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CN110545880B - 具有抗冲击的与mri兼容的磁体设备的耳蜗植入物 - Google Patents

具有抗冲击的与mri兼容的磁体设备的耳蜗植入物 Download PDF

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CN110545880B
CN110545880B CN201780090067.0A CN201780090067A CN110545880B CN 110545880 B CN110545880 B CN 110545880B CN 201780090067 A CN201780090067 A CN 201780090067A CN 110545880 B CN110545880 B CN 110545880B
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Abstract

一种耳蜗植入物，其包括耳蜗引线、天线、刺激处理器和与该天线相关联的磁体设备，所述磁体设备包括外壳和磁体组件，所述磁体组件具有脊部和固定至该脊部的至少一个磁体，所述磁体组件位于所述外壳内并且能够相对于所述外壳旋转。

Description

具有抗冲击的与MRI兼容的磁体设备的耳蜗植入物
背景技术
1.技术领域
本公开大体上涉及可植入的耳蜗刺激(或“ICS”)系统的可植入部分。
2.相关技术描述
ICS系统用于通过以受控的电流脉冲直接激励完整的听觉神经来帮助重度耳聋患者感知声音。周围的声压波由外置式麦克风拾取并转换为电信号。而电信号由声音处理器处理，并转换为具有变化的脉冲宽度、速率和/或幅度的脉冲序列，并被传输到ICS系统的植入式接收器电路。植入式接收器电路被连接到已被插入到内耳的耳蜗中的可植入电极阵列，并且电刺激电流被施加到变化的电极组合以产生声音的感知。作为选择，电极阵列可被直接插入到耳蜗神经中而不驻留在耳蜗中。在美国专利5,824,022中公开了一种代表性的ICS系统，该美国专利的标题为“利用带有远程控制的耳后声音处理器的耳蜗刺激系统(Cochlear Stimulation System Employing Behind-The-Ear Sound processor WithRemote Control)”并且其全部内容通过引用结合到本文中。市售ICS声音处理器的示例包括但不限于Advanced Bionics HarmonyTM BTE声音处理器、Advanced Bionics Naída CI Q系列BTE声音处理器和Advanced Bionics NeptuneTM身体佩戴式声音处理器。
如上所述，一些ICS系统包括可植入的耳蜗刺激器(或“耳蜗植入物”)、声音处理器单元(例如，身体穿戴式处理器或耳后处理器)以及作为声音处理器单元的一部分或与该声音处理器单元通信的麦克风。耳蜗植入物与声音处理器单元通信，并且一些ICS系统包括与声音处理器单元和耳蜗植入物两者通信的头戴装置(headpiece)。头戴装置通过头戴装置上的发射器(例如，天线)和植入物上的接收器(例如，天线)与耳蜗植入物通信。最佳通信在发射器和接收器相互对准时得以实现。为此，头戴装置和耳蜗植入物可包括相应的定位磁体，这些定位磁体相互吸引，并保持头戴装置发射器的位置处于植入物接收器之上。植入物磁体可例如位于耳蜗植入物壳体中的凹穴内。将头戴装置磁体和植入物磁体分开的皮肤和皮下组织有时被称为“皮瓣”，其厚度通常为3mm至10mm。
