CN110544714B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110544714B CN110544714B CN201910927307.9A CN201910927307A CN110544714B CN 110544714 B CN110544714 B CN 110544714B CN 201910927307 A CN201910927307 A CN 201910927307A CN 110544714 B CN110544714 B CN 110544714B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cathode
- display
- groove
- substrate
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 57
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 184
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 37
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 13
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 15
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 abstract 1
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,通过设置阴极阻断结构使阴极在阴极阻断结构处断开,保证覆盖显示区并延伸至阴极阻断结构靠近显示区一侧的主体部分的边缘与封装薄膜层的边缘之间的距离,保证封装的信赖性。显示面板具有至少一个显示单元区域,显示单元区域包括显示区以及环绕显示区的周边区;显示面板包括衬底、设置于衬底上且位于显示单元区域的阴极和薄膜封装层;阴极覆盖显示区并延伸至周边区;薄膜封装层设置于阴极远离衬底一侧,薄膜封装层覆盖阴极,且薄膜封装层的边缘超出阴极的边缘;显示面板还包括设置于显示单元区域中周边区的阴极阻断结构,阴极阻断结构用于使阴极在阴极阻断结构处断开。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管),是一种利用有机半导体材料和发光材料在电流驱动下而达到发光并实现显示的技术。相比于LCD(LiquidCrystal Display,液晶显示器),OLED显示装置具有超轻、超薄(厚度可低于1mm)、亮度高、可视角度大(可达170度)、由像素本身发光而不需要背光源,功耗低、响应速度快、清晰度高、发热量低、抗震性能优异、可弯曲等优势。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,通过在周边区设置阴极阻断结构,使阴极在阴极阻断结构位置处断开,保证覆盖显示区并由显示区延伸至阴极阻断结构靠近显示区一侧的主体部分的边缘,与封装薄膜层的边缘之间的距离较大,从而防止水氧从阴极边缘入侵,保证了封装的信赖性。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种显示面板,具有至少一个显示单元区域,所述显示单元区域包括显示区以及环绕所述显示区的周边区。
所述显示面板包括衬底、设置于所述衬底上且位于所述显示单元区域的阴极和薄膜封装层;所述阴极覆盖所述显示区并延伸至所述周边区;所述薄膜封装层设置于所述阴极远离所述衬底一侧,所述薄膜封装层覆盖所述阴极,且所述薄膜封装层的边缘超出所述阴极的边缘。
所述显示面板还包括设置于显示单元区域中所述周边区的阴极阻断结构;所述阴极阻断结构用于使所述阴极在所述阴极阻断结构位置处断开。
可选的,所述衬底包括彼此分隔开的多个岛、以及将多个所述岛中每个岛连接起来的多个桥。
每个所述岛所在区域为一个所述显示单元区域。
所述显示面板还包括设置于所述岛上且位于所述周边区的连接电极,所述连接电极与所述阴极直接电连接;不同所述岛上的所述连接电极通过设置于所述桥上的连接线电连接为一体。
其中,所述阴极阻断结构设置于所述连接电极靠近所述岛边缘一侧。
可选的,在所述显示区边界的任一侧,当设置有所述阴极阻断结构时,所述阴极阻断结构为凹槽,沿垂直该边界方向所述凹槽的纵截面为倒T形凹槽。
其中,所述阴极阻断结构设置于至少一层绝缘层上。
在此基础上,可选的,还包括填充于所述阴极阻断结构位置处的第一有机填充图案,所述第一有机填充图案的远离所述衬底的表面与所述至少一层绝缘层远离所述衬底的表面齐平。
可选的,在所述显示区边界的每一侧,还包括设置于所述显示单元区域的所述周边区中的挡墙,当所述显示区边界的任一侧同时设置有所述阴极阻断结构和所述挡墙时,所述挡墙位于所述阴极阻断结构远离所述显示区边界的一侧。
在所述显示区边界的任一侧,所述挡墙沿垂直该边界方向的纵截面为倒梯形。
在此基础上,可选的,所述显示区边界的任一侧,所述阴极阻断结构为凹槽,沿垂直该边界方向所述凹槽的纵截面为倒T形,,且所述阴极阻断结构设置于所述至少一层绝缘层上。
所述至少一层绝缘层中远离所述衬底的一侧还设置有第一凹槽,所述第一凹槽正对所述挡墙设置。
所述第一凹槽中填充有第二有机填充图案,所述第二有机填充图案的远离所述衬底的表面,与所述至少一层绝缘层中远离所述衬底的表面齐平。
所述挡墙设置于所述第二有机填充图案的远离所述衬底的表面上。
可选的,所述第一有机填充图案中掺杂有干燥剂。
可选的,所述显示区设置有位于每个亚像素中的像素驱动电路、平坦层、阳极以及发光功能层,所述发光功能层位于所述阳极和所述阴极之间;所述阳极通过所述平坦层上的第一过孔与所述像素驱动电路连接。
所述像素驱动电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底上的半导体有源图案、第一栅绝缘层、栅极、层间绝缘层和源极、漏极,所述源极、所述漏极至少通过所述层间绝缘层上的第二过孔分别与所述半导体有源图案接触。
所述平坦层和所述层间绝缘层均由所述显示区延伸至所述周边区,所述至少一层绝缘层包括所述平坦层和所述层间绝缘层;所述阴极阻挡结构包括沿所述衬底厚度方向层叠且接触的第一子凹槽和第二子凹槽,所述第一子凹槽设置于所述平坦层上并贯穿所述平坦层,所述第二子凹槽设置于所述层间绝缘层上。
另一方面,提供一种显示装置,包括所述显示面板。
