一有机膜层352以及所述第一无机膜层351，其主要作用是隔绝水氧。所述第二无机膜层353也可通过采用化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺或溅射镀膜层工艺等工艺制程方式制备而成。可以理解的是，所述第二无机膜层353所采用的材料也为能增加器件阻水氧性能的无机材料，其可以与所述第一无机膜层351所采用的材料相同。
本发明通过在挡墙角落处的无机膜层的应力集中区域填充保护膜，一方面，可有效减缓挡墙侧壁的坡度，在一定程度上减小上层封装结构中无机膜层的应力集中作用；另一方面，保护膜在受到应力作用时，可有效缓释应力，削弱甚至消除挡墙角落处封装结构对阳极层的应力作用。通过从以上两方面缓释了挡墙角落处的应力集中作用，从而能有效改善挡墙处阳极层易方式剥落现象的问题，提高柔性显示面板的封装良率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种柔性显示面板，其特征在于，所述柔性显示面板包括：
一阵列基板；
一发光器件层，所述发光器件层包括形成于所述阵列基板上的一阳极层；
一挡墙组，所述挡墙组包括围绕所述发光器件层的边缘设置的至少一挡墙；
一保护膜，完全覆盖所述挡墙，其中，所述保护膜远离所述挡墙的一侧壁的坡度小于所述挡墙的侧壁的坡度；以及
一封装结构，形成于所述发光器件层上，并完全覆盖所述发光器件层、所述挡墙、所述保护膜以及所述阵列基板。
2.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述保护膜采用曝光显影方式、掩模板技术或压印方式制备而成。
3.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述保护膜采用的材料为环氧树脂、铝基有机无机复合薄膜，或六甲基二硅氧烷。
4.一种柔性显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
在一阵列基板上形成一发光器件层的一阳极层；
在所述阳极层上形成一挡墙组和所述发光器件层的一像素定义层，其中，所述挡墙组包括围绕所述发光器件层的边缘设置的至少一挡墙；
在靠近所述挡墙处形成一保护膜，所述保护膜完全覆盖所述挡墙，其中，所述保护膜远离所述挡墙的一侧壁的坡度小于所述挡墙的侧壁的坡度；
在所述像素定义层所定义的区域形成所述发光器件层的发光材料功能层；以及
在所述发光器件层上形成一封装结构，所述封装结构完全覆盖所述发光器件层、所述挡墙、所述保护膜以及所述阵列基板。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，通过同一构图工艺制备所述挡墙组与所述像素定义层。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述的在靠近所述挡墙处形成一保护膜的步骤中，进一步通过曝光显影方式、掩模板技术或压印方式制备所述保护膜。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104167430A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| KR20160050422A (ko) * | 2014-10-29 | 2016-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 배향막 형성방법 및 이를 적용한 액정표시장치 제조방법 |
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