头戴装置磁体和植入物磁体之间的保持力的大小是ICS系统的重要方面。如果所述力太低，则在典型的活动过程中，头戴装置将无法在头上保持就位。另一方面，如果所述力太高，则皮瓣上的压力可能导致不适和组织坏死。保持力的大小由磁体的强度和磁体之间的距离决定，所述距离是皮瓣厚度的函数。头戴装置磁体的强度通常在植入后头戴装置的安装过程中选择。
本发明人已经确定常规的耳蜗植入物容许改善。例如，许多常规的耳蜗植入物中的磁体是盘形的，并且具有在所述盘的轴向方向上对准的南北磁偶极子。这种磁体与磁共振成像(“MRI”)系统不兼容。特别地，图1中所示的耳蜗植入物10除了其他部件之外还包括壳体12和盘形固体块状磁体14。植入物磁体在垂直于患者皮肤并平行于轴线A的方向上产生磁场M，并且该磁场方向未对准并且可能垂直于(如所示)MRI磁场B的方向。由于多种原因，相互作用的磁场M和B的未对准是有问题的。主MRI磁场B(通常为1.5特斯拉或更大)可能使植入物磁体14消磁或在植入物磁体14上产生相当大的扭矩T。该扭矩T可能会使植入物磁体14从外壳12中的凹穴中移出，使磁体14反向和/或使耳蜗植入物10移位，而所有这些也可能引起组织损伤。
一种提出的解决方案涉及在MRI手术之前通过外科手术移除植入物磁体14，然后在此之后通过外科手术更换植入物磁体。本发明人已经确定移除和重新插入可能是有问题的，因为一些患者在其一生中将进行许多次MRI手术，并且重复的手术可能导致植入物部位处的皮肤坏死。
另一种提出的解决方案涉及使用可旋转的磁体。参考图2和图3，耳蜗植入物18包括植入物壳体20和磁体设备22。磁体设备22包括在直径方向上磁化的盘形磁体24，其位于气密密封外壳26内并且能够相对于气密密封外壳26旋转。围绕轴线A相对于植入物壳体20和外壳26旋转的磁体24具有垂直于轴线A的N-S取向。相关联的外部头戴装置28包括在直径方向上磁化的盘形磁体30，该磁体30不能相对于头戴装置的其余部分旋转。植入的磁体24能够围绕轴线A旋转成与外部磁体30对准，并且还能够围绕轴线A旋转成与垂直于轴线A的MRI磁场对准。
尽管在图2和图3中示出的耳蜗植入物代表了现有技术中的先进技术，但是本发明人已经确定其容许改进。例如，磁体设备22可能受到冲击力IF(例如，当用户撞他或她的头时)，这将使磁体24破裂和/或使外壳26向内变形至塑性(或“永久”)变形发生的点。磁体的破裂会产生干扰磁体旋转的磁性材料颗粒，并且当破裂的磁体受到MRI产生的扭矩时，对旋转造成的干扰又会导致产生另外的磁性材料颗粒。破裂磁体的磁吸引力也小于完整磁体的磁吸引力，这可能导致破裂的磁体无法将相关联的头戴装置保持在用户的头上。永久向内变形的外壳可能会挤压磁体并干扰旋转。在任一情况下，磁体24旋转成与外部头戴装置磁体30或MRI磁场对准的能力都将受到损害。
发明内容
根据本发明之一的耳蜗植入物可以包括耳蜗引线、天线、刺激处理器和与所述天线相关联的磁体设备，所述磁体设备包括外壳和磁体组件，所述磁体组件具有脊部和固定至所述脊部的至少一个磁体，所述磁体组件位于所述外壳内并且能够相对于所述外壳旋转。根据本发明之一的系统包括这种耳蜗植入物和头戴装置。
这种设备和系统具有许多优点。例如，所述脊部保护所述至少一个磁体免受可能损坏所述至少一个磁体并损害旋转的冲击力。
当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本发明的上述以及许多其他特征将随着本发明变得更好理解而变得显而易见。
附图说明
下面将参考附图对示例性实施例进行详细描述。
图1是示出MRI磁场中的常规耳蜗植入物的示意图。
图2是常规植入物和外部头戴装置的示意图。
图3是常规植入物磁体设备的截面图。
图4是根据本发明的一个实施例的植入物磁体设备的立体图。