再一方面,提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板具有至少一个显示单元区域,所述显示单元区域包括显示区以及环绕所述显示区的周边区。
所述显示面板的制备方法,包括:
在衬底形成位于所述周边区的阴极阻断结构,
在衬底上,依次形成位于所述显示单元区域的阴极和薄膜封装层;所述阴极覆盖所述显示单元区域中所述显示区且延伸至所述周边区,并在所述阴极阻挡结构位置处断开;所述薄膜封装层覆盖所述阴极,且所述薄膜封装层的边缘超出所述阴极的边缘。
可选的,在形成所述阴极阻断结构之前,所述方法还包括,
在衬底上且位于所述显示单元区域形成至少一层绝缘层;
在所述显示区边界的任一侧,所述阴极阻断结构为凹槽,沿垂直该边界方向所述凹槽的纵截面为倒T形,且所述阴极阻断结构设置于所述至少一层绝缘层上。
可选的,所述阴极阻挡结构包括沿所述衬底厚度方向层叠且接触的第一子凹槽和第二子凹槽。
在形成所述阴极之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述显示单元区域的所述显示区中依次形成位于每个亚像素中的像素驱动电路、平坦层。
所述像素驱动电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括依次形成于所述衬底上的半导体有源图案、第一栅绝缘层、栅极、层间绝缘层和源极、漏极;所述层间绝缘层由所述显示区延伸至所述周边区,所述源极、所述漏极至少通过所述层间绝缘层上的第二过孔与所述半导体有源图案接触。
所述平坦层由所述显示区延伸至所述周边区,所述阳极通过所述平坦层上的第一过孔与所述像素驱动电路连接。
在衬底上且位于所述显示单元区域形成至少一层绝缘层,包括:在所述衬底上且位于所述显示单元区域形成所述层间绝缘层和所述平坦层。
其中,所述第二子凹槽与所述第二过孔同步形成,所述第一子凹槽与所述第一过孔同步形成,且所述第一子凹槽贯穿所述平坦层并与所述第二子凹槽接触。
可选的,在形成所述层间绝缘层之后,形成所述平坦层之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述第二子凹槽中填充光刻胶,使光刻胶远离所述衬底的表面与所述层间绝缘层的远离所述衬底的表面齐平。
对光刻胶进行曝光。
在形成所述平坦层之后,形成所述阴极之前,所述显示面板的制备方法还包括:将填充在所述第二子凹槽中的光刻胶进行显影。
可选的,在形成所述阴极之后,形成所述薄膜封装层之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述阴极阻挡结构位置处,填充第一有机填充图案,并进行固化;所述第一有机填充图案的远离所述衬底的表面与所述平坦层远离所述衬底的表面齐平。
所述第一有机填充图案中掺杂有干燥剂。
在形成所述平坦层之后,对填充在所述第二子凹槽中的光刻胶进行显影之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述周边区形成挡墙,所述挡墙位于所述阴极阻断结构远离所述显示区一侧;在所述显示区边界的任一侧,所述挡墙沿垂直该边界方向的纵截面为倒梯形。
可选的,在所述显示面板的制备方法还包括在所述周边区形成挡墙的情况下,在所述平坦层上形成所述第一子凹槽与所述第一过孔的同时,还形成位于所述周边区的第一凹槽;所述第一凹槽正对所述挡墙设置。
在将填充在所述第二子凹槽中的光刻胶进行显影之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述第一凹槽中填充第二有机图案,并进行固化;所述第二有机填充图案中掺杂有干燥剂;所述挡墙与所述第二有机填充图案的远离所述衬底的表面接触。
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法,通过在周边区设置阴极阻断结构,使阴极在阴极阻断结构位置处断开,保证覆盖显示区并由显示区延伸至阴极阻断结构靠近显示区一侧的主体部分的边缘,与封装薄膜层的边缘之间的距离较大,从而防止水氧从阴极边缘入侵,保证了封装的信赖性。在此基础上,考虑到在蒸镀形成阴极时,存在对位精度的问题,为保证在对位精度较低的情况下,上述主体部分也能形成在预定的区域,可以通过增大阴极的蒸镀面积来实现,而由于阴极阻挡结构的设置,因而即使阴极整体的尺寸较大,也可保证封装信赖信。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图1b为本发明实施例提供的一种图1a中A-A′向的剖视示意图;
图1c为本发明实施例提供的再一种图1a中A-A′向的剖视示意图;
图2a为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图2b为本发明实施例提供的一种图2a中B-B′向的剖视示意图;
图3a为相关技术中一种显示面板的剖视示意图;
图3b为相关技术中又一种显示面板的剖视示意图;
图4为本发明实施例提供的又一种图2a中B-B′向的剖视示意图;
图5为本发明实施例提供的再一种图2a中B-B′向的剖视示意图;
图6为本发明实施例提供的又一种图2a中B-B′向的剖视示意图;
图7为本发明实施例提供的一种图2a中C-C′向的剖视示意图;
图8为本发明实施例提供的又一种图2a中C-C′向的剖视示意图;
图9为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图;
图10为本发明实施例提供的一种制作第二子凹槽以及薄膜晶体管的过程示意图;
图11为本发明实施例提供的一种用光刻胶填充第二子凹槽的过程示意图;
图12为本发明实施例提供的一种制作平坦层的过程示意图;
图13为本发明实施例提供的一种制作第一凹槽、第一子凹槽以及第一过孔的过程示意图;
图14为本发明实施例提供的一种填充第二有机填充图案的过程示意图;
图15为本发明实施例提供的制作挡墙的过程示意图;
图16为本发明实施例提供的一种光刻胶显影和制作阳极、发光功能层的过程示意图;
图17为本发明实施例提供的一种制作阴极的过程示意图;
图18为本发明实施例提供的一种填充第一有机图案的过程示意图。
附图标记:
1-显示面板;10-显示单元区域;11-显示区;12-周边区;13-衬底;14-阴极;15-薄膜封装层;16-阴极阻断结构;17-连接电极;18-挡墙;111-亚像素;112-薄膜晶体管;131-岛;132-桥;161-凹槽;162-第一有机填充图案;163-第一凹槽;164-第二有机填充图案;1111-平坦层;1112-阳极;1113-发光功能层;1114-第一过孔;1121-半导体有源图案;1122-第一栅绝缘层;1123-栅极;1124-层间绝缘层;1125-源极;1126-漏极;1127-第二过孔;1128-第二栅绝缘层;1129-第二栅极;1611-第一子凹槽;1612-第二子凹槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1a和图1b所示,本发明实施例提供一种显示面板1,具有至少一个显示单元区域10,显示单元区域10包括显示区11以及环绕显示区11的周边区12。
显示面板1包括衬底13、设置于衬底13上且位于显示单元区域10的阴极14和薄膜封装层15。阴极14覆盖显示区11并延伸至周边区12,薄膜封装层15设置于阴极14远离衬底13一侧,薄膜封装层15覆盖阴极14,且薄膜封装层15的边缘超出阴极14的边缘。
显示面板1还包括设置于显示单元区域10中周边区12的阴极阻断结构16。阴极阻断结构16用于使阴极14在阴极阻断结构16位置处断开。
其中,在显示单元区域10为多个的情况下,位于不同显示单元区域10的阴极14相互断开。位于不同显示单元区域10的薄膜封装层15相互断开,即,在显示单元区域10为多个的情况下,每个显示单元区域10单独封装。
可选的,阴极阻断结构16环绕显示区11一周设置。
可选的,薄膜封装层15的厚度范围为0.3~15μm,例如可以为1.8μm。
可选的,阴极阻断结构16可以为一个。或者,阴极阻断结构16为多个,多个阴极阻断结构16间隔设置。
阴极阻断结构16用于使阴极14在阴极阻断结构16位置处断开。即,在每个显示单元区域10中,阴极14包括主体部分和断开部分,主体部分覆盖显示区11并由显示区11延伸至阴极阻断结构16(该阴极阻断结构16指最靠近显示区11的阴极阻断结构16)靠近显示区11的一侧,也就是说,主体部分连为一体。断开部分位于阴极阻断结构16位置处,在阴极阻断结构16为多个的情况下,相邻阴极阻断结构16之间也存在断开部分。
需要说明的是,对于阴极阻断结构16的具体结构不做限定,图1b以阴极阻挡结构16为凹槽进行示意,但本发明实施例并不限于此。例如如图1c所示,阴极阻挡结构16还可以为凸起,对于凸起的具体结构不做限定,只要能通过该凸起在其侧面使阴极14断开即可。
在本发明实施例提供的显示面板1中,通过在周边区12设置阴极阻断结构16,使阴极14在阴极阻断结构16位置处断开,保证覆盖显示区11并由显示区11延伸至阴极阻断结构16靠近显示区11一侧的主体部分的边缘,与封装薄膜层15的边缘之间的距离较大,从而防止水氧从阴极14边缘入侵,保证了封装的信赖性。在此基础上,考虑到在蒸镀形成阴极14时,存在对位精度的问题,为保证在对位精度较低的情况下,上述主体部分也能形成在预定的区域,可以通过增大阴极14的蒸镀面积来实现,而由于阴极阻挡结构16的设置,因而即使阴极14整体的尺寸较大,也可保证封装信赖信。
可选的,如图2a和图2b所示,衬底13包括彼此分隔开的多个岛131、以及将多个岛131中每个岛131连接起来的多个桥132。
每个岛131所在区域为一个显示单元区域10。
显示面板1还包括设置于岛131上且位于周边区12的连接电极17,连接电极17与阴极14直接电连接。不同岛131上的连接电极17通过设置于桥上的连接线电连接为一体。
其中,阴极阻断结构16设置于连接电极17靠近岛131边缘一侧。即,在每个显示单元区域10,阴极阻断结构16设置于连接电极17远离显示区11的一侧。
由于位于不同岛131上的阴极14是相互独立的,而为了向所有岛131上的阴极14供电,通过使每个岛上131的阴极14与连接电极17连接,而连接电极17又通过连接线电连接为一体,使得位于所有岛131上的阴极14都能电连接。
当衬底13包括彼此分隔开的多个岛131、以及将多个岛131中每个岛131连接起来的多个桥132时,该显示面板1为可拉伸显示面板。在可拉伸显示面板中存在镂空区,通过镂空区的伸缩而达到一定的拉伸性能。
其中,每个岛131(也即每个显示单元区域10)的边长范围可以为50~2000μm。
在每个显示单元区域10的边长范围通常较小,使得每个显示单元区域10的面积也较小的情况下,为了实现大的分辨率,需要尽可能的提高每个显示单元区域10内的像素分布数量,这样就会降低每个显示单元区域10中周边区12的面积。然而,当每个显示单元区域10中周边区12的面积较小时,在不设置本发明的阴极阻断结构16的情况下,对阴极14的蒸镀位置具有非常大的挑战,需要高的对位精度,再加上阴影效应(Shadow)的存在,很容易产生阴极14与连接电极17搭接不上(如图3a所示),出现点屏不亮现象。或者,出现阴极14与连接电极17的搭接面积较小(如图3b所示),从而导致电压升高的现象。
而本发明实施例的可拉伸显示面板中,阴极阻断结构16的设置,可将阴极14的整体尺寸做的大一些,这样即使对位精度低,也能保证阴极14的覆盖显示区11并由显示区11延伸至阴极阻断结构16靠近显示区11一侧的主体部分与连接电极17的充分搭接,而且,也不会存在封装信赖性的问题。
可选的,如图4所示,在显示区11边界的任一侧,当设置有阴极阻断结构16时,阴极阻挡结构16为凹槽161,沿垂直该边界方向凹槽161的纵截面为倒T形。
其中,阴极阻断结构16设置于至少一层绝缘层上。
可选的,沿衬底13厚度的方向,倒T形凹槽的高度为0.5~7μm,例如,可以为1.4μm。
相对将阴极阻挡结构16设置为凸起结构,通过将阴极阻挡结构16设置为凹槽161,并且将凹槽161的纵截面设置为倒T形,在保证阴极14在阴极阻挡结构16位置处断开的情况下,可避免显示面板1厚度的增加,有利于显示面板1薄型化。
可选的,如图5所示,显示面板1还包括填充于阴极阻断结构16位置处的第一有机填充图案162,第一有机填充图案162的远离衬底13的表面与上述至少一层绝缘层远离衬底13的表面齐平。
通过在阴极阻断结构16位置处填充第一有机填充图案162,并使第一有机填充图案162的远离衬底13的表面与上述至少一层绝缘层远离衬底13的表面齐平,可以在后续制作薄膜封装层15时,避免薄膜封装层15在阴极阻断结构16处因为段差而断开,影响封装性能。此外,有机材料具有较好的延展性和柔韧性,通过设置第一有机填充图案162,可以增加显示面板1的延展性和柔韧性。
可选的,在显示面板1包括第一有机填充图案162的情况下,第一有机填充图案162中掺杂有干燥剂。
通过在第一有机填充图案162中掺杂干燥剂,可以提高薄膜封装层15对水氧的阻隔能力,提高封装的信赖性。