图5是图4所示的植入物磁体设备的一部分的立体图。
图6是图4所示的植入物磁体设备的分解图。
图7是图4所示的植入物磁体设备的一部分的俯视图。
图8A是图4所示的植入物磁体设备的一部分的俯视图。
图8B是图4所示的植入物磁体设备的一部分的侧视图。
图9是图4所示的植入物磁体设备的一部分的俯视图。
图10是图4所示的植入物磁体设备的一部分的侧视图。
图11是沿着图4中的线11-11截取的截面图。
图12是示出承受冲击力的、图4所示的植入物磁体设备的截面图。
图13是示出承受冲击力的、图4所示的植入物磁体设备的截面图。
图14是根据本发明的一个实施例的植入物磁体设备的分解图。
图15是根据本发明的一个实施例的植入物磁体设备的分解图。
图16A是图15所示的植入物磁体设备的一部分的截面图。
图16B是图15所示的植入物磁体设备的一部分的截面图。
图17是根据本发明的一个实施例的植入物磁体设备的立体图。
图18是图17所示的植入物磁体设备的一部分的立体图。
图19是根据本发明的一个实施例的植入物磁体设备的立体图。
图20是图19所示的植入物磁体设备的一部分的立体图。
图21是根据本发明的一个实施例的植入物磁体设备的立体图。
图22是图21所示的植入物磁体设备的一部分的立体图。
图23是根据本发明的一个实施例的耳蜗植入物的平面图。
图24是根据本发明的一个实施例的耳蜗植入物系统的框图。
图25是耳蜗植入物头戴装置的示意图。
具体实施方式
以下是对最佳的目前已知的实施本发明的方式的详细描述。该描述不是限制性的，而仅仅是为了说明本发明的一般原理的目的而作出的。
例如，图4-9中所示，示例性磁体设备100包括盘形外壳102和磁体组件104。轴线A由外壳102和磁体组件104两者限定。磁体组件104能够围绕轴线A相对于外壳102(在360°上)自由旋转。如本文所使用，短语“能够围绕轴线自由旋转”是指一个物体可围绕一轴线相对于相邻物体旋转，尽管在两个物体之间存在一定摩擦，但是对于该旋转来说不存在机械限制(例如，不存在因对抗旋转的挡块或偏压装置而产生的机械限制)。磁体组件104包括至少一个磁体和以下述方式保护磁体的脊部106。在所示的实施例中，第一和第二磁体108和110位于脊部的相反侧。第一和第二磁体108和110在外壳102内与脊部106一起旋转，但是不能相对于脊部旋转。
示例性外壳102不限于任何特定的配置、尺寸或形状。在所示的实施方式中，示例性外壳102包括顶壁112、底壁114以及处于顶壁和底壁之间的圆柱形侧壁116。如本文所使用，词语“顶部”是指在植入之后面向皮肤和相关联的头戴装置(如果存在的话)的结构或表面，而词语“底部”是指在植入之后面向骨骼的结构或表面。在所示的实施方式中，外壳102由包括底壁114和侧壁116的一部分的基座118以及包括顶壁112和侧壁116的另一部分的盖120组装而成。基座118和盖120可以以在所述盖和所述基座之间形成气密密封的方式彼此固定。用于将盖120固定到基座118的合适技术包括例如利用激光焊机进行的缝焊。
转到示例性磁体组件104，并且尽管脊部不限于任何特定形状，但是示例性脊部106具有类似于“I”形梁的形状，并且包括腹板122和一对具有弯曲外表面126的凸缘124(图8A和图8B)。脊部106以下面参考图12和图13所讨论的方式保护磁体108和110免受冲击力并且还用作旋转梁。脊部106位于磁体组件104的直径D上，并且具有与磁体组件104的直径D相等的长度。可以利用粘合剂或其他合适的手段工具固定到脊部106的示例性磁体108和110被线性磁化并以使得每个磁体的N-S轴线平行于磁体组件104的直径D并且平行于脊部腹板122的方式定向。磁体108的N极和S极在垂直于脊部腹板122(图7)的方向上分别与磁体110的S极和N极对准，以限定示例性的四极磁体组件104。下面参考图17-22描述其他示例性的脊部和磁体。