可选的,如图1b、图1c、图2b,图3a-图6所示,在显示面板1边界的每一侧,显示面板1还包括设置于显示单元区域10的周边区12中的挡墙,当显示区12边界的任一侧同时设置有阴极阻断结构16和挡墙18时,挡墙18位于阴极阻断结构16远离所述显示区11边界一侧。在显示区12边界的任一侧,挡墙18沿垂直该边界方向的纵截面为倒梯形。
其中,当薄膜封装层15包括无机封装层时,无机封装层覆盖挡墙18。
通过设置倒梯形的挡墙18,使得当显示面板1尤其是可拉伸显示面板中,薄膜封装层15的边缘受到较大的应力而发生开裂时,挡墙18可以对该裂纹进行阻挡,避免裂纹延伸至显示区11,导致水氧等从裂纹入侵至显示区11,而影响显示面板1的性能。
可选的,如图6所示,显示区11边界的任一侧,阴极阻断结构16为凹槽161,沿垂直该边界方向凹槽161的纵截面为倒T形,且阴极阻断结构16设置于至少一层绝缘层上;至少一层绝缘层中远离衬底13的一侧还设置有第一凹槽163,第一凹槽163正对挡墙18设置。
第一凹槽163中填充有第二有机填充图案164,第二有机填充图案164的远离衬底13的表面,与上述至少一层绝缘层中远离衬底13的表面齐平。
挡墙18设置于第二有机填充图案164的远离衬底13的表面上。
以上述至少一层绝缘层为两层绝缘层为例,在此情况下,纵截面为倒T形的凹槽161的一部分位于该两层绝缘中远离衬底13的一层绝缘层上,另一部分位于该两层绝缘中靠近衬底13的一层绝缘层上,第一凹槽163位于远离衬底13的一层绝缘层上。
需要说明的是,当上述至少一层绝缘层为两层或两层以上时,该至少两层绝缘层在阴极阻断结构16位置处,沿衬底13厚度方向,表面接触。
有机材料具有较好的延展性和柔韧性,通过在第一凹槽163处设置第二有机填充图案164,可以增加显示面板1的延展性和柔韧性。同时,当使用有机材料制作挡墙18时,由于有机材料之间的粘附性较好,可以提高挡墙18与上述至少一层绝缘层远离衬底13的表面的粘附性,避免由于挡墙18与上述至少一层绝缘层远离衬底13的表面剥离而导致薄膜封装层15的开裂,进一步提高封装的信赖性。
可选的,在显示面板1包括第二有机填充图案164的情况下,第二有机填充图案164中掺杂有干燥剂。
通过在第二有机填充图案164中掺杂干燥剂,可以提高薄膜封装层15对水氧的阻隔能力,提高封装的信赖性。
可选的,如图2a、图2b和图7所示,显示区11包括多个亚像素111,显示区11设置有位于每个亚像素中111的像素驱动电路、平坦层1111、阳极1112以及发光功能层1113,发光功能层1113位于阳极1112和阴极14之间。阳极1112通过平坦层1111上的第一过孔1114与像素驱动电路连接。
像素驱动电路包括薄膜晶体管112,薄膜晶体管112包括依次设置于衬底13上的半导体有源图案1121、第一栅绝缘层1122、栅极1123、层间绝缘层1124和源极1125、漏极1126,源极1125、漏极1126至少通过层间绝缘层1124上的第二过孔1127分别与半导体有源图案1121接触。
平坦层1111和层间绝缘层1124均由显示区11延伸至周边区12,上述至少一层绝缘层包括平坦层1111和层间绝缘层1124;阴极阻挡结构16包括沿衬底13厚度方向层叠且接触的第一子凹槽1611和第二子凹槽1612,第一子凹槽1611设置于平坦层1111上并贯穿平坦层1111,第二子凹槽1612设置于层间绝缘层1124上。
其中,第二子凹槽1612可以贯穿层间绝缘层1124,或者,如图7所示,第二子凹槽1612未贯穿层间绝缘层1124。
可选的,沿衬底13厚度方向,第一子凹槽1611的高度范围为0.3~2μm,例如可以为0.6μm。
沿衬底13厚度方向,第二子凹槽1612的高度范围为0.2~5μm,例如可以为0.8μm。
由此可知,层间绝缘层1124的厚度可以大于第二子凹槽1612的厚度。
由于在显示区11边界的任一侧,阴极阻断结构16为凹槽161,沿垂直该边界方向凹槽161的纵截面为倒T形,因此沿垂直该边界的方向第一子凹槽1611的宽度小于第二子凹槽1612的宽度。
示例的,沿垂直于显示区11边界的任一侧的方向,第二子凹槽1612的宽度为5~50μm,例如可以为13μm。
沿垂直于显示区11边界的任一侧的方向,第一子凹槽1611的宽度为2~40μm,例如可以为6μm。
需要说明的是,本发明实施例以薄膜晶体管112为顶栅型薄膜晶体管进行示意,薄膜晶体管112也可以为底栅型薄膜晶体管、双栅型薄膜晶体管等任意一种,本发明对此不做限定
可选的,如图8所示,薄膜晶体管112还包括设置于半导体有源图案1121靠近衬底13一侧的第二栅绝缘层1128、以及设置于第二栅绝缘层1128靠近衬底13一侧的第二栅极1129。即,薄膜晶体管112为双栅型晶体管。
可选的,阴极阻断结构16为多个,且多个所述阴极阻断结构16间隔设置。
如图1b、图2b、以及图3a-图6所示,阴极阻断结构16可以设置为3个,这样能够在保证阴极14的主体部分与薄膜封装层15边缘的距离的前提下,缩小周边区12的面积。
本发明提供一种显示装置,包括显示面板1。
如图9所示,本发明实施例提供一种显示面板1的制备方法,显示面板1具有至少一个显示单元区域10,显示单元区域10包括显示区11以及环绕显示区11的周边区12。
该显示面板1的制备方法,包括:
S10、如图1b和图1c所示,在衬底13形成位于周边区12形成的阴极阻断结构16
S20、如图1b和图1c所示,在衬底13上,依次形成位于显示单元区域10的阴极14和薄膜封装层15;阴极14覆盖显示单元区域10中显示区11且延伸至周边区12,并在阴极阻挡结构16位置处断开;薄膜封装层15覆盖阴极14,且薄膜封装层15的边缘超出阴极14的边缘。
可选的,阴极阻断结构16环绕显示区11一周设置。
可选的,如图4所示,在形成阴极阻断结构之前所述方法还包括,
在衬底12上且位于显示单元区域10形成至少一层绝缘层;
在显示区11边界的任一侧,阴极阻断结构16为凹槽161,沿垂直该边界方向凹槽161的纵截面为倒T形,且阴极阻断结构16设置于至少一层绝缘层上。在本发明实施例提供的显示面板1的制备方法中,在至少一层绝缘层上形成位于周边区12的阴极阻断结构16,将位于阴极阻断结构16区域的阴极14断开,即,在每个显示单元区域10中,将阴极14分为主体部分和断开部分,主体部分覆盖显示区11并由显示区11延伸至阴极阻断结构16(该阴极阻断结构16指最靠近显示区11的阴极阻断结构16)靠近显示区11的一侧,从而保证覆盖显示区11并由显示区11延伸至阴极阻断结构16靠近显示区11一侧的主体部分的边缘,与封装薄膜层15的边缘之间的距离较大,防止水氧从阴极14边缘入侵,保证了封装的信赖性。在此基础上,考虑到在蒸镀形成阴极14时,存在对位精度的问题,为保证在对位精度较低的情况下,上述主体部分也能形成在预定的区域,可以通过增大阴极14的蒸镀面积来实现,而由于阴极阻挡结构16的设置,因而即使阴极14整体的尺寸较大,也可保证封装信赖信。