参考图9，每个磁体108和110包括抵靠脊部腹板122的端壁128、容纳脊部凸缘124的一部分的一对凹部130以及弯曲的外表面132。脊部106的外表面126以及磁体108和110的外表面132形成磁体组件104的周边P。
参考图10，脊部106具有顶表面134和底表面136，磁体108和110具有顶表面138和底表面140。磁体厚度TM小于脊部厚度TS，并且脊部106的底表面136与磁体108和110的底表面140彼此对齐。因此，脊部106的顶表面134以及磁体108和110的顶表面138偏移了偏移距离OD。换句话说，脊部106超过磁体108和110的顶表面138延伸了偏移距离OD。转到图11，外壳102的内部体积具有由底壁114的内表面142和顶壁112的内表面144之间的距离限定的高度H。就像脊部厚度TS一样，磁体厚度TM小于外壳102的内部体积的高度H，并且脊部106的底表面138以及磁体108和110的底表面140抵靠外壳底壁114的内表面142。因此，在磁体108及110的顶表面138和外壳顶壁112的内表面144之间存在间隙G1。在脊部106的顶表面134与外壳顶壁112的内表面144之间还存在较小的间隙G2。在其他情况中，脊部厚度TS可以与外壳102的内部体积的高度H基本相同，从而消除间隙G2。
脊部106保护磁体108和110(特别是由稍脆的烧结材料形成的磁体)免受作用在外壳102的外表面上的冲击力。例如，在冲击力IF与脊部106的任何部分(即，腹板122或凸缘124)对准并且其大小足以弯曲外壳102的顶壁112的情况下，内表面144最多将与脊部相接触。如图12中所示，顶壁112的内表面144将不与磁体108和110相接触。间隙G2可能因顶壁112的偏转(挠曲)而消除，但是间隙G1最多将稍微减小。因此，脊部106防止损坏磁体。
在外壳顶壁112上的冲击力IF不与脊部106的任何部分对准(图13)而是位于脊部和圆柱形侧壁116之间的某处的情况下，脊部仍将支撑偏转的顶壁112的一部分(或多个部分)。脊部106和外壳侧壁116将用作偏转的顶壁112的支撑件，从而与其中顶壁仅仅在外周边处被外壳侧壁支撑的常规磁体组件相比减小了支撑件之间的距离。由于支撑件之间的距离减小，因此与在其他方面相同但不具有脊部的磁体设备相比，对于给定的冲击力IF，顶壁112的超过导致顶壁接触脊部106的偏转的偏转将小得多。
还应该注意的是，不管冲击力IF是否与脊部106对准，外壳顶壁112的变形都不会达到发生塑性(或“永久”)变形的点。而是，所述变形将保持在弹性(或“临时”)范围内，并且当移除冲击力IF时，外壳顶壁112将恢复其原始形状。
关于材料，外壳102和脊部106可以由生物相容性顺磁性金属(例如钛或钛合金)和/或生物相容性非磁性塑料(例如聚醚醚酮(PEEK)、低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、超高分子量聚乙烯(UHMWPE)、聚四氟乙烯(PTFE)和聚酰胺)形成。特别地，示例性金属包括商业纯钛(例如，等级2)和钛合金Ti-6Al-4V(等级5)，而外壳102的示例性金属厚度可以在0.20mm至0.25mm的范围内。磁体108和110可以由烧结材料形成，所述烧结材料为例如但不限于钕铁硼(Nd2Fe14B)、各向同性钕、各向异性钕和钐-钴(Sm2Co17)，它们具有相对高的磁性强度，但是可能稍脆。磁体108和110可以是在组装之前被磁化的稳定磁体。在其他情况下，例如下面参考图20和图22描述的磁体组件104d和104e，所述磁体可以是不稳定的并且在固定到脊部之后被磁化。
关于尺寸和形状，外壳102可具有与常规耳蜗植入物磁体相似的总体尺寸和形状，以使得磁体设备100可以替代其他方面常规的耳蜗植入物中的常规磁体。在一些实施方式中，外部直径可在大约9mm至大约16mm的范围内，并且外部厚度可在大约2.3mm至大约2.7mm的范围内。在本磁体设备的范畴中，词语“大约”是指+/-8％。外壳内部体积的高度H(图11)可以在大约1.9mm至大约2.3mm的范围内。将略小于外壳102的内部直径的磁体设备104的直径可在大约11.5mm至大约12.0mm的范围内。磁体厚度TM可在大约1.6mm至大约2.0mm的范围内，而脊部厚度TS可以在大约2.1mm至大约2.2mm的范围内。如此配置，间隙G1可以在大约0.2mm至大约0.25mm的范围内，而间隙G2可以在大约0.05mm至大约0.15mm的范围内。在所示的实施方式中，外壳102的直径为大约12.65mm，厚度为大约2.5mm，并且体积高度H为大约2.1mm。转向所示实施方式中的磁体组件104，其直径为大约12.0mm，磁体厚度TM为大约1.8mm，并且脊部厚度TS为大约2.0mm。
为了便于磁体组件104旋转，可以在外壳102与磁体组件之间设置润滑减摩材料。例如，图14中示出的磁体设备100a与磁体设备100基本相似，并且相似的元件由相似的附图标记表示。然而，在此，由PTFE、具有润滑涂层的硬质材料(例如，钛)或其他合适的材料形成的润滑盘146被定位于磁体组件104与外壳底壁114之间。在其他实施方式中(未示出)，可以在外壳102和磁体组件104之间定位一对润滑盘和润滑环。备选地，可以将润滑层添加至外壳的内表面和/或磁体组件的各个表面中的一些或全部。润滑层可以呈对内表面进行的特定精加工的形式(与未进行精加工的表面相比，该特定精加工可以减小摩擦)，或者可以是润滑材料的涂层，所述润滑材料为例如类金刚石碳(DLC)、氮化钛(TiN)、PTFE、聚乙二醇(PEG)、聚对二甲苯、氟化乙烯丙烯(FEP)和以商标名和Nedox PFTM出售的化学镀镍。例如，DLC涂层可以仅为0.5至5微米厚。就此来说，图15-16B中所示的磁体设备100b与磁体设备100基本相似，并且相似的元件由相似的附图标记表示。然而，在此，磁体设备104b包括润滑层148，该润滑层148覆盖脊部106b以及磁体108b和110b。备选地或另外，外壳102b的内表面(即，基座118b和盖120b的内表面)可以包括润滑层148。在通过冲压形成基座118b和盖120b的情况下，精加工工艺可以在冲压之前进行。微球、生物相容性油和润滑粉末也可被添加到外壳102的内部以减小摩擦。
在图17-20中示出了其他示例性的磁体设备，其包括带有脊部的磁体组件。图17和图18中示出的磁体设备100c基本上类似于磁体设备100，并且相似的元件由相似的附图标记表示。然而，在此，磁体组件104c中的脊部106c呈位于轴线A上的圆柱形支柱的形式，并且磁体108c和108d彼此抵靠。图19和图20中示出的磁体设备100d基本上类似于磁体设备100，并且相似的元件由相似的附图标记表示。然而，在此，与磁体组件104中的磁体108(图5)相比，磁体组件104d中的磁体108的取向相反，这可导致MRI产生的扭矩减小以及头戴装置的未对准增大。转向图21和图22，磁体设备100e基本上类似于磁体设备100，并且相似的元件由相似的附图标记表示。然而，在此，磁体组件104e在各个海尔贝克(Halbach)阵列中包括一对磁体108e和一对磁体110e，与磁体组件104(图5)相比，这可导致对相关联的头戴装置磁体产生更强的磁体吸引。磁体设备100c-100e还可以包括诸如上面参考图14-16B所描述的润滑减摩材料。
图23中示出的耳蜗植入物200是包括本磁体设备100(或100a-100e)的耳蜗植入物(或“可植入的耳蜗刺激器”)的一个示例。耳蜗植入物200包括由硅酮弹性体或其他合适的材料形成的柔性壳体202、处理器组件204、耳蜗引线206和天线208，所述天线208可以用于通过与例如声音处理器单元相关联的外部天线接收数据和电力。耳蜗引线206可以包括柔性主体210、在所述柔性主体的一个端部处的电极阵列212以及从阵列212中的电极212a(例如，铂电极)穿过所述柔性主体延伸至所述柔性主体的另一端部的多条导线(未示出)。磁体设备100位于由天线208所环绕的区域内(例如，位于由壳体202限定的内部凹穴202a内)，并确保外部天线(下面讨论)将相对于天线208正确地定位。连接至电极阵列212和天线208的示例性处理器组件204包括带有刺激处理器214a的印刷电路板214，该刺激处理器214a位于气密密封外壳216内。刺激处理器214a将刺激数据转换成刺激信号，所述刺激信号刺激电极阵列212的电极212a。
转向图24，示例性耳蜗植入物系统60包括耳蜗植入物200、声音处理器(例如所示的身体佩戴式声音处理器300或耳后声音处理器)以及头戴装置400。
示例性ICS系统60中的示例性身体佩戴式声音处理器300包括壳体302，其中各种部件被支撑在壳体302中和/或壳体302上。这样的部件可以包括但不限于声音处理器电路304、头戴装置端口306、用于诸如移动电话或音乐播放器之类的辅助装置的辅助装置端口308、控制面板310、一个或多个麦克风312以及用于可移除电池或其他可移除电源316(例如，可再充电电池和一次性电池或其他电化学电池)的电源插座314。声音处理器电路304将来自麦克风312的电信号转换成刺激数据。示例性头戴装置400包括壳体402和由所述壳体携带的各种部件，例如，RF连接器404、麦克风406、天线(或其他发射器)408和盘形定位磁体410。头戴装置400可以通过电缆412连接至声音处理器头戴装置端口306。定位磁体410被吸引至耳蜗刺激器200的磁体设备100，从而将天线408与天线208对准。
在至少一些实施方式中，头戴装置定位磁体410将与植入物磁体设备100(或100a-100e)互补。例如，由于与缺少脊部的相似地设定尺寸的常规磁体设备相比，所述磁体设备中的磁体材料的体积可能由于脊部106的存在而减小，因此与旨在与相似地设定尺寸的常规磁体设备一起使用的定位磁体相比，可以增大定位磁体410的强度。定位磁体410还可以围绕轴线A相对于壳体402和天线408(在360°上)自由旋转，并且具有与植入物磁体设备100(或100a-100e)的N-S取向相对应的N-S取向，如图25所示。
刺激数据(并且在许多情况下，电力)被供应至头戴装置400。头戴装置400通过天线之间的无线链路将刺激数据(并且在许多情况下，电力)经皮传送至耳蜗植入物200。刺激处理器214a将刺激数据转换为刺激信号，所述刺激信号刺激电极阵列212的电极212a。
在至少一些实施方式中，电缆412将被配置成用于49MHz的前向遥测和功率信号以及10.7MHz的后向遥测信号。应当注意，在其他实施方式中，声音处理器与头戴装置和/或辅助装置之间的通信可以通过无线通信技术来实现。另外，考虑到声音处理器300上存在麦克风312，在某些情况下也可以省略麦克风406。声音处理器300和头戴装置400的功能也可以组合成单个头戴式声音处理器。头戴式声音处理器的示例在美国专利8,811,643和8,983,102中进行了说明和描述，上述专利在此通过引用整体并入本文。