可选的,衬底13包括彼此分隔开的多个岛131、以及将多个岛131中每个岛131连接起来的多个桥132。每个岛131所在区域为一个显示单元区域10。
可选的,在形成阴极阻挡结构16之后,形成阴极14之前,显示面板1的制备方法还包括,在岛131上且位于周边区12形成连接电极17,连接电极17位于阴极阻挡结构16靠近显示区11一侧。
连接电极17与阴极14直接电连接,不同岛131上的连接电极17通过位于桥132上的连接线电连接为一体。
可选的,阴极阻挡结构16包括沿衬底13厚度方向层叠且接触的第一子凹槽1611和第二子凹槽1612。
在形成阴极14之前,显示面板1的制备方法还包括:
如图10-图16所示,在显示单元区域10的显示区11中依次形成位于每个亚像素111中的像素驱动电路、平坦层1111、阳极1112以及发光功能层1113。
像素驱动电路包括薄膜晶体管112,薄膜晶体管112包括依次形成于衬底13上的半导体有源图案1121、第一栅绝缘层1122、栅极1123、层间绝缘层1124和源极1125、漏极1126。层间绝缘层1124由显示区11延伸至周边区12,源极1125、漏极1126至少通过层间绝缘层1124上的第二过孔1127与半导体有源图案1121接触。
平坦层1111由显示区11延伸至周边区12,阳极1112通过平坦层1111上的第一过孔1114与像素驱动电路连接。
在衬底13上且位于显示单元区域10形成至少两层绝缘层,包括:在衬底13上且位于显示单元区域10形成上述的层间绝缘层1124和平坦层1111。
其中,第二子凹槽1612与第二过孔1127同步形成,第一子凹槽1621与第一过孔1114同步形成,且第一子凹槽1611贯穿平坦层1111并与第二子凹槽1612接触。
第一子凹槽1611与第二子凹槽1612可以通过刻蚀工艺形成,将第二子凹槽1612与第二过孔1114同步形成、第一子凹槽1611与第一过孔1114同步形成,可以在现有的工艺流程上直接制作第一子凹槽1611与第二子凹槽1612,简化了制备工艺。
可选的,沿衬底13厚度的方向,第一子凹槽1611的高度范围为0.3~2μm,例如可以为0.6μm。
沿衬底13厚度的方向,第二子凹槽1612的高度范围为0.2~5um,例如可以为0.8μm。
沿垂直于显示区11边界的任一侧的方向,第二子凹槽1612的宽度范围为5~50um,例如可以为13μm。第一子凹槽1611的宽度范围为2~40μm,例如可以为6μm。
在形成层间绝缘层1124之后,形成平坦层1111之前,显示面板1的制备方法还包括:
如图10和图11所示,在第二子凹槽1612中填充光刻胶1612a,使光刻胶1612a远离衬底13的表面与层间绝缘层1124的远离衬底13的表面齐平。
对光刻胶1612a进行曝光。
如图15-图16所示,在形成平坦层1111之后,形成阴极14之前,显示面板1的制备方法还包括:将填充在第二子凹槽中1612的光刻胶1612a进行显影。
将填充在第二子凹槽中1612的光刻胶1612a进行显影后,第一子凹槽1611和第二子凹槽1612共同构成阴极阻断结构16。
可选的,如图17-图18所示,在形成阴极14之后,形成薄膜封装层15之前,显示面板1的制备方法还包括:
在阴极阻挡结构16位置处,填充第一有机填充图案162,并进行固化;第一有机填充图案162的远离衬底13的表面与平坦层1111远离衬底13的表面齐平。
可选的,第一有机填充图案162中掺杂有干燥剂。
第一有机填充图案162用于填充阴极阻断结构16,并使第一有机填充图案162的远离衬底13的表面与平坦层1111远离衬底13的表面齐平,可以在后续制作薄膜封装层15时,避免薄膜封装层15在阴极阻断结构16处因为段差而断开。此外,第一有机填充图案162具有较好的延展性和柔韧性,通过设置第一有机填充图案162,可以增加显示面板1的延展性和柔韧性。此外,通过在第一有机填充图案162中掺杂干燥剂,可以提高薄膜封装层15对水氧的阻隔能力,提高封装的信赖性。
可选的,如图13-图15所示,在形成平坦层1111之后,对填充在第二子凹槽1612中的光刻胶进行显影之前,显示面板1的制备方法还包括:
在周边区12形成挡墙18,挡墙18位于阴极阻断结构16远离显示区11一侧;在显示区11边界的任一侧,挡墙18沿垂直该边界方向的纵截面为倒梯形。
通过制作倒梯形的挡墙18,使得当显示面板1尤其使是可拉伸显示面板中,薄膜封装层15的边缘受到较大的应力而发生开裂时,挡墙18可以对该裂纹进行阻挡,避免裂纹延伸至显示区11,导致水氧等从裂纹入侵至显示区11,而影响显示面板1的性能。
可选的,如图13所示,在所述显示面板的制备方法还包括在所述周边区形成挡墙的情况下,在平坦层1111上形成第一子凹槽1611与第一过孔1114的同时,还形成位于周边区11的第一凹槽163;第一凹槽163正对挡墙18设置。
如图14-图16所示,在将填充在第二子凹槽1612中的光刻胶进行显影之前,显示面板1的制备方法还包括:
在第一凹槽1611中填充第二有机图案164,并进行固化;挡墙18与第二有机填充图案164的远离衬底13的表面接触。
可选的,第二有机填充图案164中掺杂有干燥剂。
第二有机填充图案164具有较好的延展性和柔韧性,通过设置第二有机填充图案164,可以增加显示面板1的延展性和柔韧性。同时,当使用有机材料制作挡墙18时,由于有机材料之间的粘附性较好,可以提高挡墙18与至少一两层绝缘层中最远离衬底13的绝缘层远离衬底13的表面的粘附性,避免由于挡墙18与上述至少一层绝缘层远离衬底13的表面剥离而导致薄膜封装层15的开裂,进一步提高封装的信赖性。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,具有至少一个显示单元区域,所述显示单元区域包括显示区以及环绕所述显示区的周边区;
所述显示面板包括衬底、设置于所述衬底上且位于所述显示单元区域的阴极和薄膜封装层;所述阴极覆盖所述显示区并延伸至所述周边区;所述薄膜封装层设置于所述阴极远离所述衬底一侧,所述薄膜封装层覆盖所述阴极,且所述薄膜封装层的边缘超出所述阴极的边缘;
所述显示面板还包括设置于显示单元区域中所述周边区的阴极阻断结构;所述阴极阻断结构用于使所述阴极在所述阴极阻断结构位置处断开;
在所述显示区边界的任一侧,当设置有所述阴极阻断结构时,所述阴极阻断结构为凹槽,沿垂直该边界方向所述凹槽的纵截面为倒T形;其中,所述阴极阻断结构设置于至少一层绝缘层上;