尽管已经根据上面的优选实施例描述了本文公开的发明，但是对于本领域技术人员来说，对上述优选实施例的多种修改和/或添加将是显而易见的。本发明包括来自说明书中公开的各种样品和实施例的元素的尚未被描述的任何组合。本发明的范围旨在扩展到所有这样的修改和/或添加，并且本发明的范围旨在仅由下面提出的权利要求所限制。

Claims (17)

1.一种耳蜗植入物，其包括：
耳蜗引线，所述耳蜗引线包括多个电极；
天线；
刺激处理器，所述刺激处理器可操作地连接到所述天线和所述耳蜗引线；以及
与所述天线相关联的磁体设备，所述磁体设备包括外壳和磁体组件，所述外壳包括顶部内表面和底部内表面，所述磁体组件具有脊部和固定至所述脊部并且不可相对于所述脊部旋转的至少一个磁体，所述脊部包括顶表面和底表面，所述磁体组件位于所述外壳内并且能够相对于所述外壳旋转，所述脊部的顶表面靠近所述外壳的顶部内表面，所述脊部的底表面靠近所述外壳的底部内表面。
2.根据权利要求1所述的耳蜗植入物，其中，
所述外壳包括内部体积，所述内部体积限定一高度；
所述至少一个磁体限定磁体厚度，所述磁体厚度小于所述内部体积的高度；并且
所述脊部限定脊部厚度，所述脊部厚度大于所述磁体厚度。
3.根据权利要求2所述的耳蜗植入物，其中，
所述脊部厚度小于所述内部体积的高度。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的耳蜗植入物，其中，
所述磁体组件限定一直径；并且
所述脊部限定一长度，该长度等于所述磁体组件的直径。
5.根据权利要求4所述的耳蜗植入物，其中，
所述磁体组件限定外周边；并且
所述脊部包括腹板和一对凸缘，所述一对凸缘具有各自的弯曲外表面，所述弯曲外表面形成部分所述外周边。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的耳蜗植入物，其中，
所述至少一个磁体包括顶表面和底表面；
所述脊部和所述至少一个磁体的顶表面彼此偏移；并且
所述脊部和所述至少一个磁体的底表面彼此对齐。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的耳蜗植入物，其中，
所述至少一个磁体包括处于所述脊部的相反侧上的第一磁体和第二磁体。
8.根据权利要求7所述的耳蜗植入物，其中，
所述第一磁体和所述第二磁体各自限定与所述磁体组件的直径平行的N-S轴线。
9.根据权利要求8所述的耳蜗植入物，其中，
所述第一磁体的N极和S极分别与所述第二磁体的S极和N极对准。
10.根据权利要求8所述的耳蜗植入物，其中，
所述第一磁体的N极和S极分别与所述第二磁体的N极和S极对准。
11.根据权利要求1至3中的任一项所述的耳蜗植入物，其中，
所述脊部包括圆柱形支柱。
12.根据权利要求1至3中的任一项所述的耳蜗植入物，其还包括：
处于所述外壳和所述磁体组件之间的润滑材料。
13.根据权利要求1至3中的任一项所述的耳蜗植入物，其中，
所述天线、所述刺激处理器和所述磁体设备位于柔性壳体内。
14.根据权利要求1至3中的任一项所述的耳蜗植入物，其中，
所述脊部和所述至少一个磁体由不同的材料形成。
15.根据权利要求1至3中的任一项所述的耳蜗植入物，其中，所述脊部由钛形成；并且
所述至少一个磁体由烧结材料形成。
16.一种耳蜗植入物系统，其包括：
根据权利要求1-15中的任一项所述的耳蜗植入物；以及
头戴装置，所述头戴装置包括：
天线，
壳体和能够相对于所述天线旋转的盘形定位磁体。
17.根据权利要求16所述的耳蜗植入物系统，其进一步包括：与所述头戴装置相关联的声音处理器。
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