所述显示面板还包括填充于所述阴极阻断结构位置处的第一有机填充图案,所述第一有机填充图案的远离所述衬底的表面与所述至少一层绝缘层远离所述衬底的表面齐平。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底包括彼此分隔开的多个岛、以及将多个所述岛中每个岛连接起来的多个桥;
每个所述岛所在区域为一个所述显示单元区域;
所述显示面板还包括设置于所述岛上且位于所述周边区的连接电极,所述连接电极与所述阴极直接电连接;不同所述岛上的所述连接电极通过设置于所述桥上的连接线电连接为一体;
其中,所述阴极阻断结构设置于所述连接电极靠近所述岛边缘一侧。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述显示区边界的每一侧,还包括设置于所述显示单元区域的所述周边区中的挡墙,当所述显示区边界的任一侧同时设置有所述阴极阻断结构和所述挡墙时,所述挡墙位于所述阴极阻断结构远离所述显示区边界的一侧;
在所述显示区边界的任一侧,所述挡墙沿垂直该边界方向的纵截面为倒梯形。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述至少一层绝缘层中远离所述衬底的一侧还设置有第一凹槽,所述第一凹槽正对所述挡墙设置;
所述第一凹槽中填充有第二有机填充图案,所述第二有机填充图案的远离所述衬底的表面,与所述至少一层绝缘层中远离所述衬底的表面齐平;
所述挡墙设置于所述第二有机填充图案的远离所述衬底的表面上。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机填充图案中掺杂有干燥剂。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区设置有位于每个亚像素中的像素驱动电路、平坦层、阳极以及发光功能层,所述发光功能层位于所述阳极和所述阴极之间;所述阳极通过所述平坦层上的第一过孔与所述像素驱动电路连接;
所述像素驱动电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底上的半导体有源图案、第一栅绝缘层、栅极、层间绝缘层和源极、漏极,所述源极、所述漏极至少通过所述层间绝缘层上的第二过孔分别与所述半导体有源图案接触;
所述平坦层和所述层间绝缘层均由所述显示区延伸至所述周边区,所述至少一层绝缘层包括所述平坦层和所述层间绝缘层;所述阴极阻断结构包括沿所述衬底厚度方向层叠且接触的第一子凹槽和第二子凹槽,所述第一子凹槽设置于所述平坦层上并贯穿所述平坦层,所述第二子凹槽设置于所述层间绝缘层上。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的显示面板。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板具有至少一个显示单元区域,所述显示单元区域包括显示区以及环绕所述显示区的周边区;
所述显示面板的制备方法,包括:
在衬底上形成位于所述周边区的阴极阻断结构;
在衬底上,依次形成位于所述显示单元区域的阴极和薄膜封装层;所述阴极覆盖所述显示单元区域中所述显示区且延伸至所述周边区,并在所述阴极阻断结构位置处断开;所述薄膜封装层覆盖所述阴极,且所述薄膜封装层的边缘超出所述阴极的边缘;
在形成所述阴极阻断结构之前,所述制备方法还包括:
在衬底上且位于所述显示单元区域形成至少一层绝缘层;
在所述显示区边界的任一侧,所述阴极阻断结构为凹槽,沿垂直该边界方向所述凹槽的纵截面为倒T形,且所述阴极阻断结构设置于所述至少一层绝缘层上;
在形成所述阴极之后,形成所述薄膜封装层之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述阴极阻断结构位置处,填充第一有机填充图案,并进行固化;所述第一有机填充图案的远离所述衬底的表面与所述至少一层绝缘层远离所述衬底的表面齐平。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述阴极阻断结构包括沿所述衬底厚度方向层叠且接触的第一子凹槽和第二子凹槽;
在形成所述阴极之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述显示单元区域的所述显示区中依次形成位于每个亚像素中的像素驱动电路、平坦层、阳极以及发光功能层;
所述像素驱动电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括依次形成于所述衬底上的半导体有源图案、第一栅绝缘层、栅极、层间绝缘层和源极、漏极;所述层间绝缘层由所述显示区延伸至所述周边区,所述源极、所述漏极至少通过所述层间绝缘层上的第二过孔与所述半导体有源图案接触;
所述平坦层由所述显示区延伸至所述周边区,所述阳极通过所述平坦层上的第一过孔与所述像素驱动电路连接;
在衬底上且位于所述显示单元区域形成至少一层绝缘层,包括:在所述衬底上且位于所述显示单元区域形成所述层间绝缘层和所述平坦层;
其中,所述第二子凹槽与所述第二过孔同步形成,所述第一子凹槽与所述第一过孔同步形成,且所述第一子凹槽贯穿所述平坦层并与所述第二子凹槽接触。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在形成所述层间绝缘层之后,形成所述平坦层之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述第二子凹槽中填充光刻胶,使光刻胶远离所述衬底的表面与所述层间绝缘层的远离所述衬底的表面齐平;
对光刻胶进行曝光;
在形成所述平坦层之后,形成所述阴极之前,所述显示面板的制备方法还包括:将填充在所述第二子凹槽中的光刻胶进行显影。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在形成所述平坦层之后,对填充在所述第二子凹槽中的光刻胶进行显影之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述周边区形成挡墙,所述挡墙位于所述阴极阻断结构远离所述显示区一侧;在所述显示区边界的任一侧,所述挡墙沿垂直该边界方向的纵截面为倒梯形。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述显示面板的制备方法还包括在所述周边区形成挡墙的情况下,在所述平坦层上形成所述第一子凹槽与所述第一过孔的同时,还形成位于所述周边区的第一凹槽;所述第一凹槽正对所述挡墙设置;
在将填充在所述第二子凹槽中的光刻胶进行显影之前,所述显示面板的制备方法还包括:
在所述第一凹槽中填充第二有机填充图案,并进行固化;所述第二有机填充图案中掺杂有干燥剂;所述挡墙与所述第二有机填充图案的远离所述衬底的表面接触。
13.根据权利要求8~12中任一项所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述第一有机填充图案中掺杂有干燥剂。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910927307.9A CN110544714B (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
PCT/CN2020/116979 WO2021057757A1 (zh) | 2019-09-27 | 2020-09-23 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
US17/419,608 US12213350B2 (en) | 2019-09-27 | 2020-09-23 | Display panel and method for manufacturing the same, and display apparatus |
US18/926,316 US20250048854A1 (en) | 2019-09-27 | 2024-10-25 | Display panel and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910927307.9A CN110544714B (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110544714A CN110544714A (zh) | 2019-12-06 |
CN110544714B true CN110544714B (zh) | 2021-10-01 |
Family
ID=68714941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910927307.9A Active CN110544714B (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US12213350B2 (zh) |
CN (1) | CN110544714B (zh) |
WO (1) | WO2021057757A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110544714B (zh) | 2019-09-27 | 2021-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
WO2021062588A1 (zh) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板和显示装置 |
CN111129346B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111162197B (zh) * | 2020-01-02 | 2023-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
US12010876B2 (en) * | 2020-03-18 | 2024-06-11 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and manufacturing method thereof, and display device |
CN111653595B (zh) * | 2020-06-15 | 2023-01-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 |
CN111653605A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-09-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112271196B (zh) * | 2020-10-22 | 2024-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN114464643A (zh) * | 2020-10-22 | 2022-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN114975477B (zh) * | 2022-04-20 | 2025-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置 |
CN115275039A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-11-01 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种可拉伸显示面板和显示装置 |
CN115172422A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-11 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、可拉伸显示装置 |
WO2024082142A1 (zh) * | 2022-10-18 | 2024-04-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置、可穿戴设备 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102595919B1 (ko) * | 2016-05-09 | 2023-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR101908982B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2018-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102416889B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2022-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US20190267570A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-08-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Oled display device |
CN108539037A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-09-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oeld显示器件 |
CN108899352B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 |
US10541380B1 (en) * | 2018-08-30 | 2020-01-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with substrate comprising an opening and adjacent grooves |
CN109935730B (zh) | 2019-03-28 | 2021-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN110265583B (zh) * | 2019-07-26 | 2022-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110544714B (zh) | 2019-09-27 | 2021-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
2019
- 2019-09-27 CN CN201910927307.9A patent/CN110544714B/zh active Active
-
2020
- 2020-09-23 US US17/419,608 patent/US12213350B2/en active Active
- 2020-09-23 WO PCT/CN2020/116979 patent/WO2021057757A1/zh active Application Filing
-
2024
- 2024-10-25 US US18/926,316 patent/US20250048854A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20250048854A1 (en) | 2025-02-06 |
CN110544714A (zh) | 2019-12-06 |
WO2021057757A1 (zh) | 2021-04-01 |
US12213350B2 (en) | 2025-01-28 |
US20220085124A1 (en) | 2022-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110544714B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN110120463B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN112768502B (zh) | 有机发光显示面板和显示装置 | |
KR100435054B1 (ko) | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 | |
TWI578593B (zh) | 有機發光二極體裝置及其製造方法 | |
US7211944B2 (en) | Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same | |
CN110112317B (zh) | 显示装置、柔性显示面板及其制造方法 | |
CN113141779A (zh) | 显示基板及其制作方法和显示装置 | |
TW201503358A (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
CN103839965A (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
CN110649069B (zh) | 显示面板及显示面板的制作方法 | |
TWI699024B (zh) | 有機發光顯示器 | |
CN111244112A (zh) | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 | |
WO2021254033A1 (zh) | 柔性显示基板及其制备方法、显示装置 | |
JP2016167400A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
KR101236242B1 (ko) | 유기전계 발광소자, 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조방법 | |
CN110233168B (zh) | 有机发光显示器 | |
CN114503274A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN112289948B (zh) | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 | |
CN113178524B (zh) | 显示面板及显示面板制作方法、显示装置 | |
JP4503586B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
CN109860421B (zh) | 一种有机发光二极管显示器 | |
CN218998737U (zh) | 显示基板、显示面板和显示装置 | |
CN110634927A (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
JP2008010275A (ja) | 画像表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |